TWI782353B

TWI782353B - 發光裝置

Info

Publication number: TWI782353B
Application number: TW109139331A
Authority: TW
Inventors: 東照人; 橋本啟; 守野忠男
Original assignee: 日商日亞化學工業股份有限公司
Priority date: 2015-06-01
Filing date: 2016-05-20
Publication date: 2022-11-01
Also published as: JP2016225501A; TWI712189B; US20160348876A1; TW201705552A; CN106206921B; US20190291368A1; TW202111970A; US11254077B2; CN106206921A; US10357927B2; JP6554914B2

Abstract

本發明提供一種發光部之輪廓明確且可較經濟地製造的發光裝置及其製造方法。該發光裝置具有：發光元件，其具有上表面及側面；透光構件，其覆蓋發光元件之上表面之至少一部分，使來自發光元件之光透過；第一反射構件，其保持透光構件；及第二反射構件，其覆蓋發光元件之側面；第一反射構件具有位於與透光構件之下表面不同之平面上的第一底面，第一反射構件於第一底面之內側具有第二底面，第二底面與透光構件之下表面位於同一平面上，第二反射構件與第一底面面接觸。

Description

發光裝置

本發明係關於一種發光裝置及其製造方法。

使用有收納發光元件之封裝的表面安裝型發光裝置得以廣泛使用。然而，使用有封裝之表面安裝型發光裝置由於在再者製作之封裝上安裝發光元件而進行製作，故而封裝之尺寸限制了小型化。因此，對代替封裝而由反射構件覆蓋發光元件之側面之發光裝置亦進行了探討(例如，專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]：(日本)特開2012-227470號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，就專利文獻1中公開之發光裝置而言，於單片化後之發光裝置中，螢光體片之側面未被反射構件覆蓋而露出，故而發光部之輪廓模糊，所謂的分離性差。因此，本發明之目的在於提供一種發光部之輪廓明確的發光裝置及其製造方法。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述課題，本發明之一方面之發光裝置具有：發光元件，其具有上表面及側面；透光構件，其覆蓋上述發光元件之上表面之至少一部分，使來自上述發光元件之光透過；第一反射構件，其保持上述透光構件；及第二反射構件，其覆蓋上述發光元件之側面，上述第一反射構件具有位於與上述透光構件之下表面不同之平面上的底面，上述底面與上述第二反射構件相接。為了解決上述課題，本發明之一方面之發光裝置之製造方法，該發光裝置具有發光元件、覆蓋上述發光元件之上表面之至少一部分的透光構件、設置於上述透光構件之周圍的第一反射構件、及覆蓋上述發光元件之側面之第二光反射性構件，其中，包括：基板準備步驟，準備具有在與配置上述發光元件之位置對應的區域設有凸部之板表面之基板；第一樹脂框形成步驟，為了用於上述第一反射構件，將於上述凸部上具有開口部之第一樹脂框形成在上述板表面；第二樹脂塗敷步驟，以將上述開口部填埋之方式塗敷透光構件用第二樹脂；基板剝離步驟，將上述基板剝離；發光元件接合步驟，於藉由將上述基板剝離而露出的第二樹脂表面接合上述發光元件；及第三樹脂塗敷步驟，塗敷包圍上述發光元件之側面且與上述第一樹脂層相接的上述第二反射構件用第三樹脂。根據如上構成之本發明實施形態之發光裝置及其製造方法，能夠提供發光部之輪廓明確的發光裝置及其製造方法。

以下，基於附圖對本發明之實施形態進行詳細地說明。再者，於以下說明中，根據需要而使用表示特定之方向及位置的用語(例如，“上”、“下”、“右”、“左”及包含該等用語之其他用語)。該等用語之使用係為了容易理解參照附圖所描述之發明，並非由該等用語之含義來限定本發明之技術範圍。再者，複數個附圖表示之同一標記的部分表示同一部分或構件。實施形態 1 之發光裝置 圖1係本發明之實施形態1之發光裝置之俯視圖，圖2係關於圖1之A-A'線的剖面圖，圖3係實施形態1之發光裝置之仰視圖。本發明之實施形態1之發光裝置具有：將上表面作為發光面，於發光面之相反側的下表面設有電極13、14的發光元件1；設置於發光元件1之發光面上的透光構件3；設置於透光構件3周圍的第一反射構件5；設置於發光元件1周圍的第二反射構件7。於實施形態1之發光裝置中，發光元件1例如具有位於發光面側的透光性基板12與設於透光性基板12之發光面之相反側的面的半導體積層體11，於半導體積層體11之表面形成有電極13、14。半導體積層體11例如具有n型半導體層與p型半導體層，電極13與n型半導體層及p型半導體層中之一方連接，電極14與n型半導體層及p型半導體層中之另一方連接。半導體積層體11中，於n型半導體層與p型半導體層之間亦可還具有發光層。於實施形態1之發光裝置中，透光構件3之下表面與發光元件1之發光面相對，以覆蓋發光元件1之發光面之至少一部分之方式設置，發光元件發出之光透過透光構件3而射出。於實施形態1之發光裝置中，較佳為，透光構件3覆蓋發光元件1之整個發光面而設置，更佳為，如圖1所示，覆蓋發光元件1之整個發光面且透光構件3之外周面(外側面)位於發光元件1之外側面的外側而設置。透光構件3之上表面即表面3s作為光出射表面而構成發光裝置之上表面之一部分。透光構件3亦可以包含將發光元件1發出之光變換成不同波長之光的螢光體粒子。於實施形態1之發光裝置中，第一反射構件5於透光構件3周圍，較佳為，與透光構件3相接地設置，抑制光自透光構件3之側面漏出且保持透光構件3。第一反射構件5較佳為與透光構件3之整個側面相接地設置，由此，能夠有效地抑制光自透光構件3之側面漏出且可靠地保持透光構件3。於實施形態1之發光裝置中，第一反射構件5之表面5s例如將透光構件3之上表面即表面3s包圍而構成發光裝置之上表面之一部分，由此，於發光裝置之上表面，明確地規定由表面3s構成之光出射表面與由表面5s構成之非出射表面之邊界。再者，第一反射構件5係於透光構件3之下表面之更下側具有第一底面5a，例如如圖2所示，在第一底面5a與同透光構件3的下表面處於同一平面上的第二底面5b之間形成階差。於實施形態1之發光裝置中，藉由位於同一平面上之透光構件3的下表面與第二底面5b構成供安裝發光元件1的安裝面，於該安裝面上，利用黏晶樹脂以與透光構件3的下表面相對之方式接合發光元件1的發光面。由此，在位於第一底面5a與第二底面5b之間的內周面5c之內側，沿著發光元件1之側面形成黏晶樹脂。黏晶樹脂係以自發光元件1之側面向透光構件3側擴展之方式使其側面傾斜，從而具有傾斜部9。該黏晶樹脂需要使光透過形成於發光元件1與透光構件3之間的黏晶樹脂，故而較佳為由透光性樹脂構成。形成於該發光元件1與透光構件3之間的透光性樹脂層例如形成為2～30μm之厚度，較佳為4～20μm之厚度，更較佳為5～10μm左右之厚度。再者，此處，由黏晶樹脂形成有傾斜部9，但亦可使用與黏晶樹脂不同之透光性樹脂形成傾斜部9。於實施形態1之發光裝置中，第二反射構件7覆蓋發光元件1而設置，為了外部連接而使電極13、14的表面露出。第二反射構件7以與第一反射構件5的第一底面5a相接、即面接觸之方式設置，利用第二反射構件7與第一反射構件5來保護發光元件1。第二反射構件7較佳為，除了第一反射構件5之第一底面5a之外，與第一反射構件5之階差部分、即第一反射構件5之內周面及黏晶樹脂之表面緊密貼合而形成。由此，能夠提高第一反射構件5與第二反射構件7之接合強度。再者，若傾斜部9由透光性樹脂形成，則於傾斜部9與第二反射構件7之界面，能夠將自發光元件1之側面射出的光反射而經由透光構件3取出，故而能夠提高光的取出效率。第二反射構件7之底面實質上平坦地形成，於其底面使電極13、14的表面露出。於實施形態1之發光裝置中，電極13、14之表面露出的第二反射構件7之底面為發光裝置之安裝面。以上述方式構成之實施形態1的發光裝置不使用另外製作之封裝，而是藉由第二反射構件7與第一反射構件5保護發光元件1而構成，故而能夠小型化。以上述方式構成之實施形態1的發光裝置係以包圍光出射表面即透光構件3的表面3s且被第一反射構件5的表面5s包圍之方式構成，故而能夠明確地規定光出射表面與非出射表面之邊界，能夠構成分離性良好的發光裝置。以上述方式構成之實施形態1的發光裝置中，於第一反射構件5，在第一底面5a與第二底面5b之間形成有階差，故而能夠有效地抑制光自第一反射構件5與第二反射構件7的界面洩漏。在此，為了提高第一反射構件5與第二反射構件7的接合強度且更有效地抑制光自第一反射構件5與第二反射構件7的界面洩漏，第一底面5a與第二底面5b之間的階差較佳為1 μm～1000 μm，更佳為10 μm～200 μm、最好為30 μm～100 μm。換言之，第一底面5a與第二底面5b之間的階差為內周面5c的高度。再者，透光構件3之厚度較佳為10 μm～500 μm。第一反射構件5之未形成階差的部分(厚度薄的部分)之厚度與透光構件3之厚度同樣地，較佳為10 μm～500 μm。由此，能夠構成分離性更好的發光裝置。以上述方式構成之實施形態1的發光裝置能夠由後述之製造方法製造，故而能夠較經濟地製造。以上述方式構成之實施形態1的發光裝置能夠由後述之製造方法製造，故而藉由使透光構件3中含有螢光體，能夠提供包含各種螢光體之發光裝置。於以上實施形態1之發光裝置中，圖2中表示了光出射表面即透光構件3的表面3s由平坦面構成的例子。然而，於本發光裝置中，光出射表面並不限於平坦，亦可以為凹面，還可以為凸面。亦可以使光出射表面具有凹凸。實施形態 1 之發光裝置之製造方法 實施形態1之發光裝置之製造方法係製造上述實施形態1之發光裝置的方法，其包含：基板準備步驟、第一反射構件形成步驟、透光構件形成步驟、發光元件安裝步驟、第二反射構件形成步驟、切割步驟。本製造方法中，第一反射構件形成步驟及透光構件形成步驟係於基板準備步驟中所準備之基板20上進行。 (基板準備步驟) 於本實施形態1之製造方法中，在基板準備步驟中準備於與發光元件配置之位置對應的區域具有凸部21a的基板20。凸部21a形成於基板20之板表面21。基板20例如由SUS等金屬構成，凸部21a係藉由對板表面進行加工而形成。再者，凸部21a之形狀係基於發光元件1之形狀而決定，例如為了容易地進行發光元件1的安裝，凸部之上表面較之發光元件1之上表面形狀大一圈而形成。再者，該基板亦能夠反覆使用，基板準備步驟無需在第一反射構件形成步驟前進行。 (第一反射構件形成步驟) 於本實施形態1之製造方法中，在第一反射構件形成步驟中，例如如圖7(a)所示，於基板20之板表面21側配置模具250，利用傳遞成型或射出成型等而在凸部21a上形成具有開口的格子形狀的第一樹脂框25b。具體地，使在與凸部21a相對的位置具有模具凸部250a的模具250配置為模具凸部250a之上表面與凸部21a之上表面接觸，在凸部21a與模具凸部250a周圍形成形狀與第一樹脂框25b對應的空洞。而且，於該空洞內例如填充包含光反射性物質的第一樹脂並使之固化。之後，於分割成單個的發光裝置之後，形成成為第一反射構件5之第一樹脂框25b。再者，第一反射構件形成步驟亦可以不使用模具250，而如圖8(a)所示地，於基板表面21之整個面形成第一樹脂層25並使之固化之後，如圖8(b)所示地形成開口部(開口部形成步驟)。於開口部形成步驟中，在固化後之第一樹脂層25，於凸部21a上分別形成開口部25a。開口部25a以凸部21a在開口部25a底面露出之方式、且成為與透光構件3對應之形狀之方式分別形成。開口部25a例如藉由噴砂、雷射加工等而形成。 (透光構件形成步驟) 於本實施形態1之製造方法中，透光構件形成步驟例如在形成包含螢光體的透光構件3之情形時，包含第二樹脂層形成步驟、例如藉由離心分離而使螢光體沈降的螢光體沈降步驟及第二樹脂層固化步驟。於第二樹脂層形成步驟中，如圖7(c)所示，例如將包含螢光體的第二樹脂例如藉由澆灌而填充至開口部25a且覆蓋於第一樹脂框25b上而進行塗敷，形成第二樹脂層23。於螢光體沈降步驟中，以與基板20平行且位於基板20相反側的第二樹脂層23上方之旋轉軸為中心，使第二樹脂層23與基板20一同旋轉，使第二樹脂層23中含有之螢光體在基板20側沈降。於第二樹脂層固化步驟中，在使螢光體在基板20側沈降之狀態下使第二樹脂層23固化。根據以上的透光構件形成步驟，能夠使用各種螢光體製造發光裝置。相對於此，專利文獻1之發光裝置由於使用大型的螢光體片製造，故而具有無法使用難以片材化之螢光體的問題。再者，於以填充在開口部25a中且覆蓋於第一樹脂框25b上之方式形成有第二樹脂層23之情形時，在使第二樹脂層23固化之後，透光構件形成步驟還具有除去步驟。於除去步驟中，如圖7(d)所示，填充至開口部25a之第二樹脂層23成為所希望之厚度，以將第一樹脂框25b上的第二樹脂層除去之方式自上表面例如對第二樹脂層23進行磨削。於透光構件形成步驟中，藉由在各開口部25a分別填充特定量之第二樹脂層23，從而無需於第一樹脂框25b上形成第二樹脂層23，亦可以在開口部25a分別形成特定厚度之第二樹脂層23，在如此之情況下，無需除去步驟。 (發光元件安裝步驟) 於本實施形態1之製造方法中，發光元件安裝步驟包含基板剝離步驟、黏晶步驟，根據需要，在基板剝離步驟前包含補強片貼附步驟。在此，包含補強片貼附步驟而進行說明。於補強片貼附步驟中，在第一樹脂框25b上及形成於開口部25a且由第二樹脂層構成之透光構件3上貼附補強片40。補強片40對將基板20剝離後的、第一樹脂框25b與由第一樹脂框25b保持之透光構件3構成的複合片30進行補強。於基板剝離步驟中，將基板20自藉由補強片40補強之複合片30剝離。於基板20已剝離之複合片30上分別形成與基板20之凸部21對應的凹部30a。凹部30a之底面分別包含透光構件3之下表面、與在該下表面之周圍露出的第二底面5b。再者，於凹部30a周圍使第一底面5a露出。於黏晶步驟中，如圖7(e)所示，在各凹部30a之底面藉由黏晶樹脂分別接著發光元件1。該黏晶樹脂例如由透光性樹脂構成，於發光元件1與透光性構件3之間形成黏晶樹脂層，於發光元件1周圍形成由黏晶樹脂構成之傾斜部9。發光元件1較佳為不超出第二底面5b而與透光構件3之下表面接合，以使能經由透光構件3而有效地取出。再者，發光元件1較佳為將由黏晶樹脂形成之傾斜部9以形成於發光元件1周圍之凹部30a內的方式進行安裝。藉由以傾斜部9之端部達到凹部30a之側壁的方式形成，能夠將傾斜部9跨及透光構件3與第一樹脂框25b而形成。由此，能夠使傾斜部9於透光構件3之整個下表面擴展，能夠將光射入透光構件3之整個面。由此，能夠抑制發光面之亮度不均。 (第二反射構件形成步驟) 於本實施形態1之製造方法中，第二反射構件形成步驟包含第三樹脂形成步驟、第三樹脂層磨削步驟。於第三樹脂形成步驟中，如圖7(f)所示，例如將包含光反射性物質之第三樹脂27，以覆蓋分別安裝於各凹部30a之發光元件1且與第二底面5b相接的方式形成。於形成第三樹脂27時，較佳為第三樹脂以填充於發光元件1周圍的凹部30a內且與傾斜部及凹部30a的側面相接之方式形成，若如此，則能夠將第一樹脂與第二樹脂牢固地接合。於第三樹脂層磨削步驟中，自下表面磨削第三樹脂27而使發光元件之電極13、14露出。 (分割步驟) 於分割步驟中，在將補強片剝離之後，或者與補強片一同地，將第一樹脂與第三樹脂沿著圖7(g)所示的分割線L1利用切割等方法切斷，從而分離成單個的發光裝置。如上，製作圖1～圖3所示之實施形態1之發光裝置。實施形態 2 之發光裝置 實施形態2之發光裝置如圖4～圖6所示，使用與透光構件3相接之第一反射構件5之內周面連續地延伸至第二底面5b的無階差的第一反射構件5而構成，此方面與實施形態1的發光裝置不同。如上構成之實施形態2之發光裝置能夠經由透光構件3將被由透光性樹脂形成之傾斜部9與第二反射構件7之界面反射的光更有效地取出，能夠進一步提高光的取出效率。實施形態 3 之發光裝置 實施形態3之發光裝置如圖9所示，第一反射構件5係於較透光構件3之下表面更上側具有第一底面5a，於此方面與實施形態2之發光裝置不同。即，透光構件3之側面被第一反射構件5及第二反射構件7二者覆蓋。如上構成之實施形態3之發光裝置中，於第一反射構件5，在第一底面5a與透光構件3之下表面(發光元件1與透光構件3之接合面)之間形成有階差，故而能夠有效地抑制光自第一反射構件5與第二反射構件7的界面洩漏。實施形態 4 之發光裝置之製造方法 實施形態4之發光裝置之製造方法與實施形態1的發光裝置之製造方法相比，如圖10(a)～(g)所示，除了基板200之形狀與實施形態1之製造方法中使用的基板20不同以外，與實施形態1之製造方法同樣地構成。具體地，於實施形態4之發光裝置之製造方法中，基板200例如具有由圓柱空洞構成的貫通孔220，該貫通孔220分別設置於例如在對角方向上鄰接的凸部210a之間。即，於基板200，例如複數個矩形形狀之凸部250a在基板表面210構成多行與多列而設置，在其對角方向上分別交替地設有凸部250a與貫通孔220。於使用如上構成之基板200的實施形態4之發光裝置之製造方法中，當形成第一樹脂框25b1時，於貫通孔220中亦填充包含光反射性物質之第一樹脂，於第一樹脂框25b1分別形成與貫通孔220之形狀對應的、例如圓柱形狀之肋25r。以下，與實施形態1同樣地形成了透光構件3之後，將基板200剝離。於如上構成之實施形態4之發光裝置之製造方法中，肋25r貫通貫通孔220而設置，故而在將基板200剝離時，藉由在將基板200固定之狀態下按壓肋25r，從而能夠將第一樹脂框25b1容易地剝離。利用以上實施形態4之製造方法製作的發光裝置如圖11所示，較之第一底面5a靠下方之肋25a的前端面25at的一部分在與第二反射構件7之底面大致同一平面上露出，除此之外，與實施形態1的發光裝置同樣地構成，具有與實施形態1之發光裝置同樣的作用效果。在此，於圖11之剖面圖中，為了在兩側分別表示肋25a的一部分，表示接近側面位置的剖面，但在較之圖11之剖面靠中央的剖面，於發光裝置之情況下亦成為圖2所示的剖面。圖10(a)～(g)亦同樣。以下，對適於實施形態之發光裝置之各構成構件之材料等進行說明。 (發光元件1) 作為發光元件1，例如能夠使用發光二極體晶片等半導體發光元件。半導體發光元件能夠包含透光性基板12、及形成於其上之半導體積層體11。發光元件1之大小於例如俯視時之形狀為正方形之情形時，邊長為300 μm以上且1400 μm以下。 (透光性基板12) 透光性基板12能夠使用例如藍寶石(Al₂ O₃ )、尖晶石(MgAl₂ O₄ )般之透光性之絕緣性材料、或使來自半導體積層體11之發光透過的半導體材料(例如、氮化物系半導體材料)。 (半導體積層體11) 半導體積層體11例如包含n型半導體層、發光層(活性層)以及p型半導體層等複數個半導體層。半導體層例如能夠由III-V族化合物半導體、II-VI族化合物半導體等半導體材料形成。具體地，能夠使用In_X Al_Y Ga_l-X-Y N(0≦X、0≦Y、X＋Y≦1)等氮化物系之半導體材料(例如InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等)。 (電極13、14) 作為發光元件1之電極13、14，能夠使用電性良導體，例如較佳為Cu等金屬。 (作為黏晶樹脂使用之透光性樹脂) 作為透光性樹脂，尤其能夠使用矽酮樹脂、矽酮改性樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂等熱固性透光性樹脂。再者，透光性樹脂與發光元件1之側面接觸，在點亮時容易受到發光元件1產生之熱的影響。於該方面，熱固性樹脂之耐熱性優良，適合作為透光性樹脂。 (第一反射構件5及第二反射構件7) 第一反射構件5及第二反射構件7能夠由光反射性樹脂構成。光反射性樹脂係指，相對於來自發光元件1之光的反射率高、例如反射率為70%以上的樹脂。作為反射性樹脂，例如可使用使光反射性物質分散於透光性樹脂中的材料。作為光反射性物質，例如適合氧化鈦、二氧化矽、二氧化鈦、二氧化鋯、鈦酸鉀、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、莫來石等。光反射性物質可利用粒狀、纖維狀、薄板片狀等，但尤其是纖維狀之構成能夠使第一反射構件5及第二反射構件7的熱膨脹率降低，例如能夠減小與發光元件1之間的熱膨脹率差，故而較佳。作為反射性樹脂中包含之樹脂材料，尤佳為矽酮樹脂、矽酮改性樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂等熱固性的透光性樹脂。 (透光構件3) 作為構成透光構件3之透光性樹脂，能夠使用矽酮樹脂、矽酮改性樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂等熱固性樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、甲基戊烯樹脂、聚降冰片烯樹脂等熱可塑性樹脂。耐光性、耐熱性優良之矽樹脂尤其較佳。 (螢光體) 螢光體顯然可使用可由來自發光元件1之發光激發的材料。例如，作為能夠由藍色發光元件或紫外線發光元件激發的螢光體，可列舉由鈰活化之釔·鋁·石榴石系螢光體(Ce：YAG)、由鈰活化之鑥·鋁·石榴石類系光體(Ce：LAG)、由銪及/或鉻活化之含氮鋁矽酸鈣系螢光體(CaO-Al₂ O₃ -SiO₂ )、由銪活化之矽酸鹽類螢光體((Sr, Ba)₂ SiO₄ )、β矽鋁氧氮陶瓷螢光體、CASN類螢光體、SCASN系螢光體等氮化物螢光體；KSF類螢光體(K₂ SiF₆ ：Mn)；硫化物類螢光體；量子點螢光體等。藉由將該等螢光體與藍色發光元件或紫外線發光元件組合，能夠製造各種顏色的發光裝置(例如白色系發光裝置)。以上，對本發明之若干實施形態進行了示例，但本發明不限於上述實施形態，顯然只要不脫離本發明之主旨，則能夠形成為任意構成。

1:發光元件 3:透光構件 3s:透光構件之表面 5:第一反射構件 5a:第一底面 5b:第二底面 5c:內周面 5s:第一反射構件之表面 7:第二反射構件 9:傾斜部 11:半導體積層體 12:透光性基板 13,14:電極 20,200:基板 21,210:板表面 21a,210a:凸部 23:第二樹脂層 25:第一樹脂層 25a:開口部 25r:肋 25b:第一樹脂框 25at:前端面 27:第三樹脂 30:複合片 30a:凹部 40:補強片 220:貫通孔 250a:模具凸部

圖1係本發明之實施形態1之發光裝置之俯視圖；圖2係關於圖1之A-A'線的剖面圖；圖3係實施形態1之發光裝置之仰視圖；圖4係本發明之實施形態2之發光裝置之俯視圖；圖5係關於圖4之A-A'線之剖面圖；圖6係實施形態2之發光裝置之仰視圖；圖7(a)～(g)係用於說明實施形態之發光裝置之製造方法的剖面圖；圖8(a)及(b)係用於說明實施形態1之變形例之發光裝置之製造方法的剖面圖；圖9係本發明之實施形態3之發光裝置之剖面圖；圖10(a)～(g)係用於說明本發明之實施形態4之發光裝置之製造方法的剖面圖；圖11係本發明之實施形態4之發光裝置之剖面圖。

1:發光元件

3:透光構件

3s:透光構件之表面

5:第一反射構件

5a:第一底面

5b:第二底面

5c:內周面

5s:第一反射構件之表面

7:第二反射構件

9:傾斜部

11:半導體積層體

12:透光性基板

13:電極

Claims

一種發光裝置，其特徵在於具有：發光元件，其具有上表面及側面；透光構件，其使來自上述發光元件之光透過，且具有與上述發光元件相對之下表面，上述下表面大於上述發光元件之上表面；第一反射構件，其保持上述透光構件；及第二反射構件，其覆蓋上述發光元件之側面；且上述第一反射構件具有位於與上述透光構件之下表面不同之平面上的底面，上述底面與上述第二反射構件相接；上述發光元件沿上述發光元件之側面具有透光性樹脂，且上述透光性樹脂具有以向上述透光構件側擴開之方式使側面傾斜之傾斜部；上述第一反射構件之底面位於較上述透光構件之下表面更靠上側；上述透光構件之側面被上述第一反射構件及上述第二反射構件覆蓋。
如請求項1之發光裝置，其中，上述發光元件經由接著材料與上述透光構件接著。
如請求項2之發光裝置，其中，上述第二反射構件與上述接著材料相接。
如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中，上述透光構件含有螢光體。
如請求項4之發光裝置，其中，上述發光元件係藍色發光元件或紫外線發光元件之任一者，且上述螢光體包含由鈰活化之釔．鋁．石榴石系螢光體(Ce：YAG)、由鈰活化之鑥．鋁．石榴石類系光體(Ce：LAG)、由銪及/或鉻活化之含氮鋁矽酸鈣系螢光體(CaO-Al₂O₃-SiO₂)、由銪活化之矽酸鹽類螢光體((Sr,Ba)₂SiO₄)、β矽鋁氧氮陶瓷螢光體、CASN類螢光體、SCASN系螢光體等氮化物螢光體；KSF類螢光體(K₂SiF₆：Mn)；硫化物類螢光體；量子點螢光體之任一者。
如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中，上述第一反射構件係於透光性樹脂中分散光反射性物質者，上述透光性樹脂包含矽酮樹脂、矽酮改性樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂之任一者，上述光反射性物質包含氧化鈦、二氧化矽、二氧化鈦、二氧化鋯、鈦酸鉀、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、莫來石之任一者。
如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中，上述第二反射構件係於透光性樹脂中分散光反射性物質者，上述透光性樹脂包含矽酮樹脂、矽酮改性樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂之任一者，上述光反射性物質包含氧化鈦、二氧化矽、二氧化鈦、二氧化鋯、鈦酸鉀、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、莫來石之任一者。
如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中，上述透光構件係包含矽酮樹脂、矽酮改性樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂等熱固性樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、甲基戊烯樹脂、聚降冰片烯樹脂之任一者之透光性樹脂。