CN113299635A - 一种发光模组及其制备方法、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种发光模组及其制备方法、电子设备，发光模组包括驱动基板、LED芯片、透镜盖及白胶墙。由于透镜盖覆盖在LED芯片上，且透镜盖中心区域的高度大于等于边缘区域的高度，因此透镜盖可对LED芯片中LED芯片所发出的光进行汇聚，从而提升LED芯片出光的亮度，在不改变驱动电流的基础上，提升了发光模组的显示亮度与色彩纯净度。而且，在透镜盖间的缝隙中设置有附着在驱动基板上的白胶墙，白胶墙一方面可以减少LED芯片间光线的相互干扰；另一方面，LED芯片发出的光线射到白胶墙之后，白胶墙可以对光线进行反射，从而使得LED芯片的光线都能够从出光面射出，进一步提升了发光模组的显示亮度与色彩纯净度，增强了发光模组的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光模组及其制备方法、电子设备。
背景技术
在显示领域中，显示亮度和色彩纯净度是影响视觉效果的关键指标，一般来说，亮度越大，色彩纯净度越高，则图像越清晰醒目，色彩也越鲜明艳丽。通常，调整电流大小可以在一定程度上改善显示设备的显示亮度与色彩纯净度，但如何在不改变电流的情况下增强显示效果，尤其是在Micro-LED(微发光二极管)芯片、Mini-LED(迷你发光二极管)芯片本身驱动电流就比较小的情况下，如何提升显示亮度和色彩纯净度已经成为了业内亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供的发光模组及其制备方法、电子设备，主要解决的技术问题是如何在不改变驱动电流的情况下，提升显示亮度与色彩纯净度。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种发光模组，包括驱动基板、LED芯片、透镜盖及白胶墙；LED芯片设置在驱动基板上，与驱动基板中的驱动电路层电连接；透镜盖包覆LED芯片，且透镜盖中心区域的高度大于等于边缘区域的高度；白胶墙设置在相邻透镜盖间的缝隙中，且附着在驱动基板上。
可选地，发光模组的一个像素点处设置有包覆于同一透镜盖中的第一LED芯片、第二LED芯片以及第三LED芯片，且三者射入透镜盖的光分别为红光、绿光、蓝光。
可选地，透镜盖纵剖面的轮廓包括以下几种中的任意一种：
轮廓为矩形；
轮廓为梯形；
轮廓的至少部分区域为圆弧状。
可选地，白胶墙至少部分覆盖于透镜盖上，且白胶墙最高处的高度小于等于透镜盖最高处的高度。
可选地，白胶墙最高处的高度大于等于LED芯片的厚度。
可选地，白胶墙中包括三氧化二硼与陶瓷中的至少一种。
本发明实施例还提供一种电子设备，其特征在于，电子设备中包括前述任一项的发光模组。
本发明实施例还提供一种发光模组制备方法，包括：
S2、将LED芯片设置在驱动基板上，实现LED芯片电极与驱动基板中驱动电路的电连接；
S4、采用透镜胶形成包覆LED芯片的透镜盖，透镜盖中心区域的高度大于等于边缘区域的高度；
S6、采用白胶在相邻透镜盖间的缝隙中形成白胶墙，白胶墙附着在驱动基板上。
本发明实施例还提供一种，S6之前，还包括：
S6’、在硅胶中混合三氧化二硼与陶瓷中的至少一种形成白胶。
本发明实施例还提供一种，S6包括：
S60、在驱动基板上设置透镜盖的区域中整体压合白胶，待白胶固化后形成白胶墙。
本发明的有益效果是：
本发明实施例提供的发光模组及其制备方法、电子设备，其中，发光模组中包括驱动基板、LED芯片、透镜盖及白胶墙。LED芯片设置在驱动基板上，与驱动基板中的驱动电路层电连接。透镜盖包覆LED芯片，且透镜盖中心区域的高度大于等于边缘区域的高度，白胶墙设置在相邻透镜盖间的缝隙中，且附着在驱动基板上。由于透镜盖覆盖在LED芯片上，而且，透镜盖中心区域的高度大于等于边缘区域的高度，因此透镜盖可以在一定程度上对LED芯片中LED芯片所发出的光进行汇聚，从而提升LED芯片出光的亮度，在不改变驱动电流的基础上，提升了发光模组的显示亮度与色彩纯净度。而且，在透镜盖间的缝隙中设置有附着在驱动基板上的白胶墙，白胶墙一方面可以减少LED芯片间光线的相互干扰；另一方面，LED芯片发出的光线射到白胶墙之后，白胶墙可以对光线进行反射，从而使得LED芯片的光线都能够从出光面射出，进一步提升了发光模组的显示亮度与色彩纯净度，增强了发光模组的显示效果。
发明其他特征和相应的有益效果在说明书的后面部分进行阐述说明，且应当理解，至少部分有益效果从本发明说明书中的记载变的显而易见。
附图说明
图1为本发明实施例一中提供的发光模组的一种俯视角度的结构示意图；
图2为本发明实施例一中提供的一种发光模组纵剖面的结构示意图；
图3为本发明实施例一中提供的另一种发光模组纵剖面的结构示意图；
图4a为本发明实施例一中提供的第一种透镜盖纵剖面的轮廓示意图；
图4b为本发明实施例一中提供的第二种透镜盖纵剖面的轮廓示意图；
图4c为本发明实施例一中提供的第三种透镜盖纵剖面的轮廓示意图；
图4d为本发明实施例一中提供的第四种透镜盖纵剖面的轮廓示意图；
图4e为本发明实施例一中提供的第五种透镜盖纵剖面的轮廓示意图；
图5为本发明实施例一中提供的又一种发光模组纵剖面的结构示意图；
图6为本发明实施例二中提供的发光模组制备方法的一种流程图；
图7为本发明实施例二中提供的发光模组制备工艺的一种制备状态变化示意图；
图8为本发明实施例二中提供的一种透镜盖纵剖面的轮廓示意图；
图9为本发明实施例二中提供的一种发光模组纵剖面的结构示意图；
图10为本发明实施例三中提供的发光模组制备方法的一种流程图；
图11为本发明实施例三中提供的发光模组制备工艺的一种制备状态变化示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面通过具体实施方式结合附图对本发明实施例作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一：
为了在不改变发光模组驱动电流的情况下提高发光模组的显示亮度与色彩纯净度，增强显示效果，本实施例中提供一种发光模组：
请参见图1示出的该发光模组的一种俯视角度的结构示意图：发光模组10包括驱动基板11、多颗LED芯片12、多个透镜盖13以及白胶墙14。
在驱动基板11中包括驱动电路层，驱动电路层可以包括正极电路与负极电路；LED芯片12包括正电极与负电极，正、负电极分别与驱动电路层中的正极电路、负极电路电连接。
在本实施例中，不对LED芯片12的具体类型进行限定，例如，在本实施例的一些示例中，发光模组10是用于户外的大型显示屏，则LED芯片12可以为普通尺寸的LED芯片；另一些示例中，发光模组10应用于电视、手机等电子设备上，则LED芯片12尺寸会比较小，例如，LED芯片12可以为Micro-LED芯片、Mini-LED芯片与OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)芯片中的任意一种。另外，LED芯片12通常是倒装LED芯片，不过，在一些示例中，采用正装LED芯片也是可行的。
在目前的显示行业中，发光模组通常都支持彩色显示，因此，发光模组10中一个像素点就应该支持发出红光、绿光与蓝光，所以，多颗LED芯片12中应该至少一部分可以发出红光、至少一部分发绿光，还有一部分可以发出蓝光。在本实施例的一些示例中，LED芯片12包括蓝光LED芯片、红光LED芯片、绿光LED芯片，其中蓝光LED芯片本身发出光的就是蓝光，绿光LED芯片发出的光本身就是绿光，红光LED芯片发出的光本身就是红光。例如，蓝光LED芯片和绿光LED芯片可以是GaN(氮化镓)基的LED芯片，而红光LED芯片可以是GaAs(砷化镓)基的LED芯片。在另外一些示例中，LED芯片12本身只能发出蓝光，也即发光模组10中所有LED芯片均为蓝光LED芯片，为了让其中一部分LED芯片分别可以发出绿光与红光，可以在这些LED芯片12的出光面上设置光转换层。例如，可以将发光模组10中的所有蓝光LED芯片分成三部分，其中一部分的出光面上设置红光转换层，一部分的出光面上设置绿光转换层，而另一部分蓝光LED芯片的出光面上则不设置光转换层。可选择，在一种示例中，光转换层为量子点膜层，另一种示例中，使用的光转换层为荧光粉层，还有一些示例中，一部分LED芯片出光面上的光转换层为荧光粉层，另一部分LED芯片出光面上的光转换层为量子点膜层。
应当理解是，上面仅介绍了一个像素点支持发出红、绿、蓝三种颜色的光的情况，但在一些示例中，一个同一像素点处的LED芯片12除了可以发出红、绿、蓝三色的光以外，还可以发出青色和黄色光中的至少一种。本实施例中将设置于同一像素点处的LED芯片的集合称为一个发光单元。所以，在本实施例的一些示例中，一个发光单元中包括三颗LED芯片12，在另一些示例中，一个发光单元中可以包括数目更多的LED芯片。
本实施例中LED芯片12外包覆有透镜盖13，一些示例中，一个透镜盖13仅包覆一颗LED芯片12，在这种情况下，透镜盖13是以LED芯片12为单位进行设置的，透镜盖13与以LED芯片12一一对应。相应地，一个发光单元至少对应三个透镜盖13。在另一些示例中，透镜盖13中可以包括至少两颗LED芯片12，例如，在一种示例中，发光模组10中一个发光单元中的三颗LED芯片12被分别包覆在两个不同的透镜盖13中。还有一些示例中，透镜盖13以发光单元为单位进行设置，在这种情况下，发光单元与透镜盖13一一对应。对应地，一个透镜盖13中同时包覆有至少三颗LED芯片。例如，一个透镜盖13中同时包覆有第一LED芯片、第二LED芯片以及第三LED芯片，这三颗LED芯片可以均为蓝光LED芯片，其中两颗的出光面上设有光转换层；也可以分别为红光LED芯片、绿光LED芯片与蓝光LED芯片。不过，不管是上述情况中的哪一种，这三颗LED芯片射入到透镜盖13中的光分别为红光、绿光与蓝光。
在本实施例的一些示例中，透镜盖13可以与驱动基板11一起对其包覆的LED芯片12形成全包裹，例如，请参见图2所示。还有一些示例中，LED芯片12的可以存在部分区域外露于透镜盖13，例如，请参见图3所示。不过，即便透镜盖13与驱动基板11不能对LED芯片12形成全包裹，但本实施例中透镜盖13包覆LED芯片12也要求透镜盖13至少会将LED芯片12顶面的出光面覆盖住。
在本实施例中，透镜盖13中心区域的高度大于等于边缘区域的高度，应当理解的是，本实施例中“高度”方向是指垂直于驱动基板11的方向，并且以驱动基板11的表面作为基面，因此，透镜盖13某一处的高度就是指该处与驱动基板11表面的距离。透镜盖13中心区域的高度大于等于边缘区域的高度，因此，该透镜盖13对其所包覆的LED芯片12所发出的光具一定的汇聚作用，从外部视角来看，该透镜盖13可以提升LED芯片12的亮度，这样就可以在不改变驱动电流的基础上，一定程度上提升发光模组10的显示亮度与色彩纯净度，增强用户的视觉体验。
在本实施例的一些示例中，透镜盖13中心区域与边缘区域的高度相等，例如，该透镜盖13纵剖面的轮廓可以为矩形，请参见图4a所示。
一些示例中，透镜盖13的高度自中心向四周呈阶梯状减小，请参见图4b示出的透镜盖13纵剖面的轮廓，当透镜盖13的横截面呈圆形时，该透镜盖13整体由两个或多个同轴的圆柱构成，且圆柱横截面半径越小，则高度越高。当然，在其他一些示例中，透镜盖13的横截面也可以为矩形。
一些示例中，透镜盖13中心区域为平面(即中心区域各处的高度相等)，但边缘区域的高度逐渐降低，此时，透镜盖13的纵剖面为梯形，请参见图4c所示。
在本实施例的一些示例中，透镜盖13的高度自中心向四周逐渐减小，不存在陡变，在这种情况下，透镜盖13的纵剖面轮廓可以为三角形，也可以为弧形。当透镜盖13纵剖面的轮廓中至少部分区域呈圆弧状时，该透镜盖为凸透镜，其对光线的汇聚能力强于中心区域与边缘区域的高度相等的情形。可选地，在一种示例中，例如请参见图4d所示，透镜盖13纵剖面由一线段以及连接该线段两端点的圆弧构成。在图4e中，透镜盖13的纵剖面轮廓包括三个线段与一段圆弧，这写线段与圆弧首尾相连构成透镜盖13的纵剖面轮廓。
本实施例中，在相邻透镜盖13间存在缝隙，例如，请继续参见图2，在图2中，在该缝隙中设置有白胶墙14，该白胶墙14附着在驱动基板11的表面，其由白胶固化形成。可以理解的是，在相邻透镜盖13间设置白胶墙14，可以在一定程度上阻止一个透镜盖13中射出的光线射入另一透镜盖13内，从而避免相邻透镜盖13内的光线相互干扰，影响发光模组10显示效果的问题。可以理解的是，在一定的范围内，白胶墙14阻止光线相互干扰的效果与其高度成正相关关系，即缝隙中白胶墙14越高，则白胶墙14越能隔绝两边的光线；但白胶墙14的高度并不可能无限地高，这不仅会影响发光模组的厚度，而且当白胶墙14的高度超过一定的范围后，继续增加也是没有意义的。
在本实施例的一些示例中，白胶墙14最高处的高度大于等于LED芯片12的厚度，这样白胶墙14的存在至少可以阻止一个透镜盖中LED芯片发出的光射入到另一透镜盖内的LED芯片中。
在本实施例的一些示例中，在本实施例的一些示例中，白胶墙14仅设置在缝隙中，并不会覆盖到透镜盖13上，例如，请参见图5所示。不过，另外一些示例中，例如，图2与图3中，白胶墙14至少部分会覆盖于透镜盖13上，且该白胶墙14最高处的高度小于等于透镜盖13最高处的高度。因为透镜盖13中心处的高度就是透镜盖13最高处的高度，因此，白胶墙14最高处的高度也不会超过透镜盖13中心处的高度。换言之，透镜盖13不会被白胶墙14完全覆盖，至少中心区域不会透镜盖13不会被白胶墙14完全覆盖。白胶墙14覆盖在透镜盖13上，且二者的最高处高度相等时，如图2所示，白胶墙14顶面与透镜盖13相切。还有一些情况下，白胶墙14最高处的高度小于透镜盖13最高处的高度，如图3所示。
在本实施例的一些示例中，透镜盖13的最高处的高度的100um～200um，例如，透镜盖13最高处的高度可以为100um；一些示例中，透镜盖13最高处的高度为120um；一些示例中，透镜盖13最高处的高度为155um；还有一些示例中，透镜盖13最高处的高度为200um。
可选地，白胶墙14最高处的高度为50um～200um。如，一种示例中，白胶墙14最高处的高度为50um；一些示例中，白胶墙14最高处的高度为100um；一些示例中，白胶墙14最高处的高度为143um；还有一些示例中，白胶墙14最高处的高度为200um。应当明白的是，当白胶墙14部分区域覆盖在透镜盖13上时，
可以理解的是，白胶墙14除了可以起到为一个透镜盖中LED芯片阻挡其他透镜盖中LED芯片所发出光线的作用以外，可以利用反射作用使得透镜盖14中LED芯片12发出的光线尽量不从透镜盖13的边缘区域射出，而是从透镜盖13的中心区域集中射出，这样可以提升透镜盖13的出光亮度。
在一些示例中，形成白胶墙14的白胶中包括散热材料，例如B2O3(三氧化二硼、三氧化二硼、硼酸酐)，B2O3可以增强白胶的散热的能力，从而使得白胶墙14可以将透镜盖13中LED芯片12工作所产生的热量传递出去，避免LED芯片12长期工作在高热环境下，影响LED芯片12性能的问题。当然，本领域中
在另一些示例中，白胶中包括耐黄材料，例如陶瓷，添加陶瓷到白胶中从而形成的白胶墙14具有较高的耐黄效果，能够避免白胶墙14在长期工作中泛黄，影响白胶墙14的反射效果。
可以理解的是，白胶墙14中也可以同时包含有散热材料与耐黄材料，例如，在形成白胶墙14之前，可以先形成白胶，在本实施例的一些示例中，可以先在基础胶中均匀混合B2O3与陶瓷，从而制得白胶。然后，利用白胶在已经设置LED芯片12与透镜盖13的驱动基板11上形成白胶墙14，在这种情况下，白胶墙14同时具有优秀的散热能力与抗黄性能。可选地，前述基础胶可以包括但不限于树脂、硅胶等材料中的至少一种。
本实施例还提供一种包括前述发光模组10的电子设备，该电子设备可以包括诸如手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、便捷式媒体播放器(Portable Media Player，PMP)、导航装置、可穿戴设备、智能手环、计步器等移动终端，以及诸如数字TV、台式计算机等固定终端。
本实施例中提供的发光模组，因为设置了透镜盖包覆LED芯片，而透镜盖中心区域的高度不低于边缘区域的高度，因此，透镜盖可以在一定程度上对其所包覆的LED芯片所发出的光线进行汇聚，从外部视角提升LED芯片的出光亮度，进而提高发光模组的显示亮度与色彩纯净度，增强发光模组的显示效果。另一方面，因为在相邻透镜盖间的缝隙中设置有白胶墙，利用白胶墙可以阻止从不同透镜盖中所射出的LED光线相互干扰，而且，对于一个透镜盖而言，因为白胶墙的存在，可以利用反射阻止该透镜盖内LED芯片所发出的光从透镜盖侧面射出，这样可以让更多的光从透镜盖的顶面射出，进一步提升了发光模组的显示亮度与色彩纯净度。
实施例二：
本实施例提供一种制备前述实施例中发光模组的方案，请参见图6示出的发光模组制备方法的一种流程图以及图7示出的发光模组制备过程中的状态变化示意图：
S602：将LED芯片设置在驱动基板上，实现LED芯片电极与驱动基板中驱动电路的电连接。
首先提供一驱动基板，请结合图7中的(a)，驱动基板71中包括驱动电路层，例如包括正极电路与负极电路，正极电路与负极电路用于向LED芯片提供驱动电流。在获得驱动基板与LED芯片之后，可以按照发光模组的显示分辨率等将这些LED芯片固定在驱动基板上，实现LED芯片正、负电极与驱动电路层中正、负极电路的电连接。例如，在一种示例中，驱动基板上一个像素点处同时设置三颗LED芯片，分别是红光LED芯片、绿光LED芯片与蓝光LED芯片，在图7的(b)当中，这三颗LED芯片72形成一个发光单元，三颗LED芯片72在发光单元内呈倒“品”字型排列。当然，本领域技术人员可以理解的是，在其他一些示例中，发光单元中LED芯片的排列方式可以有其他替代方式，例如同一发光单元中三颗LED芯片排列为正“品”字型，或者同一发光单元中的多颗LED芯片排列为一行，或者一列。
S604：采用透镜胶形成包覆LED芯片的透镜盖。
在驱动基板上实现固晶之后，可以利用透镜胶形成包覆LED芯片的透镜盖73。在本实施例的一些示例中，透镜盖以LED芯片为单位进行设置，即每颗LED芯片都与之唯一对应的透镜盖。在另外一些示例中，透镜盖可以同时覆盖两颗甚至更多的LED芯片。例如，在图7的(c)当中，透镜盖73以发光单元为单位设置，这样一个透镜盖73将包覆同一发光单元中的所有LED芯片。
毫无疑义的是，为了形成透镜盖，本实施例中，所使用的透镜胶应该是透明胶，这样，当透镜胶固化之后就可以形成透镜盖。在一种示例当中，可以直接采用点胶工艺在驱动基板的LED芯片上形成透镜盖。在这种情况下，透镜盖的表面会是比较平滑的曲面。还有一些示例中，可以采用精密压合工艺形成透镜盖，例如采用精密压合工艺形成纵剖面为矩形、梯形或者如图8所示的透镜盖。
可以理解的是，在其他一些示例中，制备发光模组时，也可以先单独形成透镜盖，然后将透镜盖设置到LED芯片上，而不是在LED芯片上临时利用未固化的透镜胶形成透镜盖。
S606：采用白胶在相邻透镜盖间的缝隙中形成白胶墙。
待到透镜盖73形成之后，也即透镜胶固化之后，可以采用白胶在相邻透镜盖间的缝隙中形成白胶墙，本实施例中，白胶墙附着在驱动基板上，这也就是说白胶墙最低处在驱动基板的表面。在图7的(d)中白胶墙74还会部分覆盖在透镜盖73上，图9中示出了图7(d)中发光模组70中部分的剖面示意图。白胶墙74基本与透镜盖73最高处齐平，但不会完全将透镜盖73覆盖住，这样可保证透镜盖73中的光线可以透出。
在本实施例的一些示例中，可以在驱动基板71上所有的透镜盖73都设置完成以后，在驱动基板上需要设置透镜盖的区域中整体压合白胶，这样，当白胶固化以后，就可以形成白胶墙74。当然，本实施例中并不排除分别在各缝隙中形成白胶墙的做法，只不过，整体压合白胶形成白胶墙的方式相对于这种分别设置白胶墙的方案效率更高。
应当明白的是，在利用白胶形成白胶墙74之前，需要先获得白胶，在本实施例中可以通过在硅胶中混合三氧化二硼与陶瓷中的至少一种来形成白胶，例如，在一种示例中，可以将三氧化二硼与陶瓷均添加到硅胶中混匀，然后形成白胶。还有一些示例中，硅胶可以采用树脂能材料替代。
本实施例提供的发光模组制备方法，在制备发光模组的时候，通过设置透镜盖覆盖在LED芯片上，且透镜盖中心区域的高度大于等于边缘区域的高度，所以利用透镜盖对光线进行汇聚，从而提升LED芯片出光的亮度，在不改变驱动电流的基础上，提升了发光模组的显示亮度与色彩纯净度。而且，在透镜盖间的缝隙中设置附着在驱动基板上的白胶墙，通过白胶墙一方面可以减少LED芯片间光线的相互干扰；另一方面，利用白胶墙对LED芯片发出的光线进行反射，从而使得LED芯片的光线都能够从透镜盖顶部面射出，进一步提升了发光模组的显示效果。
实施例三：
为了使本领域技术人员对前述发光模组及其制备方法的优点与细节更清楚，本实施例中将结合示例对前述方案进行更详细地阐述，请参见图10示出的发光模组制备方法的流程图以及图11示出的发光模组制备流程中的状态变化示意图：
S1002：提供一驱动基板。
请参见图11中的(a)，该驱动基板111中的驱动电路层可以为TFT驱动电路层，而在另外一些示例当中，驱动电路层也可以为MOS管驱动电路层。
S1004：将LED芯片固定在驱动基板上，实现LED芯片与驱动基板的电连接。
在本实施例中，可以参照图11的(b)中所示的一样，驱动基板上每一个像素点处同时设置三颗LED芯片，分别是红光LED芯片112a、绿光LED芯片112b与蓝光LED芯片112c。可以理解的是，在其他一些示例中，也可以直接在驱动基板的每一个像素点处先设置三颗完全一样的蓝光LED芯片，然后通过在蓝光LED芯片的出光面上设置对应的光转换层从而达到让一个像素点处同时支持发出红、绿、蓝三色的光。
S1006：采用点胶工艺在发光单元上设置透镜胶形成透镜盖。
请参见图11的(c)，因为同一发光单元中三颗LED芯片彼此距离较近，因此，可以直接以发光单元为单位进行点胶，从而形成同时包覆三颗LED芯片的透镜盖113。
S1008：在驱动基板表面整体压合白胶形成白胶墙。
可以理解的是，本实施例中所使用的白胶可以是直接购买的到的成品，也可以分别购入各项原料自行制备，例如，分别获取到硅胶、三氧化二硼与陶瓷，然后将三氧化二硼与陶瓷添加到硅胶中混匀，从而制得白胶。
在本实施例中，可以在驱动基板111设置LED芯片的表面上整体压合白胶，形成白胶墙，在这种情况下，驱动基板111上，每两个透镜盖113间的缝隙中都会填充有白胶，进而形成白胶墙114，请参见图11(d)。在采用压合的工艺设置白胶墙114时，可以通过控制压合的白胶量来控制白胶墙的高度，本实施例中保证最终发光模组110中白胶墙114不会完全覆盖透镜盖113。
本实施例提供的发光模组及其制备方案中，通过透镜胶形成微凸的透镜盖，可以使LED芯片发出的光线更加集中，从而提升了透镜盖中发光单元的整体亮度；而且，整体压合白胶形成白胶墙，既可以通过反射提升发光单元亮度，又具备防串光功能，提升光的纯净度。另外，在硅胶中加入二三氧化二硼和陶瓷制得的白胶，有利于发光单元的散热，提升了白胶墙的耐黄性能，延长了发光模组的使用寿命。而且，该发光模组制备方法工艺便捷，成本低，效率高。
显然，本领域的技术人员应该明白，上述本发明实施例的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在计算机存储介质(ROM/RAM、磁碟、光盘)中由计算装置来执行，并且在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。所以，本发明不限制于任何特定的硬件和软件结合。
以上内容是结合具体的实施方式对本发明实施例所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光模组，其特征在于，包括驱动基板、LED芯片、透镜盖及白胶墙；所述LED芯片设置在所述驱动基板上，与所述驱动基板中的驱动电路层电连接；所述透镜盖包覆所述LED芯片，且所述透镜盖中心区域的高度大于等于边缘区域的高度；所述白胶墙设置在相邻透镜盖间的缝隙中，且附着在所述驱动基板上。
2.如权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述发光模组的一个像素点处设置有包覆于同一透镜盖中的第一LED芯片、第二LED芯片以及第三LED芯片，且三者射入所述透镜盖的光分别为红光、绿光、蓝光。
3.如权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述透镜盖纵剖面的轮廓包括以下几种中的任意一种：
所述轮廓为矩形；
所述轮廓为梯形；
所述轮廓的至少部分区域为圆弧状。
4.如权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述白胶墙至少部分覆盖于透镜盖上，且所述白胶墙最高处的高度小于等于所述透镜盖最高处的高度。
5.如权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述白胶墙最高处的高度大于等于所述LED芯片的厚度。
6.如权利要求1-5任一项所述的发光模组，其特征在于，所述白胶墙中包括三氧化二硼与陶瓷中的至少一种。
7.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备中包括如权利要求1-6任一项所述的发光模组。
8.一种发光模组制备方法，其特征在于，包括：
S2、将LED芯片设置在驱动基板上，实现所述LED芯片电极与所述驱动基板中驱动电路的电连接；
S4、采用透镜胶形成包覆所述LED芯片的透镜盖，所述透镜盖中心区域的高度大于等于边缘区域的高度；
S6、采用白胶在相邻透镜盖间的缝隙中形成白胶墙，所述白胶墙附着在所述驱动基板上。
9.如权利要求8所述的发光模组制备方法，其特征在于，所述S6之前，还包括：
S6’、在硅胶中混合氧化硼与陶瓷中的至少一种形成白胶。
10.如权利要求8或9所述的发光模组制备方法，其特征在于，所述S6包括：
S60、在所述驱动基板上设置所述透镜盖的区域中整体压合白胶，待所述白胶固化后形成白胶墙。
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|---|---|---|---|---|
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200905855A (en) * | 2007-06-28 | 2009-02-01 | Showa Denko Kk | Light-emitting device, display device and production method of light-emitting device |
| CN105122479A (zh) * | 2013-03-04 | 2015-12-02 | 优凡株式会社 | 板上芯片uv led封装及其制造方法 |
| CN109904301A (zh) * | 2017-12-11 | 2019-06-18 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 芯片级封装多面发光led及其封装方法、背光模组 |
| CN111261662A (zh) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled显示面板及oled显示装置 |
| CN111341897A (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-26 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led封装结构、其制作方法及led闪光灯 |
| CN111900242A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-11-06 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led发光件及其制作方法、显示装置 |
| CN215527726U (zh) * | 2021-04-30 | 2022-01-14 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种发光模组及电子设备 |
-
2021
- 2021-04-30 CN CN202110486258.7A patent/CN113299635A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200905855A (en) * | 2007-06-28 | 2009-02-01 | Showa Denko Kk | Light-emitting device, display device and production method of light-emitting device |
| CN105122479A (zh) * | 2013-03-04 | 2015-12-02 | 优凡株式会社 | 板上芯片uv led封装及其制造方法 |
| US20160020371A1 (en) * | 2013-03-04 | 2016-01-21 | Uver Corporation Ltd. | Chip-on-board uv led package and production method therefor |
| CN109904301A (zh) * | 2017-12-11 | 2019-06-18 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 芯片级封装多面发光led及其封装方法、背光模组 |
| CN111261662A (zh) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled显示面板及oled显示装置 |
| CN111341897A (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-26 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led封装结构、其制作方法及led闪光灯 |
| CN111900242A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-11-06 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led发光件及其制作方法、显示装置 |
| CN215527726U (zh) * | 2021-04-30 | 2022-01-14 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种发光模组及电子设备 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022057937A1 (zh) * | 2020-09-21 | 2022-03-24 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 基板、 led 光源组件及其制作方法 |
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