CN109713110A - 芯片级封装led及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种芯片级封装LED及其制作方法，先在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层，然后在LED芯片侧面形成第一封装胶层，第一封装胶层的厚度大于等于LED芯片的厚度与荧光粉层的厚度之和，然后在第一封装胶层和荧光粉层之上形成第二封装胶层，其中第一封装胶层和第二封装胶层不包含荧光粉，这样得到的芯片级封装LED的荧光粉层就被不含荧光粉的第一封装胶层和第二封装胶层包裹在里面，在批量制作需要进行切割得到单颗的LED时，可避免切割过程所用的冷却水所产生的水气与里面的荧光粉接触，可以保证荧光粉的有效性；同时，本发明将荧光粉层直接设置在芯片正面的发光面上，荧光粉直接贴附在芯片表面，可提升荧光粉的激发效率。

Description

芯片级封装LED及其制作方法

技术领域

本发明涉及LED(Light Emitting Diode，发光二极管)领域，尤其涉及一种芯片级封装LED及其制作方法。

背景技术

随着LED的应用和发展，对LED的尺寸要求越来越小。为了满足减小LED尺寸的要求，出现了芯片级封装CSP(Chip Scale Package芯片级封装)LED，目前的CSP LED主要有两种结构：

一种是五面出光CSP LED，参见图1所示，其结构原理是在倒装LED芯片11(FlipLED chip)模压荧光胶层12后，再做成品切割得到单颗的CSP LED，其四个侧面以及顶部的正面都是出光面，底部的背面则设置有正负电极111。另一种是单面出光CSP LED，参见图2所示，其相对图1所示的五面出光CSP LED，首先在倒装LED芯片21四周制作与芯片等高的白胶墙23，用于阻挡芯片侧面发出的光，其后在倒装LED芯片21和白胶墙23上方粘贴一层荧光胶层22，再对其进行切割，得到单颗只有顶部的正面出光的单面出光LED，底部的背面则设置有正负电极211。

上述两种结构的CSP LED在制作过程中都需要通过切割机进行切割，切割机是利用高速旋转的刀片来实现切割。切割机的刀片材质一般是金刚石或者镀镍的合金，在切割时，其旋转速度可以达到4000转/分，在这样的高转速下，刀片与材料接触会产生高温，所以在进行切割得到单颗的CSP LED过程中，都会用水进行冷却，例如在高速旋转的刀片旁边安装一个水枪，利用压力持续向切割处喷水以实现降温，同时喷射的水还可带走切割过程中产生的材料碎屑。但在现有的上述CSP LED切割过程中，冷却用的水会直接与荧光胶接触，因此很难避免水与荧光胶的荧光粉接触，尤其是当荧光胶中的荧光粉采用对湿气比较敏感的荧光粉时(例如高色域)，冷却用的水所产生的水气就会导致荧光胶中的荧光粉失效。

发明内容

本发明提供的一种芯片级封装LED及其制作方法，主要解决的技术问题是：解决现有结构的CSP LED在切割过程中，荧光胶中的荧光粉容易与冷却用的水所产生的水气接触导致荧光粉失效的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种芯片级封装LED制作方法，包括：

在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层；

在所述LED芯片侧面形成第一封装胶层，所述第一封装胶层的厚度大于等于所述LED芯片的厚度与所述荧光粉层的厚度之和；

在所述第一封装胶层和所述荧光粉层之上形成第二封装胶层；所述第一封装胶层和所述第二封装胶层不包含荧光粉。

在本发明的一种实施例中，所述在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层之前，还包括：

将各待封装的LED芯片按预设间隔距离排布到衬底上；

所述在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层包括：

将遮盖挡板放置在排布有LED芯片的衬底之上，所述遮盖挡板上有根据所述预设间隔距离形成的通孔，所述通孔尺寸与所述LED芯片正面发光面相适配，所述遮盖挡板放置在所述衬底之上后，各所述通孔与各所述LED芯片分别对应；

在所述遮盖挡板之上喷涂荧光粉，喷涂的部分荧光粉通过各所述通孔在各所述LED芯片正面发光面上形成荧光粉层。

在本发明的一种实施例中，所述遮盖挡板放置在所述衬底之上后，各所述LED芯片分别被套入各自对应的通孔中，所述遮盖挡板的上表面与各所述LED芯片的正面发光面齐平。

在本发明的一种实施例中，所述荧光粉包括锰离子掺杂氟硅酸钾颗粒、量子点颗粒中的至少一种。

在本发明的一种实施例中，在所述遮盖挡板之上喷涂荧光粉之前，还包括：

将荧光粉与胶水和具有挥发性的有机溶剂按X:Y:Z的比例进行混合，所述X的取值为2～4，所述Y的取值为1～2，所述Z的取值为1～3。

在本发明的一种实施例中，所述第一封装胶层为反射白胶层，在所述LED芯片侧面形成反射白胶层包括：

在所述LED芯片正面发光面上形成荧光粉层之后，将所述遮盖挡板移除；

在所述各LED芯片之间的间隔填充白胶，填充的白胶与所述荧光粉层齐平；

对填充的白胶在预设第一固化条件下进行固化处理得到未全完固化的反射白胶层。

在本发明的一种实施例中，所述第二封装胶层为透明胶层，在所述反射白胶层和所述荧光粉层之上形成透明胶层包括：

在所述反射白胶层和所述荧光粉层之上填充透明胶；

在预设第二固化条件下对所述未全完固化的反射白胶层以及所述透明胶进行固化处理，得到相互结合且处于固化状态的反射胶层和透明胶层。

在本发明的一种实施例中，在所述反射白胶层和所述荧光粉层之上形成透明胶层之后，还包括：

从所述各LED芯片之间的间隔进行切割，切割过程中采用冷却液冷却；

去除LED芯片底部的衬底。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种芯片级封装LED，包括LED芯片，形成于所述LED芯片正面发光面上的荧光粉层，以及形成于所述LED芯片侧面的第一封装胶层，所述第一封装胶层的厚度大于等于所述LED芯片的厚度与所述荧光粉层的厚度之和，还包括形成于所述第一封装胶层和所述荧光粉层之上的第二封装胶层；所述第一封装胶层和所述第二封装胶层不包含荧光粉。

在本发明的一种实施例中，所述第一封装胶层为反射白胶层，所述第二封装胶层为透明胶层。

本发明的有益效果是：

本发明提供的芯片级封装LED及其制作方法，先在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层，然后在LED芯片侧面形成第一封装胶层，第一封装胶层的厚度大于等于LED芯片的厚度与荧光粉层的厚度之和，然后在第一封装胶层和荧光粉层之上形成第二封装胶层，其中第一封装胶层和第二封装胶层不包含荧光粉，这样得到的芯片级封装LED的荧光粉层就被不含荧光粉的第一封装胶层和第二封装胶层包裹在里面，在批量制作需要进行切割得到单颗的LED时，可避免切割过程所用的冷却水所产生的水气与里面的荧光粉接触，可以保证荧光粉的有效性，尤其是可以保证高色域荧光粉的有效性和可靠性；同时，本发明将荧光粉层直接设置在芯片正面的发光面上，荧光粉直接贴附在芯片表面，可提升荧光粉的激发效率。

附图说明

图1为一种五面出光CSP LED示意图；

图2为一种单面出光CSP LED示意图；

图3为本发明实施例一的CSP LED结构示意图；

图4为本发明实施例一的CSP LED制作方法流程示意图；

图5为本发明实施例一的形成荧光粉层流程示意图；

图6为本发明实施例一的形成反射白胶层流程示意图；

图7为本发明实施例一的形成透明胶层流程示意图；

图8为本发明实施例一的切割流程示意图；

图9为本发明实施例二的CSP LED制作方法流程示意图；

图10为本发明实施例二的LED芯片排列示意图；

图11为本发明实施例二钢网设置示意图；

图12为本发明实施例二的荧光粉层喷涂示意图；

图13为本发明实施例二的LED芯片上的荧光粉层示意图；

图14为本发明实施例二的半固化白胶层示意图；

图15为本发明实施例二的透明层示意图；

图16为本发明实施例二的切割示意图；

图17为本发明实施例二的去除高温膜后的单颗LED示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面通过具体实施方式结合附图对本发明实施例作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例一：

为了解决现有结构的CSP LED在切割过程中，荧光胶中的荧光粉容易与冷却用的水所产生的水气接触导致荧光粉失效的问题。本实施例提供一种新结构的芯片级封装LED，该芯片级封装LED的荧光粉层被不含荧光粉的交替包裹在内部，可以在批量制作LED需要进行切割得到单颗的LED时，避免切割过程所用的冷却水所产生的水气与荧光粉接触，可以保证荧光粉的有效性，也可以使得CSP LED芯片在湿气较重的环境下工作时可靠性更高；同时，本发明将荧光粉层直接设置在芯片正面的发光面上，荧光粉直接贴附在芯片表面，可提升荧光粉的激发效率。

在一种示例中，本实施例提供的CSP LED结构参见图3所示，包括LED芯片31，LED芯片包括正面发光面311；CSP LED还包括形成于LED芯片正面发光面311上的荧光粉层32，以及形成于LED芯片31侧面的第一封装胶层33，形成的第一封装胶层的厚度大于等于LED芯片31的厚度与荧光粉层的厚度32之和；CSP LED还包括形成于第一封装胶层33和荧光粉层32之上的第二封装胶层34；本实施例中的第一封装胶层33和第二封装胶层34不包含荧光粉。

应当理解的是，本实施例中的LED芯片可以是各种基色的芯片，可以根据具体应用场景和需求灵活设定，例如可以是蓝色LED芯片、红色LED芯片、绿色LED芯片、黄色LED芯片、紫色LED芯片中的任意一种。在本实施例中，荧光粉层中的荧光粉也可以根据具体需求灵活选择，可以选择普通荧光粉，也可以选择高色域荧光粉，例如可以包括锰离子掺杂氟硅酸钾颗粒KSF、量子点颗粒QD(Quantum Dot)中的至少一种。其中，KSF的化学式是K₂SiF₆:Mn⁴⁺，取其中的元素。QD是一种肉眼无法看到的非常微小的半寻体纳米晶体，是粒径在2-10nm的颗粒，原子和分子的集合，被称为“人造原子”。一般可以用于制作QD的材料为CdS、CdSe、CdO、ZnS等。KSF和QD荧光粉都是荧光粉的一种，由于其激发光谱的半波峰窄，色纯度高，可以实现较高色域。

本实施例中的LED芯片除了图3中所示的倒装LED芯片外，还可以正装LED芯片、垂直LED芯片。

一种示例中，制作图3所示的CSP LED的一种方法参见图4所示，包括：

S401：在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层。

在LED芯片正面发光面上形成荧光粉层的方式可以采用荧光粉层形成的方式，例如包括但不限于喷涂、涂覆、印刷。

本实施例中的荧光粉层可以是纯荧光粉构成，也可以是荧光粉与其他便于形成具有粘性的物质混合组成。例如可以是荧光粉与胶水按一定的混合比例构成，也可以是荧光粉与胶水和有机溶剂混合构成。

本实施例中形成的荧光粉层的厚度可以根据不同产品的需求进行灵活调整，例如厚度可以设置在0.05mm-0.15mm之间。

S402：在LED芯片侧面形成第一封装胶层。

本步骤中形成第一封装胶层的方式也可以是各种封装胶层的形成方式，例如点胶方式、印刷方式、涂覆方式等。

本步骤中形成的第一封装胶的厚度大于等于LED芯片的厚度与荧光粉层的厚度之和，这样可以保证侧面将荧光粉层完全遮盖。第一封装胶中不包括荧光粉。

S403：在第一封装胶层和荧光粉层之上形成第二封装胶层。

本实施例中的第二封装胶层也不包含荧光粉。本实施例中形成第二封装胶的方式也可以采用点胶方式、印刷方式、涂覆方式等。

应当理解的是，本实施例中在制取CSP LED时可以单颗制取，也可以批量制取。为了便于理解本发明，本实施例以批量制取为示例进行说明。此时，在上述S401在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层之前，还包括：

先将各待封装的LED芯片按预设间隔距离排布到衬底上。本实施例中LED芯片在衬底上具体排布的方式可以根据需求灵活调整。本实施例中的衬底可以是各种衬底，且该衬底可以是配合LED芯片使用的(此时衬底上具有与LED芯片正负极引脚分别对应的正负极焊接区)，也可以是在制取完毕后可以去除的。

此时，在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层的一种具体实现过程参见图5所示，包括：

S501：将遮盖挡板放置在排布有LED芯片的衬底之上。

本实施例中的遮盖挡板上有根据上述预设间隔距离形成的通孔，通孔尺寸与LED芯片正面发光面相适配，遮盖挡板放置在衬底之上后，各通孔与各所述LED芯片分别对应，这样可以使得荧光粉落入通过在相应LED芯片正面发光面上形成荧光粉层。

在本实施例中，遮盖挡板放置在衬底之上后，各LED芯片分别被套入各自对应的通孔中，遮盖挡板的上表面与各所述LED芯片的正面发光面齐平，这样可以砸喷涂荧光粉时可以得到均匀性更好的荧光粉层。

在本实施例中，遮盖挡板可以是各种材质的挡板，例如可以是钢挡板(或者称为钢网)。

S502：在遮盖挡板之上喷涂荧光粉，喷涂的部分荧光粉通过各通孔在各LED芯片正面发光面上形成荧光粉层。另外一部分则落在挡板上，喷涂完毕后，将遮盖挡板移除就得到仅在LED芯片正面发光面形成有荧光粉层。

在本实施例中，为了便于荧光粉更好在LED芯片正面发光面保持成型，

在遮盖挡板之上喷涂荧光粉之前，还可先荧光粉与胶水和具有挥发性的有机溶剂(例如邻二甲苯)按X:Y:Z的比例进行混合，X的取值为2～4，Y的取值为1～2，Z的取值为1～3。喷涂之后，具有挥发性的有机溶剂会挥发掉，只留下荧光粉和胶水在芯片表面。

本实施例中的第一封装胶层可以为反射白胶层，此时制得的LED就为正面出光的单面出光LED。在形成好荧光层之后，在LED芯片侧面形成反射白胶层的过程参见图6所示，包括：

S601：在LED芯片正面发光面上形成荧光粉层之后，将遮盖挡板移除。

S602：在各LED芯片之间的间隔填充白胶，填充的白胶与荧光粉层齐平。

S603：对填充的白胶在预设第一固化条件下进行固化处理得到未全完固化的反射白胶层。

本实施例终的预设第一固化条件可以为在60℃～90℃的条件下烘烤15min～30min，使其处于半固化状态,以便于半固化的白胶与后续形成的第二封装胶层更好的结合，避免脱落。例如，具体可以在60℃的条件下烘烤30min，或在70℃的条件下烘烤25min，或在80℃的条件下烘烤20min，或在90℃的条件下烘烤15min。

本实施例中的白胶可以是各种具有反射功能的白胶，例如可以是包含二氧化钛、硫酸钡、二氧化硅、三氧化二铝中的至少一种的硅胶。

本实施例中的第二封装胶层可为透明胶层，在上述形成好半固化的反射白胶层之后，在反射白胶层和荧光粉层之上形成透明胶层的过程参见图7所示，包括：

S701：在反射白胶层和荧光粉层之上填充透明胶。

填充的具体方式参见上述所示，在此不再赘述。

S702：在预设第二固化条件下对未全完固化的反射白胶层以及透明胶进行固化处理，得到相互结合且处于固化状态的反射胶层和透明胶层。

例如，预设第二固化条件可以是在130℃～180℃的条件下烘烤5H～2H，例如，具体可以在130℃的条件下烘烤5H，或在150℃的条件下烘烤3H，或在180℃的条件下烘烤2H。

本实施例中形成透明胶层的厚度可以根据产品需求灵活调整，例如可以设置为0.1mm～0.2mm，透明胶层的设置可以防止里面的荧光粉层与外界的水气接触，防止荧光粉遇水失效。

在形成透明胶层之后，得到单颗的LED好包括如图8所示的切割过程：

S801：从各LED芯片之间的间隔进行切割，切割过程中采用冷却液冷却。

S802：去除LED芯片底部的衬底得到单颗的LED。在S801切割过程中，可以仅切割到衬底上表面，这样去处衬底时可以一次性去除。当然，衬底去除步骤并非必须执行的一个步骤。

通过本实施例提供的新结构的CSP LED和新的CSP LED制作方法，由于荧光粉层直接形成在LED芯片正面的发光面表面上，被第一封装胶层和第二封装胶层完全包裹在内部，因此可以避免在切割过程中冷却水的水汽与内部的荧光粉(尤其是高色域荧光粉)接触从而导致荧光粉失效，提升LED的成品率和可靠性。同时贴近表面设置的荧光粉中的荧光粉激发效率也更好，提升LED的光通量。

实施例二：

为了更好的理解本发明，本实施例以LED芯片为倒装LED芯片、衬底为耐高温膜、遮盖挡板为钢网、第一封装胶层为白胶层(当然也可以为其他材质的反射层)、第二封装胶层为透明胶层为示例，结合一个完整的CSP LED制作过程对本发明做进一步示例说明。

参见图9所示，本实施例中的CSP LED制作方法包括：

S901：倒装LED芯片排列。

将倒装LED芯片按照设计好的距离排列到高温膜上，如图10倒装LED芯片排列剖面图所示。倒装LED芯片1002排列在高温膜1001上。

S902：形成荧光粉层。

首先制作钢网，钢网的开孔大小及位置与倒装LED芯片的排列相对应，将制作好的钢网对应放置在芯片上，钢网的上表面与芯片上表面高度一致，如图11所示；钢网1003的上表面与倒装LED芯片1002的上表面齐平，各倒装LED芯片1002各自被套入对应的通孔中。

采用荧光粉喷涂方式在钢网1003的上表面上制作一层KSF/QD(KSF粉的主要成分是：K2SiF6:Mn4+、QD粉的主要成分是CdS、CdSe、CdO、ZnS)荧光粉层，荧光粉层的厚度可以根据不同产品的需要进行调整，可以设置为0.05mm～0.15mm之间，如图12所示，在钢网1003的上表面上形成一层荧光粉层1004。

制作好荧光粉层后，将钢网1003移除，只保留倒装LED芯片1002上方的荧光粉层1004，如图13所示。

S903：形成白胶层。

采用模压或者点胶的方式，将白胶转移至倒装LED芯片1002与倒装LED芯片1002之间空隙，白胶高度与荧光粉层1004的上表面持平，并在80℃的条件下烘烤20min，使其处于半固化状态，白胶可以是含有二氧化钛或硫酸钡的硅胶，如图14所示，倒装LED芯片1002与倒装LED芯片1002之间空隙形成有半固化的白胶层1005。

S904：形成透明胶层。

采用模压或者涂覆的方式在荧光粉层1004及白胶层1005的上表面制作一层透明胶层，其厚度为0.1mm～0.2mm，主要作用是保护荧光粉层与外界的水气接触，防止KSF/QD荧光粉遇水失效。透明胶层制作好后，在150℃的环境中烘烤3H，使其与下面的白胶形成化学键，增强结合性，同时使二者完全固化。如图15所示，透明胶层1006形成于荧光粉层1004和白胶层1005之上。

S905：切割。

使用切割机沿着产品之间的中心进行切割，切割刀的厚度要与之前设计好的切割道宽度进行匹配。在切割过程中，加水进行冷却，但水被透明胶层1006和白胶层1005隔离不能与荧光粉层1004接触，避免KSF/QD荧光粉遇水失效的问题发生，如图16所示。

S906：去除高温膜。

切割后去除高温膜，使之成为单颗高色域CSP LED灯珠，如图17所示。

通过上述方法得到的CSP LED具有防水性好，出光量大的优点，可以应用于各种发光领域，例如其可以制作成背光模组应用于显示背光领域(可以是电视、显示器、手机等终端的背光模组)。此时可以将其应用于背光模组，例如一种背光模组中，包括导光板和设置于导光板侧面的光源，该光源就可采用上面的多面发光LED组成。除了可应用于显示背光领域外，还可应用于按键背光领域、拍摄领域、家用照明领域、医用照明领域、装饰领域、汽车领域、交通领域等。应用于按键背光领域时，可以作为手机、计算器、键盘等具有按键设备的按键背光光源；应用于拍摄领域时，可以制作成摄像头的闪光灯；应用于家用照明领域时，可以制作成落地灯、台灯、照明灯、吸顶灯、筒灯、投射灯等；应用于医用照明领域时，可以制作成手术灯、低电磁照明灯等；应用于装饰领域时可以制作成各种装饰灯，例如各种彩灯、景观照明灯、广告灯；应用于汽车领域时，可以制作成汽车车灯、汽车指示灯等；应用于交通领域时，可以制成各种交通灯，也可以制成各种路灯。上述应用仅仅是本实施例所示例的几种应用，应当理解的是CSP LED的应用并不限于上述示例的几种领域。

以上内容是结合具体的实施方式对本发明实施例所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种芯片级封装LED制作方法，其特征在于，包括：

在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层；

在所述LED芯片侧面形成第一封装胶层，所述第一封装胶层的厚度大于等于所述LED芯片的厚度与所述荧光粉层的厚度之和；

在所述第一封装胶层和所述荧光粉层之上形成第二封装胶层；所述第一封装胶层和所述第二封装胶层不包含荧光粉。

2.如权利要求1所述的芯片级封装LED制作方法，其特征在于，所述在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层之前，还包括：

将各待封装的LED芯片按预设间隔距离排布到衬底上；

所述在待封装的LED芯片正面发光面上形成荧光粉层包括：

将遮盖挡板放置在排布有LED芯片的衬底之上，所述遮盖挡板上有根据所述预设间隔距离形成的通孔，所述通孔尺寸与所述LED芯片正面发光面相适配，所述遮盖挡板放置在所述衬底之上后，各所述通孔与各所述LED芯片分别对应；

在所述遮盖挡板之上喷涂荧光粉，喷涂的部分荧光粉通过各所述通孔在各所述LED芯片正面发光面上形成荧光粉层。

3.如权利要求2所述的芯片级封装LED制作方法，其特征在于，所述遮盖挡板放置在所述衬底之上后，各所述LED芯片分别被套入各自对应的通孔中，所述遮盖挡板的上表面与各所述LED芯片的正面发光面齐平。

4.如权利要求2所述的芯片级封装LED制作方法，其特征在于，所述荧光粉包括锰离子掺杂氟硅酸钾颗粒、量子点颗粒中的至少一种。

5.如权利要求2所述的芯片级封装LED制作方法，其特征在于，在所述遮盖挡板之上喷涂荧光粉之前，还包括：

将荧光粉与胶水和具有挥发性的有机溶剂按X:Y:Z的比例进行混合，所述X的取值为2～4，所述Y的取值为1～2，所述Z的取值为1～3。

6.如权利要求2-5任一项所述的芯片级封装LED制作方法，其特征在于，所述第一封装胶层为反射白胶层，在所述LED芯片侧面形成反射白胶层包括：

在所述LED芯片正面发光面上形成荧光粉层之后，将所述遮盖挡板移除；

在所述各LED芯片之间的间隔填充白胶，填充的白胶与所述荧光粉层齐平；

对填充的白胶在预设第一固化条件下进行固化处理得到未全完固化的反射白胶层。

7.如权利要求6所述的芯片级封装LED制作方法，其特征在于，所述第二封装胶层为透明胶层，在所述反射白胶层和所述荧光粉层之上形成透明胶层包括：

在所述反射白胶层和所述荧光粉层之上填充透明胶；

在预设第二固化条件下对所述未全完固化的反射白胶层以及所述透明胶进行固化处理，得到相互结合且处于固化状态的反射胶层和透明胶层。

8.如权利要求7所述的芯片级封装LED制作方法，其特征在于，在所述反射白胶层和所述荧光粉层之上形成透明胶层之后，还包括：

从所述各LED芯片之间的间隔进行切割，切割过程中采用冷却液冷却；

去除LED芯片底部的衬底。

9.一种芯片级封装LED，其特征在于，包括LED芯片，形成于所述LED芯片正面发光面上的荧光粉层，以及形成于所述LED芯片侧面的第一封装胶层，所述第一封装胶层的厚度大于等于所述LED芯片的厚度与所述荧光粉层的厚度之和，还包括形成于所述第一封装胶层和所述荧光粉层之上的第二封装胶层；所述第一封装胶层和所述第二封装胶层不包含荧光粉。

10.如权利要求9所述的芯片级封装LED，其特征在于，所述第一封装胶层为反射白胶层，所述第二封装胶层为透明胶层。