CN103887414A - 涂覆有发光材料的紫光led - Google Patents

Abstract

公开了用于制造和使用涂覆有致密压缩发光材料层的发紫光的LED阵列的技术及其装置和方法的实施方式。

Description

涂覆有发光材料的紫光LED

本申请根据美国法典第35篇第119节要求于2012年12月21日提交的美国临时申请号US61/740,937的权益。

技术领域

本公开内容涉及LED照明领域，更具体地涉及用于生产涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED阵列的技术。

背景技术

通过利用反射白色围堰（dam）环绕蓝光LED晶粒（die）的阵列和利用硅树脂-磷光体混合物填充在围堰内部的区域，已经构建了白光LED光源的传统实施方案。这种传统方法产生了被含有发光材料的硅烷包围的蓝光LED晶粒，但是得到的传统实施方案表现出一些明显的缺点。首先，由远离LED晶粒的发光材料发出的光在能够离开结构物前被散射多次。在这样做的过程中，这种光能够被其它发光材料颗粒、邻近的LED晶粒（如果有的话）、和/或形成结构物的底部的材料（例如底固定座（次粘合基台，submount）材料）吸收。尽管底固定座材料的反射率已经过特别处理，例如通过将亦或高反射率白色涂覆物（涂层，coating）亦或高反射金属如银涂覆在底固定座（submount）表面，一部分光被转化为热量，并且发光效率降低。更希望的光学构造是制造具有在非常接近LED晶粒本身的立体区域中并列放置（并置，juxtaposed）的发光材料颗粒的此类光源。以这种方式，可以减少由远离晶粒的发光材料颗粒引起的光散射和由底固定座材料引起的光吸收，并且可以提高此类光源的效率。例如，为了将磷光体材料共形地涂覆在晶粒上，将浸渍有磷光体的硅树脂或其它粘合剂的层片（laminar sheet）热辊压至LED晶粒上。这种方法具有LED晶粒的各侧面上覆盖率差的缺点，其导致了光输出的降低。

然而，为了将发光材料颗粒限制在非常接近LED晶粒本身的立体区域中，所需要的是在LED晶粒周围施加发光材料的一个或多个共形层（例如涂覆物）的低成本方法，以提高LED光源的发光效率同时提供希望的色彩平衡以及在高电流密度运行下可靠的运行。

发明内容

为了提高LED光源的发光效率，使用高的长宽比（纵横比，aspectratio）的光致抗蚀剂来产生随后被磷光体填充的腔。该方法提供了在其中磷光体覆盖LED的各侧面的器件。

在第一个方面，提供了一种用于将致密压缩发光材料涂覆在发紫光的LED晶粒（die）上的方法，包括将一个或多个发紫光的LED晶粒的排列附连至底固定座结构（submount structure）上；施加光致抗蚀剂，其特征在于厚度大于一个或多个发紫光的LED晶粒中的至少一些的高度；在一个或多个发紫光的LED晶粒中的至少一些周围的光致抗蚀剂上打开第一腔孔；将发光材料分配至第一腔孔中；以及剥离光致抗蚀剂以提供一个或多个涂覆有致密压缩发光材料的发紫光的LED晶粒。

在第二个方面，提供了一种装置，其包括底固定座；发紫光的LED晶粒，附连于底固定座，其中晶粒的周长形成了一区域；以及

涂覆物（涂层），覆盖发紫光的LED晶粒的至少一个表面，其中涂覆物包含至少一种发光材料。

在第三个方面，提供了一种装置，包括灯座（灯基座，lamp base）；底固定座；发紫光的LED晶粒，附连于底固定座并且与灯底座电连接，其中发紫光的LED晶粒的周长形成三角形区域；以及涂覆物，覆盖发紫光的LED晶粒的至少一个表面，其中涂覆物包含至少一种发光材料。

附图说明

本领域技术人员会理解如在本文中所描述的，附图仅用于说明目的。附图并非意在限制本发明的范围。

图1是一种LED晶粒阵列，示出了附连至并电连接于硅或陶瓷底固定座的一系列LED晶粒。

根据一些实施方式，图2A是示出了紫光LED晶粒的并列放置的示图，其中发紫光的LED晶粒被固定在用于制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED阵列的硅或陶瓷底固定座上。

根据一些实施方式，图2B是示出了经涂覆的紫光LED晶粒的示图，其中经涂覆的发紫光的LED晶粒被固定在硅或陶瓷底固定座上并且底固定座用比紫光LED晶粒的顶表面厚的一层光致抗蚀剂涂覆。

根据一些实施方式，图2C是在用于制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列的方法中在每个LED晶粒周围的光致抗蚀剂中的腔的示图。

根据一些实施方式，图2D描绘了用致密压缩发光材料来填充腔并且通过将硅树脂分配到发光材料层上来使发光材料固定在合适的位置的组装步骤。

根据一些实施方式，图2E描绘了剥离光致抗蚀剂层、留下涂覆在紫光LED晶粒之上的发光材料的组装步骤。

根据一些实施方式，图3是示出了经涂覆的紫光LED晶粒的透明（澄清，clear）硅树脂封装以在用于制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列的方法中提高光提取效率的示图。

根据一些实施方式，图4是涂覆有发光材料的紫光LED晶粒的圆形阵列的俯视图。

根据一些实施方式，图5是涂覆有包含红光、绿光和蓝光发光材料的层的紫光LED晶粒的排列的示图。

根据一些实施方式，图6A是由涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列形成的晶粒水平封装的器件的截面侧视图。

根据一些实施方式，图6B是在制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列后形成的成形侧壁晶粒水平封装（shaped-side-wall-die-level-encapsulated）的器件的俯视图。

根据一些实施方式，图7A是用光致抗蚀剂层包围并且用发光材料层覆盖的三角形紫光LED晶粒704的一系列线性阵列的俯视图。

根据一些实施方式，图7B是在去除光致抗蚀剂层之后用发光材料层覆盖的三角形紫光LED晶粒的一系列线性阵列的俯视图。

根据一些实施方式，图8A描绘了由用发光材料层覆盖的三角形紫光LED晶粒制造的线性光源的实施例，其中线性光源是由两排三角形紫光LED晶粒制造的，其中每个LED晶粒的一边面对光源的长边以提高发光的均匀性。

根据一些实施方式，图8B描绘了由三角形紫光LED晶粒制造的线性光源的实施例，其中线性光源是由一排用发光材料层覆盖的三角形紫光LED晶粒制造的，其中每个LED晶粒的一边面对线性阵列的短边以提高发光的均匀性。

根据一些实施方式，图9A示出了在填充发光材料前的线性光源的俯视图。

根据一些实施方式，图9B示出了在用发光材料覆盖用于发光材料沉积的区域并且进一步用透明透镜盖覆盖后的线性光源的侧视图。

根据一些实施方式，图10A至图10I描绘了用于在单一LED晶粒之上产生多个涂层的方法。

根据一些实施方式，图11A至图11I描绘了用于在第一单一紫光LED晶粒之上产生第一发光材料的单一涂层、以及在第二单一紫光LED晶粒之上产生第二发光材料的单一涂层的方法。

根据一些实施方式，图12A和图12B描绘了具有置于数量稀疏增加的阵列中的共形涂覆物的单一紫光LED晶粒。

根据一些实施方式，图13A至图13C描绘了在数量完全增加的阵列中的多个紫光LED晶粒。

根据一些实施方式，图13D示出了通过在一定范围内的波长下的光谱改造而调整的色彩平衡，以及得到的具有光谱改造的光的色域的发射光品质。

根据一些实施方式，图13E是示出了由于涂覆物厚度的变化而引起的蓝光泄漏的变化是如何产生白色点的变化的图表。

根据一些实施方式，图13F表征了作为N、S、E、W、和顶部给出的尺寸，这些尺寸用于定义LED晶粒周围的磷光体层的厚度。

图13G示出了用于比较颜色变化与磷光体层非对称性的图表。与基于蓝光的LED相比，对于基于紫光的LED而言，变化小许多倍。

根据一些实施方式，图14是用于产生封装的、基于紫光LED晶粒的、发白光的线性光源的系统的流程图。

根据一些实施方式，图15是用于制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列的系统的流程图。

图16A至图16I描绘了可以被用于照明用途的本公开内容的实施方式。

图17描绘了用于在照明用途中实现本公开内容的各个实施方式的一系列的灯。

附图标号

102  LED晶粒；              104  白色围堰；

106  负载有磷光体的硅树脂； 108  硅或陶瓷底固定座；

210  紫光LED晶粒；          220  硅或陶瓷底固定座；

230  硅或陶瓷底固定座；     240  在LED晶粒周围的光致抗蚀剂中的腔；

250  硅树脂                 260  发光材料层/致密发光材料层

270  分配针                 310  透明（澄清）硅树脂

402  涂覆有发光材料层的紫光LED晶粒阵列； 404 三角形紫光LED晶粒；

602  透明（澄清）硅树脂；   604  涂覆有致密发光材料的晶粒；

704   三角形紫光LED晶粒；         706  与线性阵列的触点;710  光致抗蚀剂层/已经去除光致抗蚀剂层后的边缘；

902  用于发光材料沉积的区域；     904  发紫光的LED晶粒；

906   透明硅围堰；                908  透明透镜盖;

16D40 滤色器衬底；                16D50 驱动器IC。

具体实施方式

在本文中使用术语“示例性的”，意思是指充当实例（实施例）、例证、或说明。在本文中被描述为“示例性的”的任何方面或设计并非必须解释为相比于其它方面或设计是优选的或有优势的。更确切地说，使用词语示例性的旨在以具体的方式提出概念。

术语“或”旨在表示包括“或”而不是排除“或”。也就是说，除非另外指定，或由上下文确定，“X采用A或B”旨在表示自然包含的排列中的任何一种。也就是说，如果X采用A，X采用B，或X采用A和B二者，则在任何前述例证下满足“X采用A或B”。此外，如在本申请和所附权利要求中使用的，冠词“一个”和“一种”通常应该被解释为表示“一个或多个”，除非另外指定或由上下文确定为针对单数形式。

现在详细地参考某些实施方式。公开的实施方式并非旨在限制权利要求。

在本公开内容中提及的波长转换材料的组合物包括多种发光材料。并且，在本公开内容中提及的发光材料的组合物包括多种波长转换材料。

波长转换材料可以是陶瓷或半导体颗粒磷光体、陶瓷或半导体板磷光体、有机或无机降频剂（降频器，downconverter）、升频剂（升频器，upconverter）（反斯托克斯（anti-stokes））、纳米颗粒，以及提供波长转换的其它材料。在以下列出了一些实例：

(Srn,Ca_1-n)₁₀(PO₄)₆*B₂O₃:Eu²⁺（其中0≤n≤1）

(Ba,Sr,Ca)₅(PO₄)₃(Cl,F,Br,OH):Eu²⁺,Mn²⁺

(Ba,Sr,Ca)BPO₅:Eu²⁺,Mn²⁺

Sr₂Si₃O₈*2SrC_l2:Eu²⁺

(Ca,Sr,Ba)₃MgSi₂O₈:Eu²⁺,Mn²⁺

BaAl₈O₁₃:Eu²⁺

2SrO*0.84P₂O₅*0.16B₂O₃:Eu²⁺

(Ba,Sr,Ca)MgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺,Mn²⁺

K₂SiF₆:Mn⁴⁺

(Ba,Sr,Ca)Al₂O₄:Eu²⁺

(Y,Gd,Lu,Sc,La)BO₃:Ce³⁺,Tb³⁺

(Ba,Sr,Ca)₂(Mg,Zn)Si₂O₇:Eu²⁺

(Mg,Ca,Sr,Ba,Zn)₂Si_1-xO_4-2x:Eu²⁺（其中0≤x≤0.2）

(Ca,Sr,Ba)MgSi₂O₆:Eu²⁺

(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)₂S₄:Eu²⁺

(Ca,Sr)₈(Mg,Zn)(SiO₄)₄C_l2:Eu²⁺,Mn2+

Na₂Gd₂B2O₇:Ce³⁺,Tb³⁺

(Sr,Ca,Ba,Mg,Zn)₂P2O₇:Eu²⁺,Mn²⁺

(Gd,Y,Lu,La)₂O₃:Eu³⁺,Bi³⁺

(Gd,Y,Lu,La)₂O₂S:Eu³⁺,Bi³⁺

(Gd,Y,Lu,La)VO₄:Eu³⁺,Bi³⁺

(Ca,Sr)S:Eu²⁺,Ce³⁺

(Y,Gd,Tb,La,Sm,Pr,Lu)₃(Sc,Al,Ga)_5-nO_12-3/2n:Ce³⁺（其中0≤n≤0.5）

ZnS:Cu⁺,Cl^-

(Y,Lu,Th)3Al₅O₁₂:Ce³⁺

ZnS:Cu⁺,Al³⁺

ZnS:Ag+,Al³⁺

ZnS:Ag+,Cl-

Ca_1-xAl_x-xySi_1-x+xyN_2-x-xyC_xy:A

Ca_1-x-zNazM(III)_x-xy-zSi_1-x+xy+zN_2-x-xyC_xy:A

M(II)_1-x-zM(I)_zM(III)_x-xy-zSi_1-x+xy+zN_2-x-xyC_xy:A

M(II)_1-x-zM(I)_zM(III)_x-xy-zSi_1-x+xy+zN_2-x-xy-2w/3C_xyO_w-v/2H_v:A

M(II)_1-x-zM(I)_zM(III)_x-xy-zSi_1-x+xy+zN_{2-x-xy-2w/3-v/3}C_xyO_wH_v:A

其中0<x<1、0<y<1、0≦z<1、0≦v<1、0<w<1、x+z<1、x>xy+z、且0<x-xy-z<1，M(II)是至少一种二价阳离子，M(I)是至少一种一价阳离，M(III)是至少一种三价阳离子，H是至少一种一价阴离子，并且A是杂在晶体结构中的发光激活剂。

LaAl(Si₆–_z Al _z)(N₁₀–_z O_z):Ce³⁺（其中z=1）

(Ca,Sr)Ga₂S4:Eu²⁺

AlN:Eu²⁺

SrY₂S₄:Eu²⁺

CaLa₂S₄:Ce³⁺

(Ba,Sr,Ca)MgP₂O₇:Eu²⁺,Mn²⁺

(Y,Lu)₂WO₆:Eu³⁺,Mo⁶⁺

CaWO₄

(Y,Gd,La)₂O₂S:Eu³⁺

(Y,Gd,La)₂O₃:Eu³⁺

(Ba,Sr,Ca)_nSi_nN_n:Eu²⁺（其中2n+4=3n）

Ca₃(SiO₄)Cl₂:Eu²⁺

(Y,Lu,Gd)_2-nCa_nSi₄N_6+nC_1-n:Ce³⁺，（其中0≤n≤0.5）

掺杂有Eu²⁺和/或Ce³⁺的(Lu,Ca,Li,Mg,Y)α-SiAlON

(Ca,Sr,Ba)SiO₂N₂:Eu²⁺,Ce³⁺

Ba₃MgSi₂O₈:Eu²⁺,Mn²⁺

(Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺

CaAlSi(ON)₃:Eu²⁺

Ba₃MgSi₂O₈:Eu²⁺

LaSi₃N₅:Ce³⁺

Sr₁₀(PO₄)₆Cl₂:Eu²⁺

(BaSi)O₁₂N₂:Eu²⁺

M(II)_aSi_bO_cN_dC_e:A其中（6<a<8、8<b<14、13<c<17、5<d<9、0<e<2）M(II)是（Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Tm、Cd）的二价阳离子，并且A是（Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、L_u、M_n、Bi、Sb）

SrS_i2(O,Cl)₂N₂:Eu²⁺

SrSi₉Al₁₉ON₃₁:Eu²⁺

(Ba,Sr)Si₂(O,Cl)₂N₂:Eu²⁺

LiM₂O₈:Eu³⁺其中M=（W或Mo）。

为了应用的目的，应理解的是当发光材料具有两种或更多种掺杂物离子（即在以上发光材料中冒号后面的那些离子）时，这意味着发光材料具有至少一种（但并非全部）在材料内的那些掺杂物离子。也就是说，如本领域技术人员所理解的，这种类型的表示方法意味着发光材料可以包括在配制物中作为掺杂物的那些指定的离子中的任何一种或全部。

进一步地，应该理解的是可以将纳米颗粒、量子点、半导体颗粒、和其它类型的材料用作波长转换材料。以上的清单是代表性的并且应该包括并非所有可以在本文描述的实施方式中应用的材料。

要着力解决的改进包括高电流密度/大功率LED应用，其中发光材料颗粒发热会降低效率和降低寿命。在此类应用中的LED晶粒发射出大流量的光子，在被包围LED晶粒的发光材料颗粒吸收时，由于光子下变频过程，光子在发光材料颗粒中产生大量的热量。由于在其中分散有发光材料颗粒的硅树脂的差的导热率，通常这种下变频产生的热量在发光材料颗粒中累积。累积的热量的一个结果是在发光材料颗粒中显著的温度上升。这种温度上升具有降低光子下变频效率以及导致周围硅树脂封装剂的分解（例如褐变或破裂）的结果。这种问题的一种解决方案是将发光材料在LED晶粒周围紧紧地压缩（packed）以使它们二者互相、与底固定座、和与LED晶粒表面保持热接触。在这种构造中，热量接着可以高效地从发光材料颗粒、经过底固定座和LED晶粒本身、并向封装件的背面传输（例如在发光材料颗粒和LED晶粒两者的导热率都比硅树脂封装剂的高的情况下）。

传统技术使得各层能够在稍后被切成单个LED晶粒的LED晶片的表面上沉积，然而，这种涂覆方法不适合用于三维LED晶粒。在本文中所公开的是将发光材料颗粒的致密层涂覆在三维紫光LED晶粒上的方案。

一种方案是利用电泳沉积（EPD）方法共形涂覆LED晶粒。然而，在采用发蓝光的LED晶粒时，需要精确受控的发光材料沉积方法，因为泄漏到最终白光谱中的蓝光的量必须受到超精确地控制。EPD沉积系统是复杂的，并且因此这种涂覆方法是昂贵的——尤其是如果希望多层涂覆物的话。通过采用发紫光的LED晶粒代替发蓝光的LED晶粒，降低了对于此类超精确的发光材料厚度控制的需要——使得能够使用较低复杂性的发光材料沉积方法。在采用致密发光材料层的一些情况中，提供了至少部分地基于选取的一种或多种发光材料的特征的热控制。当在涂覆物（涂层）中的发光材料的密度不足以允许在它们之间合理热接触时，可以向涂覆物添加导热的和光学上透明的材料以改善层的整体导热率。在表1中列出了示例性的导热的和光学上透明的材料。

表1：选取的导热的和光学上透明的材料

除表1的实例之外，可以使用其它材料，例如，氟化锌—ZnF₂、氟化铁—FeF₂、氟化铈—CeF₃、磷酸二氢钾—KH₂PO₄、磷酸铝—AlPO₄、和硫酸钾（K₂SO₄）。

进一步地，存在具有在希望的范围内的特征的多组材料（例如，复合氟化物如KMeF₃、磷酸盐、和硫酸盐）。

现在，参考上述图2A至图2E和图3，发光材料沉积方法可以包括以下步骤中的任何一个或多个：

1）将紫光LED晶粒210（例如，倒装芯片LED晶粒）附连至底固定座（submount）220结构（例如，硅或陶瓷底固定座）。

2）将抗蚀剂层（例如，厚膜）施加至LED晶粒阵列。如示出的，抗蚀剂层厚度稍大于LED晶粒的高度。在这种构造中，抗蚀剂的高度基本上会影响涂覆在晶粒的顶表面上的发光材料的最终厚度。因此，相对于涂覆在晶粒的侧面上的发光材料的厚度，可以独立地调节涂覆在晶粒的顶部上的发光材料的厚度。可以通过在抗蚀剂层中开口的尺寸来控制涂覆在晶粒的侧面上的发光材料的厚度。

3）利用光刻在LED晶粒周围的抗蚀剂中开孔。非倒装芯片设计也可以用于提供能够在引线接合焊盘周围的抗蚀剂中的开孔。

4）根据需要（例如，如果它们不是倒装芯片构造的）对晶粒进行引线接合。

5）将发光材料的致密层分配至包围LED晶粒和在LED晶粒顶部上的腔（例如，腔240）中。这种致密层可以由发光材料的粉末层或发光材料与透明导热颗粒（参见表1）的组合构成。可替代的，可以在溶剂溶液中分配发光材料，溶剂溶液之后可以被蒸发掉—留下致密发光材料层，或者可以直接在非常大量负载的硅树脂混合物中分配发光材料。

6）通过将硅树脂（例如，硅树脂250）、溶胶凝胶、或其它稳定的粘合材料沉积（例如，利用分配针270）至发光材料（如果它们没有在硅树脂中已经分配预混合的话）来固定LED晶粒周围的发光材料。

7）利用例如O₂等离子体蚀刻系统来剥离厚膜（或其它）抗蚀剂材料。选取光致抗蚀剂以使粘合材料具有低蚀刻速率，以便使抗蚀剂能够被选择性地去除——留下包围每个LED晶粒的发光材料涂覆物层。粘合材料的蚀刻速率因此应该是例如>10x低于光致抗蚀剂230的蚀刻速率。

8）一些实施方式（例如，参见图3）将涂覆有发光材料的晶粒浸入澄清的硅树脂310中并将它们以特定的空间取向（例如，上-侧-下）固化以在每个被涂覆的LED晶粒周围产生小透镜并因此提高光提取效率。可替代的，可以在每个晶粒之上成型小硅树脂透镜盖。

9）一些实施方式将一组晶粒周围的反射围堰置于底固定座上并且用澄清（透明）的硅树脂310或负载有少量扩散剂（例如用来改善光源一致性）的硅树脂来填充围堰。

10）将硅或陶瓷底固定座切割成单个光源。

11）一些实施方式将大透镜贴附至反射围堰（如果采用的话）以进一步提高光提取效率。

进行上述步骤的结果是以涂覆有致密发光材料层的紫光LED晶粒的二维排列的形式存在的光源装置。其它实施方式（参见图5）利用多个层进行涂覆。此类LED光源将会具有比利用发光材料“混拌显影（puddle）”方案得到的更高的光提取效率。此外，得到的装置具有促进高LED电流密度运行的热传输特征。并且，遵照在本文中所描述的方法，可以同时涂覆许多LED晶粒阵列（例如，在面板水平或晶片水平发光材料施加过程中）。

图1是LED晶粒阵列100，示出了附连至并电连接于硅或陶瓷底固定座的一系列LED晶粒。

如示出的，围堰置于LED晶粒阵列周围并且围堰被负载有磷光体的硅树脂填充。

图2A是示出了紫光LED晶粒210的并列放置（并置）的示图2A00，其中发紫光的LED晶粒被固定在用于制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列的硅或陶瓷底固定座220上。紫光LED晶粒可以以任何空间构造排列在底固定座上。例如，它们可以以线性构造或二维矩形或圆形的构造排列。

图2B是示出了在底固定座上的、涂覆有厚度大于紫光LED晶粒210的高度的光致抗蚀剂层的紫光LED晶粒210的示图2B00。

图2C是在用于制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列的方法中在每个紫光LED晶粒周围的光致抗蚀剂230中的腔（例如，腔240）的示图2C00。

图2D描绘了用致密压缩发光材料来填充腔（例如，腔240）并且通过将少量硅树脂分配到形成的发光材料层260上来使发光材料固定在合适的位置的组装步骤2D00。

图2E描绘了在用于制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列的方法中的剥离光致抗蚀剂层、留下涂覆紫光晶粒的发光材料的组装步骤2E00。

图3是示出了经涂覆的紫光晶粒的透明（澄清，clear）硅树脂310封装以在用于制造涂覆有发光材料的紫光LED晶粒致密压缩阵列的方法中提高光提取效率的示图300。

图4是置于底固定座上的涂覆有发光材料的紫光LED晶粒210的圆形阵列的俯视图400。可以由三角形晶粒、或菱形晶粒、或直线形晶粒、或任何形状的晶粒形成阵列。

图5是由制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列得到的涂覆有包含红光发光材料（例如，红光层260_R）、绿光发光材料（例如，绿光层260_G）、和蓝光发光材料（例如，蓝光层260_B）的层的紫光晶粒的排列的示图500。

图6A是由制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列形成的晶粒水平封装的器件的截面侧视图6A00。

图6B是在制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列后形成的成形侧壁晶粒水平封装的器件的俯视图6B00。图7A是被覆盖线性阵列触点706的光致抗蚀剂层708包围的三角形紫光LED晶粒704的一系列线性阵列的俯视图700。光致抗蚀剂层708限定了在其中形成致密发光材料层702的区域的边缘，并且因为可以穿过边缘分布，光致抗蚀剂层保护了接触垫。在去除光致抗蚀剂之后，可以对单个线性阵列进行单切。

图7B是在去除光致抗蚀剂层之后的三角形紫光LED晶粒704的一系列线性阵列的俯视图750。一旦去除光致抗蚀剂，可以对单个线性阵列进行单切（例如，通过锯开包括发光材料层在内的整个器件）。

图8A描绘了由三角形紫光LED晶粒制造的线性光源的实施例800，其中线性光源是由两排三角形紫光LED晶粒制造的，其中每个紫光LED晶粒的一边面对光源的长边以提高发光的均匀性。

图8B描绘了由三角形紫光LED晶粒制造的线性光源的实施例850，其中线性光源是由一排三角形紫光LED晶粒制造的，其中每个紫光LED晶粒的一边面对线性阵列的短边以提高发光的均匀性。

图9A示出了在填充发光材料前的线性光源的俯视图900。

如在图9A和图9B中示出的，按如下形成多种实施方式：

-提供硅或陶瓷底固定座。

-在底固定座之上以线性阵列方式排列紫光LED晶粒（参见发紫光的LED晶粒904）。

-在形成线性阵列的紫光LED晶粒之间和最接近形成线性阵列的紫光LED晶粒周围的区域形成用于发光材料沉积902的区域的边界。

-如在图9B中描绘的，进行另外的处理步骤。

图9B示出了在用发光材料覆盖用于发光材料沉积的区域和进一步用透明透镜盖908覆盖后的线性光源的侧视图950。

在一些实施方式中，进行以下步骤：

-将透明硅树脂围堰906置于LED晶粒的线性排列的周围；

-在用于发光材料沉积（参见发光材料层260）的区域之上沉积一个或多个发光材料层以及

-在发光材料层和围堰的顶部上沉积透明透镜盖908。

如示出的，围堰在LED晶粒周围形成沟槽并限定发光材料层的外部形状，并且包围LED晶粒的围堰是由对可见光透明的材料（例如透明（澄清）的硅树脂）制造的。在此类实施方式中，围堰起到用于线性光源各侧面的封装剂的作用。此外，围堰形成了清洁的底座，在其上可以分配澄清的硅树脂透镜盖（参见图9B）。得到的实施方式是一种完全封装的线性光源。这种方案使产生封装线性光源的晶片水平方法成为可能。在一些情况下，可以将多个透明围堰共同成型为一个部件然后附连至底固定座上成为一个部件。此类结构促进单个光源的单切：可以在底固定座切割过程期间进行单切。

上述用于制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒阵列的技术包括将层沉积在晶粒阵列之上。其他技术用来涂覆单个LED晶粒。具体地，以下公开的实施方式涉及用于利用光刻工艺制造涂覆有发光材料的单个LED晶粒的方法。公开的方法包括能够以去除或减少对围堰的需要的方式将发光材料施加在单个LED晶粒上的技术。此外，可以调整光刻工艺以改变在单个单一LED晶粒阵列或多个LED晶粒阵列的顶部或侧面的发光材料的厚度。可以根据光输出要求来进行调整。在一些情况下，在形成引线接合后将发光材料施加至单个LED晶粒上。进一步地，将发光材料施加至单个LED晶粒上的某些技术用来降低发光材料反向散射（例如，得到更高的效率）。更进一步地，施加发光材料的某些技术引起更高的发光材料负载，进而能够引起运行温度的降低（例如允许在发光材料混合物中的高指数硅树脂的整合）。

上述的技术和性能开启了以下各项的可能性：

-制造宽范围的发射极构造，

-产生分层的发光材料结构，以及

-产生具有发光材料的不同组合的LED的像素化阵列。

如在本文中和以下所讨论的，利用光刻形成涂覆有发光材料的单个LED晶粒。严格地作为实例，可以按如下进行该方法：

-利用多重旋涂（multiple-spin）过程（例如，旋涂1（Spin1）=300rpm持续20s，旋涂2=1000rpm持续3.5s，旋涂3：500rpm持续14s）实现350μm的厚度。

-在连续的烘烤过程（例如，旋涂2后在135℃下热板30分钟、旋涂3后热板40分钟等）中烘烤底固定座。

-利用在触点掩模对准器（接触掩模对准器，contact mask aligner）下的掩模以在晶粒周围开孔使衬底图案化。

-在50μm的曝光间隙下使用邻近触点（接触）。

-利用具有交替曝光的多倍曝光和多倍驻留时间（dwell time）将曝光剂量设置为7800mJ/cm²。

-通过使抗蚀剂显影（例如，利用AZ300MIF在室温下5.5分钟、利用混拌显影（puddle）显影）去除在晶粒周围的光致抗蚀剂。

-然后在晶粒周围的开口内部分配发光材料（例如，在硅树脂基浆料中分配）。

-随后进行真空除气步骤以解决发光材料混合物存在不希望的气泡的问题。

-将组件在对流烘箱中在150℃下烘烤15分钟以使硅树脂固化。

-利用第一AZ300MIF（例如，在80℃下持续30分钟，或经超声剥离）然后利用AZ400T（例如，在80℃下持续10分钟）剥离掉光致抗蚀剂。

-用去离子水彻底洗涤衬底，然后用氮气吹干衬底。

-在部件测试/评价前，在150℃下进行脱水烘烤5分钟。

一些实施方式包括两个涂覆晶粒的发光材料层。在一种具体的处理流程中，某些旋涂步骤在较低的旋涂速度（例如，在300rpm下旋涂20s，在900rpm下旋涂3.5s，在400rpm下旋涂14s）下进行。对于多层发光材料组合而言，旋涂光致抗蚀剂的第二层以使其比第一层稍厚（例如，约厚0.5μm）以便仅覆盖在第一层的处理期间图案化的发光材料。

在图10A至图10I中（示出了在单一LED晶粒上的多个涂层）和在图11A至图11I中（示出了在邻接的单一LED晶粒上的分开的单一涂层），描述了利用光刻工艺制造涂覆有发光材料的LED晶粒的几种可能的技术。

图10A至图10I描绘了用于在单一晶粒上产生多个涂层的过程。如示出的，按如下将发光材料的多个涂层施加至单一LED晶粒：

对于子组件10A00进行光致抗蚀剂旋涂过程以形成子组件10B00。然后利用掩模和光致抗蚀剂过程以形成子组件10C00。将发光材料的第一层沉积（例如，分配）在洗去光致抗蚀剂后形成的凹槽中以形成子组件10D00，进而对其进行另外的洗涤以形成子组件10E00。还有另外的一系列光致抗蚀剂、曝光、和洗涤步骤，用来形成子组件10F00（施加光致抗蚀剂）、和子组件10G00（在利用掩模2之后洗涤后进行）。将发光材料的第二层沉积（例如，分配）在形成子组件10G00后形成的凹槽中，进而对子组件1H00进行另外的洗涤以形成具有施加至单一LED晶粒的两个发光材料涂层的子组件10I00。可以使用利用另外的掩模的另外的步骤以添加发光材料的第三层或发光材料的第n层。

图11A至图11I描绘了用于在第一单一LED晶粒上产生第一发光材料的单一涂层、和在第二单一LED晶粒上产生第二发光材料的单一涂层的过程。如示出的，按如下将多个波长转换材料涂层施加至单一LED晶粒：

对子组件11A00进行光致抗蚀剂旋涂过程以形成子组件11B00。然后利用掩模和光致抗蚀剂过程以形成子组件11C00，其中使第一LED晶粒暴露。将发光材料的第一层沉积（例如，分配）在洗去光致抗蚀剂后形成的凹槽中以形成子组件11D00，进而对其进行另外的洗涤以形成子组件11E00。还有另外的一系列光致抗蚀剂、曝光、和洗涤步骤，用来形成子组件11F00（例如，通过施加光致抗蚀剂）、和子组件11G00（在利用掩模2之后洗涤后进行）。将发光材料的第二层沉积（例如，分配）在第二LED晶粒上（例如，在形成子组件11G00后形成的凹槽中），进而对子组件1H00进行另外的洗涤以形成具有施加至第一LED晶粒和第二LED晶粒的不同发光材料涂层（例如，如示出的，邻接晶粒）的子组件11I00。利用这种技术，可以将共形涂覆物（conformal coating）中的不同厚度的不同发光材料施加至不同的（例如，邻接的）LED晶粒。

图12A和图12B描绘了具有置于数量稀疏增加的（sparsely-populated）阵列中的共形涂覆物的单一LED晶粒。更具体地说，图12A示出了被具有邻接于示例性的LED晶粒的腔/沟槽（moat）的图案化抗蚀剂层包围的示例性的引线接合（wirebonded）的LED晶粒（带有示例性的三角形平面图）。图12B示出了具有发光材料共形涂层的相同的示例性的LED晶粒。

图13A至图13C描绘了在数量完全增加（fully-populated）的阵列中的多个晶粒。更具体地说，图13A示出了被具有邻接于每个LED晶粒的腔/沟槽的图案化抗蚀剂层包围的示例性的引线接合的LED晶粒排列（带有具有三角形平面图的LED晶粒）。图13B示出了相同的示例性的具有发光材料共形涂层的LED晶粒排列，并且图13C示出了在通电状态下的共形涂覆的LED晶粒几何排列。

图13D示出了通过在一定范围内波长下的光谱改造调整的色彩平衡，以及得到的具有光谱改造的光的色域的发射光品质。在本文中所描述的实施方式通过改造发射光谱解决了常规LED的超蓝色彩平衡（hyper-bluecolor balance）问题（例如，具有大量的蓝光成分）。可以例如通过LED的发射光谱的选择（例如，通过选择发紫光的LED）来实现光谱改造，并且可以通过选择特定的发光材料、和通过以特定方式沉积发光材料来实现光谱改造以便生产最接近LED的特定结构，这些结构进而促进来自一种或多种光子下变频（down-conversions）的精确波长转换光过程（precisewavelength-converting light processes）。

测量光谱改造结果（例如，以及评估发射光的品质）的一种可能的方式是表征光源的色域。实验性的设置考虑了上达至15种的反射性样品（例如，从颜色品质标度（Color Quality Scale）[Davis10]中选取），并决定选取哪一种样品量度。在一系列量度中，色度是可以推导或计算的，进而可以由其对得到的点的色域绘图。

图13D描绘了叠加在具有3000K的相关色温的参比黑体散热器的色域上的两个实例。如可以从一系列实验的融合（合并，amalgamation）中看出，发蓝光的LED的使用引起了超蓝色域。在使用蓝光LED时，发光材料的变化、和用于沉积发光材料的技术的变化产生了最接近于LED、但是却产生超蓝色域（例如超蓝色域1381）的特定结构。

在图13D中还示出了因使用发紫光的LED与选取的在绿光区域和红光区域产生希望的饱和度的发光材料的构造而表现出的改进的色域1384。为了实现这种希望的色域，选取发光材料，然后将发光材料沉积至最接近于在精确受控的结构（例如，发光材料涂覆物的厚度）中的LED。例如，上述图10A至图10I的处理步骤和结构、与上述图11A至图11I的处理步骤和结构用来精确地控制沉积结构的厚度和高度。在图10和图11的实施方式中，可以通过以上所描述的过程实现包围LED的结构，并且具有如下的具体步骤：

-将抗蚀剂层（例如，厚膜）施加至LED晶粒阵列（抗蚀剂层厚度大于LED晶粒的高度）。在这种构造中，抗蚀剂的高度基本上会影响涂覆在晶粒的顶表面上的发光材料的最终厚度。

-调节涂覆在晶粒的顶部上的发光材料的厚度，以具有可以与涂覆在晶粒的侧面上的发光材料的厚度相比的相对厚度。可以通过在抗蚀剂层中开口的尺寸来控制涂覆在晶粒的侧面上的发光材料的厚度。

对于响应于紫光LED周围的涂覆物厚度变化的另外的颜色变化在以下图中进行表征。

图13E是示出了由于涂覆物厚度的变化而引起的蓝光泄漏（blue lightleakage）的变化是如何产生白色点的变化的图表。

图13F表征了作为N、S、E、W、和顶部给出的尺寸，这些尺寸用于定义LED晶粒周围的磷光体层的厚度。在本文中的一些图呈现了与从N、S、E、或W观察方向的视图相对应的侧视图。

图13G示出了用于比较颜色变化和磷光体层非对称性的图表。对于基于紫光的LED来说，与基于蓝光的LED相比变化小很多倍。在以下表中通过举例说明了在发紫光的LED的各个面上的涂覆物。在图13G的正面（right side）呈现出了与如在以下表中示出的厚度相对应的色点变化。

面	紫光泄漏	厚度（微米）
			顶部	10%	25μm（加/减2微米）
N	8%	27.5μm（加/减2微米）
			E	0%	90μm（加/减2微米）
S	0%	77.5μm（加/减2微米）
			W	1%	47.5μm（加/减2微米）

图14是用于通过以下步骤产生封装的、基于紫光LED晶粒的、发白光的线性光源的系统1400的流程图：将发紫光的LED晶粒按n x m（其中n>m）阵列附连至硅或陶瓷底固定座（参见步骤1420），成型或冲压（压印，stamping）二维围堰阵列，将围堰阵列贴附至底固定座（参见步骤1430），在发紫光的LED晶粒周围分配负载有发光材料的硅树脂（参见步骤1440），在围堰的顶表面和发光材料转换层的顶表面分配透明至白光透镜盖以形成透明透镜盖（参见步骤1450），以及切割底固定座以及在围堰之间的连接（参见步骤1450）。

图15是用于进行涂覆有致密压缩发光材料的紫光LED晶粒的制造系统1500的流程图。该系统中的步骤可以单独地或组合地进行在系统1500内的方法操作。除非可以在权利要求中指定，否则可以以任何顺序进行系统1500内进行的任何操作。如示出的，系统进行：将紫光LED晶粒附连至底固定座结构（参见模块1520）；将抗蚀剂层施加至厚度大于晶粒的高度的紫光LED晶粒阵列（参见模块1530）；在紫光LED晶粒周围的抗蚀剂中打开多个腔孔（参见模块1540）；将发光材料的层分配至腔孔中，剥离抗蚀剂材料，留下包围每个紫光LED晶粒的包含发光材料的涂覆物层（参见模块1550）；以及将底固定座切割成单个部件（参见模块1560）。

实施例

以下实施例详细地描述了在本文中公开的实施方式的构成要素的实施例。对于本领域技术人员来说将会显而易见的是，在不背离本公开内容的范围的情况下，可以对材料和方法二者做出多种更改。

实施例1.实施例1遵照用于以上所述的制造单个白光晶粒阵列的前述方案的多个方面。这种方案适用于利用基于本体（块状，bulk）GaN衬底的、发紫光的LED，并且用在高电流密度方式（regime）中的制造过程。一些实施方式包括利用在本体（块状，bulk）GaN上生长的紫光LED晶粒构建的此类白光晶粒阵列，而一些实施方式包括在高电流密度（例如，超过150安培/cm²或超过175安培/cm²等）下驱动的单个紫光LED晶粒。

实施例2.通过实施例1的技术形成的装置，进一步包括在每个紫光LED晶粒周围沉积的单色红光、绿光、和蓝光发光材料以减少在混合发光材料白光源中存在的光吸收。这可以具有增加此类光源的lm/W效率的效果。还可以制造涂覆有红色（红光）、绿色（绿光）、蓝色（蓝光）、和白色（白光）（RGBW）的混合物的紫光LED晶粒，其有助于颜色混合。

实施例3.通过实施例1的技术形成的装置，是通过使在阵列中的单个紫光LED晶粒周围的单色发光材料沉积而形成的。因此，可以制造明亮的单色光源。

实施例4.通过实施例1的技术形成的装置，进一步包括通过重复在本文中所描述的过程来沉积多层发光材料叠层（参见图5）。在一些此类实施方式中，可以使在抗蚀剂中的开口持续地变大以使下一个发光材料层沉积。可以针对发光效率来优化单个层的厚度。此外，在紫光LED晶粒顶部上的层的高度与在紫光LED晶粒的侧面上的层的宽度可以独立地变化。

实施例5.通过实施例1的技术形成的装置，进一步包括在晶粒周围的颜色分离层结构中沉积发光材料。例如，先于蓝光和绿光发光材料层沉积红光发光材料层可以减少在紫光LED晶粒中的光吸收，因为较少的更可能被吸收的短波长的光将会被散射至紫光LED晶粒中。利用标准光刻技术实现的对齐精度足以在每个晶粒周围产生分层的结构。严格地作为实施例，形成了足够宽的沉积的第一层以引起在底固定座上的晶粒到晶粒的放置中的变化，然而，随后的一个或多个发光材料层可以是相当薄的。

实施例6.通过实施例1的技术形成的装置，进一步包括通过利用希望的第一待沉积发光材料对在抗蚀剂层中的初始开口“喷粉（dusting）”、然后利用另外的如以上所描述的发光材料填充腔而制造的双层发光材料叠层。

实施例7.通过实施例1的技术形成的装置，进一步包括在不同的可单独寻址的晶粒周围沉积的暖白色和冷白色发光材料以产生色点可调节的光源。在一些变化方案中，紫光LED晶粒的不同单个晶粒具有以特定比例选取的冷白光、暖白光、红色、绿光、或蓝光发光材料涂覆物以制造颜色可调节的白光源。

实施例8.通过实施例1的技术形成的装置，进一步包括对晶粒水平封装的重复。在这种情况下，可以施加厚膜抗蚀剂，开孔以在涂覆有发光材料的晶粒周围产生适当的侧壁形状，并且在阵列中的每个涂覆的紫光LED晶粒周围和顶部上分配澄清（透明）的硅树脂（参见图6）。可以优化澄清硅树脂密封剂的尺寸和形状以使来自晶粒阵列的性能最大化。当然，利用例如真空二次成型（vacuum overmolding），可以在紫光LED晶粒周围成型此类结构。在示例性的实施方式中，在比之前的层的腔孔持续地变得更大的腔孔上重复用于打开腔孔的步骤以沉积连续的分离颜色发光层。

实施例9.通过实施例1的技术形成的装置，包括在用于背面电连接的底固定座中形成的通孔。通过将底固定座切割成单独涂覆的、比晶粒尺寸稍大的部件，利用这种技术促进（加速）了制造单一晶粒白色LED。由此类晶粒形成的灯表现出紫色泵浦的三发光材料白光源的光输出和色彩一致性。由此类晶粒形成的灯可以表现出用于日间行车灯用途所需的高运行温度下的高光输出。

实施例10.通过实施例1的技术形成的装置，被排列成单个晶粒的线性条带（例如，矩形条带），其可以被用作钨丝状光源。在一种浸渍的、澄清硅树脂盖形式中，可以不需要进一步的作为A-灯丝状光源的封装。此类线性条带可以具有足够的表面亮度以便目前在汽车前照灯用途中使用。此类线性条带可以包括在矩形底固定座顶部上（或在底固定座的矩形区域顶部上）的三角形紫光LED线性阵列，其中紫光LED晶粒与面对底固定座窄边的三角形LED晶粒的一侧排列。

一种用于制造涂覆有致密压缩发光材料层的紫光LED晶粒的方法，包括：

a.将紫光LED晶粒附连至底固定座结构；

b.将抗蚀剂层施加至紫光LED晶粒，其中抗蚀剂层的顶表面是在紫光LED晶粒的顶表面上；

c.在紫光LED晶粒周围的抗蚀剂中打开多个腔孔；

d.将发光材料层分配至腔孔中；

e.剥离抗蚀剂材料以提供包围紫光LED晶粒的发光材料涂覆物层；以及

f.将底固定座切割成单个部件。

实施例11的方法，其中在本体（块状）GaN衬底上生长紫光LED。

实施例11的方法，其中在分配发光材料层之后，在比之前的层的腔孔连续地变得更大的腔孔上重复打开腔孔以沉积连续的分离颜色发光层。

实施例11的方法，其中在LED晶粒上的抗蚀剂层的高度不同于从紫光LED晶粒的边缘到光致抗蚀剂腔壁的距离。

实施例11的方法，其中分配发光材料的层包括在某些紫光LED晶粒周围分配蓝光发光材料，在某些紫光LED晶粒周围分配绿光发光材料，在某些紫光LED晶粒周围分配红光发光材料。

实施例15的方法，其中将紫光LED晶粒中的不同晶粒配置为独立驱动的以产生颜色可调节的光源。

实施例11的方法，其中分配发光材料的层包括在某些紫光LED晶粒周围分配冷白光或暖白光发光材料，并且将紫光LED晶粒中的不同晶粒配置为独立驱动的以产生色温可调节的光源。

实施例11的方法，其中以选取的比例在某些LED晶粒周围分配冷白光发光材料、暖白光发光材料、红光发光材料、绿光发光材料、或蓝光发光材料以制造颜色可调节的白光源。

实施例11的方法，其中发光材料沉积在紫光LED晶粒的线性排列周围的线性条带中。

实施例11的方法，其中腔孔包括在线性排列的紫光LED晶粒周围的线性条带。

实施例11的方法，其中紫光LED是三角形的，并且紫光LED以使三角形紫光LED的一边面对底固定座的窄边的线性阵列排列。

实施例11的方法，其中紫光LED是三角形的，并且紫光LED排列在使三角形紫光LED的一边面对底固定座的宽边的紫光LED的双条带中。

实施例11的方法，进一步包括将紫光LED晶粒封装在硅树脂中并固化以产生封装器件。

实施例11的方法，进一步包括在已经用第一发光材料涂覆紫光LED晶粒之后进行的另外的腔打开步骤，并且进一步将第二发光材料涂覆至紫光LED晶粒。

实施例11的方法，进一步包括形成通过底固定座的通孔。

实施例25的方法，进一步包括将涂覆有发光材料的晶粒从底固定座中切割下来作为独立的LED（stand-alone LED）。

实施例11的方法，其中反射围堰置于一组涂覆有发光材料的晶粒的周围。

实施例11的方法，其中发光材料的层约50μm厚至约450μm厚。

实施例11的方法，进一步包括将硅树脂分配至发光材料层上。

实施例11的方法，进一步包括使发光材料与溶剂混合，然后将硅树脂分配至发光材料上。

实施例11的方法，进一步包括在将发光材料的层分配至腔孔中之前使发光材料与硅树脂混合。

利用以n x m（其中n>m）阵列排列的发紫光的LED晶粒形成了光源，然后：

（i）利用透明至白光围堰材料包围晶粒阵列，

（ii）在围堰内部的紫光LED晶粒周围分配负载有发光转换材料的硅树脂，以及

（iii）在围堰和发光材料转换层二者的顶部上分配透明至白光透镜盖。

实施例32的光源，其中在本体（块状）GaN衬底上生长发紫光的LED晶粒。

实施例32的光源，其中白光透明围堰材料负载有少量的散射中心以改善光源断电状态的外观和/或改变发光方式。

实施例32的光源，其中在放置白光透明围堰之前发紫光的LED晶粒单独地涂覆有共形发光材料层。

实施例35的光源，其中在共形涂覆的晶粒周围和围堰的顶部上分配白光透明硅树脂以产生透镜盖。

一种用于通过以下步骤产生封装的、基于紫光晶粒的、发白光的线性光源的方法：

（i）将发紫光的LED晶粒按n x m（其中n>m）阵列附连至硅或陶瓷底固定座，

（ii）成型或冲压透明至白光围堰的二维阵列，将围堰的阵列贴附至底固定座，

（iii）在发紫光的LED晶粒周围分配负载有发光材料的硅树脂，

（iv）在围堰的顶表面和发光材料转换层的顶表面上分配透明至白光透镜盖以形成透明透镜盖，以及

（v）切割底固定座以及在围堰之间的连接。

实施例37的方法，其中在本体（块状）GaN衬底上生长发紫光的LED晶粒。

实施例37的方法，其中白光透明围堰材料负载有少量的散射中心以改善光源断电状态的外观和/或改变发光方式。

实施例37的方法，其中在放置白光透明围堰之前发紫光的LED晶粒单独地涂覆有共形发光材料层。

实施例40的方法，其中在共形涂覆的紫光LED晶粒周围和围堰的顶部上分配白光透明硅树脂以产生透镜盖。

图16A至图16I描绘了可以被用于照明用途的本公开内容的实施方式。在这些实施方式，如根据本公开内容教导的，可以将一个或多个发光二极管16A10覆盖或涂覆和/或图案化，并且可以安装在底固定座或封装件上以提供电的互相连接。底固定座或封装件可以是用于各种涂覆的LED的包括电的互相连接能力的陶瓷、氧化物、氮化物、半导体、金属、或它们的组合16A20。可以通过热界面将底固定座或封装件安装至热沉构件16B50。通过混合来自各种LED的一次发射，或通过使LED具有光激发波长下变频材料如磷光体、半导体、或半导体纳米颗粒（“量子点”）、或前述中任何一种的组合，可以配置LED以产生希望的发射光谱。

LED和任何下变频材料的总发光表面（LES）可以形成光源16A30。可以将一个或多个光源相互连接至阵列16B20中，进而与连接器（接头，connector）16B10电接触，然后使其进入组件16B30。可以将一个或多个透镜元件16B40光学耦接至光源。可以选取透镜设计和性能，以便对于给定的LES实现用于照明产品的希望的定向光束图。定向照明产品可以是LED模块、改型灯（retrofit lamp）16B70、或灯具（灯组件）16C30。就改型灯而言，可以提供具有包围构件16B60的电子驱动器，该驱动器通过外部源来调节电力以使其适合LED光源。驱动器可以整合至改型灯中。就灯具而言，提供了通过外部源来调节电力以使其适合LED光源的电子驱动器，该驱动器亦或整合至灯具中亦或在外部提供给灯具。就模块而言，可以提供电子驱动器以通过外部源来调节电力以使其适合LED光源，该驱动器亦或整合至模块中亦或在外部提供给模块。适合的外部电源的实例包括AC电源（例如，120Vrms AC或240Vrms AC）、低压AC电源（例如，12VAC）、和低压DC电源（例如，12VDC）。就改型灯而言，可以设计全部照明产品以适合标准形式要素（ANSI形式要素）。改型灯产品的实例包括基于LED的MR16、PAR16、PAR20、PAR30、PAR38、BR30、A19、以及多种其它灯类型。灯具的实例包括基于卤素的和基于陶瓷金属卤化物的定向照明灯具的替代品。

在一些实施方式中，可以将本公开内容应用于非定向照明用途。在这些实施方式中，如根据本公开内容教导的，可以将一个或多个发光二极管（LED）安装在底固定座或封装件上以提供电的互相连接。底固定座或封装件可以是，例如，包括用于各种LED的电互相连接能力的陶瓷、氧化物、氮化物、半导体、金属或前述中的任何一种的组合。可以通过热界面将底固定座或封装件安装至热沉构件。通过混合来自各种LED的一次发射，或通过使LED具有光激发波长下变频材料如磷光体、半导体、或半导体纳米颗粒（“量子点”）、或它们的组合，可以配置LED以产生希望的发射光谱。可以分布LED以提供希望形状的光源。例如，一种普遍的形状是用于替代常规荧光线性管形灯的线性光源。可以将一个或多个光学元件耦接至LED以提供希望的非定向光分布。非定向照明产品可以是LED模块、改型灯、或照明灯具。就改型灯而言，可以提供电子驱动器以调节来自外部源的电力以使其适合LED光源，其中该驱动器整合至改型灯中。就灯具而言，提供了电子驱动器以调节来自外部源的电力以使其适合LED光源，其中该驱动器亦或整合至灯具中亦或在外部提供给灯具。就模块而言，可以提供电子驱动器以调节来自外部源的电力以使其适合LED光源，其中该驱动器亦或整合至模块中亦或在外部提供给模块。外部电源的实例包括AC电源（例如，120Vrms AC或240Vrms AC）、低压AC电源（例如，12VAC）、和低压DC电源（例如，12VDC）。就改型灯而言，可以设计全部照明产品以适合标准形式要素（ANSI形式要素）。改型灯产品的实例包括用于替代各种线性、圆形、或弯曲的荧光灯的基于LED的替代品。在图16C中示出了非定向照明产品的实例。此类照明灯具可以包括用于替代基于荧光的暗灯槽（凹形反光槽，troffer）灯具的替代品。在这种实施方式中，将LED机械固定至封装件16C10中，将多个封装件排列成适合的形状如线性阵列16C20。

可以将本公开内容的一些实施方式应用于平板显示器用途的背光中。在这些实施方式中，如根据本公开内容教导的，可以将一个或多个发光二极管（LED）安装在底固定座或封装件上以提供电的互相连接。底固定座或封装件可以是包括各种LED的电互相连接能力的陶瓷、氧化物、氮化物、半导体、金属或前述中的任何一种的组合。可以通过热界面将底固定座或封装件安装至热沉构件。亦或通过混合来自各种LED的一次发射，亦或通过使LED具有光激发波长下变频材料如磷光体、半导体、或半导体纳米颗粒（“量子点”）、或前述中任何一种的组合，可以配置LED以产生希望的发射光谱。可以分布LED以提供希望形状的光源。一种普遍的形状是线性光源。可以将光源光学耦接至用于背光的光导。这可以通过在光导的边缘耦接（侧光式）、或通过耦接来自光导后的光（直下式）来实现。光导使光均匀地向可控制的显示器如液晶显示器（LCD）面板分布。基于光传输及其颜色的电控制，显示器将LED光转换为希望的图像。一种控制颜色的方式是通过使用滤光器（例如，滤色器衬底16D40）。可替代的，可以以脉冲模式使用和驱动多个LED以对希望的一次发射颜色排序（例如，利用红光LED16D30、绿光LED16D10、和蓝光LED16D20）。在背光“层叠”中可以包括可选的亮度增强膜。亮度增强膜使平板显示器发射变窄，以在牺牲观察者视角为代价的情况下增加亮度。可以提供电子驱动器以调节来自外部源的电力以使其适合用于背光的LED光源，包括每个LED位置的任何颜色排序或亮度变化（例如，一维或二维调光（dimming））。外部电源的实例包括AC电源（例如，120Vrms AC或240Vrms AC）、低压AC电源（例如，12VAC）、和低压DC电源（例如，12VDC）。在图16D1、图16D2、图16E1和图16E2中示出了背光产品的实例。

如在图16F（例如，参见汽车前照灯产品16F30）中示出的，可以将本公开内容的一些实施方式应用于汽车前照灯用途中。在这些实施方式中，可以将一个或多个发光二极管（LED）安装在底固定座或者刚性或半刚性封装件16F10上以提供电的互相连接。底固定座或封装件可以是包括各种LED的电互相连接能力的陶瓷、氧化物、氮化物、半导体、金属、或它们的组合。可以通过热界面将底固定座或封装件安装至热沉构件。通过混合来自各种LED的一次发射，或通过使LED具有光激发波长下变频材料如磷光体、半导体、或半导体纳米颗粒（“量子点”）、或前述中任何一种的组合，可以配置LED以产生希望的发射光谱。LED和任何下变频材料的总发光表面（LES）形成了光源。可以将一个或多个透镜元件16F20光学耦接至光源。可以选取透镜设计和性能，以对于给定的LED产生用于汽车前照灯用途的定向光束图。可以提供电子驱动器以调节来自外部源的电力以使其适合LED光源。用于汽车用途的电源包括低压DC（例如，12VDC）。LED光源可以发挥远光功能、近光功能、侧光功能、或它们的任何组合。

在一些实施方式中，可以将本公开内容应用于数字成像用途如用于移动电话的照明和数字静物相机（例如，参见图16G）。在这些实施方式中，如根据本公开内容教导的，可以将一个或多个发光二极管（LED）安装在底固定座或封装件16G10上以提供电的互相连接。底固定座或封装件可以是，例如，包括各种LED的电互相连接能力的陶瓷、氧化物、氮化物、半导体、金属或前述中的任何一种的组合。底固定座或封装件可以被安装至电路板构件上并且装有封装件16G20或被装至封装件16G20中。通过混合来自LED的一次发射，或通过使LED具有光激发波长下变频材料如磷光体、半导体、或半导体纳米颗粒（“量子点”）、或它们的组合，可以配置LED以产生希望的发射光谱。LED和任何下变频材料的总发光表面（LES）形成了光源。可以将一个或多个透镜元件光学耦接至光源。可以选取透镜设计和性能，以便对于给定的LES实现用于成像用途的希望的定向光束图。可以提供电子驱动器以调节来自外部源的电力以使其适合LED光源。用于成像用途的适合的外部电源的实例包括低压DC（例如，5VDC）。LED光源可以发挥低强度功能16G30、高强度功能16G40、或它们的任何组合。

可以将本公开内容的一些实施方式应用于移动终端用途。图16H是说明了移动终端（参见智能电话结构16H00）的示图。如示出的，智能电话16H06包括外壳、显示屏、和界面设备，界面设备可以包括按键、话筒、和/或触摸屏。在某些实施方式中，电话具有可以以多种模式使用的高分辨率摄影设备。智能电话的实例可以是来自加利福尼亚州Cupertino的苹果公司的iPhone。可替代的，智能电话可以是来自三星的Galaxy、或其它智能电话。

在实例中，智能电话可以包括以下特点（在来自苹果公司的iPhone4中发现，但是可以存在变化）中的一种或多种，参见www.apple.com：

-GSM模式：UMTS/HSDPA/HSUPA（850MHz、900MHz、1900MHz、2100MHz）；GSM/EDGE（850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz）

-CDMA模式：CDMA EV-DO Rev.A（800MHz、1900MHz）

-802.11b/g/n Wi-Fi（仅802.11n2.4GHz）

-蓝牙2.1+EDR无线技术

-辅助GPS

-数字罗盘（数字导航，Digital compass）

-Wi-Fi

-蜂窝通信

-视网膜显示屏

-3.5英寸（对角线）宽屏多点触摸显示屏

-800:1对比度（标准）

-500cd/m2最大亮度（标准）

-正面和背面采用防指纹疏油涂层

-支持多语言和文字同时显示

-5百万像素iSight摄像头

-最高可达30帧/秒的有声HD（720p）视频录制

-利用前置摄像头时，VGA品质照片和最高可达30帧/秒的视频

-轻击以使视频或静止图像聚焦

-LED闪光灯

-照片和视频地理标记（geotagging）

-内置可再充电锂离子电池

-经由USB连接至计算机系统或电源适配器充电

-通话时间：3G下长达16小时，2G下长达14小时（GSM）

-待机时间：长达300小时

-互联网使用：3G下长达6小时，Wi-Fi下长达10小时

-视频播放：长达10小时

-音频播放：长达40小时

-频率响应：16Hz至16,000Hz

-支持的音频格式：AAC（8Kbps至320Kbps）、受保护的AAC（来自iTunes Store）、HE-AAC、MP3（8Kbps至320Kbps）、MP3VBR、Audible（格式2、3、4，Audible增强音频，AAX，和AAX+）、Apple无损、AIFF、和WAV。

-用户可配置最大音量限制

-视频输出支持：使用苹果数字AV适配器或苹果VGA适配器时最高可达1620p；使用苹果组件AV线缆时576p和480p；使用苹果合成AV线缆时576i和480i（线缆单独出售）

-支持的视频格式：H.264视频最高可达1620p，30帧/秒，主流画质（main profile Level）3.1，采用AAC-LC音频格式，最高可达160Kbps，48kHz，立体声为.m4v、.mp4、和.mov文件格式；MPEG-4视频最高可达2.5Mbps，640x480像素，30帧/秒，简单画质（Simple Profile），采用AAC-LC音频，每声道最高可达160Kbps，48kHz，立体声为.m4v、.mp4、和.mov文件格式；Motion JPEG(M-JPEG)最高可达35Mbps，1280x1620像素，30帧/秒，音频为ulaw格式，PCM立体声音频为.avi文件格式

-三轴陀螺仪

-加速度传感器（Accelerometer）

-距离传感器（Proximity sensor）

-环境光传感器

-以及其它。

本公开内容的实施方式可以与其它电子设备一起使用。适合的电子设备的实例包括便携式电子设备如媒体播放器、移动电话、个人数据管理器等。在此类实施方式中，便携式电子设备可以包括此类设备功能的组合。此外，电子设备可以允许用户连接至互联网并通过互联网或其它网络如局域网或广域网通讯。例如，便携式电子设备可以允许用户访问互联网并利用电子邮件、短信、即时通信、或利用其它形式的电子通讯进行通讯。通过实例，电子设备可以是与可购自苹果公司的具有显示屏的iPod或iPhone相似的。

在某些实施方式中，可以通过可再充电的和/或可更换的电池来为设备供电。此类实施方式可以是高度便携的，允许用户在旅行、工作、运动等时该携带电子设备。以这种方式，并且取决于电子设备提供的功能，用户在自由地携带设备移动的同时可以听音乐、玩游戏或播放视频、记录视频或拍照、接打电话、与其他人通讯、控制其它设备（例如，通过遥控和/或蓝牙功能）等等。此外，可以调整设备的大小以使其适合相对容易地放入口袋中或用户的手中。尽管描述了关于便携式电子设备的本公开内容的某些实施方式，应指出的是，目前公开的技术可以适用于一大系列其它便携性较低的、被配置以提供图形数据的电子设备和系统如台式计算机。

如示出的，根据本公开内容的实施方式，图16H包括带有包括LED的智能电话的系统示图。配置智能电话16H06以与在与任何形式的手持电子设备电子通讯中的服务器16H02通讯。此类手持电子设备的说明性的实例可以包括功能组件如处理器16H08、存储器16H10、图形加速器16H12、加速度传感器16H14、通讯接口16H11（可能包括天线16H16）、罗盘16H18、GPS芯片16H20、显示屏16H22、和输入设备16H24。各个设备并不限于说明的组件。组件可以是硬件、软件、或二者的组合。

在一些实例中，可以通过指示（命令）处理器16H08执行在电子成像用途中的功能的输入设备16H24将指令输入至手持电子设备中。一个潜在的指令可以生成一部分人类用户的捕获图像的概要。在那种情况中，处理器16H08指示通讯接口16H11与服务器16H02通讯（例如，可能通过或利用云16H04）并传输数据（例如，图像数据）。数据通过通讯接口16H11传输，并且在图像捕获后立刻通过处理器16H08处理或存储在存储器16H10中用于之后使用，或者二者。处理器16H08还接收与显示屏的属性有关的信息，并且可以计算设备的方位，例如，利用来自加速度传感器16H14的信息和/或其它外部数据如来自罗盘16H18的罗盘指向（compassheading）、或来自GPS芯片16H20的GPS定位，然后处理器利用信息以确定方位，在其中根据实例来显示图像。

可以由处理器16H08、由图形加速器16H12、或由二者的组合来提供捕获的图像。在一些实施方式中，处理器可以是图形加速器16H12。可以首先将图像存储在存储器16H10中，或如果可行的话，存储器可以直接与图形加速器16H12结合。可以由处理器16H08、图形加速器16H12、或二者的组合来实施在本文中所描述的方法以产生图像和有关的概要。可以在显示屏16H22上显示图像或概要。

图16I描绘了在电子设备16I00中的组件的互相连接。除上述组件的相互连接外，电子设备的实例还包括密闭罩或外壳、显示器、用户输入结构、和输入/输出连接器（接头）。可以由塑料、金属、复合材料、或其它适合的材料、或它们的任何组合来形成密闭罩。密闭罩可以保护电子设备的内部组件免受物理损坏，并且还可以保护内部组件免受电磁干扰（EMI）。

显示器可以是液晶显示器（LCD）、基于发光二极管（LED）的显示器、或基于有机发光二极管（OLED）的显示器、或者一些其它适合的显示器。根据本公开内容的某些实施方式，显示器可以显示用户界面和多种其它图像如标识、化身（avatar）、照片、专辑封面等。此外，在某些实施方式中，显示器可以包括通过其用户可以与用户界面互动的触摸屏。显示器还可以包括多种功能和/或系统指示物以向用户提供反馈，如电源状态、呼叫状态、存储器状态等。可以将这些指示物结合到在显示器上显示的用户界面中。

在某些实施方式中，可以配置一种或多种用户输入结构以控制设备，如通过控制操作方式、输出水平、输出类型等。例如，用户输入结构可以包括按键以使设备打开或关闭。进一步地，用户输入结构可以允许用户与在显示器上的用户界面互动。便携式电子设备的实施方式可以包括任何数量的用户输入结构，其包括按键、开关、控制板、滚轮、或任何其它适合的输入结构。用户输入结构可以同在设备上显示的用户界面一起工作以控制设备的功能和/或与该设备连接的或由该设备使用的任何界面或设备。例如，用户输入结构可以允许用户操作显示的用户界面或从这种显示的用户界面返回至默认屏幕或主屏幕。

某些设备还可以包括多种输入和输出端口以允许另外的设备连接。例如，端口可以是使耳机能够连接的耳机接口。此外，端口具有输入和输出能力以使耳麦（headset）（例如，耳机和话筒的组合）能够连接。本公开内容的实施方式可以包括任何数量的输入和/或输出端口如耳机和耳麦接口、通用串行总线（USB）端口、IEEE-1394端口、和AC和/或DC电源接头。进一步地，设备可以使用输入和输出端口以连接至任何其它设备并且与任何其它设备发送和接收数据，如便携式电子设备、个人计算机、打印机等。例如，在一种实施方式中，设备可以经由IEEE-1394连接而连接至个人计算机以发送和接收数据文件如媒体文件。

根据本公开内容的实施方式，电子设备16I00的描述涵盖智能电话系统示图。电子设备16I00的描述说明了能够用于执行以上公开内容的计算机硬件、软件、和固件。所示的系统包括处理器16I26，其是任意数量的能够执行被配置以进行确定的计算的软件、固件、和硬件的物理上和/或逻辑上的不同资源中的代表。处理器16I26与可以控制向处理器16I26的输入和从处理器16I26的输出的芯片组16I28的通讯。在这种实例中，芯片组16I28向显示屏16I42输出信息并且可以向非易失性存储器16I44读写信息，其可以包括例如磁性介质和固态介质、和/或其它非瞬时性介质。芯片组16I28还可以从RAM16I46读取数据并向RAM16I46写入数据。可以提供用于与多种用户界面组件连接的桥16I32以与芯片组16I28连接。此类用户界面组件可以包括键盘16I34、话筒16I36、触摸检测与处理电路16I38、指针设备16I40如鼠标，等等。一般来说，向系统中的输入内容来自多种机器生成的源和/或人生成的源中的任何一种。

芯片组16I28还可以与可以具有不同物理接口的一个或多个数据网络接口16I30连接。此类数据网络接口16I30可以包括用于有线或无线局域网的接口、用于宽带无线网络的接口、以及用于个人局域网接口的接口。用于生成、显示和利用在本文中所公开的GUI的方法的一些用途可以包括通过物理接口16I31接收数据，或者是通过机器本身由分析存储在非易失性存储器16I44中和/或在存储器或RAM16I46中的数据的处理器16I26产生的。进一步地，机器可以经由设备如键盘16I34、话筒16I36、触摸检测与处理电路16I38、和指针设备16I40接收来自用户的输入内容，并且执行适当的功能如借助利用处理器16I26解释这些输入内容的浏览功能。

图17描绘了可以被用于照明用途的本公开内容的实施方式。排列1700示出了被整理为多种灯类型的灯（例如，如示出的灯系列）。多种灯中的一些（例如，“A系列”、“PS系列”、“B系列”、“C系列”等）具有不同的灯座。此类灯座可以符合任何标准，在以下表（参见表2和表3）中包括其中的一些。

表2

此外，灯的底座构件可以是任何形式要素的，被配置以支持电连接，电连接能够符合一组型号或标准中的任何一种。例如表3给出了标准（参见“型号”）和相应的特征，包括在第一接脚（例如，电源接脚）和第二接脚（例如，接地接脚）之间的机械间距。

表3

上表仅是代表性的，不应该认为包括了所有标准或构成可以在本文中描述的各个实施方式的范围内使用的各个要素。

最后，应指出的是，存在许多实施在本文中所公开的实施方式的替代方式。因此，本文中的各个实施方式应被认为是说明性的而非限制性的，并且权利要求并非限制在本文中所给出的细节，而可以在其范围和等价物之内进行更改。

Claims (20)

1.一种用于将致密压缩发光材料层涂覆在发紫光的LED晶粒上的方法，包括：

将一个或多个发紫光的LED晶粒的排列附连至底固定座结构上；

施加光致抗蚀剂，其特征在于厚度大于所述一个或多个发紫光的LED晶粒中的至少一些的高度；

在所述一个或多个发紫光的LED晶粒中的至少一些周围的所述光致抗蚀剂中打开第一腔孔；

将发光材料分配至所述第一腔孔中；以及

剥离所述光致抗蚀剂以提供一个或多个涂覆有致密压缩发光材料的发紫光的LED晶粒。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在本体GaN衬底上生长所述发紫光的LED。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述一个或多个涂覆有致密压缩发光材料的LED晶粒上，施加第二光致抗蚀剂，所述第二光致抗蚀剂的高度大于所述一个或多个涂覆有致密压缩发光材料的发紫光的LED晶粒的高度；

在所述一个或多个发紫光的LED晶粒中的至少一些周围的所述光致抗蚀剂中打开多个第二腔孔，其中所述第二腔孔的宽度大于所述第一腔孔的宽度；

将第二发光材料分配至所述第二腔孔中；以及

剥离所述第二光致抗蚀剂以提供包括两个包含发光材料的层的一个或多个涂覆有致密压缩发光材料的发紫光的LED晶粒。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述一个或多个发紫光的LED晶粒之上的所述光致抗蚀剂的高度不同于从剥离所述光致抗蚀剂以提供一个或多个涂覆有致密压缩发光材料的发紫光的LED晶粒的边缘至光致抗蚀剂腔壁的距离。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个发紫光的LED晶粒中的不同晶粒具有在不同晶粒或更多个发紫光的LED晶粒周围沉积的红光、绿光、蓝光发光材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述发紫光的LED晶粒中的不同晶粒具有选取比例的冷白光、暖白光、红光、绿光、或蓝光发光材料涂覆物以产生颜色可调的白光源。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述发光材料沉积在发紫光的LED晶粒的线性排列周围的线性条带构造中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述排列包括三角形LED晶粒的线性阵列，其中所述三角形发紫光的LED晶粒中的至少一些在使所述三角形LED晶粒的一边面对所述底固定座的窄边的三角形发紫光的LED晶粒的第一条带中并列放置。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述排列包括三角形LED晶粒的第一条带，其中所述三角形发紫光的LED晶粒的一边面对所述底固定座的宽边。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在已经将第一发光材料涂覆在所述一个或多个发紫光的LED晶粒上后进行的另外的腔打开步骤，并且进一步将第二发光材料涂覆在所述晶粒上。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括形成通过所述底固定座的通孔。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将涂覆有发光材料的发紫光的LED晶粒从所述底固定座中切割下来作为独立的发紫光的LED。

13.根据权利要求1所述的方法，其中反射围堰置于一组涂覆有发光材料的发紫光的LED晶粒的周围。

14.一种装置，包括：

底固定座；

发紫光的LED晶粒，附连至所述底固定座，其中所述晶粒的周长形成一区域；以及

涂覆物，覆盖所述发紫光的LED晶粒的至少一个表面，其中所述涂覆物包含至少一种发光材料。

15.根据权利要求14所述的装置，进一步包括附连至所述底固定座的第二发紫光的LED晶粒。

16.根据权利要求14所述的装置，进一步包括附连至所述底固定座的一个或多个发紫光的LED晶粒。

17.根据权利要求16所述的装置，其中所述一个或多个发紫光的LED晶粒形成至少一个线性阵列。

18.根据权利要求17所述的装置，其中使所述一个或多个发紫光的LED晶粒的至少一个面对齐以使其基本上与矩形底固定座的长边平行。

19.根据权利要求14所述的装置，其中在所述发紫光的LED晶粒中的电流密度是至少175安培/cm²。

20.一种装置，包括：

灯座；

底固定座；

发紫光的LED晶粒，附连至所述底固定座并且与所述灯座电连接，其中所述发紫光的LED晶粒的周长形成三角形区域；以及

涂覆物，覆盖所述发紫光的LED晶粒的至少一个表面，其中所述涂覆物包含至少一种发光材料。

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