JPH03142963A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03142963A JPH03142963A JP28328189A JP28328189A JPH03142963A JP H03142963 A JPH03142963 A JP H03142963A JP 28328189 A JP28328189 A JP 28328189A JP 28328189 A JP28328189 A JP 28328189A JP H03142963 A JPH03142963 A JP H03142963A
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- resistors
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- resistor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置に係り、特にバイポーラ半導体集
積回路の抵抗の配置構造に関するものである。
積回路の抵抗の配置構造に関するものである。
従来の技術
第３図（ａ） 、 （ｂ）は、従来の相対精度を必要と
する２つの抵抗を形成した場合のマスク配置（平面）図
およびそのＡ−Ｂ断面図であり、１はｐ形半導体基板、
２はｎ形埋込層、３は分離用ｐ漸拡散層、４はｎ形エピ
タキシャル層、５は抵抗用ｐ形波散層、６は酸化膜、７
は高濃度ｎ形波散層、８はアイソレーション用電源コン
タクト窓、９はアルミニウム配線、ｌＯはアルミニウム
配線用コンタクト窓である。第３図に示すように２つの
抵抗が相対精度を必要とする場合には、互いに隣接する
ように、配置することで、相対精度を維持するようにし
ている。このような抵抗配置を行った場合の、２つの抵
抗Ｒ１，Ｒ２の空乏層の広がりを第４図の断面模式図で
示す。点Ｃにおけるｔｐ＋、（Ｒ１の空乏層分布の幅〉
を求めると次のような式で示される。
する２つの抵抗を形成した場合のマスク配置（平面）図
およびそのＡ−Ｂ断面図であり、１はｐ形半導体基板、
２はｎ形埋込層、３は分離用ｐ漸拡散層、４はｎ形エピ
タキシャル層、５は抵抗用ｐ形波散層、６は酸化膜、７
は高濃度ｎ形波散層、８はアイソレーション用電源コン
タクト窓、９はアルミニウム配線、ｌＯはアルミニウム
配線用コンタクト窓である。第３図に示すように２つの
抵抗が相対精度を必要とする場合には、互いに隣接する
ように、配置することで、相対精度を維持するようにし
ている。このような抵抗配置を行った場合の、２つの抵
抗Ｒ１，Ｒ２の空乏層の広がりを第４図の断面模式図で
示す。点Ｃにおけるｔｐ＋、（Ｒ１の空乏層分布の幅〉
を求めると次のような式で示される。
εｓ１：シリコンの比誘電率、
ε０ ：真空の誘電率、
ｖｃ ：点Ｃでの抵抗Ｒ１の周辺にあるエピタキシャル
層の電位 ＶＲＩ ：点Ｃでの抵抗Ｒ１の電位 Ｎ＾ ：Ｎ形エピタキシャル層の不純物濃度ＮＤ ：抵
抗用Ｐ形波散層の不純物濃度ｎ、：真性半導体の不純物
濃度 ただし、Ｎ＾（ＮＤより、上式は次のようになる。
層の電位 ＶＲＩ ：点Ｃでの抵抗Ｒ１の電位 Ｎ＾ ：Ｎ形エピタキシャル層の不純物濃度ＮＤ ：抵
抗用Ｐ形波散層の不純物濃度ｎ、：真性半導体の不純物
濃度 ただし、Ｎ＾（ＮＤより、上式は次のようになる。
となる。
同様に、点りにおけるｔｐ２（Ｒ２の空乏層分布の幅〉
を求めると、次式のようになる。
を求めると、次式のようになる。
ＶＤ ：点りにおける抵抗Ｒ２の周辺のＮ形エピタキシ
ャル層の電位 ＶＢ２：点りにおける抵抗Ｒ２の電位 抵抗Ｒ１と同Ｒ２と同じ電位で使用するならば、ＶＲＩ
” ＶＢ２となる。
ャル層の電位 ＶＢ２：点りにおける抵抗Ｒ２の電位 抵抗Ｒ１と同Ｒ２と同じ電位で使用するならば、ＶＲＩ
” ＶＢ２となる。
発明が解決しようとする課題
ところが、ｔＲ１＋ ｊＲ２の空乏層の幅は、抵抗の周
辺のエピタキシャル層の電位によって変化するので、第
３図のように、抵抗Ｒ１例の高濃度ｎ形波散層７からエ
ピタキシャルの電位を取った場合には、ＶＤ、Ｖｃので
電位が変わってくる。これは、ｎ形エピタキシャル層４
の不純物濃度が低いので、比抵抗が大きいことによって
発生する。
辺のエピタキシャル層の電位によって変化するので、第
３図のように、抵抗Ｒ１例の高濃度ｎ形波散層７からエ
ピタキシャルの電位を取った場合には、ＶＤ、Ｖｃので
電位が変わってくる。これは、ｎ形エピタキシャル層４
の不純物濃度が低いので、比抵抗が大きいことによって
発生する。
以上のことから、相対精度を維持するために、互いに隣
接するように配置しても、ｎ形エピタキシャル層４の電
位の取り方によって、抵抗の空乏層の幅が変化して、相
対精度が悪くなるという問題がある。
接するように配置しても、ｎ形エピタキシャル層４の電
位の取り方によって、抵抗の空乏層の幅が変化して、相
対精度が悪くなるという問題がある。
本発明の目的としては、この欠点をなくして抵抗の相対
精度を良くする半導体装置を提供することを目的とする
。
精度を良くする半導体装置を提供することを目的とする
。
課題を解決するための手段
本発明は、半導体基板の主面に２つの抵抗を隣接するよ
うに配置し、かつ、上記両抵抗の周辺に、相対的な位置
関係で対称性をもつように、高濃度の基板電位付与拡散
層を設けた構成である。
うに配置し、かつ、上記両抵抗の周辺に、相対的な位置
関係で対称性をもつように、高濃度の基板電位付与拡散
層を設けた構成である。
作用
本発明によると、高濃度の基板電位付与拡散層が２つの
抵抗の周辺で、互いに対称性をもつ位置に配置されてい
るから、両抵抗の接合に形成される空乏層の幅が同等に
なって、抵抗の相対精度が高く維持される。
抵抗の周辺で、互いに対称性をもつ位置に配置されてい
るから、両抵抗の接合に形成される空乏層の幅が同等に
なって、抵抗の相対精度が高く維持される。
実施例
以下に図面を用いて、本発明の詳細な説明する。第１図
（ａ）、（ｂ）は、本発明の構造を示す配置図およびＡ
“−Ｂ′断面図であり、１１はｐ形半導体基板、１２は
ｎ形埋込層、１３は分離用ｐ形波散層、１４はｎ形エピ
タキシャル層、１５は抵抗用ｐ形波散層、１６は酸化膜
、１７は高濃度ｎ形波散層、１８はアイソレーション用
電源コンタクト窓、１９はアルミニウム配線、２０はア
ルミニウム配線用コンタクト窓である。この図に示すよ
うに相対精度を必要とする２つの抵抗Ｒ１，Ｒ２を、互
いに隣接するように配置し、かつこれら両抵抗を包む周
囲に高濃度Ｎ漸拡散層１７を設けることで、抵抗のｐ形
波散層１５とｎ形エピタキシャル層１４との接合面に生
じる空乏層の広がり幅を、式（１）、（２）より考える
と、抵抗周辺のエピタキシャル層１４の電位が同じにな
るので、空乏層の幅は、抵抗Ｒ１と同Ｒ２とが同等にな
り、相対精度が良くなる。
（ａ）、（ｂ）は、本発明の構造を示す配置図およびＡ
“−Ｂ′断面図であり、１１はｐ形半導体基板、１２は
ｎ形埋込層、１３は分離用ｐ形波散層、１４はｎ形エピ
タキシャル層、１５は抵抗用ｐ形波散層、１６は酸化膜
、１７は高濃度ｎ形波散層、１８はアイソレーション用
電源コンタクト窓、１９はアルミニウム配線、２０はア
ルミニウム配線用コンタクト窓である。この図に示すよ
うに相対精度を必要とする２つの抵抗Ｒ１，Ｒ２を、互
いに隣接するように配置し、かつこれら両抵抗を包む周
囲に高濃度Ｎ漸拡散層１７を設けることで、抵抗のｐ形
波散層１５とｎ形エピタキシャル層１４との接合面に生
じる空乏層の広がり幅を、式（１）、（２）より考える
と、抵抗周辺のエピタキシャル層１４の電位が同じにな
るので、空乏層の幅は、抵抗Ｒ１と同Ｒ２とが同等にな
り、相対精度が良くなる。
第２図（ａ）、（ｂ）は、本発明の別の実施例の平面図
および断面図を示す。この例の各図中の各符号２１〜３
０は、第２図中の符号１１〜２０のものと各各対応させ
ている。本実施例では、相対精度を必要とする２つの抵
抗の両端に、高濃度ｎ形波散層２７を分離して、かつ、
対称性のある位置関係で設けることによって、互いの各
抵抗のｐ形波散層とｎ形エピタキシャル層との間のＰＮ
接合面に生じる空乏層の幅が均一になるので、相対精度
が良くなる効果がある。
および断面図を示す。この例の各図中の各符号２１〜３
０は、第２図中の符号１１〜２０のものと各各対応させ
ている。本実施例では、相対精度を必要とする２つの抵
抗の両端に、高濃度ｎ形波散層２７を分離して、かつ、
対称性のある位置関係で設けることによって、互いの各
抵抗のｐ形波散層とｎ形エピタキシャル層との間のＰＮ
接合面に生じる空乏層の幅が均一になるので、相対精度
が良くなる効果がある。
また、本発明では隣接する２つの抵抗について限定して
いるが、１つの抵抗を複数の拡散層をつなぎ合わせて構
成した場合にも適用できる。
いるが、１つの抵抗を複数の拡散層をつなぎ合わせて構
成した場合にも適用できる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、相対精度を必要とする
２つの抵抗を互いに隣接するように配置し、かつ、その
周囲に高濃度ｎ形波散層を相対的な位置関係で対称性を
もつように配置して設けることで、相対精度の向上が実
現できる。
２つの抵抗を互いに隣接するように配置し、かつ、その
周囲に高濃度ｎ形波散層を相対的な位置関係で対称性を
もつように配置して設けることで、相対精度の向上が実
現できる。
第１図母；＃は本発明の実＃Ａ例半導体装置を示す平面
図、断面図、第２図は本発明の他の実施例の配置構造を
示す平面図と断面図、第３図は従来例の配置構造を示す
平面図、断面図、第４図は従来例配置構造での空乏層の
分布を示す断面図である。 １．１１．２１・・・・・・ｐ形半導体基板、２，１２
゜２２・・・・・・ｎ形埋込層、３．１３．２３・・・
・・・分離用ｐ形波散層、４．１４．２４・・・・・・
ｎ形エピタキシャル層、５，１５．２５・・・・・・抵
抗用ｐ形波散層、６．１６．２６・・・・・・酸化膜、
７，１７．２７・・・・・・高濃度ｎ核拡散層、８，１
８．２８・・・・・・アイソレーション用電源コンタク
ト窓、９，１９．２９・・・・・・アルミニウム配線、
１０．２０．３０・・・・・・アルミニウム配線用コン
タクト窓。
図、断面図、第２図は本発明の他の実施例の配置構造を
示す平面図と断面図、第３図は従来例の配置構造を示す
平面図、断面図、第４図は従来例配置構造での空乏層の
分布を示す断面図である。 １．１１．２１・・・・・・ｐ形半導体基板、２，１２
゜２２・・・・・・ｎ形埋込層、３．１３．２３・・・
・・・分離用ｐ形波散層、４．１４．２４・・・・・・
ｎ形エピタキシャル層、５，１５．２５・・・・・・抵
抗用ｐ形波散層、６．１６．２６・・・・・・酸化膜、
７，１７．２７・・・・・・高濃度ｎ核拡散層、８，１
８．２８・・・・・・アイソレーション用電源コンタク
ト窓、９，１９．２９・・・・・・アルミニウム配線、
１０．２０．３０・・・・・・アルミニウム配線用コン
タクト窓。
Claims (1)
- 半導体基板の主面に２つの抵抗を隣接するように配置
し、かつ上記両抵抗の周辺に、相対的な位置関係で、対
称性をもつように、高濃度の基板電位付与拡散層を設け
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28328189A JPH03142963A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28328189A JPH03142963A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142963A true JPH03142963A (ja) | 1991-06-18 |
Family
ID=17663422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28328189A Pending JPH03142963A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03142963A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4612120B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2011-01-12 | パナソニック株式会社 | 電球形ランプ及び照明装置 |
| US8337049B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-12-25 | Panasonic Corporation | Bulb-type lighting source |
| US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
| US9410664B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-08-09 | Soraa, Inc. | Circadian friendly LED light source |
| US9488324B2 (en) | 2011-09-02 | 2016-11-08 | Soraa, Inc. | Accessories for LED lamp systems |
| US9761763B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-09-12 | Soraa, Inc. | Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs |
| US10147850B1 (en) | 2010-02-03 | 2018-12-04 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
| US10557595B2 (en) | 2009-09-18 | 2020-02-11 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP28328189A patent/JPH03142963A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8337049B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-12-25 | Panasonic Corporation | Bulb-type lighting source |
| JP4612120B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2011-01-12 | パナソニック株式会社 | 電球形ランプ及び照明装置 |
| JP2011138784A (ja) * | 2009-02-04 | 2011-07-14 | Panasonic Corp | ランプ |
| US8038329B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-10-18 | Panasonic Corporation | Bulb-shaped lamp and lighting device |
| US8322898B2 (en) | 2009-02-04 | 2012-12-04 | Panasonic Corporation | Bulb-shaped lamp and lighting device |
| US9080757B2 (en) | 2009-02-04 | 2015-07-14 | Panasonic Corporation | Bulb-shaped lamp and lighting device |
| US10557595B2 (en) | 2009-09-18 | 2020-02-11 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
| US10553754B2 (en) | 2009-09-18 | 2020-02-04 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
| US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
| US11105473B2 (en) | 2009-09-18 | 2021-08-31 | EcoSense Lighting, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
| US11662067B2 (en) | 2009-09-18 | 2023-05-30 | Korrus, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
| US10147850B1 (en) | 2010-02-03 | 2018-12-04 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
| US9488324B2 (en) | 2011-09-02 | 2016-11-08 | Soraa, Inc. | Accessories for LED lamp systems |
| US11054117B2 (en) | 2011-09-02 | 2021-07-06 | EcoSense Lighting, Inc. | Accessories for LED lamp systems |
| US9761763B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-09-12 | Soraa, Inc. | Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs |
| US9410664B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-08-09 | Soraa, Inc. | Circadian friendly LED light source |
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