CN110416373B - 一种正面出光的led发光器件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种正面出光的LED发光器件及其制作方法；所述制作方法包括如下步骤：步骤S1、在被固定的高温剥离膜上确定光源区；步骤S2、在与光源区对应位置，通过印刷方式，形成碗杯；步骤S3、在碗杯内固设LED芯片；步骤S4、在碗杯内的LED芯片上方对应的模具上分配荧光胶，通过模具与LED芯片热压合，从而通过荧光胶在LED芯片表面形成对应的荧光体；LED芯片在出射方向上的发光强度与对应荧光体在该出射方向上的厚度具有函数关系；步骤S5、在所述荧光体周围填充高反射胶构成反射体，使得LED芯片周边发出的光经过所述反射体反射后从LED芯片正面发出。本发明的正面出光的LED发光器件及其制作方法设计巧妙，实用性强。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种正面出光的LED发光器件及其制作方法。
背景技术
LED在越来越多的领域得到广泛的应用，由于光型的需要，在很多应用场合需要单面出光的LED，对射出的光斑的高低宽窄和形状都有严格的规定，一个五面发光的LED很难做到完美的光型，因此要求LED只在正表面出光而侧面不出光很困难，现有解决该问题的办法是在LED周围加上一圈白色围坝胶，白色围坝胶通常为二氧化钛粉末与硅胶的混合物。该白色围坝胶的主要作用是把侧面的光挡住并反射回去，以达到只在正面出光侧面不出光的目的。但在实际应用中，采用白色围坝胶的LED灯具有以下几个方面的不足：1)白色围坝胶实际上挡光和反射光的效果不是特别好，白色围坝胶成分是白色二氧化钛粉末掺在透明硅胶里，二氧化钛颗粒间充满了透明的硅胶，而且二氧化钛漫反射入射光，实际情况是很多光仍然可以进入且透过薄薄的白色围坝胶从侧面透出来，并且出光也不均匀；2)光损失大，由于光线在白色围坝胶内部大量漫反射，造成很大的光损失；3)由于掺入了高浓度的二氧化钛，白色围坝胶的粘接性能下降，而降低二氧化钛的浓度又不能起到有效的挡光作用；4)加工工艺复杂成本高。
发明内容
本发明的目的是针对上述技术问题，提出一种正面出光的LED发光器件及其制作方法。
本发明解决其技术问题的技术方案是：
本发明提出了一种LED发光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、在被固定的高温剥离膜上确定光源区；
步骤S2、在与光源区对应位置，通过印刷方式，形成碗杯；
步骤S3、在碗杯内固设LED芯片；
步骤S4、在碗杯内的LED芯片上方对应的模具上分配荧光胶，通过模具与LED芯片热压合，从而通过荧光胶在LED芯片表面形成对应的荧光体；
LED芯片在出射方向上的发光强度与对应荧光体在该出射方向上的厚度具有函数关系；
步骤S5、在所述荧光体周围填充高反射胶构成反射体，使得LED芯片周边发出的光经过所述反射体反射后从LED芯片正面发出。
本发明上述的制作方法中，所述步骤S5中，所述高反射胶通过直接点胶自然流平填充，或通过注射模压成型填充。
本发明上述的制作方法中，在步骤S4还包括：
通过压模方式以含扩散粉的透光胶在荧光体表面形成透光胶层。
本发明上述的制作方法中，所述扩散粉质量和透光胶质量之比超过0.2，所述扩散粉的尺寸大于1um。
本发明上述的制作方法中，所述步骤S4中，采用印刷、点设或喷射方式将荧光胶分配在所述模具的接合面上，由模具压合于碗杯形成荧光体。
本发明上述的制作方法中，所述步骤S1中，所述将高温剥离膜上预先设定多个光源区，与各个光源区对应位置，通过模压或钢丝印方式，分别以高反射胶形成碗杯。
本发明上述的制作方法中，所述步骤S4中，邻近的两个荧光体之间形成荧光胶调整腔体，以保证LED芯片侧周发出的光均反射到LED芯片正面出射。
本发明上述的制作方法中，还包括：
以单个所述光源区为单位进行切割，得到多个LED发光器件；
将高温剥离膜剥离。
本发明还提出了一种LED发光器件，包括：
碗杯；
固定在碗杯上的LED芯片；
通过荧光胶在LED芯片表面形成的对应荧光体；LED芯片在出射方向上的发光强度与对应荧光体在该出射方向上的厚度具有函数关系；
在所述荧光体周围填充高反射胶构成的，用于反射LED芯片周边发出的光、使其从LED芯片正面出射的反射体。
本发明上述的LED发光器件中，在荧光体顶面形成有透光胶层。
本发明上述的LED发光器件中，所述透光胶层包括透光胶和扩散粉，所述扩散粉质量和透光胶质量之比超过0.2。
本发明上述的LED发光器件中，所述扩散粉的粒径大于1um。
本发明上述的LED发光器件中，所述透光胶层设置成有利于匀光的曲面，所述匀光曲面包括球面、非球面和平面。
本发明上述的LED发光器件中，每一个所述荧光体来自模具上一个位置的荧光胶，作用于一个光源区的LED芯片模压而成。
本发明上述的LED发光器件中，在所述模具上一个位置上准备的荧光胶是通过印刷、点设或喷射工艺形成。
本发明上述的LED发光器件中，所述LED发光器件包括多个成行成列排布的由光源区和对应的碗杯组成的发光单元；
发光单元中，邻近的两个荧光体之间形成有荧光胶调整腔体，以保证LED芯片侧周发出的光均反射到LED芯片正面出射。
本发明的正面出光的LED发光器件及其制作方法通过填充高反射胶构成反射体，从而对侧面出光进行围覆，保证产品完全正面出光；基于LED芯片出光强弱分布设计荧光体形状，使得荧光体不同位置设计成不同的厚度，保证产品出光均匀。通过填充高反射胶构成反射体，自然流平，模压精准成型。同时，荧光体上设置透光胶层，该透光胶层由含扩散粉的透光胶模压成型而成，扩散粉的粒径范围为-SS80，透光胶层可设置成球面、非球面或平面，由于进一步均匀光斑，并提高出光效率。本发明的正面出光的LED发光器件及其制作方法设计巧妙，实用性强。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1示出了本发明优选实施例的LED发光器件的制作方法的步骤S2实施后的状态示意图；
图2示出了本发明优选实施例的LED发光器件的制作方法的步骤S3实施后的状态示意图；
图3示出了本发明优选实施例的LED发光器件的制作方法的步骤S4实施时的第一状态示意图；
图4示出了本发明优选实施例的LED发光器件的制作方法的步骤S4实施时的第二状态示意图；
图5示出了本发明优选实施例的LED发光器件的制作方法的步骤S4实施时的第三状态示意图；
图6示出了本发明优选实施例的LED发光器件的制作方法的步骤S4实施时的第四状态示意图；
图7示出了本发明优选实施例的LED发光器件的制作方法的步骤S5实施时的第一状态示意图；
图8示出了本发明优选实施例的LED发光器件的制作方法的步骤S5实施时的第二状态示意图；
图9示出了图8所示的第二状态示意图中的单颗LED发光器件的示意图。
具体实施方式
本发明所要解决的技术问题是：在实际应用中，采用白色围坝胶的LED灯具有以下几个方面的不足：1)白色围坝胶实际上挡光和反射光的效果不是特别好，白色围坝胶成分是白色二氧化钛粉末掺在透明硅胶里，二氧化钛颗粒间充满了透明的硅胶，而且二氧化钛漫反射入射光，实际情况是很多光仍然可以进入且透过薄薄的白色围坝胶从侧面透出来，并且出光也不均匀；2)光损失大，由于光线在白色围坝胶内部大量漫反射，造成很大的光损失；3)由于掺入了高浓度的二氧化钛，白色围坝胶的粘接性能下降，而降低二氧化钛的浓度又不能起到有效的挡光作用；4)加工工艺复杂成本高。本发明就该技术问题而提出的技术思路是：提出一种正面出光的LED发光器件及其制作方法，通过填充高反射胶构成反射体，从而对侧面出光进行围覆，保证产品完全正面出光；基于LED芯片出光强弱分布设计荧光体形状，使得荧光体不同位置设计成不同的厚度，保证产品出光均匀。通过填充高反射胶构成反射体，自然流平，模压精准成型。
为了使本发明的技术目的、技术方案以及技术效果更为清楚，以便于本领域技术人员理解和实施本发明，下面将结合附图及具体实施例对本发明做进一步详细的说明。
如图1-图9所示，具体地，本发明提出了一种LED发光器件的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、在被固定的高温剥离膜100上确定光源区；
在本步骤中，确定光源区是用于定位LED芯片300的位置。通常情况下，高温剥离膜100的熔融温度大于250℃，优选大于350℃。
步骤S2、在与光源区对应位置，通过印刷方式，形成碗杯200；
在上述步骤S1和步骤S2中，所述将高温剥离膜100上预先设定多个光源区，与各个光源区对应位置，通过模压或钢丝印方式，分别以高反射胶形成碗杯200。高反射胶的熔融温度低于高温剥离膜100的熔融温度。高反射胶的总反射率大于90％。优选大于95％。
步骤S3、在碗杯200内固设LED芯片300；
通过设置碗杯200，一方面能够确定LED芯片300的位置，另一方面能够为荧光胶的填充，提供空间。
步骤S4、在碗杯200内的LED芯片300上方对应的模具400上分配荧光胶，通过模具400与LED芯片300热压合，从而通过荧光胶在LED芯片300表面形成对应的荧光体500；
LED芯片300在出射方向上的发光强度与对应荧光体500在该出射方向上的厚度具有函数关系；
基于LED芯片出光强弱分布设计荧光体500形状，使得荧光体不同位置设计成不同的厚度，保证产品出光均匀。
具体地，函数关系优选为正向对应关系，即LED芯片300在出射方向上的发光强度越强，对应荧光体500在该出射方向上的厚度越厚。
正向对应关系可以为正比例关系，或者其他关系。
在本步骤中，还包括通过压模方式以含扩散粉的透光胶在荧光体500表面形成透光胶层600。在这里，优选地，所述扩散粉质量和透光胶质量之比超过0.2，所述扩散粉的尺寸大于1um。在这里，透光胶层由含扩散粉的透光胶模压成型而成，透光胶层可设置成球面、非球面或平面，由于进一步均匀光斑，并提高出光效率。
进一步地，在本步骤中，采用印刷、点设或喷射方式将荧光胶分配在所述模具400的接合面上，由模具400压合于碗杯200形成荧光体500。
进一步地，在本步骤中，邻近的两个荧光体500之间形成荧光胶调整腔体，以保证LED芯片300侧周发出的光均反射到LED芯片300正面出射。
步骤S5、在所述荧光体500周围填充高反射胶构成反射体700，使得LED芯片300周边发出的光经过所述反射体700反射后从LED芯片300正面发出。
在这里，高反射胶对侧面出光进行围覆，保证产品完全正面出光；通过填充高反射胶构成反射体，自然流平，模压精准成型。
在本步骤中，所述高反射胶通过直接点胶自然流平填充，或通过注射模压成型填充。
进一步地，LED发光器件的制作方法还包括：
以单个所述光源区为单位进行切割，得到多个LED发光器件。
通过这一技术方案，实现批量制作LED发光器件的目的。
进一步地，LED发光器件的制作方法还包括：将高温剥离膜100剥离。
在这里，通过将高温剥离膜100剥离，使得LED芯片300能够与其他电路相连，如电源电路等。
进一步地，本发明还提出了一种LED发光器件，包括：
碗杯200；
固定在碗杯200上的LED芯片300；
通过荧光胶在LED芯片300表面形成的对应荧光体500；LED芯片300在出射方向上的发光强度与对应荧光体500在该出射方向上的厚度具有函数关系；优选地，在荧光体500顶面形成有透光胶层600。所述透光胶层600包括透光胶和扩散粉，所述扩散粉质量和透光胶质量之比超过0.2。所述扩散粉的粒径大于1um。
进一步地，所述透光胶层600设置成有利于匀光的曲面，所述匀光曲面包括球面、非球面和平面。
进一步地，每一个所述荧光体500来自模具400上一个位置的荧光胶，作用于一个光源区的LED芯片300模压而成。在所述模具400上一个位置上准备的荧光胶是通过印刷、点设或喷射工艺形成。
在所述荧光体500周围填充高反射胶构成的，用于反射LED芯片300周边发出的光、使其从LED芯片300正面出射的反射体700。
进一步地，所述LED发光器件包括多个成行成列排布的由光源区和对应的碗杯200组成的发光单元；
发光单元中，邻近的两个荧光体500之间形成有荧光胶调整腔体，以保证LED芯片300侧周发出的光均反射到LED芯片300正面出射。
本发明的正面出光的LED发光器件及其制作方法通过填充高反射胶构成反射体，从而对侧面出光进行围覆，保证产品完全正面出光；基于LED芯片出光强弱分布设计荧光体形状，使得荧光体不同位置设计成不同的厚度，保证产品出光均匀。通过填充高反射胶构成反射体，自然流平，模压精准成型。同时，荧光体上设置透光胶层，该透光胶层由含扩散粉的透光胶模压成型而成，扩散粉的粒径范围为-SS80，透光胶层可设置成球面、非球面或平面，由于进一步均匀光斑，并提高出光效率。本发明的正面出光的LED发光器件及其制作方法设计巧妙，实用性强。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种LED发光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、在被固定的高温剥离膜上确定光源区；
步骤S2、在与光源区对应位置，通过印刷方式，形成碗杯；
步骤S3、在碗杯内固设LED芯片；
步骤S4、在碗杯内的LED芯片上方对应的模具上分配荧光胶，通过模具与LED芯片热压合，从而通过荧光胶在LED芯片表面形成对应的荧光体；
LED芯片在出射方向上的发光强度与对应荧光体在该出射方向上的厚度具有函数关系；
步骤S5、在所述荧光体周围填充高反射胶构成反射体，使得LED芯片周边发出的光经过所述反射体反射后从LED芯片正面发出。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述高反射胶通过直接点胶自然流平填充，或通过注射模压成型填充。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步骤S4还包括：
通过压模方式以含扩散粉的透光胶在荧光体表面形成透光胶层。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述扩散粉质量和透光胶质量之比超过0.2，所述扩散粉的尺寸大于1um。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，采用印刷、点设或喷射方式将荧光胶分配在所述模具的接合面上，由模具压合于碗杯形成荧光体。
6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，将高温剥离膜上预先设定多个光源区，与各个光源区对应位置，通过模压或钢丝印方式，分别以高反射胶形成碗杯。
7.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，邻近的两个荧光体之间形成荧光胶调整腔体，以保证LED芯片侧周发出的光均反射到LED芯片正面出射。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，还包括：
以单个所述光源区为单位进行切割，得到多个LED发光器件；
将高温剥离膜剥离。
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113437196A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-24 | 深圳市华皓伟业光电有限公司 | 一种大发散角smd封装成型方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043764A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Nichia Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| CN102738323A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法 |
| CN102738363A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法 |
| CN104854716A (zh) * | 2012-12-10 | 2015-08-19 | 西铁城控股株式会社 | Led装置及其制造方法 |
| CN205900583U (zh) * | 2016-07-13 | 2017-01-18 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种单面出光的发光元器件 |
| CN107039572A (zh) * | 2016-02-03 | 2017-08-11 | 行家光电股份有限公司 | 具非对称性光形的发光装置及其制造方法 |
| JP2018082027A (ja) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| CN109713110A (zh) * | 2017-10-26 | 2019-05-03 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 芯片级封装led及其制作方法 |
| CN109728152A (zh) * | 2017-10-27 | 2019-05-07 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led封装方法及led |
| CN110223972A (zh) * | 2019-05-05 | 2019-09-10 | 华南理工大学 | 一种具有反射镜结构的倒装cob光源及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102565893B (zh) * | 2010-12-09 | 2014-04-09 | 湖北航天化学技术研究所 | 一种光学扩散膜及其制备方法 |
| JP6249002B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-12-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| CN106707378B (zh) * | 2016-12-23 | 2019-05-07 | 合肥乐凯科技产业有限公司 | 一种抗刮伤扩散膜及背光模组 |
| CN109764250A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-05-17 | 吉林求是光谱数据科技有限公司 | 一种手机内置的用于荧光检测的led紫外光源 |
| CN109946774A (zh) * | 2017-12-21 | 2019-06-28 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 一种薄型高透光的光扩散层及光扩散片 |
| CN108447969A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-08-24 | 江西艾立特光电科技有限公司 | 一种发光二极管 |
| CN208460799U (zh) * | 2018-06-11 | 2019-02-01 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种新型发光器件 |
-
2019
- 2019-07-10 CN CN201910620579.4A patent/CN110416373B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043764A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Nichia Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| CN102738323A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法 |
| CN102738363A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法 |
| CN104854716A (zh) * | 2012-12-10 | 2015-08-19 | 西铁城控股株式会社 | Led装置及其制造方法 |
| CN107039572A (zh) * | 2016-02-03 | 2017-08-11 | 行家光电股份有限公司 | 具非对称性光形的发光装置及其制造方法 |
| CN205900583U (zh) * | 2016-07-13 | 2017-01-18 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种单面出光的发光元器件 |
| JP2018082027A (ja) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| CN109713110A (zh) * | 2017-10-26 | 2019-05-03 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 芯片级封装led及其制作方法 |
| CN109728152A (zh) * | 2017-10-27 | 2019-05-07 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led封装方法及led |
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