CN113659058A - 一种发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置。发光器件包括依次叠层设置的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和发光二极管芯片，发光二极管芯片和第一无机封装层通过粘性层粘结，发光二极管芯片的第一电极和第二电极朝向远离粘性层的一侧。本公开实施例的技术方案，避免了发光二极管芯片与色转换层之间间隙的漏光，提高了发光器件的亮度，适用于Mini LED和Micro LED。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)芯片作为显示技术的关键技术，已经成为显示行业的一种趋势。更小的LED尺寸更容易实现高分辨率，比如4K甚至8K分辨率智能手机或虚拟现实装置等。
对于虚拟现实装置，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)面板的响应时间已经降低至微秒级别，拥有非常不错的响应时间等级，已经成为虚拟现实应用最理想的选择。发光二极管芯片可以包括次毫米发光二极管(Mini Light EmittingDiode，简称Mini LED)芯片和微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称MicroLED)芯片。Micro LED的响应时间可以降低到纳秒级别，响应速度相比于OLED提高了1000倍。并且Micro LED显示装置在对比度、色域和柔性显示方面拥有更大的优势。
现有技术中的LED显示装置存在漏光问题。
发明内容
本公开实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种发光器件，包括依次叠层设置的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和发光二极管芯片，发光二极管芯片和第一无机封装层通过粘性层粘结，发光二极管芯片的第一电极和第二电极朝向远离粘性层的一侧。
在一些可能的实现方式中，粘性层的厚度范围为1μm至3μm。
在一些可能的实现方式中，封装结构层包括第二无机封装层，以及位于第二无机封装层背离色转换层一侧的有机封装层。
在一些可能的实现方式中，发光器件还包括衬底和激光解离层，激光解离层位于封装结构层背离色转换层的一侧，衬底位于激光解离层背离色转换层的一侧。
在一些可能的实现方式中，色转换层被配置为将自发光二极管芯片入射的第一颜色光线转换为另一种颜色光线出射，色转换层包括量子点材料层和包围在量子点材料层的侧面的挡墙，挡墙的径向宽度大于或等于1μm。
在一些可能的实现方式中，封装结构层、色转换层、第一无机封装层和粘性层在封装结构层所在平面上的正投影均位于发光二极管芯片在封装结构层所在平面上的正投影的范围内。
在一些可能的实现方式中，发光器件还包括阻光层，阻光层至少包围在第一无机封装层的侧面、粘性层的侧面和发光二极管芯片的侧面，发光二极管芯片的第一电极和第二电极均暴露。
在一些可能的实现方式中，阻光层的厚度的范围为1000埃至5000埃。
作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种发光器件的制备方法，包括：
在衬底的一侧形成激光解离薄膜；
在激光解离薄膜背离衬底的一侧形成封装结构薄膜；
在封装结构薄膜背离衬底的一侧形成挡墙界定层和量子点材料层，挡墙界定层开设有多个开口，量子点材料层位于开口内；
在挡墙界定层和量子点材料层背离衬底的一侧形成第一无机封装薄膜；
在第一无机封装薄膜背离衬底的一侧贴附粘性薄膜；
将发光二极管芯片粘结于粘性薄膜，发光二极管芯片在衬底上的正投影包含对应的量子点材料层在衬底上的正投影，发光二极管芯片的第一电极和第二电极朝向远离粘性薄膜的一侧。
在一些可能的实现方式中，方法还包括：
以发光二极管芯片为掩膜，对发光二极管芯片之外的区域进行刻蚀，形成在衬底的一侧依次叠设的激光解离层、封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和发光二极管芯片，色转换层包括量子点材料层以及包围在量子点材料层的侧面的挡墙。
在一些可能的实现方式中，方法还包括：
在发光二极管芯片的背离衬底的一侧沉积阻光薄膜；
对阻光薄膜进行图案化处理，以去除位于发光二极管芯片的背离衬底一侧表面上的阻光薄膜；
采用激光照射衬底的背离激光解离层的一侧，使激光解离层解离，以将发光器件与衬底分离，发光器件包括依次叠设的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层、发光二极管芯片和阻光层，阻光层包围在封装结构层的侧面、色转换层的侧面、第一无机封装层的侧面、粘性层的侧面和发光二极管芯片的侧面。
在一些可能的实现方式中，方法还包括：
采用激光照射衬底的背离激光解离层的一侧，使激光解离层解离，以将发光器件与衬底分离，发光器件包括依次叠设的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和发光二极管芯片。
作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括本公开任一实施例中的发光器件。
本公开实施例的技术方案，发光二极管芯片与色转换层之间间隔的距离大大减小，避免了发光二极管芯片与色转换层之间间隙的漏光，提高了发光器件的亮度。并且，本公开实施例中的发光器件适用于Mini LED和Micro LED。
上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。
图1为一种显示面板的结构示意图图1为本公开一实施例中发光器件的结构示意图；
图2为本公开另一实施例中发光器件的结构示意图；
图3为本公开另一实施例中发光器件的结构示意图；
图4为本公开一实施例发光器件中形成粘性薄膜后的结构示意图；
图5为本公开一实施例发光器件中粘贴发光二极管芯片后的结构示意图；
图6为本公开一实施例发光器件中形成阻光薄膜后的结构示意图；
图7a为本公开一实施例发光器件中涂覆光刻胶后的结构示意图；
图7b为本公开一实施例发光器件中对阻光薄膜进行刻蚀后的结构示意图；
图7c为本公开一实施例发光器件中剥离光刻胶后的结构示意图。
附图标记说明：
10、衬底；11、封装结构层；111、第二无机封装层；112、有机封装层；12、色转换层；121、量子点材料层；122、挡墙；13、第一无机封装层；14、粘性层；15、发光二极管芯片；151、第一电极；152、第二电极；16、激光解离层；18、阻光层。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
图1为本公开一实施例中发光器件的结构示意图。如图1所示，发光器件可以包括依次层叠设置的封装结构层11、色转换层12、第一无机封装层13、粘性层14和发光二极管芯片15。发光二极管芯片15和第一无机封装层13通过粘性层14粘结，发光二极管芯片15的第一电极151和第二电极152朝向远离粘性层14的一侧。色转换层12被配置为将自发光二极管芯片15入射的第一颜色光线转换为另一种颜色光线出射。
相关技术中，对于发光二极管芯片(例如Mini LED)与色转换层结合的发光器件，发光二极管芯片和色转换层分别设置在衬底(例如蓝宝石衬底)的相对两侧，发光二极管芯片与色转换层之间间隔的距离较大(例如间隔距离为蓝宝石衬底的厚度)，即使将衬底减薄，发光二极管芯片与色转换层之间间隔的距离仍约50μm。从而，在发光二极管芯片产生的光线入射到色转化层时，发光二极管芯片与色转换层之间的间隙容易出现漏光。
本公开实施例中的发光器件，色转换层12的两侧分别被封装结构层11和第一无机封装层13保护，发光二极管芯片15通过粘性层14粘结于第一无机封装层13。可以理解的是，粘性层14的厚度远远小于50um，更小于衬底(例如蓝宝石衬底)的厚度。因此，本公开实施例中的发光器件，发光二极管芯片15与色转换层12之间间隔的距离大大减小，避免了发光二极管芯片15与色转换层12之间间隙的漏光，提高了发光器件的亮度。
在一种实施方式中，发光二极管芯片15可以为次毫米发光二极管(Mini LightEmitting Diode，简称Mini LED)芯片，或者，可以为微型发光二极管(Micro LightEmitting Diode，简称Micro LED)芯片。
相关技术中，对于Micro LED，由于Micro LED结构中无蓝宝石衬底，没有有效的与色转换层相结合的方案。如果将色转换层制作在Micro LED的外延层上，不仅没有合适的工艺而且存在碎片风险。
本公开实施例中的发光器件，色转换层12的两侧分别被封装结构层11和第一无机封装层13保护，发光二极管芯片15通过粘性层14粘结于第一无机封装层13。这样的结构，可以适用于Mini LED和Micro LED，不再受限于LED芯片的尺寸。
在一种实施方式中，粘性层14需具备特性为透过可见光，例如，粘性层14可以透过发光二极管芯片15产生的光线。
在一种实施方式中，粘性层14的厚度的范围为1μm至3μm(包括端点值)。示例性地，粘性层14的厚度可以为1μm至3μm中任一数值。由此可见，粘性层14的厚度远远小于衬底的厚度(例如50μm)，使得发光二极管芯片15与色转换层12之间间隔的距离大大减小，防止了发光二极管芯片15与色转换层12之间的漏光。
在一种实施方式中，如图1所示，封装结构层11可以包括第二无机封装层111。
在一种实施方式中，如图1所示，封装结构层11可以包括有机封装层112。
在一种实施方式中，如图1所示，封装结构层11包括第二无机封装层111和有机封装层112，有机封装层112位于第二无机封装层111背离色转换层12的一侧。这样的结构，有机封装层112可以向第二无机封装层111提供平坦的表面，进而可以平坦表面上形成色转换层12，有利于发光器件的出光均匀。
示例性地，第一无机封装层13和第二无机封装层111可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。
需要说明的是，第一无机封装层13、第二无机封装层111和有机封装层112具需具备透过可见光的特性，例如，第一无机封装层13可以透过发光二极管芯片15产生的光线，第二无机封装层111和有机封装层112均可以透光自色转换层12出射的光线。
图2为本公开另一实施例中发光器件的结构示意图。在一种实施方式中，如图2所示，发光器件还可以包括衬底10和激光解离层16，激光解离层16位于封装结构层11背离色转换层12的一侧，衬底10位于激光解离层16背离色转换层12的一侧。
在一种实施方式中，如图1和图2所示，色转换层12被配置为将自发光二极管芯片15入射的第一颜色光线转换为另一种颜色光线出射。色转换层12包括量子点材料层121和包围在量子点材料层121的侧面的挡墙122。挡墙122可以限定量子点材料层121的空间，有利于量子点材料层121的制备。示例性地，挡墙122的径向宽度w大于或等于1μm。挡墙122的“径向宽度”为挡墙122在量子点材料层121朝向挡墙122方向上的尺寸。
示例性地，在图1和图2中，挡墙122的截面呈长方向。可以理解的是，在具体实施中，挡墙122的截面形貌与挡墙122的制备工艺相关。
在一种实施方式中，挡墙122的截面形貌可以呈近似倒梯形，侧边与底边之间的角度可以为90°至120°。
在一种实施方式中，挡墙122的截面形貌可以呈近似正梯形，侧边与底边之间的角度可以为60°至85°。
在一种实施方式中，挡墙122的截面形貌可以呈近似倒梯形，侧边与底边之间的角度可以为90°至110°。示例性地，发光二极管芯片15可以产生蓝色光线。量子点材料层121可以包括红色量子点材料。从而，量子点材料层121可以将自发光二极管芯片15入射的蓝色光线转换为红色光线出射。
示例性地，发光二极管芯片15可以产生蓝色光线。量子点材料层121可以包括绿色量子点材料。从而，量子点材料层121可以将自发光二极管芯片15入射的蓝色光线转换为绿色光线出射。
示例性地，挡墙122的材质可以为黑色树脂。这种材质的挡墙122还可以起到阻光的作用，避免色转换层12的光线自侧边出射。
在一种实施方式中，如图2所示，量子点材料层121在衬底10上的正投影位于发光二极管芯片15在衬底10上的正投影范围内。
在一种实施方式中，封装结构层11(包括叠设的有机封装层112和第二无机封装层111)、色转换层12、第一无机封装层13和粘性层14在封装结构层11所在平面上正投影均位于发光二极管芯片15在封装结构层11所在平面上正投影的范围内。在如图1和图2所示的实施例中，封装结构层11(包括叠设的有机封装层112和第二无机封装层111)、色转换层12、第一无机封装层13和粘性层14在衬底10上的正投影均位于发光二极管芯片15在衬底10上的正投影的范围内。这样的结构，发光器件的外形尺寸由发光二极管芯片15决定，因此，发光器件可以替换显示装置中的发光二极管芯片15，不需要另外制作驱动背板。可以理解的是，A在衬底上的正投影位于B在衬底上的正投影的范围内，表示：A在衬底上的正投影的边界与B在衬底上的正投影的边界重合，或者，A在衬底上的正投影的边界位于B在衬底上的正投影的边界的内侧。
需要说明的是，激光解离层、有机封装层、第二无机封装层、色转换层、第一无机封装层的厚度可以根据需要设置，在此不作具体限定。
图3为本公开另一实施例中发光器件的结构示意图。在一种实施方式中，如图3所示，发光器件还可以包括阻光层18，阻光层18至少包围在第一无机封装层13的侧面、粘性层14的侧面和发光二极管芯片15的侧面，其中，发光二极管芯片15的第一电极151和第二电极152均暴露出来。
相关技术中，对于发光二极管芯片与色转换层结合的发光器件，存在发光二极管芯片与色转换层混色问题。例如，发光二极管芯片侧向出光，光线射向周围，导致临近色转换层混色、出现杂光；发光二极管芯片与色转换层之间的间隙存在漏光，导致临近色转换层混色、出现杂光；无法阻挡环境光对色转换层的影响。
本公开实施例中的发光器件，设置了阻光层18，阻光层18可以阻挡光线，从而，阻光层18可以防止发光二极管芯片15的侧向漏光，可以防止发光二极管芯片15与色转换层12之间的间隙漏光，避免发光二极管芯片15的光线射向周围的发光器件的色转换层，避免了色转换层12的混色问题。
在一种实施方式中，如图3所示，阻光层18还包围在封装结构层11的侧面和色转换层12的侧面。从而，阻光层18可以防止环境光对色转换层12的影响，发光器件的光线可以自发光二极管芯片15朝向色转换层12方向竖直出射，进一步避免光线侧向出射。
示例性地，色转换层12包括量子点材料层121和包围在量子点材料层121的侧面的挡墙122，阻光层18包围在封装结构层11的侧面和挡墙122的侧面。
这种结构的阻光层18，自发光二极管芯片15朝向封装结构层11的方向上为连接的一体，方便了阻光层18的制作。
在一种实施方式中，阻光层18的材质为具备阻光能力的金属，例如，阻光层18的材质可以包括铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)等中的至少一种。
在一种实施方式中，阻光层18的厚度的范围可以为1000埃至5000埃(包括端点值)。示例性地，阻光层18的厚度可以为1000埃至5000埃中的任一数值。其中，“埃”指“埃米”，“阻光层的厚度”为阻光层在自发光器件中心朝向侧面方向上的尺寸。
本公开实施例还提供一种发光器件的制备方法。发光器件的制备方法可以包括：
在衬底的一侧形成激光解离薄膜；
在激光解离薄膜背离衬底的一侧形成封装结构薄膜；
在封装结构薄膜背离衬底的一侧形成挡墙界定层和量子点材料层，挡墙界定层开设有多个开口，量子点材料层位于开口内；
在挡墙界定层和量子点材料层背离衬底的一侧形成第一无机封装薄膜；
在第一无机封装薄膜背离衬底的一侧贴附粘性薄膜；
将发光二极管芯片粘结于粘性薄膜，发光二极管芯片在衬底上的正投影包含对应的量子点材料层在衬底上的正投影，发光二极管芯片的第一电极和第二电极朝向远离粘性薄膜的一侧。
本公开实施例的发光器件的制备方法，将量子点材料层制作在激光解离薄膜与粘性薄膜之间，并将发光二极管芯片粘结于粘性薄膜，实现了量子点材料层与发光二极管芯片通过粘性薄膜粘结连接，不再受限于发光二极管芯片的尺寸，可以同时适用于Mini LED和Micro LED，实现了Micro LED与量子点材料层的结合。
在一种实施方式中，发光器件的制备方法还可以包括：以发光二极管芯片为掩膜，对发光二极管芯片之外的区域进行刻蚀，形成在衬底的一侧依次叠设的激光解离层、封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和发光二极管芯片，色转换层包括量子点材料层以及包围在量子点材料层的侧面的挡墙。采用刻蚀工艺便可以形成多个独立的发光器件，方便了发光器件的制备。
在一种实施方式中，发光器件的制备方法还可以包括：在发光二极管芯片的背离衬底的一侧沉积阻光薄膜；对阻光薄膜进行图案化处理，以去除位于发光二极管芯片的背离衬底一侧表面上的阻光薄膜；采用激光照射衬底的背离激光解离层的一侧，使激光解离层解离，以将发光器件与衬底分离，发光器件包括依次叠设的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层、发光二极管芯片和阻光层，阻光层包围在封装结构层的侧面、色转换层的侧面、第一无机封装层的侧面、粘性层的侧面和发光二极管芯片的侧面。通过采用激光解离层，方便了发光器件从衬底上分离，实现了发光器件的转移。
在一种实施方式中，发光器件的制备方法还可以包括：在发光二极管芯片的背离衬底的一侧沉积阻光薄膜；对阻光薄膜进行图案化处理，以去除位于发光二极管芯片的背离衬底一侧表面上的阻光薄膜；采用激光照射衬底的背离激光解离层的一侧，使激光解离层解离，以将发光器件与衬底分离，发光器件包括依次叠设的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层、发光二极管芯片和阻光层，阻光层包围在封装结构层的侧面、色转换层的侧面、第一无机封装层的侧面、粘性层的侧面和发光二极管芯片的侧面。
在一种实施方式中，发光器件的制备方法还可以包括：采用激光照射衬底的背离激光解离层的一侧，使激光解离层解离，以将发光器件与衬底分离，发光器件包括依次叠设的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和发光二极管芯片。
下面通过本公开一实施例中发光器件的制备过程进一步说明本公开实施例的技术方案。可以理解的是，本文中所说的“图案化”，当图案化的材质为无机材质或金属时，“图案化”包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺，当图案化的材质为有机材质时，“图案化”包括掩模曝光、显影等工艺，本文中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
图4为本公开一实施例发光器件中形成粘性薄膜后的结构示意图；图5为本公开一实施例发光器件中粘贴发光二极管芯片后的结构示意图。在下文中，对没有经过刻蚀工艺的膜层，称作“薄膜”，经过刻蚀工艺后的膜层称作“层”。
S10：在衬底10的一侧依次形成激光解离薄膜16’和封装结构薄膜11’。示例性地，封装结构薄膜11’可以包括有机封装薄膜112’和第二无机封装薄膜111’。该步骤可以包括：如图4所示，在衬底10的一侧形成激光解离薄膜16’；在激光解离薄膜16’的背离衬底10的一侧形成有机封装薄膜112’；在有机封装薄膜112’的背离衬底10的一侧形成第二无机封装薄膜111’。示例性地，激光解离薄膜的厚度约0.3μm。有机封装薄膜112’可以提供平坦的表面，从而可以在平坦表面上形成色转换层，有利于发光器件出光均匀性。衬底10可以为玻璃。
S20：在封装结构薄膜11’背离衬底10的一侧形成挡墙界定层122’和量子点材料层121。示例性地，该步骤可以包括：如图4所示，在第二无机封装薄膜111’背离衬底10的一侧形成挡墙界定薄膜，对挡墙界定薄膜进行图案化处理，形成挡墙界定层122’，挡墙界定层122’开设有多个开口，在开口内设置对应的量子点材料以形成量子点材料层121。示例性地，部分开口内设置红色量子点材料，形成红色量子点材料层；部分开口内设置绿色量子点彩料，形成绿色量子点材料层。
S30：在挡墙界定层122’和量子点材料层121背离衬底10的一侧形成第一无机封装薄膜13’，如图4所示。
S40：在第一无机封装薄膜13’背离衬底10的一侧贴附粘性薄膜14’，如图4所示。
S50：将发光二极管芯片15粘结于粘性薄膜，该过程可以包括：如图5所示，采用LED绑定(Bonding)转移工艺，将多个发光二极管芯片15粘结于粘性薄膜14’上，发光二极管芯片15的第一电极151和第二电极152朝向远离粘性薄膜14’的一侧，各发光二极管芯片15与各量子点材料层121一一对应，相对应的发光二极管芯片15与量子点材料层121的对位精度可以达到0.6μm。各发光二极管芯片15在衬底10上的正投影包括对应的量子点材料层121在衬底10上的正投影，以便在刻蚀后可以形成包围在量子点材料层121的侧面的挡墙。
S60：以发光二极管芯片15为掩膜，对发光二极管芯片15之外的区域进行刻蚀，形成在衬底10的一侧依次叠设的激光解离层16、封装结构层11(包括有机封装层112和第二无机封装层111)、色转换层12、第一无机封装层13、粘性层14和发光二极管芯片15，色转换层12包括量子点材料层121以及包围在量子点材料层121的侧面的挡墙122，如图2所示。
在一种实施方式中，发光器件的制备方法还可以包括S71：采用激光照射衬底10的背离激光解离层16的一侧，使激光解离层16解离，以将发光器件与衬底10分离，发光器件包括依次叠设的封装结构层11、色转换层12、第一无机封装层13、粘性层14和发光二极管芯片15，如图1所示。
在一种实施方式中，发光器件的制备方法还可以包括以下步骤
S721：在发光二极管芯片15的背离衬底10的一侧沉积阻光薄膜18’，阻光薄膜18’位于衬底10的上侧的裸露的表面上，如图6所示，图6为本公开一实施例发光器件中形成阻光薄膜后的结构示意图。示例性地，阻光薄膜18’的材质为具备阻光能力的金属，例如，阻光薄膜18’的材质可以包括铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)等中的至少一种。阻光薄膜18’的厚度的范围可以为1000埃至5000埃(包括端点值)。
S722：对阻光薄膜18’进行图案化处理，以去除位于发光二极管芯片15的背离衬底10一侧的表面上的阻光薄膜。示例性地，该步骤可以包括：在形成阻光薄膜18’的衬底10上涂覆光刻胶，在涂覆光刻胶时控制光刻胶涂覆的厚度，将有机发光二极管15的第一电极151和第二电极152暴露出来，进而使得位于有机发光二极管芯片15上侧表面的阻光薄膜暴露出来，如图7a所示，图7a为本公开一实施例发光器件中涂覆光刻胶后的结构示意图；对暴露的阻光薄膜进行刻蚀，去除位于光刻胶之外的阻光薄膜，保留衬底10表面以及包围在发光器件侧面上的阻光薄膜，如图7b所示，图7b为本公开一实施例发光器件中对阻光薄膜进行刻蚀后的结构示意图；剥离剩余的光刻胶，如图7c所示，图7c为本公开一实施例发光器件中剥离光刻胶后的结构示意图。
示例性地，发光二极管芯片15的第一电极151和第二电极152的材料可以为金属金(Au)或金属金的合金，耐酸腐蚀。阻光薄膜18’的材质可以包括铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)等中的至少一种，因此，在对阻光薄膜进行刻蚀时，可以选择对阻光薄膜进行刻蚀但不会对第一电极和第二电极产生影响的刻蚀液。
S723：对于图7c所示的结构，采用激光照射衬底10的背离激光解离层16的一侧，使激光解离层16解离，以将发光器件与衬底10分离，发光器件包括依次叠设的封装结构层11、色转换层12、第一无机封装层13、粘性层14、发光二极管芯片15和阻光层18，阻光层18包围在封装结构层11的侧面、色转换层12的侧面、第一无机封装层13的侧面、粘性层14的侧面和发光二极管芯片15的侧面，如图3所示。
需要说明的是，位于衬底10表面上的阻光薄膜与衬底10的粘附力较高，在将发光器件与衬底10分离后，衬底10表面上的阻光薄膜会保留在衬底10上，从而，在发光器件与衬底10分离后，发光器件侧面的阻光薄膜会与衬底10表面上的阻光薄膜断开，从而获得如图3所示的发光器件。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括驱动背板以及设置在驱动背板上的如本公开任一实施例中的发光器件。示例性地，发光器件的数量可以为多个，多个发光器件包括第一发光器件和第二发光器件，第一发光器件中的色转换层被配置为将自发光二极管芯片入射的第一颜色光线转换为第二颜色光线，第二发光器件中的色转换层被配置为将自发光二极管芯片入射的第一颜色光线转换为第三颜色光线。示例性地，第一发光器件中的色转换层可以包括红色量子点材料，第二发光器件中的色转换层可以包括绿色量子点材料，第一颜色光线为蓝色光线，第二颜色光线为红色光线，第三颜色光线为绿色光线。
显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本公开。此外，本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种发光器件，其特征在于，包括依次叠层设置的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和发光二极管芯片，所述发光二极管芯片和所述第一无机封装层通过所述粘性层粘结，所述发光二极管芯片的第一电极和第二电极朝向远离所述粘性层的一侧。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述粘性层的厚度范围为1μm至3μm。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述封装结构层包括第二无机封装层，以及位于所述第二无机封装层背离所述色转换层一侧的有机封装层。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括衬底和激光解离层，所述激光解离层位于所述封装结构层背离所述色转换层的一侧，所述衬底位于所述激光解离层背离所述色转换层的一侧。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述色转换层被配置为将自所述发光二极管芯片入射的第一颜色光线转换为另一种颜色光线出射，所述色转换层包括量子点材料层和包围在所述量子点材料层的侧面的挡墙，所述挡墙的径向宽度大于或等于1μm。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述封装结构层、所述色转换层、所述第一无机封装层和所述粘性层在所述封装结构层所在平面上的正投影均位于所述发光二极管芯片在所述封装结构层所在平面上的正投影的范围内。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括阻光层，所述阻光层至少包围在所述第一无机封装层的侧面、所述粘性层的侧面和所述发光二极管芯片的侧面，所述发光二极管芯片的第一电极和第二电极均暴露。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述阻光层的厚度的范围为1000埃至5000埃。
9.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底的一侧形成激光解离薄膜；
在所述激光解离薄膜背离所述衬底的一侧形成封装结构薄膜；
在所述封装结构薄膜背离所述衬底的一侧形成挡墙界定层和量子点材料层，所述挡墙界定层开设有多个开口，所述量子点材料层位于所述开口内；
在所述挡墙界定层和所述量子点材料层背离所述衬底的一侧形成第一无机封装薄膜；
在所述第一无机封装薄膜背离所述衬底的一侧贴附粘性薄膜；
将发光二极管芯片粘结于所述粘性薄膜，所述发光二极管芯片在所述衬底上的正投影包含对应的所述量子点材料层在所述衬底上的正投影，所述发光二极管芯片的第一电极和第二电极朝向远离所述粘性薄膜的一侧。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：
以所述发光二极管芯片为掩膜，对所述发光二极管芯片之外的区域进行刻蚀，形成在所述衬底的一侧依次叠设的激光解离层、封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和所述发光二极管芯片，所述色转换层包括所述量子点材料层以及包围在所述量子点材料层的侧面的挡墙。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述发光二极管芯片的背离所述衬底的一侧沉积阻光薄膜；
对所述阻光薄膜进行图案化处理，以去除位于所述发光二极管芯片的背离所述衬底一侧表面上的阻光薄膜；
采用激光照射所述衬底的背离所述激光解离层的一侧，使所述激光解离层解离，以将所述发光器件与所述衬底分离，所述发光器件包括依次叠设的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层、发光二极管芯片和阻光层，所述阻光层包围在所述封装结构层的侧面、所述色转换层的侧面、所述第一无机封装层的侧面、所述粘性层的侧面和所述发光二极管芯片的侧面。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：
采用激光照射所述衬底的背离所述激光解离层的一侧，使所述激光解离层解离，以将所述发光器件与所述衬底分离，所述发光器件包括依次叠设的所述封装结构层、所述色转换层、所述第一无机封装层、所述粘性层和所述发光二极管芯片。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的发光器件。
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