JPS63143824A - 成形金型 - Google Patents

成形金型

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JPS63143824A
JPS63143824A JP29041486A JP29041486A JPS63143824A JP S63143824 A JPS63143824 A JP S63143824A JP 29041486 A JP29041486 A JP 29041486A JP 29041486 A JP29041486 A JP 29041486A JP S63143824 A JPS63143824 A JP S63143824A
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JP
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mold
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resin
cavities
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JP29041486A
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Yasuhiko Ikeda
池田 泰彦
Takao Naito
内藤 孝男
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Hitachi Ltd
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、成形金型、特にボンディング・ワイヤを有す
る半導体装置を成形封止するための成形金型に適用して
を効な技術に関するものであり、たとえば、ダイオード
を成形封止するための成形金型に適用して有効な技術に
関するものである。
〔従来の技術〕
半導体装置の成形金型については、丸善株式会社、昭和
43年11月25日発行、「集積回路ハンドブックJ、
P422に記載されている。そこには、トランスファ成
形用の成形金型が図示されている。
本発明者は、上型と下型とからなる半導体装置の封止用
の成形金型について検討した。その概要は次の通りであ
る。
すなわち、トランスファ成形法においては、成形材料の
タブレットを金型のポットに投入し加熱しながらプラン
ジャにより金型内に圧入する。次いで、流動性を有する
ようになった成形材料は、ポット下部のカルとよばれる
溜り部からランナを通り、キャビティのゲートからキャ
ビティ内に流入し、そこにセットされた半導体素子を封
止する。
このトランスファ成形法ではキャビティを多数設けるこ
とにより大量の半導体装置を成形することができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、ボンディング・ワイヤを有する半導体装置を
上記トランスファ成形金型を用いて成形しようとする場
合、ゲートを通してキャビティへ成形材料を流入させる
場合、成形材料の流入圧力によりボンディング・ワイヤ
の側線や断線、さらには隣接するワイヤの相互接触とい
う問題が生じることを本発明者は見い出した。
特に、複数のキャビティを一本のランチを介して直列に
連結しようとする場合、成形材料の流入の上流側のキャ
ビティにあっては下流側のキャビティを満たすための多
量のかつ高い流入圧力の成形材料が通過するために側線
や断線の発生する頻度は下流側のキャビティに比べてよ
り高いことを本発明者は見い出した。
本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、そ
の目的は、ボンディング・ワイヤの側線や断線、さらに
は隣接するワイヤの相互接触を防ぎ、歩留りを高め、信
頼性の高い半導体装置を成形封止する技術を提供するこ
とにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、キャビティのゲートを上型と下型のうちボン
ディング・ワイヤを収納しない方の金型に設けた成形金
型である。
〔作用〕
上記した手段によれば、ゲートよりキャビティに流入す
る成形材料はボンディング・ワイヤを収納しない側の金
型より流入するので、成形材料が流入する時にその流入
圧力の高い流れ部分がボンディング・ワイヤに直接当た
らず、ワイヤの側線や断線を避けることができる。
〔実施例1〕 第1図は本発明の一実施例であるダイオードを成形封止
する成形金型の一部を示す断面図であり、第2図はその
■−■線による断面図である。
本実施例において成形封止される半導体装置はダイオー
ドである。該ダイオードは、二本のインナー・リードl
のうちの一方にダイオード・ペレット2をマウンティン
グし、該ダイオード・ペレット2と残った一本のインナ
ー・リードlとを金線、アルミニウム線あるいは銅線等
のボンディング・ワイヤ3によりボンディングしたもの
を本実施例の金型を用いて樹脂封止することにより成形
される。
さらに、本実施例の金型は、上型4と下型5よりなり、
該上型4と下型5が成形封止されるダイオードのリード
6を上下より挟みつけている。
ダイオードのボンディング・ワイヤ3は金型の上型4側
のキャビティ部分内に位置され、キャビティ7のゲート
8は金型の下型5側のキャビティ部分内に設けられてい
る。このゲート8は下型5に溝状に設けられたランナ1
2のキャビティ7の開口部、すなわち該キャビティ7内
への樹脂流入口として設けられている。
次に、本実施例の作用について説明する。
予熱された樹脂タブレット(図示せず)は金型のポット
9に投入され、さらに加熱されながらプランジャlOに
より金型内に圧入されカル11を経て、ランナ12を通
り、それぞれのランナ12の終端でゲート8を通り、キ
ャビティ7に流入してそれを満たす。
その際、本実施例では、ゲート8は金型の下型5側のキ
ャビティ部分に開設されており、他方、ボンディング・
ワイヤ3は金型の上型4側のキャビティ部分内に位置し
ているため、キャビティ7内に流入する樹脂は直接ボン
ディング・ワイヤ3に当たらない。
本実施例によれば、次のような効果が得られる。
(1〕、キャビティ7のゲート8がボンディング・ワイ
ヤ3を収納しない側の金型、すなわち上型4に設けられ
ているため、金型内への樹脂圧入時にワイヤ3が流入す
る樹脂の流入圧力の高い流れ部分に直接当たらずワイヤ
30側線や断線、さらには隣接するワイヤの相互接触を
防ぐことができる。
また、それに起因するシ麹−トを防ぐことができる。
(2)、上記(1)により、歩留りを高め、その結果、
製造コストを低減することができる。
〔実施例2〕 第3図は、本発明の別の実施例を示すダイオードを成形
封止する金型の部分断面図であり、第4図は、本実施例
の金型の下型にペレットボンディング、ワイヤボンディ
ングが終了したリードフレーム(図表示の簡便化をはか
ってリードフレームのみ図面化している)を搭載した状
態を示す平面図である。
この実施例においては、ランナ12から下型5に溝状に
設けられた8本のサブランナ13が分かれ、それぞれの
サブランナ13には10個のキャビ¥イアが直列に接続
されている。それで一つの金型でたとえば80個のダイ
オードを同時に成形することができる。
すなわち、一つのリード・フレーム14の各ペレット取
付部に80個のダイオード・ペレットがそれぞれマウン
トされて奢り、それぞれのペレットの外部電極とリード
・フレーム14のリードとがボンディング・ワイヤ3に
より相互結線されている。
該ダイオード・ペレットがマウントされたリード・フレ
ーム14を本実施例の金型の上型4と下型5が挟みつけ
る。その結果、10個のダイオード・ペレットが一つの
サブランナ13に直列に接続された10個のキャビティ
7にそれぞれセットされることになる。
それぞれのキャビティ7は金型の下型5側に溝状サブラ
ンナ13の開口部としてゲート8が設けられており、ダ
イオードのボンディング・ワイヤ3は金型の上型14側
に納められる。
直列に接続された最後尾のキャビティ7を除き、それぞ
れのキャビティ7は二つのゲート8a、8bを備えてお
り、一方のゲー)8aは樹脂流入口、他方のゲー)8b
は樹脂流出口となっている。最後尾のキャビティはゲー
ト8を1個だけ備えており、それは樹脂流入口である。
樹脂の流れの上流側に位置するキャビティ7の流出ゲー
ト8bは下流側に位置するキャビティ7の流入ゲート8
aとサブランナ13により接続されている。
それでキャビティ7のゲート8を通してサブランナ13
は一本に連結されており、上流側のキャビティ7の下型
5部分はそれ自体下流側のキャビティ7に供給される樹
脂を通すサブランナ13の働きをする。
本実施例の作用について説明すれば次のとおりである。
すなわち、予熱された樹脂タブレット(図示せず)が、
金型のポット9に投入され、さらに加熱されつつプラン
ジャ10により金型内に圧入される。流動化した樹脂は
カル11を経てランナ12に流れる。そこから、樹脂は
8本のサブランナ13へと分流し、さらに、それぞれの
サブランナ13に直列に接続したキャビティ7の最初の
ものへ、該キャビティ7の流入ゲー)3aを通して流入
する。その最初のキャビティ7を満たした樹脂はそのキ
ャビティ7の流出ゲー)8bから出て次のキャビティ7
へと連絡するサブランナ13を通過して下流側のキャビ
ティ7、すなわち、二番目のキャビティ7にその流入ゲ
ー)8aより流入する。
そのキャビティ7を満たした樹脂は今度はそのキャビテ
ィ7の流出ゲート8bから出てさらに三番目のキャビテ
ィ7へと流入する。このように繰り返してそのサブラン
ナに接続する最後尾の、つまり十番目のキャビティ7に
いたるまで樹脂が満たされ、樹脂封止は終了する。
このように一つのサブランナ13に複数個のキャビティ
7が直列に接続された場合、上流側のキャビティ7にお
いては単にそのキャビティ7を満たす樹脂が流入するだ
けではなく、下流側のキャビティ7を満たすための樹脂
も流入通過することになる。たとえば、10個のでヤビ
ティ7がサブランナ13により直列に結ばれている本実
施例の場合、最上流側のキャビティ7についていうと、
その下流側にある9個のキャビティを満たす量の樹脂が
該キャビティ7内を通過することになる。
ところが、キャビティ7のゲート8が流入ゲート8aも
流出ゲート8bもボンディング・ワイヤ3を収納しない
金型下型5に設けられているために、ゲート8からキャ
ビティ7に流入した樹脂はそのキャビティ7を満たした
後は、主にそのキャビティ7の流入ゲー)3aおよび流
出ゲー)8bのある下型5部分、すなわち、ボンディン
グ・ワイヤ3の無い側を通過することになる。
このようにして、キャビティ7のゲート8がボンディン
グ・ワイヤ3を収納しない下型5部分に設けられている
ため、下流側のキャビティ7を満たすための多量の樹脂
の流れによるワイヤ3への圧力を回避し、ワイヤ3の側
線や断線、さらには隣接するワイヤの相互接触を避ける
ことができる。
このように、本実施例2によれば、上記実施例1の効果
に加えて、次のような効果が得られる。
(l)、キャビティ7のゲート8をボンディング・ワイ
ヤ3を収納しない下型5側に設けたため、樹脂のキャビ
ティ7への流入の際のボンディング・ワイヤ3の側線や
断線、さらには隣接するワイヤの相互接触の発生なしに
、一本のサブランナ13に多数のキャビティ7を直列に
接続することができ、信頼性の高いダイオードを高い歩
留りで大量に生産することが可能である。
(2)、キャビティ7に流入ゲート8a1流出ゲート8
bの二つのゲー)8a、8bを設けて一本のサブランナ
13に多数のキャビティ7を接続したために、一本のサ
ブランナ13に−ないし二個のキャビティ7を接続した
場合に比較して、多数のサブランナ13を要せず、その
ため余分のサブランナ13を満たすための樹脂を節約す
ることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
たとえば、本発明にあってはゲート8とボンディング・
ワイヤ3の相対的位置が問題なのであって、ゲート8の
形はどんな形であっても良い。また、ゲート8は溝状ラ
ンナ12あるいはサブランナ13のキャビティ7への開
口部として金型下型5の上型4に接する位置に開設され
ているが、上型4と下型5の境界より離れた位置にゲー
トが設けられていても良い。
また、実施例2に示されたようにキャビティ7を直列に
接続する場合に、接続するキャビティ7の数は10個に
限られない。一つのサブランナ13に20個、30個ま
たそれ以上の数のキャビティ7を直列に接続することが
できる。
さらに、実施例2のように主たるランナ12から分岐す
るサブランナ13の数も8本に限られない。10本、2
0本またそれ以上の数のサブランナ13を設けることが
できる。
本発明は、上述した成形金型を用いた半導体装置の製造
方法に適用できる。この場合、封止後の半導体装置は、
ボンディングワイヤの側線や断線、さらには隣接するワ
イヤの相互接触がない高信頼度のデバイス構造のものを
得ることができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単゛に説明すれば、下記のとおりで
ある。
(1)、すなわち、半導体装置を成形封止するための上
型と下型よりなる成形金型であって、上型と下型のうち
半導体装置のボンディング・ワイヤを収納しない方の金
型にキャビティのゲートを設けてなる金型であることに
より、キャビティ内に流入する樹脂の流れのうち、流入
圧力の高い部分がワイヤに触れないので、樹脂封止の際
のワイヤの側線や断線を避けることができる。
9)、さらに、前記キャビティを複数個備え、かつ該複
数個のキャビティの少なくとも一部がそれぞれ互いに他
のキャビティとランチにより直列に連結され金型とした
場合でも、流入側の高圧の樹脂流がボンディング・ワイ
ヤに直接触れないので、樹脂封止の際のボンディング・
ワイヤの側線や断線、さらには隣接するワイヤの相互接
触の発生を避け、ランナを満たす樹脂を節約しながら大
量の半導体装置を生産することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例であるダイオードを成形
封止する金型の部分断面図、 第2図はその■−■線による断面図、 第3図は本発明の別の実施例を示すダイオード成形封止
する金型の部分断面図、 第4図は第3図の金型の下型に被封止体を搭載した状態
を示す平面図である。 1・・・インナー・リード、2・・・ダイオード・ペレ
ット、3・・・ボンディング・ワイヤ、4・・・上型、
5・・・下型、6・・・リード、7・・・キャビティ、
8・・・ゲート、8a・・・流入ゲート、8b・・・流
出ゲート、9・・・ポット、10・・・プランジャ、1
1・・・カル、12・・・ランナ、13・・・サブラン
ナ、14・・・リード−フレーム。 第  1  図 第  3  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体装置を成形封止するための上型と下型よりな
    る成形金型であって、上型と下型のうち半導体装置のボ
    ンディング・ワイヤを収納しない側の金型にキャビティ
    のゲートを設けてなり、前記キャビティを複数個備え、
    かつ該複数個のキャビティの少なくとも一部がそれぞれ
    互いに他のキャビティとランナにより直列に連結されて
    いることを特徴とする成形金型。
JP29041486A 1986-12-08 1986-12-08 成形金型 Pending JPS63143824A (ja)

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JP29041486A JPS63143824A (ja) 1986-12-08 1986-12-08 成形金型

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0258344A (ja) * 1988-08-24 1990-02-27 Rohm Co Ltd リードフレームに対するモールド部の成形装置
JPH02154434A (ja) * 1988-12-06 1990-06-13 T & K Internatl Kenkyusho:Kk 電子部品の樹脂封止成形方法
EP1922762A1 (en) * 2005-08-26 2008-05-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting diode
CN107466159A (zh) * 2016-06-06 2017-12-12 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组的模塑电路板及其制造设备和制造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0258344A (ja) * 1988-08-24 1990-02-27 Rohm Co Ltd リードフレームに対するモールド部の成形装置
JPH02154434A (ja) * 1988-12-06 1990-06-13 T & K Internatl Kenkyusho:Kk 電子部品の樹脂封止成形方法
EP1922762A1 (en) * 2005-08-26 2008-05-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting diode
EP1922762A4 (en) * 2005-08-26 2010-05-19 Seoul Semiconductor Co Ltd METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DIODE
US8053259B2 (en) 2005-08-26 2011-11-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting diode
EP2284913A3 (en) * 2005-08-26 2012-10-17 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting diode
CN107466159A (zh) * 2016-06-06 2017-12-12 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组的模塑电路板及其制造设备和制造方法
EP3468316A4 (en) * 2016-06-06 2020-02-19 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. CAMERA MODULE MOLDED PRINTED CIRCUIT BOARD, MANUFACTURING EQUIPMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR PRINTED CIRCUIT BOARD
CN107466159B (zh) * 2016-06-06 2022-07-19 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组的模塑电路板及其制造设备和制造方法

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