JPH06268103A - リードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素子の半製品 - Google Patents

リードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素子の半製品

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JPH06268103A
JPH06268103A JP5667393A JP5667393A JPH06268103A JP H06268103 A JPH06268103 A JP H06268103A JP 5667393 A JP5667393 A JP 5667393A JP 5667393 A JP5667393 A JP 5667393A JP H06268103 A JPH06268103 A JP H06268103A
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runner
row
lead frame
resin
sub
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JP5667393A
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Hisafumi Tate
尚史 楯
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

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  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】リードフレームに設けた2列以上のキャビティ
に1本のランナから樹脂注入できるようにして、樹脂の
使用効率を高め、安価にする。 【構成】リードフレーム11は、長さ方向に1列に並ん
だ複数のパターン12を幅方向に4列有し、幅方向の両
端から近い側の各1列目のパターン12に対して2列目
のパターン12がリードフレーム11の長さ方向にずれ
ている。リードフレーム11の幅方向両端に設けた各1
本の主ランナ13から、それぞれに近い側の1列目のキ
ャビティ14に樹脂を注入すると共に、1列目の隣り合
うキャビティ14の間を通して2列目のキャビティ14
にも樹脂を注入する。これにより、1本のランナから2
列のキャビティ14内へ樹脂を注入できるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型の半導体素子
のリードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法お
よび半導体素子の半製品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の製造には、図3に示すよう
に、素子の構成単位となるパターン2が長さ方向に1列
に並んだリードフレーム1が広く用いられる。パターン
2は、チップをボンディングするダイパッド8、素子に
組み立てた後にリードとなる端子9、組み立て工程にお
いてこれらの端子9を繋いでおくタイバー7と呼ばれる
部分により構成されている。半導体素子は、このリード
フレーム1にボンディングしたチップを樹脂で封止して
製造する。樹脂封止には、一般にトランスファモールド
が用いられている。
【0003】トランスファモールド工程では、上記した
リードフレーム1を成形用金型で挟み込み、図4に示す
ように金型に設けたランナ3と呼ばれる部分から樹脂を
注入する。樹脂は、素子の外形を形成するキャビティ4
と呼ばれる部分に、ランナ3からゲート5を介して注入
される。なお、図において、ハッチングした部分は固化
した樹脂を示す。
【0004】従来、1列のリードフレームを用いる場
合、図4に示すようにリードフレーム1本に対し、ラン
ナを1本設けてキャビティに樹脂を注入する方法が一般
的であった。最近では、図5に示したような2列のリー
ドフレーム10も用いられ、その場合には、リードフレ
ーム1本に対し、リードフレーム10の両側にランナ3
を2本設けて、各々のランナ3に近い側のキャビティ4
に樹脂を注入する方法も採用されるようになってきた。
しかし、ランナ1本で1列のキャビティに注入するとい
う点に関しては変るところはない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体素子
の製造に用いられている全自動トランスファモールド装
置は、一度にモールドできるリードフレームの数が決ま
っている。一般には、金型圧力80トンのプレスを用い
た場合に、4本のリードフレームを1度にモールドする
ことができる。この数は、リードフレームの搬送機構に
より決まるため、リードフレームの長さや幅は関係しな
い。
【0006】例えば、最近樹脂部分(成形品)の外形
が、2mm角程度の小型の素子が広く用いられている
が、その組み立てには、幅が15mm程度のリードフレ
ームを使用する。このように小さなリードフレームにせ
よ、IC用の幅が50mm程度の大きなリードフレーム
にせよ、上記の80トンプレスの場合、搬送機構を大き
く改造しない限り、1度にモールドできる本数は共に4
本で、変らない。
【0007】しかしながら、上述した従来の技術では、
いずれも1本のランナからは1列のキャビティにしか樹
脂を注入できないため、小型素子をモールドする場合で
も、1個のリードフレームに対し2本の主ランナを設け
て両側から注入しても、同時注入は最大2列を越えるこ
とはなく、モールド装置の能力を十分に生かすことがで
きなかった。その結果、モールド装置の減価償却が大き
く、特に小型の素子では、組み立て工程の価格が高くな
っていた。
【0008】また、トランスファモールドでは、ランナ
部分の樹脂は固化するため再利用できないが、図4、図
5に示したように、1本のランナで1列のキャビティし
か注入できないと、樹脂の使用効率が低く、多くの樹脂
が無駄になっている。
【0009】本発明の目的は、前述した従来技術の欠点
を解消し、安価で、樹脂の使用効率を高めたリードフレ
ーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素
子の半製品を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、長さ方向に1列に並んだ複数のパターンを幅方向に
3列以上有するものである。2列目以降のパターンは、
リードフレームの幅方向の両端または片端に近い側から
見た1列目のパターンに対してリードフレームの長さ方
向にずらしてもよい。
【0011】本発明の成形金型は、上記リードフレーム
の各パターンのボンディング部をキャビティに入れてモ
ールド成形する成形用金型であって、リードフレームの
幅方向の両端または片端に配置されてリードフレームの
長さ方向に延びる1本の主ランナと、この1本の主ラン
ナからリードフレームの幅方向に延びる副ランナとを備
え、この副ランナが主ランナに近い側から見た1列目の
隣り合うキャビティに連結される副ランナと、1列目の
隣り合うキャビティの間を通して2列目または3列目以
降のキャビティに連結される副ランナとを有するもので
ある。
【0012】本発明の半導体素子の製造方法は、上記リ
ードフレームの各パターンのボンディング部をキャビテ
ィに入れてモールド成形する工程を備え、1本のランナ
から1列目のキャビティに樹脂を注入すると共に、1列
目の隣り合うキャビティの間を通して2列目または3列
目以降のキャビティにも樹脂を注入して、各キャビティ
内のボンディング部を樹脂封止するようにしたものであ
る。
【0013】本発明の半導体素子の半製品は、リードフ
レームのパターンのボンディング部をキャビティに入れ
てこのキャビティにランナから樹脂を注入して成形品を
形成し、この成形品がランナからキャビティまでの経路
を流れて固化した樹脂で未だ連結されている状態の半導
体素子の半製品において、リードフレームが、長さ方向
に1列に並んだ複数のパターンを幅方向にN列(Nは偶
数で4以上)有し、幅方向の一端に近い側のN/2列間
のパターンの位置が長さ方向に互にずれており、また幅
方向の他端に近い側のN/2列間のパターンの位置が長
さ方向に互にずれており、上記固化した樹脂が、リード
フレームの幅方向の両端にそれぞれ配置されてリードフ
レームの長さ方向に延びる1本の主ランナ中で固化した
主ランナ樹脂部と、各主ランナ樹脂部からそれぞれ分岐
してリードフレームの幅方向内方に延び、各主ランナ樹
脂部に近い側の1列目のキャビティと連通する短副ラン
ナ中で固化した短副ランナ樹脂部と、各主ランナ樹脂部
に近い側の1列目の隣り合うキャビティの間を通って2
列目または3列目以降のキャビティと連通する長副ラン
ナ中で固化した長副ランナ樹脂部とからなるものであ
る。
【0014】本発明の半導体素子の半製品は、リードフ
レームのパターンのボンディング部をキャビティに入れ
てこのキャビティにランナから樹脂を注入して成形品を
形成し、この成形品がランナからキャビティまでの経路
を流れて固化した樹脂で未だ連結されている状態の半導
体素子の半製品において、リードフレームが、長さ方向
に1列に並んだ複数のパターンを幅方向にM列(Mは自
然数で3以上)有し、固化した樹脂が、リードフレーム
の幅方向の片端に配置されてリードフレームの長さ方向
に延びる1本の主ランナ中で固化した主ランナ樹脂部
と、該主ランナ樹脂部から分岐してリードフレームの幅
方向に延びて各列の隣り合うキャビティの間を通る縦副
ランナ中で固化した縦副ランナ樹脂部と、該縦副ランナ
樹脂部から左右に分岐して各列の隣り合うキャビティと
連通する横副ランナ中で固化した横副ランナ樹脂部とか
らなるものである。
【0015】リードフレームとしては材質は問わない
が、例えば銅、42合金などがある。樹脂としては、一
般にトランスファモールドに用いられるエポキシ樹脂を
用いることができる。透明、黒色などの樹脂の種類、フ
ィラーの種類とその有無、添加剤の種類とその有無は問
わない。また、列の数は特に制限を受けない。
【0016】
【作用】リードフレームのパターンが3列以上になって
キャビティも幅方向に3列以上になると、主ランナをリ
ードフレームの両側に配置させ、そこから副ランナを分
岐させて幅方向内方に延ばしても、各列のキャビティの
位置が揃っている場合には、中間にある列のキャビティ
に樹脂を注入することができなくなる。しかし、2列目
以降のキャビティの位置をずらしたり、副ランナの先端
にキャビティを連通させるのではなく、副ランナの左右
から腕を出してキャビティに連通させるのであれば、副
ランナの設置場所次第で、中間列への樹脂注入は可能で
ある。
【0017】本発明は、上記知見にもとづいてなされた
ものであり、1列目の隣り合うキャビティの間から2列
目または3列目以降のキャビティに樹脂を注入するよう
にしたものである。1列目の隣り合うキャビティの間か
ら2列目または3列目以降のキャビティに樹脂が注入さ
れるので、1本のランナから2列以上のキャビティに樹
脂が封入でき、それによってトランスファモールドの効
率と、樹脂の使用効率が高まる。
【0018】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図1は、
パターン配列が4列のリードフレームを用いた第1実施
例を示し、リードフレームおよび成形用金型はその幅中
央を長さ方向に通る中心線に対して線対称をしている。
リードフレーム11はその長さ方向に等間隔に1列に並
んだ複数のパターン12を有し、その1列に並んだパタ
ーン12を幅方向に4列有する。パターン12は、既述
した図3と同様に、チップをマウントするダイパッド、
チップとワイヤボンドする端子19、端子間を繋いでい
るタイバー17などから主に構成される。各ダイパッド
にチップがマウントされ、チップが端子にワイヤボンド
された上で、ダイボンドおよびワイヤボンド部(以下、
ボンディング部という)のモールド加工がなされ、その
後端子から切り離されて半導体素子が形成される。
【0019】図をみると分かるようにリードフレーム1
1は、各列のパターン形状は皆同じであるが、その位置
がずれている。そのずれは、両幅端にそれぞれ近い側の
1列目の隣り合うパターン間に2列目のパターンが来る
ようになっている。具体的には、リードフレームは、幅
50mm、長さ200mmであり、このフレーム1本
に、4mmピッチで4列、194個の素子が配置される
ようになっている。
【0020】上記リードフレーム11を挟む成形金型
は、図1に示す様に、幅方向両端に配置された各1本の
主ランナ13から分岐された副ランナ16が、1列目ま
たは4列目のキャビティ14のみならず、そのずれてい
る2列目又は3列目のキャビティ14へも延びている。
より詳しくは、成形金型は、リードフレーム11の幅方
向両端に、リードフレーム11の長さ方向に延びる1対
の主ランナ13と、この両端の各主ランナ13からリー
ドフレーム11の幅方向内方にそれぞれ直角に延びる副
ランナ16とを備えている。この副ランナ16は、1列
目の隣り合うキャビティ14とゲート15経由で連結さ
れる短い副ランナ16aと、1列目の隣り合うキャビテ
ィ14の間をタイバー17上を通って2列目のキャビテ
ィ14に連結される長い副ランナ16bとを有する。
【0021】さて、上記リードフレーム11のダイパッ
ドに半導体チップを銀エポキシ樹脂でダイボンディング
し、金ワイヤを用いて端子とチップ間のワイヤボンディ
ングを行う。ボンディングを行ったリードフレーム11
を、上記成形金型で挟んだトランスファモールド装置に
セットして樹脂封止を行う。トランスファモールド装置
として金型圧力80トンの装置を用いた。樹脂は黒色エ
ポキシ樹脂である。モールド条件は、金型温度170°
C、注入速度10cm/s、硬化時間70secであ
る。ランナは、図1に示したように配置した。
【0022】可塑化した樹脂を主ランナ13から副ラン
ナ16、ゲート15を経て各列のキャビティ14に注入
し、その後冷却固化して、トランスファモールド装置か
ら取り出すと、図1に示すような、ランナ13、16で
固化した樹脂が未だキャビティ14に連結したままの状
態の半導体素子の半製品が出来上がる。この固化した樹
脂は、リードフレーム11の幅方向の両側にそれぞれ配
置されリードフレーム11の長さ方向に延びる1本の主
ランナ13中で固化した主ランナ樹脂部113と、各主
ランナ樹脂部113からそれぞれ分岐してリードフレー
ム11の幅方向内方に延び、各主ランナ樹脂部113に
近い側の1列目のキャビティ14と連通する短副ランナ
16a中で固化した短副ランナ樹脂部116aと、各主
ランナ樹脂部113に近い側の1列目の隣り合うキャビ
ティ14の間を通って2列目のキャビティ14と連通す
る長副ランナ16b中で固化した長副ランナ樹脂部11
6bとからなる。
【0023】上記実施例によると、リードフレーム11
の1列目のキャビティ14と2列目のキャビティ14と
の位置がずれているので、このリードフレーム11に合
わせたランナ13、16を有する成形金型を用いると、
1列目のキャビティ14はもちろん、1列目のキャビテ
ィ14の間から2列目のキャビティ14への長副ランナ
16bを介して樹脂を注入することができる。従って、
2本の主ランナから4列のキャビティに同時に樹脂を注
入することができる。
【0024】一般に多数個取りの金型で寸法にばらつき
のない製品を作るためには、どのキャビティも同時に充
填され、しかも同じ充填圧力がかかるようにすることが
望ましい。これはゲートバランスをとるという言葉で表
現されている。この点で、上記実施例の場合、ゲートバ
ランスをとるために、1列目と2列目とでは副ランナ1
6の長さに違いが生じる。そのため、2列目のゲート1
5の断面積を、1列目のゲート15に比べて大きくして
いる。これにより、各キャビティ14への樹脂の注入の
特性を均一化している。
【0025】上記注入工程により、トランスファモール
ド装置本体には何らの改造を加えることなく、金型の交
換のみで行うことができる。モールド後は、ゲート15
の部分で主ランナ樹脂部113、副ランナ樹脂部116
の部分と切り離しして半導体素子となる成形品を分離す
る。この工程でも、従来の技術と装置をそのまま用いる
ことができる。
【0026】図2は、パターン配列が同じく4列である
が、各列間でパターンのずれないリードフレームを用い
た第2実施例を示す。リードフレーム21は、長さ方向
に1列に並んだ複数のパターン22を幅方向に4列有す
る。各列のパターン位置は長さ方向、幅方向とも一致し
ている。寸法は実施例1と同じであり、4mmピッチで
4列、196個(第1実施例より2個多い)の素子が配
置されるようになっている。
【0027】上記リードフレーム21を挟む成形金型
は、図2に示す様に、リードフレーム21の長さ方向に
延びる1本の主ランナ23と、この1本の主ランナ23
からリードフレーム21の幅方向に分岐して各列のキャ
ビティ24にゲート25経由で連結される副ランナ26
とを備える。副ランナ26は隣り合うキャビティ24間
のタイバー27上を通ってリードフレーム21を横断す
る縦副ランナ26aと、その縦副ランナ26aから更に
各列でリードフレーム21の長さ方向両側に分岐して縦
副ランナ26aの両側にある各列の隣り合うキャビティ
に連結される横副ランナ26bとを有する。なお、ゲー
トバランスをとるために、1列目のゲート25の断面積
に対して、2列目、3列目、4列目のゲート25の断面
積を順次大きくしている。
【0028】実施例1と同様にして、可塑化した樹脂を
主ランナ23から副ランナ26、ゲート25を経てキャ
ビティ24に注入し、その後冷却固化して、トランスフ
ァモールド装置から取り出すと、図2に示すような、ラ
ンナ23、26で固化した樹脂が未だキャビティ24に
連結したままの状態の半導体素子の半製品が出来上が
る。この固化した樹脂は、リードフレーム21の幅方向
の片側に配置されリードフレーム21の長さ方向に延び
る1本の主ランナ23中で固化した主ランナ樹脂部12
3と、主ランナ樹脂部123から分岐してリードフレー
ム21の幅方向に延び、各列の隣り合うキャビティ24
の間を通る縦副ランナ26a中で固化した縦副ランナ樹
脂部126aと、該縦副ランナ樹脂部126aから左右
に分岐して各列の隣り合うキャビティ24と連通する横
副ランナ26b中で固化した横副ランナ樹脂部126b
とからなる。
【0029】上記実施例では、各列のキャビティ間のタ
イバーの上に設けた副ランナに各キャビティを連通する
ようにしたので、1本の主ランナ23から4列のキャビ
ティ24に同時に樹脂を注入することができる。
【0030】以上述べたように両実施例によれば、リー
ドフレームに4列パターンを導入したので、リードフレ
ームへの半導体チップのボンディング工程において、多
数個の並列処理が行えるため、ボンディング処理能力
を、図4の約4倍、図5の約2倍程度まで高めることが
できる。また、1列目のパターン間から2列目以降のパ
ターンに延びる副ランナをもつ4列パターンに対応した
成形用金型を使用したので、従来と同様のモールド装置
を使用した場合でも、図3に示した場合の4倍、図4に
示した場合の2倍の効率で樹脂封止を行うことができ
る。従って、トランスファモールド工程の製造能力を、
2倍以上に高めることができるため、半導体素子の製造
工程の原価を大幅に低減できる。
【0031】また、1本のランナで2列ないし4列のキ
ャビティに樹脂を注入できるので、素子1個当たりの樹
脂の使用量を1/2以下にすることができる。さらに、
パターンを4列構成とすると、1列または2列構成の従
来のものに比べて、タイバーの共用部分が増えるので、
素子1個に対するタイバーの使用量も少なく、リードフ
レーム材の使用量を低減できる。
【0032】なお、本発明のランナ配置または形状は上
記両実施例に限定されるものではなく、実に多くの変形
が可能であるが、要するに1列目の隣り合うキャビティ
の間を通して2列目または3列目以降のキャビティに樹
脂を注入できるようなランナ配置または形状になってい
れば、いずれでもよい。
【0033】
【発明の効果】(1)請求項1または2に記載のリード
フレームによれば、それまで2列であったパターンを3
列以上のパターンとしたので、半導体チップのボンディ
ングの並列処理個数が増え、ボンディング処理能力を高
めることが出来る。また、従来技術に比べて、素子1個
に対するタイバー部分の使用量が少なく、リードフレー
ム材の使用量を低減できる。
【0034】(2)請求項3に記載の成形金型によれ
ば、1列目の隣り合うキャビティの間を通して2列目ま
たは3列目以降のキャビティに連通される副ランナを設
けたので、1本のランナで2列以上のキャビティに樹脂
を注入でき、トランスファモールド工程の製造能力を高
めることができるため、素子の製造工程の原価を低減で
きる。
【0035】(2)請求項4ないし6に記載の成形用金
型によれば、1本のランナから1列目の隣り合うキャビ
ティの間を通して2列目または3列目以降のキャビティ
にも樹脂を注入するようにしたので、従来と同様のモー
ルド装置を使用した場合でも、従来以上の効率で樹脂封
止を行うことができる。また、素子1個当たりの樹脂の
使用量を従来以下とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例によるパターンずれのある
4列方式のモールド工程の概略図。
【図2】本発明の第2実施例によるパターンずれのない
4列方式のモールド工程の概略図。
【図3】従来例によるリードフレームの平面図。
【図4】従来例による1列方式のモールド工程の概略
図。
【図5】従来例による2列方式のモールド工程の概略
図。
【符号の説明】 11 リードフレーム 12 パターン 13 主ランナ 14 キャビティ 15 ゲート 16 副ランナ 16a 短副ランナ 16b 長副ランナ 17 タイバー 113 主ランナ樹脂部 116a 短副ランナ樹脂部 116b 長副ランナ樹脂部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B29L 31:34 4F

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】長さ方向に1列に並んだ複数のパターンを
    幅方向に3列以上有することを特徴とするリードフレー
    ム。
  2. 【請求項2】請求項1に記載のリードフレームにおい
    て、リードフレームの幅方向の両端または片端に近い側
    から見た1列目のパターンに対して2列目または3列目
    以降のパターンがリードフレームの長さ方向にずれてい
    ることを特徴とするリードフレーム。
  3. 【請求項3】請求項1または2に記載のリードフレーム
    の各パターンのボンディング部をキャビティに入れてモ
    ールド成形する成形用金型であって、リードフレームの
    幅方向の両端または片端に配置されてリードフレームの
    長さ方向に延びる1本の主ランナと、該1本の主ランナ
    からリードフレームの幅方向に延びる副ランナとを備
    え、該副ランナが主ランナに近い側から見た1列目の隣
    り合うキャビティに連結される副ランナと、1列目の隣
    り合うキャビティの間を通して2列目または3列目以降
    のキャビティに連結される副ランナとを有することを特
    徴とする成形用金型。
  4. 【請求項4】請求項1または2に記載のリードフレーム
    の各パターンのボンディング部をキャビティに入れてモ
    ールド成形する工程を備え、1本のランナから1列目の
    キャビティに樹脂を注入すると共に、1列目の隣り合う
    キャビティの間を通して2列目または3列目以降のキャ
    ビティにも樹脂を注入して、各キャビティ内のボンディ
    ング部を樹脂封止するようにしたことを特徴とする半導
    体素子の製造方法。
  5. 【請求項5】リードフレームのパターンのボンディング
    部をキャビティに入れてこのキャビティにランナから樹
    脂を注入して成形品を形成し、この成形品がランナから
    キャビティまでの経路を流れて固化した樹脂で未だ連結
    されている状態の半導体素子の半製品において、上記リ
    ードフレームが、長さ方向に1列に並んだ複数のパター
    ンを幅方向にN列(Nは偶数で4以上)有し、幅方向の
    一端に近い側のN/2列間のパターンの位置が長さ方向
    に互にずれており、また幅方向の他端に近い側のN/2
    列間のパターンの位置が長さ方向に互にずれており、上
    記固化した樹脂が、リードフレームの幅方向の両端にそ
    れぞれ配置されてリードフレームの長さ方向に延びる1
    本の主ランナ中で固化した主ランナ樹脂部と、各主ラン
    ナ樹脂部からそれぞれ分岐してリードフレームの幅方向
    内方に延び、各主ランナ樹脂部に近い側の1列目のキャ
    ビティと連通する短副ランナ中で固化した短副ランナ樹
    脂部と、各主ランナ樹脂部に近い側の1列目の隣り合う
    キャビティの間を通って2列目または3列目以降のキャ
    ビティと連通する長副ランナ中で固化した長副ランナ樹
    脂部とからなることを特徴とする半導体素子の半製品。
  6. 【請求項6】リードフレームのパターンのボンディング
    部をキャビティに入れてこのキャビティにランナから樹
    脂を注入して成形品を形成し、この成形品がランナから
    キャビティまでの経路を流れて固化した樹脂で未だ連結
    されている状態の半導体素子の半製品において、上記リ
    ードフレームが、長さ方向に1列に並んだ複数のパター
    ンを幅方向にM列(Mは自然数で3以上)有し、上記固
    化した樹脂が、リードフレームの幅方向の片端に配置さ
    れてリードフレームの長さ方向に延びる1本の主ランナ
    中で固化した主ランナ樹脂部と、該主ランナ樹脂部から
    分岐してリードフレームの幅方向に延びて各列の隣り合
    うキャビティの間を通る縦副ランナ中で固化した縦副ラ
    ンナ樹脂部と、該縦副ランナ樹脂部から左右に分岐して
    各列の隣り合うキャビティと連通する横副ランナ中で固
    化した横副ランナ樹脂部とからなることを特徴とする半
    導体素子の半製品。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007196587A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Nitto Denko Corp 金型再生用シート
JP2007196586A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Nitto Denko Corp 金型再生用シート
JP2008049595A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板とそれを用いた半導体装置およびその製造方法
JP2008132759A (ja) * 2006-10-23 2008-06-12 Nitto Denko Corp 金型再生用シート
JP2008143144A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Nitto Denko Corp 金型再生用シート
JP2017059846A (ja) * 2016-11-24 2017-03-23 三菱電機株式会社 パワーモジュールの製造方法
CN107039388A (zh) * 2013-12-02 2017-08-11 三菱电机株式会社 功率模块的制造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007196587A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Nitto Denko Corp 金型再生用シート
JP2007196586A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Nitto Denko Corp 金型再生用シート
JP2008049595A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板とそれを用いた半導体装置およびその製造方法
JP2008132759A (ja) * 2006-10-23 2008-06-12 Nitto Denko Corp 金型再生用シート
JP2008143144A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Nitto Denko Corp 金型再生用シート
CN107039388A (zh) * 2013-12-02 2017-08-11 三菱电机株式会社 功率模块的制造方法
US10332869B2 (en) 2013-12-02 2019-06-25 Mitsubishi Electric Corporation Method for manufacturing power module
JP2017059846A (ja) * 2016-11-24 2017-03-23 三菱電機株式会社 パワーモジュールの製造方法

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