JP2019046989A

JP2019046989A - 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法

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Publication number: JP2019046989A
Application number: JP2017169204A
Authority: JP
Inventors: 大久保　努; Tsutomu Okubo; 努大久保
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 2017-09-04
Filing date: 2017-09-04
Publication date: 2019-03-22
Also published as: CN109427945B; CN109427945A; US10418532B2; TWI789419B; US20190074415A1; TW201921735A

Abstract

【課題】光度の調整が容易な半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光装置１０は、基板１１と、基板１１上に載置されている発光素子１５と、発光素子１５を覆うように基板１１上に設けられている樹脂体２３と、を有する。樹脂体２３は、基板１１側に偏在しており且つレーザー回折散乱式粒度分布測定法による体積基準粒度分布における平均粒径が１μｍ以上５０μｍ以下の無機顔料粒子を有する。【選択図】図２

Description

本発明は、特に発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体素子を有する半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法に関する。

近年、発光素子の高光度化が進んでいる。一方で、発光素子は、インジケータ用途など、低光度のものも必要とされている。そこで、高光度の発光素子の光度を調整することで、低光度の発光装置を提供することが行われている。

例えば、特許文献１には、蛍光粒子を混入した被覆部材に減光材として黒色系顔料を混入して輝度のばらつきを調整した白色発光装置が開示されている。

特開２００４−１２８４２４号公報

特許文献１に記載の発光装置のように、被覆部材に蛍光粒子と共に混入する黒色系顔料の量を調整することにより光度を制御しようとした場合、顔料の混入割合の変化に対する光度の変化が大きく、光度を制御することが困難である。

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、光度の調整が容易な半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法を提供することを目的としている。

上述した目的を達成するため、本発明の半導体発光装置は、基板と、前記基板上に載置されている発光素子と、前記発光素子を覆うように前記基板上に設けられている樹脂層と、を有し、前記樹脂層は、前記基板側に偏在しており且つレーザー回折散乱式粒度分布測定法による体積基準粒度分布における平均粒径が１μｍ以上５０μｍ以下の無機顔料粒子を有することを特徴としている。

また、本発明の半導体発光装置の製造方法は、基板上に発光素子を載置する工程と、少なくとも無機顔料粒子を成分として含む樹脂原料で前記発光素子を覆うようにポッティングする工程と、前記無機顔料粒子を前記基板側に沈降させる工程と、前記樹脂原料を硬化する工程と、を含むことを特徴としている。

さらに、本発明の半導体発光装置の製造方法は、基板上に発光素子を載置する工程と、無機顔料粒子と樹脂とを少なくとも含む第１の樹脂原料を、前記発光素子を包含する大きさの第１の凹部を有する第１の型に入れる工程と、前記第１の型を前記基板上に載置する工程と、前記無機顔料粒子が前記基板側に沈降した後に前記第１の樹脂原料を硬化する工程と、樹脂を少なくとも含む第２の樹脂原料を、前記発光素子を包含し且つ第１の凹部を包含する大きさの第２の凹部を有する第２の型に入れる工程と、前記第１の樹脂原料を覆うように前記基板上に前記第２の型を載置する工程と、前記第２の樹脂原料を硬化する工程と、を含むことを特徴としている。

実施例１に係る半導体発光装置の上面図である。図１のＡ−Ａ線断面図である。実施例１に係る半導体発光装置の製造工程を示すフロー図である。実施例１及び比較例１の比較試験の結果を示すグラフである。実施例１及び比較例１の比較試験の結果を示すグラフである。実施例２に係る半導体発光装置の断面図である。

以下に本発明の好適な実施例を詳細に説明する。尚、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。

図１は、実施例１に係る半導体発光装置１０の上面を示している。図１及び図２に示すように、基板としてのパッケージ基板１１（搭載基板）は、例えばガラスエポキシ基板である。尚、パッケージ基板１１には、ガラスシリコーン基板、又はアルミナやＡｌＮなどのセラミック材料からなる基板を用いることもできる。パッケージ基板１１の表面には、Ｃｕ等の導体を当該表面にメッキ等することで形成された接続電極１３が設けられている。

接続電極１３は、ｐ接続電極層１３ａ及びｎ接続電極層１３ｂを含んでいる。接続電極層１３a及び１３ｂは、パッケージ基板１１の一方の主面（上面）から側面を通り他方の主面（下面）まで延在するように形成されている。ｐ接続電極層１３ａとｎ接続電極層１３ｂとは、パッケージ基板１１の表面上において互いに離間して形成されることによって、絶縁されている。

パッケージ基板１１の一方の主面（上面）側に形成されているｎ接続電極層１３ｂ上には、発光素子１５が搭載されている。発光素子１５は、平面形状がパッケージ基板１１よりも小さい。従って、パッケージ基板１１上面において、パッケージ基板、ｐ接続電極層１３a及びｎ接続電極層１３ｂの上面は、発光素子１５の周囲において発光素子１５から露出している。尚、以下においてパッケージ基板１１の上面と同じ方向を向く面を、上面として説明する。さらに、上面と反対の方向を向く面を、下面とする。また、パッケージ基板１１の上面が向いている方向を上方、その反対方向を下方として説明する。

発光素子１５は、素子基板１７と素子基板１７上面に搭載されている半導体構造層１９からなる。素子基板１７は、ＳｉＣ等の導電性を有し、且つ半導体構造層１９からの出射光に対して透光性を有する透光性基板で形成されている。素子基板１７は、ｎ接続電極層１３ｂ上に、例えばＡｇペーストなどの導電性のダイアタッチ剤（図示せず）などを用いて固定されている。すなわち、素子基板１７とｎ接続電極層１３ｂとが電気的に接続されている。

半導体構造層１９は、例えば発光層を含むＩｎＧａＮ系半導体層を素子基板１７上に積層あるいは接合することにより形成されている。半導体構造層１９は、半導体材料をエピタキシャル成長などにより結晶成長させることによって積層されている。半導体構造層１９の発光層からは、例えば波長約４５０ｎｍの青色光が出射される。

半導体構造層１９の上面には、上面電極２０が設けられている。上面電極２０は、Ａｕ等の導電性を有する材料で形成されている。上面電極２０とｐ接続電極層１３ａとが、Ａｕ等の導電ワイヤ２１を用いてワイヤボンディングにより接続されている。

樹脂体２３は、発光素子１５の上面において発光素子１５を埋設するように形成されている。すなわち、樹脂体２３は、発光素子１５の上面及び側面を覆うように形成されている。樹脂体２３は、例えば、シリコーン系、エポキシ系、アクリル系などの樹脂を主成分としている。

樹脂体２３は、無機顔料粒子２３ａと、蛍光体粒子２３ｂと、光散乱材２３ｃを含有している。無機顔料粒子２３ａは、樹脂体２３においてパッケージ基板１１側に偏在している。具体的には、無機顔料粒子２３ａの分布は、発光素子１５の高さと略同等の位置まで最も濃度が高くなっており、上方に向かうにつれて濃度が徐々に低くなるようになっている。

無機顔料粒子２３ａは、チタンを主成分とする黒色系無機顔料である。チタンを主成分とする黒色系無機顔料としては、酸化チタンを還元処理した無機顔料が挙げられる。

無機顔料粒子２３ａは、樹脂体２３を構成する樹脂よりも比重が重い方がよい。例えば、チタン以外の元素であって、比重が重い無機顔料粒子２３ａとしては、酸化鉄系の顔料が挙げられる。酸化鉄系の顔料としては、四酸化鉄等が挙げられる。また、無機顔料粒子２３ａは、絶縁物もしくは表面処理により粒子表面が絶縁化されたものであってもよい。更に、無機顔料粒子２３ａは、金属原子を含まないものでもよく、例えば、カーボンブラックであってよい。

尚、無機顔料粒子２３ａを樹脂体２３中で偏在させるために、樹脂体２３の樹脂原料中で発生する浮力の影響を受け難い形状を有するとよい。例えば、無機顔料粒子２３ａの形状は、平板のように樹脂体２３の浮力の影響を受けやすい形状よりも、球状のように浮力の影響を受け難い形状の方が好ましい。

さらに無機顔料粒子２３ａは、単体で構成されたものでなくてもよく、例えば、ガラスや樹脂などをコア材とし、このコア材の表面を覆うように無機顔料粒子２３ａをコーティングしたものであってもよい。尚、無機顔料粒子２３ａは、黒色以外のものであってもよい。この場合の明度（Ｌ値）は、５０以下であることが好ましく、更には３０以下であることがより好ましい。

無機顔料粒子２３ａは、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による体積基準粒度分布における平均粒径が１μｍ以上５０μｍ以下である。

無機顔料粒子２３ａの平均粒径を５０μｍ以下とすることで、無機顔料粒子２３ａ間に形成される空隙から発光素子１５から出射された光が抜けすぎることを回避できるためである。また、無機顔料粒子２３ａの平均粒径が１μｍ未満であると、樹脂体２３中に分散して沈降しにくくなるためである。

ところで、樹脂体２３は、例えば液状の樹脂と無機顔料粒子２３ａの混合液を発光素子１５の上面に滴下（ポッティング）等をすることにより形成することができる。従って、無機顔料粒子２３ａの平均粒径は、樹脂体２３の原料である樹脂原料をポッティングする際のノズル径に応じて調整するとよい。一例として、平均粒径は、好ましくは、１０μｍ以上３０μｍ以下にするとよく、さらに好ましくは、１０μｍ以上２０μｍ以下にするとよい。

蛍光体粒子２３ｂは、樹脂体２３の下側に沈降していても、樹脂体２３中に分散していても構わない。光散乱剤２３ｃは、光散乱の効果を得られるように、樹脂体２３中で分散した状態を維持できるよう粒径の小さなもの、例えば平均粒径が１０μｍ未満のものを選定することが好ましい。

蛍光体粒子２３ｂには、例えば青色光によって励起されて黄色蛍光を出射するＣｅ附活イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）、Ｃｅ附活テルビウム・アルミニウム・ガーネット（ＴＡＧ：Ｃｅ）、オルトシリケート蛍光体（（ＢａＳｒＣａ）ＳｉＯ₄、他）、αサイアロン蛍光体（Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕなど）などの蛍光体粒子２３ｂを用いる。

本実施例において発光素子１５からの出射光は、青色光である。また、樹脂体２３には、黄色発光のシリケート蛍光体粒子２３ｂが含まれている。当該シリケート蛍光体粒子２３ｂは、青色光によって励起され、青の補色となる黄色に発光するため、青色光と黄色光の加法混色によって、光出射面２８から出射する光を白色光とすることができる。

光散乱材２３ｃは、例えばＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、Ａｌ₂Ｏ₃等からなる光散乱性粒子である。尚、蛍光体粒子２３ｂと光散乱材２３ｃとは、いずれか一方が樹脂体２３に含まれているようにしてもよい。また、蛍光体粒子２３ｂと光散乱材２３ｃとの両方が樹脂体２３に含有されないようにしてもよい。

また、無機顔料粒子２３ａが含まれかつ、蛍光体粒子２３ｂと光散乱剤２３ｃのいずれか一方が含まれている樹脂体２３を覆うように、蛍光体粒子２３ｂと光散乱剤２３ｃのいずれか他方が含まれる他の樹脂層が形成されていてもよい。

リフレクタ２５は、パッケージ基板１１の上面に、例えばエポキシ樹脂等からなる接着材によって固定することで設けられた柱状の枠体である。リフレクタ２５は、シリコーン樹脂等の樹脂材内に光散乱材２３ｃを分散させたいわゆる白樹脂と称される材料からなっている。リフレクタ２５は、貫通孔２５Ａを有し、貫通孔２５Ａは、パッケージ基板１１の上面から離間する方向に広がる逆円錐台形状を有している。

パッケージ基板１１上において発光素子１５は貫通孔２５Ａの内壁面（内側面）によって囲まれている。換言すれば、リフレクタ２５は、発光素子１５を囲む枠体である。パッケージ基板１１上面と、リフレクタ２５の貫通孔２５Ａの内壁面によって、逆円錐台形（すり鉢）状のキャビティ２６が形成されている。すなわち、リフレクタ２５は、パッケージ基板１１と共にキャビティ２６を形成しており、すり鉢状のキャビティ２６の底面において発光素子１５が収容されている。

このような構造の故に、発光素子１５から出射された光は、リフレクタ２５の内壁面によって反射されて、上方に向かう。すなわち、リフレクタ２５の内壁面は、発光素子１５からの出射光を反射する反射面となっている。

リフレクタ２５を形成する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、又はポリアミド系樹脂等を用いることができる。また、光散乱材２３ｃとしては、ＴｉＯ₂、ＢＮ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＢａＳＯ₄、ＳｉＯ₂などの白色顔料粒子を用いることができる。

発光素子１５及び導電ワイヤ２１は、樹脂体２３によってキャビティ２６内に埋設されている。樹脂体２３の上面は、半導体発光装置１０の光出射面２８となっている。

本実施例では、リフレクタ２５、接続電極１３、及びパッケージ基板１１が別体として形成された例について説明している。しかし、樹脂製のリフレクタ２５及びパッケージ基板１１に金属製の接続電極１３をインサート成形することによりこれらを一体的に（一体型として）形成したＰＬＣＣ（Plastic leaded chip carrier）タイプのパッケージとすることもできる。ＰＬＣＣタイプのパッケージとする場合には、パッケージ基板１１及びリフレクタ２５の材料に、例えばポリアミド系樹脂を用いることができる。

半導体構造層１９の上面及び側面から出射した光は、樹脂体２３に進入する。樹脂体２３に進入した光のうち、一定の割合の光は無機顔料粒子２３ａによって吸収される。これによって、半導体構造層１９の上面及び側面からの出射光は、減衰し、光度調整がなされる。

半導体発光装置１０の光出射面２８からの出射光は、樹脂体２３を通過して減衰した光及び樹脂体２３を介さずに素子基板１７の側面から出射した光からなる。光出射面２８からの出射光の光度（強度）は、樹脂体２３中の無機顔料粒子２３ａの含有濃度を変化させて樹脂体２３を通過する光の減衰率を変化させることによって制御が可能である。

また、発光素子１５からの出射光は、樹脂体２３内に含まれる光散乱材２３ｃまたは蛍光体粒子２３ｂにより散乱された後に光出射面２８から出射される。これにより、光出射面２８において、輝度が均一化された出射光を得ることができる。

以上で説明した半導体発光装置の製造方法について図３を参照して説明する。

素子基板１７をパッケージ基板１１に固定した後、上面電極２０及びｐ接続電極層１３ａ間をワイヤボンディングによって接続して、パッケージ基板１１上に発光素子１５を載置する（ステップＳ１１）。

液状の樹脂に無機顔料粒子２３ａ、蛍光体粒子２３ｂ、及び光散乱材２３ｃを混合し、樹脂原料を作成し、作成した樹脂原料で発光素子１５を覆うようにポッティングする（ステップＳ１２）。

樹脂原料に含有されている無機顔料粒子２３ａをパッケージ基板１１側に沈降させる（ステップＳ１３）。

尚、本工程において、樹脂原料を加熱することにより、樹脂原料の粘度を下げて無機顔料粒子２３ａが重力沈降しやすくしてもよい。

他の無機顔料粒子２３ａをパッケージ基板１１側に沈降させる方法としては、遠心力を用いることができる。例えば、遠心分離機のような遠心力を発生させる装置にパッケージ基板１１を搭載し、ポッティング後に遠心力を発生させて無機顔料粒子を沈降させてもよい。

また、無機顔料粒子に磁性を有するものを用いた場合、磁力によってパッケージ基板１１側に無機顔料粒子２３ａを引き寄せるようにしてもよい。

樹脂原料が硬化する温度まで加温し、硬化反応を行うことで、樹脂原料を硬化する（ステップＳ１４）。

［比較評価］
実施例１の半導体発光装置１０の光度調整の容易性に関して、比較例１の発光装置を用いて比較評価を行った。

実施例１及び比較例１の共通の構成について表１に示す。

（パッケージ）
ＰＬＣＣタイプのパッケージを用いた。パッケージの外形は、２．２ｍｍ×１．７ｍｍ×ｔ０．８ｍｍのものを使用した。キャビティの形状は、１．８ｍｍ×１．１ｍｍ×ｔ０．５ｍｍのものを使用した。

（発光素子）
出射光の主波長が４５０ｎｍ〜４６０ｎｍであるＩｎＧａＮの発光素子を用いた。発光素子１５の外形は、０．３４ｍｍ×０．２０×ｔ０．１２ｍｍである。

（樹脂体）
樹脂体２３に用いられる樹脂はジメチル系シリコーンを使用した。蛍光体粒子２３ｂはオルトシリケートを用いた。蛍光体粒子２３ｂの発光色は黄色である。蛍光体粒子２３ｂの平均粒径は１２μｍである。蛍光体粒子２３ｂの樹脂体２３中における濃度は１２〜２５ｗｔ％である。尚、樹脂体２３には、光散乱材２３ｃは含有されていない。

（比較例１の無機顔料粒子の組成）
比較例１の無機顔料粒子２３ａについて表２に示す。

無機顔料粒子２３ａは黒色系酸化チタンを用いた。この黒色系酸化チタンの色調は、Ｌ値２５．０８、ａ値−４．６２、ｂ値１．１０である。粒径は２１．８μｍである。形状は板状である。

（実施例１の無機顔料粒子の組成）
実施例１の無機顔料粒子２３ａについて表３に示す。

無機顔料粒子２３ａは黒色系酸化チタンを用いた。この黒色系酸化チタンの色調は、Ｌ値１５．４９、ａ値７．５９、ｂ値−１６．４４である。粒径は２２．１μｍである。形状は粒状である。

（比較評価試験）
比較評価においては、実施例１と比較例１の発光装置に同量の順方向電流を流し、光出射面２８から出射される出射光の光度の評価を行った。具体的には、実施例１の樹脂体２３及び比較例の樹脂体２３のそれぞれに含有させる無機顔料粒子２３ａの濃度と、相対光度の相関について比較評価を行った。尚、本実験において、無機顔料粒子２３ａの濃度は、樹脂原料中の質量パーセント濃度とする。また、相対光度は、無機顔料粒子２３ａを添加しない場合を１００％としたときの値である。

図４のグラフは、実施例１と比較例の半導体発光装置について、無機顔料粒子２３ａの濃度に対する相対光度の比較評価を行った結果である。図４のグラフにおいて、横軸は無機顔料粒子濃度、縦軸は相対光度を示している。

図４に示すように、比較例の半導体発光装置においては、無機顔料粒子２３ａの濃度が０ｗｔ％から１ｗｔ％まで上昇すると、相対光度が１００％から９．７％まで降下した。

これに対して、実施例１の半導体発光装置１０では、無機顔料粒子２３ａの濃度が０ｗｔ％から１０ｗｔ％まで上昇すると、相対光度が１００％から６．１％まで降下した。従って、比較例の場合と比較して無機顔料粒子２３ａの含有量が上昇するにつれて相対光度が緩やかに低下する。このように、比較例の半導体発光装置よりも、実施例１の半導体発光装置１０の方が無機顔料粒子２３ａ濃度による光度の制御が容易であるといえる。

図５のグラフは、実施例１と比較例の半導体発光装置について、相対光度に対する半値角の比較評価を行った結果である。

図５に示すように、比較例は、相対光度の減少に伴って略比例的に半値角も減少する。具体的には、相対光度が１００％のときは半値角が１２０度である。相対光度１０％のときの半値角は９９度である。

これに対して実施例は、比較例と同様に相対光度の減少に伴って略比例的に半値角も減少する。しかし、その傾きは比較例と比較して緩やかである。具体的には、相対光度が１００％のときは半値角が１２０度である。相対光度１０％のときの半値角は１１０度である。

このように、比較例の半導体発光装置よりも、実施例１の半導体発光装置１０の方が無機顔料粒子２３ａ濃度による半値角に与える影響が少ないものであるといえる。

本発明の半導体発光装置１０の樹脂体２３に含有されている無機顔料粒子の平均粒径は、１μｍ〜５０μｍである。これに対して、従来の樹脂体２３に含有されている無機顔料粒子の平均粒径は大きくても１００ｎｍ程度である。従って、本発明の半導体発光装置１０の樹脂体２３に含有されている無機顔料粒子は、従来の無機顔料粒子の平均粒径よりも大きい。すなわち、本発明に含有されている無機顔料粒子が光を吸収する表面積に差が現れる。このため、同じ濃度の無機顔料粒子を樹脂体２３に含有させても光度の調整がしやすくなる。

また、本発明の無機顔料粒子は、樹脂体２３においてパッケージ基板１１側に偏在している。すなわち、パッケージ基板１１の主面に対して角度を有する斜め方向に出射される光（主面に対して水平方向及び垂直方向を除いた光）を吸収する無機顔料粒子の相対数が減少することになる。従って、主面に対して垂直方向以外に出射される光の光量を維持することが可能となり、半値角が比較例よりも高い値となる。この結果、本発明の半導体発光装置１０は、広角に亘って安定した品質の出射光を出射することができる。

この結果、光出射面２８からの出射光の光度に関して、半導体発光装置１０の個体間の安定化が容易となる。すなわち、同光度の半導体発光装置を歩留まり良く生産することが容易となる。

また、本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、樹脂体２３を形成する工程において、無機顔料粒子をパッケージ基板１１側に偏在するように配置することが可能である。このため、新たな製造設備や製造工程を増加させることなく１工程で行うことが可能である。

図６は、実施例２に係る半導体発光装置の断面を示している。実施例１に係る半導体発光装置と同一の構成については、同一符号を付して説明を省略する。

樹脂層２３は、発光素子１５と接して設けられている第１の樹脂層２３ｄと、第１の樹脂層２３ｄを覆うように設けられている第２の樹脂層２３ｅと、を有している。

第１の樹脂層２３ｄは、発光素子１５を覆うように設けられている。具体的には、発光素子１５の上面及び側面を覆うように設けられている。また、導電ワイヤ２１も第１の樹脂層２３ｄによって封止されている。第１の樹脂層２３ｄは、主成分となるシリコーン樹脂等の樹脂と無機顔料粒子２３ａとが含有されている層である。

第２の樹脂層２３ｅは、第１の樹脂層２３ｄの上面を覆うように形成されている。第２の樹脂層２３ｅは、主成分となるシリコーン樹脂等の樹脂と、蛍光体粒子２３ｂと、光散乱材２３ｃと、が含有されているが、無機顔料粒子２３ａは含有されていない。従って、無機顔料粒子２３ａは、第１の樹脂層のみに含有されている。

尚、図６の第２の樹脂層２３ｅは、蛍光体粒子２３ｂと光散乱材２３ｃとが含有されているが、いずれも第２の樹脂層２３ｅに含有されていなくてもよいし、いずれか一方が第２の樹脂層２３ｅに含有されていてもよい。

１０半導体発光装置
１１パッケージ基板
１５発光素子
２３樹脂体
２３ａ無機顔料粒子
２３ｂ蛍光体粒子
２３ｃ光散乱材
２３ｄ第１の樹脂層
２３ｅ第２の樹脂層

Claims

基板と、
前記基板上に載置されている発光素子と、
前記発光素子を覆うように前記基板上に設けられている樹脂層と、を有し、
前記樹脂層は、前記基板側に偏在しており且つレーザー回折散乱式粒度分布測定法による体積基準粒度分布における平均粒径が１μｍ以上５０μｍ以下の無機顔料粒子を有することを特徴とする半導体発光装置。
前記樹脂層は、蛍光体及び光散乱材のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
前記樹脂層は、前記発光素子と接して設けられている第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層を覆うように設けられている第２の樹脂層と、を有し、
前記無機顔料粒子は、前記第１の樹脂層のみに含有されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
前記樹脂層は、蛍光体及び光散乱材のうち少なくとも一方を含み、
前記蛍光体及び光散乱材のうち前記少なくとも一方は、前記第２の樹脂層のみに含有されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光装置。
前記無機顔料粒子は、主成分としてチタンを含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体発光装置。
基板上に発光素子を載置する工程と、
少なくとも無機顔料粒子を成分として含む樹脂原料で前記発光素子を覆うようにポッティングする工程と、
前記無機顔料粒子を前記基板側に沈降させる工程と、
前記樹脂原料を硬化する工程と、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。