JP2011134742A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 薄型で小型の側面発光可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光装置の製造方法は、支持基板上に、鍍金層からなる導電部材を、複数個形成する第１の工程と、底面と側壁とを有する複数の凹部が設けられる光反射樹脂からなる基体を、各凹部の底面を中央で２分割したうちの一方の領域に、少なくとも一対の導電部材が露出するように形成する第２の工程と、凹部の各底面に発光素子を載置し、発光素子を被覆するよう凹部内に封止部材を設ける第３の工程と、支持基板を、基体及び導電部材から剥離する第４の工程と、基体及び封止部材を凹部の略中央で切断し、少なくとも一対の導電部材と発光素子とを有する第１の部位と、他方の第２の部位とに切断する第５の工程と、第１の部位の上面側に、第２の部位の上面側を接着する第６の工程と、を有することを特徴とする。これにより、薄型の発光装置とすることができる。
【選択図】 図１Ｄ

Description

本発明は、液晶ディスプレイのバックライト光源などに利用可能な発光装置の製造方法に関し、特に、薄型／小型タイプの側面発光型の発光装置の製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化・軽量化に伴い、それらに搭載される発光装置（発光ダイオード）も小型化されたものが種々開発されている。これらの発光装置は、例えば、絶縁基板の両面にそれぞれ形成された一対の金属導体パターンが形成された両面スルーホールプリント基板上に発光素子や受光素子などの光半導体素子を載置し、ワイヤなどを用いて金属導体パターンと光半導体素子とを電気的に導通させるような構造を有している。

しかしながら、このような発光装置は、両面スルーホールプリント基板を使用することが必須条件であり、この両面スルーホールプリント基板が少なくとも０．１ｍｍ程度以上の厚みがあり、この上に、枠体を設けるなどにより更に厚みが増すため、表面実装型光半導体装置の徹底した薄型化を阻害する要因となっている。そのため、このようなプリント基板を使用しない構造の光半導体装置が開発されている（例えば特許文献１）。

特開２００５−７９３２９号公報

特許文献１に開示されている発光装置は、基板に蒸着などによって薄い金属膜を形成し、これを電極とし、発光素子とともに透光性樹脂等の封止樹脂で被覆することで、従来の表面実装型の発光装置に比べて薄型化が可能となっている。

しかしながら、透光性樹脂のみを用いているため、光が発光素子から下面方向に抜けてしまい、光の取り出し効率が低下しやすい。擂鉢状の金属膜を設けて光を反射させるような構造も開示されているが、このような金属膜を設けるには基板に凹凸を設ける必要がある。そうすると、発光装置が小型化されているためこの凹凸も極めて微細なものになり、加工が困難になるだけでなく、凹凸構造により基板の剥離時に破損しやすくなるなどの問題が生じやすい。

課題を解決するための手段及び発明の効果

以上の課題を解決するため、本発明の発光装置の製造方法は、支持基板上に、鍍金層からなる導電部材を、複数個形成する第１の工程と、底面と側壁とを有する複数の凹部が設けられる光反射樹脂からなる基体を、各凹部の底面を中央で２分割したうちの一方の領域に、少なくとも一対の導電部材が露出するように形成する第２の工程と、凹部の各底面に発光素子を載置し、発光素子を被覆するよう凹部内に封止部材を設ける第３の工程と、支持基板を、基体及び導電部材から剥離する第４の工程と、基体及び封止部材を凹部の略中央で切断し、少なくとも一対の導電部材と発光素子とを有する第１の部位と、他方の第２の部位とに切断する第５の工程と、第１の部位の上面側に、第２の部位の上面側を接着する第６の工程と、を有することを特徴とする。これにより、薄型で小型の側面発光可能な発光装置を容易に得ることができる。

本発明の請求項２に記載の発光装置の製造方法は、第５の工程は、基体の底面に対して略垂直に切断するのが好ましい。

本発明の請求項３に記載の発光装置の製造方法は、封止部材は、第６の工程での接着時において粘着性が４〜４０（Ｐａ・ｓ）であることが好ましい。

本発明の請求項４に記載の発光装置の製造方法は、記第６の工程は、接着剤として、封止部材との線膨張係数の差が小さい接着剤を用いて接着することが好ましい。

図１Ａは、本発明に係る発光装置の製造方法を説明する図である。 図１Ｂは、本発明に係る発光装置の製造方法を説明する図である。 図１Ｃは、本発明に係る発光装置の製造方法によって得られる発光装置を示す斜視図である。 図１Ｄは、図１ＣのＸ−Ｘ‘断面における断面図である。

本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。

また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。

本実施の形態の発光装置の製造方法を、図を用いて説明する。図１Ａ、図１Ｂは、発光装置を製造する工程を説明する図であり、これらによって図１Ｃに示すような発光装置１００を得ることができる。図１Ｄは、図１ＣのＸ−Ｘ‘断面における断面図である。

本発明の製造方法は、（１）支持基板上に、鍍金層からなる導電部材を複数個形成する第１の工程と、（２）底面と側壁とを有する複数の凹部が設けられる光反射樹脂からなる基体を、少なくとも一対の導電部材が前記凹部の底面を中央で２分割したうちの一方の領域のみに露出するように形成する第２の工程と、（３）凹部の各底面に発光素子を載置し、発光素子を被覆するよう凹部内に封止部材を設ける第３の工程と、（４）支持基板を基体及び導電部材から剥離する第４の工程と、（５）基体及び封止部材を凹部の着中央で切断し少なくとも１対の導電部材と発光素子とを有する第１の部位と、他方の第２の部位とに切断する第５の工程と、（６）第１の部位の上面側に、第２の部位の上面側を接着する第６の工程と、を有する。以下、各工程について詳説する。

１．第１の工程
まず、金属板などからなる支持基板を用意する。この支持基板の表面に保護膜としてレジストを塗布する。レジストの厚みによって、後に形成される導電部材の厚みを調整することができる。レジストとしては、フォトリソグラフィによって形成されるポジ型、ネガ型のいずれかのレジストを用いることができ、ここでは、ポジ型のレジストを用いる方法について説明する。尚、ポジ型、ネガ型の両方を組み合わせて用いてもよい。更には、スクリーン印刷により形成されるレジストや、シート状のレジストを貼り付けるなどの方法も用いることができる。

塗布したレジストを乾燥させた後、その上部に開口部を有するマスクを直接又は間接的に配置させて、紫外線を照射して露光する。ここで用いる紫外線は、レジストの感度等によって適した波長を選択することができる。露光後、エッチング剤で処理することで開口部を有するレジストが形成される。ここで、必要であれば、酸活性処理などを行ってもよい。この開口部内には、後工程によって鍍金層が形成され、そしてその鍍金層が発光装置の電極として機能するものであり、更にその後で形成される基体の凹部の底面を中央で２分割したうちの一方の領域に、少なくとも一対の導電部材が形成されるような配置になるよう、開口部を設ける位置を調整する。

このようにして形成されたレジストを有する支持基板に、鍍金を行う。先に形成したレジストの開口部内に、金属の支持基板が露出されているため、この部分に鍍金層が形成される。鍍金方法としては、用いる金属材料によって、又は目的の膜厚や平坦度に応じて当該分野で公知の方法によって適宜選択することができる。例えば、電界鍍金、無電解鍍金等を用いることができる。特に、電界鍍金を用いるのが好ましく、これによりレジストを除去し易く、また、導電部材を均一な形状で形成しやすくなる。鍍金層は、単層でもよく、更に２層以上の複数の層が積層された多層構造とするのが好ましい。多層構造の場合、最表層を発光素子からの光の反射率の高い層（例えばＡｇ）とし、その層との密着性を向上させるため、最表層の下の層にストライク鍍金によって中間層（例えばＡｕ、Ａｇ等）を形成させるなど、種々の機能等を考慮して多数層を構成させるのが好ましい。

鍍金後、レジストを洗浄して除去することで、互いに離間する導電部材が、複数形成された支持体を得ることができる。

２．第２の工程
次に、底面と側壁とを有する複数の凹部を備えた基体を、射出成形、トランスファモールド、圧縮成型などによって形成する。例えば、トランスファモールドによって基体を形成する場合、導電部材を複数形成した支持基板を、上型及び下型からなる金型の内に挟み込むようにセットする。このとき、離型シートなどを介して金型内にセットしてもよい。金型を内には基体の原料である樹脂ペレットが挿入されており、支持基板と樹脂ペレットとを加熱する。樹脂ペレット溶融後、加圧して金型内に充填する。加熱温度や加熱時間、また圧力等については用いる樹脂の組成等に応じて適宜調整することができる。硬化後金型から取り出し、複数の凹部が形成された成型品を得ることができる。このとき、各凹部の底面を中央で２分割したうちの一方の領域に、少なくとも一対の導電部材が露出するように形成する。例えば、図１Ａに示すように、基体１０１に形成される凹部Ｓの底面において、後で第１の部位となる、中央で２分割した一方の部位のみに、一対の導電部材１０２が形成されているものとすることができる。ただし、これに限らず、第２の部位の側の凹部の底面にも、導電部材が形成されていても構わない。また、これら導電部材は、発光素子に給電するための電極として機能するため、少なくとも導電性ワイヤが接続可能な広さを有するように、一対の導電部材の両方の大きさを調整することが必要であり、更に、どちらか一方の導電部材は、発光素子が載置可能な広さを有するようにするのが好ましい。また、後に凹部の中央で切断するため、この切断にかかる領域には導電部材が形成されないようにすることで、切断が容易となるため好ましい。

３．第３の工程
次に、図１Ａに示すように、導電部材上１０２に、ダイボンド部材（図示せず）を用いて発光素子１０３を載置し、導電性ワイヤ１０４で導電部材１０２と導通可能なように接合する。その後、凹部内を充填するよう、封止部材を設ける。封止部材は、一層若しくは二層以上の多層構造としてもよい。さらに凹部内への充填量としては、凹部の上面に達するような量を充填する方が好ましい。これにより、複数の凹部を有する発光装置の集合体が形成される。

４．第４の工程
上記のように得られた発光素子の集合体から、支持基板を剥離する。具体的には、基体１０１と導電部材１０２とが、支持基板の表面に接するように形成されているので、これらと支持基板との間を剥離するようにして分離する。

５．第５の工程
次いで、図１Ａに示す破線部、すなわち、基体１０１及び凹部Ｓ内に充填されている封止部材を略中央で切断する。尚、略中央付近に導電部材が形成されている場合は、それらも合わせて切断する。切断により、図１Ｂに示すように、少なくとも一対の導電部材と発光素子とを有する第１の部位Ｐ１と、他方の第２の部位Ｐ２とに分断する。尚、凹部の中央で切断する前に、隣接する凹部の間の基体を切断して、図１Ｂのように個片化しておくのが好ましい。

また、切断する際に、基体の底面に対して略垂直な断面となるように切断することで、後工程で第１の部位と第２の部位とを貼り合わせた際に、発光面となる封止部材の切断面が均一な面として得ることができる。

６．第６の工程
上記のようにして得られた第１の部位Ｐ１及び第２の部位Ｐ２は、凹部Ｓ内の封止部材１０５が切断面として側面のうちの一面に露出されており、この封止部材の切断面が、発光装置の発光面として機能するものである。切断後の第１の部位Ｐ１の基体１０１の凹部Ｓ内には、発光素子１０３が導電部材１０２上に載置されており、それらを覆うように封止部材１０６が設けられている。第２の部位は、基体１０１の凹部Ｓ内に封止部材１０６が設けられている。そして、この第１の部Ｐ１位の上面側に、第２の部位Ｐ２の上面側を接着することで、図１Ｃに示すような側面発光型の発光装置１００とすることができる。

第１の部位Ｐ１と第２の部位Ｐ２の接着は、封止部材１０６を完全に硬化させる前、すなわち、タック性（粘着性）を有する状態で接着させるか、或いは、別部材として接着剤を用いて接着させるか、のいずれかの方法で行うことができる。

封止部材のタック性を利用して第１の部位と第２の部位とを接着させる場合、その接着時において、封止部材が半硬化した状態（加熱硬化を途中で中断し指触乾燥程度にした状態。Ｂステージ化）になるように、更に、切断時に目的の位置で切断できるような硬さとなるように、封止部材の硬化条件を調整しておくのが好ましい。尚、このように封止部材のタック性を利用する場合、切断前の凹部内への封止部材の充填量は、凹部の上面と同等或いはそれよりも高くなるよう十分な量を充填するのが好ましい。また、このような接着方法の場合、基体部分の接着部にまで封止部材が延在するよう、加圧・吸引するなどの方法を用いてもよく、或いは、基体の接着部には別部材の接着剤を用いるなどの方法とすることもできる。

封止部材とは別部材の接着剤を用いる場合、第１と第２の部位とに切断後、各部位の上面に設けるか、いずれか一方の上面に設けるか、のいずれかの方法を選択することができる。設ける方法としては、塗布、印刷、シート状の接着剤の貼り付け等を用いることができる。

次に、各部材について詳説する。

（基体）
基体は、遮光性を有する各種充填剤等を添加することで発光素子からの光を反射可能な樹脂である。そして、このような基体、具体的には、第１の部位の基体の底面及び側面によって、発光装置の下方向及び側面方向への光の放出を抑制することができる。更に、第１の部位の上面に接着されることで、第２の部位の基体の底面が発光装置の上面に配置されるようになり、これにより上方向への光の放出を抑制することができ、発光装置の側面に配置される封止部材を発光部とする側面発光型の発光装置とすることができる。

基体の材料としては、具体的には、支持基板との線膨張係数の差が小さいものが好ましく、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。特に、熱硬化性樹脂が好ましく、これによって極めて薄型の基体を得ることができる。更に、具体的には（ａ）エポキシ樹脂組成物、（ｂ）シリコーン樹脂組成物、（ｃ）シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、（ｄ）エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、（ｅ）ポリイミド樹脂組成物、（ｆ）変性ポリイミド樹脂組成物などをあげることができる。

特に、熱硬化性樹脂が好ましく、特開２００６−１５６７０４に記載されている樹脂が好ましい。例えば、熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等が好ましい。具体的には、（ｉ）トリグリシジルイソシアヌレート、水素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテルからなるエポキシ樹脂と、（ｉｉ）ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸からなる酸無水物とを、エポキシ樹脂へ当量となるよう溶解混合した無色透明な混合物を含む固形状エポキシ樹脂組成物を用いるのが好ましい。さらにこれら混合物１００重量部に対して、硬化促進剤としてＤＢＵ（１，８−Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ（５，４，０）ｕｎｄｅｃｅｎｅ−７）を０．５重量部、助触媒としてエチレングリコールを１重量部、酸化チタン顔料を１０重量部、ガラス繊維を５０重量部添加し、加熱により部分的に硬化反応させ、Ｂステージ化した固形状エポキシ樹脂組成物が好ましい。

また、国際公開番号ＷＯ２００７／０１５４２６号公報に記載の、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を必須成分とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物が好ましい。例えば、１，３，５−トリアジン核誘導体エポキシ樹脂を含むことが好ましい。特にイソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂は、耐光性や電気絶縁性に優れている。一つのイソシアヌレート環に対して、２価の、より好ましくは３価のエポキシ基を有することが望ましい。具体的には、トリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート、トリス（α−メチルグリシジル）イソシアヌレート等を用いることができる。トリアジン誘導体エポキシ樹脂の軟化点は９０〜１２５℃であることが好ましい。また、これらトリアジン誘導体エポキシ樹脂に、水素添加エポキシ樹脂や、その他のエポキシ樹脂を併用してもよい。更に、シリコーン樹脂組成物の場合、メチルシリコーンレジンを含むシリコーン樹脂が好ましい。

特に、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を用いる場合について具体的に説明する。トリアジン誘導体エポキシ樹脂に、硬化剤として作用する酸無水物を用いるのが好ましく、特に、非芳香族であり、かつ、炭素炭素２重結合を有さない酸無水物を用いることで耐光性を向上させることができる。具体的には、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、水素化メチルナジック酸無水物などが上げられ、特にメチルヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましい。また、酸化防止剤を用いるのが好ましく、例えば、フェノール系、硫黄系酸化防止剤を使用することができる。

そして、これら樹脂中に遮光性を付与するための充填剤や、必要に応じて各種添加剤を混入させることができ、本発明ではこれらを含めて基体を構成する遮光性樹脂と称する。例えば、充填材（フィラー）としてＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、Ｍｇ（ＯＨ）_２、Ｃａ（ＯＨ）_２などの微粒子などを混入させることで光の透過率を調整し、発光素子からの光の約６０％以上を遮光するよう、より好ましくは約９０％を遮光するようにするのが好ましい。尚、ここでは基体によって光を反射するか、又は吸収するかどちらでもよいが、発光装置を照明などの用途に用いる場合は、より好ましくは反射させることによって遮光するのが好ましい。そのため、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上であるものが好ましく、より好ましくは９０％以上反射するものが好ましい。

上記のような各種充填材は、１種類のみ、或いは２種類以上を組み合わせて用いることができ、例えば、反射率を調整するための充填材と、後述のように線膨張係数を調整するための充填材とを併用するなどの用い方ができる。

例えば、白色の充填剤としてＴｉＯ_２を用いる場合は、好ましくは１０〜３０ｗｔ％、より好ましくは１５〜２５ｗｔ％配合させるのがよい。ＴｉＯ_２は、ルチル形、アナタース形のどちらを用いても良い。遮光性や耐光性の点からルチル形が好ましい。更に、分散性、耐光性を向上させたい場合、表面処理により改質した充填材も使用できる。ＴｉＯ_２から成る充填材の表面処理にはアルミナ、シリカ、酸化亜鉛等の水和酸化物、酸化物等を用いることが出来る。また、これらに加え、充填剤として主として線膨張係数を調整するための充填剤としてＳｉＯ_２を６０〜８０ｗｔ％の範囲で用いるのが好ましく、さらに、６５〜７５ｗｔ％用いるのが好ましい。また、ＳｉＯ_２としては、結晶性シリカよりも線膨張係数の小さい非晶質シリカが好ましい。また、粒径が１００μｍ以下の充填材、更には６０μｍ以下の充填材が好ましい。更に、形状は球形の充填材が好ましく、これにより基体成型時の充填性を向上させることができる。

また、基体の線膨張係数は、個片化する前に除去（剥離）される支持基板の線膨張係数との差が小さくなるように制御するのが好ましい。好ましくは３０％以下、より好ましくは１０％以下の差とするのがよい。支持基板としてＳＵＳ板を用いる場合、線膨張係数の差は２０ｐｐｍ以下が好ましく、１０ｐｐｍ以下がより好ましい。この場合、充填材を７０ｗｔ％以上、好ましくは８５ｗｔ％以上配合させるのが好ましい。これにより、支持基板と基体との残留応力を制御（緩和）することができるため、個片化する前の発光装置の集合体の反りを少なくすることができる。反りを少なくすることで、導電性ワイヤの切断など内部損傷を低減し、また、個片化する際の位置ズレを抑制して歩留まりよく製造することができる。例えば、基体の線膨張係数を５〜２５×１０^−６／Ｋに調整することが好ましく、さらに好ましくは７〜１５×１０^−６／Ｋに調整することが望ましい。これにより、基体成型後、冷却時に生じる反りを抑制し易くすることができ、歩留まりよく製造することができる。尚、本明細書において線膨張係数とは、各種充填剤等で調整された遮光性樹脂からなる基体のガラス転移温度以下での線膨張係数を指す。この温度領域における線膨張係数が、支持基板の線膨張係数と近いものが好ましい。

また、別の観点から、基体の線膨張係数は、線膨張係数との差が小さくなるように制御するのが好ましい。好ましくは４０％以下、より好ましくは２０％以下の差とするのがよい。これにより、個片化後の発光装置において、導電部材と基体とが剥離するのを抑制し、信頼性に優れた発光装置とすることができる。

この基体は、底面と側壁とを有する凹部を有しており、後工程でこの凹部を切断して一方を下側、もう一方をその上側となるように接着して側面発光可能な発光素子とする。凹部の形状は、中央を境にして線対称となる形状とするのが好ましい。例えば円形にすることで、切断後、各凹部の上面形状は略等しい大きさの半円状となるため、光を漏れにくくすることができる。

更に、凹部の側面を、底面から上面にかけて広がるような傾斜面とすることで、発光素子１０３からの光を、第１の部位では上方向に反射し易く、第２の部位では下方向に反射し易く、つまり、発光面の中央付近に向けて光を反射し易くすることができる。また、切断前の凹部形状が図１Ａなどに示すように円形の場合、凹部Ｓの内壁は、円柱状又は円錐状となっているため、切断後は、半円柱状又は円錐状の側壁が第１の部位及び第２の部位に形成されている。このような内壁を有することで、発光素子からの光を中央近傍に向けて反射しやすくすることができる。

（導電部材）
導電部材は、鍍金層からなり、発光素子へ通電させるための一対の電極として機能させるものである。導電部材の大きさや形状は任意のものとすることができるが、その形成位置については、基体の凹部の底面を中央で分割したとき、どちらか一方の方に、少なくとも一対の導電部材が形成されるように形成するのが好ましい。発光素子が載置される第１の部位に形成される導電部材は、電極として機能する他、回路基板等への放熱を速やかに行うこともできる放熱部材としても有用である。発光素子が載置されていない第２の部位は、第１の部位の上面に接着されることで上方向への光の放出を抑制して、側面から発光させるようにするための部位であるため、第２の部位の凹部の底面に導電部材が形成されていると、接着後には、発光装置の上面に導電部材が配置されることになり、膜厚の薄い基体に比して、上方向へ光が抜けるのを効率よく抑制することができる。

導電部材の厚みとしては、２５μｍ〜２００μｍが好ましく、更に５０μｍ〜１００μｍが好ましい。

具体的な材料としては、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、モリブデン、鉄、ニッケル、コバルト等の金属又はこれらの合金（鉄−ニッケル合金等）、りん青銅、鉄入り銅、Ａｕ−Ｓｎなどの共晶はんだ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＡｇＣｕＩｎなどのはんだ、ＩＴＯ等が挙げられる。はんだ材料の中でも、はんだ粒子が一旦溶融し凝固するとはんだにより接合する金属とはんだが合金化して融点が上昇し、リフロー実装時などの追加の熱処理時に再溶解しない組成に調整したものが好ましい。

これらは単体又は合金として用いることができる。更には複数層設けることもできる。例えば、導電部材の最表面には、発光素子からの光を反射可能な材料を用いることが好ましい。具体的には金、銀、銅、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ等が好ましい。更に最表面の導電部材は高反射率、高光沢である事が好ましい。具体的には可視域の反射率は７０％以上である事が好ましく、その際はＡｇ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄなどが好的に用いられる。また、導電部材の表面光沢も高いほうが好ましい。好ましい光沢度は、０．５以上、より好ましくは１．０以上である。ここで示される光沢度は日本電色工業製 微小面色差計ＶＳＲ ３００Ａを用い、４５°照射、測定領域がΦ０．２ｍｍ、垂直受光で得られる数字である。また、導電部材の支持基板側には、回路基板等への実装に有利なＡｕ、Ｓｎ、Ｓｎ合金、ＡｕＳｎなどの共晶はんだ鍍金等の材料を用いることが好ましい。

また、導電部材の最表面（最上層）と支持基板側（最下層）との間に、中間層を形成しても良い。導電部材や発光装置の機械的強度を向上させるためには、耐食性の高い金属、例えばＮｉを中間層に用いるのが好ましい。また、放熱性を向上させるためには、熱伝導率の高い銅を中間層に用いることが好ましい。このように、目的や用途に応じて、適した部材を中間層に用いるのが好ましい。この中間層についても、上記の金属の他、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄなどを用いることができる。中間層として、最上層や最下層の金属と密着性のよい金属を積層させてもよい。中間層の膜厚については、最上層や最下層よりも厚く形成するのが好ましい。特に、導電部材の全体の膜厚の８０％〜９９％の範囲の比率で形成するのが好ましく、更に好ましくは９０％〜９９％の範囲とするのが好ましい。

特に、金属からなる鍍金層の場合、その組成によって線膨張係数が規定されるため、最下層や中間層は、比較的支持基板との線膨張係数が近いものが好ましい。例えば、支持基板として、線膨張係数が１０．４×１０^−６／ＫであるＳＵＳ４３０を用いた場合、その上の導電部材は次に挙げるような金属を含む（主成分とする）積層構造とすることができる。最下層側から、線膨張係数１４．２×１０^−６／ＫであるＡｕ（０．０４〜０．１μｍ）、第１の中間層として線膨張係数１２．８×１０^−６／ＫであるＮｉ（又は線膨張係数１６．８×１０^−６／ＫであるＣｕ）（２５〜１００μｍ）、第２の中間層としてＡｕ（０．０１〜０．０７μｍ）、最上層として線膨張係数１１９．７×１０^−６／ＫであるＡｇ（２〜６μｍ）等の積層構造が好ましい。最上層のＡｇは線膨張係数が他の層の金属と大きく異なるが、発光素子からの光の反射率を優先しているためＡｇを用いている。最上層のＡｇを極めて薄い厚みとしているため、反りに対する影響は極めて微弱である。したがって、実用的に問題はない程度である。

（封止部材）
封止部材は、発光素子や導電性ワイヤなどの電子部品を、塵芥や水分、外力などから保護する部材である。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の、発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。また、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。

第６の工程で別部材の接着剤等を用いずに第１の部位と第２の部位とを接着させる（貼り合わせる）場合は、これら封止樹脂が完全に硬化する前の状態で切断し、封止部材自身のタック性を利用して接着剤として用いてもよく、このような場合は、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物などの熱硬化性材料が好ましく、これらをＢステージ化するまで硬化させ、その後、切断して、第１の部位と第２の部位とを貼り合わせた後に加熱して硬化させることができる。

（ダイボンド部材）
ダイボンド部材は、導電部材上に発光素子などを接続させるための部材であり、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、それらの変性樹脂、ハイブリッド樹脂等銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Ａｕ−Ｓｎ共晶などのはんだ、低融点金属等のろう材、などを用いることができる。

（導電性ワイヤ）
発光素子の電極と、導電部材とを接続する導電性ワイヤとしては、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いることができる。特に、熱抵抗などに優れた金を用いるのが好ましい。

（波長変換部材）
上記封止部材中に、波長変換部材として蛍光部材を含有させることもできる。

（発光素子）
発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子には、ＺｎＳｅや窒化物系半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは、目的に応じて適宜選択することができる。

（支持基板）
支持基板は、導電部材として鍍金層を形成させるためのものであり、最終的には除去してしまうため、発光装置には具備されない部材である。ＳＵＳ板などの導電性を有する金属板の他、ポリイミドなど絶縁性板にスパッタ法や蒸着法によって導電膜を形成したものを用いることができる。或いは、金属薄膜などを貼り付け可能な絶縁性の板状部材を用いることもできる。いずれにしても、支持基板は、工程の最終段階において除去する。すなわち、支持基板は、導電部材や基体から剥がす必要がある。このため、支持基板としては、折り曲げ可能な部材を用いる必要があり、材料にもよるが膜厚１０μｍ〜３００μｍ程度の板状部材を用いるのが好ましい。

支持基板としては、上記のＳＵＳ板の他、鉄、銅、銀、コバール、ニッケルなどの金属板や、金属薄膜などを貼り付け可能なポリイミドからなる樹脂シートなどが好ましい。特に、アルテンサイト系、フェライト系、オーステナイト系等、種々のステンレスを用いることが好ましい。特に好ましいのは、フェライト系のステンレスである。特に好ましくは、４００系、３００系のステンレスが良い。更に具体的には、ＳＵＳ４３０（１０．４×１０^−６／Ｋ）、ＳＵＳ４４４（１０．６×１０^−６／Ｋ）、ＳＵＳ３０３（１８．７×１０^−６／Ｋ）、ＳＵＳ３０４（１７．３×１０^−６／Ｋ）等が好適に用いられる。４００系のステンレスは、鍍金の前処理として酸処理を行うと、３００系に比し表面が荒れやすくなる。したがって、酸処理を行った４００系のステンレスの上に鍍金層を形成すると、その鍍金層の表面も荒れやすくなる。これにより封止部材や基体を構成する樹脂との密着性を良くすることができる。また、３００系は酸処理では表面が荒れにくい。このため３００系のステンレスを用いれば、鍍金層の表面の光沢度を向上させやすく、これにより発光素子からの反射率を向上して光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。

また、第１、第２の導電部材の表面光沢を上げる場合、メッキや蒸着、スパッタなどの手法を用いて形成する。より光沢度を上げるためには、支持基板の表面は平滑な方が好ましい。例えば、支持基板としてＳＵＳを用いる場合は、結晶粒界の比較的小さな３００番台のＳＵＳを用いることで、表面光沢の高い導電部材の最表面を得る事ができる。

また、樹脂成形後の反りを緩和するために支持基板にスリット、溝、波形状の加工を施す事も出来る。

（接着剤）
第１の部位と第２の部位とを接着するため、接着剤を用いることができる。透光性接着剤又は遮光性接着剤（光反射性接着剤）のいずれを用いてもよい。封止部材１０５の接着は透光性接着剤が好ましい。更に、封止部材との線膨張係数の差が小さいものを用いるのが好ましい。これにより、硬化時に起こる収縮により、第１の部位と第２の部位とが剥がれたり、或いは、応力によって破損したりするのを抑制することができる。接着剤の厚みとしては、５〜１００μｍが好ましい。

具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等をあげることができ、これらを、単独又は２以上を組み合わせて用いることができる。

本発明に係る発光装置の製造方法によれば、小型軽量であって、且つ、光取り出し効率に優れた側面発光型の発光装置を容易に得ることができる。このような発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源や各種表示装置、照明器具等にも利用することができる。

１００・・・発光装置
１０１・・・基体
１０２・・・導電部材
１０３・・・発光素子
１０４・・・導電性ワイヤ
１０５・・・封止部材
Ｓ・・・凹部
Ｐ１・・・第１の部位
Ｐ２・・・第２の部位

Claims (4)

1. 支持基板上に、鍍金層からなる導電部材を、複数個形成する第１の工程と、
   底面と側壁とを有する複数の凹部が設けられる光反射樹脂からなる基体を、前記各凹部の底面を中央で２分割したうちの一方の領域に、少なくとも一対の導電部材が露出するように形成する第２の工程と、
   前記凹部の各底面に発光素子を載置し、該発光素子を被覆するよう前記凹部内に封止部材を設ける第３の工程と、
   前記支持基板を、前記基体及び前記導電部材から剥離する第４の工程と、
   前記基体及び封止部材を前記凹部の略中央で切断し、少なくとも一対の導電部材と発光素子とを有する第１の部位と、他方の第２の部位とに切断する第５の工程と、
   前記第１の部位の上面側に、前記第２の部位の上面側を接着する第６の工程と、
   を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 前記第５の工程は、前記基体の底面に対して略垂直に切断する請求項１記載の発光装置の製造方法。
3. 前記封止部材は、前記第６の工程での接着時において粘着性が４〜４０Ｐａ・ｓである請求項１又は請求項２記載の発光装置の製造方法。
4. 前記第６の工程は、接着剤として、前記封止部材との線膨張係数の差が少ない接着剤を用いて接着する請求項１又は請求項２記載の発光装置のせ製造方法。

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