JP2008117900A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】底部に金属膜が形成された発光素子3と、発光素子3が載置され、発光素子3の周辺部を包囲する金属部材2とを有し、金属部材2と、発光素子3の金属膜とは、金属からなるダイボンド部材で接着されており、発光素子3の下方であって、かつダイボンド部材の周辺部には、ダイボンド部材の接着領域よりもダイボンド部材に対して濡れ性の悪い領域(露出領域)1bが配置されている発光装置。
【選択図】 図2
Description
この発光素子のアライメントずれは、発光装置の色ずれ、色むら等を招くこととなるため、特に、近年、発光装置に対する色むら改善への要求が高まっている現状においては、満足できるものではない。
底部に金属膜が形成された発光素子と、
前記発光素子の周辺部を包囲し、かつ発光素子が載置された金属部材とを有し、
前記金属部材と、前記発光素子の金属膜とは、金属からなるダイボンド部材で接着されており、
発光素子の下方であって、かつダイボンド部材の周辺部には、該ダイボンド部材の接着領域よりもダイボンド部材に対して濡れ性の悪い領域が配置されていることを特徴とする。
このような発光装置においては、前記金属部材は基板上に形成されており、前記濡れ性の悪い領域は、前記基板の一部が露出して構成されていることが好ましい。
また、前記金属膜は、前記発光素子のダイボンド面全面に形成されていることが好ましい。
さらに、前記濡れ性の悪い領域は、それぞれ分離した2以上の領域として形成されていることが好ましく、金属膜の大きさの1〜20%の大きさで配置されていることが好ましい。
金属部材及び/又は金属膜は、ダイボンド部材との接触角が45°以下であることが好ましい。
発光素子は、半導体発光素子であればよく、いわゆる発光ダイオードと呼ばれる素子であればどのようなものでもよい。例えば、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、活性層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。基板としては、C面、A面、R面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル(MgA12O4)のような絶縁性基板、また炭化珪素(6H、4H、3C)、シリコン、ZnS、ZnO、GaAs、ダイヤモンド;ニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板、窒化物半導体基板(GaN、AlN等)等が挙げられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合、PN接合などのホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造、多重量子井戸構造としてもよい。活性層には、Si、Ge等のドナー不純物及び/又はZn、Mg等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。得られる発光素子の発光波長は、半導体の材料、混晶比、活性層のInGaNのIn含有量、活性層にドープする不純物の種類を変化させるなどによって、紫外領域から赤色まで変化させることができる。
このような発光素子は、基板に対して同じ側にn電極及びp電極が形成された片面電極のものであってもよいし、n電極又はp電極が、基板の裏面に形成された両面電極のものであってもよい。
発光素子の底部(発光素子のダイボンド面)には、全面又は一部において、金属膜が形成されている。特に、金属膜が多角形であるか、発光素子の裏面全面に形成されていることが好ましい。これにより、発光素子側の濡れ性が高まるため、セルフアライメント効果を効率的に発揮させることができる。金属膜は、発光素子から発せられる光に対して70%以上、さらに80%以上の反射率を有することが好ましい。この金属膜は、基板の裏面に電極が形成されている場合には、その電極上に形成されることが好ましいが、電極及び/又は金属膜が、両機能を兼ね備えていてもよい。
なお、金属膜の表面(つまり、ダイボンド側の表面)には、後述するダイボンド部材の拡散を防止するバリア層が形成されていることが好ましい。バリア層は、例えば、Mo、W、Rh等の高融点金属の単層膜又は積層膜により形成することができる。バリア層の成膜方法は、公知の方法、例えば、蒸着、スパッタ法、メッキ法等、種々の方法を利用することができる。
また、金属膜は、ダイボンド部材との接触角が90°程度以下、80°程度以下、60°程度以下、さらに45°程度以下の材料であることが好ましい。また、別の観点から、後述する濡れ性の悪い領域(例えば、基板表面)へのダイボンド部材の接触角よりも10°程度小さい、20°程度小さい、30°程度小さいことが好ましい。これにより、ダイボンド部材がより濡れ易い領域に浸潤し、発光素子を所望の領域により容易にアライメントさせることができる。なお、この明細書において、接触角は、接合材料の融点+40〜50℃における静滴法によって測定した(「溶融マグネシウムによる黒鉛のぬれ」、「軽金属」第55巻、第7号(2005)p310−314参照)値を指す。
金属部材は、通常、ダイパッド部として、発光素子を載置、固定するために用いられる。また、金属部材は、発光素子の下部からその周辺部にわたって配置されている。金属部材は、基板表面を被覆するように、基板上に配置されていることが好ましい。金属部材は、必ずしも基板の全表面を被覆していなくてもよいが、発光素子がダイボンドされる領域及びその周辺部を含めて、発光素子の占有面積の120%以上、130%以上、150%以上の領域を被覆していることが好ましい。これにより、発光素子から出射される光を効果的に利用することができる。この場合、金属部材は、発光素子の直下からその周辺部において、連続的に又は一部連続して配置されていることが好ましい。また、発光素子の周辺において、偏在することなく、ほぼ均等に配置されていることが好ましい。さらに、金属部材は、発光素子の外側から、少なくとも、発光素子の周縁部の直下にまで及んでいることがより好ましい。
金属部材は、セルフアライメント効果を得るため、ダイボンド部材との接触角が90°程度以下、80°程度以下、60°程度以下、さらに45°程度以下の材料であることが好ましい。また、別の観点から、後述する濡れ性の悪い領域(例えば、基板表面)へのダイボンド部材の接触角よりも10°程度小さい、20°程度小さい、30°程度小さいことが好ましい。
金属部材と発光素子とが、ワイヤを用いたワイヤボンディングによって接続される場合、ワイヤとしては、発光素子の電極とのオーミック性が良好であるか、機械的接続性が良好であるか、電気伝導性及び熱伝導性が良好なものであることが好ましい。熱伝導率としては、0.01cal/S・cm2・℃/cm程度以上が好ましく、さらに0.5cal/S・cm2・℃/cm程度以上がより好ましい。作業性などを考慮すると、ワイヤの直径は、10μm〜45μm程度であることが好ましい。このようなワイヤとしては、例えば、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金が挙げられる。
ダイボンド部材は、発光素子の金属膜が、後述する金属部材に直面するように金属部材上に載置され、固定するために用いられる接合部材である。例えば、SnPb系、SnAgCu系、AuSn系、SnZn系、SuCu系等の材料を好適に使用することができる。なかでも、AuSn系共晶が好ましい。また、任意に、これらに、濡れ性又はハンダクラック性を改善する目的で、Bi、In等を添加してもよい。なお、ダイボンド部材は、通常、発光素子の直下に配置されており、発光素子の周辺部に及ぶように配置されることはなく、そのような領域にまで配置していないことが好ましいが、本発明においては、アライメント効果に対して無視し得る程度、発光素子の一部の周辺部にまで広がっていてもよい。
本発明においては、通常、金属部材上に発光素子がダイボンド部材によりダイボンドされているが、発光素子の下方であって、かつダイボンド部材の周辺部に、ダイボンド部材の接着領域よりもダイボンド部材に対して濡れ性の悪い領域が配置されている。この明細書中において、濡れ性の悪い領域とは、ダイボンド部材との接触角が90°を超える領域のことを指す。濡れ性の悪い領域は、さらに、100°、105°、110°以上の接触角を有する材料であることが好ましい。このような濡れ性の悪い領域は、どのような材料又は状態によって形成されていてもよい。例えば、この領域は、金属部材上に形成された薄膜等であってもよいが、金属部材下の基板等の一部が露出することにより配置されていることが好ましい。これにより、濡れ性の悪い領域を、ダイボンド部材が配置される部分よりも低い位置に配置することができるため、発光素子は、周囲の高さが低い方が容易に移動し、発光素子のセルフアライメントが容易となる。
この領域は、ダイボンド部材の周辺部に配置しているのであれば特にその位置は限定されないが、発光素子の金属膜の周縁部から内側(言い換えると、発光素子の中心側、発光素子の直下)に対応する領域であることが好ましい。より詳細には、金属膜の周縁部から内側に所定幅を有する領域であることが好ましい。ただし、ダイボンド部材の全周辺部に均一に配置されていなくてもよく、後述するように、周辺部の一部においては配置していなくてもよい。また、この領域は、セルフアライメントの効果を保ちつつ、光損失の原因となる濡れ性の悪い領域の面積を少なくするため、金属膜の周縁部から内側に対応する領域において、それぞれ分離した2以上の領域であることが適しており、互いに対向する一対の領域が2組配置することにより構成されることが好ましい。ここで互いに対向する一対の領域とは、発光素子に設けられた金属膜の形状又はこれに近似する形状の対向する弧又は各辺に沿った領域を意味する。また、2組配置されるとは、このような各辺に沿った領域が、少なくとも2組存在することを意味する。さらに、この領域は、金属膜の中心線に対して線対称に形成されていることが好ましい。これにより、よりセルフアライメント効果を発揮させることができる。
また、2組の一対の領域は、2以上の領域で形成されている場合には、各領域はその面積が異なっていてもよいが、4つの同じ大きさ及び/又は同じ形状の領域で形成されていることが好ましい。具体的には、この4つの領域は、それぞれ、金属膜の1〜20%程度の面積であることが適している。別の観点から、2以上の領域で形成されている場合には、この領域の全面積は、金属膜の4〜80%であることが好ましい。
基板は、発光素子を載置し、固定するための基板であり、絶縁性を確保するために適切な材料で形成されていることが好ましい。具体的には、Al2O3、AlN等のセラミック、高融点ナイロン等のプラスチック、ガラス等が挙げられる。なかでも、ダイボンド部材との接触角が90°を超える材料であることが適しており、さらに、100°、105°、110°以上の材料であることがより好ましい。このような材料を選択することにより、発光素子のダイボンディング時におけるダイボンド部材のアライメント効果をより顕著に発現させることができる。
(封止部材)
封止部材は、上述した発光素子等を、好ましくは一体的に又は塊状に封止し、発光素子等に対して、絶縁性を確保することができるものであれば、どのような材料によって形成されていてもよい。例えば、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂、セラミック、硝子等が挙げられる。なかでも、透光性の樹脂であることが好ましい。これらの材料には、着色剤として、種々の染料又は顔料等を混合して用いてもよい。例えば、Cr2O3、MnO2、Fe2O3、カーボンブラック等が挙げられる。なお、透光性とは、発光素子から出射された光を70%程度以上、80%程度以上、90%程度以上、95%程度以上透過させる性質を意味する。
封止部材の大きさ及び形状は特に限定されるものではなく、例えば、円柱、楕円柱、球、卵形、三角柱、四角柱、多角柱又はこれらに近似する形状等どのような形状でもよく、集光のためのレンズが一体形成されていてもよい。
本発明の発光装置は、発光装置の一部として又は封止部材表面に付属するように、例えば、発光素子の光の出射部(例えば、発光素子の上方)に、プラスチック又は硝子からなるレンズ等が備えられていてもよい。また、発光素子からの光の取り出しを効率的に行うために、反射部材、反射防止部材、光拡散部材等、種々の部品が備えられていてもよい。また、静電耐圧向上のための保護素子が備えられていてもよい。
以下に、本発明の発光装置の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
この実施例の発光装置は、図2(a)及び(b)に示したように、その表面に凹部1aが形成されたAl2O3からなるパッケージ1と、その凹部の底面である1a絶縁基板と、絶縁基板1の上面の一部を被覆するAgからなる金属部材2、2aと、表面に正及び負の電極5を備え、裏面全面にAl金属膜(図示せず)が形成された発光素子3とを備えて構成される。
凹部内の金属部材2には、絶縁基板1が一部露出した露出領域1bが、濡れ性の悪い領域として形成されている。この露出領域1bは、発光素子3に形成された金属膜の周縁部3a直下から発光素子3の内側に配置されている。
まず、長さ800μm、幅800μmの正方形の発光素子3を準備する。
この発光素子3は、青色系に発光する窒化物系半導体からなり、波長465nmの光を放射する。発光素子3の表面には、正及び負の電極5がそれぞれ形成されている。また、裏面には、Al金属膜、半田材料の拡散を防止するWバリア膜、半田に濡れるPt膜がスパッタ法により、全面に、この順で積層されている。
凹部1aの底面に形成した金属部材2は、ダイパッドと、LED発光時に絶縁基板1方向へ放射する光に対する反射と、発光素子3の一方(例えば、負)の電極と接続するワイヤボンドパッドとの、3つの機能を兼ねている。ダイパッド機能は、主として、発光素子3の大きさに対応する領域内の金属部材2が果たし、反射機能及びワイヤーボンドパット機能は、発光素子3の外周部分の金属部材2が果たす。
また、絶縁基板1の上面の金属部材2aは、発光素子3の他方(例えば、正)の電極と接続するワイヤボンドパッド機能を果たす。
その後、準水系洗浄剤にてフラックスを洗浄する。
続いて、透光性被覆材(図示せず)として、蛍光物質が含有されたシリコーン樹脂を、発光素子3の主光取り出し面と側面とに形成する。
この結果から、本実施例の発光装置は、発光素子実装時に、ダイパッドとして機能する金属部材2と、発光素子3の搭載位置を厳密に制御し得る濡れ性の悪い領域である絶縁基板の露出領域1bとにより、セルフアライメント効果が十分に発揮されるため、実装精度を著しく向上させることができる。従って、発光素子3の発光時に、絶縁基板1方向へ放射する光を、発光素子3の外周部に存在する金属部材2によって効率よく反射させることができるために、光の取り出し効率を向上させることができる。
比較例1として、図3(a)及び(b)に示すように、絶縁基板1の凹部1a底面に形成する金属部材12の形状を、発光素子3の大きさと同じ形状とした以外、実質的に実施例1と同様の構造の発光装置を形成した。この発光装置では、金属部材12が形成されていない凹部1a底面は、絶縁基板が露出している。
従って、この発光装置を製造する際に、セルフアライメント効果は得られるものの、実施例1に比べて発光素子3の発光時に、絶縁基板1方向へ放射する光の損失が大きくなった。この場合の光束を実施例1と同様に測定したところ、約36lmであり、実施例1の発光装置より20%程度、光損失が生じた。
また、実施例1と同様に実装ばらつきを測定したところ、4σで50〜70μm程度であった。
比較例2として、図4(a)及び(b)に示すように、絶縁基板1の凹部1a底面に形成する金属部材22の形状を、発光素子3の大きさと同じ形状とし、さらに発光素子の外周部に、金属部材22と50μm隔離して、金属膜23を形成した以外、実質的に実施例1と同様の構造の発光素子を形成した。
従って、この発光装置を製造する際には、セルフアライメント効果は得られ、比較例1に比べると、金属膜23の効果により、発光素子3の発光時に、絶縁基板1方向へ放射する光の損失が緩和される。しかし、この発光装置の光束を測定したところ、約40lmであり、実施例1の発光装置より10%程度、光損失が生じた。
また、実施例1と同様に実装ばらつきを測定したところ、4σで50〜70μm程度であった。
1 絶縁基板
1a 凹部
1b、11b、21b、31b、41b 絶縁基板の露出領域
2、2a 金属部材
3 発光素子
3a 周縁部
4 ワイヤー
5 電極
Claims (6)
- 底部に金属膜が形成された発光素子と、
前記発光素子が載置され、該発光素子の下部からその周辺部にわたって配置された金属部材と、
前記金属部材と前記発光素子の金属膜とを接着する金属からなるダイボンド部材とを有し、
前記発光素子の下方であって、かつ前記ダイボンド部材の周辺部には、前記金属部材よりも前記ダイボンド部材に対して濡れ性の悪い領域が配置されていることを特徴とする発光装置。 - 前記金属部材は基板上に形成されており、前記濡れ性の悪い領域は、前記基板の一部が露出してなる請求項1に記載の発光装置。
- 前記金属膜は、前記発光素子の底面全面に形成されている請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記濡れ性の悪い領域は、それぞれ分離した2以上の領域として形成されている請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 金属部材及び/又は金属膜は、ダイボンド部材との接触角が45°以下である請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記濡れ性の悪い領域は、金属膜の大きさの1〜20%の大きさで配置されてなる請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
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