JP7064324B2 - 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1に、本発明の半導体発光装置の一実施形態を示す。この半導体発光装置は、実装基板10と、実装基板10に接合材20によって接合されたLEDチップ30と、を備える。さらに、通常は、LEDチップ30は透光性樹脂や蛍光体含有樹脂などの封止樹脂で封止される。封止樹脂50で封止する場合には、未硬化の封止樹脂50を注入するための筒状の壁部材60や内面が逆円錐台形の反射部材などを実装基板10の外周に沿って配置することができる。
本実施形態の実装基板10の実装パッド13は、図3に示すように、ラージチップに対応する第一の領域131と、第一の領域に内側に位置し、スモールチップに対応する第二の領域132(斜線で示す)とを有する。また実装パッド13は、上面から見た形状が、四角形の四辺のそれぞれ一部を切り欠いた形状を有し、第二の領域132は切り欠き部135で囲まれた領域であり、その外側の部分が第一の領域131である。図示するように第一の領域131と第二の領域132とは、第二の領域132の四隅において連続しており、これにより電気的に断続されていない、すなわち一体である。またこの連続部を通して、一方の領域に供給された接合材は他方の領域側に広がることができ、実装パッドと絶縁基板との接合材に対するぬれ性の相違による接合材の広がり防止効果と相まって、基板側へ広がるのを防止することができる。
また図3では、切り欠き部135の形状として四角形のものを示したが、切り欠き部135は上述した条件を満たすものであれば、一部の辺が傾斜したり曲線状であったりしてもよい。
第一実施形態では、実装パッドに切り欠き部を設けて、切り欠き部によって、スモールチップに対応する第二の領域の外周を画定したが、本実施形態では、第一の領域と第二の領域との間にスリットを形成する。本実施形態の実装基板及びそれを用いた半導体発光装置の構成は、上述した第一実施形態と同様であるので、以下、本実施形態の特徴である実装基板の実装パッドについてのみ説明する。
本実施形態も、第一実施形態と同様に単一チップだけでなく複数チップの半導体発光装置にも適用することが可能である。
第二実施形態では、実装パッドの四辺に沿って、それぞれ1本のスリットを設けたが、スリットの形状や配置は、第一の領域と第二の領域との連続性を確保する、第二の領域の外周を画定できる、という条件を満たすものであれば、図8に示すものに限らず、種々の変形が可能である。
これら変形例の実装基板においても、第二実施形態と同様の効果が得られる。
第一実施形態及び第二実施形態では、スモールチップとラージチップの2種類のLEDチップに対応した実装基板を説明したが、本実施形態の実装基板は、大きさが異なる3種以上のLEDチップに対応するものである。
Claims (5)
- 金属膜からなる実装パッドを有する実装基板と、前記金属膜に対しぬれ性を持つ材料からなる接合材によって、裏面が前記実装パッドに接合された半導体発光素子と、を備え、
前記実装パッドは、第一の領域と、当該第一の領域に内側に位置する第二の領域と、を有し、前記第二の領域は一部が前記第一の領域に連続し、当該連続する部分を除く外周が前記第一の領域と接しておらず、
前記実装パッドは、上面から見た形状が、四角形の四辺のそれぞれ一部を前記四辺の中央部において矩形状に切り欠いた形状の切り欠き部を有し、
前記第二の領域は四辺が前記切り欠き部の内側端部と重なる矩形状の領域であり、
前記切り欠き部の、前記第二の領域と重なる内側端部の幅は、前記第二の領域の幅の1/2以上であり、
前記第一の領域の幅は前記半導体発光素子の幅の110%以下の幅であり、かつ前記第二の領域の幅の√2倍から2倍であり、
前記半導体発光素子は、前記第二の領域の前記外周の大きさより大きく、前記切り欠き部と重なり、かつ前記第一の領域の外側の輪郭に沿って実装され、
前記第一の領域および前記第二の領域まで広がるように前記接合材は設けられている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 金属膜からなる実装パッドを有する実装基板と、前記金属膜に対しぬれ性を持つ材料からなる接合材によって、裏面が前記実装パッドに接合された半導体発光素子と、を備え、
前記実装パッドは、第一の領域と、当該第一の領域に内側に位置する第二の領域と、を有し、前記第二の領域は一部が前記第一の領域に連続し、当該連続する部分を除く外周が前記第一の領域と接しておらず、
前記実装パッドは、上面から見た形状が四角形であって、
前記第一の領域と、前記第二の領域との間に、前記四角形の辺と平行なスリットを有し、前記第二の領域は前記スリットで囲まれた領域であり、
前記第一の領域の幅は前記半導体発光素子の幅の110%以下の幅であり、
前記半導体発光素子は前記第二の領域の前記外周の大きさより大きく、前記スリットと重なり、かつ前記第一の領域の外側の輪郭に沿って実装され、
前記第一の領域および前記第二の領域の前記スリットに沿った領域まで広がるように前記接合材は設けられている、
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項2に記載の半導体発光装置であって、
前記スリットの、前記四角形の辺と平行な方向の幅は、同方向における前記第二の領域の幅の1/2以上であることを特徴とする半導体発光装置。 - 表面に実装パッドが形成された実装基板に、裏面に電極面を持つ半導体発光素子の前記電極面を前記実装パッドに接合材により接合して半導体発光装置を製造する方法であって、
前記実装基板として、
前記実装パッドは、第一の領域と、当該第一の領域に内側に位置する第二の領域と、を有し、前記第二の領域は一部が前記第一の領域に連続し、当該連続する部分を除く外周が前記第一の領域と接しておらず
前記実装パッドは、上面から見た形状が、四角形の四辺のそれぞれ一部を前記四辺の中央部において矩形状に切り欠いた形状の切り欠き部を有し、
前記第二の領域は四辺が前記切り欠き部の内側端部と重なる矩形状の領域であり、
前記切り欠き部の、前記第二の領域と重なる内側端部の幅は、前記第二の領域の幅の1/2以上であり、
前記第一の領域の幅は前記半導体発光素子の幅の110%以下の幅であり、かつ前記第二の領域の幅の√2倍から2倍である、汎用実装基板を用意するステップと、
第二の領域の前記外周の大きさより大きい前記半導体発光素子を用意するステップと、
前記実装パッドの前記第一の領域および前記第二の領域に、前記電極面を覆うに足りる量の前記接合材を供給し、前記切り欠き部と重なるように前記半導体発光素子の電極面を載せるステップと、
前記接合材を加熱し、前記第一の領域および前記第二の領域で広がる前記接合材により前記電極面と前記実装パッドとを前記半導体発光素子を前記第一の領域の外側の輪郭に沿った状態で接合するステップと、を含む半導体発光装置の製造方法。 - 表面に金属膜からなる実装パッドが形成された実装基板に、裏面に電極面を持つ半導体発光素子の前記電極面を前記実装パッドに接合材により接合して、半導体発光装置を製造する方法であって、
前記実装基板として、
前記実装パッドは、第一の領域と、当該第一の領域に内側に位置する第二の領域と、を有し、前記第二の領域は一部が前記第一の領域に連続し、当該連続する部分を除く外周が前記第一の領域と接しておらず、
前記実装パッドは、上面から見た形状が四角形であって、
前記第一の領域と、前記第二の領域との間に、前記四角形の辺と平行なスリットを有し、前記第二の領域は前記スリットで囲まれた領域であり、
前記第1領域の幅は前記半導体発光素子の幅の110%以下の幅である、
汎用実装基板を用意するステップと、
第二の領域の前記外周の大きさより大きい前記半導体発光素子を用意するステップと、
前記実装パッドの前記第二の領域及び前記第一の領域に、前記電極面を覆うに足りる量の前記接合材を供給し、前記半導体発光素子の電極面を前記スリットと重なるように載せるステップと、
接合材により前記電極面と前記実装パッドとを前記半導体発光素子を前記第一の領域の外側の輪郭に沿った状態で接合するステップと、を含む半導体発光装置の製造方法。
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