JP7064324B2 - 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7064324B2
JP7064324B2 JP2017242065A JP2017242065A JP7064324B2 JP 7064324 B2 JP7064324 B2 JP 7064324B2 JP 2017242065 A JP2017242065 A JP 2017242065A JP 2017242065 A JP2017242065 A JP 2017242065A JP 7064324 B2 JP7064324 B2 JP 7064324B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
light emitting
semiconductor light
emitting device
mounting pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017242065A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019110203A (ja
Inventor
俊広 及川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2017242065A priority Critical patent/JP7064324B2/ja
Priority to KR1020180138198A priority patent/KR102637463B1/ko
Priority to CN201811381698.0A priority patent/CN109935672A/zh
Priority to TW107141399A priority patent/TWI803537B/zh
Publication of JP2019110203A publication Critical patent/JP2019110203A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7064324B2 publication Critical patent/JP7064324B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385Shape, e.g. interlocking features

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)等の半導体発光素子を、素子実装用の基板(以下、実装基板という)に実装した半導体発光装置及びその製造方法に関する。
半導体発光装置として、絶縁基板の表面に形成した金属膜からなる素子実装用のパッド(実装パッド)に半導体発光素子(以下、LEDチップともいう)を接合材で接合し、LEDチップ表面の電極をワイヤーボンディングした後、樹脂モールドによりパッケージ化した発光装置が広く用いられている。このタイプの発光装置では、LEDチップが発生する熱を効果的に基板側に拡散するために、LEDチップが接合材により全面で実装パッドに接合されることが好ましいが、LEDチップと実装パッドとの間に供給される接合材の量が多いと、リフロー時に溶融した接合材がLEDチップの周辺に広がったり、回り込んだりするという問題がある。この問題を解消するため、例えば実装パッドのLEDチップが接合される部分の外側に突出部を設けることや(特許文献1)、溝を設けることが提案されている(特許文献2)。
特開2009-76524号公報 特開2012-109352号公報
LEDチップには、1mm角、0.7mm角、0.5mm角など大きさが異なるものがあるが、上述した従来の技術では、実装パッドに設ける突出部や溝はLEDチップのサイズに応じて決まるため、異なる大きさのLEDチップ毎に実装基板を用意する必要がある。一方、最大のLEDチップに対応する面積の大きな実装パッドを設けた実装基板を用いることにより、どの大きさのLEDチップにも対応することは可能であるが、そのような大きな実装パッドに小さいLEDチップを接合した場合、リフロー時に溶融した接合材が流動化することにより、LEDチップが本来固定すべき位置からずれたり回転したりする場合がある。その状態で接合材が固化すると、LEDチップは位置がずれたまま接合される。このような発光装置を照明等の光源に適用すると、光源の位置がずれているため光学設計が困難になるという問題がある。
本発明は、LEDチップの位置ずれや余分な接合材の広がりの問題がなく、しかも異なる大きさのLEDチップに対応できる汎用の実装基板を提供すること、そしてこのような実装基板にLEDチップを実装した半導体発光装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、本発明の半導体発光装置は、その実装基板の実装パッドが、複数のLEDチップの大きさに対応した複数の実装領域を持つ。複数の実装領域は、実装パッドに形成した切り欠け部或いはスリットによって、一部のみが連続するように配置される。
すなわち本発明の半導体発光装置は、金属膜からなる実装パッドを有する実装基板と、前記金属膜に対しぬれ性を持つ材料からなる接合材によって、裏面が前記実装パッドに接合された半導体発光素子と、を備え、前記実装パッドは、第一の領域と、当該第一の領域に内側に位置する第二の領域と、を有し、前記第二の領域は一部が前記第一の領域に連続し、当該連続する部分を除く外周が前記第一の領域と接していないことを特徴とする。
また半導体発光素子は、大きさの異なる複数の発光素子のいずれかであり、前記第二の領域の外周は、前記複数の発光素子のうち最大の発光素子の外周より小さく且つ二番目に大きい発光素子の外周と同じか、それより大きい。
本発明によれば、LEDチップを、実装パッドの複数の実装領域のうち、大きさに応じた実装領域に配置して接合することにより、接合材が溶融した状態において、接合材は、実装パッドに対するぬれ性と実装領域を隔てる空間(例えば基板の材料)に対するぬれ性との相違によって、LEDチップを配置した実装領域に留まり、広がりが抑制される。このため、LEDチップは実装領域の形にほぼ沿った形に配置され、位置ずれがない。また余分な量の接合材があったとしても、実装領域の連続部分から他の実装領域に広がるため、実装パッド以外の基板上に接合材が広がるのを防止できる。
半導体発光装置の一実施形態を示す側断面図。 図1の半導体発光装置に異なるサイズのLEDチップを実装した状態を説明する上面図。 第一実施形態の汎用実装基板の実装パッド部分を示す図。 第一実施形態の汎用実装基板へのLEDチップの実装を説明する図で、(A)はラージチップ実装時、(B)はスモールチップ実装時、をそれぞれ示す。 第一の実施形態の半導体発光装置の製造方法を説明する工程図。 (A)~(C)は、第一実施形態の汎用実装基板へスモールチップを実装する手順を示す図。 (A)~(C)は、第一実施形態の汎用実装基板へラージチップを実装する手順を示す図。 第二実施形態の汎用実装基板の実装パッド部分を示す図。 (A)、(B)は、第二実施形態の汎用実装基板へLEDチップを実装する際の接合材の供給箇所を説明する図。 (A)、(B)は、それぞれ第二実施形態の汎用実装基板の変形例を示す図。 第三実施形態の汎用実装基板の実装パッドを示す上面図。 第三実施形態の変形例を示す上面図。
以下、本発明の半導体発光装置の実施形態を説明する。
図1に、本発明の半導体発光装置の一実施形態を示す。この半導体発光装置は、実装基板10と、実装基板10に接合材20によって接合されたLEDチップ30と、を備える。さらに、通常は、LEDチップ30は透光性樹脂や蛍光体含有樹脂などの封止樹脂で封止される。封止樹脂50で封止する場合には、未硬化の封止樹脂50を注入するための筒状の壁部材60や内面が逆円錐台形の反射部材などを実装基板10の外周に沿って配置することができる。
実装基板10は、ガラスエポキシ基板、セラミック多層基板等の絶縁基板からなり、LEDチップ30に給電するためのAu、Cu等の金属からなる導体配線11が形成されており、この導体配線11の端部にLEDチップ30を接合するための実装パッド13が形成されている。実装パッド13は、特定のサイズのLEDチップ30ではなく、複数のサイズのLEDチップのうち任意のサイズのLEDチップを実装できる形状を持つ。実装パッドの具体的な形状については後述する。なお、導体配線11及び実装パッド13は、金属の単層膜のほか、異なる金属からなる多層膜であってもよく、その構造に応じて、フォトリソブラフィ、スパッタリング、蒸着等の任意の方法で絶縁基板上に形成することができる。
接合材20は、金属である実装パッド13とLEDチップ30の電極面とを接合するもので、比較的低融点で溶融する金属材料、例えばSnPb系、SnAgCu系、AuSn系、SnZn系、ZnCu系などの合金を用いることができる。このような金属材料は溶融時(融点)において、金属からなる実装パッド13に対するぬれ性に優れ、且つ絶縁基板に対するぬれ性が低いため、実装パッド13に滴下したときに、実装パッド13の外縁から、その外側である絶縁基板に広がることなく、実装パッド13上に留まり、その上に置かれたLEDチップ30の移動を抑制する。
LEDチップ30は、p型半導体とn型半導体とを接合した構造を有し、片面に両電極が形成された片面タイプと、表面と裏面にそれぞれ電極が形成された両面タイプがある。本実施形態では、いずれのタイプも採用することが可能であるが、上面に両電極が形成された片面タイプの場合、裏面側に金属膜を形成しておくことが好ましい。図1では、裏面側にn電極が配置され、上面側の中央にp電極が配置された両面タイプを用いた例を示しており、n電極が形成された裏面が、接合材20により実装基板10の実装パッド13に接合され、p電極が実装基板10の導体配線11(電極パッド)にAg等の線材40でワイヤーボンディングされている。なお半導体としては、限定されるものではないが、例えば、GaAs、GaP、AlGaInP、InGaN等の化合物半導体が用いられる。また電極は、Al、Ag、Au、Pd等の単層膜或いは積層膜からなる。
LEDチップ30の形状は、特に限定されないが、一般には上面から見た形状が四角形のものが多用されており、それらを用いることができる。またLEDチップ30の大きさは、上面から見た四角形のサイズとして、1mm角、0.7mm角、0.5mm角などがある。本実施形態の半導体発光装置は、実装基板として複数のサイズのLEDチップに対応した実装基板を用いており、特定のサイズに限定されることなく、複数のサイズのLEDチップのうち任意のLEDチップを用いることができる。
図2は、2つのサイズのLEDチップ30L、30Sのいずれかを実装した状態を、それぞれ点線、破線で示している。LEDチップ30Lを実装する場合には、実装パッド13の外側の輪郭に合わせてLEDチップ30Lを固定し、LEDチップ30Sを実装する場合には、外側の輪郭の内側に輪郭にあわせてLEDチップ30Sを固定する。いずれの場合も、実装パッド13に供給された接合材20は、溶融時のぬれ性が実装パッド13に対しては良好であり絶縁基板に対しては乏しいため、実装パッド13上に留まり、流動性を持つ状態でも上に載ったLEDチップの移動を制限し、LEDチップ30Lであれば外側の輪郭に、LEDチップ30Sであれば内側の輪郭にほぼ沿った状態を保ち、接合材の硬化によりその位置に接合される。
次に上述した半導体発光装置に用いられる実装基板10の実施形態を説明する。ここでは、一例としてサイズの異なる2つのLEDチップ、ラージチップ30L及びスモールチップ30S、に対応した実装パッドの具体例を説明する。
<第一実施形態>
本実施形態の実装基板10の実装パッド13は、図3に示すように、ラージチップに対応する第一の領域131と、第一の領域に内側に位置し、スモールチップに対応する第二の領域132(斜線で示す)とを有する。また実装パッド13は、上面から見た形状が、四角形の四辺のそれぞれ一部を切り欠いた形状を有し、第二の領域132は切り欠き部135で囲まれた領域であり、その外側の部分が第一の領域131である。図示するように第一の領域131と第二の領域132とは、第二の領域132の四隅において連続しており、これにより電気的に断続されていない、すなわち一体である。またこの連続部を通して、一方の領域に供給された接合材は他方の領域側に広がることができ、実装パッドと絶縁基板との接合材に対するぬれ性の相違による接合材の広がり防止効果と相まって、基板側へ広がるのを防止することができる。
実装パッド13の幅W1、すなわち第一の領域131の幅W1は、ラージチップの幅と同程度である。具体的にはラージチップの幅±10%程度であることが好ましい。これにより、図4(A)に示すようにラージチップ30Lを載せたときに、切り欠き部135に対応する部分を除く裏面全面が、実装パッド13全面に接合され、チップから発生する熱を、実装パッド13を介して効果的に放散させることができ、且つ加熱された溶融した接合材20が流動性を持つことにより、接合材20上のラージチップ30Lが移動したとしても、その移動範囲を実装パッド上に留めることができ、位置ずれを抑制することができる。
また第二の領域132の幅W2は、ラージチップの幅よりも小さく且つスモールチップの幅と同じか(図4(B))、それより若干大きいものとする。具体的には、W2はスモールチップの幅±10%程度であれることが好ましく、これにより、ラージチップの場合と同様に、チップからの熱引きを良好にし、且つ接合時の位置ずれを防止することができる。W1はW2より大きく例えばW1はW2の√2倍、ないし2倍の幅となるように選択される。
さらに第二の領域132の外周を画定する切り欠き部135の幅W3は、第二の領域の幅W2の1/2以上であることが好ましい。この幅W3が狭い場合、第二の領域132と絶縁基板との境界によるスモールチップの移動制限効果が低下し、第一の領域と第二の領域とがつながっている部分(連続部)を使ってスモールチップが動きやすくなる、すなわち位置ずれが生じやすくなる。
実装パッドの一方向の幅のみを説明したが、この方向と直交する方向についても上述したW1~W3と同様に設計することが好ましい。
また図3では、切り欠き部135の形状として四角形のものを示したが、切り欠き部135は上述した条件を満たすものであれば、一部の辺が傾斜したり曲線状であったりしてもよい。
次に本実施形態の実装基板を用いた半導体発光装置の製造方法を、図5乃至図7を参照して説明する。
まず実装基板10として、所定の導体配線11と上述した形状の実装パッド13を形成した実装基板を用意する(S501)。実装するLEDチップのサイズに合わせて、実装パッド13上の所定の領域に接合材を供給する(S502)。この状態において、接合材20は、AuSn等の金属材料のほかにバインダーやフラックス剤などを含むペースト状であり、塗布やポッティングにより供給することができ、LEDチップがスモールチップ30Sの場合には、図6(A)に示すように、実装パッド13の内側の輪郭内、すなわち第二の領域132内に供給する。供給する接合材20の量は、接合材が溶融して広がった状態でLEDチップの裏面を覆うことができる量であればよく、第二の領域132からはみ出す量が少ないことが好ましい。このような接合材の量は、LEDチップのサイズにより経験的に知ることができるので、それら経験値を元に適切に供給する。
またLEDチップがラージチップ30Lの場合には、図7(A)に示すように、実装パッド13の内側の輪郭内すなわち第二の領域132内と、その外側の領域すなわち第一の領域131に供給する。本実施形態では、外側の領域は第二の領域132の四隅に分割されて存在するので、それぞれに接合材20を供給する。接合材20の供給量は、LEDチップの裏面を覆うのに足りる量であって、第一の領域から外側に広がらない程度の量とする。なお図7(A)では、第一の領域と第二の領域の両方に接合材を供給する例を示したが、第一の領域と第二の領域とは第二の領域の四隅で連続しているので、図6(A)と同様に第二の領域132だけに、スモールチップの場合よりも多い量の接合材20を供給し、第二の領域132から第一の領域131に移動する接合材20によって、第一の領域上にあるLEDチップの部分を接合することも可能である。
ついで実装パッド上にLEDチップを配置する(S503)。スモールチップ30Sであれば、第二の領域132の輪郭に沿って(図6(B))、ラージチップ30Lであれば、第一の領域131の外側の輪郭に沿って(図7(B))、LEDチップを載せて押し当てる。LEDチップ30を接合材20により実装基板上に仮に固定した状態で、実装基板10をリフロー炉に入れ、所定時間加熱した後、接合材20を硬化させてLEDチップ30を接合する(S504)。リフロー時の加熱により、ペースト状の接合材20は溶融し、流動性を持つが、接合材20のぬれ性は、金属材料からなる実装パッド13に比べ絶縁基板10は乏しいため、接合材20は実装パッド13から外側(絶縁基板側)に広がりにくい。このため、実装パッド13の内側に配置されたスモールチップ30Sは、実装パッド13の切り欠き部で画定される第二の領域132の外周の内側に移動範囲が制限される。これにより位置ずれが防止された状態で、接合材20が硬化するのに伴い第二の領域132上に固定、接合される(図6(c)、図7(c))。スモールチップ30Sであれば、第二の領域132の輪郭以内に実装され、ラージチップ30Lであれば、第一の領域131の外側の輪郭以内に切り欠き部を覆いつつ実装される。
その後、LEDチップの上側に設けられた電極(不図示)を、実装基板10の電極パッドにワイヤーボンディングすること(S505)、必要に応じて、ワイヤーボンディング後のLEDチップを透光性樹脂で封止すること(S506)は、従来の半導体発光装置の製造と同様である。
本実施形態によれば、ラージチップに対応する大きさの領域を持つ実装パッドを、四角形の各辺を切り欠いた形状とし、内側に切り欠き部で囲まれた、スモールチップに対応する領域を設けことにより、ラージチップにもスモールチップにも対応可能な汎用の実装基板を提供することができる。そして、この実装基板を用いることにより、LEDチップの位置ずれがなく、且つLEDチップが発する熱を放散させやすい構造の半導体発光装置が提供される。
なお以上説明した実施形態では、LEDチップとして裏面に一方の電極、上面に他方の電極を設けた両面タイプのものを用いる場合を説明したが、上面に両電極を配置したLEDチップであっても同様に適用することができる。
また以上の実施形態では、絶縁基板上に単一のLEDチップを実装する場合を説明したが、実装するLEDチップの数は複数であってもよい。その場合、絶縁基板上に複数の実装パッドが形成された実装基板を用意する。複数の実装パッドのうち少なくとも一つの実装パッドが上述した汎用実装パッドである場合も本実施形態に包含される。
<第二実施形態>
第一実施形態では、実装パッドに切り欠き部を設けて、切り欠き部によって、スモールチップに対応する第二の領域の外周を画定したが、本実施形態では、第一の領域と第二の領域との間にスリットを形成する。本実施形態の実装基板及びそれを用いた半導体発光装置の構成は、上述した第一実施形態と同様であるので、以下、本実施形態の特徴である実装基板の実装パッドについてのみ説明する。
本実施形態の実装パッド130は、図8に示すように、四角形の形状を有し、その四辺に沿って内側に4本のスリット137が形成されている。4本のスリット137で画定される内側の領域(斜線で示す領域)が、スモールチップに対する第二の領域132、外側の領域がラージチップに対応する第一の領域131である。本実施形態でも第一の領域131と第二の領域132は、スリットが設けられていない部分によって連続し、これにより電気的一体性が維持され、且つこの連続部を介して接合材の広がりを許容する。
実装パッド130の幅(第一の領域の幅)w1、第二の領域の幅w2、及びスリットの長さLは、図3に示す第一実施形態における第一の領域の幅W1、第二の領域の幅W2、及び切り欠き部の幅W3と同様であり、w1はラージチップの幅に対応し、w2はスモールチップの幅に対応する。またスリットの長さLは、w2の1/2以上であることが好ましい。これにより、スモールチップを搭載した場合にも、溶融した接合材によってスモールチップが移動することが抑制され、チップの位置ずれのない半導体発光装置を得ることができる。
さらに本実施形態の実装基板では、第一実施形態の実装基板に比べ、ラージチップを搭載した場合にその裏面が実装基板に接合される面積が広いので、LEDチップからの熱引きが良好である。
本実施形態の実装基板を用いた半導体発光装置の製造方法も第一の実施形態の場合と同様であり、スモールチップを実装する場合には、図9(A)に示すように、第二の領域132のみにペースト状の接合材20を適量供給し、リフロー時の熱で接合材を溶融して第二の領域132全体に行き渡らせて、第二の領域132にスモールチップを固定する。このとき接合材は、ぬれ性の相違によって、スリット137によってむき出しになった絶縁基板側への移動が抑制され、流動範囲が限定されるため、その上に載っているスモールチップも第二の領域132からはみ出すことなく、第二の領域132に固定される。
またラージチップを実装する場合には、図9(B)に示すように、第二の領域132と第一の領域131のスリット137に沿った領域或いは四隅に接合材20を適量供給し、リフロー時の熱で接合材を溶融して第一の領域131及び第二の領域132全体に行き渡らせて、実装パッド全体を覆うようにラージチップを固定する。
本実施形態によれば、ラージチップに対応する大きさの第一の領域の内側に、スリットを設け、外周がスリットで画定される第二の領域を設けることにより、複数のサイズのLEDチップに対応することが可能であり、いずれの場合にも、LEDチップの位置ずれがなく且つ熱引きの良好な半導体発光装置を得ることができる。
本実施形態も、第一実施形態と同様に単一チップだけでなく複数チップの半導体発光装置にも適用することが可能である。
<第二実施形態の変形例>
第二実施形態では、実装パッドの四辺に沿って、それぞれ1本のスリットを設けたが、スリットの形状や配置は、第一の領域と第二の領域との連続性を確保する、第二の領域の外周を画定できる、という条件を満たすものであれば、図8に示すものに限らず、種々の変形が可能である。
図10(A)、(B)に変形例を示す。図10(A)に示す変形例は、実装パッド130Aの四辺に平行に形成されたスリットを複数のスリット137Aで構成した例である。ここでは第二実施形態の1本のスリットを2本のスリットに分割しているが、分割数は2に限らず、それより多くても良いし、また四辺のスリット全てで同一でなくても良い。例えば、縦方向のスリットは1本のスリットとし、横方向のスリットは複数本のスリットで構成するなど任意の変更が可能である。
図10(B)に示す変形例は、スリット形状をL字状としたものであり、図示する例では実装パッド130Bの四隅の内側に4つのスリット137Bを配置している。この変形例でも、さらに2つのL字状スリット137Bの間に、直線状のスリットを配置するなど種々の変更が可能である。
これら変形例の実装基板においても、第二実施形態と同様の効果が得られる。
<第三実施形態>
第一実施形態及び第二実施形態では、スモールチップとラージチップの2種類のLEDチップに対応した実装基板を説明したが、本実施形態の実装基板は、大きさが異なる3種以上のLEDチップに対応するものである。
図11に、ラージチップ、ミドルチップ及びスモールチップの3種に対応した実装パッド1300の一例を示す。図示するように、この実装基板1300は、四角形の四辺に切り欠き部135を設けた第一実施形態の実装パッド13と類似した形状を有しているが、第一実施形態の実装パッド13の第二の領域に対応する領域(一点鎖線で囲まれた領域)132の内側に、その外周に沿って4本のスリット137が形成され、第三の領域(点線で囲まれた領域)133を画定している。即ち一点鎖線と点線とで挟まれた領域が第二の領域である。第一の領域131、第二の領域132及び第三の領域133は、それぞれ、外周の大きさがラージチップ、ミドルチップ及びスモールチップに対応している。
また第一の領域131、第二の領域132及び第三の領域133は、電気的には導通しており、且つ各領域を画定するスリット137や切り欠き部135が存在することにより、結合材を介して各領域に対応する大きさのLEDチップを接合したときに、LEDチップの移動が抑制され位置ずれのない半導体発光装置を製造することができる。さらに適量の結合材を供給することで、LEDチップの裏面のほぼ全域が実装パッドに接合されるため、良好な熱引きが得られ、半導体発光装置の熱劣化を防止することができる。
なお本実施形態においても、スリット137の形状については第二実施形態の変形例と同様の変更が可能である。また図12に示すように、スリット137と切り欠き部135とを結合して、3つの領域を実現することも可能である。
以上、本発明の半導体発光装置及びそれに用いる実装基板の実施形態を説明したが、各実施形態の説明に用いた図面は一例であって、半導体発光装置の構造、LEDチップのタイプや形状などは、これら図面に限定されることなく、本発明は公知の構造やタイプに適用することが可能である。
10:実装基板、11:導体配線、13:実装パッド、20:接合材、30:LEDチップ(半導体発光素子)、30L:ラージチップ、30S:スモールチップ、31:電極(金属膜)、40:線材、50:封止樹脂、60:壁材、130:実装パッド、130A:実装パッド、130B:実装パッド、131:第一の領域、132:第二の領域、133:第三の領域、135:切欠き部、137:スリット、137A:スリット、137B:スリット、1300:実装パッド

Claims (5)

  1. 金属膜からなる実装パッドを有する実装基板と、前記金属膜に対しぬれ性を持つ材料からなる接合材によって、裏面が前記実装パッドに接合された半導体発光素子と、を備え、
    前記実装パッドは、第一の領域と、当該第一の領域に内側に位置する第二の領域と、を有し、前記第二の領域は一部が前記第一の領域に連続し、当該連続する部分を除く外周が前記第一の領域と接しておらず、
    前記実装パッドは、上面から見た形状が、四角形の四辺のそれぞれ一部を前記四辺の中央部において矩形状に切り欠いた形状の切り欠き部を有し、
    前記第二の領域は四辺が前記切り欠き部の内側端部と重なる矩形状の領域であり、
    前記切り欠き部の、前記第二の領域と重なる内側端部の幅は、前記第二の領域の幅の1/2以上であり、
    前記第一の領域の幅は前記半導体発光素子の幅の110%以下の幅であり、かつ前記第二の領域の幅の√2倍から2倍であり、
    前記半導体発光素子は、前記第二の領域の前記外周の大きさより大きく、前記切り欠き部と重なり、かつ前記第一の領域の外側の輪郭に沿って実装され、
    前記第一の領域および前記第二の領域まで広がるように前記接合材は設けられている
    ことを特徴とする半導体発光装置。
  2. 金属膜からなる実装パッドを有する実装基板と、前記金属膜に対しぬれ性を持つ材料からなる接合材によって、裏面が前記実装パッドに接合された半導体発光素子と、を備え、
    前記実装パッドは、第一の領域と、当該第一の領域に内側に位置する第二の領域と、を有し、前記第二の領域は一部が前記第一の領域に連続し、当該連続する部分を除く外周が前記第一の領域と接しておらず、
    前記実装パッドは、上面から見た形状が四角形であって、
    前記第一の領域と、前記第二の領域との間に、前記四角形の辺と平行なスリットを有し、前記第二の領域は前記スリットで囲まれた領域であり、
    前記第一の領域の幅は前記半導体発光素子の幅の110%以下の幅であり、
    前記半導体発光素子は前記第二の領域の前記外周の大きさより大きく、前記スリットと重なり、かつ前記第一の領域の外側の輪郭に沿って実装され、
    前記第一の領域および前記第二の領域の前記スリットに沿った領域まで広がるように前記接合材は設けられている、
    ことを特徴とする半導体発光装置。
  3. 請求項2に記載の半導体発光装置であって、
    前記スリットの、前記四角形の辺と平行な方向の幅は、同方向における前記第二の領域の幅の1/2以上であることを特徴とする半導体発光装置。
  4. 表面に実装パッドが形成された実装基板に、裏面に電極面を持つ半導体発光素子の前記電極面を前記実装パッドに接合材により接合して半導体発光装置を製造する方法であって、
    前記実装基板として、
    前記実装パッドは、第一の領域と、当該第一の領域に内側に位置する第二の領域と、を有し、前記第二の領域は一部が前記第一の領域に連続し、当該連続する部分を除く外周が前記第一の領域と接しておらず
    前記実装パッドは、上面から見た形状が、四角形の四辺のそれぞれ一部を前記四辺の中央部において矩形状に切り欠いた形状の切り欠き部を有し、
    前記第二の領域は四辺が前記切り欠き部の内側端部と重なる矩形状の領域であり、
    前記切り欠き部の、前記第二の領域と重なる内側端部の幅は、前記第二の領域の幅の1/2以上であり、
    前記第一の領域の幅は前記半導体発光素子の幅の110%以下の幅であり、かつ前記第二の領域の幅の√2倍から2倍である、汎用実装基板を用意するステップと、
    第二の領域の前記外周の大きさより大きい前記半導体発光素子を用意するステップと、
    前記実装パッドの前記第一の領域および前記第二の領域に、前記電極面を覆うに足りる量の前記接合材を供給し、前記切り欠き部と重なるように前記半導体発光素子の電極面を載せるステップと、
    前記接合材を加熱し、前記第一の領域および前記第二の領域で広がる前記接合材により前記電極面と前記実装パッドとを前記半導体発光素子を前記第一の領域の外側の輪郭に沿った状態で接合するステップと、を含む半導体発光装置の製造方法。
  5. 表面に金属膜からなる実装パッドが形成された実装基板に、裏面に電極面を持つ半導体発光素子の前記電極面を前記実装パッドに接合材により接合して、半導体発光装置を製造する方法であって、
    前記実装基板として、
    前記実装パッドは、第一の領域と、当該第一の領域に内側に位置する第二の領域と、を有し、前記第二の領域は一部が前記第一の領域に連続し、当該連続する部分を除く外周が前記第一の領域と接しておらず、
    前記実装パッドは、上面から見た形状が四角形であって、
    前記第一の領域と、前記第二の領域との間に、前記四角形の辺と平行なスリットを有し、前記第二の領域は前記スリットで囲まれた領域であり、
    前記第1領域の幅は前記半導体発光素子の幅の110%以下の幅である、
    汎用実装基板を用意するステップと、
    第二の領域の前記外周の大きさより大きい前記半導体発光素子を用意するステップと、
    前記実装パッドの前記第二の領域及び前記第一の領域に、前記電極面を覆うに足りる量の前記接合材を供給し、前記半導体発光素子の電極面を前記スリットと重なるように載せるステップと、
    接合材により前記電極面と前記実装パッドとを前記半導体発光素子を前記第一の領域の外側の輪郭に沿った状態で接合するステップと、を含む半導体発光装置の製造方法。
JP2017242065A 2017-12-18 2017-12-18 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法 Active JP7064324B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017242065A JP7064324B2 (ja) 2017-12-18 2017-12-18 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法
KR1020180138198A KR102637463B1 (ko) 2017-12-18 2018-11-12 반도체 발광장치, 범용실장기판, 및 그것을 이용한 반도체 발광장치의 제조방법
CN201811381698.0A CN109935672A (zh) 2017-12-18 2018-11-20 通用安装基板和用其的半导体发光装置及其制造方法
TW107141399A TWI803537B (zh) 2017-12-18 2018-11-21 半導體發光裝置、汎用安裝基板以及使用其之半導體發光裝置之製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017242065A JP7064324B2 (ja) 2017-12-18 2017-12-18 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019110203A JP2019110203A (ja) 2019-07-04
JP7064324B2 true JP7064324B2 (ja) 2022-05-10

Family

ID=66984660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017242065A Active JP7064324B2 (ja) 2017-12-18 2017-12-18 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7064324B2 (ja)
KR (1) KR102637463B1 (ja)
CN (1) CN109935672A (ja)
TW (1) TWI803537B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111863758B (zh) * 2020-06-04 2022-08-23 上海美仁半导体有限公司 一种安装基板、半导体器件和家用电器
JP7482072B2 (ja) * 2021-03-22 2024-05-13 株式会社東芝 半導体装置
WO2024034482A1 (ja) * 2022-08-10 2024-02-15 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 半導体装置、及び半導体装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003264267A (ja) 2002-03-08 2003-09-19 Rohm Co Ltd 半導体チップを使用した半導体装置
JP2008117900A (ja) 2006-11-02 2008-05-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008118071A (ja) 2006-11-08 2008-05-22 Nichia Chem Ind Ltd 実装用部品、および半導体装置
US20120007117A1 (en) 2010-07-08 2012-01-12 Andrews Peter S Submount for Electronic Die Attach with Controlled Voids and Methods of Attaching an Electronic Die to a Submount Including Engineered Voids
JP2013012567A (ja) 2011-06-29 2013-01-17 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置
JP2014022576A (ja) 2012-07-18 2014-02-03 Nichia Chem Ind Ltd 半導体素子実装部材及び半導体装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080042012A (ko) * 2006-11-08 2008-05-14 산요덴키가부시키가이샤 소자 탑재용 기판, 그 제조 방법, 반도체 모듈 및 휴대기기
JP5082710B2 (ja) 2007-09-19 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2012109352A (ja) 2010-11-16 2012-06-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003264267A (ja) 2002-03-08 2003-09-19 Rohm Co Ltd 半導体チップを使用した半導体装置
JP2008117900A (ja) 2006-11-02 2008-05-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008118071A (ja) 2006-11-08 2008-05-22 Nichia Chem Ind Ltd 実装用部品、および半導体装置
US20120007117A1 (en) 2010-07-08 2012-01-12 Andrews Peter S Submount for Electronic Die Attach with Controlled Voids and Methods of Attaching an Electronic Die to a Submount Including Engineered Voids
JP2013012567A (ja) 2011-06-29 2013-01-17 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置
JP2014022576A (ja) 2012-07-18 2014-02-03 Nichia Chem Ind Ltd 半導体素子実装部材及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019110203A (ja) 2019-07-04
CN109935672A (zh) 2019-06-25
KR102637463B1 (ko) 2024-02-16
TW201929190A (zh) 2019-07-16
KR20190073258A (ko) 2019-06-26
TWI803537B (zh) 2023-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7064324B2 (ja) 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法
WO2011007621A1 (ja) 発光装置
JP6660687B2 (ja) 半導体素子および発光装置
JP6423685B2 (ja) 電子部品、モジュール及びカメラ
JP2014049577A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2011233775A (ja) 半導体パッケージおよび半導体発光装置
US10546988B2 (en) Light emitting device and solder bond structure
JP2016167480A (ja) 電力用半導体装置
JP5954013B2 (ja) 半導体素子実装部材及び半導体装置
US11233186B2 (en) Semiconductor light-emitting device
JP7064325B2 (ja) 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法
JP2007005607A (ja) 半導体装置
JP2016184756A (ja) 半導体素子実装部材及び半導体装置
JP2015207626A (ja) サイドビュー型半導体発光装置
US9595488B2 (en) Semiconductor device
JP6619119B1 (ja) 半導体装置
JP6274986B2 (ja) パワー半導体モジュールおよびその製造方法
JP7202869B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5998716B2 (ja) 発光装置
JP2018093084A (ja) 半導体装置
WO2021240944A1 (ja) 半導体装置
WO2014196175A1 (ja) 配線基板およびledモジュール
JP6713334B2 (ja) 基板構造
JP2020053644A (ja) 発光装置
US20170301842A1 (en) Light emitting package structure

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201105

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220412

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220422

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7064324

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150