JP2018093084A

JP2018093084A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2018093084A
Application number: JP2016236043A
Authority: JP
Inventors: 慎也内堀; Shinya Uchibori; 篤志柏崎; Atsushi Kashiwazaki; 祐紀眞田; Yuki Sanada
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2016-12-05
Filing date: 2016-12-05
Publication date: 2018-06-14

Abstract

【課題】ハーフモールドのパッケージ部品１と、これとはんだ接合された実装基板２と、これらを封止するモールド樹脂４０と、を備え、パッケージ部品１と実装基板２とのはんだ接合における大きなサイズのボイド発生を抑制しつつ、実装基板２とモールド樹脂４０との密着低下を抑制した半導体装置を実現する。【解決手段】ハーフモールド型のパッケージ部品１と、基板２０の表面２０ａ上に第１のランド３０と第２のランド３１とを備えてなる実装基板２と、モールド樹脂４０とを有してなる半導体装置において、表面２０ａに対する法線方向から見て、実装基板２の表面２０ａ側の領域のうちパッケージ部品１に覆われると共に分割して配置された第１のランド３０とこれらを囲むように配置された第２のランド３１との間の領域であって、隣接する第１のランド３０同士の隙間である分割溝３４の延長線上に、表面２０ａ側から反対面側へ凹む凹部２２を設ける。【選択図】図１

Description

本発明は、実装基板上にパッケージ部品を搭載したものを一部封止してなる半導体装置に関する。

従来より、一面と他面とを有する基板と、該一面上に搭載されたチップと、チップとワイヤーを介して接続された端子と、基板の一面、チップ、端子の一部を封止する封止樹脂とを有するパッケージ部品がある。このような構成において、基板の他面が封止樹脂から露出した、いわゆるハーフモールドのパッケージ部品（以下単に「パッケージ部品」という）が知られている。

また、パッケージ部品とランドと呼ばれる接合用の配線パターンを備える実装基板（以下単に「実装基板」という）とをはんだ接合し、モールド樹脂により封止してなる半導体装置が知られている。

ここで、パッケージ部品と実装基板とのランドとをはんだ接合する際、パッケージ部品のうち基板の他面と実装基板とを接合するはんだに気泡、すなわちボイドが生じやすいという問題がある。パッケージ部品のうち基板の他面と実装基板のランドとを接合するはんだに大きなサイズのボイドが生じると、はんだの中に熱伝導率が低い空気が含まれることとなり、はんだの全体の熱伝導率が低下してしまう。その結果、パッケージ部品を駆動した際の熱がはんだを介して実装基板側へ放出されにくくなり、すなわち放熱効率が低下し、該パッケージ部品中のチップが熱暴走を起こすおそれがある。

このような問題を解決するための手法としては、例えば特許文献１に記載のものが挙げられる。特許文献１に記載の手法は、実装基板のランドを小さなサイズに分割し、この分割されたランドとパッケージ部品のうち基板の他面とを複数箇所ではんだ接合するというものである。

これにより、パッケージ部品のうち基板の他面と実装基板の分割されたランドとを接合する個々のはんだの面積が小さくなると共に、分割されたランド同士の間に空気の逃げ場となる隙間が設けられることとなる。その結果、パッケージ部品のうち基板の他面と実装基板とを接合する個々のはんだの中に大きなサイズのボイドが生じにくくなる。したがって、パッケージ部品の放熱効率が向上し、パッケージ部品中のチップが熱暴走することを抑制できる。

特開２００７−２３４６７５号公報

ここで、一般的に、はんだ接合は、はんだと接合する金属の表面に形成された金属酸化膜を除去するためのフラックスを塗布してはんだ接合するか、もしくはフラックスを含んだはんだを用いて接合することにより行われる。

また、パッケージ部品と実装基板とをはんだ接合し、パッケージ部品と実装基板の一面とをモールド樹脂で封止して半導体装置を製造する際、実装基板とモールド樹脂との密着性を高めるため、はんだ付近のフラックスをあらかじめ洗浄して除去することが行われる。

特許文献１に記載の半導体装置では、実装基板のランドが分割された形状であるため、はんだ接合で用いたフラックスを洗浄して除去しようとしても除去しきれずに、分割されたランドの隙間である分割溝にフラックスが残ってしまう。そのため、ランドが分割された実装基板を用いて製造された半導体装置では、ランドの分割溝に残存したフラックスが実装基板上に染み出してしまい、モールド樹脂と実装基板との密着性が低下してしまう。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、分割されたランドを備えた実装基板とパッケージ部品とのはんだ接合におけるボイドを抑制しつつ、フラックスの洗浄残渣によるモールド樹脂と実装基板との密着低下を抑制した半導体装置の提供を目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の半導体装置は、表裏の関係にある一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）を有するアイランド（１０）と、一面上に搭載されたチップ（１１）と、チップと電気的に接続された接続端子（１２）と、一面、チップおよび接続端子のうちチップと接続された一端側を封止する封止樹脂（１３）とを備えるパッケージ部品（１）と、表裏の関係にある表面（２０ａ）と裏面（２０ｂ）を有する基板（２０）と、表面上に形成された第１のランド（３０）および第２のランド（３１）と、を有してなる実装基板（２）と、パッケージ部品と、実装基板の表面とを封止するモールド樹脂（４０）と、を備える。このような構成において、第１のランドは、表面に対する法線方向から見て、パッケージ部品のうち封止樹脂の外郭の内側に形成されると共に、分割された複数の領域を構成し、分割された領域が第１のはんだ（３２）を介して他面と接続されており、
第２のランドは、法線方向から見て、封止樹脂の外郭の外側に配置され、接続端子と第２のはんだ（３３）を介して接続されており、表面上であって、法線方向から見て、第１のランドと第２のランドとの間の領域に表面側から裏面側へ凹んだ凹部（２２）が形成されており、凹部は、少なくとも、分割された複数の領域のうち隣り合う領域同士の隙間である分割溝（３４）の延長線上に配置されている。

これにより、第１のランドを分割してはんだ接合することにより、はんだ内に生じる気泡が分割溝などの空気の逃げ道から逃げやすくなるため、パッケージ部品の基板とはんだ接合する第１のランド内に大きなサイズのボイド発生を抑制された半導体装置となる。また、第１のランドの分割溝に残存するフラックスが洗浄により除去しきれなくても、当該分割の延長線上に凹部を設けることで、フラックスの洗浄残渣が染み出しても凹部よりも外周側に広がることを抑制できる。その結果、フラックスの洗浄残渣によるモールド樹脂と実装基板との密着低下を抑制した半導体装置となる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態の半導体装置を示す上面レイアウト図である。図１に示す一点鎖線ＩＩ−ＩＩ間における第１実施形態の半導体装置の断面を示す図である。従来の半導体装置におけるフラックスの洗浄残渣が実装基板上に広がる様子を示す上面レイアウト図である。第１実施形態の半導体装置において、パッケージ部品を破線で示しつつ、フラックスの洗浄残渣と凹部の配置とを示す上面レイアウト図である。図４に示す一点鎖線Ｖ−Ｖ間において第１実施形態の半導体装置におけるフラックスの洗浄残渣と凹部の配置とを示す断面図である。図５に示す第１実施形態の半導体装置の破線領域におけるフラックスの洗浄残渣と凹部の配置とを拡大した断面図である。第２実施形態の半導体装置を示す上面レイアウト図である。第３実施形態の半導体装置を示す上面レイアウト図である。第４実施形態の半導体装置におけるフラックスの洗浄残渣と凹部の配置とを示す拡大断面図である。第５実施形態の半導体装置を示す上面レイアウト図である。図１０に示す一点鎖線ＸＩ−ＸＩ間における第５実施形態の半導体装置の断面構成を示す図である。第６実施形態の半導体装置におけるフラックスの洗浄残渣と凹部の配置とを示す拡大断面図である。第７実施形態の半導体装置を示す上面レイアウト図である。他の実施形態の半導体装置での第１のランド近傍における第１のランドとソルダーレジスト層の配置を示す上面レイアウト図である。図１４に示す一点鎖線ＸＶ−ＸＶ間において他の実施形態の半導体装置での第１のランド近傍における第１のランドとソルダーレジスト層の断面構成を示す図である。他の実施形態の半導体装置での第１のランド近傍における第１のランドとソルダーレジスト層の配置を示す上面レイアウト図である。図１６に示す一点鎖線ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ間において他の実施形態の半導体装置での第１のランド近傍における第１のランドとソルダーレジスト層の断面構成を示す図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
第１実施形態について、図１〜図６を参照して述べる。本実施形態の半導体装置は、例えば自動車に搭載される半導体装置等に適用される。

図１では、本実施形態の半導体装置の構成を分かりやすくするために、後述するモールド樹脂４０とパッケージ部品１のうち封止樹脂１３内の構成要素およびアイランド１０については省略している。図１では、半導体装置の後述する構成要素であるパッケージ部品１に覆われた領域における凹部２２、第１のランド３０、分割溝３４、ソルダーレジスト層２１のうち第１のランド３０を囲む内郭領域を破線で示している。

本実施形態の半導体装置は、図１もしくは図２に示すように、パッケージ部品１と、表裏の関係にある表面２０ａと裏面２０ｂを有する実装基板２と、パッケージ部品１および実装基板２の表面２０ａを封止するモールド樹脂４０と、を備えて構成されている。

パッケージ部品１は、図２に示すように、表裏の関係にある一面１０ａと他面１０ｂを有するアイランド１０と、アイランド１０の一面１０ａ上に搭載されたチップ１１と、チップ１１とワイヤー１４で電気的に接続された接続端子１２と、封止樹脂１３とを備える。このような構成において、アイランド１０の一面１０ａ、チップ１１、ワイヤー１４および接続端子１２のうちチップ１１と接続されている一端側が封止樹脂１３により封止されており、パッケージ部品１は、いわゆるハーフモールド型のパッケージとされている。

パッケージ部品１は、本実施形態では、接続端子１２が封止樹脂１３の外郭の四辺から突き出て封止樹脂１３から露出したクアッドフラットパッケージ（ＱＦＰ）とされているが、これに限らず、他の公知のパッケージとされていてもよい。公知のモールドパッケージとしては、例えばスモールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ）などが挙げられるが、他の公知のパッケージであってもよい。

チップ１１は、例えばパワートランジスタやＩＧＢＴなどの半導体素子が形成された半導体チップなどであって、駆動すると発熱する発熱素子であり、ワイヤー１４により接続端子１２と電気的に接続されている。基板１０の一面１０ａおよび内部には、通常の回路基板と同様、回路を構成する配線や電極等の図示しない回路配線が設けられていてもよく、チップ１１は、必要に応じて、これら回路配線に接続されている。

なお、パッケージ部品１は、公知のモールドパッケージの材料で構成され、公知のモールドパッケージの製造方法により製造されたものである。パッケージ部品１は、実装基板２の表面２０ａ側に搭載され、実装基板２とはんだ接合されているが、詳細については後述する第１のランド３０および第２のランド３１の説明にて述べる。

実装基板２は、図１もしくは図２に示すように、表裏の関係にある表面２０ａと裏面２０ｂを有する基板２０と、表面２０ａ上に形成されたソルダーレジスト層２１、第１のランド３０および第２のランド３１とを有してなる。実装基板２には、第２のランド３１に接続された図示しない回路配線が形成されており、トランジスタなどの他の半導体素子やその回路等が形成されていてもよい。

基板２０は、エポキシ樹脂やガラスエポキシ樹脂等の樹脂をベースとして構成されるプリント基板である。

ソルダーレジスト層２１は、実装基板２に形成され、第２のランド３１に接続された図示しない回路配線等を被覆して保護する層であり、通常のソルダーレジスト材料よりなり、例えば塗布法などにより形成される。ソルダーレジスト層２１は、本実施形態では、図１に示すように、大きくは、第１のランド３０を囲む枠体状とされると共に、第２のランド３１が形成された領域と異なる領域に形成されている。つまり、ソルダーレジスト層２１は、第１のランド３０および第２のランド３１を囲むように配置されている。

ソルダーレジスト層２１には、本実施形態では、図１もしくは図２に示すように、後述するフラックスの洗浄残渣が濡れ広がるのを抑制するための凹部２２が形成されている。凹部２２の詳細については、凹部２２の配置とフラックスの洗浄残渣との関係についての説明にて述べる。

第１のランド３０は、図１に示すように、基板２０の表面２０ａに対する法線方向（以下「表面法線方向」という）から見て、パッケージ部品１に覆われた領域内に形成されている。第１のランド３０は、パッケージ部品１にはんだ接合されており、チップ１１から生じた熱がはんだを介して伝導され、この熱を実装基板２側へ放出するために設けられており、Ｃｕなどの導電性材料によりなる。例えば、第１のランド３０は、矩形形状とされ、電解メッキなどにより形成される。なお、第１のランド３０は、矩形形状に限らず、四隅が丸みを帯びた形状とされてもよく、他の形状とされてもよい。

第１のランド３０は、本実施形態では、表面法線方向から見て、パッケージ部品１のうちアイランド１０の外郭の内側領域に分割されるように複数並べて配置されている。複数の第１のランド３０は、図１に示すように、それぞれ離れて形成されると共に、隣接する第１のランド３０同士の隙間である分割溝３４を隔てて配置されている。

なお、本実施形態では、図１に示すように、６つの第１のランド３０が形成された例について示しているが、第１のランド３０の形成数については、設計等に応じて適宜変更される。

複数の第１のランド３０は、図２に示すように、それぞれ第１のはんだ３２を介してパッケージ部品１のうちアイランド１０の他面１０ｂと接続されている。このように分割されるように複数形成され、面積が小さい第１のランド３０とアイランド１０の他面１０ｂとが第１のはんだ３２を介して接合されることで、第１のはんだ３２における大きなサイズのボイド発生が抑制される。

具体的には、１つの面積が大きいランドとパッケージ部品等とをはんだ接合する場合、はんだ接合の面積が広く、かつ、空気の逃げ道が少ないため、これらを接合するはんだ内に大きなサイズのボイドが発生することが知られている。これに対して、ランドを面積が小さいサイズに分割するように離間して複数形成し、この分割されたランドとパッケージ部品等とをはんだ接合する場合、分割溝が形成されたことにより分割溝等からはんだ内の空気が逃げやすくなる。また、ランドが分割されることにより、ランドのはんだ接合する面積も減少する。そのため、面積の小さいランド上のはんだ内に発生するボイドは、面積の大きいランド上のはんだ内に発生するボイドよりもサイズが小さくなる。

第２のランド３１は、本実施形態では、図１に示すように、表面法線方向から見て、パッケージ部品１の封止樹脂１３の外郭の外側に形成され、第１のランド３０を囲むように複数配置されており、Ｃｕなどの導電性材料によりなる。例えば、第２のランド３１は、第１のランド３０と同様に、電解メッキなどにより形成される。

第２のランド３１は、図２に示すように、パッケージ部品１のうち封止樹脂１３から露出する接続端子１２の他端側と第２のはんだ３３を介して接合されている。

なお、第２のランド３１は、パッケージ部品１の接続端子１２の位置に合わせて形成されていればよく、パッケージ部品１のパッケージの種類に合わせてその配置が適宜変更される。例えば、ＳＯＰのように２方向に接続端子１２が伸びているパッケージをパッケージ部品１として用いる場合には、第２のランド３１は、接続端子１２に合わせて２方向に配置するように形成されていればよい。また、第２のランド３１は、例えば矩形形状とされるが、これに限られず、円形状、楕円形状などにされてもよく、他の形状とされてもよい。

モールド樹脂４０は、図２に示すように、パッケージ部品１および実装基板２の表面２０ａ側を封止しており、エポキシ樹脂等の公知のモールド材料よりなる。モールド樹脂４０は、必要に応じて、当該樹脂中にアルミナやシリカ等のフィラーが含有されていてもよい。モールド樹脂４０は、例えばトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成される。なお、モールド樹脂４０は、本実施形態では、基板２０の表面２０ａの上をすべて覆うように形成されているが、パッケージ部品１、第１のランド３０、第２のランド３１を封止していればよく、基板２０の表面２０ａの上をすべて覆っていなくてもよい。

次に、ソルダーレジスト層２１に形成された凹部２２とフラックスの洗浄残渣との関係について説明する前に、まず、フラックスについて説明する。

金属にはんだを用いて接合する場合、金属表面の酸化膜を除去して接合を行う必要がある。具体的には、フラックスを塗布することでこの酸化膜を化学的に除去してはんだ接合するか、もしくはフラックス入りのはんだを用いて接合することが一般的である。いずれの方法であってもフラックスがはんだ接合の近傍に残渣として残るが、このフラックス残渣は、絶縁不良や腐食などの不具合を起こすことがあるため、信頼性の高い半導体装置を製造する場合には、洗浄により除去されることが望ましい。

ここで、第１のランド３０の説明にて述べたように、第１のランド３０については、第１のはんだ３２内の大きなサイズのボイド発生を抑制するために、小さなサイズに分割している。第１のランド３０とパッケージ部品１のアイランド１０の他面１０ｂとを第１のはんだ３２で接合すると、この第１のランド３０を分割することにより生じた分割溝３４にフラックス残渣が必然的に残ることとなる。このため、はんだ接合により生じたフラックス残渣を例えば水系や準水系、テルペン系溶剤やアルコール系溶剤などを用いた洗浄により除去する必要がある。

本発明者らは、分割溝３４がパッケージ部品１により覆われており、洗浄しにくい形状であるため、このフラックス残渣の一部が、洗浄しきれずに分割溝３４内に残ってしまうことを発見した。つまり、フラックス残渣のうち分割溝３４内にあるものについては洗浄により完全に除去しきれず、フラックス残渣の一部がフラックスの洗浄残渣（以下「フラックス３５」という）として分割溝３４内に残ってしまう。

また、本発明者らは、分割されて並べられた複数のランドとパッケージ部品１とをはんだ接合し、モールド樹脂４０で封止してなる半導体装置において、このフラックス３５がモールド樹脂４０と実装基板２との密着性を低下させる原因となることを突き止めた。

具体的には、図３に示すように、フラックス３５は、表面法線方向から見て、パッケージ部品１の中心から実装基板２の外郭へ向かう方向を外郭方向として、外郭方向であって分割溝３４の延長線上（以下単に「分割溝３４の延長線上」という）へ流れ出す。フラックス３５が図３のように流れ出てしまうと、モールド樹脂４０で封止する際、実装基板２とモールド樹脂４０との間にフラックス３５が介在することとなり、実装基板２とモールド樹脂４０との密着性が低下してしまう。

そこで、凹部２２が分割溝３４の延長線上に配置された構成とすることにより、フラックス３５の流れ出しを抑制できるようにしている。これにより、フラックス３５による実装基板２とモールド樹脂４０との密着性低下を抑制した半導体装置とすることができる。この凹部２２の配置について説明する。

凹部２２は、本実施形態では、例えば、図４に示すように、表面法線方向から見て、フラックス３５が流れ出す分割溝３４の延長線上と交差して伸びる矩形形状とされている。凹部２２は、本実施形態では、６つの第１のランド３０のうち隣接する第１のランド３０同士の分割溝３４の延長線上にそれぞれ１つ形成されている。つまり、凹部２２は、本実施形態では、合計６つ形成されている。凹部２２は、表面法線方向から見て、第１のランド３０と第２のランド３１との間の領域に形成されることが好ましく、パッケージ部品１の封止樹脂１３の外郭領域内に形成されることがより好ましい。

このような位置に凹部２２が形成されることで、図４もしくは図５に示すように、フラックス３５が分割溝３４から流れ出て、第１のランド３０を囲むように形成されているソルダーレジスト層２１を乗り越えたとしても、凹部２２内にフラックス３５が流れ込む。凹部２２は、本実施形態では、図６に示すように、ソルダーレジスト層２１を貫通するように形成されており、フラックス３５を受け止め、フラックス３５が凹部２２を越えて外郭方向へ広がることを抑制できる。

なお、凹部２２は、例えば、ソルダーレジスト層２１のフォトリソグラフィ法によるパターン形成と同時に形成され、従来の半導体装置に新たな形成工程を追加することなく形成される。これにより、表面法線方向から見て、パッケージ部品１の封止樹脂１３の外郭よりも外側にフラックス３５が流れ出ることが抑制される。

凹部２２は、分割溝３４から流れ出たフラックス３５を受け止めることができればよく、第１のランド３０の分割溝３４の幅や配置により、その幅、体積や配置等が適宜変更されてもよい。

具体的には、凹部２２の幅については、想定されるフラックス３５の流れ出る幅以上となるようにすることが好ましく、複数設けた凹部２２の合計の体積については、想定されるフラックス３５の体積以上とすることが好ましい。つまり、分割溝３４が狭い場合には、フラックス３５の流れ出る幅が分割溝３４に合わせて狭くなるため、凹部２２の幅をこれに合わせて狭くすることもでき、逆に分割溝３４が広い場合には、凹部２２の幅をこれに合わせて広くすることもできる。このように、凹部２２の幅や体積については、分割溝３４の幅に合わせて適宜変更される。

なお、ここでいう凹部２２の幅とは、分割溝３４の延長線上に配置された凹部２２の当該分割溝３４の幅方向と平行な方向における幅をいい、凹部２２の体積とは、凹部２２が形成された空間の体積をいう。

このように、分割された第１のランド３０と第２のランド３１との間の領域であって、分割溝３４の延長線上に凹部２２を設けた実装基板２とすることで、第１のランド３０の分割溝３４からフラックス３５が染み出しても、これが広範囲に広がることを抑制できる。このような実装基板２とハーフモールドのパッケージ部品１とをはんだ接合し、モールド樹脂４０で封止した半導体装置とすることで、実装基板２とモールド樹脂４０との密着低下が抑制された半導体装置となる。

具体的には、ハーフモールドのパッケージ部品１と、分割されつつ並ぶように配置された第１のランド３０とこれらを囲む第２のランド３１とソルダーレジスト層２１とを備える実装基板２とをはんだ接合して、モールド樹脂４０で封止された半導体装置とする。このような構成において、表面法線方向から見て、第１のランド３０と第２のランド３１との間に、第１のランド３０の分割溝３４の延長線上と交差して伸びる凹部２２がソルダーレジスト層２１に形成された実装基板２とする。

これにより、第１のランド３０とパッケージ部品１とを接合するはんだでの大きなサイズのボイド発生が抑制されると共に、フラックスの洗浄残渣による実装基板２とモールド樹脂４０との密着低下が抑制された半導体装置となる。

（第２実施形態）
第２実施形態について、図７を参照して説明する。図７では、本実施形態の半導体装置の構成を分かりやすくするため、半導体装置を構成するパッケージ部品１については封止樹脂１３以外の要素を省略しつつ破線で示している。

本実施形態の半導体装置は、図７に示すように、表面法線方向から見て、１つの凹部２２が第１のランド３０の周囲を囲むように形成されている点で上記第１実施形態と相違する。

具体的には、本実施形態の半導体装置では、表面法線方向から見て、分割溝３４の延長線上のみならず、第１のランド３０の外周側に設けられ、第１のランド３０を包囲する枠体状の凹部２２が１つ形成されている。そのため、分割溝３４からフラックス３５が広範囲に流れ出しても、凹部２２がフラックス３５を受け止め、凹部２２の外周側へフラックス３５が広がることを抑制できる。

この場合も、第１のランド３０とパッケージ部品１とを接合する第１のはんだ３２での大きなサイズのボイド発生を抑制しつつ、実装基板２とモールド樹脂４０との密着低下が抑制された半導体装置となる。

（第３実施形態）
第３実施形態について、図８を参照して説明する。図８では、図７と同様に、本実施形態の半導体装置の構成を分かりやすくするため、半導体装置を構成するパッケージ部品１については封止樹脂１３以外の要素を省略しつつ破線で示している。

本実施形態の半導体装置は、図８に示すように、表面法線方向から見て、１つの枠体状の凹部２２が第１のランド３０の周囲を囲むように形成され、かつ、分割溝３４の延長線上では凹部２２の溝幅が広くされている点で上記第２実施形態と相違する。

なお、ここでいう「溝幅」とは、凹部２２のうち当該凹部２２と交差する分割溝３４の延長線上の方向における幅をいう。

これにより、フラックス３５が直接流れ込む部位の凹部２２の体積が多くなり、より効果的にフラックス３５が凹部２２を越えることをよる実装基板２とモールド樹脂４０との密着低下を抑制できる。

（第４実施形態）
第４実施形態について、図９を参照して説明する。図９では、図６と同様に凹部２２付近の領域Ｒを拡大した断面構成を示している。

本実施形態の半導体装置は、凹部２２が上記第１実施形態の半導体装置と同様の配置とされているが、図９に示すように、ソルダーレジスト層２１を貫通せず、凹部２２の底部において基板２０の表面２０ａが露出していない点で上記第１実施形態と相違する。

この場合、凹部２２は、例えばソルダーレジスト層２１を２回塗布して形成し、２回目のソルダーレジスト材料の塗布の際にフォトリソグラフィ法で所望のパターンを形成することにより、形成される。

（第５実施形態）
第５実施形態について、図１０、図１１を参照して説明する。図１０では、図１と同様に、パッケージ部品１については破線で示している。

本実施形態の半導体装置は、図１０もしくは図１１に示すように、基板２０の表面２０ａ上にソルダーレジスト層２１が形成されておらず、凹部２２が基板２０の表面２０ａ側に形成されている点で上記第１実施形態と相違する。この場合、凹部２２は、例えばレーザー加工などの公知の方法により形成される。

凹部２２が基板２０に形成された構造であっても、フラックス３５を受け止めることができるため、凹部２２の外周側へフラックス３５が広がることを抑制できる半導体装置となる。

（第６実施形態）
第６実施形態について、図１２を参照して説明する。図１２では、図６と同様に凹部２２付近の領域Ｒを拡大した断面構成を示している。

本実施形態の半導体装置は、図１２に示すように、凹部２２が上記第１実施形態の半導体装置と同様の配置とされているが、基板２０の表面２０ａのうち凹部２２の形成部位に相当する部位に、表面２０ａ側から裏面２０ｂ側へ凹んだ溝部２０ｃが形成されている。また、本実施形態の半導体装置は、基板２０の表面２０ａ上および溝部２０ｃ上を覆うソルダーレジスト層２１が形成され、ソルダーレジスト層２１のうち溝部２０ｃ上に凹部２２が形成された構造とされている。本実施形態の半導体装置は、これらの点で上記第１実施形態と相違する。

凹部２２が上記のような構造とされていても、フラックス３５を受け止めることができるため、凹部２２の外周側へフラックス３５が広がることを抑制できる半導体装置となる。

（第７実施形態）
第７実施形態について、図１３を参照して説明する。図１３では、図７と同様に、パッケージ部品１については封止樹脂１３以外の構成要素を省略しつつ破線で示している。

本実施形態の半導体装置は、図１３に示すように、凹部２２が第１のランド３０を囲む枠体状とされた枠体状領域と凹部２２に流れ込んだフラックス３５を溜めるダミー領域２２ａとこれらを繋ぐ領域とにより構成されている点で上記第２実施形態と相違する。

具体的には、ダミー領域２２ａは、例えば、凹部２２のうち枠体状の領域の外郭の角部に接続され、当該枠体状領域の対角線の延長線上に配置されている。ダミー領域２２ａは、実装基板２とモールド樹脂４０との密着に対する影響が少ない領域、例えば、実装基板２上のうちパッケージ部品１の封止樹脂１３の外郭外側の領域であって、第２のランド３１から１〜２ｍｍ程度離れた位置などに形成されていればよい。ダミー領域２２は、実装基板２とモールド樹脂４０との密着に対する影響が少ない領域に形成されればよく、パッケージ部品１の種類や第２のランド３１の数や配置等に応じて、適宜その形成領域が変更されてもよい。

本実施形態の半導体装置は、例えば、第１のランド３０と第２のランド３１との間の領域が狭く、溝幅の広い凹部２２を形成しにくいような場合に、好適に適用される。

（他の実施形態）
なお、上記した各実施形態に示した半導体装置は、本発明の半導体装置の一例を示したものであり、上記の各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、上記の各実施形態では、第１のランド３０自体が複数に分割されるように形成され、ソルダーレジスト層２１がこれらを囲むように形成された例について述べたが、第１のランド３０が図１４〜図１７に示す構造とされていてもよい。なお、図１４、図１６では、第１のランド３０の近傍の領域を拡大したものを示しており、ソルダーレジスト層２１と第１のランド３０以外の要素については省略している。

（１）第１のランド３０は、図１４の二点鎖線に示すように、１つ形成され、この第１のランド３０を部分的にソルダーレジスト層２１により覆うことで分割されてもよい。具体的には、枠体格子状のソルダーレジスト層２１により１つの第１のランド３０を覆うことにより、図１４、図１５に示すように、第１のランド３０がソルダーレジスト層２１から露出した６つの領域に分割された構造とされてもよい。

（２）第１のランド３０は、図１６の二点鎖線に示すように、複数に分割されて形成されつつ、それぞれの第１のランド３０がその外郭領域を図１６、図１７に示すようにソルダーレジスト層２１により覆われた構造とされていてもよい。また、第２のランド３１についても同様に部分的にソルダーレジスト層２１に覆われていてもよい。

（３）上記の各実施形態においては、表面法線方向から見て、凹部２２が矩形形状や矩形枠体状とされた例について説明したが、これに限らず、円形状や楕円形状などにされてもよく、他の形状とされてもよい。また、凹部２２の表面法線方向における深さについては、一様であってもよく、場所により適宜変更されてもよい。さらに、上記の各実施形態においては、凹部２２の側面については、底面に対して直角とされた例について説明したが、必要に応じて適宜傾斜が設けられていてもよい。

（４）上記第４実施形態〜第６実施形態については、凹部２２が複数分割されるように設けられた例について説明したが、上記第２実施形態と同様に枠体状とされてもよく、上記第３実施形態と同様に部分的に溝幅が広くされていてもよい。また、上記第７実施形態において、上記第３実施形態と同様に部分的に溝幅が広くされていてもよい。このように、上記の各実施形態や他の実施形態を適宜組み合わせた構成の半導体装置とされてもよい。

１パッケージ部品
２実装基板
２０基板
２１ソルダーレジスト層
２２凹部
３０第１のランド
３１第２のランド
３２第１のはんだ
３４分割溝
３５フラックス

Claims

表裏の関係にある一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）を有するアイランド（１０）と、前記一面上に搭載されたチップ（１１）と、前記チップと電気的に接続された接続端子（１２）と、前記一面、前記チップおよび前記接続端子のうち前記チップと接続された一端側を封止する封止樹脂（１３）とを備えるパッケージ部品（１）と、
表裏の関係にある表面（２０ａ）と裏面（２０ｂ）を有する基板（２０）と、前記表面上に形成された第１のランド（３０）および第２のランド（３１）と、を有してなる実装基板（２）と、
前記パッケージ部品と、前記実装基板の前記表面とを封止するモールド樹脂（４０）と、を備えた半導体装置であって、
前記第１のランドは、前記表面に対する法線方向から見て、前記パッケージ部品のうち前記封止樹脂の外郭の内側に形成されると共に、分割された複数の領域を構成し、分割された前記領域が第１のはんだ（３２）を介して前記他面と接続されており、
前記第２のランドは、前記法線方向から見て、前記封止樹脂の外郭の外側に配置され、前記接続端子と第２のはんだ（３３）を介して接続されており、
前記表面上であって、前記法線方向から見て、前記第１のランドと前記第２のランドとの間の領域に前記表面側から前記裏面側へ凹んだ凹部（２２）が形成されており、
前記凹部は、少なくとも、分割された複数の前記領域のうち隣り合う前記領域同士の隙間である分割溝（３４）の延長線上に配置されている半導体装置。
前記第１のランドは、前記実装基板に１つ形成され、前記法線方向から見て、前記第１のランド上にソルダーレジスト層（２１）が形成されると共に、前記ソルダーレジスト層が１つの前記第１のランドを部分的に覆いつつ、前記第１のランドを複数の領域に分断するように形成されることにより、前記第１のランドが分割されている請求項１に記載の半導体装置。
前記表面上のうち前記第１のランドおよび前記第２のランドが形成された領域と異なる領域に前記ソルダーレジスト層が形成され、前記凹部は、前記ソルダーレジスト層に形成されている請求項１または２に記載の半導体装置。
前記凹部は、前記法線方向から見て、前記第１のランドと前記封止樹脂の外郭との間の領域に形成されている請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記凹部は、前記基板に形成されている請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記凹部は、前記法線方向から見て、前記第１のランドの周囲を囲む枠体状とされている請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記法線方向から見て、前記凹部のうち前記凹部と交差する前記分割溝の延長線上の方向における幅を溝幅として、前記凹部は、前記分割溝の延長線上と異なる領域にも形成され、前記凹部のうち前記分割溝の延長線上に形成された領域の溝幅が、前記凹部のうち前記分割溝の延長線上と異なる領域に形成された領域の溝幅よりも広い請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。