JP2005079486A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 実装部品が傾くことによる位置ずれを低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 接着領域２０ａには配線領域３０ａ，３０ｄが、接着領域２０ｂには配線領域３０ｂ，３０ｃが、それぞれ延設されている。ここで、配線領域３０ｄは、配線としての機能は有さない、半田を流出させるためのダミー配線であってよい。ダイボンディング領域としての接着領域２０ａ，２０ｂは、互いに線対称な位置で、所定の距離を空けて左右に配置されている。また、配線領域３０ａ，３０ｄは、互いに線対称な位置で、それぞれ接着領域２０ａの上下で延設されている。同様に、配線領域３０ｃ，３０ｂは、線対称な位置で、それぞれ接着領域２０ｂの上下で延設されている。この延在パターンとしての配線領域３０ａ〜３０ｄは、ダイボンディング領域としての接着領域２０ａ，２０ｂの四隅から延在するような形状で形成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、実装部品の接合技術に関する。

電力用半導体装置においては、接合部の信頼性に対する要求が厳しいので、接合に用いられる半田量は比較的に多い。

しかし、多量の半田を用いて接合を行う場合には、実装部品が傾いたり回転したりすることによる位置ずれが発生しやすい。この位置ずれが発生することにより、以下のような問題点が発生する。

まず、実装部品が傾くことによりワイヤボンドのボンディング部分が傾くので、最良の条件でボンディングすることが困難となる。そのため、機械的ストレスが加えられると、早期にワイヤのネック破断や接合部の剥離が発生してしまうという問題点があった。

また、実装部品の傾きが著しい場合、半田の厚みが著しく薄くなる部分が発生するので、機械的ストレスが加えられると、早期に半田にクラックが入ってしまうという問題点があった。

また、多機能化に伴い実装の高密度化が進んでいるので、実装部品の位置ずれにより、隣接部品や隣接配線への接触が発生する。これを解決するためには、目視による検査の強化や、手作業による修正が必要となるので、コストが増大してしまうという問題点があった。

特許文献１には、逃がし部から均等に溶融半田を逃がすことにより、実装部品が傾いたり回転したりすることによる位置ずれを低減する例が示されている。また、特許文献２〜４には、半田等を溜めるための溝を設けられたダイパッドの例が示されている。

特開２００２−３５３２５５号公報 特開平６−３７１２２号公報 特開２００２−１９８４８４号公報 特開平５−２４３２８７号公報

特許文献１〜４に示される半導体装置およびその製造方法においては、実装部品が傾くことによる位置ずれがまだかなり大きいという問題点があった。

本発明は以上の問題点を解決するためになされたものであり、実装部品が傾くことによる位置ずれを低減できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域及び前記ダイボンディング領域の四隅から延在する延在パターンを有する被ボンディング板を準備する工程と、前記ダイボンディング領域上に半田を供給する工程と、前記半田を加熱し溶融させる工程と、前記半田上に前記半導体チップを所定の圧力で押圧し前記半導体チップの下面からはみ出した半田を前記延在パターンへ流動させる工程とを備える。

また、請求項２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域及び前記ダイボンディング領域の四隅から延在する延在パターンを有するリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、前記ダイボンディング領域上に半田を供給する工程と、前記半田を加熱し溶融させる工程と、前記半田上に前記半導体チップを所定の圧力で押圧し前記半導体チップの下面からはみ出した半田を前記延在パターンへ流動させる工程とを備える。

また、請求項４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域及び前記ダイボンディング領域の四隅から延在する延在パターンを有する被ボンディング板を準備する工程を備え、前記ダイボンディング領域及び前記延在パターンは周囲を仕切りで囲われており、前記ダイボンディング領域上に半田を供給する工程と、前記半田を加熱し溶融させる工程と、前記半田上に前記半導体チップを所定の圧力で押圧し前記半導体チップの下面からはみ出した半田を前記延在パターンの前記仕切りで囲われた全域へ流動させる工程とをさらに備える。

また、請求項５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域を有するダイボンディング板を準備する工程と、前記ダイボンディング領域上に半田を供給する工程と、前記半田を加熱し溶融させる工程と、溶融した前記半田を治具で押圧し前記ダイボンディング領域上のダイボンディング領域半田層と前記ダイボンディング領域半田層の四隅に延在する延在領域半田層とからなる押圧半田層を形成する工程と、前記ダイボンディング領域半田層上に前記半導体チップを所定の圧力で押圧し前記半導体チップを搭載する工程とを備える。

また、請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域及び前記ダイボンディング領域の四隅から延在する延在パターンを有する被ボンディング板と、前記半導体チップと前記ダイボンディング領域との間に介在するダイボンディング領域半田層と、前記ダイボンディング領域半田層からはみ出して前記延在パターン上に形成された延在パターン半田層とを備える。

請求項１，２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法及び請求項６に記載の発明に係る半導体装置においては、配線パターンへ流出する半田による張力が均等となるので、半導体チップが回転してしまうことを防ぐことができるという効果を有する。

また、請求項４，５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法においては、上記の効果に加えて、半導体チップが傾いてしまうことを防ぐことができるという効果を有する。また、半導体チップの接着に必要な半田量を確保できるという効果を有する。

＜実施の形態１＞
実施の形態１に係る半導体装置およびその製造方法は、半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域及び前記ダイボンディング領域の四隅から延在する延在パターンを有するプリント配線基板等の被告ボンディング板を用いることを特徴とする。

まず、本実施の形態の背景として、図１を用いて、従来の半導体装置およびその製造方法を説明する。

図１（ａ）に示される半導体装置の上面図において、プリント配線基板（図示しない）上に、半田を接着するランド等の接着領域２０ａ，２０ｂが形成されている。ここで、プリント配線基板の例としては、例えば、紙フェノール型、ガラスエポキシ型、セラミック型、及び金属絶縁型等が考えられる。接着領域２０ａには配線領域３０ａが延設され、接着領域２０ｂには配線領域３０ｂ，３０ｃが延設される。接着領域２０ａ，２０ｂ上に点線で示されるチップ領域１０ａは、矩形状の半導体チップを搭載し半田により溶着すべき領域を示す。図１（ｂ）に示すように、点線で３つの領域に分けられた半導体チップ１０の両端の２つの領域には、電極が形成され、半田により接着領域２０ａ，２０ｂに接着され配線領域３０ａ〜３０ｃと導通する。即ち、半導体チップ１０の裏面には、電極が少なくとも２つ以上形成されているものとする。図１（ａ）において、チップ領域１０ａに半導体チップが搭載されるときに、矢印で示すように、半田は、接着領域２０ａ，２０ｂから、配線領域３０ａ〜３０ｃへと流出する。

図１（ａ）においては、３つの配線領域３０ａ〜３０ｃが非対称な位置に形成されている。従って、配線領域３０ａ〜３０ｃへ流出する半田による張力が均等ではないので、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１０が回転してしまうという問題点があった。

図１に示される配線パターンにおいては、半導体装置の縮小化のために高密度実装のみを考慮し、配線の引き回しがあまり考慮されていないので、上記のような問題点が発生してしまう。

図２に、本実施の形成に係る半導体装置の上面図を示す。

図２において、接着領域２０ａには配線領域３０ａ，３０ｄが、接着領域２０ｂには配線領域３０ｂ，３０ｃが、それぞれ延設されている。ここで、配線領域３０ｄは、配線としての機能は有さない、半田を流出させるためのダミー配線であってよい。また、図２において、接着領域２０ａ，２０ｂ及び配線領域３０ａ〜３０ｄは、図示しないプリント配線基板上に形成されている。

ダイボンディング領域としての接着領域２０ａ，２０ｂは、互いに線対称な位置で、所定の距離を空けて左右に配置されている。また、配線領域３０ａ，３０ｄは、互いに線対称な位置で、それぞれ接着領域２０ａの上下で延設されている。同様に、配線領域３０ｃ，３０ｂは、線対称な位置で、それぞれ接着領域２０ｂの上下で延設されている。この延在パターンとしての配線領域３０ａ〜３０ｄは、ダイボンディング領域としての接着領域２０ａ，２０ｂの四隅から延在するような形状で形成されている。

図２においては、延在パターン（配線領域３０ａ〜３０ｄ）が、ダイボンディング領域（接着領域２０ａ，２０ｂ）の四隅から延在するような形状で互いに対称な位置に形成されているので、配線領域３０ａ〜３０ｄへ流出する半田による張力が均等となり、半導体チップ１０が回転してしまうことを防ぐことができ、また、回転してしまった場合にも張力により修正される。

このとき、配線領域３０ａ〜３０ｄへ流出する半田の量は、それぞれ同程度である必要があり、そのためには、接着領域２０ａ，２０ｂへの半田の供給量を同程度にすることと、十分な量の半田を流出させることとが必要となる。

次に、図２に示される半導体装置において、半導体チップ１０をプリント配線基板上に実装させる手順について説明する。

まず、接着領域２０ａ，２０ｂに半田を供給する。次に、この半田を、加熱することにより溶融させる。次に、この半田上に半導体チップ１０を搭載し、上から所定の圧力で押圧する。これにより、半導体チップ１０の下面からはみ出した半田は、配線領域３０ａ〜３０ｄに流動する。このとき、上記で説明したように、配線領域３０ａ〜３０ｄへ流出する半田の量は、それぞれ同程度であるので、配線領域３０ａ〜３０ｄへ流出する半田による張力が均等となり、半導体チップ１０が回転してしまうことを防ぐことができる。

図３は、本発明を、プリント配線基板ではなくリードフレームに適用する場合を示す上面図である。このリードフレームにおけるインナーリード３１は、図２における接着領域２０ａ，２０ｂ及び配線領域３０ａ〜３０ｄに対応している。

なお、上記の説明においては、プリント配線基板上の配線パターンを配線領域３０ａ〜３０ｄとして用いているが、プリント配線基板上の配線パターン以外の領域については、レジストやオーバーコートガラス等で覆ってもよいし、覆わなくてもよい。

また、本発明をリードフレームに適用する場合には、図３に示すようにインナーリード３１の形状を加工してもよい。

あるいは、図３に示すような形状にインナーリードを加工するのではなく、コイニング等のプレス加工を行うことにより、インナーリード上に溝等を設け、半田が四方へ均等に流動するようにしてもよい。この場合、インナーリード３１よりもひとまわり大きな形状のインナーリードを形成した後に、このインナーリード上に、インナーリード３１の輪郭に沿うような溝等を設けることとなる。この溝等は、図２に示される配線領域３０ｄのようなダミー配線パターンであってもよい。また、プレス加工としては、コイニングに限らず、Ｖノッチをつけたり、穴を空けたりしてもよい。あるいは、メッキ加工等により、インナーリード３１上に半田がなじみにくいような膜を形成してもよい。

上記の加工をリードフレームの形成工程において行うことにより、配線パターンを形成する工程を特に設ける必要がなくなり、工程数の削減が可能となる。

このように、本実施の形態に係る半導体装置およびその製造方法においては、各配線領域へ流出する半田による張力が均等となるので、半導体チップが回転してしまうことを防ぐことができるという効果を有する。

また、本発明をリードフレームに適用する場合には、配線パターンの加工をリードフレームの形成工程において行うことにより、工程数の削減が可能となるという効果を有する。

＜実施の形態２＞
実施の形態１においては、裏面の電極の個数が２つ以上である半導体チップ１０の搭載手順について説明したが、実施の形態２においては、裏面の電極の個数が１つである半導体チップ１１の搭載手順について説明する。

まず、本実施の形態の背景として、図４を用いて、従来の半導体装置およびその製造方法を説明する。

図４に示される半導体装置の上面図において、プリント配線基板（図示しない）上に、半導体チップ１１を搭載するための半田を接着するランド等の接着領域２０が形成されている。半導体チップ１１は、裏面に１つの電極を有している。接着領域２０の周囲には、半田を塞ぎ止めるための仕切り４０が形成されている。

図４において、接着領域２０上に点線で示されるチップ領域１１ａは、矩形状の半導体チップ１１を搭載し半田により溶着すべき領域を示す。しかし、チップ領域１１ａと仕切り４０との間にはクリアランス（遊び）が介在するので、実際には、半導体チップ１１は、実線で表されるように回転してしまう。このようなクリアランスは、配線パターン形成により仕切り４０を規定する場合であっても、べたパターンを覆うことに規定する場合であっても、同様に発生してしまう。

上記の問題を解決するために、実施の形態１において説明したように、半田を四方に均等に流動させる手法が考えられる。例えば、図５に示すように、ダイボンディング領域としての接着領域２０の四辺に沿って四隅が空いた仕切り４１を形成し、矢印に示すように四隅から半田を流動させる手法が考えられる。

しかし、このような形状の仕切り４１を用いた場合には、半田を均等に流動させることは困難である。従って、図６に示すように、半田流出量の不均等により（この例では左上及び左下への流出量が、右上及び右下への流出量より多い）、半導体チップ１１が傾いてしまう。

さらに、次のような問題点がある。図７（ａ），（ｂ）は、溶融した半田粒５０上に半導体チップ１１を載せる様子を示す上面図及び断面図である。プリント配線基板６０上に形成された接着領域２０上で溶融した半田粒５０は、表面張力により中央付近が盛り上がるので、この上に半導体チップ１１を搭載した場合に半田粒５０の中央より離れた部分でクリアランスが生じる。このクリアランスにより、さらに傾きが大きくなってしまう。

また、電力用半導体装置においては、放熱を行う必要があるので、べたパターンのプリント配線基板や、ヒートシンク等の、広い金属面上に、半導体チップ１１の半田付けを行う必要がある。そのため、流出する半田量が多く、接続に必要な半田量が確保できないという問題点があった。

図８に、本実施の形成に係る半導体装置の上面図を示す。

図８において、プリント配線基板（図示しない）上に、半導体チップ１１を搭載するための半田を接着するランド等の接着領域２０が形成されている。ダイボンディング領域としての接着領域２０の四隅には、延在パターンとしての接着領域２０ａ〜２０ｄが、上下左右に線対称な位置に、接着領域２０と所定の重なりを有して形成されている。図８において接着領域２０ａ〜２０ｄは、正方形状で形成されているが、正方形状に限らず、例えば円形状であってもよい。

また、接着領域２０，２０ａ〜２０ｄの外側には、接着領域２０，２０ａ〜２０ｄに沿って仕切り４２が形成されている。プリント配線基板においては、配線パターンが形成されない領域には半田が流入しないので、その部分を仕切り４２と規定することができる。あるいは、パターン形成を行わない（べたパターン）プリント配線基板において、半田を塞ぎ止める領域を、レジストやオーバーコートガラス等で覆うことにより、その領域を仕切り４２と規定してもよい。また、実施の形態１で図３を用いて説明したように、本発明をリードフレームに適用する場合には、前述したように、プレス加工やメッキ加工等により、インナーリード３１上に仕切り４２を形成する。

例えば、先に、左上の接着領域２０ｃ及び左下の接着領域２０ｂへ多量の半田が流出したとしても、仕切り４２は半田を塞ぎ止めるので、接着領域２０ｂ，２０ｃへの流出量は所定量で止まり、それ以降は半田は接着領域２０ａ，２０ｄへと流出する。よって、最終的には、接着領域２０ａ〜２０ｄ全域へ半田が流出することにより、半田の流出量は均等となるので、張力は均等となる。

また、仕切り４２が半田を塞ぎ止めることにより、広い金属面上に多量の半田が流出することを防ぐことができるので、接続に必要な半田量が確保できる。

図９（ａ），（ｂ）は、溶融した半田粒５０上に半導体チップ１１を載せる様子を示す上面図及び断面図である。図９において、プリント配線基板６０上に形成される接着領域２０ａ〜２０ｄとして、円形状のものを用いている。図９において、溶融した半田粒５０は、接着領域２０から接着領域２０ａ〜２０ｄ上に流出し、それぞれの領域上で表面張力により中央付近が盛り上がる。即ち、接着領域２０上のダイボンディング領域半田層５２の四隅に、接着領域２０ａ〜２０ｄ上の延在領域半田層が形成される。従って、この上に半導体チップ１１を搭載した場合に、半田粒５０の中央より離れた部分でクリアランスが生じないので、傾きの原因とならない。但しこのとき、半田粒５０が、接着領域２０ａ〜２０ｄに流出する半田量に比べて著しく多い半田量を有するものである場合には、ダイボンディング領域半田層５２の中央付近が盛り上がってしまう。従って、半導体チップ１１の接続に必要な半田量に併せて、供給半田量及び接着領域２０，２０ａ〜２０ｄのサイズを、適切に決定しておく必要がある。

＜応用例＞
上記において説明したように、裏面の電極の個数が１つである半導体チップ１１を搭載する場合には、溶融した半田粒５０の表面張力による半導体チップ１１の傾きを防ぐために、複数の搭載領域を設けることが有効である。従来の半導体装置およびその製造方法においては、例えば、プリント配線基板が、図１に示されるように３つの配線領域３０ａ〜３０ｃを有するものであった場合には、図１０（ａ）に示すように、上下左右に４分割された接着領域２０ｅ〜２０ｈを用いて、半田を接着し、チップ領域１１ａに半導体チップを搭載する。４分割された接着領域２０ｅ〜２０ｈにそれぞれ半田を供給することにより、表面張力による半導体チップの傾きを防ぐことができる。

しかし、３つの配線領域３０ａ〜３０ｃからは半田が流出するので、接着領域２０ｅ〜２０ｈ上の半田量は互いに異なってくる。そのため、半導体チップの傾きが発生してしまうという問題点があった。また、実施の形態１において説明したように、配線領域３０ａ〜３０ｃへ流出する半田による張力が均等ではないので、図１０（ｂ）に示すように、半導体チップ１１の回転が発生してしまうという問題点があった。

図１１は、実施の形態２の応用例に係る半導体装置の上面図を示す。

図１１において、プリント配線基板（図示しない）上に、半導体チップ１１を搭載するための半田を接着するランド等の接着領域２０が形成されている。ダイボンディング領域としての接着領域２０の四隅には、配線パターンにより、延在パターンとしての接着領域２０ｅ〜２０ｈが、上下左右に線対称な位置に、接着領域２０と所定の重なりを有して形成されている。これにより、半田を、接着領域２０ｅ〜２０ｈに均等に流出させることができるので、半導体チップ１１の回転を防止することができ、また、回転してしまった場合にも張力により修正される。

また、図１１において、接着領域２０ｅ〜２０ｈには配線領域３０ａ〜３０ｃがそれぞれ延設されるが、配線領域３０ａ〜３０ｃ上には、レジストやオーバーコートガラス等で覆うことにより、仕切り４３が形成されている。従って、半田は仕切り４３により塞ぎ止められるので、配線領域３０ａ〜３０ｃ上に流出することはない。従って、半導体チップ１１の傾きが発生することはない。図１１においては、接着領域２０，２０ｅ〜２０ｈの外側の部分が、仕切りとして機能している。

また、図１２は、図１１の接着領域２０ｅ〜２０ｈを、配線パターンではなく仕切り４４を用いることにより形成したものである。図１２において、半導体チップ１１を搭載するための半田を接着するランド等の接着領域２１上で、ダイボンディング領域としての接着領域２０の四隅には、延在パターンとしての接着領域２０ｅ〜２０ｈが、上下左右に線対称な位置に、接着領域２０と所定の重なりを有して形成されている。図１２においては、仕切り４４が形成されない領域が、接着領域２０，２０ｅ〜２０ｈとして規定される。即ち、図１２において、仕切り４４は、図１１における接着領域２０，２０ｅ〜２０ｈの外側に、接着領域２０，２０ｅ〜２０ｈを囲うように形成されている。

このように、本実施の形態に係る半導体装置およびその製造方法においては、仕切りで塞ぎ止めることにより延在パターンの全域に半田を流動させるので、実施の形態１の効果に加えて、半導体チップが傾いてしまうことを防ぐことができるという効果を有する。また、半導体チップの接着に必要な半田量を確保できるという効果を有する。

なお、上記の説明においては、プリント配線基板の場合について説明したが、実施の形態１と同様に、リードフレームのインナーリードに適用してもよい。

＜実施の形態３＞
実施の形態２においては、プリント配線基板上に複数の接着領域及び仕切りを設けることにより、半田を分散させ、半田上に搭載される半導体チップの、表面張力によるクリアランスを低減していた。しかし、治具として半田スタンプコレットを用いることにより、複数の接着領域及び仕切りを設けることなく、表面張力によるクリアランスを低減してもよい。

図１３に、実施の形態３に係る半田スタンプコレット７０ａの構造を示す。

図１３（ａ）は、半田スタンプコレット７０ａの下面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。半田スタンプコレット７０ａは、溶融半田を成形するための空隙である半田成形領域７０ｂを備える。半田成形領域７０ｂは、図１２等に示される接着領域２０，２０ａ〜２０ｄにそれぞれ対応する半田成形領域７１，７１ａ〜７１ｄからなり、所定の深さを有している。即ち、半田成形領域７１の四隅に半田成形領域７１ａ〜７１ｄが対称な位置に延設されている。

次に、図１３を用いて、半田スタンプコレット７０ａを用いて半田を成形する手順について説明する。

図１３（ｃ）に示すような、プリント配線基板６０上に形成されたべたパターンである接着領域２０上に、半田粒５０を配置する。次に、半田粒５０の上方から、図１３（ｂ）に示される半田スタンプコレット７０ａを押圧する。この押圧により、半田粒５０は、図１３（ｄ）に示すような押圧半田層５１へと成形される。図１３（ｄ）においては、押圧半田層５１は、図９と同様に、ダイボンディング領域半田層５２と、ダイボンディング領域半田層５２の四隅に延在する延在領域半田層５２ａ〜５２ｄとからなる。よって、図９の説明と同様の理由により、半導体チップ１１を押圧半田層５１上に載せた場合にも、半導体チップ１１の傾きは発生しない。

また、押圧半田層５１の厚みは、半田成形領域７０ｂの深さ及び半田粒５０の半田量を調節することにより、調節が可能となる。

このように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、半田スタンプコレットを用いて押圧することにより、半田粒を成形している。よって、仕切りを用いることなく、半導体チップの傾きを低減できる。

なお、上記の説明においては、べたパターンのプリント配線基板を用いて説明を行ったが、プリント配線基板に限らず、ヒートシンクであってもよい。いずれの場合であっても、半田の広がりの悪い材質（金属）を用いたものを選択するか、半田がなじみにくいような膜をメッキ加工等により形成することにより、押圧半田層５１の形状を半田成形領域７０ｂの形状に近づけることができるので、半田の表面張力によるクリアランスをより低減できる。

実施の形態１の背景となる半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態１に係る半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態１に係る半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態２の背景となる半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態２の背景となる半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態２の背景となる半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態２の背景となる半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態２に係る半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態２に係る半導体装置およびその製造方法を示す上面図及び断面図である。 実施の形態２の背景となる半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態２に係る半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態２に係る半導体装置およびその製造方法を示す上面図である。 実施の形態３に係る半導体装置およびその製造方法を示す上面図及び断面図である。

符号の説明

１０、１１ 半導体チップ、１０ａ，１１ａ チップ領域、２０，２０ａ〜２０ｈ，２１ 接着領域、３０ａ〜３０ｄ 配線領域、３１ インナーリード、４０〜４４ 仕切り、５０ 半田粒、５１ 押圧半田層、５２ ダイボンディング領域半田層、５２ａ〜５２ｄ 延在領域半田層、６０ プリント配線基板、７０ａ 半田スタンプコレット、７０ｂ 半田成形領域、７１，７１ａ〜７１ｄ 半田成形領域。

Claims (9)

1. 半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域及び前記ダイボンディング領域の四隅から延在する延在パターンを有する被ボンディング板を準備する工程と、
   前記ダイボンディング領域上に半田を供給する工程と、
   前記半田を加熱し溶融させる工程と、
   前記半田上に前記半導体チップを所定の圧力で押圧し前記半導体チップの下面からはみ出した半田を前記延在パターンへ流動させる工程と
   を備える半導体装置の製造方法。
2. 半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域及び前記ダイボンディング領域の四隅から延在する延在パターンを有するリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、
   前記ダイボンディング領域上に半田を供給する工程と、
   前記半田を加熱し溶融させる工程と、
   前記半田上に前記半導体チップを所定の圧力で押圧し前記半導体チップの下面からはみ出した半田を前記延在パターンへ流動させる工程と
   を備える半導体装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記リードフレーム形成工程は、前記延在パターンを有するインナーリードを形成する工程を含む
   半導体装置の製造方法。
4. 半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域及び前記ダイボンディング領域の四隅から延在する延在パターンを有する被ボンディング板を準備する工程を備え、
   前記ダイボンディング領域及び前記延在パターンは周囲を仕切りで囲われており、
   前記ダイボンディング領域上に半田を供給する工程と、
   前記半田を加熱し溶融させる工程と、
   前記半田上に前記半導体チップを所定の圧力で押圧し前記半導体チップの下面からはみ出した半田を前記延在パターンの前記仕切りで囲われた全域へ流動させる工程と
   をさらに備える半導体装置の製造方法。
5. 半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域を有するダイボンディング板を準備する工程と、
   前記ダイボンディング領域上に半田を供給する工程と、
   前記半田を加熱し溶融させる工程と、
   溶融した前記半田を治具で押圧し前記ダイボンディング領域上のダイボンディング領域半田層と前記ダイボンディング領域半田層の四隅に延在する延在領域半田層とからなる押圧半田層を形成する工程と、
   前記ダイボンディング領域半田層上に前記半導体チップを所定の圧力で押圧し前記半導体チップを搭載する工程と
   を備える半導体装置の製造方法。
6. 半導体チップと、
   前記半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域及び前記ダイボンディング領域の四隅から延在する延在パターンを有する被ボンディング板と、
   前記半導体チップと前記ダイボンディング領域との間に介在するダイボンディング領域半田層と、
   前記ダイボンディング領域半田層からはみ出して前記延在パターン上に形成された延在パターン半田層と
   を備える半導体装置。
7. 請求項６に記載の半導体装置であって、
   前記被ボンディング板は、リードフレームに備えられており、
   前記延在パターンは、前記リードフレームのリードである
   半導体装置。
8. 請求項７に記載の半導体装置であって、
   前記リードは、インナーリードである
   半導体装置。
9. 請求項６に記載の半導体装置であって、
   前記ダイボンディング領域半田層及び前記延在パターン半田層の周囲を囲って形成された仕切り
   をさらに備える半導体装置。
   

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