JP3727582B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレーム上に半導体素子を実装形成するタイプの半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、複数の素子電極部を備えたチップ型の半導体装置(以下、半導体チップという)は、複数のリード部を備えた金属製のリードフレーム上に半導体素子を設置し、その上を樹脂材で封止することで形成されている。前記各リード部は、42アロイ(Ni42%のNi−Fe合金)やアルミニウム、銅などの材料を板状に延ばして形成される。このリード部の先端は半導体素子の各素子電極部が載置される電極面となり、半導体素子の各素子電極部に塗布した半田面を前記電極面に載置し、リフロー等の熱処理を施して溶融接続される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の半導体素子を半田によってリード部に接続する場合、リード部が小さかったり、半田の塗布量が多過ぎると、溶融させた際に余分な半田がはみ出してしまう。特に、小型の半導体チップではリード部自体が極小化されると共に、配置密度を高めるために隣接するリード部同士の間隔が非常に狭いものとなっている。また、リード部の上面は平坦面となっているので、溶融された半田をリード部の上面と半導体素子の各素子電極部との間で挟むことによって周囲に広がり易い。このため、隣接して配置されたリード部同士が前記はみ出した半田によってショートするおそれがある。従来にあっては、半田の塗布量を少なくすることで半田のはみ出しを抑えるなどの方策がとられていたが、逆に半田の塗布量が少な過ぎると半導体素子とリード部との接合強度が弱くなってしまうといった問題があった。
【0004】
そこで、本発明の目的は、リードフレームのリード部先端部に半導体素子を実装する際に、塗布された半田がリード部から流出するのを防止することで、隣接するリード部同士のショートを確実に防止すると共に、半導体素子とリード部との接合強度も高めることができる半導体装置を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に係る半導体装置は、四隅に素子電極部を有する半導体素子と、前記素子電極部に向けてそれぞれ延びるリード部を有するリードフレームとを備えた半導体装置において、前記リード部には、前記素子電極部に向けて延びる先端部の内側角部に半田溜りが形成され、この半田溜り上に塗布される半田を介して前記素子電極部が接合されることを特徴とする。
【0006】
この発明によれば、半導体素子をリードフレームに半田を介して接合する際に、リード部の先端上面に形成した半田溜りに流動化した半田の一部が流れ込むことができるので、余分な半田がリード部周囲に流出するのを有効に抑えることができる。特に、前記半田溜りを素子電極部に向けて延びる各リード部の先端部の内側角部に設けることで、前記素子電極部を最小の半田量で確実に接合することができる。また、前記各リード部間の距離が近接している場合でも半田漏れによるショート等の発生を抑えることができる。
【0007】
また、前記半田溜りが、前記リード部の先端部上面に設けられる微小且つ多数の凹み部からなる集合凹部によって形成されることから、バンプの形成不良を防止することができる。このため、前記バンプを介して接合される半導体素子の傾きが抑えられ、実装不良を有効に防止することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて本発明に係る半導体装置の実施形態を詳細に説明する。図1は本発明に係る半導体装置の第1実施形態の斜視図、図2は前記半導体装置の要部断面図、図3は半導体素子を実装するリードフレームの斜視図である。
【0012】
図1及び図2に示したように、この実施形態に係る半導体チップ21は、半導体素子22と、該半導体素子22を載置する4個のリード部23と、該リード部23と半導体素子22とを封止する樹脂材24とで構成されている。前記半導体素子22は、シリコン結晶体の正方形の薄板であり、四隅に素子電極部25を備えている。
【0013】
前記リード部23が形成されるリードフレーム11は、42アロイ(Ni42%のNi−Fe合金)やアルミニウム、銅などの材料によって、図3に示したような帯板状にプレス加工される。そして、このリードフレーム11に前記リード部23がエッチング加工などによって形成されるが、このリード部23はフレーム本体12から半導体素子22の載置方向へ先端が向かい合うように延び、さらに、その先端部27が半導体素子22の四隅に形成された素子電極部25の下方側にまで延びている。リード部23は前記半導体素子22を載置する土台であると共に、半導体チップ21の外部電極ともなる。このため、マザーボード等の外部基板(図示せず)の電極形状に合わせて図1及び図2に示したように、リード部23の底面に切欠部29が形成される場合もある。
【0014】
前記各リード部23の先端部27の上面には、微小な凹み部が多数設けられた集合凹部28が形成されている。この集合凹部28は、図2に示したように、半導体素子22をリード部23上に接合するときに、両者間に挟まれた半田26の一部が流れ込む半田溜りとなるものである。集合凹部28は、図3に示したように、半導体素子22の各素子電極部25が載置される位置にそれぞれ対応するように、各リード部23の先端部27の内側角部にそれぞれ設けられており、塗布された半田26がリード部23の周囲から流出するのを効果的に抑えることができる。前記集合凹部28の各凹み部はエッチング等によって容易に形成することができ、その個数、大きさ及び深さも任意に設定することができる。また、上述したような集合凹部28の他に、リード部23の先端部の表面をエッチング処理などで荒らして凹凸状の粗面を形成しても、同じような半田溜りとすることができる。
【0015】
なお、前記半田26は、半導体素子22の各素子電極部25に形成される半田バンプやリード部23に塗布されるクリーム半田等が使用され、リフロー炉に通して前記半田バンプやクリーム半田を溶融固化させることで、半導体素子22の各素子電極部25とリード部23との電気的導通が図られる。
【0016】
図4は本発明に係る半導体チップの第1の参考形態を示したものである。この参考形態に係る半導体チップ31は、リード部33自体を先端部37で凹ませることによって段差部38を形成し、前記凹ませた境界部にできた縦壁部39で半田26の流出を抑えるようにしたものである。段差部38はリード部33の先端部37をエッチング処理によって形成することができる。このような段差部38を設けたことによって、リード部33の先端部37に塗布した半田26の量が多くなっても縦壁部39で堰き止められ、先端部37から漏れたり流出するのが防止される。なお、本参考形態では、リード部33の先端部37には他方側の端部に前記のような段差部が設けられてないが、該部分は半田26の塗布時にマスキングを施すことによって対処することができる。
【0017】
図5は本発明に係る半導体チップの第2の参考形態を示したものである。この参考形態に係る半導体チップ41は、リード部43の先端部47と、この先端部47を囲うようにリード部43の上面に設けた絶縁層48との間に段差部38を形成したものである。前記絶縁層48は、レジスト膜等を厚めに塗布あるいは印刷することで形成され、この絶縁層48の前側端面がリード部43の先端部47の回りを囲う縦壁部49として形成される。したがって、この参考形態にあってもリード部43の先端部47に塗布された半田26の量が多くなっても、絶縁層48の縦壁部49が堰となって他への流出が防止される。
【0018】
上述したように、本発明の半導体チップ21や参考形態として示した半導体チップ31,41は、半導体素子22との接合面となるリード部23,33,43の先端部27,37,47に半田溜りとなる集合凹部28や、リード部33自体を先端部37で凹ませたり、リード部43の先端部47を囲うように絶縁層48を設けたことによる段差部38が形成されているので、リフロー処理で液状化した半田26の流出を効果的に抑えることができる。また、半田26の塗布量を厳密に制限しなくてもよいので、必要十分な半田26によって半導体素子22とリード部23,33,43とを接合させることができる。
【0019】
なお、上述した実施形態の半導体チップ21や参考形態で示した半導体チップ31,41は、いずれも半導体素子22の素子電極部25が4極の場合について説明したが、本発明は4極のみに限定されるものではない。また、リード部23,33,43の個数も搭載する半導体素子の極数に応じて変更可能である。
【0020】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体装置によれば、半導体素子をリードフレームに半田を介して接合する際に、リード部の先端上面に形成した半田溜りや段差部によって、リフロー処理等で液状化した半田の流出を防止することができる。このため、リード部間のショート等による電気的トラブルの発生を抑えることができる。また、前記半田溜りや段差部によって溶けた半田が広がらずに一箇所に集まり接合強度も同時に高められる。
【0021】
また、前記半田溜りやリード部自体を凹ませた段差部は、リード部の先端部をエッチング処理することで得られるので、形成工程が簡易であると共にコストも掛からず安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る半導体装置の第1実施形態の斜視図である。
【図2】 上記図1の半導体装置の要部断面図である。
【図3】 上記図1の半導体装置の土台となるリードフレームの斜視図である。
【図4】 本発明に係る半導体装置の第1の参考形態の要部断面図である。
【図5】 本発明に係る半導体装置の第2の参考形態の要部断面図である。
【符号の説明】
21,31,41 半導体チップ(半導体装置)
22 半導体素子
23,33,43 リード部
24 樹脂材
25 素子電極部
26 半田
27,37,47 先端部
28 集合凹部
38 段差部
48 絶縁層
Claims (2)
- 四隅に素子電極部を有する半導体素子と、前記素子電極部に向けてそれぞれ延びるリード部を有するリードフレームとを備えた半導体装置において、
前記リード部には、前記素子電極部に向けて延びる先端部の内側角部に半田溜りが形成され、この半田溜り上に塗布される半田を介して前記素子電極部が接合されることを特徴とする半導体装置。 - 前記半田溜りが、前記リード部の先端部上面に設けられる微小且つ多数の凹み部からなる集合凹部によって形成される請求項1記載の半導体装置。
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