TW201929190A - 半導體發光裝置、汎用安裝基板以及使用其之半導體發光裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種半導體發光裝置，汎用安裝基板及使用其之半導體裝置之製造方法，其課題為提供未有LED晶片之位置偏移或多餘之接合材擴散之問題，且可對應不同尺寸之LED晶片之汎用的安裝基板。 解決手段為汎用安裝基板，係形成有為了接合尺寸不同之複數之半導體發光元件之任一的安裝墊片。此安裝墊片係具有：第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍，第二範圍係一部分則連續於第一範圍，除了該連續之部分的外周則未與第一範圍接觸，而第二範圍之外周係較複數之發光元件之中最大的發光元件之外周為小，且與第二大之發光元件的外周相同尺寸，或較其為大。經由確定範圍之情況而加以防止LED晶片之位置偏移，且多餘之接合材係擴散於其他範圍之故而未擴散於基板側者。
Description
本發明係有關將發光二極體(LED：Light Emitting Diode)等之半導體發光元件，安裝於元件安裝用基的基板(以下，稱之為安裝基板)之半導體發光裝置及其製造方法。
作為半導體發光裝置，廣泛使用以接合材而接合半導體發光元件(以下，亦稱為LED晶片)形成於絕緣基板的表面之金屬膜所成之元件安裝用之墊片(安裝墊片)，在導線接合LED晶片表面的電極之後，經由樹脂模具而封裝化之發光裝置。在此形式之發光裝置中，為了有效果地擴散LED晶片所產生的熱於基板側，經由接合材而將LED晶片，以全面接合於安裝墊片者為佳，但當供給至LED晶片與安裝墊片之間的接合材的量為多時，有著在迴焊時所熔融的接合材則擴散於LED晶片周圍，以及繞入之問題。為了消解此問題，提案有例如於接合有安裝墊片的LED晶片之部分的外側，設置突出部者(專利文獻1)，或設置溝者(專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-76524號公報 [專利文獻2]日本特開2012-109352號公報
[發明欲解決之課題]
對於LED晶片係有1mm角、0.7mm角、0.5mm角等尺寸不同的構成，但在上述之以往的技術中，設置於安裝墊片之突出部或溝係因應LED晶片的尺寸而決定之故，對於各個不同尺寸之LED晶片有必要準備安裝基板。另一方面，經由使用設置對應於最大的LED晶片之面積之大的安裝墊片之安裝基板之時，均可對應任何尺寸之LED晶片者，但對於如此之大的安裝墊片接合小的LED晶片之情況，經由在迴焊時所熔融之接合材流動化之時，有著LED晶片自本來應該固定位置偏移，以及旋轉之情況。在其狀態，接合材進行固化時，LED晶片係被位置偏移地所接合。當將如此之發光裝置適用於照明等之光源時，因光源的位置偏移之故而有光學設計變為困難的問題。
本發明之課題係提供：未有LED晶片之位置偏移或多餘之接合材的擴散問題，且可對應於不同尺寸之LED晶片之汎用的安裝基板者，並且提供：安裝LED晶片於如此之安裝基板之半導體發光裝置者。 [為了解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明之半導體發光裝置係其安裝基板的安裝墊片，則具有對應於複數之LED晶片的尺寸之複數的安裝範圍。複數之安裝範圍係經由形成於安裝墊片之缺口部或縫隙，呈僅一部分連續地加以配置。
即本發明之半導體發光裝置係其特徵為具備：由金屬膜所成之安裝墊片的安裝基板，和經由對於前述金屬膜而言具有潤濕性之材料所成之接合材，接合背面於前述安裝墊片之半導體發光元件；前述安裝墊片係具有：第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍；前述第二範圍係一部分連續於前述第一範圍，除了該連續之部分的外周則未與前述第一範圍接觸者。
另外，半導體發光元件係為尺寸不同之複數之發光元件之任一，而前述第二範圍之外周係較前述複數之發光元件之中最大的發光元件的外周為小，且與第二大的發光元件之外周相同，或較其為大。 發明效果
如根據本發明，經由將LED晶片，配置接合於安裝墊片之複數的安裝範圍之中，因應尺寸之安裝範圍之時，在接合材熔融之狀態中，接合材係經由對於安裝墊片而言之潤濕性與對於分隔安裝範圍之空間(例如，基板的材料)而言之潤濕性的不同，而加以抑制停留，擴散於配置LED晶片之安裝範圍。因此，LED晶片係配置為略沿著安裝範圍的形狀之形狀，而未有位置偏移。另外，即使有多餘量的接合材，亦自安裝範圍之連續部分擴散於其他的安裝範圍之故，而可防止接合材擴散於安裝墊片以外的基板上者。 【圖示簡單說明】
圖1係顯示半導體發光裝置之一實施形態的側剖面圖。 圖2係說明安裝不同尺寸之LED晶片於圖1之半導體發光裝置之狀態的上面圖。 圖3係顯示第一實施形態之汎用安裝基板的安裝墊片部分的圖。 圖4係以說明對於第一實施形態之汎用安裝基板安裝LED晶片的圖，顯示各(A)係顯示大型晶片安裝時，(B)係顯示小型晶片安裝時之情況。 圖5係說明第一實施形態之半導體發光裝置之製造方法的工程圖。 圖6(A)~(C)係顯示對於第一實施形態之汎用實施基板安裝小型晶片的步驟圖。 圖7(A)~(C)係顯示對於第一實施形態之汎用實施基板安裝大型晶片的步驟圖。 圖8係顯示第二實施形態之汎用安裝基板的安裝墊片部分的圖。 圖9(A)，(B)係說明對於第二實施形態之汎用安裝基板安裝LED晶片時之接合材的供給處的圖。 圖10(A)，(B)係各顯示第二實施形態之汎用安裝基板之變形例的圖。 圖11係顯示第三實施形態之汎用安裝基板的安裝墊片的上面圖。 圖12係顯示第三實施形態之變形例的上面圖。
以下，說明本發明之半導體發光裝置的實施形態。 於圖1，顯示本發明之半導體發光裝置之一實施形態。此半導體發光裝置係具備：安裝基板10，和經由接合材20而接合於安裝基板10之LED晶片30。更且，通常，LED晶片30係以透光性樹脂或螢光體含有樹脂等之封閉樹脂而加以封閉。對於以封閉樹脂50而封閉之情況，係可將為了注入未硬化的封閉樹脂50之筒狀的壁部材60，或內面為逆圓錐台形之反射構件等，沿著安裝基板10之外周而配置者。
安裝基板10係由玻璃聚酯基板，陶瓷多層基板等之絕緣基板所成，形成有為了供電至LED晶片30之Au、Cu等之金屬所成之導體配線11，形成有為了接合LED晶片30於其導體配線11之端部之安裝墊片13。安裝墊片13係並非特定尺寸之LED晶片30，而具有可安裝複數尺寸之LED晶片之中任意尺寸之LED晶片的形狀。對於安裝墊片的具體的形狀係後述之。然而，導體配線11及安裝墊片13係除了金屬的單層膜之外，亦可為不同金屬所成之多層膜，而可因應其構造，以光微影法，濺鍍法，蒸鍍等之任意的方法形成於絕緣基板上者。
接合材20係接合金屬之安裝墊片13與LED晶片30之電極面者，而可使用以比較低熔點所熔融之金屬材料，例如SnPb系、SnAgCu系、AuSn系、SnZn系、ZnCu系等之合金者。如此之金屬材料係在熔融時(熔點)中，對於金屬所成之安裝墊片13而言之潤濕性優越，且對於絕緣基板而言之潤濕性為低之故，在滴下於安裝墊片13時，未有自安裝墊片13之外緣，擴散至其外側之絕緣基板者，而抑制停留於安裝墊片13上，放置於其上方之LED晶片30的移動。
LED晶片30係具有接合p型半導體與n型半導體之構造，而有形成有兩電極於單面之單面形式，和各形成有電極於表面與背面之兩面形式。在本實施形態中，均可採用任一之形式，但形成兩電極於上面之單面形式的情況，形成金屬膜於背面側者為佳。在圖1中，顯示於背面側配置有n電極，而於上面側之中央配置有p電極之兩面形式的例，而形成有n電極之背面則經由接合材20而接合於安裝基板10之安裝墊片13，以Ag等之線材40而導線接合p電極於安裝基板10之導體配線11(電極墊片)。然而，作為半導體係未加以限定，但例如，可使用GaAs、GaP、AlGaInP、InGaN等之化合物半導體。另外，電極係由Al、Ag、Au、Pd等之單層膜或者層積膜所成。
LED晶片30之形狀係無特別加以限定，但一般而言，多採用自上面而視之形狀為四角形之構成，而可使用此者。另外，LED晶片30之尺寸係作為自上面而視之四角形的尺寸，有著1mm角、0.7mm角、0.5mm角等。本實施形態之半導體發光裝置係作為安裝基板而使用對應於複數尺寸之LED晶片的安裝基板，而未加以限定於特定的尺寸，可使用複數尺寸之LED晶片30之中任意的LED晶片者。
圖2係各以點線，虛線而顯示安裝2種尺寸之LED晶片30L，30S之任一的狀態。對於安裝LED晶片30L之情況，係配合安裝墊片13之外側的輪廓而固定LED晶片30L，而對於安裝LED晶片30S之情況，係於外側的輪廓之內側，配合輪廓而固定LED晶片30S。任一之情況，供給於安裝墊片13之接合材20係熔融時之潤濕性則對於安裝墊片13而言係為良好，而對於絕緣基板而言係缺乏之故，在停留於安裝墊片13上，具有流動性之狀態，一限制載置於上方之LED晶片的移動，如為LED晶片30L保持略沿著外側的輪廓，而如為LED晶片30S保持略沿著內側的輪廓之狀態，經由接合材的硬化而接合於其位置。
接著，說明使用於上述之半導體發光裝置之安裝基板10的實施形態。在此，作為一例，說明對應於尺寸不同之2個LED晶片30，大型晶片30L及小型晶片30S之安裝墊片的具體例。
＜第一實施形態＞ 本實施形態之安裝基板10的安裝墊片13係如圖3所示，具有對應於大型晶片之第一範圍131，和於第一範圍，位置於內側，對應於小型晶片之第二範圍132(以斜線而顯示)。另外，安裝墊片13係具有有自上面而視之形狀為將四角形的四邊之各一部分作為缺口之形狀，而第二範圍132係由缺口部135所圍繞的範圍，而其外側的部分為第一範圍131。如圖示，第一範圍131與第二範圍132係連續在第二範圍132之四角，而未經由此加以電性間斷，即為一體。另外，通過此連續部，供給至一方的範圍之接合材係可擴散於另一方的範圍側，與經由對於安裝墊片與絕緣基板之接合材而言之潤濕性不同，防止接合材的擴散之效果相互結合，可防止對於基板側擴散者。
安裝墊片13之寬度W1，即第一範圍131之寬度W1係與大型晶片的寬度為相同程度。具體而言，大型晶片的寬度±10%程度者為佳。經由此，如圖4(A)所示，在載置大型晶片30L時，除了對應於缺口部135之部分的背面全面則接合於安裝墊片13全面，可藉由安裝墊片13而有效果地使自晶片產生的熱散發者，且所加熱之熔融的接合材20則經由具有流動性之時，即使接合材20上之大型晶片30L移動，亦可將其移動範圍停留於安裝墊片上，而可抑制位置偏移者。
另外，第二範圍132之寬度W2係較大型晶片的寬度為小，且與小型晶片的寬度為相同(圖4(B))，或作為較其若干大者。具體而言，W2係為小型晶片之寬度±10%程度者為佳，經由此，與大型晶片的情況同樣地，可良好地進行自晶片的除熱，且可防止接合時之位置偏移者。W1係較W2為大，例如W1係呈成為W2之√2倍，乃至2倍的寬度地加以選擇。
更且，劃定第二範圍132之外周的缺口部135之寬度W3係第二範圍之寬度W2的1/2以上者為佳。此寬度W3為窄之情況，經由第二範圍132與絕緣基板之邊界，小型晶片的移動限制效果下降，使用第一範圍與第二範圍所連結之部分(連續部)，小型晶片則容易移動，即容易產生位置偏移。
已說明過僅安裝墊片之一方的寬度，但對於與此方向正交之方向，亦與上述之Wl~W3同樣地進行設計者為佳。 另外，在圖3中，作為缺口部135之形狀顯示過四角形之構成，但缺口部135係如為滿足上述之條件者，亦可作為一部分的邊為傾斜，以及曲線狀。
接著，參照圖5乃至圖7，說明使用本實施形態之安裝基板的半導體發光裝置之製造方法。
首先，作為安裝基板10，準備形成特定的導體配線11與上述形狀之安裝墊片13之安裝基板(S501)。配合安裝之LED晶片的尺寸，供給接合材於安裝墊片13上之特定範圍(S502)。在此狀態中，接合材20係除了AuSn等之金屬材料之外，包含結合劑或助熔劑等之漿料狀，可經由塗佈或裝填而供給，而對於LED晶片為小型晶片30S情況，如圖6(A)所示，供給至安裝墊片13之內側的輪廓內，即第二範圍132內。所供給之接合材20的量係如為在接合材熔融而擴散的狀態，可被覆LED晶片背面的量即可，自第2範圍132溢出的量為少者為佳。如此之接合材的量係因可經由LED晶片的尺寸而經驗得知之故，依據此等經驗值而適當地供給。
另外，對於LED晶片為大型晶片30L之情況，如圖7(A)所示，供給至安裝墊片13之內側的輪廓內，即第二範圍132內，和其外側的範圍，即第一範圍131。在本實施形態中，外側範圍係因分割存在於第二範圍132之四角之故，各供給接合材20。接合材20之供給量係對於被覆LED晶片之背面足夠的量，作為未自第一範圍擴散至外側程度的量。然而，在圖7(A)中，顯示供給接合材於第一範圍與第二範圍雙方的例，但第一範圍與第二範圍係因連續在第二範圍之四角之故，與圖6(A)同樣地，僅於第二範圍132，供給較小型晶片之情況為多的量之接合材20，經由自第二範圍132移動至第一範圍131之接合材20，亦可接合位於第一範圍上之LED晶片的部分者。
接著，於安裝墊片上配置LED晶片(S503)。如為小型晶片30S，沿著第二範圍132之輪廓(圖6(B))，而如為大型晶片30L，沿著第一範圍131之外側輪廓(圖7(B))，載置推上LED晶片。在經由接合材20暫時固定LED晶片30於安裝基板上之狀態，將安裝基板10放入於迴焊爐，進行特定時間加熱之後，使接合材20硬化而接合LED晶片30(S504)。經由迴焊時之加熱，漿料狀的接合材20係熔融，具有流動性，但接合材20之潤濕性係比較於金屬材料所成之安裝墊片13，絕緣基板10係缺乏之故，接合材20係不易自安裝墊片13擴散於外側(絕緣基板側)。因此，配置於安裝墊片13之內側的小型晶片30S係移動範圍被限制於以安裝墊片13之缺口部所劃定之第二範圍132之外周的內側。在經由此等而防止位置偏移之狀態，伴隨著接合材20產生硬化而固定，接合於第二範圍132上(圖6(C)，圖7(C))。如為小型晶片30S，安裝於第二範圍132之輪廓以內，而如為大型晶片30L，被覆缺口部之同時加以安裝於第一範圍131之外側的輪廓以內。
之後，將設置於LED晶片之上側的電極(未圖示)，導線接合於安裝基板10之電極墊片之情況(S505)，因應必要，以透光性樹脂而封閉導線接合後之LED晶片之情況(S506)係與以往的半導體發光裝置之製造同樣。
如根據本實施形態，經由將具有對應於大型晶片的尺寸之範圍的安裝墊片，將四角形的各邊作為缺口之形狀，由缺口部圍繞於內側，設置對應小型晶片的範圍之時，可提供亦可對應大型晶片以及小型晶片之汎用的安裝基板者。並且，經由使用此安裝基板之時，加以提供未有LED晶片之位置偏移，且容易使LED晶片所發出的熱散發構造之半導體發光裝置。
然而，在以上說明之實施形態中，說明過作為LED晶片而使用於背面設置一方的電極，而於上面設置另一方的電極之兩面形式的構成情況，但即使為於上面配置兩電極之LED晶片，亦可同樣地適用者。
另外，在以上的實施形態中，說明過於絕緣基板上安裝單一之LED晶片的情況，但所安裝之LED晶片的數量係亦可為複數。此情況，準備形成有複數之安裝墊片於絕緣基板上之安裝基板。複數之安裝墊片之中，至少一個之安裝墊片則為上述之汎用安裝墊片之情況，亦包含於本實施形態。
＜第二實施形態＞ 在第一實施形態中，於安裝墊片設置缺口部，經由缺口部，劃定對應於小型晶片的第二範圍之外周，但在本實施形態，於第一範圍與第二範圍之間形成縫隙。本實施形態之安裝基板及使用其之半導體發光裝置之構成係因與上述之第一實施形態同樣之故，以下，僅對於本實施形態之特徵的安裝基板之安裝墊片進行說明。
本實施形態之安裝墊片130係如圖8所示，具有四角形的形狀，沿著其四邊形成4條縫隙137於內側。由4條縫隙137所劃定之內側的範圍(以斜線所示之範圍)則為對應於小型晶片之第二範圍132，而外側的範圍則為對應於大型晶片之第一範圍131。在本實施形態中，第一範圍131與第二範圍132係經由未設有縫隙之部分而連續，經由此而維持電性一體性，且藉由此連續部而容許接合材的擴散。
安裝墊片130之寬度(第一範圍的寬度)W1，第二範圍之寬度W2，及縫隙的長度L係與在圖3所示之第一實施形態之第一範圍的寬度W1，第二範圍之寬度W2，及缺口部的寬度W3同樣，W1係對應於大型晶片的寬度，W2係對應於小型晶片的寬度。另外，縫隙的長度L係為W2之1/2以上者為佳。經由此，對於搭載小型晶片的情況，係亦加以抑制經由熔融的接合材而小型晶片產生移動之情況，可得到未有晶片的位置偏移之半導體發光裝置者。
更且在本實施形態之安裝基板中，比較於第一實施形態之安裝基板，因對於搭載大型晶片情況，接合其背面於安裝基板之面積為寬之故，自LED晶片之除熱則為良好。
使用本實施形態之安裝基板的半導體發光裝置之製造方法亦與第一實施形態之情況同樣，對於安裝小型晶片之情況係如圖9(A)所示，僅於第二範圍132適量供給漿料狀的接合材20，以迴焊時的熱熔融接合材而遍及於第二範圍132全體，固定小型晶片於第二範圍132。此時，接合材係經由潤濕性的不同，加以抑制對於經由縫隙137而露出之絕緣基板側的移動，而限定流動範圍之故，載置於其上方之小型晶片亦未自第二範圍132露出情況，而固定於第二範圍132。
另外，對於安裝大型晶片的情況，係如圖9(B)所示，適量供給接合材20於沿著第二範圍132與第一範圍131之縫隙137的範圍，或者四角，以迴焊時的熱而熔融接合材，遍及於第一範圍131及第二範圍132全體，呈被覆安裝墊片全體地固定大型晶片。
如根據本實施形態，經由於對應於大型晶片之尺寸的第一範圍的內側設置縫隙，再設置以縫隙劃定外周之第二範圍之時，可對應於複數尺寸之LED晶片者，而對於任何情況，均可得到未有LED晶片的位置偏移，且除熱良好之半導體發光裝置者。 本實施形態均與第一實施形態同樣地，不僅單一晶片，而亦可適用於複數晶片之半導體發光裝置者。
＜第二實施形態之變形例＞ 在第二實施形態中，係沿著安裝墊片的四邊，各設置1條的縫隙，但縫隙的形狀或配置係如滿足確保第一範圍與第二範圍之連續性，可劃定第二範圍之外周之條件者，不限定於圖8所示之構成，而可做種種變形。
於圖10(A)，(B)顯示變形例。圖10(A)所示之變形例係以複數之縫隙137A而構成平行地形成於安裝墊片130A之四邊的縫隙的例。在此，將第二實施形態的1條的縫隙分割成2條的縫隙，但分割數係不限於2條，亦可為較此為多，或在四邊的所有縫隙並非同一亦可。例如，縱方向的縫隙係可作為1條的縫隙，而橫方向的縫隙係可以複數條的縫隙而構成等作任意的變更。
圖10(B)所示之變形例係將縫隙形狀做成L字狀者，而在圖示的例中，於安裝墊片130B之四角的內側，配置4個縫隙137B。在此變形例中，亦可更於2個L字狀縫隙137B之間，配置直線狀之縫隙等做種種變更。 在此等變形例的安裝基板中，亦可得到與第二實施形態同樣的效果。
＜第三實施形態＞ 在第一實施形態及第二實施形態中，說明過對應於小型晶片與大型晶片之2種類的LED晶片的安裝基板，但本實施形態之安裝基板係對應於尺寸不同之3種以上的LED晶片者。
於圖11，顯示對應於大型晶片，中型晶片及小型晶片之3種的安裝墊片1300之一例。如圖示，此安裝基板1300係具有與設置缺口部135於四角型之四邊的第一實施形態之安裝墊片13的形狀，但於對應於第一實施形態之安裝墊片13之第二範圍的範圍(以點鎖鏈線所圍繞之範圍)132的內側，沿著其外周而形成有4條的縫隙137，劃定第三範圍(以點線所圍繞之範圍)133。即，以一點鎖鏈線與點線所夾持之範圍為第二範圍。第一範圍131，第二範圍132及第三範圍133係各外周之尺寸則對應於大型晶片，中型晶片及小型晶片。
另外，第一範圍131，第二範圍132及第三範圍133係電性導通，且經由存在有劃定各範圍之縫隙137或缺口部135之時，可製造在藉由接合材而接合對應於各範圍之尺寸的LED晶片時，加以抑制LED晶片之移動而未有位置偏移之半導體發光裝置者。更且，由供給適量的結合材者，LED晶片之背面的略全域則接合於安裝墊片之故，可得到良好的除熱，而可防止半導體發光裝置之熱劣化者。
然而，在本實施形態中，對於縫隙137之形狀係亦可作與第二實施形態之變形例同樣的變更。另外，如圖12所示，亦可接合縫隙137與缺口部135，實現3個範圍者。
以上，說明過本發明之半導體發光裝置，及使用於其之安裝基板之實施形態，但使用於各實施形態之說明的圖面係為一例，半導體發光裝置之構造，LED晶片之形式或形狀等係未限定於此等圖面者，而本發明係亦可適用公知的構造或形式者。
10‧‧‧安裝基板
11‧‧‧導體配線
13‧‧‧安裝墊片
20‧‧‧接合材
30‧‧‧LED晶片(半導體發光元件)
30L‧‧‧大型晶片
30S‧‧‧小型晶片
31‧‧‧電極(金屬膜)
40‧‧‧線材
50‧‧‧封閉樹脂
60‧‧‧壁材
130‧‧‧安裝墊片
130A‧‧‧安裝墊片
130B‧‧‧安裝墊片
131‧‧‧第一範圍
132‧‧‧第二範圍
133‧‧‧第三範圍
135‧‧‧缺口部
137‧‧‧縫隙
137A‧‧‧縫隙
137B‧‧‧縫隙
1300‧‧‧安裝墊片
Claims (14)
- 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：具有由金屬膜所成之安裝墊片的安裝基板，和經由對於前述金屬膜而言具有潤濕性之材料所成之接合材，接合背面於前述安裝墊片之半導體發光元件： 前述安裝墊片係具有第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍：前述第二範圍係一部分則連續於前述第一範圍，除了該連續之部分的外周則未與前述第一範圍接觸者。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中， 前述半導體發光元件係為尺寸不同之複數之發光元件之任一，而前述第二範圍之前述外周係較前述複數之發光元件之中最大的發光元件的外周為小，且與第二大的發光元件之外周相同尺寸，或較其為大者。
- 如申請專利範圍第1項或第2項記載之半導體發光裝置，其中， 前述第一範圍之前述外周係經由形成於前述第一範圍的缺口部或形成於前述第一範圍與前述第二範圍之間的縫隙而加以圍繞者。
- 如申請專利範圍第1項或第2項記載之半導體發光裝置，其中， 前述安裝墊片係自上面而視之形狀則具有將四角形的四邊之各一部分作為缺口之形狀，而前述第二範圍係由四邊的缺口部而加以圍繞之範圍者。
- 如申請專利範圍第4項記載之半導體發光裝置，其中，前述缺口部之與前述四邊平行之方向的寬度，係在同方向的前述第二範圍之寬度的1/2以上者。
- 如申請專利範圍第1項或第2項記載之半導體發光裝置，其中， 前述安裝墊片係自上面而視的形狀為四角形， 於前述第一範圍與前述第二範圍之間，具有與前述四角形的邊平行的縫隙，前述第二範圍係由前述縫隙而加以圍繞者。
- 如申請專利範圍第6項記載之半導體發光裝置，其中， 前述縫隙之與前述四角形的邊平行之方向的寬度，係在同方向之前述第二範圍的寬度之1/2以上者。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中， 前述半導體發光元件係外周的尺寸則與前述第二範圍之前述外周的尺寸相等，或為其以下者。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中， 前述半導體發光元件係外周的尺寸則與前述第一範圍之外周的尺寸相等，或為其以下，較前述第二範圍的前述外周之尺寸為大者。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中， 於前述第二範圍的內側，設置有前述接合材， 前述半導體發光元件係與前述第二範圍之外周相同，或較其為小者。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中， 呈至前述第一範圍及前述第二範圍為止擴散地，設置前述接合材， 前述半導體發光元件係較前述第二範圍之外周為大，而與前述第一範圍之外周相同，或較其為小者。
- 一種汎用安裝基板，係形成有為了接合尺寸不同之複數之半導體發光元件之任一的安裝墊片之汎用安裝基板，其特徵為 前述安裝墊片係具有：第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍：前述第二範圍係一部分則連續於前述第一範圍，除了該連續之部分的外周則未與前述第一範圍接觸，而前述第二範圍之外周係較前述複數之發光元件之中最大的發光元件之外周為小，且與第二大之發光元件的外周相同尺寸，或較其為大者。
- 一種半導體發光裝置之製造方法，係於形成安裝墊片於表面之安裝基板，經由接合材而接合具有電極面於背面之半導體發光元件的前述電極面於前述安裝墊片，製造如申請專利範圍第8項記載之半導體發光裝置之方法，其特徵為 作為前述安裝基板，包含：準備如申請專利範圍第12項記載之汎用安裝基板的步驟， 和於前述安裝墊片之前述第二範圍，供給被覆前述電極面而足夠量的前述接合材，載置前述半導體元件的電極面之步驟， 和加熱前述接合材，經由在前述第二範圍所擴散之前述接合材，接合前述電極面與前述安裝墊片之步驟。
- 一種半導體發光裝置之製造方法，係於形成安裝墊片於表面之安裝基板，經由接合材而接合具有電極面於背面之半導體發光元件的前述電極面於前述安裝墊片，製造如申請專利範圍第9項記載之半導體發光裝置之方法，其特徵為 作為前述安裝基板，包含：準備如申請專利範圍第12項記載之汎用安裝基板的步驟， 和於前述安裝墊片之前述第二範圍及前述第一範圍，供給被覆前述電極面而足夠量的前述接合材，載置前述半導體元件的電極面之步驟， 和經由接合材而接合前述電極面與前述安裝墊片的步驟。
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