TWI771529B - 半導體發光裝置、汎用安裝基板、及使用其之半導體發光裝置之製造方法 - Google Patents

半導體發光裝置、汎用安裝基板、及使用其之半導體發光裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI771529B
TWI771529B TW107141395A TW107141395A TWI771529B TW I771529 B TWI771529 B TW I771529B TW 107141395 A TW107141395 A TW 107141395A TW 107141395 A TW107141395 A TW 107141395A TW I771529 B TWI771529 B TW I771529B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
range
mounting
semiconductor light
emitting element
light
Prior art date
Application number
TW107141395A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201929189A (zh
Inventor
及川俊広
Original Assignee
日商斯坦雷電氣股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯坦雷電氣股份有限公司 filed Critical 日商斯坦雷電氣股份有限公司
Publication of TW201929189A publication Critical patent/TW201929189A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI771529B publication Critical patent/TWI771529B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本發明係一種半導體發光裝置，汎用安裝基板，及使用其之半導體發光裝置之製造方法，其課題為提供未有LED晶片之位置偏移或多餘之接合材擴散之問題，且可對應不同尺寸之LED晶片之汎用的安裝基板。 　　解決手段為汎用安裝基板，係形成有為了接合尺寸不同之複數之半導體發光元件之任一的安裝墊片。此安裝墊片係具有第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍，於第一範圍與第二範圍之間，形成有階差。經由階差而確定範圍之時，防止LED晶片的位置偏移，並且未有多餘之接合材擴散於基板側之情況。

Description

半導體發光裝置、汎用安裝基板、及使用其之半導體發光裝置之製造方法
本發明係有關將發光二極體(LED：Light Emitting Diode)等之半導體發光元件，安裝於元件安裝用基板(以下，稱之為安裝基板)之半導體發光裝置及其製造方法。
作為半導體發光裝置，廣泛使用以接合材而接合半導體發光元件(以下，亦稱為LED晶片)形成於絕緣基板的表面之金屬膜所成之元件安裝用之墊片(安裝墊片)，在導線接合LED晶片表面的電極之後，經由樹脂模具而封裝化之發光裝置。在此形式之發光裝置中，為了有效果地擴散LED晶片所產生的熱於基板側，經由接合材而將LED晶片，以全面接合於安裝墊片者為佳，但當供給至LED晶片與安裝墊片之間的接合材的量為多時，有著在迴焊時所熔融的接合材則擴散於LED晶片周圍，以及繞入之問題。為了消解此問題，提案有例如於接合有安裝墊片的LED晶片之部分的外側，設置突出部者(專利文獻1)，或設置溝者(專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2009-76524號公報 　　[專利文獻2] 日本特開2012-109352號公報
[發明欲解決之課題]
對於LED晶片係有1mm角、0.7mm角、0.5 mm角等尺寸不同的構成，但在上述之以往的技術中，設置於安裝墊片之突出部或溝係因應LED晶片的尺寸而決定之故，對於各不同尺寸之LED晶片有必要準備安裝基板。另一方面，經由使用設置對應於最大的LED晶片之面積之大的安裝墊片之安裝基板之時，均可對應任何尺寸之LED晶片者，但對於如此之大的安裝墊片接合小的LED晶片之情況，經由在迴焊時所熔融之接合材流動化之時，有著LED晶片自本來應該固定位置偏移，以及旋轉之情況。在其狀態，接合材進行固化時，LED晶片係被位置偏移地所接合。當將如此之發光裝置適用於照明等之光源時，因光源的位置偏移之故而有光學設計變為困難的問題。
本發明之課題係提供：未有LED晶片之位置偏移或多餘之接合材的擴散問題，且可對應於不圖尺寸之LED晶片之汎用的安裝基板者，並且提供：安裝LED晶片於如此之安裝基板之半導體發光裝置者。 [為了解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明之半導體發光裝置係其安裝基板的安裝墊片，則具有對應於複數之LED晶片的尺寸之複數的安裝範圍。複數之安裝範圍係厚度為不同，於鄰接之範圍的邊界形成有階差。
即本發明之半導體發光裝置係其特徵為具備：由金屬膜所成之安裝墊片的安裝基板，和藉由接合材而接合於前述安裝墊片之半導體發光元件；前述安裝墊片係具有：第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍；在前述第一範圍與前述第二範圍之邊界中，於前述安裝墊片之厚度方向具有階差。
另外，半導體發光元件係為尺寸不同之複數之發光元件之任一，而前述第二範圍之外周係較前述複數之發光元件之中最大的發光元件的外周為小，且與第二大的發光元件之外周相同，或較其為大。 [發明效果]
如根據本發明，經由階差而劃分複數之安裝範圍之故，例如，安裝較安裝墊片之外周為小之LED晶片的情況，接合材則在迴焊時產生熔融，而即使成為流動狀，LED晶片之移動範圍則亦限制於以階差所區劃的內側之故，而未有位置偏移之問題。另外，由將接合材，僅供給於放置有小的LED晶片之範圍者，可防止接合材擴散於安裝墊片的外側情況。對於安裝與安裝墊片之外周相同程度之大的LED晶片之情況，係因經由停留於所熔融之接合材之安裝墊片表面的力(表面張力)，LED晶片係定位於沿著安裝墊片之外周的位置之故，未有產生位置偏移情況。
以下，說明本發明之半導體發光裝置的實施形態。 　　於圖1，顯示本發明之半導體發光裝置之一實施形態。此半導體發光裝置係具備：安裝基板10，和經由接合材20而接合於安裝基板10之LED晶片30。更且，通常，LED晶片30係以透光性樹脂或螢光體含有樹脂等之封閉樹脂而加以封閉。對於以封閉樹脂50而封閉之情況，係可將為了注入未硬化的封閉樹脂50之筒狀的壁部材60，或內面為逆圓錐台形之反射構件等，沿著安裝基板10之外周而配置者。
安裝基板10係由玻璃聚酯基板，陶瓷多層基板等之絕緣基板所成，形成有為了供電至LED晶片30之Au、Cu等之金屬所成之導體配線11，形成有為了接合LED晶片30於其導體配線11之端部之安裝墊片13。安裝墊片13係並非特定尺寸之LED晶片30，而具有可安裝複數尺寸之LED晶片之中任意尺寸之LED晶片的形狀。對於安裝墊片的具體的形狀係後述之。然而，導體配線11及安裝墊片13係除了金屬的單層膜之外，亦可為不同金屬所成之多層膜，而可因應其構造，以光微影法，濺鍍法，蒸鍍等之任意的方法形成於絕緣基板上者。
接合材20係接合金屬之安裝墊片13與LED晶片30之電極面者，而可使用以比較低熔點所熔融之金屬材料，例如SnPb系、SnAgCu系、AuSn系、SnZn系、ZnCu系等之合金者。如此之金屬材料係在熔融時(熔點)中，對於金屬所成之安裝墊片13而言之潤濕性優越，且對於絕緣基板而言之潤濕性為低之故，在滴下於安裝墊片13時，未有自安裝墊片13之外緣，擴散至其外側之絕緣基板者，而抑制停留於安裝墊片13上，放置於其上方之LED晶片30的移動。
LED晶片30係具有接合p型半導體與n型半導體之構造，而有形成有兩電極於單面之單面形式，和各形成有電極於表面與背面之兩面形式。在本實施形態中，均可採用任一之形式，但形成兩電極於上面之單面形式的情況，形成金屬膜於背面側者為佳。在圖1中，顯示於背面側配置有n電極，而於上面側之中央配置有p電極之兩面形式的例，而形成有n電極之背面則經由接合材20而接合於安裝基板10之安裝墊片13，以Ag等之線材40而導線接合p電極於安裝基板10之導體配線11(電極墊片)。然而，作為半導體係未加以限定，但例如，可使用GaAs、GaP、AlGaInP、InGaN等之化合物半導體。另外，電極係由Al、Ag、Au、Pd等之單層膜或者層積膜所成。
LED晶片30之形狀係無特別加以限定，但一般而言，多採用自上面而視之形狀為四角形之構成，而可使用此者。另外，LED晶片30之尺寸係作為自上面而視之四角形的尺寸，有著1mm角、0.7mm角、0.5mm角等。本實施形態之半導體發光裝置係作為安裝基板而使用對應於複數尺寸之LED晶片的安裝基板，而未加以限定於特定的尺寸，可使用複數尺寸之LED晶片之中任意的LED晶片者。
接著，說明使用於上述之半導體發光裝置之安裝基板10的實施形態。在此，作為一例，說明具有對應於尺寸不同之2個LED晶片，大型晶片30L及小型晶片30S之安裝墊片的安裝基板之具體例。
＜第一實施形態＞ 　　於圖2顯示第一實施形態之安裝基板10的安裝墊片部分。圖中，(A)係安裝墊片13之上面圖，(B)係(A)之A-A線剖面圖。如圖示，本實施形態之安裝墊片13係自其上面而視之形狀則與所安裝之LED之形狀同樣的形狀(在圖示的例中為四角形)，而自基板表面的厚度則形成有具有特定之厚度t1的第一範圍131，和位於第一範圍131之內側，與第一範圍131厚度不同之第二範圍132。即，於第一範圍131與第二範圍132之間，形成有厚度的階差13D。在本實施形態中，第二範圍132之厚度t2係較第一範圍之厚度t1為薄，隨之，第二範圍係作為凹部而加以形成。
第二範圍132之外周係較大型晶片30L之外周為小，與小型晶片30S之外周相同，或較其為小。例如，在圖2所示之縱方向的寬度中，將大型晶片的寬度作為W30L 、小型晶片的寬度作為W30S 時，第一範圍之寬度W1與第二範圍的寬度W2係為Wl≧W30L ＞W2≧W30S 之關係者為佳。例如，W1係呈成為W2之√2倍、乃至2倍之寬度地加以選擇。對於橫方向的寬度亦為同樣。
具有如此之安裝墊片的安裝基板10係例如，以印刷，光微影法，蒸鍍等之手法而形成金屬膜於絕緣基板上，在作成導體配線11與安裝墊片13時，呈成為第二範圍之厚度t2地，將安裝墊片13之全面積的金屬膜進形成膜之後，在遮蔽第二範圍之狀態，於其周圍，更且將厚度(t1-t2)之金屬膜進形成膜亦可，而呈成為第一範圍之厚度t1地，將安裝墊片13之全面積的金屬膜進行成膜之後，蝕刻第二範圍，形成深度(t1-t2)之凹部亦可。
接著，參照圖3~圖5，說明使用本實施形態之安裝基板的半導體發光裝置之製造方法。
首先，作為安裝基板10，準備形成具有特定的導體配線11與上述之凹部(第二範圍)132之安裝墊片13的安裝基板(S301)。配合安裝之LED晶片的尺寸，供給特定量之接合材於凹部132(S302)。在此狀態中，接合材20係除了AuSn等之金屬材料之外，包含結合劑或助熔劑等之漿料狀，可經由塗佈或裝填而供給者。所供給的接合材的量係對於小型晶片30S之情況，係如圖4(A)所示，可被覆凹部132之底面，且作為較凹部132之容積稍微少之程度。對於大型晶片30L之情況係如圖5(A)所示，在充填於凹部132之後，更且作為可被覆第一範圍131之程度。如此之接合材的量係因可經由凹部132之尺寸與LED晶片的尺寸而經驗得知之故，依據此等經驗值而適當地供給。
然而，對於大型晶片30L的情況，係因應必要，不僅於凹部132，而於凹部132之周圍(第一範圍) 131，供給接合材亦可。但於供給至凹部132之接合材，和供給至第一範圍之接合材之間，呈未形成空氣的層地，供給至第一範圍的接合材係分為複數處而進行供給，確保空氣的排出道者為佳。
接著，於安裝墊片13上配置LED晶片30(S303)。如為小型晶片30S，沿著凹部132內(圖4(B))，而如為大型晶片30L，沿著第一範圍131之外側的輪廓(圖5(B))，載置推上LED晶片。在經由接合材20暫時固定LED晶片30於安裝基板上之狀態，將安裝基板10放入於迴焊爐，進行特定時間加熱之後，使接合材20硬化而接合LED晶片30(S304)。經由迴焊時之加熱，漿料狀之接合材20係產生熔融，具有流動性，但小型晶片30S係因配置於安裝墊片13之凹部132內之故，在防止位置偏移之狀態，伴隨著接合材20硬化而固定，接合於第二範圍132上(圖4(C)，圖5(C))。
之後，將設置於LED晶片之上側的電極(未圖示)，導線接合於安裝基板10之電極墊片之情況(S305)，因應必要，以透光性樹脂而封閉導線接合後之LED晶片之情況(S306)係與以往的半導體發光裝置之製造同樣。
如根據本實施形態，經由將安裝有安裝基板之小型晶片的範圍作為凹部之時，在經由接合材而安裝小型晶片時，即使接合材產生熔融而帶有流動性，經由階差亦可限制小型晶片之移動之故，而未有產生位置偏移之情況。另外，即使接合材自凹部之第二範圍擴散，亦停留於第一範圍，而接合材未波及至導線接合部。安裝大型基板之情況係與對應於晶片的尺寸，形成未有凹部之安裝墊片的以往之安裝基板同樣，而經由使用適當量的接合材之時，可維持配置大型晶片配置於接合材之狀態，即安裝墊片之四邊與晶片之四邊維持一致之狀態。另外，經由對於構成安裝墊片之金屬與絕緣基板之接合材而言之潤濕性的不同，加以防止接合材擴散於外側情況。
並且，經由使用此安裝基板之時，加以提供未有LED晶片之位置偏移，且任一尺寸之晶片，因均藉由接合材而接合其背面全面於安裝墊片之故，容易使LED晶片發出的熱散發之構造的半導體發光裝置。
然而，在以上說明之實施形態中，說明過作為LED晶片而使用於背面設置一方的電極，而於上面設置另一方的電極之兩面形式的構成情況，但即使為於上面配置兩電極之LED晶片，亦可同樣地適用者。
另外，在以上的實施形態中，說明過於絕緣基板上安裝單一之LED晶片的情況，但所安裝之LED晶片的數量係亦可為複數。此情況，準備形成有複數之安裝墊片於絕緣基板上之安裝基板。複數之安裝墊片之中，至少一個之安裝墊片則為上述之泛用安裝墊片之情況，亦包含於本實施形態。
＜第一實施形態之變形例1＞ 　　在第一實施形態之安裝基板中，安裝墊片之對應於小型晶片的第二範圍係厚度為薄之凹部，但將第二範圍，作為較第一範圍為厚之厚的凸部亦可。
將本變形例的安裝基板之安裝墊片130，和經由接合材而接合小型晶片30S，大型晶片30L於此安裝墊片130之狀態，各顯示於圖6(A)～(C)。此變形例的安裝墊片亦於第一實施形態同樣地，將成膜分為2階段而進行，或者經由組合成膜與蝕刻之時，可形成具有階差13D於範圍間之安裝墊片者。
使用本變形例之安裝基板的半導體發光裝置之製造方法係以圖3的步驟進行者係與第一實施形態同樣，但接合大型晶片之情況(圖3之S302)，接合材係不僅凸部之第二範圍132，而亦對於第一範圍131，亦例於如沿著四邊或四角，複數處進行供給亦可。經由此，可使接合材20遍及較第二範圍132階差為低之第一範圍131之全體，可藉由接合材而將大型晶片的背面全體與安裝墊片接合，而可得到除熱良好之半導體發光裝置者。
在本變形例中，在接合小型晶片時，由配置於相當於其尺寸之第二範圍者，在接合材之熔融時，經由其表面張力，小型晶片的移動係因限定於存在有接合材之第二範圍之上方之故，可防止位置偏移，而得到與第一實施形態同樣的效果。
＜第一實施形態之變形例2＞ 　　在第一實施形態中，說明過為了安裝小型晶片與大型晶片之尺寸不同之2種類的LED晶片之安裝基板，但，由設置複數階差者，亦可對應於3種以上之LED晶片情況。
於圖7，顯示對應於3種以上之LED晶片的安裝基板之安裝墊片1300的一例。在圖示的例中，自安裝墊片1300之外側依序，形成有第一範圍131，較其厚度為薄之第二範圍132，又厚度為薄之第三範圍133。即，具有於第一範圍131之內側形成有凹部，而於其凹部的內側更形成有凹部之構造。此等第一~第三範圍之寬度(任意方向的寬度)W1，W2，W3係當將尺寸不同之3種類的LED晶片，大型晶片，中型晶片及小型晶片的同方向之寬度，各作為W30L 、W30M 、W30S (W30L ＞W30M ＞W30S )時，為以下的關係者為佳。 　　Wl≧W30L ＞W2≧W30M ＞W3≧W30S
在本變形例中，經由劃定第二範圍132之凹部及劃定第三範圍133之凹部，中型晶片及小型晶片係各亦可未位置偏移而接合於安裝基板上。
然而，在本變形例中，將第二範圍及第三範圍，對於第一範圍而言，作為凹部成套匣狀，但將第二範圍及第三範圍，依序作為呈成為厚度為厚之凸部亦可，而亦可將任一方作為凹部，另一方作為凸部，而可得到同樣的效果。
＜第二實施形態＞ 　　在第一實施形態與其變形例中，經由階差而分作設置於安裝墊片之複數的範圍，但作為劃分範圍的手段，加上階差以外之手段亦可。以下，將對應於尺寸不同之3種類的LED晶片，大型晶片，中型晶片及小型晶片的安裝基板，以例說明本實施形態。
圖8及圖9所示之安裝墊片係均除了階差以外，形成縫隙或者溝之安裝墊片。圖8所示之安裝墊片130A係於位置於對應於大型晶片的尺寸之最外側的第一範圍131內側，依據階差而形成有對應於中型晶片之第二範圍132，更且於構成第二範圍132之外周的四邊的內側，與四邊平行地形成有縫隙137。由4條的縫隙137所圍繞之範圍則對應於小型晶片的第三範圍133。
另外，圖9所示之安裝墊片130B係於第一範圍131之內側，依據階差而形成有對應小型晶片之第三範圍133，於第一範圍131之內側，形成有4個L字狀的溝138，而以4個溝138所圍繞之範圍(除第三範圍)則為對應於中型晶片之第二範圍132。然而，並非為溝138，而為縫隙亦可。
在兩圖中，各範圍之寬度與各LED晶片之寬度的關係則與第一實施形態的變形例2相同。然而，在圖8中，例示直線狀的縫隙，而在圖9中，例示L字狀的溝，但縫隙或者溝的形狀係在圖8與圖9相反亦可，而亦可為適當組合之形狀。亦可更換縫隙與溝。另外，直線狀的縫隙係亦可將1條為分割成複數之縫隙。
在本實施形態中，經由隔開範圍與範圍之階差，防止配置於其內側之LED晶片的位置偏移之情況係與第一實施形態相同。另一方面，縫隙或者溝係利用對於安裝墊片的材質(金屬膜)與形成安裝墊片之基板面的材質(玻璃環氧，陶瓷等)之接合材而言之潤濕性的不同，經由將接合材所移動之範圍限制於安裝墊片內之時，限制LED晶片的移動。經由此，例如，配置於以縫隙137所圍繞之範圍的LED晶片係即使接合材產生熔融而作為流動化，亦與接合材同時停留於其範圍，而接合材產生硬化之同時，未有位置偏移而接合於安裝墊片上。
如此如根據本實施形態，由並用階差與縫隙或者溝者，加以提供亦可對於尺寸不同之3種以上的LED晶片之任一的安裝基板，另外，經由使用此安裝基板之時，對於安裝任何尺寸之LED晶片的情況，亦可得到未有位置偏移，且抑制多餘接合材擴散之半導體發光裝置者。
以上，說明過本發明之半導體發光裝置，及使用於其之安裝基板之實施形態，但使用於各實施形態之說明的圖面係為一例，半導體發光裝置之構造，LED晶片之形式或形狀等係未限定於此等圖面者，而本發明係亦可適用公知的構造或形式者。
10‧‧‧安裝基板11‧‧‧導體配線13‧‧‧安裝墊片20‧‧‧接合材30‧‧‧LED晶片(半導體發光元件)30L‧‧‧大型晶片30S‧‧‧小型晶片31‧‧‧電極(金屬膜)40‧‧‧線材50‧‧‧封閉樹脂60‧‧‧壁材130‧‧‧安裝墊片130A‧‧‧安裝墊片130B‧‧‧安裝墊片131‧‧‧第一範圍132‧‧‧第二範圍133‧‧‧第三範圍137‧‧‧縫隙138‧‧‧溝1300‧‧‧安裝墊片
圖1係顯示半導體發光裝置之一實施形態的側剖面圖。 　　圖2係第一實施形態之汎用安裝基板的圖，(A)係自上面而視的圖，(B)係(A)之A-A線剖面圖。 　　圖3係說明第一實施形態之半導體發光裝置之製造方法的工程圖。 　　圖4(A)~(C)係顯示對於第一實施形態之汎用安裝基板安裝小型晶片的步驟圖。 　　圖5(A)~(C)係顯示對於第一實施形態之汎用安裝基板安裝大型晶片的步驟圖。 　　圖6係第一實施形態之汎用安裝基板之變形例1的圖，(A)係安裝墊片部分之剖面圖，(B)係顯示對於安裝墊片之小型晶片的安裝狀態的圖，(C)係顯示對於安裝墊片之大型晶片的安裝狀態的圖。 　　圖7係第一實施形態之汎用安裝基板的變形例2的圖，(A)係自上面而視的圖，(B)係(A)之B-B線剖面圖。 　　圖8係第二實施形態之汎用安裝基板之一例的圖，(A)係自上面而視的圖，(B)係(A)之C-C線剖面圖。 　　圖9係第二實施形態之汎用安裝基板之其他例的圖，(A)係自上面而視的圖，(B)係(A)之D-D線剖面圖。
10‧‧‧安裝基板
13‧‧‧安裝墊片
13D‧‧‧階差
131‧‧‧第一範圍
132‧‧‧第二範圍
t1‧‧‧第一範圍之厚度
t2‧‧‧第二範圍之厚度
W1‧‧‧第一範圍之寬度
W2‧‧‧第二範圍之寬度

Claims (8)

  1. 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：具有由金屬膜所成之安裝墊片的安裝基板，和藉由接合材而接合於前述安裝墊片之半導體發光元件；前述安裝墊片係具有：第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍；在前述第一範圍與前述第二範圍之邊界中，於前述安裝墊片之厚度方向具有階差；前述半導體發光元件係為尺寸不同之複數之發光元件之任一，而前述第二範圍之外周係較前述複數之發光元件之中最大的發光元件的外周為小，且與第二大的發光元件之外周相同尺寸，或較其為大者。
  2. 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：具有由金屬膜所成之安裝墊片的安裝基板，和藉由接合材而接合於前述安裝墊片之半導體發光元件；前述安裝墊片係具有：第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍；在前述第一範圍與前述第二範圍之邊界中，於前述安裝墊片之厚度方向具有階差；前述半導體發光元件係為尺寸不同之複數之發光元件之任一，而前述第二範圍之外周係較前述複數之發光元件之中最大的發光元件的外周為小，且與第二大的發光元件之外周相同尺寸，或較其為大；前述安裝墊片係前述第二範圍係膜厚較前述第一範圍 的膜厚為厚者。
  3. 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：具有由金屬膜所成之安裝墊片的安裝基板，和藉由接合材而接合於前述安裝墊片之半導體發光元件；前述安裝墊片係具有：第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍；在前述第一範圍與前述第二範圍之邊界中，於前述安裝墊片之厚度方向具有階差；前述半導體發光元件係為尺寸不同之複數之發光元件之任一，而前述第二範圍之外周係較前述複數之發光元件之中最大的發光元件的外周為小，且與第二大的發光元件之外周相同尺寸，或較其為大；前述安裝墊片係於前述第一範圍之外周，和前述第二範圍之邊界之間，具有未形成前述金屬膜之縫隙部或溝部者。
  4. 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：具有由金屬膜所成之安裝墊片的安裝基板，和藉由接合材而接合於前述安裝墊片之半導體發光元件；前述安裝墊片係具有：第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍；在前述第一範圍與前述第二範圍之邊界中，於前述安裝墊片之厚度方向具有階差；前述半導體發光元件係為尺寸不同之複數之發光元件之任一，而前述第二範圍之外周係較前述複數之發光元件 之中最大的發光元件的外周為小，且與第二大的發光元件之外周相同尺寸，或較其為大；於前述第二範圍的內側，設置有前述接合材，前述半導體發光元件係與前述第二範圍之外周相同，或較其為小者。
  5. 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：具有由金屬膜所成之安裝墊片的安裝基板，和藉由接合材而接合於前述安裝墊片之半導體發光元件；前述安裝墊片係具有：第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍；在前述第一範圍與前述第二範圍之邊界中，於前述安裝墊片之厚度方向具有階差；前述半導體發光元件係為尺寸不同之複數之發光元件之任一，而前述第二範圍之外周係較前述複數之發光元件之中最大的發光元件的外周為小，且與第二大的發光元件之外周相同尺寸，或較其為大；呈至前述第一範圍及前述第二範圍為止擴散地，設置前述接合材，前述半導體發光元件係較前述第二範圍之外周為大，而與前述第一範圍之外周相同，或較其為小者。
  6. 一種汎用安裝基板，係形成有為了接合尺寸不同之複數之半導體發光元件之任一的金屬膜所成之安裝墊片之汎用安裝基板，其特徵為 前述安裝墊片係具有：第一範圍，和於該第一範圍，位置於內側之第二範圍；在前述第一範圍與前述第二範圍之邊界中，於前述安裝墊片之厚度方向具有階差，前述第二範圍之外周係較前述複數的發光元件之中最大的發光元件之外周為小，且與第二大之發光元件的外周相同尺寸，或較其為大者。
  7. 一種半導體發光裝置之製造方法，係於形成有安裝墊片於表面之安裝基板的前述安裝墊片，經由接合材而接合半導體發光元件，製造半導體發光裝置之方法，其特徵為作為前述安裝基板，包含：準備如申請專利範圍第6項記載之汎用安裝基板的步驟，和將僅於前述安裝墊片的前述第二範圍供給前述接合材，而外周與前述第二範圍之外周相同，或較其為小之半導體發光元件，載置於前述安裝墊片的步驟，和經由接合材而接合前述半導體發光元件與前述安裝墊片的步驟。
  8. 一種半導體發光裝置之製造方法，係於形成有安裝墊片於表面之安裝基板的前述安裝墊片，經由接合材而接合半導體發光元件，製造半導體發光裝置之方法，其特徵為作為前述安裝基板，包含：準備如申請專利範圍第6項記載之汎用安裝基板的步驟，和將僅於前述安裝墊片的前述第二範圍供給前述接合 材，將外周與前述第一範圍之外周相同，或較其為小，且較前述第二範圍的外周為大之半導體發光元件，載置於前述安裝墊片的步驟，和經由接合材而接合前述半導體發光元件與前述安裝墊片的步驟。
TW107141395A 2017-12-18 2018-11-21 半導體發光裝置、汎用安裝基板、及使用其之半導體發光裝置之製造方法 TWI771529B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-242066 2017-12-18
JP2017242066A JP7064325B2 (ja) 2017-12-18 2017-12-18 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201929189A TW201929189A (zh) 2019-07-16
TWI771529B true TWI771529B (zh) 2022-07-21

Family

ID=66984613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107141395A TWI771529B (zh) 2017-12-18 2018-11-21 半導體發光裝置、汎用安裝基板、及使用其之半導體發光裝置之製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7064325B2 (zh)
KR (1) KR20190073259A (zh)
CN (1) CN109935673B (zh)
TW (1) TWI771529B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102167906B1 (ko) 2019-06-20 2020-10-20 주식회사 만도 조향 제어 장치 및 이를 포함하는 조향 보조 시스템

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201214789A (en) * 2010-02-09 2012-04-01 Nichia Corp Light emitting device and manufacturing method of the light emitting device
TW201705552A (zh) * 2015-06-01 2017-02-01 日亞化學工業股份有限公司 發光裝置及其製造方法
TW201711223A (zh) * 2009-08-24 2017-03-16 高睿科技公司 具有經選擇之熱膨脹及／或表面特性之固態照明裝置及相關方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05226501A (ja) * 1992-02-08 1993-09-03 Nissan Motor Co Ltd 半導体チップ実装用基板構造
JP2536431B2 (ja) * 1993-09-30 1996-09-18 日本電気株式会社 半導体装置
JP4366777B2 (ja) 1999-09-01 2009-11-18 パナソニック株式会社 電子部品
JP3912130B2 (ja) 2002-02-18 2007-05-09 住友電気工業株式会社 サブマウント
JP3924481B2 (ja) 2002-03-08 2007-06-06 ローム株式会社 半導体チップを使用した半導体装置
KR101087854B1 (ko) * 2003-09-19 2011-11-30 파나소닉 주식회사 반도체 발광장치
JP4486451B2 (ja) 2004-09-07 2010-06-23 スタンレー電気株式会社 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法
JP4738983B2 (ja) 2005-11-08 2011-08-03 ローム株式会社 半導体装置
JP4940900B2 (ja) 2006-11-08 2012-05-30 日亜化学工業株式会社 実装用部品、および半導体装置
JP2008159671A (ja) 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリント配線基板および電子装置
JP5082710B2 (ja) 2007-09-19 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101438826B1 (ko) 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
JP5573176B2 (ja) 2010-01-14 2014-08-20 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP5577221B2 (ja) 2010-11-11 2014-08-20 新電元工業株式会社 リードフレーム及び半導体装置
JP2012109352A (ja) 2010-11-16 2012-06-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
CN203085644U (zh) 2013-02-01 2013-07-24 武汉利之达科技有限公司 一种led封装基板
JP6578735B2 (ja) * 2014-05-21 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 半導体装置の実装構造、バックライト装置及び実装基板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201711223A (zh) * 2009-08-24 2017-03-16 高睿科技公司 具有經選擇之熱膨脹及／或表面特性之固態照明裝置及相關方法
TW201214789A (en) * 2010-02-09 2012-04-01 Nichia Corp Light emitting device and manufacturing method of the light emitting device
TW201705552A (zh) * 2015-06-01 2017-02-01 日亞化學工業股份有限公司 發光裝置及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7064325B2 (ja) 2022-05-10
CN109935673B (zh) 2024-04-30
JP2019110204A (ja) 2019-07-04
KR20190073259A (ko) 2019-06-26
TW201929189A (zh) 2019-07-16
CN109935673A (zh) 2019-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7277557B2 (ja) 発光装置
JP6187277B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US7491980B2 (en) Semiconductor light-emitting device mounting member, light-emitting diode constituting member using same, and light-emitting diode using same
US8735934B2 (en) Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same
JP4070795B2 (ja) 発光装置の製造方法
TWI655791B (zh) 發光二極體裝置與其製作方法
TWI649899B (zh) 發光裝置及其製造方法
TWI570962B (zh) A light emitting unit and a semiconductor light emitting device
TWI803537B (zh) 半導體發光裝置、汎用安裝基板以及使用其之半導體發光裝置之製造方法
US10326064B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing same
TW201810719A (zh) 發光裝置以及其製造方法
JP2008078401A (ja) 照明装置
TWI395346B (zh) 發光元件的封裝結構
JP2022180523A (ja) 半導体装置
TWI771529B (zh) 半導體發光裝置、汎用安裝基板、及使用其之半導體發光裝置之製造方法
US10546988B2 (en) Light emitting device and solder bond structure
JP2015185685A (ja) 発光装置の製造方法及び照明装置
TWI619271B (zh) 發光元件
KR102343872B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
JP6684063B2 (ja) 半導体発光装置
US11088303B2 (en) Light emitting device
KR101751909B1 (ko) 발광 소자