JP2015207626A - サイドビュー型半導体発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】少量多品種の面光源ユニットに対して、早期に生産を立ち上げることが可能で且つ簡易な方法での製造により低コストで供給することができるサイドビュー型半導体発光装置を提供することにある。
【解決手段】凹溝部16と、凹溝部16の側壁部19の上端部から該凹溝部16の底部20に平行に延びる延長部21と、延長部21の適宜な位置で該延長部21と直角に前記凹溝部16側に折り曲げられた折曲部18を有する金属ベース基板11に、一対の配線パターン14、15が絶縁層を介して前記凹溝部16の内底面20aから側壁部19の内面19a及び延長部21を経て折曲部18まで互いに所定の間隔を保って延設されてなる金属基板10を形成し、凹溝部16の内底面20aに半導体発光素子2を実装すると共に凹溝部16内に封止樹脂25を充填して半導体発光素子2を樹脂封止した。
【選択図】図9

Description

本発明は、サイドビュー型半導体発光装置に関するものであり、詳しくは、発光源に半導体発光素子を用いたサイドビュー型且つ表面実装型の発光装置に関する。
従来、サイドビュー型半導体発光装置としては、例えば、特許文献1に「表面実装型発光装置」として図14(概略正面図)及び図15(部分断面側面図)に示す構成からなるものが開示されている。
それは、一側面方向に開口した光放出用凹部81を有するパッケージ80の該光放出用凹部81の底部に一対のリード82、83の夫々の一端部側のボンディングパッド(ダイボンディングパッド82a及びワイヤボンディングパッド83a)が露出し、夫々の他端部側のはんだ接合用電極端子82b、83bがパッケージ80の側面側を経て底面側に回り込んでいる。
パッケージ80の光放出用凹部81の底部に露出したダイボンディングパッド82a上には発光素子84がダイボンディングされ、発光素子84の上部に形成された一対の素子電極(図示せず)の夫々に一端部を接合された一対のボンディングワイヤの85の他端部が、発光素子84がダイボンディングされたリード82及びワイヤボンディングパッド83aに接合されることにより、発光素子84の一対の素子電極の夫々と一対のリード82、83の夫々が電気的に接続されている。パッケージ80の光放出用凹部81内には、蛍光物質86を含有する透光性被覆部材87が配置されている。
表面実装型発光装置(サイドビュー型発光装置)を上記構成とすることにより、パッケージ80の側面部に位置する光放出用凹部81とパッケージ80の底面部に位置するはんだ接合用電極端子82b、83bとが隣り合って配置される場合であっても、光放出用凹部81が接合用電極端子82b、83bから所定距離以上離れた位置に設けられるため、基板実装時に接合用電極端子82b、83bのはんだ接続部付近の溶融したはんだが透光性被覆部材85やそれに含まれる蛍光物質に接触することなく、溶融したはんだが光放出用凹部81の内部に流れ込むことはない。したがって、透光性被覆部材85を装着した状態で表面実装を支障なく行うことが可能になり、信頼性と量産性の向上を図ることが可能になる、とされている。
特開2005−252168号公報
ところで、上記特許文献1で開示された表面実装型発光装置(サイドビュー型発光装置)は、使用に際しては例えば、略平板状の導光板と共に面光源ユニットを構成する。
具体的には、図16(面光源ユニットの断面図)にあるように、導光板91の端面近部に該端面に光放出用凹部81を向けた状態でサイドビュー型発光装置90を実装基板92上に配設し、サイドビュー型発光装置90の光放出用凹部81からの出射光を端面を入射面として導光板91内に導入し、導光板91内に導入された光を適宜な光路制御手段により光路制御して面方向に出射させるものである。
ところで、導光板91は、面光源ユニットの用途、あるいは大きさや面輝度等の要求仕様よって必要な厚みが異なる。そのため、導光板91に対する異なる厚み仕様に対しては、その厚み毎にパッケージ80の設計が必要となり、量産化までに長いリードタイムを必要としていた。
また、パッケージ80の外形寸法も異なるため、パッケージ80を成形する金型やサイドビュー型発光装置90の製造設備治具等も新規作製となり、その都度イニシアルコストが発生して製造コストを押し上げる。特に、試作段階や小ロットの面光源ユニットに用いられる場合は、要求される数(作製数)が少ないために製造コストの上昇は顕著なものとなる。
また、パッケージ80が薄肉のプラスチックやセラミック等で形成される場合、面光源ユニットにおいて発光素子84からの出射光が薄肉の部分を透過して上方に光漏れを生じ、導光板91への導入効率(入射効率)の低下を招くことになる。
また、発光素子84の発光時の発熱は、主に発光素子84がダイボンディングされたリード82を介して放散される。そのため、放熱性が良好と言えず、パッケージ80の光放出用凹部81内における熱蓄積の影響によって発光素子84の発光効率が低く抑えられていた。
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、少量多品種の面光源ユニットに対して、早期に生産を立ち上げることが可能で且つ簡易な方法での製造により低コストで供給することができるサイドビュー型半導体発光装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載された発明は、凹部と、前記凹部の側壁部の上端部から該凹部の底部に平行に延びる延長部と、前記延長部の適宜な位置で該延長部と直角に前記凹部側に折り曲げられた折曲部を有する金属ベース基板に、複数の配線パターンが絶縁層を介して前記凹部の内底面から前記側壁部の内面及び前記延長部を経て前記折曲部まで互いに所定の間隔を保って延設されてなる金属基板と、前記凹部の内底面に実装された半導体発光素子と、前記凹部内に充填されて前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備えたことを特徴とするものである。
また、本発明の請求項2に記載された発明は、請求項1において、前記複数の配線パターンの夫々は、前記凹部の内底面に位置して前記半導体発光素子の素子電極と電気的に接続されるボンディングパッドと、前記折曲部の前記延長部側に位置して基板実装時に実装基板に設けられた実装基板電極に電気的に接続される電極パッドと、前記折曲部の、前記電極パッドの位置に対して前記延長部と反対側に位置して基板実装時に転倒の防止を図る転倒防止パッドと、を有することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項3に記載された発明は、請求項1又は請求項2において、前記金属ベース基板は、アルミニウム等の延性、柔軟性を有する金属材料からなることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項4に記載された発明は、請求項1〜請求項3のいずれかにおいて、前記凹部は、凹溝状を有する凹溝部であることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項5に記載された発明は、請求項1〜請求項4のいずれかにおいて、少なくとも前記凹部の内面の前記複数の配線パターン以外の部分は、前記絶縁層が除去されていることを特徴とするものである。
本発明のサイドビュー型半導体発光装置は上述のように、凹部と、凹部の側壁部の上端部から該凹部の底部に平行に延びる延長部と、延長部の適宜な位置で該延長部と直角に前記凹部側に折り曲げられた折曲部を有する金属ベース基板に、複数の配線パターンが絶縁層を介して前記凹部の内底面から側壁部の内面及び延長部を経て前記折曲部まで互いに所定の間隔を保って延設されてなる金属基板を形成し、凹部の内底面に半導体発光素子を実装すると共に凹部内に封止樹脂を充填して半導体発光素子を樹脂封止した。
これにより、導光板の形状寸法が異なる少量多品種の面光源ユニットに対して、実装された半導体発光素子が樹脂封止されてなる金属基板を適宜な位置で折り曲げるだけで対応することができる。そのため、その都度パッケージの設計及び製造の必要がないために量産化までに長いリードタイムを必要とせず、新規の金型や製造設備治具等も必要としないために製造コストの上昇を招くことがない。
更に、半導体発光素子が実装された金属基板は全体がヒートシンクの役目も果たすため、半導体発光素子の発光時(点灯時)の発熱が効率良く放熱される。その結果、半導体発光素子の発光時の自己発熱による温度上昇を良好に抑制することができ、半導体発光素子の温度上昇に起因する半導体発光素子の発光効率の低減による発光光量の減少が抑えられると共に、同様に半導体発光素子の温度上昇に起因する半導体発光素子の劣化による素子寿命の短縮を抑制することが可能となる。
実施形態の発光装置に係わる製造方法の説明図である。 同じく、実施形態の発光装置に係わる製造方法の説明図である。 同じく、実施形態の発光装置に係わる製造方法の説明図である。 同じく、実施形態の発光装置に係わる製造方法の説明図である。 同じく、実施形態の発光装置に係わる製造方法の説明図である。 同じく、実施形態の発光装置に係わる製造方法の説明図である。 同じく、実施形態の発光装置に係わる製造方法の説明図である。 同じく、実施形態の発光装置に係わる製造方法の説明図である。 実施形態の発光装置の説明図である。 発光装置を用いた面光源ユニットの構成図である。 同じく、発光装置を用いた面光源ユニットの構成図である。 発光装置の部分斜視図である。 発光装置の部分断面図である。 従来例の説明図である。 同じく、従来例の説明図である。 同じく、従来例の説明図である。
以下、この発明の好適な実施形態を図1〜図13を参照しながら、詳細に説明する(同一部分については同じ符号を付す)。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
図1〜図8は、実施形態のサイドビュー型半導体発光装置(以下、「発光装置」と略称する)の製造方法(製造手順)の一例を示す説明図である。以下、図1〜図8を参照して発光装置の製造方法について順を追って説明する。なお、図1〜図8において、(a)は正面図であり、(b)は側方から見た断面図である。
まず、基板の準備工程(図1参照)において、例えばアルミニウム等の延性、柔軟性を有する金属材料からなる平板状の金属ベース基板11の一方の面の全面に亘って絶縁層(図示せず)を介して、例えば、銅箔からなる導電層12を設けてなる金属基板10を準備する。
次に、打ち抜き工程(図2参照)において、金属基板10にプレスによる打ち抜き加工を施し、少なくとも、長さ方向に所定の間隔及び幅で且つ長さ方向に沿う、一方の端部から幅方向に所定の位置まで直線状に延びる貫通スリット13を形成する。
次に、配線パターン形成工程(図3参照)において、金属金板10の導電層12にエッチング処理を施して所望の形状の多数個取り配線パターンを形成する。多数個取り配線パターンのうち、個々の発光装置に対応する領域に位置する配線パターンは一対からなり、一対の配線パターン14、15は、金属基板10の長さ方向に沿う一方の端部側か他方の端部側に向かって幅方向に所定の間隔を保って略平行に延設されている。
一対の配線パターン14、15の夫々は、金属基板10の長さ方向に沿う他方の端部側に位置する先端部にボンディングパッド(ワイヤボンディングパッド)14a、15aが形成され、一方の端部側に位置する先端部に転倒防止パッド14c、15cが形成されている。各配線パターン14、15の夫々のボンディングパッド14a、15aと転倒防止パッド14c、15cの間に電極パッド14b、15bが形成されている。
次に、深絞り工程(図4参照)において、プレスによる深絞り加工を施して金属基板10の長さ方向に沿う他方の端部側を、一対の配線パターン14、15の夫々のボンディングパッド14a、15aが内底面に位置するように長さ方向に沿って配線パターン14、15と反対側に凹んだ凹溝状の凹溝部16とする。
次に、半導体発光素子実装工程(図5参照)において、一対の配線パターン14、15の夫々のボンディングパッド14a、15aの間に半導体発光素子2(以下、「発光素子」と略称する)をダイボンディングし、発光素子2の一対の上部電極(図示せず)の夫々とボンディングパッド14a、15aの夫々とをボンディングワイヤ3で接続して互いの電気的導通を図る。
発光素子2は、発光色が異なる種々の素子が使用可能であるが、本実施形態においては青色発光の発光素子が用いられる。
次に、封止工程(図6参照)において、凹溝部16に、透光性樹脂に蛍光体を混入・分散してなる蛍光体分散樹脂からなる封止樹脂25を充填し、発光素子2及びボンディングワイヤ3を樹脂封止する。この場合、封止樹脂25は発光素子2を水分、塵埃及びガス等の外部環境から保護し、且つボンディングワイヤ3を振動及び衝撃等の機械的応力から保護する。また、封止樹脂25は発光素子2の光出射面とで界面を形成し、発光素子2の発光層から発せられた光を発光素子2の光出射面から封止樹脂25内に効率良く出射させる機能も有している。
透光性樹脂に混入・分散される蛍光体は、黄色蛍光体を用いる。これにより、発光素子2から出射された青色光の一部と、発光素子2から出射された青色光の一部が黄色蛍光体を励起して波長変換された、青色光の補色となる黄色光との加法混色で白色光に近い色相の光を得ることができる。
また、黄色蛍光体の代わりに、発光素子2から出射された青色光に励起されて緑色光に波長変換する緑色蛍光体と赤色光に波長変換する赤色蛍光体との混合蛍光体を用い、発光素子2から出射された青色光の一部と、発光素子2から出射された青色光の一部が緑色蛍光体を励起することにより波長変換された緑色光と発光素子2から出射された青色光の一部が赤色蛍光体を励起することにより波長変換された赤色光との加法混色で白色光を得ることも可能である。
さらに、発光素子2からの出射光の波長と蛍光体の種類とを適宜に組み合わせることにより、白色光以外の種々な色相の光を得ることができる。
次に、折り曲げ加工(図7参照)において、凹溝部16内に封止樹脂25が充填されてなる金属基板10にプレスによる折り曲げ加工を施し、凹溝部16以外の平板部17を適宜な位置で長さ方向に沿って凹溝部16側に直角に折り曲げる。このとき、一対の配線パターン14、15は、夫々の転倒防止パッド14c、15c及び電極パッド14b、15bが折曲部18の外側に位置している。
次に、切断工程(図8参照)において、発光素子2が実装された凹溝部16内に蛍光体分散樹脂からなる封止樹脂25が充填され且つ折曲部18を有する金属基板10を、回転するダイサーブレード(図示せず)によって、貫通スリット13の反対側から貫通スリット13の延長線上に位置するダイシングライン30に沿って貫通スリット13の方向にダイシング(切断)する。これにより、個片化された複数の発光装置が得られる。
上記一連の製造工程を経て得られた発光装置1は図9((a)正面図、(b)側方から見た断面図)にあるように、金属ベース基板11の一方の面上に絶縁層(図示せず)を介して一対の配線パターン14、15が形成されてなる金属基板10と、金属基板10上に実装された発光素子2と、発光素子2を封止する封止樹脂25を備えている。
そのうち、金属基板10は凹溝状に凹んだ凹溝部16、凹溝部16の一方の側壁部19の上端部から凹溝部16の底部20に平行に延びる延長部21及び延長部21の適宜な位置で該延長部21と直角に凹溝部16側に折り曲げられた折曲部18を有しており、凹溝部16の底部20の内底面20aから側壁部19の内面19a及び延長部21を経て折曲部18まで延びる一対の配線パターン14、15が所定の間隔を保って延設されている。
一対の配線パターン14、15の夫々は、凹溝部16の底部20の内底面20aの位置にボンディングパッド14a、15aが形成され、折曲部18の、凹溝部16に近い側の位置に電極パッド14b、15bが形成され、凹溝部16に遠い側の位置に転倒防止パッド14c、15cが形成されている。
そして、凹溝部16の底部20の内底面20aに発光素子2がダイボンディングされ、該発光素子2の一対の上部電極(図示せず)の夫々と一対のボンディングパッド14a、15aの夫々がボンディングワイヤ3で電気的に接続されており、発光素子2及びボンディングワイヤ3が凹溝部16内に充填された蛍光体分散樹脂からなる封止樹脂25により樹脂封止されている。
上記構成の発光装置1は、使用に際しては例えば、略平板状の導光板と共に面光源ユニットを構成する。以下に、発光装置1を光源とする面光源ユニットの構成例を、図10(面光源ユニットの構成図)を参照して説明する。
発光装置1は、発光装置実装基板40上に、該発光装置1の折曲部18を介して実装される。この場合、発光装置実装基板40の、発光装置1が実装される側の面には予め配線パターンが形成されており、該配線パターンには発光装置1の実装時に発光装置1の、一対の配線パターン14、15の夫々の電極パッド14b、15b及び転倒防止パッド14c、15cに対応する位置に電極接合パッド41b、42b及び転倒防止接合パッド41c、42cが形成されている。
電極接合パッド41b、42b及び転倒防止接合パッド41c、42cの夫々は、対応する電極パッド14b、15b及び転倒防止パッド14c、15cの夫々よりも大きく形成されている。
そこで、発光装置実装基板40の電極接合パッド41b、42b及び転倒防止接合パッド41c、42cの夫々に発光装置1の電極パッド14b、15b及び転倒防止パッド14c、15cの夫々をはんだ45により接合(はんだ接合)することにより発光装置実装基板40に発光装置1を実装する。
そして、導光板50を、発光素子2の光出射方向に光入射面50aを対向させると共に、厚み方向の中心面上に発光素子2の中心軸Xが位置するように配置する。
この場合、発光装置実装基板40と発光装置1とのはんだ接合は、リフロー方式の加熱によってはんだを溶融することにより行われる。その際、発光装置1の一対の配線パターン14、15の夫々に転倒防止パッド14c、15cが形成されていないとすると発光装置実装基板40に対して2箇所のはんだ接合部によって実装されることになり、発光装置実装基板40の電極接合パッド41b、42bの夫々と発光装置1の電極パッド14b、15bの夫々を接合するはんだの溶融時の表面張力によって所謂マンハッタン現象が生じ、発光装置1が延長部21と折曲部18との境の折曲加工部22を支点として封止樹脂25が充填された凹溝部16側に傾いたり或いは転倒したりする恐れがある。また、発光装置実装基板40の面方向に対する位置或いは向きがずれる恐れもある。
そのため、発光装置実装基板40に実装された発光装置1の光軸が所定の方向からずれ、発光装置1から出射した光を効率良く導光板に入射させることができない可能性がある。
それに対し、本発明の発光装置1のように、発光装置1の一対の配光パターン14、15の夫々において、電極パッド14b、15bに加えて転倒防止パッド14c、15cを形成することにより、発光装置実装基板40に対して4箇所のはんだ接合部によって実装される。そのため、発光装置実装基板40に実装された発光装置1が傾いたり或いは転倒したりすることがなく、発光装置実装基板40の面方向に対する位置或いは向きがずれることもない。
その結果、発光装置実装基板40に実装された発光装置1の光軸Xが確実に所定の方向を向くため、発光装置1から出射した光を効率良く導光板50に入射させることができる。
なお、発光装置1の折曲部18の形成は、金属基板10の深絞り工程による凹溝部16の形成、発光素子実装工程による凹溝部16内への発光素子2の実装及び封止工程による凹溝部16内への封止樹脂25の充填の夫々の工程の、後工程の折り曲げ工程により形成される。
そのため、発光装置1を異なる寸法形状の導光体50の光源として用いるために、発光装置実装基板40の発光装置実装面に対する発光素子2の光軸Xの高さを変える必要がある場合は図11(面光源ユニットの構成図)の直線で示した図にあるように、折り曲げ工程において適宜な位置で折り曲げるだけで延長部21の長さが変えられ、それにより、光軸Xを導光板50の厚み方向の中心面の位置に設定することができ、発光装置1から出射した光を効率良く導光板50に入射させることが容易に可能となる。
なお、折曲加工部22の形成範囲は(図6参照)、凹溝部16の側壁部19の上端部近傍から一対の配光パターン14、15の夫々の電極パッド14b、15bの凹溝部16側の端部よりも凹溝部16側の範囲(A)に限られる。同時に、貫通スリット13は折曲加工部22の形成範囲(A)よりも凹溝部16側に延びることが好ましい。換言すると、折曲加工部22で折り曲げ後に延長部21まで延長されていることが好ましい。
なお、発光素子2が実装された金属基板10は全体がヒートシンクの役目も果たす。そのため、発光素子2の発光時(点灯時)の発熱が効率良く放熱される。その結果、発光素子2の発光時の自己発熱による温度上昇を良好に抑制することができ、発光素子2の温度上昇に起因する発光素子2の発光効率の低減による発光光量の減少が抑えられると共に、同様に発光素子2の温度上昇に起因する発光素子2の劣化による素子寿命の短縮を抑制することが可能となる。
ところで、延長部21が長くなった場合、つまり、発光装置実装基板40から凹溝部16までの距離が長くなった場合、延長部21と折曲部18との直角の角度維持のために、図12(部分斜視図)にあるように、延長部21と折曲部18との境に位置する折曲加工部22の中央部を内側に凹ませて補強リブ部23を設けることも有効である。リブ部23の形成は折り曲げ加工の工程で行う。
なお、配線パターン形成工程において、エッチング処理によって不要な導電層12が除去された後に残った絶縁層は、少なくとも凹溝部16の内面において取り去り、金属ベース基板を11を露出させることが好ましい。これにより、露出した金属ベース基板(本実施形態においてはアルミニウム基板)の鏡面が反射鏡として機能し、発光素子2からの出射光の利用効率を高めることができる。絶縁層は、例えばザグリ加工で取り除くことができる。
切断工程前の多数個取り金属基板10は、必ずしも全てのダイシングライン30でダイシング(切断)する必要はなく、適宜なダイシングライン30を選択してダイシングすることにより、2連、3連等の多連の発光装置を得ることができる。
また、折り曲げ加工のし易さのため、且つ、折り曲げ加工後の応力集中を緩和して折曲安定性・信頼性を確保するために、図13(部分断面図)に示すように、一対の配線パターン14、15が形成された折り曲げ部24を折り曲げ方向側の面に薄肉化処理を施して薄肉部26を形成することも可能である。
また、金属ベース基板11が延性、柔軟性を有する金属材料からなるため、発光素子2が実装される凹溝部16の形状を容易に種々の形状に形成することができる。そのため、種々の光学特性を容易に実現することができる。
なお、金属ベース基板11から一対の配線パターン14、15の夫々が剥離することがないように、折り曲げ部の曲げRを所定の大きさ以上の大きさに形成することも必要である。
以上のように、本発明の発光装置1は、導光板の形状寸法が異なる少量多品種の面光源ユニットに対して、実装された発光素子が樹脂封止されてなる金属基板を適宜な位置で折り曲げるだけで対応することができる。そのため、その都度パッケージの設計及び製造の必要がないために量産化までに長いリードタイムを必要とせず、新規の金型や製造設備治具等も必要としないために製造コストの上昇を招くことがない。
1… サイドビュー型半導体発光装置
2… 半導体発光素子
3… ボンディングワイヤ
10… 金属基板
11… 金属ベース基板
12… 導電層
13… 貫通スリット
14… 配線パターン
14a… ボンディングパッド(ワイヤボンディングパッド)
14b… 電極パッド
14c… 転倒防止パッド
15… 配線パターン
15a… ボンディングパッド(ワイヤボンディングパッド)
15b… 電極パッド
15c… 転倒防止パッド
16… 凹溝部
17… 平板部
18… 折曲部
19… 側壁部
19a… 内面
20… 底部
20a… 内底面
21… 延長部
22… 折曲加工部
23… リブ部
24… 折り曲げ部
25… 封止樹脂
26… 薄肉部
30… ダイシングライン
40… サイドビュー型半導体発光装置実装基板
41b… 電極接合パッド
41c… 転倒防止接合パッド
42b… 電極接合パッド
42c… 転倒防止接合パッド
45… はんだ
50… 導光板
50a… 光入射面

Claims (5)

  1. 凹部と、前記凹部の側壁部の上端部から該凹部の底部に平行に延びる延長部と、前記延長部の適宜な位置で該延長部と直角に前記凹部側に折り曲げられた折曲部を有する金属ベース基板に、複数の配線パターンが絶縁層を介して前記凹部の内底面から前記側壁部の内面及び前記延長部を経て前記折曲部まで互いに所定の間隔を保って延設されてなる金属基板と、
    前記凹部の内底面に実装された半導体発光素子と、
    前記凹部内に充填されて前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備えたことを特徴とするサイドビュー型半導体発光装置。
  2. 前記複数の配線パターンの夫々は、前記凹部の内底面に位置して前記半導体発光素子の素子電極と電気的に接続されるボンディングパッドと、前記折曲部の前記延長部側に位置して基板実装時に実装基板に設けられた実装基板電極に電気的に接続される電極パッドと、前記折曲部の、前記電極パッドの位置に対して前記延長部と反対側に位置して基板実装時に転倒の防止を図る転倒防止パッドと、を有することを特徴とする請求項1に記載のサイドビュー型半導体発光装置。
  3. 前記金属ベース基板は、アルミニウム等の延性、柔軟性を有する金属材料からなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のサイドビュー型半導体発光装置。
  4. 前記凹部は、凹溝状を有する凹溝部であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のサイドビュー型半導体発光装置。
  5. 少なくとも前記凹部の内面の前記複数の配線パターン以外の部分は、前記絶縁層が除去されていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載のサイドビュー型半導体発光装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021510007A (ja) * 2017-10-27 2021-04-08 ラディアント オプト‐エレクトロニクス (スーチョウ) カンパニー リミテッド Led光源モジュール及びその製造方法
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