JPH0470363A - 光書き込みヘッド - Google Patents

光書き込みヘッド

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JPH0470363A
JPH0470363A JP2175101A JP17510190A JPH0470363A JP H0470363 A JPH0470363 A JP H0470363A JP 2175101 A JP2175101 A JP 2175101A JP 17510190 A JP17510190 A JP 17510190A JP H0470363 A JPH0470363 A JP H0470363A
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JP
Japan
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light
led array
chips
light emitting
gap
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JP2175101A
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English (en)
Inventor
Masashi Fuse
布施 雅志
Kazu Tomoyose
壹 友寄
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Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0470363A publication Critical patent/JPH0470363A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光書き込みヘッドに係り、特に複数のLEDア
レーチップを実giする場合の各LEDアレーチップの
間からの光を遮光した光書き込みヘッドに関する。
〔従来の技術) 一般に、電子写真装置等の書込み装置として用いられる
光書き込みヘッドは、書込み幅の大型化に伴って複数の
所定大のLEDアレーチップを発光部の配列方向に複数
連接することによって形成されている。
第15図から第17図はこの種の従来の光書き込みヘッ
ドの一例を示している。
この光書き込みヘッド1は、アルミニウム類の放熱板2
上に絶縁材料たるセラミック類の基板3を積層し、この
基板3上に、第16図および第17図に示すような、複
数の発光部5.5・・・が整列して形成されている複数
のLEDアレーチップ4を発光部5の配列方向に連接さ
せて導電性接着剤6を介して接着するとともに、基板3
上に導体パターン7を搭載し、前記LEDアレーチップ
4の表面に形成された通電用電極8と導体パターン7と
をボンディングワイヤ9.9・・・で接続したものであ
る。そして、前記基板3の外周部上には、前記しEDア
レーチップ4、導体パターン7、ボンディングワイヤ9
などを保護するためのガラス製の透明カバー10が接着
されている。
このように構成されている光書き込みヘッド1は、1l
JIIl信号に基いて特定の導体パターン7に通電され
ることにより特定の発光部5が発光し、この発光部5か
らの光が透明カバー10を介して外部へ出力され、光書
込みに供される。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、従来の光書き込みヘッド1においては各
LEDアレーチップ4の端面の間から発生される光が光
磨き込みに供されてしまうため高品位の画像形成が不可
能であり、またその端面間から発生される光を有効に遮
光する手段も無かった。
更に説明マると、各LEDアレーチップ4は下端面部分
の背面電極11をもって導電性接着剤6上にボンディン
グされ、背面電極11より上へ順にGaAs基板12、
GaAsPエピタキシャル層13が層面3れ、GaAs
Pエピタキシャル履13内に複数の発光部5,5・・・
が所定ピッチで1列状に拡散形成されている。一方のG
aAs基板12は発光部5の発光波長に対して不透明で
あるが、他方のGaAsPエピタキシャル層13は層面
3あるため、末端部の発光部5で発生した光は、発光部
5から直接外部へ出光するだけでなく、GaASPエピ
タキシャル113内を通ってGaAsPエピタキシャル
層13の層面3ら隣接するLEDアレーチップ4,4間
の間隙14内へ出光される。末端部の発光部5とLED
アレーチップ4の端面との距離は約10μmFi度と小
さいため、GaAsPエピタキシャル層13か層面31
4内へ出光する光の輝度は高い。しかも、各LEDアレ
ーチップ4の端面はその製造工程上の理由から、間11
i14が下方に向う程広くなる傾斜を有しており、Ga
As基板12の端面は金属光沢を有し、かつ、導電性接
着剤6も銀ペースト等からなるために金属光沢を有して
いるため、間隙14内へ出光された光は各金禽光沢面を
反射して間隙14の上端部の開口より外部へ出光されて
行く。この間隙14の上端部の、開口の発光部5の列方
向の幅は各発光部5の幅の約40%程度の約20μm程
度であり、発光部5の配列方向と直交方向の幅はLED
アレーチップ4の幅とほぼ同等の約500μmであり、
間隙14の深さはLEDアレーデツプ4の高さと同等の
約300μmである。従って、発光部5の列方向と直交
方向のかなり広い範囲に亘って、不要な光書き込みが行
なわれることとなる。例えば第18図に示すように、市
松模様からなるハーフトーン状の光書き込みを行なった
場合には、各LEDアレーチッ74間の間隙14の部分
だけ狭い幅で連続した濃いパターンA(同図の上下方向
の大賞線部分)の印字が施されてしまい、印字品位が低
下されてしまう。
この問題を解消するためには、各LEDアレーチップ4
の端面に遮光塗料等を塗布することが考えられるけれど
も、LEDアレーチップ4自身が非常に小さいものであ
るため、端面を遮光処理することは非常に困難であり、
実現性に乏しいものである。
そこで、各LEDアレーチッ74間の間隙14を遮光体
で隠蔽して遮光することが提案されているが、下記の理
由によって良好な遮光が実現されていない。
従来の光書き込みヘッド1による感光体への光書込みは
、両者の間に配設した自己集束型ロッドレンズアレー(
図示せず)によって、各LEDアレーチップ4の各発光
部5から発光された光を感光体の表面に結像させるよう
にして行なわれるものであり、各発光部5と自己集束型
ロッドレンズアレーとの間隔は約5IIII程度である
。しかし、自己集束型ロッドレンズアレーの焦点は各発
光1!1l15の表面に合わせられているため、遮光体
による遮光を確実に行なうには、遮光体を各LEDアレ
ーチップ4の表面若しくは表面に非常に近い位置に設け
る必要がある。
ところが、従来の光書き込みヘッド1においては、各L
EDアレーチップ4の通電用電極8と導体パターン7と
を接続する各ボンディングワイヤ9が、LEDアレーチ
ップ4の表面より約300μ扉の高さで立上げられてい
るため、LEDアレーチップ4の表面近くに遮光体を配
設することは不可能であり、隣接するLEDアレーチッ
プ4の表面に遮光体を掛は渡すようにして配設しなけれ
ばならない。
しかしながら、各LEDアレーチップ4には製造上高さ
に誤差が有り、また、各LEDアレーチップ4を基板3
上へ導電性接着剤6を介してボンディングするために、
各間隙14の大きさに差が生じるものであり、一定の大
きさの遮光体によって各間隙14を確実に隠蔽すること
は不可能であった。また、これらの誤差を吸収するため
に大きな遮光体を配設しようとすると、各LEDアレー
チップ4の長手方向の端面と最端部の発光部5の端部と
の間隔が約10μm以下と非常に小さいため、大きな遮
光体で発光部5の一部を覆ってしまって、光書き込みに
必要な光まで遮光するという不都合があった。
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、複数
のLEDアレーチップを発光体の配列方向に連接させた
光書き込みヘッドにおいて、隣接するLEDアレーチッ
プの間の間隙からの光を完全に遮光することができ、し
かも製造が容易であり、発光体のピッチを均等に配設す
ることができ、高品位の印字を行なうことのできる光書
き込みヘッドを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため本発明の光書き込みヘッドは、
複数のLEDアレーチップを実装基板に発光部の配列方
向に連続させて実装している光書き込みヘッドにおいて
、前記実装基板は前記LEDアレーチップからの光が透
光可能な透光部を有しており、前記各LEDアレーチッ
プは発光部を実装基板の前記透光部に対面させて実装さ
れており、隣接する前記LEDアレーチップの間隙から
前記実装基板の透光部を透過する光を遮光する遮光体が
前記実装基板に設けられていることを特徴とする。
〔作 用〕
本発明によれば、各LEDアレーチップを発光部を実装
基板に対面させて実装することにより、LEDアレーチ
ップの高さの製造誤差に拘らずに、全LEDアレーチッ
プの発光部を同一平面上に配設フることができ、更に、
各LEDアレーチップの間の間隔を均一にすることがで
きる。また、遮光体を実装基板に設けることにより各L
EDアレーチップ間の隙間からの光を確実に遮光づ“る
ことができる。これにより、各発光体から発光された光
のみが、実装基板を通過して感光体に向けて出光されて
、光書き込みに供される。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を第1図から第14図について説
明する。
第1図から第5図は本発明の一実施例を示しており、従
来と同一部分には同一符号を付しである。
本実施例の光書き込みヘッド21は、実装基板22上に
各LEDアレーチップ4の発光部5をその実装基板22
と対面させるようにして配設している。実装基板22は
各LEDアレーチップ4の発光部5を透過させる透光性
を有するように形成されており、本実施例においては、
ファイバ束23が光透過部に埋設されているファイバ・
アレー・プレートが用いられている。
次に、本実施例の更に詳しい構成を、実装基板22への
各LEDアレーチップ4を7リツプチツプ方式によって
実装する実装工程と共に説明する。
実装基板22の上面には、第4図に示すように、実装さ
れる各LEDアレーチップ4の通電用電極8と対向する
位置にハンダバンブ27によって接続される導体パター
ン24が予め形成され、この導体パターン24の形成と
同時に各LEDアレーチッ74間の間隙14を覆う位置
に間l114から発光された光を遮光する遮光体25が
形成される。
次に、第5図に示すように、実装基板22上にハンダリ
フロー時にハンダが不必要な部分に広がるのを防止する
ハンダレジスト層26が形成される。
このハンダレジスト層26は、各導体パターン24のう
ちLEDアレーチップ4の通電用電極8と対向する部分
および各LEDアレーチップ4の発光部5と対向するフ
ァイバ束23部分を除いた全面に形成きれる。次に、各
通電用電極8に等量のハンダからなるハンダバンブ27
がそれぞれ付着されている各LEDアレーチップ4を、
実装基板22上の各導体パターン24と各通電用電極8
を適正に対向させるように仮置きする。その後、ハンダ
バンブ27を加温してハンダリフローさせ、溶融状態の
ハンダの表面張力によって実装基板22上の導体パター
ン24と各LEDアレーチップ4の通電用電極8とを誤
差が10μm以下となるように位置合わせさせた後にハ
ンダを固化させて、各導体パターン24と通電用電極8
とをハンダを介して確実かつ強固に接続する。
このようにフリップチップ方式により各LEDアレーチ
ップ4を実装基板22上に実装しているため、本実施例
の光書き込みヘッド21においては、ハンダリフロー時
のハンダのセルフアライメント作用によって、各LED
アレーチップ4の通電用電極8と導体パターン24との
位置合わゼを自動的に高精度の行なうことができる。従
って、複数のLED7レーチツプ4,4・・・の実装基
板22上への実装精度は、実装基板22上に各導体パタ
ーン24を高位置精度をもって形成することによって、
高くすることができる。各導体パターン24は実装基板
22上にフォトエツチング等によって極めて高精度に形
成され、しかも導体パターン24上に形成されるハンダ
レジスト層26もフォトエツチング等によって同様に極
めて高M度に形成される。これらの実際の誤差は数μm
以上に抑えられる。これにより各LEDアレーデツプ4
は適正位置に実装されることとなり、各LEDアレーチ
ッ74間の各間隙14も所定の大きさでかつ適正位置に
形成されるため、各導体パターン24と同時に形成した
各遮光体25は、それぞれ各間隙14と適正に対向する
こととなり、各間隙14から発せられる光が実装基板2
2内へ入光しないように確実に遮光される。また、各L
EDアレーチップ4の高さに製造誤差があっても、各L
EDアレーチップ4の発光部5が設けられている表面側
を実装基板22に対向させて実装するものであるため、
前記高さの製造誤差とは無関係に各しEDアレーチップ
4の表面と実装基板22との距離を均一にして実装する
ことができる。実際には各ハンダバンブ27を均一の量
とすることにより、リフロー後に固化された各ハンダバ
ンブ27の高さの誤差が数μmに抑えられることによっ
て実現される。この各LEDアレーチップ4と実装基板
22との距離が均一とされることにより、各遮光体25
による遮光作用が更に確実に行なわれるようになる。
第6図および第7図tよ本発明の他の実施例を示す。本
実施例の光書き込みヘッド21は、前記実施例の遮光体
25を省きハンダレジスト!26自身を各LEDアレー
チップ4の発光部5から発せられる光を遮光できる素材
によって形成して、各間隙14から発せられる光を遮光
するようにしたものである。本実施例においても前記実
施例と同様に、ハンダレジスト層26によって良好な遮
光が行なわれる。
第8図および第9図は本発明の他の実施例を示す。本実
施例の光書き込みヘッド21は、実装基板22のLED
アレーデツプ4側と反対側の適正位置に遮光体25を形
成して、各LEDアレ〜チップ4の間の各間隙14から
発せられる光を遮光するようにしたものである。本実施
例の実装基板22はファイバ束23によって各発光部5
から発生した光を透光させるものであり、各間隙14に
対向しているファイバ束23を、実装基板22の各LE
Dアレーチップ4と反対側に形成した遮光体25によっ
ても十分に遮光できからである。この場合、実装基板2
2のLEDアレーチップ4側に形成した各導体パターン
24と、実装基板22の反対側に形成した各遮光体25
との位置合わせ精度を高くするようにするとよい。
また、実#A基板22としては前記各実施例のようにフ
ァイバ束23を埋設したファイバ・アレー・プレートの
他に、第10図および第11図に示すように、各LED
アレーチップ4の発光部5から発生した光を透光させる
ガラス基板28を用いてもよい。このガラス基板28に
おいては、前記ファイバ・アレー・プレートと異なり、
ガラス基板28内に入光した光は拡散するため、光書き
込みの場合には各LEDアレーチップ4の発光部5に自
己集束型ロッドレンズアレーの焦点を設定するため、各
間隙14の遮光は、ガラス基板28の各LEDアレーチ
ップ4と対向する面のみに遮光体25または遮光可能な
ハンダレジスト層26を形成することによって行なわれ
る。本実施例においても、前記各実施例と同様に良好な
遮光作用が発揮される。
前記各実施例の光書き込みヘッド21を用いて光書込み
を行なう場合を説明する。
ファイバ・アレー・プレートからなる実装基板22を用
いた光書き込みヘッド21は、各LEDアレーチップ4
の各発光部5から発光した光が実装基板22の各ファイ
バ束23内を直進して実装基板22の反対面側に達する
ため、第12図に示すように、実装基板22の反対面を
○PCベルト29に接するようにして光書込みを行なっ
たり、第13図に示すように、感光ドラム30の外周面
に自己集束型ロッドレンズアレー31を介して光書込み
を行なったりすることができる。OPCベルト29は無
端状のベースフィルム32に透明導電膜33を介して0
PC34を設けたものであり、実装基板22の各LED
アレーチップ4が実装されている面と反対面をベースフ
ィルム32に数μm以内の間隙で設置される。
また、ガラス基板28を実装基板22とする場合には、
各LEDアレーチップ4の発光部5部分に焦点を合わせ
る必要性が有るため、第14図に示すように、自己集束
型ロッドレンズアレー31を用いて感光ドラム30に光
書き込みを行なう場合にだけ利用することができる。
前記第12図から第14図の各場合において、それぞれ
遮光体25またはハンダレジスト層26によって各LE
Dアレーチップ4の間の間隙14から発生される光を確
実に遮光して、光書き込みに必要とされるLEDアレー
チップ4の各発光部5から発せられる光のみによって極
めて高精度の光書き込みが行なわれる。また、各LED
アレーデツプ4はハンダバンブ27のリフロー時のセル
フアライメント作用によって、各発光部5を所定ピッチ
に正確に位置合わせして実装基板22、ガラス基板28
に実装され、しかも、各発光部5を同一平面上に保持す
るように実装されているため、更に高精度の光書き込み
が行なわれ、高品位の印字が施される。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
必要に応じて変更することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の光書き込みヘッドは構成さ
れ作用するものであるから、複数のLEDアレーチップ
を発光部の配列方向に連接させた光書込みヘッドにおい
て、隣接するLEDアL/−チップの間の間隙からの光
を完全に遮光することができ、しかも製造が容易であり
、発光体のピッチを均等に配設することができ、高品位
の印字を行なうことができる等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図から第5図は本発明の光書き込みヘッドの一実施
例を示し、第1図は一部の斜視図、第2図は第1図の■
−■線に沿った拡大断面図、第3図は第1図の■−■線
に沿った拡大断面図、第4図は導体パターンと遮光体と
の形成状態を示す平面図、第5図はハンダレジスト層の
形成状態を示す平面図、第6図および第7図は本発明の
他の実施例を示す第3図および第5図と同様の図、第8
図および第9図は本発明の更に他の実施例を示す第3図
および第5図と同様の図、第10図および第11図は本
発明の更に他の実施例を示す第3図および第5図と同様
の図、第12図から第14図はそれぞれ本発明の実施例
を適用した光書き込み方式を示す斜視図、第15図は従
来の光書き込みヘッドを例示する断面図、第16図は従
来のLEDアレーチップの連続状態を示す平面図、第1
7図は第16図のxvi−xvi線に沿った断面図、第
18図は従来例によって印字された印字状態を示す説明
図である。 4・・・LEDアレーチップ、5・・・発光部、14・
・・間隙、21・・・光書き込みヘッド、22・・・実
装基板、24・・・導体パターン、25・・・遮光体、
26・・・ハンダレジスト層、28・・・ガラス基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数のLEDアレーチップを実装基板に発光部の配列方
    向に連続させて実装している光書き込みヘッドにおいて
    、前記実装基板は前記LEDアレーチップからの光が透
    光可能な透光部を有しており、前記各LEDアレーチッ
    プは発光部を実装基板の前記透光部に対面させて実装さ
    れており、隣接する前記LEDアレーチップの隙間から
    前記実装基板の透光部を透過する光を遮光する遮光体が
    前記実装基板に設けられていることを特徴とする光書き
    込みヘッド。
JP2175101A 1990-07-02 1990-07-02 光書き込みヘッド Pending JPH0470363A (ja)

Priority Applications (1)

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JP2175101A JPH0470363A (ja) 1990-07-02 1990-07-02 光書き込みヘッド

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JP2175101A JPH0470363A (ja) 1990-07-02 1990-07-02 光書き込みヘッド

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008117900A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
WO2013175232A3 (en) * 2012-05-24 2014-01-30 Lumejet Holdings Limited Exposure device for photographic media

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