CN1233039C - 半导体器件 - Google Patents

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Abstract

一种半导体器件A具有连接半导体芯片1的第1引线4和通过导线W与半导体芯片1连接的第2引线5及封入半导体芯片1和导线W的树脂封装2。第1和第2引线4、5的埋入树脂封装2内的内部端子4a、5b中，至少有一个沿树脂封装2的厚度方向发生弯曲。

Description

半导体器件
技术领域
本发明涉及树脂封装型半导体器件，尤其涉及适应于平面安装在基片上的半导体器件。
背景技术
图18和图19为已有半导体器件的一个例子。如图所示，半导体器件B作为发光器件，它包括树脂封装90、半导体芯片93、导线W、第1引线91和第2引线92。第1和第2引线91、92包括位于树脂封装90内部的水平状的内部端子91a、92a以及露在树脂封装90外面的外部端子91b、92b。外部端子91b、92b上具有与树脂封装90的底面90b处于同一平面的底面部94a、94b。半导体芯片93为例如发光元件，与内部端子91a连接在一起后，封装在树脂封装90的内部。导线W的第1端连接在半导体芯片93上面的电极上，同时其第2端连接在内部端子92a上，然后封装在树脂封装90的内部。树脂封装90由例如没有混入填料的透明环氧树脂制成，其上面90a上有一个作为凸透镜的透镜部95。
上述半导体器件B存在如下问题。
第一，利用焊锡逆流法将半导体器件B平面安装在基片上时，导线W有可能断线。具体来说，如图19所示，为了在基片96上平面安装半导体器件B，要在基片96上的电极片97a、97b上涂覆焊锡浆H。然后，将半导体器件B放在基片96上，使外部端子91b、92b的底面部94a、94b位于电极片97a、97b之上。在此状态下，将基片96和半导体器件B放入加热炉内加热。加热温度可为例如240℃。此时焊锡浆H再次熔化。然后从加热炉中取出基片96和半导体器件B，使之冷却，待焊锡浆H固化后，半导体器件B便固定在基片96之上。
在这一系列操作中，在焊锡浆H再熔化后的冷却过程中，例如在183℃固化，此时第1和第2引线91、92固定在电极片97a、97b之上。但是，在此阶段(温度183℃)，树脂封装90依然发生了热膨胀，处在软化状态，并伴随温度的降低发生热收缩。因为没有混入填料的环氧树脂的玻璃转变温度为120℃左右，低于焊锡浆H的固化温度。
第1和第2引线91、92固定在电极片97a、97b后，当树脂封装90发生收缩，树脂封装90的收缩力会作用在固定于第1和第2引线91、92的半导体芯片93和导线W上。所以导线W有可能在其连接处出现断线。
第二，已有技术中，从半导体芯片93发出的光线经过透镜部95聚光时，为了提高聚光效果，希望加大透镜部95和半导体芯片93之间的距离。因为从半导体芯片93发出的光线以一定的发散角传播，如果半导体芯片93和透镜部95之间的距离较大，就可以使到达透镜部95的光线近似于与透镜部95的光轴平行的光线。
但是，已有技术中，为了加大半导体芯片93与透镜部95之间的距离，需要增加其间的树脂的厚度，从而使得半导体器件B整体的体积增大。另一方面，如图20所示，如果降低树脂封装90内的内部端子91a、92a的高度，这些内部端子91a、92a下方的树脂厚度t就会在大范围内变小，从而降低树脂封装90的强度，使树脂封装90容易发生裂纹。
发明内容
本发明提供可以消除或者减轻上述已有技术的问题的半导体器件。
本发明所提供的半导体器件包括：具有上面、与此上面对向的底面、第1侧面以及与该第1侧面对向的第2侧面的树脂封装、和封入所述树脂封装内的半导体芯片、和与所述半导体芯片连接的第1端并具有与该第1端相反的第2端的导线、和具有从所述第1侧面进入所述树脂封装内并进行了弯曲加工的第1内部端子和与该第1内部端子相连并露在所述树脂封装外面的第1外部端子、并且所述第1内部端子与所述半导体芯片连接的第1引线、和具有从所述第2侧面进入所述树脂封装内的第2内部端子和与该第2内部端子相连并露在所述树脂封装外面的第2外部端子、并且所述第2内部端子与所述导线的第2端连接的第2引线、和比所述树脂封装更软的具有透光性的包覆材料，其特征在于：所述第1内部端子上有一个包围所述半导体芯片并与所述树脂封装的上面对向同时反射光线的凹状面，所述包覆材料充填在被该凹状面所确定的凹部并包覆所述半导体芯片。
理想的状态为，所述半导体芯片为发光元件或光电元件，同时所述树脂封装具有透光性。
理想的状态为，所述树脂封装由环氧树脂制成。
理想的状态为，所述树脂封装的上面有一个用于聚光的透镜部。
理想的状态为，通过弯曲所述第1内部端子，使得所述半导体芯片的连接部分比所述第1内部端子在所述第1侧面进入所述树脂封装内部的位置更靠近所述树脂封装的底面。
理想的状态为，所述第1内部端子上有一个倾斜面，分别与所述半导体芯片和所述透镜部对向，并且同时可以反射接受到的光线。
理想的状态为，通过弯曲所述第2内部端子，使所述第2内部端子上有一个倾斜面，分别与所述半导体芯片和所述透镜部对向，并且同时可以反射所接受到的光线。
理想的状态为，通过分别弯曲所述第1和第2内部端子，使得所述半导体芯片的连接部分比所述第1内部端子在所述第1侧面进入所述树脂封装内部的位置更靠近所述树脂封装的底面，同时所述导线的第2端的连接部分比所述第2内部端子在所述第2侧面进入所述树脂封装内部的位置更靠近所述树脂封装的底面。
理想的状态为，所述第1和第2内部端子分别弯曲成曲柄形状。
理想的状态为，通过分别弯曲所述第1和第2内部端子，使得所述半导体芯片的连接部分比所述第1内部端子在所述第1侧面进入所述树脂封装内部的位置更靠近所述树脂封装的上面，同时所述导线的第2端的连接部分比所述第2内部端子在所述第2侧面进入所述树脂封装内部的位置更靠近所述树脂封装的上面。
理想的状态为，当加热所述树脂封装使其发生软化时，所述半导体芯片和所述导线的整体在与所述树脂同时加热时与所述树脂封装发生软化一样，被比所述树脂封装更软的物质所包围。
理想的状态为，所述第1和第2外部端子分别具有沿所述树脂封装的底面延伸的底面部。
理想的状态为，所述第1和第2外部端子从所述树脂封装的第1侧面和第2侧面露出到所述树脂封装的外部。
理想的状态为，所述第1和第2外部端子中至少有一个从所述树脂封装的底面露在所述树脂封装的外部。
下面，通过按照附图说明的实施例，说明本发明的其他目的、特征及其优点。
附图说明
图1是与本发明实施例1有关的半导体器件的立体图。
图2是图1的II-II剖视图。
图3是制造图1的半导体器件时所用的引线框的俯视图。
图4表示在图3的引线框上安置半导体芯片并连接导线的状态的俯视图。
图5表示图4的半导体芯片和导线被树脂封装所包围的状态的俯视图。
图6表示安装与实施例1有关的半导体器件时的作用的剖视图。
图7是与本发明实施例2有关的半导体器件的剖视图。
图8是与本发明实施例3有关的半导体器件的剖视图。
图9是与本发明实施例3有关的半导体器件的关键部位的立体图。
图10是与本发明实施例4有关的半导体器件的剖视图。
图11是与本发明实施例5有关的半导体器件的剖视图。
图12是与本发明实施例6有关的半导体器件的立体图。
图13是图11的XIII-XIII的剖视图。
图14表示与实施例6有关的半导体器件的作用的剖视图。
图15是与本发明实施例7有关的半导体器件的剖视图。
图16是与本发明实施例8有关的半导体器件的剖视图。
图17是与本发明实施例9有关的半导体器件的剖视图。
图18表示已有的半导体器件的一例的立体图。
图19表示图18的半导体器件的作用的剖视图。
图20表示改变了图18的半导体器件的引线高度的状态的剖视图。
具体实施方式
以下参照图1～图16，说明本发明理想的实施例。
图1和图2表示与本发明实施例1有关的半导体器件A。半导体器件A由作为半导体芯片的发光元件1、导线W，树脂封装2、第1引线4和第2引线5所组成。
作为发光元件1，可以使用例如发光二极管。树脂封装2由例如不含有填料的透明环氧树脂制成，包裹发光元件1和导线W并成长方体形状。但是，树脂封装2的上面2a上有一个向上方突起的半球状透镜部3。
第1和第2引线4、5均由具有一定宽度的铜等薄金属片制成。第1引线4包括从树脂封装2的第1侧面2c进入树脂封装2内的第1内部端子4a和从第1侧面2c露出到树脂封装外部的第1外部端子4b。第1外部端子4b经过弯曲加工，其底面部45与树脂封装2的底面2b处于同一平面。
第1内部端子4a也经过弯曲加工。第1内部端子4a上具有第1侧面2c附近的水平部40a、树脂封装2的靠近中央的水平部40c以及位于这些水平部40a、40c之间的倾斜部40b。此处，本发明实施例中所说的水平是指与树脂封装2的底面2b平行的平面。从树脂封装2的底面2b到水平部40a的高度Ha的尺寸比较大。在水平部40c上，发光元件1固定位于透镜部3的正下方。倾斜部40b的倾斜状态刚好使得水平部40c比水平部40a低一个适当的距离Hb。作为倾斜部40b的上面的倾斜面40b′分别相对于树脂封装2的透镜部3和发光元件1保持一定的角度，从发光元件1出来的光线到达倾斜面40b′后能够被反射到透镜部3。为了提高倾斜面40b′的光反射效率，在倾斜面40b′上可以涂敷一层白色膜或具有光泽的金属膜。
第2引线5包括从与树脂封装2的第1侧面2c对向的第2侧面2d进入树脂封装2内的第2内部端子5a和从第2侧面2d露出到树脂封装外部的第2外部端子5b。第2外部端子5b经过弯曲加工后具有与第1外部端子4b相对称的形状，其底面部55与树脂封装2的底面2b处于同一平面。第2内部端子5a与第1内部端子4a的水平部40a处于同一高度的水平面。导线W的第1端连接在发光元件1上面的电极上，同时其第2端连接在连接在第2内部端子5a的靠近树脂封装2的中央的部位上。由此，第2引线5通过导线W与发光元件1实现机械连接和电气连接。
下面参照图3～图5，简单说明具有上述构造的半导体器件A的制造方法。
制造半导体器件A时，采用图3所示的引线框6。该引线框6可由例如铜制的金属板冲压制成，它具有一对平行伸延的边带60a、60b。这些边带60a、60b通过复数个相互间具有一定距离L的横架61相互连接在一起。相邻的两个横架61之间的区域中，在边带60a、60b上，有两个引线62a、62b，相互伸延靠近但保持一定距离。这两个引线62a、62b就是所述第1和第2引线4、5的原形部分。引线62a的内端部分通过弯曲加工，形成与图2所示的第1引线的内部端子4a相同的形状。
准备好上述引线框6后，如图4所示，将发光元件1与引线62a的内端部分连接。然后，将导线W的两端分别与发光元件1的上面和引线62b的内端部分连接。接着，如图5所示，制造包裹发光元件1和导线W的树脂封装2。树脂封装2的制造可采用例如传递模法，并且可以同时制得透镜部3。树脂封装2制成后，将引线62a、62b从边带60a、60b处切断(引线切断工序)。最后，对引线62a、62b从树脂封装2伸出来的部分进行弯曲加工(引线成型加工)。由此得到如图1所示的半导体器件A。
下面说明半导体器件A的作用。
半导体器件A使用时安装在例如基片上。这一安装操作适合采用焊锡逆流方法。根据焊锡逆流法，如图6所示，将焊锡浆H涂覆在基片7上的两个电极片70的表面，将第1和第2外部端子4b、5b的底面部45、55与两个电极片70的位置对应放好后，再将半导体器件A和基片7一起放入加热炉内进行加热。焊锡浆H加热到例如240℃发生再熔化后，将半导体器件A和基片7从所述加热炉内取出，使焊锡浆H冷却固化。由此，第1和第2引线4、5固定在两个电极片70上。
如上所述，利用已有技术，在半导体器件的安装工序中，外部端子即使固定在电极片上后，也会由于树脂封装在软化状态下发生的热收缩而在导线的连接部位施加很大的应力。与此对应，对于与本实施例有关的半导体器件A，如图6所示，当树脂封装2膨胀到图中假想线所示的位置然后发生收缩时，第1内部端子4a的倾斜部40b会抵抗树脂收缩。具体来说，树脂封装2在收缩时，在树脂封装2与第1引线4之间，对于第1引线4会产生一个向树脂封装2的外部拔出的力和动作。与此对应，倾斜部40b的作用是减少这种相对动作。特别是倾斜部40b还可以起到阻止比倾斜部40更靠近第1侧面2c的树脂朝发光元件1或导线W的第1端移动的作用。因此可以减少作用在导线W的第1端的连接部的应力。
另外，当倾斜部40b受到树脂封装2的收缩力F时，第1内部端子4a以倾斜部40b的上部附近(图6中符号N1所示部分)为中心向箭头N2所示方向旋转，可以达到假想线所表示的姿态。这种旋转的结果将使发光元件1朝第2内部端子5a的方向移动。这一移动与树脂封装2的收缩方向一致，同时能够减弱导线W的张力。因此，通过这一方法可以防止导线W出现断线。
本实施例的半导体器件A可以用作例如光传感器的发光装置。如图2所示，使发光元件1发光时，从发光元件1向透镜部3传播的光线被透镜3折射，偏向透镜3的光轴方向。由于第1内部端子4a进行了弯曲加工，树脂封装2内的发光元件1的高度较低，从而可以使发光元件1与透镜3之间的间距比较大。这样可以减小从发光元件1到达透镜3的光线的发散角度，可以更加容易地将通过透镜3的光线会聚到透镜3的光轴方向上来。因此，可以提高对于与透镜3对向的照射区域的光的照射效率。另外，发光元件1不仅向上方发射光线，也向周围发射光线。发光元件1向周围发射的光线的一部分会被倾斜面40b′反射到透镜部3。这样更增大了从透镜3出来的光量，进一步提高了对于希望的照射区域的光的照射效率。
连接发光元件1的水平部40c的高度虽然低，第1内部端子4a的其他部位和第2内部端子5a的整体部位都离树脂封装2的底面2b有相当的距离，其下部区域的树脂厚度很大，因此，可以确保树脂封装2的强度。利用第1和第2外部端子4b、5b将半导体器件A固定在基片上时，如果有外力作用在第1和第2外部端子4b、5b以及树脂封装2上，这一外力会很容易地作用在第1侧面2c的第1引线4与树脂封装2的接触点以及第2侧面2d的第2引线5与树脂封装2的接触点上。然而，这些部分离树脂封装2的底面2b很远，其周围部分的树脂封装2的壁很厚，因此这一外力不会使其周围部分容易地产生裂纹。
根据本发明，可以利用光电元件代替发光元件1，可以将半导体器件用作光传感器的光敏器件。上述光电元件可以采用光电二极管或光电三极管。此时，透镜部3使从树脂封装2的外部向透镜部3传播的光线会聚到光电元件上。另外，第1内部端子4a的倾斜面40b′将从外部传播到树脂封装2内的光线反射到所述光电元件上。因此，半导体器件A作为光敏器件时，有很高的光敏感性。以下其他实施例也一样，作为半导体芯片既可以采用发光元件，也可以采用光电元件。
图7表示与本发明实施例2有关的半导体器件Aa。但是，在图7以后的图中，与实施例1的半导体器件A相同的元件均使用相同的符号来表示。
如图7所示，在半导体器件Aa中，对第2引线5的第2内部端子5a进行了弯曲加工，形成有倾斜部50。倾斜部50分别对向发光元件1和透镜部3，同时有一个可以反射接受到的光线的倾斜面50′。
上述结构的半导体器件Aa中，从发光元件1出来的光线可以被倾斜面40b′、50′反射到透镜部3。从而可以增加从透镜部3出来的光量。
图8和图9表示与本发明实施例3有关的半导体器件Ab。半导体器件Ab中，第1内部端子4a上设计有杯部43，它有一个朝上的凹状面43a。杯部43的底部43b上连接发光元件1。凹状面43a能够反射所接受到的光线。杯部43的凹部中充填有透明的而且比树脂封装2更软的包覆材料75。发光元件1被这一包覆材料75所包覆。包覆材料75可以采用例如硅树脂。
上述结构的半导体器件Ab中，许多从发光元件1向周围发射的光线被凹状面43a高效率地反射到透镜部3。因此可以进一步增加从透镜部3发出的光量。另外，由于发光元件1被包覆材料75所包覆，即使树脂封装2受到来自外部的冲击力，这一冲击力不会直接传递到发光元件1，可以保护发光元件1。另一方面，第1内部端子4a中，树脂封装2的第1侧面2c附近的水平部40a和杯部43的底部43b通过作为杯部43的一部分的倾斜部40b连在一起，发光元件1的连接部分的高度低于水平部40a。第1内部端子4a的这种基本形态与前面所述的与实施例1有关的半导体器件A相同。因此，利用焊锡逆流法在基片上进行安装时，可以获得与对于半导体器件A所述的相同的防止导线断线的效果。
图10表示与本发明实施例4有关的半导体器件Ac。半导体器件Ac中，第1引线4上的杯部43的底部43b从树脂封装2的底面2b露在外面。这样，底部43成为外部端子。在半导体器件Ac的制造工序中，如图10的点划线所示，第1引线4虽然原来有一部分露在树脂封装2的第1侧面2c的外面，这一部分在第1侧面2c处被切断除去。另一方面，第2外部端子5b越过树脂封装2的底面2b的高度向树脂封装2的中央部弯曲，与树脂封装2的底面2b重叠并有底面部55。
图11表示与本发明实施例5有关的半导体器件Ad。该半导体器件Ad中，第2引线5的形状与所述半导体器件Ac不同，其余结构与半导体器件Ac相同。具体来说，半导体器件Ad的第2内部端子5a弯曲成L形，具有水平部51和从该水平部51的内侧向树脂封装2的底面2b伸延的下垂部52。第2外部端子5b与下垂部52的下端相连，从树脂封装2的底面2b露到外面并与此底面2b重叠。
上述结构的半导体器件Ac、Ad中，由于第1引线4的杯部43的底部43b均直接作为外部端子，在制造时第1引线4的引线成型加工非常容易。另外，第1和第2引线4、5在树脂封装2的宽度方向均没有很大的突出结构，从而半导体器件Ac、Ad的整体宽度较小。又因为杯部43的底部43b要露在外面，树脂封装2的厚度较小，从而半导体器件Ac、Ad的整体厚度也较小。
图12～图14表示与本发明实施例6有关的半导体器件Ae。该半导体器件Ae中，第1和第2内部端子4a、5a分别弯曲成曲柄状，其中间部分别形成下垂部40d、50d。因此，连接发光元件1的水平部40c和连接导线w的第2端的水平部50c分别低于位于树脂封装2的第1侧面2c和第2侧面2d附近的水平部40a、50a。
对于上述结构的半导体器件Ae，如图14所示，利用焊锡逆流法在基片7上进行安装时，在焊锡浆H的再熔化后的冷却工序中，焊锡浆H固化后，树脂封装2仍要发生收缩，下垂部40d、50d会抵抗这一收缩。因此，与参照图6所说明的原理相同，树脂封装2的收缩力难以作用到导线W的第1端的连接部分，同时也难以作用到导线W的第2端的连接部分。另外，如图14的虚线所示，由于树脂封装2的收缩力F也可以使第1和第2内部端子4a、5a的水平部40c、50c发生位移而相互接近。因此，对于半导体器件Ae，导线W的两端连接部分更难发生断线，更能满足要求。图中的下垂部40d、50d虽然画成倾斜状，但这些下垂部40d、50d也可以是与树脂封装2的底面2b垂直的非倾斜状态。这一点同样适用于参照图16所说明的上升部40e、50e。
图15表示与本发明实施例7有关的半导体器件Af。半导体器件Af中，第1内部端子4a的一部分中有一个杯部43，其底部43b中连接有发光元件。这一点与半导体器件Ae的结构不同。杯部43具有下垂部40d，将位于树脂封装2的第1侧面2c附近的水平部40a和连接发光元件1的杯部43的底部43b连在一起。
上述结构的半导体器件Af中，由于第1和第2内部端子4a、5a的基本弯曲形状与所述半导体器件Ae相同，因此可以得到与半导体器件Ae相同的效果。当然，由于具有杯部43，杯部43的凹状面43a对光的反射可以提高对于所希望区域的光的照射效率，同时也容易进行充填材料75的充填操作。
图16表示与本发明实施例8有关的半导体器件Ag。该半导体器件Ag中，第1和第2内部端子4a、5a分别朝着与所述半导体器件Ae的第1和第2内部端子的弯曲方向相反的方向弯曲成曲柄形。具体来说，该半导体装置Ag的第1和第2内部端子4a、5a具有从树脂封装2的第1和第2侧面2c、2d附近的水平部40a、50a向上伸延的上升部40e、50e。发光元件1和导线W的第2端连接在与这些上升部40e、50e相连的水平部40c、50c上。
上述结构的半导体器件Ag中，除了第1和第2内部端子4a、5a的弯曲方向与所述半导体器件Ae相反，在树脂封装2发生收缩时，第1和第2内部端子4a、5a对于树脂封装2的收缩的作用则与半导体器件Ae的情况相同。具体来说，在安装半导体器件Ag的工序中，树脂封装2发生热收缩时，上升部40e、50e产生相对于树脂封装2的收缩的抵抗力。另外，由于树脂封装2的收缩力，可以使水平部40c、50c向下旋转而相互接近。因此，导线W的两端的连接部分难以发生断线。
图17表示与本发明实施例8有关的半导体器件Ah。该半导体器件Ah中，树脂封装2内充填有树脂76，同时该树脂76将发光元件1和导线W整体包覆。树脂76为例如透明的硅橡胶。至少在利用焊锡逆流法将半导体器件Ah安装到基片上时，树脂封装2受热处于软化状态，而树脂76则处于更软的状态。
上述结构的半导体器件Ah中，树脂封装2发生热收缩时的收缩力作用在树脂76上，发光元件1和导线W的各部分不会直接受到上述收缩力的作用。因此可以进一步提高防止导线W断线的效果。
与本发明有关的半导体器件的各部分的具体结构并不限定于上述实施例，可以自由变更各种设计。
如上所述，本发明中，作为半导体芯片，可以利用光电元件代替发光元件，可以作为发射可视光或可视光以外的红外光等特定波长区域的光线的发光器件，或者作为感应这些光线的光敏器件。树脂封装也可以采用例如能遮断可视光而只让红外光通过的树脂。如果将发光元件和光电元件相隔一定距离埋设在同一树脂封装内，也可以将与本发明有关的半导体器件用作光断续器。当然，作为半导体芯片，还可以采用除发光元件和光电元件以外的元件。另外，本发明中，也可以使连接半导体芯片的第1内部端子不弯曲，而只让连接导线第2端的第2内部端子朝树脂封装的厚度方向发生弯曲。

Claims (6)

1.一种半导体器件，它包括具有上面、与此上面对向的底面、第1侧面以及与该第1侧面对向的第2侧面的树脂封装、
和封入所述树脂封装内的半导体芯片、
和与所述半导体芯片连接的第1端并具有与该第1端相反的第2端的导线、
和具有从所述第1侧面进入所述树脂封装内并进行了弯曲加工的第1内部端子和与该第1内部端子相连并露在所述树脂封装外面的第1外部端子、并且所述第1内部端子与所述半导体芯片连接的第1引线、
和具有从所述第2侧面进入所述树脂封装内的第2内部端子和与该第2内部端子相连并露在所述树脂封装外面的第2外部端子、并且所述第2内部端子与所述导线的第2端连接的第2引线、
和比所述树脂封装更软的具有透光性的包覆材料，
其特征在于：
所述第1内部端子上有一个包围所述半导体芯片并与所述树脂封装的上面对向同时反射光线的凹状面，所述包覆材料充填在被该凹状面所确定的凹部并包覆所述半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体芯片为发光元件或光电元件，同时所述树脂封装具有透光性。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述树脂封装由环氧树脂制成。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述树脂封装的上面设有用于聚光的透镜部。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，通过使所述第1内部端子弯曲，上述半导体芯片的连接部分比所述第1内部端子在所述第1侧面进入所述树脂封装的位置更靠近所述树脂封装的底面。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第1和第2外部端子从所述树脂封装的第1侧面和第2侧面露出到所述树脂封装的外部。
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