CN108133926A - 一种整流桥 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种整流桥，包括第一底料片、第二底料片、第三底料片、第四底料片以及将四个底料片的一端封装的封装壳体，四个底料片的另一端处于封装壳体外部形成引脚，封装壳体的长度为4.5—4.7mm，宽度为3.7—3.9mm，厚度为1.3‑1.5mm；第一矩形片上粘接有第一芯片，第二矩形片上粘接有第二芯片；在第三矩形片的左上角粘接有第三芯片，第三矩形片的右下角粘接有第四芯片；第一芯片与第四矩形片的延伸部之间通过导线进行连接，第二芯片与第四矩形片的右上角通过导线连接，第三芯片与第一矩形片之间通过导线连接，第四芯片与第二矩形片的左下角通过导线连接。通过对封装壳体内的四个矩形片结构的排布及结构的优化，保证在较小尺寸的前提下，保证整流桥的功能。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种低功率的整流桥。
背景技术
低功率整流二极管主要用于高频开关电路中。目前，市场上基于低功率整流二极管的整流组件基本还是用4只同类型的整流二极管组成，即利用二极管的单向导通性进行整流；四个二极管，两两对接，输入正弦波的正半部分是两只管导通，得到正的输出；输入正弦波的负半部分时，另两只管导通，由于这两只管是反接的，所以输出仍然是正弦波的正半部分。低功率整流二极管多使用肖特基芯片，由于肖特基的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结的反向恢复时间。肖特基的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，因此适合于高频应用。目前的整流桥这种整流组件占用PCB电路板的空间非常大，并且由于其可靠性能较差，此种整流组件已不能满足市场的需求，处于了不断淘汰的局势。在这种局势之下，集中化和小型化的新产品(整流桥)必然引领市场，代替原先整流组件的新代替品也必然有更大的前景，而目前的整流桥存在内部结构布置不合理、体积较大，占用空间多的缺陷。
发明内容
针对上述技术问题，本发明的目的是提供一种结构布局合理，体积小、占用空间少的整流桥。
实现本发明的技术方案如下：
一种整流桥，包括铜质的第一底料片、第二底料片、第三底料片、第四底料片，以及将四个底料片的一端进行共同封装的封装壳体，四个底料片的另一端处于封装壳体外部形成引脚，四个底料片的上表面分别镀有银层，所述封装壳体的长度为4.5—4.7mm，宽度为3.7—3.9mm，厚度为1.3-1.5mm；
所述第一底料片包括封装于封装壳体内的第一矩形片，及与第一矩形片长的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第一引脚片；第一矩形片上表面粘接有第一芯片，
第二底料片包括处于第一矩形片右方的第二矩形片，及与第二矩形片长的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第二引脚片；第二矩形片上表面粘接有第二芯片；第一矩形片的宽度与第二矩形片的宽度相同，第一矩形片与第二矩形片并排布置，第一矩形片与第二矩形片之间保留有间隔D1；
第三底料片包括第三矩形片，及与第三矩形片长的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第三引脚片，第三矩形片的右上角形成矩形的缺口，在第三矩形片上表面的左上角粘接有第三芯片，第三矩形片上表面的右下角粘接有第四芯片；
第四底料片包括第四矩形片，及与第四矩形片短的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第四引脚片，第三矩形片、第四矩形片并排布置且之间形成间隔D2，第四矩形片的左上角向外部延伸出延伸部，该延伸部伸入到第三矩形片的缺口中；
第三底料片、第四底料片处于第一底料片、第二底料片的同一侧，
第一矩形片与第三矩形片形成间隔D3，第二矩形片与第四矩形片之间形成间隔D4；
所述第一芯片与第四矩形片的延伸部之间通过导线进行连接，第二芯片与第四矩形片的右上角通过导线连接，第三芯片与第一矩形片之间通过导线连接，第四芯片与第二矩形片的左下角通过导线连接。
进一步地，所述第一矩形片与第二矩形片之间的间隔D1与第三矩形片、第四矩形片之间的间隔D2相等且处于0.3—0.4mm。
进一步地，所述第一矩形片、第三矩形片的间隔D3与第二矩形片、第四矩形片之间的间隔D4相等且处于0.2—0.3mm。
进一步地，所述导线采用wire bonding焊接工艺于芯片键合。
采用了上述技术方案，本整流桥的封装壳体尺寸：长度为4.5—4.7mm，宽度为3.7—3.9mm，厚度为1.3-1.5mm；相对于目前的一些整流桥产品尺寸较小；且通过对封装壳体内的四个矩形片结构的排布及结构的优化，保证在较小尺寸的前提下，保证整流桥的功能。
附图说明
图1为本发明的俯视结构示意图；
图2为图1的仰视结构示意图；
图3为图1的右视结构示意图；
图4为本发明的内部结构示意图；
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1—4所示,一种整流桥，包括铜质的第一底料片1、第二底料片2、第三底料片3、第四底料片4，以及将四个底料片的一端进行共同封装的封装壳体5，四个底料片的另一端处于封装壳体外部形成引脚，引脚弯折呈贴片式，以增加引脚面积，增加散热面积。
四个底料片的上表面分别镀有银层，封装壳体为矩形，具体的长度L为4.5mm或4.6mm或4.7mm，宽度W为3.7mm或3.8mm或3.9mm，厚度H为1.3mm或1.4mm或1.5mm。
第一底料片包括封装于封装壳体内的第一矩形片6，及与第一矩形片长的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第一引脚片7；第一矩形片上表面粘接有第一芯片8。
第二底料片包括处于第一矩形片右方的第二矩形片9，及与第二矩形片长的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第二引脚片10；第二矩形片上表面粘接有第二芯片11；第一矩形片的宽度与第二矩形片的宽度相同，第一矩形片与第二矩形片并排布置，第一矩形片与第二矩形片之间保留有间隔D1。
第三底料片包括第三矩形片12，及与第三矩形片长的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第三引脚片13，第三矩形片的右上角形成矩形的缺口14，在第三矩形片上表面的左上角粘接有第三芯片15，第三矩形片上表面的右下角粘接有第四芯片16；芯片通过锡膏点胶在底料片上，形成与料片的粘结。
第四底料片包括第四矩形片17，及与第四矩形片短的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第四引脚片18，第三矩形片、第四矩形片并排布置且之间形成间隔D2，第四矩形片的左上角向外部延伸出延伸部19，该延伸部伸入到第三矩形片的缺口中；
第三底料片、第四底料片处于第一底料片、第二底料片的同一侧，第一矩形片与第三矩形片形成间隔D3，第二矩形片与第四矩形片之间形成间隔D4；第一芯片与第四矩形片的延伸部之间通过导线20进行连接，第二芯片与第四矩形片的右上角通过导线连接，第三芯片与第一矩形片之间通过导线连接，第四芯片与第二矩形片的左下角通过导线连接。具体实施中，为了优化结构，保证产品性能，第一矩形片与第二矩形片之间的间隔D1与第三矩形片、第四矩形片之间的间隔D2相等且为0.3mm或0.4mm。第一矩形片、第三矩形片的间隔D3与第二矩形片、第四矩形片之间的间隔D4相等且为0.2mm或0.3mm。导线采用wire bonding焊接工艺于芯片键合。
本产品中使用了4颗晶粒芯片，4个矩形片之间的布局，能够将晶粒工作时产生的热量及时散出通过引脚散出，使晶粒芯片合理分布，相邻晶粒芯片之间不会产生影响，引脚采用贴片式，增加了散热面积，使晶粒工作产生的热量迅速带走，降低了其工作结温，使其具有非常高的可靠性能，实用性更强。
采用Wire Bonding焊接技术，它是在一定的温度下，作用键合工具劈刀的压力，并加载超声振动，将引线一端键合在芯片的金属层上，另一端键合到料片上，实现芯片内部电路与外围电路的电连接。这种工艺操作方便、灵活、精确度高，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性，故可实现高速自动化焊接。导线与芯粒芯片上表面可以实现精确键合，键合是分子级别的键合，接触热阻与接触热阻极小，大大降低芯片的产热的同时，亦可大大增加芯片的散热能力，有利于提高产品的高温可靠性。将传统的4颗整流二极管的作用，在一个整流桥中进行实现，增加了PCB板的可利用空间，生产效率大大提高，且总材料制造成本也有明显地降低。本整流桥可达到的主要技术指标如下：
| 性能指标 | 单位 | 数值 |
| 最大可重复峰值反向电压 | 伏特 | 100 |
| 最大反向漏电流@75V | 毫安 | 0.001 |
| 正向额定平均整流电流@TA＝25℃ | 安培 | 0.15 |
| 正向整流电压@IF＝150mA，TA＝25℃ | 伏特 | 1.25 |
| 正向浪涌电流@8.3ms正弦半波,TA＝25℃ | 毫安 | 500 |
| 反向恢复时间 | 纳秒 | 4 |
| 存储温度 | 摄氏度 | -55to 150 |
| 额定工作温度@IF＝13A | 摄氏度 | -65to 200 |
Claims (4)
1.一种整流桥，包括铜质的第一底料片、第二底料片、第三底料片、第四底料片，以及将四个底料片的一端进行共同封装的封装壳体，四个底料片的另一端处于封装壳体外部形成引脚，四个底料片的上表面分别镀有银层，其特征在于，所述封装壳体的长度为4.5—4.7mm，宽度为3.7—3.9mm，厚度为1.3-1.5mm；
所述第一底料片包括封装于封装壳体内的第一矩形片，及与第一矩形片长的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第一引脚片；第一矩形片上表面粘接有第一芯片，
第二底料片包括处于第一矩形片右方的第二矩形片，及与第二矩形片长的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第二引脚片；第二矩形片上表面粘接有第二芯片；第一矩形片的宽度与第二矩形片的宽度相同，第一矩形片与第二矩形片并排布置，第一矩形片与第二矩形片之间保留有间隔D1；
第三底料片包括第三矩形片，及与第三矩形片长的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第三引脚片，第三矩形片的右上角形成矩形的缺口，在第三矩形片上表面的左上角粘接有第三芯片，第三矩形片上表面的右下角粘接有第四芯片；
第四底料片包括第四矩形片，及与第四矩形片短的一边一体成型并延伸到封装壳体外部的第四引脚片，第三矩形片、第四矩形片并排布置且之间形成间隔D2，第四矩形片的左上角向外部延伸出延伸部，该延伸部伸入到第三矩形片的缺口中；
第三底料片、第四底料片处于第一底料片、第二底料片的同一侧，
第一矩形片与第三矩形片形成间隔D3，第二矩形片与第四矩形片之间形成间隔D4；
所述第一芯片与第四矩形片的延伸部之间通过导线进行连接，第二芯片与第四矩形片的右上角通过导线连接，第三芯片与第一矩形片之间通过导线连接，第四芯片与第二矩形片的左下角通过导线连接。
2.如权利要求1所述的一种整流桥，其特征在于，所述第一矩形片与第二矩形片之间的间隔D1与第三矩形片、第四矩形片之间的间隔D2相等且处于0.3—0.4mm。
3.如权利要求1或2所述的一种整流桥，其特征在于，所述第一矩形片、第三矩形片的间隔D3与第二矩形片、第四矩形片之间的间隔D4相等且处于0.2—0.3mm。
4.如权利要求3所述的一种整流桥，其特征在于，所述导线采用wire bonding焊接工艺于芯片键合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711336160.3A CN108133926B (zh) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | 一种整流桥 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711336160.3A CN108133926B (zh) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | 一种整流桥 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108133926A true CN108133926A (zh) | 2018-06-08 |
| CN108133926B CN108133926B (zh) | 2024-05-24 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711336160.3A Active CN108133926B (zh) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | 一种整流桥 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN108133926B (zh) |
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| CN108133926B (zh) | 2024-05-24 |
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |