JP2018022742A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数の発光素子のピッチ間距離が異なることを抑制する発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上面に位置し、ワイヤ接続部と、ワイヤ接続部と接続される連結部と、連結部と接続される素子実装部と、素子実装部と接続される延伸部とを順に有する導電層を第1方向に複数備える導電層群と、導電層群の素子実装部のそれぞれに配置される発光素子と、素子実装部と発光素子とを接合する接合部材と、を備え、連結部と延伸部が同一直線上に延びる発光装置。
【選択図】図2

Description

本開示は、発光装置に関する。
一般に、発光ダイオード等の発光素子を用いた発光装置は、高い発光効率、低い消費電力および長寿命であるという観点から、照明用装置をはじめ、光通信装置などの様々な光源として利用されている。特にスキャナ、インクや樹脂硬化、パネルの貼り合わせ等多くの分野で、基板上に複数の発光素子を一列に実装した発光装置が用いられている。
基板上に複数の発光素子を一列に実装した発光装置として、例えば、発光素子が実装される素子実装領域と、ワイヤ接続領域とを有する導電層が一列に複数配列し、複数の導電層の素子実装領域のそれぞれに発光素子が実装される発光装置が提案されている(特許文献1参照)。また、このような発光装置では、均一な照射強度を保つために、複数の発光素子は、そのピッチ間距離が所定の間隔になるよう配置される。
特開2011−216514号公報
しかし、従来の発光装置において、素子実装領域とワイヤ接続領域とが連結部により接続される場合に、発光素子を接合する接合部材が連結部の方向に流れ込み、発光素子の実装位置が異なってしまうという可能性があった。その結果、複数の発光素子のピッチ間距離が所定の間隔にならない可能性があった。
本開示の実施形態は、複数の発光素子のピッチ間距離が異なることを抑制する発光装置を提供する。
本開示の発光装置は、基板と、基板の上面に位置し、ワイヤ接続部と、ワイヤ接続部と接続される連結部と、連結部と接続される素子実装部と、素子実装部と接続される延伸部とを順に有する導電層を第1方向に複数備える導電層群と、導電層群の素子実装部のそれぞれに配置される発光素子と、素子実装部と発光素子とを接合する接合部材と、を備え、連結部と延伸部が同一直線上に延びる。
本開示の実施形態によれば、複数の発光素子のピッチ間距離が異なることを抑制する発光装置が提供される。
本開示の実施形態1に係る発光装置の模式的斜視図である。 本開示の実施形態1に係る発光装置の模式的上面図である。 本開示の実施形態1に係る発光装置の模式的上面図である。 図2の破線で囲まれた領域の拡大図である。 図2の破線で囲まれた領域において発光素子が実装されていない状態の導電層を示した拡大図である。 素子実装部の近傍を拡大した拡大図である。 本開示の実施形態1に係る発光素子のパッド部および補助電極部の形状を示す模式的上面図である。 本開示の実施形態2に係る発光装置の導電層を拡大した拡大図である。 図5Aから発光素子を除去した状態の導電層を示す拡大図である。 本開示の実施形態2に係る導電層を示す拡大図である。 本開示の実施形態2に係る導電層を示す拡大図である。 本開示の実施形態2に係る導電層を示す拡大図である。 本開示の実施形態に係る光源装置を示す模式的上面図である。
以下、本実施形態について図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本開示の技術思想を具体化するためのものであり、本開示の技術的範囲を限定することを意図したものではないことに留意されたい。1つの実施形態において説明する構成は、特段の断りがない限り、他の実施形態にも適用可能である。以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語(例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及びそれらの用語を含む別の用語)を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本開示の技術的範囲が制限されるものではない。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある点も留意されたい。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。また、本開示において「平行」および「垂直」とは、特に他の言及がない限り、2つの直線、辺あるいは面等がそれぞれ0°から±5°程度および90°から±5°程度の範囲にある場合を含む。
(実施形態1)
図1Aは発光装置100の模式的斜視図であり、図1Bは発光装置100の模式的上面図である。また、図2は発光装置100からカバー部13を除去した状態の発光装置100を示す模式的上面図である。図3Aは図2の破線で囲まれた領域の拡大図であり、図3Bは図2の破線で囲まれた領域の発光素子が実装されていない状態の導電層を示した拡大図であり、図3Cは素子実装部の近傍を拡大した拡大図である。図1〜図3Cで示すように、発光装置100は、基板1と、基板1の上面に位置する導電層群2と、導電層群2の素子実装部32のそれぞれに配置される発光素子10と、発光素子10とワイヤ接続部31とを接続するワイヤ9を備える。また、導電層3の素子実装部32と発光素子10とは接合部材(図示せず)を介して接合される。以下、各構成要素を詳細に説明する。
(基板1)
基板1は、複数の発光素子10を実装するものであり、上面に導電層群2を有する。基板1は、発光装置100の使用条件に応じて、材質、厚み、幅、長さ等が決められている。基板1は、金属(例えば、銅、アルミニウム)、窒化アルミニウムをはじめとするセラミックス、カーボン等の熱伝導性が高い材料から構成されていることが好ましい。これにより、基板1は、発光素子10からの熱を効率的に放熱することができる。基板1は、単層構造であってもよいし、2以上の層が積層される積層構造であってもよい。基板1の上面の導電層群2は、電解メッキ法などの方法により、例えば銅などの導電体を材料として設けられる。本開示の実施形態においては、基板1には放熱性が高い窒化アルミニウムを母材とする板状の基板を、導電層群2には銅のベースの表面に金の薄膜を設けたものを用いる。
基板1は、図1Aおよび図1Bで示すように、外部電源を供給するためのコネクタ等の電子部品を有する。その他の電子部品として、コンデンサ、ツェナーダイオード、各種トランジスタ等の電子部品を有していてよい。これらの電子部品を備えることにより、通電および駆動における信頼性を向上させた発光装置を提供することができる。
また、基板1は固定用の固定穴14を備えていてもよい。固定穴14は、ネジ部材等を挿入し発光装置100を実装基板に固定するための穴である。
(導電層群2)
導電層群2は、基板1の上面に位置し、第1方向Pに配列された複数の導電層3からなる。第1方向Pは、複数の発光素子10が配列される方向である。導電層群2のうち1つの導電層3は、図3Bで示すように、ワイヤ接続部31と、素子実装部32と、連結部33と、延伸部34とを順に有する。ワイヤ接続部31は、発光素子10から延びるワイヤ9が接続される領域であり、素子実装部32は、発光素子10が接合部材を介して実装される領域である。また、連結部33は、ワイヤ接続部31と素子実装部32を接続させるもので、ワイヤ接続部31と素子実装部32を電気的に導通させる。延伸部34は、素子実装部32を介して連結部33の反対側で素子実装部32と接続される。発光装置100では、素子実装部32は、発光素子10の矩形形状に合わせて外周が4つの辺を有する矩形状である。なお、発光素子の形状は特に限定されず、三角形、六角形等の形状でもよい。本実施形態では、発光素子の形状は矩形形状として例示して説明する。
図3Bで示すように、連結部33と延伸部34は同一直線上に延びる。なお、ここでの連結部33と延伸部34が同一直線上に延びるとは、連結部33の少なくとも一部と延伸部34の少なくとも一部のそれぞれが、同一方向の一の直線と交差することをいう。
延伸部34を有さない発光装置の場合、接合部材を介して発光素子10を実装する際に、接合部材が連結部33の方向に流れ込み、発光素子10が連結部33の方向に引っ張られる。その結果、発光素子10が所定の位置からずれてしまい、発光素子間の望ましいピッチ間距離が実現できない可能性がある。一方で、本実施形態の発光装置100では、連結部33と延伸部34とが同一直線上に延びることで、発光素子10に対して連結部33の方向に引っ張られる応力と反対方向の延伸部34の方向に引っ張る応力を加えることができる。その結果、発光素子が所定の位置からずれることを抑制することができ位置精度のよい発光装置とすることができる。なお、素子実装部32の第2方向Qは接合部材の濡れ性の悪い絶縁性部材Xが位置するので、絶縁性部材Xの上には接合部材が付着しにくい。そのため、発光素子10の第2方向Qに対する位置精度は、第1方向Pの位置精度よりも高い。
連結部33と延伸部34は同一方向(例えば、第1方向P)に延びていることが好ましい。これにより、第1方向Pにおける発光素子10の位置精度を向上することができ、その結果、第1方向Pにおける複数の発光素子のピッチ間距離がずれることを抑制することができる。
また、上面視において、連結部33の素子実装部32と接続する部位の第2方向Qの幅と、延伸部34の素子実装部32と接続する部位の第2方向Qの幅とが同じであることが好ましい。図3Cで示すように、発光装置100は、連結部33及び延伸部34がそれぞれ2つある。このような場合は、連結部33の各部位の第2方向Qの幅の合計(hc1+hc2)と延伸部34の各部位の第2方向Qの幅の合計(he1+he2)とが同じであることが好ましい。これにより、連結部33および延伸部34に流れ込む接合部材の量が略同量となり、発光素子10にかかる連結部33側から引っ張られる応力に対して、延伸部34側から引っ張る方向の応力を略同一とすることができる。その結果、発光素子10の位置精度がより向上する。
延伸部34は、第1延伸部341と第2延伸部342を有する。図3Cに示す発光装置100では、第1延伸部341と第2延伸部342は、第1方向Pに沿って延伸し、第1凹部4を介してそれぞれが第2方向Qに並んで位置している。第1凹部4は、素子実装部32の外側から内側(素子実装部32の中心)に向かって凹んでいる。また、上面視において、基板1の絶縁性部材が第1凹部4において露出している。また、第1凹部4は、素子実装部32の第1方向Pに位置する辺から内側まで達している。第1凹部4は、素子実装部32の上に塗布される接合部材内のボイドを排出する役割を有する。なお、延伸部34は、第1延伸部341および第2延伸部342の2つを備える形態だけでなく、3つ以上の延伸する部位を備えてもよい。
第1延伸部341および第2延伸部342の第1方向Pの長さは、第1延伸部341および第2延伸部342の第2方向Qの長さよりも長いことが好ましい。第1延伸部341および第2延伸部342の第1方向Pに延びる長さが短すぎると、延伸部34側に発光素子10を引っ張る方向の応力が弱くなる。一方で、本実施形態の発光装置100では、第1延伸部341および第2延伸部342を上記の構成にすることで、延伸部34側に発光素子10を引っ張る方向の応力を十分に確保することができる。第1延伸部341および第2延伸部342の第1方向Pの長さと、第1延伸部341および第2延伸部342の第2方向Qの長さとの比は、例えば、1.1〜2:1である。
また、発光装置100では、第1延伸部341および前記第2延伸部342は上面視において矩形形状である。そして、第1延伸部341の第2延伸部342と対向する第1辺70と、第2延伸部342の第1延伸部341と対向する第1辺71とは第1方向Pに対して平行となっている。第1辺70、71は、第1延伸部341および第2延伸部342を規定する辺のうち発光素子10の中心を通り第1方向Pに延びる直線に対して近い側の辺である。第1辺70、71が第1方向Pに対して平行であることで、発光素子10が回転する可能性を抑制しつつ、第1方向Pに引っ張る方向の応力をかけることができる。また、第1延伸部341の第1辺70と反対側の第2辺80と、第2延伸部342の第1辺71と反対側の第2辺81も、第1方向Pに対して平行になっている。
素子実装部32は、発光素子の矩形形状に合わせて、4つの角部を有する矩形状である。素子実装部32は、さらに第1直線部11を含む領域および第2直線部12を含む領域に第2凹部5を有していてもよい。発光装置100において、第1直線部11および第2直線部12は素子実装部32の4つの辺のうち第1方向Pに対して平行な2つの辺であり、第2凹部5は第1直線部11および第2直線部12の中央付近に位置している。第2凹部5は、第1凹部4と同様に、素子実装部32の上に塗布される接合部材内のボイドを排出する役割を有する。
また、素子実装部32は、第2凹部5と連続して形成され、かつ、第1方向Pに沿った形状を有する溝部6を備えていることが好ましい。第1方向Pに対して接合部材のセルフアライメント力がかかりやすい発光装置100において、溝部6が第1方向Pに沿って形成されることで、接合部材に発生するボイドをより効果的に排出することができる。
(発光素子10)
発光素子10は、素子実装部32に接合部材を介して実装される。発光装置100では、複数の発光素子10が基板1の第1方向Pに沿って配置されている。好ましくは、複数の発光素子10の中心が、第1方向Pに延びる同一直線上に位置する。より好ましくは、さらに上面視において矩形の発光素子10の一辺と、隣接する矩形の発光素子10の一辺が平行になるように配置される。
発光素子10は、発光ダイオード素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子10は、特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体(InAlGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)の発光素子であることが好ましい。複数の発光素子10は、それぞれが同じ波長の光を出射してもよいし、それぞれが異なる波長の光を出射してもよいし、一部が同じ又は異なる波長の光を出射してもよい。発光装置100において、発光素子10は、発光ピーク波長が例えば400nm以下の紫外領域の発光素子を好ましく用いることができる。このような紫外領域の発光素子10を線状に並べた発光装置100は、印刷用のインクや樹脂の硬化用途等に用いられる。
発光素子10は、例えば有機金属化学気相成長(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)法によって、サファイアなどの成長用基板上にn型半導体層、活性層、p型半導体層を順次積層し、さらにp型半導体層側に支持基板を貼り付けた後、サファイア基板を除去し、また活性層からみてn型半導体層側にn電極およびp型半導体層側にp電極を形成するなどして得ることができる。なお、サファイア等の成長用基板を除去せずに支持基板として用いた、同一面にn電極とp電極とを有する発光素子を用いてもよい。
図3Aで示す発光素子10において、n電極のパッド部は、発光素子10の上面(光取り出し面)の対角線上に4か所設けられている。発光素子10の上面の4つのn電極のパッド部は、4本のワイヤ9によって隣接する導電層3のワイヤ接続部31と電気的に接続される。具体的には、導電層3に実装される発光素子10の上面の4つのn電極のパッド部の内、第1直線部11側の2つのn電極のパッド部は、2本のワイヤ9によって隣接する導電層3のワイヤ接続部31と電気的に接続される。一方で、導電層3に実装される発光素子10の上面の4つのn電極のパッド部の内、第2直線部12側の2つのn電極のパッド部は、2本のワイヤ9によって隣接する導電層3のワイヤ接続部31と電気的に接続される。
発光素子10のp電極は発光素子の裏面(接合面)に設けられている。発光素子10のp電極は、半田等の導電性ペーストを介して素子実装部32に接合される。発光素子10のn電極およびp電極は、Auなどの電気抵抗が小さく耐食性に優れた金属材料を例えば蒸着により形成される。
また、図4で示すように、n電極は、ワイヤボンディングが行われるパッド部101と、パッド部101と連続しパッド部101より幅の狭い補助電極部102を有することが好ましい。これにより、発光素子10に供給される電流が、パッド部101から遠い領域であっても補助電極部102を介してより広範囲に伝播される。その結果、発光素子10の発光面からほぼ均一な強度の発光を得ることができる。
また、ワイヤ9は、補助電極部102の上方を通って架設されることが好ましい。図4で示す発光素子10では、補助電極部102は、発光素子10のパッド部101から第1方向Pに対して45度の角度で延びており、ワイヤ9は、補助電極部102の上を補助電極が延びる方向(第1方向Pに対して45度の角度の方向)に架設される。このようにワイヤ9を架設することにより、発光素子10から出射される光がワイヤ9で吸収される割合を抑制することができる。その結果、光取出しが良好な発光装置とすることができる。また、ワイヤ9は、上記の構成に限らず、発光素子10が配列される方向に対して90度の角度でワイヤ接続部31に架設されてもよい。これにより、ワイヤ9の長さを短くすることができ、ワイヤ9の断線等の可能性を低減することができる。なお、ワイヤ9の架設方法は、上記の方法に限られず、ワイヤが架設される方向、ワイヤの長さは任意に設定することができる。例えば、図3Aで示すように、ワイヤが架設される方向は、発光素子10が配列される方向に対して0度〜90度の方向に架設してもよい。
(接合部材)
接合部材としては、例えば、絶縁性接合部材又は導電性接合部材を用いることができる。絶縁性接合部材としては、樹脂が挙げられ、透明樹脂、もしくは白色樹脂などが挙げられる。導電性接合部材としては、共晶材料又は半田等の導電性ペーストが挙げられる。好ましい共晶材料としては、AuとSnを主成分とする合金、AuとSiとを主成分とする合金、AuとGeとを主成分とする合金などが挙げられる。半田等の導電性ペーストとしては、AgとCuとSnとを主成分とする合金、CuとSnとを主成分とする合金、BiとSnとを主成分とする合金などが挙げられる。
(カバー部)
発光装置100は、図1Aおよび図2Bで示すように、基板上にカバー部13を有することが好ましい。カバー部13を設けることで、発光素子10と導電層3を埃や水等から保護することができるとともに、ワイヤの断線等も抑制することができる。カバー部13は、例えば、単層のガラスであり、接合部材を介して基板の上に設けられる。
(実施形態2)
図5Aは、発光装置200の導電層3を拡大した拡大図である。図5Bは、図5Aから発光素子10を除去した状態の導電層3を示す図である。図5Aおよび図5Bで示すように、発光装置200の導電層3は、ワイヤ接続部31と、ワイヤ接続部31と接続される連結部33と、連結部33と接続される素子実装部32と、素子実装部32と接続される延伸部34とを順に備える。発光素子10は、導電層3の素子実装部32に接合部材(図示せず)を介して実装される。
発光装置200は、連結部33および延伸部34が第2方向Qに延伸して、それぞれが隣接している点で発光装置100と異なる。連結部33は、ワイヤ接続部31と素子実装部32と連結され、ワイヤ接続部31と素子実装部32の間で第2方向Qに延伸している。延伸部34は、素子実装部32と連結され、素子実装部32から第2方向Qに延伸している。
発光装置200では、素子実装部32の第1方向Pは接合部材の濡れ性の悪い絶縁性部材Xが位置する。そのため、絶縁性部材Xの上には接合部材が付着しにくく、発光素子10の第1方向Pに対する位置精度が向上する。これにより、第1方向Pにおける発光素子10の位置精度を向上することができ、その結果、第1方向Pにおける複数の発光素子のピッチ間距離がずれることを抑制することができる。
発光装置200は、2つの連結部33と2つの延伸部34を備える。2つの連結部33のそれぞれは第2方向Qの同一直線上に延伸している。これにより、発光素子10の第2方向Pの位置精度が向上する。また、発光装置200では、さらに2つの延伸部34のそれぞれが第2方向Qの同一直線上に延伸している。これにより、延伸部34を備えておらず2つの連結部33のみを備える発光装置と比較して、複数の箇所でセルフアライメントを働かせることができ、発光素子10の位置ずれや回転等の可能性を低減することができる。なお、発光装置200では、連結部33および延伸部34は第2方向Qに延伸してそれぞれ2つあるが、これに限らず連結部33および延伸部34はそれぞれ2つ以上あってもよい。
また、ワイヤ接続部31、連結部33、素子実装部32及び延伸部34を順に備えるとは、ワイヤ接続部31と素子実装部32が連結部33によって連続的に接続され、延伸部34が素子実装部32から延伸している状態であれば良い。ワイヤ接続部31、連結部33、素子実装部32及び延伸部34を順に備える例として、図6A〜6Cを例示する。
図6Aの導電層3は、1つのワイヤ接続部31が2つの連結部33と接続され、2つの連結部33が素子実装部32と連結している。そして、連結部33と延伸部34が、第2方向Qに延伸して同一直線上に延びている。
図6Bの導電層3は、2つのワイヤ接続部31のそれぞれが1つの連結部33を介して素子実装部32と連結されている。そして、2つの連結部33のそれぞれは第2方向Qの同一直線上に延伸し、2つの延伸部34のそれぞれは第2方向Qの同一直線上に延伸している。
図6Cの導電層3は、2つのワイヤ接続部31のそれぞれが1つの連結部33を介して素子実装部32と連結されている。2つの連結部33と、2つの延伸部34のそれぞれは、素子実装部32の中心を基点として斜めの方向に位置する。そして、連結部33と延伸部34が、第2方向Qに延伸して同一直線上に延びている。
<応用例>
次に、発光装置100の応用例について、図7を参照して説明する。
本応用例は、複数の発光装置100を用いた光源装置1000である。
光源装置1000は、第1方向Pに長い長尺形状の取付台15と、当該取付台15上に、一列に配列された複数(6個)の発光装置100と、を備えて構成されている。
取付台15は、発光装置100を取り付けるために、基板1に設けられた固定穴に挿通されるネジ16をネジ止めするネジ穴が設けられている。また、各発光装置100のコネクタ17には外部電力を供給するケーブルが接続される。
発光装置100は、基板1のX軸方向の端部近傍まで発光素子10が配置されている。このため、複数の発光装置100をX軸方向に連結した光源装置1000は、発光装置100間の境界において光量のムラを少なくすることができ、均一性の高いライン照明光を生成することができる。また、1つの発光装置100に実装される2つの発光素子10Aおよび10Bのピッチ間距離a(発光素子10Aの中心から発光素子10Bの中心までの距離)と、1つの発光装置100の端部に実装される発光素子10Bと隣接する発光装置100の発光素子10B側の端部に実装される発光素子10Cのピッチ間距離bは同じであることが好ましい。これにより、複数の発光装置100間の境界における光量のムラをより少なくすることができる。
発光装置100は、正負の給電端子を有するコネクタ17が、平面視で発光装置100の配列方向(X軸方向)と直交する方向(Y軸方向)の一端に設けられている。これによって、各発光装置100のコネクタ17が取付台15の一端側に一列に並ぶため、光源装置1000において、各コネクタ17からの配線が繁雑にならないように構成することができる。
光源装置1000は、発光装置100に紫外光を発する発光素子10を搭載することで、例えば、樹脂の硬化用途やインクを用いた印刷機のインク乾燥機として好適に用いることができる。
以上、本発明に係る発光装置について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
1000 光源装置
100、200 発光装置
10 発光素子
101 パッド部
102 補助電極部
1 基板
2 導電層群
3 導電層
31 ワイヤ接続部
32 素子実装部
33 連結部
34 延伸部
341 第1延伸部
342 第2延伸部
4 第1凹部
5 第2凹部
6 溝部
70、71 第1辺
80、81 第2辺
9 ワイヤ
11 第1直線部
12 第2直線部
13 カバー部
14 固定穴
15 取付台
16 ネジ
17 コネクタ
L 直線
P 第1方向
Q 第2方向
X 絶縁性部材

Claims (8)

  1. 基板と、
    前記基板の上面に位置し、ワイヤ接続部と、前記ワイヤ接続部と接続される連結部と、前記連結部と接続される素子実装部と、前記素子実装部と接続される延伸部とを順に有する導電層を第1方向に複数備える導電層群と、
    前記導電層群の前記素子実装部のそれぞれに配置される発光素子と、
    前記素子実装部と前記発光素子とを接合する接合部材と、を備え、
    前記連結部と前記延伸部が同一直線上に延びる、発光装置。
  2. 前記連結部と前記延伸部が前記第1方向に延びる、請求項1に記載の発光装置。
  3. 上面視において、前記連結部の前記素子実装部と接続する部位の前記第1方向と垂直な方向に延びる第2方向の幅と、前記延伸部の前記素子実装部と接続する部位の前記第2方向の幅が同じである、請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記延伸部は、第1延伸部と第2延伸部を有する、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 前記第1延伸部および前記第2延伸部の前記第1方向の長さは、前記第1延伸部および前記第2延伸部の前記第1方向と垂直な方向に延びる第2方向の長さよりも長い、請求項4に記載の発光装置。
  6. 前記第1延伸部の前記第2延伸部と対向する第1辺と、前記第2延伸部の前記第1延伸部と対向する第1辺とは前記第1方向に対して平行である、請求項4または5に記載の発光装置。
  7. 前記素子実装部は、前記第1方向に対して平行な第1直線部および第2直線部を有し、
    前記素子実装部は、前記第1直線部を含む領域及び/又は前記第2直線部を含む領域に位置する第2凹部と、前記第2凹部と連続して形成され、前記第1方向に沿った溝部とを有する、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の発光装置。
  8. 基板と、
    前記基板の上面に位置し、ワイヤ接続部と、前記ワイヤ接続部と接続される2つの連結部と、前記連結部と接続される素子実装部と、前記素子実装部と接続される延伸部とを順に有する導電層を第1方向に複数備える導電層群と、
    前記導電層群の前記素子実装部のそれぞれに配置される発光素子と、
    前記素子実装部と前記発光素子とを接合する接合部材と、を備え、
    前記2つの連結部のそれぞれは、前記第1方向と垂直な方向に延びる第2方向の同一直線上に延伸する発光装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019102715A (ja) * 2017-12-06 2019-06-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6413754U (ja) * 1987-07-17 1989-01-24
JPH09107173A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Tokai Rika Co Ltd パッド構造及び配線基板装置
JPH1050734A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Shichizun Denshi:Kk チップ型半導体
US6069323A (en) * 1997-01-21 2000-05-30 Dell Usa, L.P. Pad with indentations surface mount
JP2003264267A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Rohm Co Ltd 半導体チップを使用した半導体装置
JP2008135694A (ja) * 2006-10-31 2008-06-12 Hitachi Cable Ltd Ledモジュール
JP2008251936A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2009032746A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及び発光ユニット
JP2009252898A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Toyoda Gosei Co Ltd 光源装置
JP2010056399A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Mitsubishi Materials Corp 位置合わせ性に優れたはんだペーストを用いた基板と被搭載物の接合方法
JP2010526425A (ja) * 2008-05-20 2010-07-29 パナソニック株式会社 半導体発光装置、並びに、これを用いた光源装置及び照明システム
JP2012094842A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Lg Innotek Co Ltd 発光モジュール
JP2014022576A (ja) * 2012-07-18 2014-02-03 Nichia Chem Ind Ltd 半導体素子実装部材及び半導体装置
JP2014078686A (ja) * 2012-08-31 2014-05-01 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2014107369A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
JP2015032869A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 日亜化学工業株式会社 ライン光源装置
JP2016096322A (ja) * 2014-11-07 2016-05-26 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7242033B2 (en) * 2002-03-08 2007-07-10 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device using LED chip
EP2290676A4 (en) 2008-06-12 2012-01-11 Mitsubishi Materials Corp METHOD FOR CONNECTING A SUBSTRATE AND MOUNTING OBJECT WITH SOLDERING PASTE
JP5407993B2 (ja) 2010-03-31 2014-02-05 豊田合成株式会社 車両用ヘッドランプ
US8482015B2 (en) 2009-12-03 2013-07-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED light emitting apparatus and vehicle headlamp using the same
JP6191308B2 (ja) 2012-07-27 2017-09-06 日亜化学工業株式会社 ライン光源用発光装置
JP6398222B2 (ja) * 2013-02-28 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6487626B2 (ja) * 2014-03-24 2019-03-20 スタンレー電気株式会社 半導体装置
US9589940B2 (en) 2014-11-07 2017-03-07 Nichia Corporation Light emitting device

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6413754U (ja) * 1987-07-17 1989-01-24
JPH09107173A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Tokai Rika Co Ltd パッド構造及び配線基板装置
JPH1050734A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Shichizun Denshi:Kk チップ型半導体
US6069323A (en) * 1997-01-21 2000-05-30 Dell Usa, L.P. Pad with indentations surface mount
JP2003264267A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Rohm Co Ltd 半導体チップを使用した半導体装置
JP2008135694A (ja) * 2006-10-31 2008-06-12 Hitachi Cable Ltd Ledモジュール
JP2008251936A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2009032746A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及び発光ユニット
JP2009252898A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Toyoda Gosei Co Ltd 光源装置
JP2010526425A (ja) * 2008-05-20 2010-07-29 パナソニック株式会社 半導体発光装置、並びに、これを用いた光源装置及び照明システム
JP2010056399A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Mitsubishi Materials Corp 位置合わせ性に優れたはんだペーストを用いた基板と被搭載物の接合方法
JP2012094842A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Lg Innotek Co Ltd 発光モジュール
JP2014022576A (ja) * 2012-07-18 2014-02-03 Nichia Chem Ind Ltd 半導体素子実装部材及び半導体装置
JP2014078686A (ja) * 2012-08-31 2014-05-01 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2014107369A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
JP2015032869A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 日亜化学工業株式会社 ライン光源装置
JP2016096322A (ja) * 2014-11-07 2016-05-26 日亜化学工業株式会社 発光装置

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