JP6191308B2 - ライン光源用発光装置 - Google Patents

ライン光源用発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6191308B2
JP6191308B2 JP2013154760A JP2013154760A JP6191308B2 JP 6191308 B2 JP6191308 B2 JP 6191308B2 JP 2013154760 A JP2013154760 A JP 2013154760A JP 2013154760 A JP2013154760 A JP 2013154760A JP 6191308 B2 JP6191308 B2 JP 6191308B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
distance
emitting device
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013154760A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014042012A (ja
Inventor
敏之 八木
敏之 八木
陽平 蓑田
陽平 蓑田
渡邉　和憲
和憲 渡邉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2013154760A priority Critical patent/JP6191308B2/ja
Priority to US13/951,729 priority patent/US9076659B2/en
Publication of JP2014042012A publication Critical patent/JP2014042012A/ja
Priority to US14/727,592 priority patent/US9373608B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6191308B2 publication Critical patent/JP6191308B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00—Refractors for light sources
    • F21V5/04—Refractors for light sources of lens shape
    • F21V5/043—Refractors for light sources of lens shape the lens having cylindrical faces, e.g. rod lenses, toric lenses
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00—Refractors for light sources
    • F21V5/10—Refractors for light sources comprising photoluminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
    • H01L25/042—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/866—Zener diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、ライン光源用発光装置、とりわけダイボンディングにより固定した複数の発光素子を直線上に配置したライン光源用発光装置に関する。
スキャナ、インク硬化、パネル貼り合わせ等多くの分野で、１つの直線上に可視光または紫外光のような所望の波長の光を優先的に照射するライン光源が用いられている。従来は、ライン光源用の発光装置として、比較的細長い発光体を容易に得られる放電管等を用いた発光装置等が用いられていた。
しかし、近年、高い発光効率および小型、軽量化に対する要望に対応するために、発光ダイオードのような発光素子を１つの直線上に複数配置したライン光源用発光装置（以下、単に「発光装置」という場合がある。）が用いられている。
このような複数の発光素子を用いたライン光源用の発光装置では、より高い効率および／またはより高い精度で１つの直線上に光を照射するために、複数の発光素子が一直線上に高い精度で整列している「良好なアライメント」を得ることが重要となる。
良好なアライメントセル方法として、例えば、特許文献１は、発光素子を載置するダイパッドの周辺に、発光素子をダイパッドに固定するダイボンド部材に対する濡れ性がダイパッドを形成する金属膜より低い、低濡れ性領域を形成し、セルフアライメントにより、発光素子を整列させる方法が知られている。
そして、このようなセルフアライメントを利用して、高い精度を得ている発光装置の例として、図８に示す発光装置５００が知られている。
発光装置５００では、基板１の上に形成した金属膜５０３は、ダイボンディングにより発光素子７が所望の位置に固定されたときに、４角形形状の発光素子７の４辺（四角形の４辺）それぞれの外側に隣接して位置するように低濡れ性領域５０９を有している。
すなわち、各々の発光素子７は、その４角形形状の４辺それぞれの外側近傍に低濡れ性領域を有することから、各々の発光素子７は、その４角形形状の中心が図８のＡ１線上に位置し、その４角形形状の対向する１組の辺がＡ１線と平行となるように、整列し、所望の高精度のアライメントを得ることができる。
そして、必要に応じて整列した複数の発光素子７の上部を延在するシリンドリカル凸レンズのような光学素子を用いることで、発光装置５００はライン光源として機能する。
特開２００８−１１７９００号公報
しかし、従来の発光装置５００は、発光素子７が整列している（アライメントしている））Ａ１線上の光強度がＡ１線に沿って周期的に大きく低下するという問題を有している。
従来の発光装置５００は、図８からも判るように、Ａ１線上にそれぞれの発光素子７の対向する１組の辺に隣接する低濡れ性５０９が配置されている。このため、Ａ１線上において、発光素子７同士の間隔を狭くすることができない。すなわち、発光装置５００では、Ａ１線上において発光素子７同士の距離は、低濡れ性領域５０９の幅の２倍（低濡れ性領域５０９が２つ配置できる幅）より大きくなる。このため、発光素子７が配置されていないこの部分ではＡ１線上の光強度が低くなってしまう。
また、多くの場合、低濡れ性領域５０９は、金属膜５０３はと比べて光の反射率がかなり低い。低濡れ性領域５０９は、例えば、基板１において、金属膜５０３が形成されておらず、基板１が露出した部分のように、金属以外の材料により形成されることが多く、その反射率は金属と比べて相当低い場合が多い。
従って、Ａ１線上において、低濡れ性領域５０９の部分は光強度が更に低くなることが多い。
以上から判るように、Ａ１線上に沿って光強度を測定すると、発光素子７が載置されていない部分に対応する部分で周期的に光強度が低くなる。
そこで、本願発明はこのような問題を低減するために為されたものである。すなわち、複数の発光素子をダイボンディングにより直線上に整列配置したライン光源用発光装置であって、整列方向の光強度の変動が少ない発光装置を提供することを目的とする。
本願発明の態様の１つは、基板と、前記基板の上に形成された第１の金属膜と、下面に第２の金属膜が形成され、平面視した形状が４角形であり、直線上に間隔ｄ１で並んで配置されている複数の発光素子と、前記第１の金属膜と前記第２の金属膜との間に介在し、前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを固定するダイボンド部材と、を含み、前記複数の発光素子それぞれの前記４角形の１つの対角線が前記直線上に整列し、該直線上に配置された前記複数の発光素子のうち一方の端部に位置する発光素子と前記基板の端部との間の距離ＤＬおよび該直線上に配置された前記複数の発光素子のうち他方の端部に位置する発光素子と前記基板の端部との距離ＤＲの少なくとも一方が前記間隔ｄ１の半分以下であることを特徴とする発光装置である。
本願発明により、複数の発光素子をダイボンディングにより直線上に整列配置したライン光源用発光装置であって、整列方向の光強度の変動が少ない発光装置を提供することが可能となる。
図１は、発光装置１００の平面図である。 図２は、発光装置１００の基板１と金属膜（第１の金属膜）３と低濡れ性領域９の位置関係を示す平面図であり、図１に示す発光装置１００から発光素子７を除去した状態の平面図に相当する。 図３は、発光装置１００Ａの平面図である。 図４は、発光装置１００Ｂの平面図である。 図５（ａ）は、発光装置１００において、発光素子を配置しようとする位置７Ａと低濡れ性領域９との位置関係を示す平面図である。図５（ｂ）は、好ましい低濡れ性領域の配置の別の例を示す平面図である。 図６（ａ）は、好ましい低濡れ性領域の配置の更に別の例を示す平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す低濡れ性領域９Ｂを用いた発光装置１００Ｃの平面図である。 図７（ａ）は、本発明の実施形態２に係る、低濡れ性領域９の配置を示す平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す低濡れ性領域９を用いた発光装置１００Ｄの平面図である。 図８は、従来のライン光源用発光装置５００を示す平面図である。 図９は、本発明の実施形態３に係る発光装置１００Eの平面図である。 図１０は、実施形態３の変形例１に係る発光装置１００Ｆの平面図である。 図１１は、実施形態３の変形例２に係る発光装置１００Ｇの平面図である。 図１２は、実施形態３の変形例３に係る発光装置１００Ｈの平面図である。
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。
１．実施形態１
図１は本願発明の実施形態１に係る発光装置１００の平面図である。図２は、発光装置１００の基板１と金属膜（第１の金属膜）３と低濡れ性領域９の位置関係を示す平面図であり、図１に示す発光装置１００から発光素子７を除去した状態の平面図に相当する。
発光装置１００は、基板１と、基板１の上に形成した金属膜３（「ダイパッド」と呼ばれることもある）と、金属膜３の上に形成した複数の発光素子７とを含む。発光素子７の下面には金属膜（第２の金属膜）が形成されている。
そして、金属膜３と発光素子７の下面の金属膜との間にダイボンド部材を介在させ、ダイボンディングを行うことにより発光素子７は、金属膜３に固定されている。
なお、図１では、発光素子７に電力を供給する配線については、記載を省略した。発光素子７に電力を供給する配線の例は後述するが、任意の方法で発光素子７に電力を供給してよい。
発光素子７はその形状（平面視した形状）が４角形（好ましくは矩形、より好ましくは正方形）であり、発光素子７は、それぞれ、その四角形形状の４つ辺の外側に隣接する低濡れ性領域９を有している。
低濡れ性領域９は、発光素子７を金属膜３に固定するのに用いるダイボンド部材に対する濡れ性が、金属膜３より低い。このため、ダイボンディング時にセルフアライメントにより、発光素子７を所定の方向に整列させる。
発光素子７は、それぞれの４角形形状の１本の対角線が１本の直線Ａ上に整列している。換言すれば、発光素子は、それぞれの４角形形状の対向する角部（隣り合わない角部）が１本の直線Ａ上に整列している。
なお、本願明細書において、対角線が直線Ａ上に整列しているとは、対角線と直線Ａとに５°以内の角度のずれがある場合も含む概念である。
このような構成を有することで、発光装置１００は、それぞれの発光素子７の平面視した中心を通って延在する直線Ａ（直線Ａは「発光中心線」と呼ばれることもある）に沿った光強度の低下（周期的な低下）を抑制できる。
図１から判るように、そして図８の発光装置５００と異なり、発光装置１００の直線Ａ上では、発光素子７同士の間には低濡れ性領域９は形成されていない。このため、直線Ａ上における発光素子７同士の距離は、発光装置５００の直線Ａ１上における発光素子７同士の距離よりも容易に短くできる。実際に、図１の発光装置１００における発光素子４同士の間の距離は、図８の発光装置５００における発光素子７同士の間の距離より短くなっている。
また、図１から判るように、発光装置１００では、例えば隣り合う発光素子７の角部をより接近させることにより発光素子７同士の距離をより短くすることが可能である。
このように、直線Ａ上において、発行素子７が配置されていない部分の距離をより短くできることから、直線Ａに沿った光強度の変動（周期的な低下）を小さくできる。
さらに、詳細を後述するが、例えば低濡れ性領域９が、基板１の金属膜３が形成されておらず、基板１の表面が露出した部分として形成した場合、すなわち、低濡れ性領域９が、金属膜３より反射率が低い場合であっても、直線Ａ上に、低濡れ性領域９が形成されてないことから、直線Ａに沿った光強度の変動（周期的な低下）を抑制できる。
次に低濡れ性領域９の詳細を説明する。
本明細書において、「ダイボンド部材に対する濡れ性が低い」とは、ダイボンド部材に対する接触角が大きいことを意味する。そして、接触角は、実際に用いるダイボンド部材の融点＋４０〜５０℃において静滴法によって測定した値を指す（詳細は、「溶融マグネシウムによる黒鉛のぬれ」、「軽金属」第５５巻、第７号（２００５）ｐ３１０−３１４を参照されたい）。
従って、「低濡れ性領域９のダイボンド部材に対する濡れ性が金属膜３よりも低い」とは、ダイボンド部材の融点より４０〜５０℃高い温度において、静滴法によって測定したダイボンド部材に対する接触角の値が、金属膜３の方が低濡れ性領域９より小さいことを意味する。
低濡れ性領域９のダイボンド部材に対する接触角は、好ましくは、金属膜３のダイボンド部材に対する接触角より１０°以上大きく、より好ましくは１０〜３０°大きい。
低濡れ性領域９は、どのような材料または状態によって形成されていてもよい。例えば、低濡れ性領域９は、金属膜３の上（すなわち、金属膜３を介して基板１の上）に形成された薄膜等、または基板１の金属膜３の形成されていない部分に設けた（例えば、基板１の上に直接設けた）薄膜等であってもよいが、金属膜３の下に配置された基板１の一部が露出することにより配置されていることが好ましい。容易に低濡れ性領域を形成できるからである。
図５（ａ）は、発光装置１００において、発光素子を配置しようとする位置７Ａ（すなわち、セルフアライメントにより発光素子７が配置される位置）と低濡れ性領域９との位置関係を示す平面図である。
低濡れ性領域９は、発光素子を配置しようとする位置７Ａの四角形の形状（すなわち、発光素子７の４角形の形状）の４つの辺のそれぞれについて、その外側に少なくとも一部分が隣接するように配置される。セルフアライメントにより適正な位置に発光素子７を配置するためである。
好ましくは、図５（ａ）に示すように低濡れ性領域９の外周の一部が発光素子を配置しようとする位置７Ａの４角形形状の辺の少なくとも一部に隣接（重なる場合を含む）することが好ましい。セルフアライメントによる発光素子７の位置決め精度をより高くできるからである。
また、発光素子を配置しようとする位置７Ａの４角形形状の４辺の対向する一組の辺のそれぞれに、同一形状の低濡れ性領域９が隣接することが好ましい。また、対向する一組の辺のそれぞれに配置される、この同一形状の低濡れ性領域９は、発光素子を配置しようとする位置７Ａ（すなわち、セルフアライメント後の発光素子７）の４角形形状の中心に対して点対称になっている、または中心を通る直線に対して線対称になっていることが好ましい。セルフアライメントによる発光素子７の位置および方向の調整の精度を向上できるからである。
また、発光素子を配置しようとする位置７Ａの４角形形状の４辺に同じ形状の低濡れ性領域９を配置することも好ましい。
このような好ましい、低濡れ性領域９の配置は、図１に示す例以外にも数多く存在する。図５（ｂ）は、好ましい低濡れ性領域の配置の別の例を示す平面図である。
図５（ｂ）に示す実施形態では、発光素子を配置しようとする位置７Ａの４角形形状、それぞれについて、その１組の対向する角部（隣り合わない角部）のそれぞれに楔形の低濡れ性領域９Ａが隣接配置されている。１つの低濡れ性領域９Ａは、発光素子を配置しようとする位置７Ａ（すなわち、セルフアライメント後の発光素子７）の４角形形状の２つの辺の外側に隣接している。
発光素子を配置しようとする位置７Ａに隣接配置される２つの低濡れ性領域９Ａは、発光素子を配置しようとする位置７Ａの中心に対して点対称となっていることが好ましい。
図６（ａ）は、好ましい低濡れ性領域の配置の更に別の例を示す平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す低濡れ性領域９Ｂを用いた発光装置１００Ｃの平面図である。
図６（ａ）に示す実施形態では、基板１の上に、発光素子７を載置するための発光素子７の平面形状に対応した４角形形状の島状部分を有する金属膜（第１の金属膜）３Ｋが形成されている。そして、金属膜３Ｋの島状部分は、金属膜３Ｋの基端部分繋げるための幅の細い部分を有するが、これ以外の部分は、低濡れ性領域９Ｂとして機能する、露出した基板１の表面により覆われている。
すなわち、図６（ｂ）からわかるように、発光装置１００Ｃの発光素子７の４角形形状の４辺全ての外側に隣接する１つの低濡れ性領域９Ｂが配置されている。
金属膜３Ｋの島状部分は、外周ほぼ全周が低濡れ性領域９Ｂにより取り囲まれていることから、その形状を発光素子７の平面形状と略同一にすることで、セルフアライメントによる発光素子７の位置および方向の調整精度をよりいっそう向上できる。
次に発光素子７に電力を供給する配線の例を示す。
図３は、発光装置１００Ａの平面図である。
発光装置１００Ａでは、発光装置１００の金属膜３に代えて、分割された金属膜（第１の金属膜）３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆを有する。金属膜３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆのそれぞれに、発光装置１００と同様の低濡れ性領域９が形成されている。金属膜３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆのそれぞれに、この低濡れ性領域９により、直線Ａ上に対角線の１つが整列するように位置おおび方向が調整された発光素子７が載置されている。
発光装置１００Ａの発光素子７は、その上面に正極または負極の一方の電極を有し、下面の金属膜（第２の金属膜）を正極または負極の他方として用いている。
また基板１の上には、発光装置７に電力を供給する電極として使用する、発光素子を載置していない第３の金属膜３Ａが形成されている。
そして、図３に示すよう金属膜３Ｂに載置された発光素子７は、金属膜３Ａとボンディングワイヤ１１により電気的に接続されており、また下面の金属膜（電極）を介して金属膜３Ｂと電気的に接続されている。
同様に、金属膜３Ｂ〜３Ｆに載置された発光素子７も、それぞれ、ボンディングワイヤ１１により右隣りに位置する金属膜と電気的に接続され、下面の金属膜により載置された金属膜と電気的に接続されている。
なお、図３に示す、ボンディングワイヤの配置は、あくまで一例を示すものに過ぎず、発光素子７の上面に配置するボンディングワイヤ１１の数および位置等の条件は、適宜、変更してよい。
また、図３に示した発光素子７では、その上面に形成された電極パターンまで詳細に示したが、この電極パターンはあくまで一例を示すものに過ぎず、任意の電極パターンを形成してよい。
この結果、図３に示す全ての発光素子７が直列に電気的に接続されている。そして、金属膜３Ａと金属膜３Ｄの一方を正、他方を負として電圧を印加することで発光素子７は発光する。また発光装置１００Ａは、必要に応じてツェナーダイオード２０を用いてよい。ツェナーダイオード２０を用いる場合、その４角形状の４辺のそれぞれの外側に隣接するように低濡れ性領域２９を配置してもよい。
さらに、必要に応じて、基板１上に極性マークおよび／またはケース温度ポイントを形成してよい。
図４は、発光装置１００Ｂの平面図である。
発光装置１００Ｂでは、基板１の上に金属膜３が形成され、発光装置１００と同じように低濡れ性領域９が形成され、発光素子７が載置されている。
また、基板１の上（金属膜３が形成されていない部分）には、発光素子７が載置されていない第３の金属膜３Ｈも形成されている。そして、発光装置１００Ｂの発光素子７は、正極と負極の両方が上面に形成されている。発光装置１００Ｂの発光素子７は、それぞれ、正極と負極の一方がボンディングワイヤ１１Ａにより第３の金属膜３Ｈと電気的に接続され、正極と負極の他方がボンディングワイヤ１１Ｂにより金属膜３と電気敵に接続されている。
この結果、図４に示す全ての発光素子７は、並列に接続されている。
図６（ｂ）に示す、発光装置１００Ｃでも基板１の上には、発光素子７が載置されていない第３の金属膜３Ｊが形成されている。そして、発光装置１００Ｃの発光素子７でも、正極と負極の両方が上面に形成されている。発光装置１００Ｃの発光素子７は、それぞれ、正極と負極の一方がボンディングワイヤ１１Ｃにより第３の金属膜３Ｈと電気的に接続され、正極と負極の他方がボンディングワイヤ１１Ｄにより金属膜３と電気敵に接続されている。
この結果、図６（ｂ）に示す全ての発光素子７は、並列に接続されている。
以上に説明した発光装置１００，１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃはいずれも必要に応じて複数の発光素子７の上部に亘り延在するシリンドリカル凸レンズのような光学部品を有してよい。また、必要に応じて、発光素子７の周りに封止樹脂および／または蛍光体を配置してよい。
また、発光装置１００，１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、以下に例示する方法により容易に製造できる。
基板の上に金属膜３（または金属膜３Ｂ〜３Ｆ）と低濡れ性領域９（または低濡れ性領域９Ａ、９Ｂ）と、必要に応じて第３の金属膜３Ａ、３Ｈ、３Ｊを形成する。その後、金属膜３（または金属膜３Ｂ〜３Ｆ）の所定の位置にダイボンド部材と発光素子７とを配置し、ダイボンド部材を加熱溶融した後凝固させることで、ダイボンディングにより発光素子７を金属膜３（または金属膜３Ｂ〜３Ｆ）に固定する。この際、低濡れ性領域９（または低濡れ性領域９Ａ、９Ｂ）が存在することから、上述のようにセルフアライメントが起こり、それぞれの発光素子７の４角形状の対角線の１つが直線Ａの上に整列する。
発光装置１００，１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの構成要素の詳細を以下に示す。
・ダイボンド部材
ダイボンド部材は、例えば、ＳｎＰｂ系、ＳｎＡｇＣｕ系、ＡｕＳｎ系、ＳｎＺｎ系、ＳｕＣｕ系等の材料を好適に使用することができる
ＡｕＳｎ系共晶が好ましい。また、濡れ性又はハンダクラック性を改善する目的で、Ｂｉ、Ｉｎ等を添加してもよい。
・金属膜（第１の金属膜）３、３Ｂ〜３Ｆ
金属膜３、３Ｂ〜３Ｆは、特にその材料は限定されないが、発光素子７からの光を反射して有効に利用するため、発光素子７から発せられる光に対して、例えば、７０％程度以上、好ましくは８０％程度以上、より好ましくは８５％程度以上、最も好ましくは９０％程度以上の反射率を有するものが適している。
金属膜３、３Ｂ〜３Ｆは、より確実にセルフアライメント効果を得るため、ダイボンド部材との接触角が９０°程度以下、好ましくは８０°程度以下、６０°程度以下または４５°程度以下の材料であることが好ましい。
また、比較的大きい機械的強度を有する材料、又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ等の単層膜又は積層膜により形成することができる。金属膜３（または３Ｂ〜３Ｆ）を基板１上に形成するために公知の方法、例えば、蒸着、スパッタ法、メッキ法等、種々の方法を利用することができる。
また、金属膜（第３の金属膜）３Ａ、３Ｈ、３Ｊも金属膜３、３Ｂ〜３Ｆと同じ材料および／または同じ方法により形成できる。
・発光素子７の底面に形成した金属膜（第２金属膜）
発光素子の底面（発光素子のダイボンド面）には、全面又は一部において、金属膜が形
成されている。発光素子７の底面全面に形成されていることが好ましい。これにより、発光素子側の濡れ性が高まるため、セルフアライメント効果を効率的に発揮させることができる。発光素子７の底面に形成した金属膜は、発光素子７から発せられる光に対して好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上の反射率を有する。この金属膜は発光素子７の電極として機能してもよい。
発光素子７の底面に形成した金属膜は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ等の単層膜又は積層膜により形成することができる。金属膜の成膜方法は、公知の方法、例えば、蒸着、スパッタ法、メッキ法等、種々の方法を利用することができる。また、発光素子７の底面に形成した金属膜は、ダイボンド部材との接触角が好ましくは９０°程度以下、より好ましくは８０°程度以下、より更に好ましくは６０°程度以下、最も好ましくは４５°程度以下であることが好ましい。
・基板１
基板１は、発光素子７を載置し、固定するための基板であり、絶縁性を確保するために適切な材料で形成されていることが好ましい。具体的には、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等のセラミック、高融点ナイロン等のプラスチック、ガラス等を例示できる。なかでも、ダイボンド部材との接触角が９０°を超える材料であることが適しており、さらに、１００°、１０５°または１１０°以上の材料であることがより好ましい。このような材料を選択することにより、発光素子７のダイボンディング時におけるダイボンド部材のセルフアライメント効果をより顕著に発現させることができる。
２．実施形態２
図７（ａ）は、本発明の実施形態２に係る、低濡れ性領域９の配置を示す平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す低濡れ性領域９を用いた発光装置１００Ｄの平面図である。
以下の説明では、実施形態２が実施形態１と異なる部分を説明する。特に断りがない限りは実施形態１で説明した構成を実施形態２において用いてよい。
発光装置１００Ｄでは、複数の発光素子７（図７（ｂ）では３個の）のそれぞれの４角形形状の対角線の１つが直線Ａ上に整列していることに加えて、別の複数の発光素子７のそれぞれの４角形形状の対角線の１つが別の直線Ｂ上に整列している。
同様に、直線Ｃ、Ｄ、Ｅのそれぞれの線上にも、複数の発光素子７のそれぞれの４角形状の１つの対角線が整列している。
これにより発光装置１００Ｄでは、複数本のライン光源を提供できる。
このような直線Ａ〜Ｅの複数のライン光源を形成する発光素子７をセルフアライメントにより所定の位置および向きに配置するように、図７（ａ）に示す低濡れ性領域９が配置されている。
図７（ａ）の低濡れ性領域９の配置は、図５（ａ）に示す低濡れ性領域９の配置（正確には、１つの直線上に整列する発光素子７の数を５個から３個に変更した配置）を単純に直線Ａ〜Ｅの数である５つ縦に並べたものとは異なる。
図７（ｂ）に示すように、低濡れ性領域９の中には、直線Ａ〜Ｅの中の１つの直線上に整列している発光素子７の４角形形状の１辺の外側に隣接する低濡れ性領域９Ｄと、直線Ａ〜Ｅの中の１つの直線上に整列している発光素子７の４角形形状の１辺の外側に隣接すると共に他の直線（当該１つの直線と隣合う直線）上にしている発光素子７の４角形形状の１辺の外側にも隣接する低濡れ性領域９Ｅとがある。
低濡れ性領域９Ｅは、異なる直線上整列する２つの発光素子７のセルフアライメントに寄与することから、２つの発光素子それぞれのために別々の低濡れ性領域を形成するよりも基板１上に形成する低濡れ性領域９の数および総面積（基板１上に形成される全ての低濡れ性領域９の面積の和）を減少できる。
これにより、より多くの発光素子７を同じ面積の基板１上に配置できるため、より強力なライン光源を供給できる。
３．実施形態３
図９は、本発明の実施形態３に係る発光装置１００Eの平面図である。
以下の説明では、実施形態３が実施形態１および２と異なる部分を中心に説明する。特に断りがない限りは実施形態１または実施形態２で説明した構成を実施形態３において用いてよい。
発光装置１００Ｅでは、発光装置１００と同じく、発光素子７は、それぞれの４角形形状の１本の対角線が１本の直線Ａ上に整列している（換言すれば、発光素子７は、それぞれの４角形形状の１組の対向する角部（隣り合わない角部）が１本の直線Ａ上に整列している）。
また、発光装置１００Ｅでは、発光装置１００と同じ形態の低濡れ性領域９が形成されている。
発光装置１００Ｅでは、整列した複数の発光素子７は、それぞれ、一定間隔で配置されている。そして、整列した複数の発光素子７のうち一方の端部に位置する発光素子７と基板１の端部との間の距離および整列した複数の発光素子７のうち他方の端部に位置する発光装置７と基板１の端部との間の距離の少なくとも一方、好ましくは両方が発光素子７の間隔（上述の一定間隔）の半分以下である。
図９示す配置を例として、より詳細に説明する。発光装置１００Ｅでは、複数の発光素子７は、それぞれ、一定間隔ｄ１でその４角形形状の１本の対角線が直線Ａ上に並ぶように整列配置されている。整列している複数の発光素子７のうち、左側の端部（一方の端部）に位置する発光素子７ｂと基板１の端部（図９では基板１の左側端部（左側面））との間は距離ＤＬだけ離れている。また、右側の端部（他方の端部）に位置する発光素子７ｃと基板１の端部（図９では基板１の右側端部（右側面））との間は距離ＤＲだけ離れている。
そして、距離ＤＬおよび距離ＤＲの少なくとも一方は、間隔ｄ１の２分の１以下となっている。好ましくは距離ＤＬおよび距離ＤＲの両方が、間隔ｄ１の２分の１以下となっている
すなわち、発光装置１００Ｅでは、下記の（１）式と（２）式の少なくとも一方を満足し、好ましくは（１）式と（２）式の両方を満足する。
ＤＬ≦ｄ１／２ （１）
ＤＲ≦ｄ１／２ （２）
なお、本明細書において２つの要素間の「距離」および「間隔」とは、図９（および詳細を後述する図１０〜１２）に図示するように基板に垂直な方向な方向からの平面視において、２つの要素の最も接近した部分の長さを意味する。
（１）式と（２）式の一方を満たすことにより、２つの発光装置１００Ｅをそれぞれの発光装置１００Ｅが有する複数の発光素子７それぞれの１つの対角線が同じ直線上に整列するように配置した場合（すなわち、２つの発光装置の直線Ａが同一直線上になるように配置した場合）、２つの発光装置１００Ｅの境界を挟んで隣接する発光素子７の間の距離をｄ１またはそれよりも小さくすることができる。
例えば、発光装置１００Ｅが（１）式を満足し、（２）式を満足しない場合、一方の発光装置１００Ｅの発光素子７ｂと他方の発光装置１００Ｅの発光素子７ｂとが隣り合う（すなわち、２の発光装置１００Ｅのうち１つは図９の配置であり、別の１つは図９の配置に対して上下が反転するように図の紙面に垂直な軸の周りに１８０°回転させた配置となる）ように配置することで、２つの発光素子７ｂの間の距離をｄ１またはそれよりも小さくすることができる。
この結果、２つの発光装置１００Ｅを並べて、より多くの発光素子がより長い距離に亘り整列している、整列方向の光強度の変動が少ない発光装置を得ることができる。
さらに、発光装置１００Ｅが（１）式と（２）式の両方を満足する場合は、２つまたはそれ以上の発光装置１００Ｅをそれぞれの発光装置１００Ｅが有する複数の発光素子７それぞれの１つの対角線が同じ直線上に整列するように配置することにより（すなわち、複数の発光装置１００Ｅの直線Ａが同一直線上になるように配置した場合）、発光装置１００Ｅ間の境界を挟んで隣接する発光素子７の間の距離をｄ１またはそれよりも小さくすることができる。
この場合、例えば、１つの発光装置１００Ｅの発光素子７ｂと別の発光装置１００Ｅの発光素子７ｃとが隣り合う（すなわち、２の発光装置１００Ｅは図９に示した配置でよい）ように配置することで発光素子７ｂと発光素子７ｃの間の距離をｄ１またはそれよりも小さくすることができる。さらに必要に応じてこれを繰り返す（すなわち、当該別の発光装置１００Ｅの発光素子７ｂと更に別の発光素子１００Ｅの発光素子７ｃとを隣り合うように配置するように、次々と発光素子１００Ｅを並べる）ことにより、３つ以上の発光装置１００Ｅの間で隣り合う発光装置１００Ｅの境界を挟んで隣接する発光素子７の間（発光素子７ｂと発光素子７ｃの間）の距離をｄ１またはそれよりも小さくすることができる。
この結果、２つまたはそれ以上の発光装置１００Ｅを並べて、より多くの発光素子がより長い距離に亘り整列している、整列方向の光強度の変動が少ない発光装置を得ることができる。
なお、発光装置１００Ｅが図９に示す平面図において、基板１の外周、とりわけ、基板１の左側面および右側面を覆う筐体を有する場合、複数の発光素子７のうち、一方の端部に位置する発光素子７ｂと筐体の端部との間の距離および他方の端部に位置する発光素子７ｃと筐体の端部との間の距離の少なくとも一方が、発光素子７の間隔（間隔ｄ１）の半分以下であることが好ましく、一方の端部に位置する発光素子７ｂと筐体の端部との間の距離および他方の端部に位置する発光装置７ｃと筐体の端部との間の距離の両方が発光素子７の間隔の半分以下であることがより好ましい。
筐体を有したままで本実施形態の効果を得ることができるからである。
・変形例１
図１０は、実施形態３の変形例１に係る発光装置１００Ｆの平面図である。
発光装置１００Ｆでは、低濡れ性領域９を有しない点が発光装置１００Ｅと異なる。発光装置１００Ｆのこれ以外の構成は発光装置１００Ｅと同じであってよい。
低濡れ性領域を有しないことから、セルフアライメントにより発光素子７を所定の位置に配置することは困難である。
しかし、例えば、ダイボンディングの際に治具を用いて発光素子７を固定することにより基板１と発光素子７の位置合わせを行う等の方法により、それぞれの発光素子７を基板１上の所定の位置に配置することができる。
従って、発光装置１００Ｆにおいても発光装置１００Ｅと同じの効果を得ることができる。
・変形例２
図１１は、実施形態３の変形例２に係る発光装置１００Ｇの平面図である。
発光装置１００Ｇでは、実施形態２に係る発光装置１００Ｄと同様に、複数の発光素子７（図１１では３個の発光素子７）のそれぞれの４角形形状の対角線の１つが直線Ａ上に整列していることに加えて、別の複数の発光素子７（図１１では３個の発光素子７）のそれぞれの４角形形状の対角線の１つが別の直線Ｂ上に整列している。
同様に、直線Ｃ、Ｄ、Ｅのそれぞれの線上にも、複数の発光素子７のそれぞれの４角形状の１つの対角線が整列しており、これにより複数本のライン光源を提供でき、発光装置１００Ｄと同じ効果を得ることができる。
発光装置１００Ｇでは、整列した複数の発光素子７は、それぞれ、一定間隔で配置されている。そして、これらの複数本のラインの少なくとも１つ以上において、複数の発光素子７のうち、一方の端部に位置する発光素子７と基板１の端部との間の距離および他方の端部に位置する発光装置７と基板１の端部との間の距離の一方が発光素子の間隔（上述の一定間隔）の半分以下となっている。
例えば、図１１に示す実施形態では、直線（列）Ａ、ＣおよびＥのそれぞれの上にその対角線の１つが整列している複数の発光素子７のうち、左側の端部（一方の端部）に位置するそれぞれの発光素子７ｂと基板１の端部（図１１では基板１の左側端部（左側面））との間は距離ＤＬだけ離れている。また、直線ＢおよびＤのそれぞれの上にその対角線の１つが整列している複数の発光素子７のうち、右側の端部（他方の端部）に位置するそれぞれの発光素子７ｃと基板１の端部（図１１では基板１の右側端部（右側面））との間は距離ＤＲだけ離れている。
そして、ｉ）距離ＤＬが（１）式を満足すること、および ｉｉ）距離ＤＲが（２）式を満足することの少なくとも一方、好ましくは両方が満たされる。
このような構成を有する発光装置１００Ｇを２つ並べることにより、直線Ａ、ＣおよびＥにおいて、または直線ＢおよびＤにおいて、２つの発光装置１００の境界を挟んで隣接する発光素子７の間の距離をｄ１またはそれよりも小さくすることができる。
この結果、２つの発光装置１００Ｇを並べて、より多くの発光素子７がより長い距離に亘り整列している、整列方向の光強度の変動が少ない発光装置を得ることができる。
・変形例３
図１２は、実施形態３の変形例３に係る発光装置１００Ｈの平面図である。
発光装置１００Ｈでは、複数の発光素子７のそれぞれの４角形形状の対角線の１つが直線Ａ上に整列し、また別の複数の発光素子７のそれぞれの４角形形状の対角線の１つが同様に直線Ｂ〜Ｅ上に整列している点は上述の発光装置１００Ｇと同じである。
しかし、１つの直線上に整列している発光素子７の数が、直線Ａではｎ＋１（図１２では４）、直線Ｂではｎ（図１２では３）、直線Ｃではｎ＋１、直線Ｄではｎ、直線Ｅではｎ＋１（ｎは２以上の整数）と、ｎ＋１個とこれより１つ少ないｎ個とが交互になっている。
発光素子７がｎ＋１個である直線上（図１２の直線Ａ、ＣおよびＥ上）では整列した複数の発光素子７のうち、左側の端部（一方の端部）に位置する発光素子７ｂと基板１の端部（図１２では基板１の左側端部（左側面））との間は距離ＤＬだけ離れており、右側の端部（他方の端部）に位置する発光素子７ｃと基板１の端部（図１２では基板１の右側端部（右側面））との間は距離ＤＲだけ離れている。
そして、距離ＤＬおよび距離ＤＲの少なくとも一方は、間隔ｄ１の２分の１以下となっている。好ましくは距離ＤＬおよび距離ＤＲの両方が、発光素子７同士の間隔ｄ１の２分の１以下となっている
すなわち、発光装置１００Ｈでは、（１）式と（２）式の少なくとも一方を満足し、好ましくは（１）式と（２）式の両方を満足する。
この結果、２つの発光装置１００Ｈを並べることにより、直線Ａ、ＣおよびＥ上において、発光装置１００Ｈ同士の間の境界を挟んで配置された発光素子７の距離をｄ１以下にできることから、より多くの発光素子がより長い距離に亘り整列している、整列方向の光強度の変動が少ない発光装置を得ることができる。
さらに、発光装置１００Ｈが（１）式と（２）式の両方を満足する場合は、３つ以上の発光装置１００Ｈを並べることにより、直線Ａ、ＣおよびＥ上において、発光装置１００Ｈ同士の間の境界を挟んで配置された発光素子７の距離をｄ１以下にできることから、更により多くの発光素子が更により長い距離に亘り整列している、整列方向の光強度の変動が少ない発光装置を得ることができる。
なお、図１１および図１２に示す実施形態では、低濡れ性領域９を設けることでセルフアライメントにより発光素子７を基板１上の所定の位置に固定している。しかし、これに限定されるものではなく、発光装置１００Ｆと同じく、低濡れ性領域９を用いずに発光素子７を基板１上の所定の位置に配置してもよい。
１ 基板
３、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆ 金属膜（第１の金属膜）
３Ａ、３Ｈ、３Ｊ 金属膜（第３の金属膜）
７ 発光素子
７ｂ、７ｃ 整列した複数の発光素子のうち、端部に位置する発光素子
７Ａ 発光素子を配置しようとする位置
９、９Ａ、９Ｂ、９Ｄ、９Ｅ 低濡れ性領域
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ ボンディングワイヤ
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、 発光装置

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板の上に形成された第１の金属膜と、
    下面に第２の金属膜が形成され、平面視した形状が４角形であり、直線上に間隔ｄ１で並んで配置されている３個以上の発光素子と、
    前記第１の金属膜と前記第２の金属膜との間に介在し、前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを固定するダイボンド部材と、
    を含み、
    前記３個以上の発光素子それぞれの前記４角形の１つの対角線が前記直線上に整列し、
    前記基板が、前記３個以上の発光素子それぞれの前記４角形の各辺の一部の外側に隣接して配置され前記ダイボンド部材に対する濡れ性が前記第１の金属膜よりも低い低濡れ性領域を有し、
    該直線上に配置された前記３個以上の発光素子のうち一方の端部に位置する発光素子と前記基板の端部との間の距離ＤＬおよび該直線上に配置された前記３個以上の発光素子のうち他方の端部に位置する発光素子と前記基板の端部との距離ＤＲの少なくとも一方が前記間隔ｄ１の半分以下である発光装置であって、
    当該発光装置を２つ、それぞれの前記直線が同一直線上になるように配置すると、２つの前記発光装置の境界を挟んで隣接する前記発光素子の距離を前記距離ｄ １ 以下とできることを特徴とする発光装置。
  2. 前記距離ＤＬおよび前記距離ＤＲの両方が、前記間隔ｄ１の半分以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記低濡れ性領域が、前記基板の前記第１の金属膜が形成されていない部分であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  4. 前記第１の金属膜が複数個に分割され、それぞれに、前記発光素子が配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記第１の金属膜が基板の表面の一部に形成され、第３の金属膜が前記表面の別の一部に形成され、前記３個以上の発光素子が、それぞれ、前記第３の金属膜と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. １つの前記低濡れ性領域が、前記発光素子の前記４角形形状の２つ以上の辺の外側に隣接することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. それぞれの４角形形状の１つの対角線が、第１の直線上に整列している３個以上の第１の発光素子と、
    それぞれの４角形形状の１つの対角線が、第２の直線上に整列している３個以上の第２の発光素子と、
    を有し、
    １）前記第１の直線上に配置された３個以上の前記第１の発光素子のうち一方の端部に位置する第１の発光素子と前記基板の端部との間の距離ＤＬおよび前記第１の直線上に配置された３個以上の前記第１の発光素子のうち他方の端部に位置する第１の発光素子と前記基板の端部との距離ＤＲの少なくとも一方が前記間隔ｄ１の半分以下であること、および
    ２）前記第２の直線上に配置された３個以上の前記第２の発光素子のうち一方の端部に位置する第２の発光素子と前記基板の端部との間の距離ＤＬおよび前記第２の直線上に配置された３個以上の前記第２の発光素子のうち他方の端部に位置する第２の発光素子と前記基板の端部との距離ＤＲの少なくとも一方が前記間隔ｄ１の半分以下であること、の少なくとも一方を満足することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 前記第１の直線上に配置された３個以上の前記第１の発光素子のうち前記一方の端部に位置する発光素子と前記基板の端部との間の距離ＤＬが前記間隔ｄ１の半分以下であり、
    前記第２の直線上に配置された３個以上の前記第２の発光素子のうち前記他方の端部に位置する発光素子と前記基板の端部との間の距離ＤＲが前記間隔ｄ１の半分以下であることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
  9. 前記第１の直線上に配置された３個以上の前記第１の発光素子のうち一方の端部に位置する第１の発光素子と前記基板の端部との間の距離ＤＬおよび前記第１の直線上に配置された３個以上の前記第１の発光素子のうち他方の端部に位置する第１の発光素子と前記基板の端部との距離ＤＲの両方が前記間隔ｄ１の半分以下であることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
  10. 前記基板が、前記３個以上の第１の発光素子および前記３個以上の第２の発光素子それぞれの前記４角形の各辺の外側に隣接して配置され前記ダイボンド部材に対する濡れ性が前記第１の金属膜よりも低い低濡れ性領域を有し、
    前記３個以上の第１の発光素子のそれぞれの４角形形状の各辺の外側に隣接して配置された３個以上の前記低濡れ性領域の一部が、前記第２の発光素子の４角形形状に一辺の外側にも隣接していることを特徴する請求項７〜９のいずれか１項に記載の発光装置。
JP2013154760A 2012-07-27 2013-07-25 ライン光源用発光装置 Active JP6191308B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013154760A JP6191308B2 (ja) 2012-07-27 2013-07-25 ライン光源用発光装置
US13/951,729 US9076659B2 (en) 2012-07-27 2013-07-26 Light emitting device for linear light source
US14/727,592 US9373608B2 (en) 2012-07-27 2015-06-01 Light emitting device for linear light source

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012166470 2012-07-27
JP2012166470 2012-07-27
JP2013154760A JP6191308B2 (ja) 2012-07-27 2013-07-25 ライン光源用発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014042012A JP2014042012A (ja) 2014-03-06
JP6191308B2 true JP6191308B2 (ja) 2017-09-06

Family

ID=49994038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013154760A Active JP6191308B2 (ja) 2012-07-27 2013-07-25 ライン光源用発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9076659B2 (ja)
JP (1) JP6191308B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9527437B2 (en) * 2015-01-26 2016-12-27 The Boeing Company Lighting assembly for interior cabin of a vehicle
JP6380314B2 (ja) 2015-09-24 2018-08-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10093337B2 (en) 2016-02-05 2018-10-09 Secure Information Devices Inc. Gyroscopically-responsive power assisted moment arm for load carrying devices including pivotal load carrying devices
JP6447580B2 (ja) 2016-06-15 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6519549B2 (ja) 2016-08-02 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7221647B2 (ja) * 2018-10-24 2023-02-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
KR102263966B1 (ko) * 2020-07-20 2021-06-11 에코라이팅주식회사 Led 패키지용 기판 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6181678A (ja) * 1984-09-28 1986-04-25 Toshiba Corp 半導体発光表示装置
JPS61212076A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Toshiba Corp 発光ダイオ−ドアレイ装置
JPH03160767A (ja) * 1989-11-18 1991-07-10 Ibiden Co Ltd Ｌｅｄディスプレイパネル用のプリント配線板
JPH09283807A (ja) * 1996-04-18 1997-10-31 Oki Electric Ind Co Ltd 受発光素子モジュール
JP3924481B2 (ja) * 2002-03-08 2007-06-06 ローム株式会社 半導体チップを使用した半導体装置
EP1491927B1 (en) * 2002-04-01 2013-02-27 Ibiden Co., Ltd. Ic chip mounting substrate, and ic chip mounting substrate manufacturing method
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5555971B2 (ja) * 2006-07-18 2014-07-23 日亜化学工業株式会社 線状発光装置およびそれを用いた面状発光装置
JP5125060B2 (ja) * 2006-11-02 2013-01-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW200845423A (en) * 2006-12-04 2008-11-16 Alps Electric Co Ltd Light emitting device and projector
JP5082710B2 (ja) * 2007-09-19 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2009141960A1 (en) 2008-05-20 2009-11-26 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same
US8482015B2 (en) 2009-12-03 2013-07-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED light emitting apparatus and vehicle headlamp using the same
JP5407993B2 (ja) 2010-03-31 2014-02-05 豊田合成株式会社 車両用ヘッドランプ
JP6107060B2 (ja) * 2011-12-26 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9373608B2 (en) 2016-06-21
US20140027794A1 (en) 2014-01-30
US20150262988A1 (en) 2015-09-17
US9076659B2 (en) 2015-07-07
JP2014042012A (ja) 2014-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6191308B2 (ja) ライン光源用発光装置
JP2021170688A (ja) 発光装置、集積型発光装置および発光モジュール
US8287148B2 (en) Light emitting module
WO2012001938A1 (ja) 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
TWI802706B (zh) 發光裝置
CN105742458B (zh) 发光装置
JP5991065B2 (ja) 発光装置
KR102513954B1 (ko) 박막 패드를 구비하는 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
TWI463702B (zh) 發光二極體光源
US20130020600A1 (en) Light emitting diode package
JP6107060B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2007116095A (ja) 発光装置
JP2015023219A (ja) Ｌｅｄ発光装置およびｌｅｄ発光装置の製造方法
KR101055081B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛
JP2018117088A (ja) 反射部材付基板及びその製造方法
US7825421B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP4945416B2 (ja) 発光モジュール及びその製造方法
JP2014042074A (ja) 発光モジュール
JP2007329370A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP6565672B2 (ja) 発光装置
JP7339518B2 (ja) 発光モジュールの製造方法
US11329205B2 (en) Light emitting device package
JP6064415B2 (ja) 発光装置
KR101006658B1 (ko) 발광 소자 장착 기판, 발광 소자 장착 패키지 및 면 광원장치
JP6394161B2 (ja) 発光装置及び光源モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160216

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160623

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170307

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170501

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170711

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170724

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6191308

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250