JP2001077406A - 赤外線データ通信モジュールの製造方法 - Google Patents

赤外線データ通信モジュールの製造方法

Info

Publication number
JP2001077406A
JP2001077406A JP24953799A JP24953799A JP2001077406A JP 2001077406 A JP2001077406 A JP 2001077406A JP 24953799 A JP24953799 A JP 24953799A JP 24953799 A JP24953799 A JP 24953799A JP 2001077406 A JP2001077406 A JP 2001077406A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
resin package
data communication
infrared data
communication module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24953799A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoharu Horio
友春 堀尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP24953799A priority Critical patent/JP2001077406A/ja
Publication of JP2001077406A publication Critical patent/JP2001077406A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 赤外線データ通信モジュールの製造過程にお
いて中間品のかたちを整えることにより、不良品の輩出
を抑えて効率良く製造することができるようにする。 【解決手段】 発光素子2および受光素子をペアとし、
これらのペアを多数組にわたって基板1上に搭載してお
き、上記ペアの2組以上を互いに共通する樹脂パッケー
ジ4によって一括して封止する工程を有している、赤外
線データ通信モジュールの製造方法であって、樹脂パッ
ケージ4の封止工程を経て得られた基板1を、その上下
両側から一対の押型によって押圧保持する工程を有して
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願発明は、いわゆるIrD
A( Infrared Data Association)規格に準じた赤外線
データ通信を行うために用いられる赤外線データ通信モ
ジュールの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】IrDA準拠の赤外線データ通信モジュ
ールは、ノートパソコンの分野においてその普及が著し
く、最近においては、携帯電話や電子手帳などにも普及
しつつある。この種の赤外線データ通信モジュールは、
赤外線LED、フォトダイオード、変復調回路などをワ
ンパッケージ化して双方向にワイヤレス通信を可能とし
たものであり、通信速度や通信距離などがバージョンに
より統一規格として定められている。このような赤外線
データ通信機能の高性能化が推進されるなか、モジュー
ル全体の形態は、ダウンサイジングによりますます小型
化され、製造プロセスにおいては、厳しい寸法精度が要
求されるとともにコスト低減が叫ばれている。
【0003】そのため、この種の分野で鋭意研究・開発
に努めてきた本願発明者は、赤外線データ通信モジュー
ルの製造方法として優れた方法を新たに完成し、その製
造方法を本願とは別の出願によってすでに開示した。そ
の製造方法の概要について説明すると、まず第1の工程
では、赤外線LEDおよびフォトダイオードを互いにペ
アとし、これらのペアの多数組を規則正しく並べた状態
として基板上に搭載する。続いて第2の工程において
は、上記ペアの2組ごとを1つの樹脂パッケージによっ
て一括して封止することにより、基板上に所定個数の樹
脂パッケージが定着された中間品を得る。このような中
間品には、たとえば、樹脂パッケージの所定個数が長手
方向に沿って定着可能な長尺状の基板が用いられる。さ
らに第3の工程においては、2組のペアを各組に分離さ
せるように樹脂パッケージと基板とが切断され、これよ
りさらに進んで最終的には、中間品から赤外線データ通
信モジュールの単品が得られるのである。以上の製造方
法によれば、2組のペアごとにワンパッケージとするこ
とで、生産効率を高めて製造コストを低減することがで
きる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記第2の工
程により得られた中間品では、加熱処理などを経た所定
個数の樹脂パッケージが基板上全体に面して定着した状
態にあり、このような基板と樹脂パッケージは、第3の
工程へと進む前に定着力を強める上で十分に冷却され
る。この際、樹脂パッケージは、しだいに冷やされるこ
とで、わずかに収縮しながら完全に固化される。
【0005】ところが、樹脂パッケージと基板との熱膨
張率は異なり、しかも、樹脂パッケージの一つは、上記
ペアの2組分を封止する大きさで相当の定着面積をもっ
て基板上に密着した状態にあるので、本来は平板状であ
った基板全体が温度が下がるにつれて樹脂パッケージの
収縮作用により弓なりに反り変形してしまうおそれがあ
った。このように反り変形したかたちの中間品が第3の
工程などで切断加工などに用いられた場合、最終的に得
られた単品でも所要の寸法精度を期待することができ
ず、1つの中間品から多数の不良品を輩出してしまうお
それがあった。
【0006】そこで、本願発明は、上記した事情のもと
で考え出されたものであって、製造過程において中間品
のかたちを整えることにより、不良品の輩出を抑えて効
率良く製造することができる赤外線データ通信モジュー
ルの製造方法を提供することをその課題としている。
【0007】
【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【0008】すなわち、本願発明により提供される赤外
線データ通信モジュールの製造方法は、発光素子および
受光素子をペアとし、これらのペアを多数組にわたって
基板上に搭載しておき、上記ペアの2組以上を互いに共
通する樹脂パッケージによって一括して封止する工程を
有している、赤外線データ通信モジュールの製造方法で
あって、上記樹脂パッケージの封止工程を経て得られた
上記基板を、その上下両側から一対の押型によって押圧
保持する工程を有していることを特徴としている。
【0009】上記技術的手段が講じられた本願発明に係
る赤外線データ通信モジュールの製造方法によれば、封
止工程を終えた基板上には、所定個数の樹脂パッケージ
が全体にわたって定着した状態の中間品が得られる。そ
して、このような中間品は、その上下両側から一対の押
型によって押圧保持されるので、樹脂パッケージと一体
化された基板が定形的に保持され、樹脂パッケージが完
全に固化した際には、もはや樹脂パッケージによる反り
変形力が消失して中間品のかたちが正常に整えられる。
これにより、押型によって押圧保持した後に中間品を切
断などして単品を得ることによっても、不良品の輩出を
抑えて効率良く製造することができる。
【0010】本願発明の好ましい実施の形態としては、
上記一対の押型は、それらの押圧面が平行に保たれた状
態で上記基板の上下両側に対向配置される構成とするこ
とができる。
【0011】このような構成によれば、一対の押型の間
で中間品が真っ直ぐ平らな姿勢に保持されるので、樹脂
パッケージが完全に固化した際には、そのような樹脂パ
ッケージと一体化された基板であっても、本来の平板状
としたかたちを保つことができる。
【0012】本願発明の他の好ましい実施の形態として
は、上記一対の押型によって上記基板を押圧保持する
際、それと同時に上記基板および樹脂パッケージの冷却
が実施される構成とすることができる。
【0013】このような構成によれば、樹脂パッケージ
を冷却して固化させると同時に、中間品のかたちを押型
によって整えることができるので、製造に要する時間を
短縮して製造プロセスを効率良く進めることができる。
【0014】本願発明の他の好ましい実施の形態として
は、上記一対の押型は、熱伝導性に優れた金属ブロック
により構成されているとすることができる。
【0015】このような構成によれば、樹脂パッケージ
と基板とを冷却する際、比較的熱伝導率の大きいたとえ
ばアルミ製などの金属ブロックが押型として樹脂パッケ
ージと基板との双方に接した状態とされるので、このよ
うな金属ブロックを伝わって樹脂パッケージおよび基板
の熱が効率良く発散し、冷却作用を高めることができ
る。
【0016】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【0018】図1〜図8は、本願発明に係る赤外線デー
タ通信モジュールの製造方法の一例を示す。赤外線デー
タ通信モジュールを製造するには、まず図1に示すよう
な基板1を用いる。この基板1は、たとえばガラスエポ
キシ樹脂製であり、一定方向に延びる帯状または長矩形
状を有している。基板1の表面10aには、1つの赤外
線データ通信モジュールを製造するのに必要とされる配
線パターン(その一部は図示略)が形成されたエリア1
9が、基板1の長手方向および幅方向のそれぞれに複数
並べて設けられている。また、基板1には、その長手方
向に間隔を隔てて複数のスリット18が設けられてお
り、これら複数のスリット18は基板1の幅方向に延び
ている。これら複数のスリット18は、後述するように
基板1上に樹脂パッケージ4を形成した際に、基板1が
その長手方向に反り変形することを防止するのに役立
つ。
【0019】各エリア19には、図2によく表れている
ように、上記配線パターンが設けられているのに加え、
発光素子2、受光素子3およびLSIチップ6が搭載さ
れている。発光素子2は、たとえば赤外線発光ダイオー
ドからなる。受光素子3は、たとえば赤外線を感知可能
なPINフォトダイオードからなる。LSIチップ6
は、発光素子2および受光素子3による赤外線の送受信
動作を制御するものであり、具体的には、変復調回路や
波形整形回路などが造り込まれたものである。上記配線
パターンは、発光素子2および受光素子3の各電極との
電気的な導通を図るための複数のパッド部70や、発光
素子2および受光素子3をLSIチップ6の電極に導通
させるための導通部(図示略)などを有している。加え
て、上記配線パターンは、図3によく表れているよう
に、複数のスルーホール7をも具備している。各スルー
ホール7は、基板1の厚み方向に貫通しており、基板1
の裏面10bに形成された端子71と繋がっている。
【0020】図4によく表れているように、基板1の表
面10a上には、複数の樹脂パッケージ4を形成する。
各樹脂パッケージ4は、たとえば顔料を含んだエポキシ
樹脂からなり、過視光に対しては透光性を有しない反
面、赤外線については十分良好に透過させるようになっ
ている。各樹脂パッケージ4には、1つのエリア19上
の1組の電子部品群のみを封止するのではなく、基板1
の長手方向において互いに隣り合う2つのエリア19上
の組の電子部品群、すなわち2つずつの発光素子2、受
光素子3、LSIチップ6およびそれらの周辺領域を一
括して封止するように形成されている。したがって、基
板1の表面10a上にたとえば8つのエリア19が並ん
で設けられている場合には、その方向に計4つの樹脂パ
ッケージ4が並べて形成されることとなり、それら4つ
の樹脂パッケージ4の各間の隙間92は、合計3箇所と
なる。
【0021】このように、上記した樹脂パッケージ4の
形成工程によれば、1つのエリア19の電子部品群ごと
に独立して樹脂パッケージを形成する場合と比較する
と、隙間92の総数を少なくすることができる。このた
め、本実施形態においては、基板1上の無駄なスペース
を少なくし、基板1の長手方向における赤外線データ通
信モジュールの取り数を増加させることが可能となる。
また、基板1の長手方向おいて、隙間92が適当数設け
られていれば、基板1の表面10aのみに樹脂パッケー
ジ4が密着して設けられたことに起因して基板1がその
長手方向に反り変形することを適切に防止し、または抑
制する効果が得られることとなる。
【0022】一方、基板1の幅方向においては、1つの
エリア19に1つの樹脂パッケージ4が対応するよう
に、複数の樹脂パッケージ4を形成する。このため、基
板1の幅方向においても、複数の樹脂パッケージ4どう
しの間の隙間93が適当数設けられることとなる。この
ようにすれば、基板1上に樹脂パッケージ4を設けたこ
とに起因して基板1がその幅方向に反り変形することも
適切に防止し、または抑制することができることとな
る。
【0023】各樹脂パッケージ4は、たとえばトランス
ファモールド法により成形することができ、たとえば次
のような形態に形成する。すなわち、図5および図6に
よく表れているように、各樹脂パッケージ4は、基板1
の表面10aから上方に起立した複数の側面40と、こ
れら複数の側面40の上端42に繋がった天井面41と
を有している。複数の側面40は、樹脂パッケージ4を
成形するための金型に抜き勾配が設けられていることに
起因してそれらのいずれもが傾斜面となっている。天井
面41は、発光素子2および受光素子3の上方に位置し
ており、この天井面41には、その一部分を上向きの半
球状に膨出させた一対のレンズ43a,43bが設けら
れている。これら一対のレンズ43a,43bは、発光
素子2の発光特性および受光素子3の受光特性に指向性
を付与するためのものである。なお、図5によく表れて
いるように、各スルーホール7内には、樹脂パッケージ
4が充填されていない、これは、たとえば各スルーホー
ル7の開口部を適当なレジスト膜(図示略)によって塞
ぐことにより達成することができる。
【0024】ここで、再び図4を参照すると、基板1の
表面10a上には、多数の樹脂パッケージ4が定着した
状態とされ、これにより基板1と樹脂パッケージ4とが
一体となった中間品を得る。製作直後の中間品は、トラ
ンスファモールド法などにより熱した状態の樹脂パッケ
ージ4が基板1上全体に面して定着した状態にあり、こ
のような中間品は、切断工程へと進む前に定着力を強め
る上で以下に説明する冷間整形工程へと移される。
【0025】冷間整形工程においては、図7の断面図に
よく表れているように、上下一対の押型P1,P2が用
いられる。押型P1,P2は、たとえばアルミ製などの
比較的熱伝導率の大きい金属ブロックからなる。中間品
Mは、樹脂パッケージ4がまだ冷め切らずにある程度固
化した状態において、その上下両側から押型P1,P2
によって押圧保持される。下側の押型P2における押圧
面P2aは、基板1の裏面10bに接することからほぼ
平坦に形成されている。その一方、上側の押型P1にお
ける押圧面P1aは、樹脂パッケージ4のレンズ43
a,43bを傷つけることなく天井面41に接するよう
に、レンズ43a,43bに対応する多数の凹部(図示
略)を有した表面とされている。このような押型P1,
P2は、互いに押圧面P1,P2を平行に保ちながら、
上下方向に沿うある程度のプレス力によって中間品Mを
押し挟んだ状態とする。その際、まわりの雰囲気は、強
制的あるいは自然的に常温まで冷却され、樹脂パッケー
ジ4の温度が十分下がって固化した後に押型P1,P2
を上下に離して中間品Mが取り出される。
【0026】このようにして冷間整形を行う際、樹脂パ
ッケージ4の一つは、発光素子2および受光素子3の1
ペアを2組分も封止する大きさで相当の定着面積をもっ
て基板1上に密着した状態にあり、しかも、樹脂パッケ
ージ4と基板1との熱膨張率が異なっている。そのた
め、基板1の表面10a上における樹脂パッケージ4
は、しだいに冷めるにつれて基板1よりも幾分収縮する
が、樹脂パッケージ4と基板1は、互いに上下方向に沿
うプレス力が加えられた状態にあるので、樹脂パッケー
ジ4が十分に冷めて固化した状態では、収縮作用による
影響、つまり基板1に対する反り変形力が一切無くな
り、押型P1,P2が取り外された後でも、基板1は、
本来の帯状または長矩形状としたままのかたちに保たれ
る。また、冷間整形の際には、樹脂パッケージ4および
基板1の熱が押型P1,P2を伝わって効率良く発散す
ることにより、冷却作用を高めてその冷却に要する時間
をある程度まで短くすることができる。さらに、強制的
あるいは自然的に冷却されるいずれにしても、冷却と同
時に中間品Mのかたちが押型P1,P2によって整えら
れるため、冷却と整形とを別々にして行うよりも、それ
らの各工程に要する時間を短縮して製造プロセスを効率
良く進めることができるのである。
【0027】上記した冷間整形工程を経て中間品Mを得
た後には、基板1の切断作業を行う。ただし、その際に
は、樹脂パッケージ4の切断作業をも併せて行う。より
具体的には、図8の仮想線La〜Ldで示す位置におい
て、基板1および樹脂パッケージ4を切断する。仮想線
Laで示す位置を切断する第1の切断工程は、樹脂パッ
ケージ4の天井面41を、レンズ43a,43bの基部
45(本実施形態において、基部45は、天井面41の
平坦な部分とレンズ43a,43bとの境界部分を意味
する)または近傍において切断するようにして、樹脂パ
ッケージ4および基板1をそれらの厚み方向に切断する
工程である。その切断箇所は、側面40の上端42より
も適当な寸法Saだけ樹脂パッケージ4の幅方向内方寄
りである。この切断作業は、後述する所定の厚みを有す
る駆動回転可能なブレード5を用いて行うことが可能で
あり、そのブレード5の一側面を仮想線Laに沿わせて
移動させて行う。なお、スルーホール7は、仮想線La
上に位置するように設けられており、上記第1の切断工
程は、スルーホール7を分割するようにして行う。この
際、上記中間品Mは、反り変形することもなく正常なか
たちに整えられていることから、寸分の狂いもなく正確
にブレード5が位置合わせされた状態でスルーホール7
が分割される。
【0028】第2の切断工程は、樹脂パッケージ4の幅
方向中央部に相当する箇所を切断する工程であり、仮想
線Lb,Lcで示す位置を切断する。仮想線Lb,Lc
は、いずれもレンズ43a,43bの基部45またはそ
の近傍を通過するが、仮想線Lcはスルーホール7をも
通過する。ブレード5の厚みtは、2つの仮想線Lb,
Lcの間隔と同寸法である。したがって、この第2の切
断工程においては、1回の切断作業により、2つの仮想
線Lb,Lcの位置で樹脂パッケージ4および基板1を
切断することができる。第3の切断工程は、仮想線Ld
で示す位置を切断する工程であり、この工程は実質的に
は上記した第1の切断工程と同様である。基板1の長手
方向においては、以下上記と同様にして樹脂パッケージ
4および基板1をそれらの厚み方向に切断していく。こ
のような一連の切断工程においても、上記中間品Mが反
り変形することもなく正常なかたちに整えられているこ
とから、寸分の狂いもなく正確に切断が行われるのであ
る。
【0029】基板1の切断作業は、基板1の幅方向にお
いても行う。この場合、たとえば図6に示す仮想線Le
の位置で樹脂パッケージ4および基板1を切断する。こ
の切断作業は、図8に示した仮想線La,Ldを切断箇
所とする切断工程と同様に、レンズ43aあるいは43
bの基部45またはその近傍において、樹脂パッケージ
4および基板1を切断する作業である。
【0030】このような一連の作業工程によれば、図9
〜図11に示す赤外線データ通信モジュールAが複数個
製造されることとなる。この赤外線データ通信モジュー
ルAは、矩形状に切断された基板1a上に、発光素子
2、受光素子3およびLSIチップ6のそれぞれが1つ
ずつ搭載され、かつこれらがその四方を切断された樹脂
パッケージ4aによって封止された構造となっている。
樹脂パッケージ4からは、基板1aに対して傾斜してい
た複数の側面40がいずれも除去されている。樹脂パッ
ケージ4aの複数の側面40aは、いずれも滑らかな平
面状の切断面であり、基板1aの切断面11と面一とな
っている。したがって、赤外線データ通信モジュールA
の複数の外面としては、切断面11と側面40aとが面
一状に繋がった2つずつの平面8A,8Bがある。各平
面8Aは、この赤外線データ通信モジュールの長手方向
に延びており、各平面8Bはそれと直交する面である。
1つの平面8Aには、複数のスルーホール7が分割され
ることによって形成された複数の凹部7Aが設けられて
おり、複数の端子71に繋がったそれらの導体部72が
外部に露出した構造となっている。
【0031】上述した一連の作業工程によれば、図9〜
図11に示すような赤外線データ通信モジュールAの単
品を複数個製造できるが、特に樹脂パッケージ4の封止
工程から切断工程へと移行する途中のプロセスにおい
て、押型P1,P2を用いた冷間整形工程が実施される
ことにより、赤外線データ通信モジュールAの単品とし
て正確な寸法形状のものが得られるので、たとえばブレ
ード5の切り込み位置がずれたような不良品の輩出を抑
えて1つの中間品Mから多数個の単品を効率良く製造す
ることができる。
【0032】なお、本願発明は、上述の実施形態に限定
されるものではない。
【0033】たとえば、樹脂パッケージ4によって発光
素子2や受光素子3を封止する場合には、必ずしもそれ
らを2組にして一括封止させる必要もない。たとえば、
3組あるいはそれ以上の組数の発光素子および受光素子
を一括して封止するようにしてもかまわない。本願発明
においては、1つの樹脂パッケージによって封止される
発光素子および受光素子の組合せ数を増やすほど、複数
の樹脂パッケージの相互間に形成される隙間の数を減ら
すことができ、反り変形の防止された1つの中間品から
取り出される赤外線データ通信モジュールの単品数を増
加させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明にかかる赤外線データ通信モジュール
の製造方法に用いられる基板の一例を示す斜視図であ
る。
【図2】図1のII−II断面図である。
【図3】図1のIII−III断面図である。
【図4】図1に示す基板上に樹脂パッケージを形成した
状態を示す斜視図である。
【図5】図4のV−V断面図である。
【図6】図4のVI−VI断面図である。
【図7】基板上に樹脂パッケージを一体化した中間品の
冷間整形工程を示す要部断面図である。
【図8】樹脂パッケージおよび基板の切断工程を示す要
部断面図である。
【図9】本願発明にかかる製造方法を経て製作された赤
外線データ通信モジュールの一例を示す断面図である。
【図10】図9のIX−IX断面図である。
【図11】図9の左側面図である。
【符号の説明】
A 赤外線データ通信モジュール M 中間品 P1,P2 押型 1,1a 基板 2 発光素子 3 受光素子 4 樹脂パッケージ 40 側面 41 天井面 42 上端(側面の) 43a,43b レンズ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光素子および受光素子をペアとし、こ
    れらのペアを多数組にわたって基板上に搭載しておき、
    上記ペアの2組以上を互いに共通する樹脂パッケージに
    よって一括して封止する工程を有している、赤外線デー
    タ通信モジュールの製造方法であって、 上記樹脂パッケージの封止工程を経て得られた上記基板
    を、その上下両側から一対の押型によって押圧保持する
    工程を有していることを特徴とする、赤外線データ通信
    モジュールの製造方法。
  2. 【請求項2】 上記一対の押型は、それらの押圧面が平
    行に保たれた状態で上記基板の上下両側に対向配置され
    る、請求項1に記載の赤外線データ通信モジュールの製
    造方法。
  3. 【請求項3】 上記一対の押型によって上記基板を押圧
    保持する際、それと同時に上記基板および樹脂パッケー
    ジの冷却が実施される、請求項1または請求項2に記載
    の赤外線データ通信モジュールの製造方法。
  4. 【請求項4】 上記一対の押型は、熱伝導性に優れた金
    属ブロックにより構成されている、請求項3に記載の赤
    外線データ通信モジュールの製造方法。
JP24953799A 1999-09-03 1999-09-03 赤外線データ通信モジュールの製造方法 Pending JP2001077406A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24953799A JP2001077406A (ja) 1999-09-03 1999-09-03 赤外線データ通信モジュールの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24953799A JP2001077406A (ja) 1999-09-03 1999-09-03 赤外線データ通信モジュールの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001077406A true JP2001077406A (ja) 2001-03-23

Family

ID=17194472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24953799A Pending JP2001077406A (ja) 1999-09-03 1999-09-03 赤外線データ通信モジュールの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001077406A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008093880A1 (ja) * 2007-02-02 2008-08-07 Sanyo Electric Co., Ltd. 半導体装置及びその製造方法
JP2008258414A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体パッケージ
US7855425B2 (en) 2007-03-09 2010-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2020080427A (ja) * 2012-05-09 2020-05-28 ローム株式会社 半導体発光装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008093880A1 (ja) * 2007-02-02 2008-08-07 Sanyo Electric Co., Ltd. 半導体装置及びその製造方法
US8188497B2 (en) 2007-02-02 2012-05-29 Sanyo Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5295783B2 (ja) * 2007-02-02 2013-09-18 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置
US7855425B2 (en) 2007-03-09 2010-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2008258414A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体パッケージ
JP2020080427A (ja) * 2012-05-09 2020-05-28 ローム株式会社 半導体発光装置
JP7079277B2 (ja) 2012-05-09 2022-06-01 ローム株式会社 半導体発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2005470B1 (en) Lead frame based, over-molded semiconductor package with integrated through hole technology (tht) heat spreader pin(s) and associated method of manufacturing
EP3051584B1 (en) Heat spreader with down set leg attachment feature
US6625036B1 (en) Infrared data communication module and method of making the same
KR20060004996A (ko) 통합된 열 분산기 리드
JPH0758254A (ja) マルチチップモジュール及びその製造方法
KR20150125814A (ko) 반도체 패키지 장치
KR100730626B1 (ko) 반도체 발광 장치를 위한 기판 제조 방법
KR100585014B1 (ko) 일체형 열전달 슬러그가 형성된 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP2001077406A (ja) 赤外線データ通信モジュールの製造方法
JP4294841B2 (ja) 赤外線データ通信モジュールの製造方法および赤外線データ通信モジュール
KR100748917B1 (ko) 조립성을 향상시킨 메모리모듈 방열장치
CN101483158A (zh) 芯片、芯片制造方法以及芯片封装结构
JP3247357B2 (ja) 放熱器付パッケージ及びその形成方法
US20190318974A1 (en) Circuit module and method of manufacturing the same
JP2003197664A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
KR100220249B1 (ko) 열방출 능력이 향상된 박막 볼 그리드 어레이 패키지
JP4064579B2 (ja) 赤外線データ通信モジュールの製造方法
KR200262609Y1 (ko) 히트 싱크
JPH11312770A (ja) 薄型icの放熱フィン
JP4064578B2 (ja) 赤外線データ通信モジュールの製造方法
KR101488611B1 (ko) 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
JPH01244652A (ja) 樹脂封止型半導体装置
CN210640175U (zh) 电子芯片封装结构
JPH01282845A (ja) 樹脂封止型ピングリッドアレイ
TWM632806U (zh) 晶片封裝件的散熱模組結構