CN113036016B - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种电子装置，其包括发光元件、波长转换层、导线以及波长选择层。发光元件用于发出光线。波长转换层用于转换光线。导线电性连接发光元件。波长选择层设置在导线和波长转换层之间，其中导线是通过能量束固化，且波长选择层是用于遮蔽所述能量束。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种具有波长选择层的电子装置。
背景技术
现今常见的电子装置通常具有显示器，以通过显示器提供信息给用户。目前，业界仍致力于提升电子装置的可靠度或显示质量。
发明内容
根据本发明一些实施例，提供一种电子装置，其包括发光元件、波长转换层、导线以及波长选择层。发光元件用于发出光线。波长转换层用于转换光线。导线电性连接发光元件。波长选择层设置在导线和波长转换层之间，其中导线是通过能量束固化，且波长选择层是用于遮蔽所述能量束。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例的电子装置的示意图。
图2所示为图1中区域R1’沿方向Dy部分延伸的区域R1的一第一示例的放大示意图。
图3所示为沿着图2的剖线B-B’的结构剖面示意图。
图4所示为图1中区域R1’沿方向Dy部分延伸的区域R1的一第二示例的放大示意图。
图5所示为沿着图4的剖线C-C’的结构剖面示意图。
图6所示为图1中区域R2的剖线A-A’的剖面示意图。
图7所示为本发明第二实施例的电子装置的剖面示意图。
图8所示为本发明第三实施例的电子装置的剖面示意图。
图9所示为本发明第四实施例的电子装置的剖面示意图。
图10所示为本发明第五实施例的电子装置的剖面示意图。
图11所示为本发明第六实施例的电子装置的剖面示意图。
附图标记说明：10-电子装置；100、102-基板；101-信号线；1002、1004、1021-表面；1006、1023、1041、1081-侧面；104-黏着层；106-导线；1060、1062、1064-部分；108-导电垫；110-波长选择层；112-集成电路；114-能量束；116-电路层；118-发光元件；118b-接合垫；120-波长转换层；122-彩色滤光层；124-黑色矩阵层；126-封装层；Dx、Dy、Dz-方向；R1、R2、R1’-区域。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。
应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」、「设置」在另一个元件或膜层「上」或「连接到」另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」、「直接设置」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
电性连接可以是直接连接或是间接连接。两元件电性连接可以是直接接触以传输电信号，两者之间未有其他元件。两元件电性连接可以通过两者之间的元件中介桥接以传输电信号。电性连接亦可称为耦接。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
本发明的电子装置可包括显示设备、天线装置、触控电子装置(touch display)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display)，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括发光二极管、液晶(liquid crystal)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合适的显示介质或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light-emittingdiode(OLED))、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode，LED)、次毫米发光二极管(mini-light-emitting diode(mini LED)，mini-meter sized LED)、微发光二极管(micro-light-emitting diode(micro-LED)，micro-meter sized LED)、量子点发光二极管(quantum dots(QDs)，可例如为QLED、QDLED))其他适合的材料或上述的任意排列组合，但不以此为限。显示设备可例如包括拼接显示设备，但不以此为限。本发明的概念或原理也可应用在非自发光式的液晶显示器(liquid crystal display，LCD)，但不以此为限。
天线装置可例如是液晶天线或其他种类的天线类型，但不以此为限。天线装置可例如包括拼接天线装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统等外围系统以支持显示设备、天线装置或拼接装置。下文将以显示设备做为电子装置以说明本发明内容，但本发明不以此为限。
显示设备可包含多个子像素，彼此并排设置。子像素可例如包含发光元件、相对应彩色滤光层及/或电路层或是相对应的其他膜层，但不以此为限。在一实施例中，不同的子像素可发出不同颜色的光，例如绿色、红色、蓝色、黄色或白色但不以此为限，子像素所发出的光线颜色可依据需求设计。在另一实施例中，显示设备可为单色显示设备，而所有子像素可发射单一种颜色的光线，例如白色、红色或任何适合的颜色。此外，子像素的俯视形状可为矩形、平行四边形、「>」形或任何适合的形状。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。
请参考图1，其所示为本发明第一实施例的电子装置的示意图。图1中的结构可例如是一电子装置10(或显示设备)，图1绘出电子装置10中的一基板100(或称为第一基板)、一基板102(或称为第二基板)和多条信号线101，并省略其余元件。图1信号线101的配置仅用于示例，可根据设计需求调整。后续的图式中将更详细描述电子装置10中的其余元件。信号线101可设置在基板100上并设置在基板100和基板102之间，但不以此为限。在一些实施例中，基板102可由一封装层所取代，但不以此为限。在一些实施例中，信号线101可例如为数据线，但不以此为限。举例而言，信号线101可延伸至邻近电子装置10边缘的一区域R1’，并可通过导线106(绘于图2)电性连接到驱动元件或导电垫等元件，但不以此为限。
图1中标出了一方向Dx、一方向Dy和一方向Dz。方向Dz可垂直于基板100或基板102的上表面或下表面，方向Dx和方向Dy可平行于基板100或基板102的上表面或下表面。方向Dz可垂直于方向Dx和方向Dy，且方向Dx可垂直于方向Dy。后续图式可依据方向Dx、方向Dy和方向Dz来描述结构的空间关系。
请参考图2和图3，图2所示为图1中区域R1’沿方向Dy部分延伸的区域R1的一第一示例的放大示意图，而图3所示为沿着图2的剖线B-B’的结构剖面示意图。图2和图3中的结构可例如是电子装置10(或显示设备)中邻近基板100边缘的一部分结构，但不以此为限。图2和图3仅绘出电子装置10中的一部分做为范例。在某些实施例中，多个电子装置10可互相连接以形成拼接装置，但不以此为限。另在某些实施例中，电子装置10也可并非是拼接的显示设备而可包括一个独立的显示设备，但不以此为限。以下将以图1中的电子装置10做为说明用的范例。
如图2和图3所示，电子装置10可包括一基板100、一基板102、一黏着层104、多条导线106、多个导电垫108以及一波长选择层110，但不以此为限。在一些实施例中，基板102与黏着层104可以选择性设置，但不以此为限。基板100可和基板102相对设置，且黏着层104可设置在基板100和基板102之间。基板100或基板102的材料可包括玻璃、石英、蓝宝石、聚合物(如聚亚酰胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET))及/或其他适合的材料，以作为可挠基板或硬质基板，但不以此为限。基板100及基板102可为相同或不相同的材料。黏着层104可例如包括光学透明树脂(optical clearresin，OCR)，但不以此为限。
基板100可包括一表面1002(或称为第一表面)以及与表面1002相对的一表面1004(或称为第二表面)，其中表面1002可较靠近基板102，而表面1004可较远离基板102。此外，基板100可包括一侧面1006，侧面1006可大致平行于方向Dz，侧面1006可介于表面1002及表面1004之间，且侧面1006可连接表面1002以及表面1004。以图2或图3中的一条导线106为例，导线106的一部分1060可设置在表面1004上，且导线106的一部分1062可设置在侧面1006上。导线可例如为连接驱动元件与导电垫的导电材料，或连接驱动元件与显示区中电路层(未绘示)的导电材料。在一些实施例中，至少部分的导线未介于基板100与基板102之间，在一些实施例中，部分的导线设置于基板100的侧面1006上或外侧的表面上(例如表面1004上)。
导线106可通过印刷制程形成在基板100的表面1004和侧面1006上。但不以此为限。导线106可通过能量束114固化并提升导电特性。导线106的材料可包括导电胶，但不以此为限。导电胶可包括含导电成分(如金属或碳)的胶水、胶体、漆或墨水，但不以此为限。导电成分的金属或碳可包括特定型态、不特定型态或混合型态的微米等级碎屑或纳米颗粒，但不以此为限。金属可包括银、铜粒子或其他金属材料，但不以此为限。能量束114可照射设有导线106的基板100的至少部分的表面1004及/或设有导线106的基板100的部分的侧面1006，但不以此为限。在一些实施例中，导线106亦可通过蒸镀或溅镀制程形成于基板100的表面1004和侧面1006上，但不以此为限。本案中所述的「固化」，指照射能量束后，将液体材料固化成型。
此外，能量束114可包括激光或脉冲灯，但不以此为限。举例而言，能量束114可包括紫外线激光(波长可小于400纳米)、可见光激光(波长可为400纳米至750纳米)或红外线激光(波长可大于750纳米)，但不以此为限。脉冲灯可例如包括脉冲氙灯，但不以此为限。如图2所示，本实施例的能量束114可施加于基板100的表面1004和侧面1006，但不以此为限。
如图2和图3所示，导电垫108可设置在基板100和基板102之间。在一些实施例中，导电垫108可设置在基板100的表面1002上。举例而言，导电垫108可设置在黏着层104和基板100之间，但不以此为限。在一些实施例中，导电垫108可和导线106的部分1062接触以达到电性连接，但不以此为限。如图3，导电垫108可具有一侧面1081，其可大致平行于方向Dz。在一些实施例中，导线106的部分1062可从基板100的侧面1006延伸到导电垫108的侧面1081上，使导线106的部分1062可和导电垫108的至少部分侧面1081接触以达到电性连接。在一些实施例中，导线106的部分1062可从基板100的侧面1006延伸到导电垫108的侧面1081以及黏着层104的至少一部分的侧面1041上，其中黏着层104的侧面1041可大致平行于方向Dz。在一些实施例中，导线106的部分1062可从基板100的侧面1006延伸到导电垫108的侧面1081、黏着层104的侧面1041及基板102的至少一部分的侧面1023上，其中基板102的侧面1023可大致平行于方向Dz。在一些实施例中，基板100的侧面1006、导电垫108的侧面1081、黏着层104的侧面1041及基板102的侧面1023可互相切齐，但不以此为限。
举例而言，导电垫108可和显示区内的发光元件电性连接，使导线106可通过导电垫108与发光元件电性连接，但不以此为限。此外，导电垫108亦可依设计需求而与电子装置10内的其他信号线或其他元件电性连接。
在一些实施例中，导电垫108可包含金属导电材料、透明导电材料或上述的组合。在一些实施例中，前述金属导电材料可包含铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、银(Ag)、锡(Sn)、钨(W)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜合金、铝合金、钼合金、银合金、锡合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、其它合适的金属材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述透明导电材料可包含透明导电氧化物(transparent conductive oxide，TCO)。例如，透明导电氧化物可包含氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化锡(tinoxide，SnO)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化铟锡锌(indiumtin zinc oxide，ITZO)、氧化锑锡(antimony tin oxide，ATO)、氧化锑锌(antimony zinc oxide，AZO)、其它合适的透明导电材料或前述的组合，但不限于此。
此外，举例而言，导线106(例如设置在表面1004的部分1060)可和一集成电路112电性连接。因此，导线106可将集成电路112所传送的信号通过导电垫108传递至电子装置10内的元件。集成电路112可设置在基板100的表面1004上。集成电路112可包括至少一薄膜晶体管用以驱动电子装置10内的元件，但不以此为限。在某些实施例中，集成电路112可直接设置在基板100或可挠性电路板(未绘示)，但不以此为限。在一些实施例中，集成电路112可以通过可挠性电路板电性连接至导线106，但不以此为限。
如图3所示，波长选择层110可设置在导线106(如导线106的部分1060)和基板100(如基板100的表面1004)之间。波长选择层110可用于遮蔽能量束114，以减少电子装置10内的元件或材料受能量束114影响而劣化，进而提升电子装置10的可靠度或显示质量。举例而言，电子装置10所使用的波长选择层110可遮蔽能量束114。所述的波长选择层110的遮蔽的效果在本文中定义是可将能量束114的穿透率抑制到小于10％。本案中所述的「穿透率」，指能量束(可例如为激光)通过波长选择层后的频谱积分值除以能量束通过波长选择层前的频谱积分值乘上百分比的数值。
举例而言，波长选择层110的材料可包括银、金、铜、铝、铬、铂、其他合适的金属、上述的合金或金属氧化物或上述的组合，但不以此为限。此外，波长选择层110可包括单一个膜层或多个膜层，但不以此为限。
在一些实施例中，波长选择层110可使用金属材料层，其可包括银、金、铜、铝、铬、铂等或上述的合金或金属氧化物或包含上述材料的多层膜，但不以此为限。不同的金属种类可用于反射不同波长范围的能量束114。例如，含有铝的金属材料层对于紫外线到红外线的波段都可具有高反射率，而含有金的金属材料层可适用于反射红外线的波段。
在一些实施例中，波长选择层110以红外线的波段为例可采用红外线吸收剂。例如，红外线吸收剂可包括多环芳香烃(poly aromatic hydrocarbons)、含共轭双键的长链烃类(conjugated multi-enes)、特殊壳-核结构或材质的量子点(special core-shellstructure ormaterial quantum dots)或多层膜，但不以此为限。
在一些实施例中，波长选择层110以红外线的波段为例可采用多层膜。例如，多层膜可包括金属薄膜、金属氧化物薄膜或复合金属氧化物薄膜(complex metal oxidefilms)的多层迭结构，但不以此为限。多层膜中可包括至少两种不同的折射率，藉由不同膜层的折射率匹配，当能量束114进入膜层时可改变能量束114的行进方向，或是在进入膜层之前即可被全反射，以达到遮蔽能量束114的目的。此外，上述波长选择层也可用于遮蔽具有其他波段的能量束。
在一些实施例中，上述波长选择层的功能及/或材料可依需求分别独立使用、任意搭配其中两者使用或三者一并使用。
请参考图4和图5，图4所示为图1中区域R1’沿方向Dy部分延伸的区域R1的一第二示例的放大示意图，而图5所示为沿着图4的剖线C-C’的结构剖面示意图。第二示例和第一示例的差异在于，导线106还可包括一部分1064，导线106的部分1064可设置在基板100和基板102之间，但不以此为限。在一些实施例中，导线106的部分1064可设置在导电垫108和黏着层104之间，但不以此为限。在一些实施例中，导电垫108可和导线106的部分1064接触以达到电性连接，但不以此为限。换言之，导线106的部分1064可从电子装置10的基板100和基板102之间朝基板100的侧面1006延伸至基板100的侧面1006，导线106的部分1062接续顺着侧面1006朝表面1004延伸，且导线106的部分1060接续部分1062于表面1004上延伸，导线106的部分1060上可设置有集成电路112，但不以此为限。
请参考图6，其所示为图1中区域R2的剖线A-A’的一剖面示意图。图6中的结构可例如是图1中的电子装置10(或显示设备)中显示区内的一区域R2的结构，并可例如是对应一发光元件的剖面结构，但不以此为限。如图6，电子装置10还可包括一电路层116、至少一发光元件118、至少一波长转换层120、至少一彩色滤光层122以及一黑色矩阵层124，但不以此为限。电路层116可设置在基板100的表面1002上。电路层116可包括薄膜晶体管、电容、图1中的信号线101等元件，但不以此为限。在一些实施例中，电路层116可与图2至图5中至少部分的导电垫108电性连接，或是电路层116中的信号线101可以与至少部分的导电垫108电性连接，但不以此为限。发光元件118可设置在基板100的表面1002上。于一实施例中，发光元件118与基板100之间可设置有电路层116。在本实施例中，发光元件118可设置在基板100和基板102之间，且发光元件118可被黏着层104所覆盖，但不以此为限。
发光元件118可用于发出光线，例如，发光元件118可发出蓝光或紫外光，但不以此为限。发光元件118可包括发光二极管，但不以此为限。举例来说，发光元件118可包括微型发光二极管(micro LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、量子点发光二极管(quantum dotLED)、纳米线发光二极管(nano wire LED)或棒状发光二极管(bartype LED)，但不以此为限。
发光元件118可例如电性连接到电路层116中的薄膜晶体管或信号线101。举例而言，发光元件118可包括至少一个接合垫118b，且接合垫118b可和电路层116中的另一接合垫(未绘示)接合并电性连接到电路层116中的薄膜晶体管或信号线101，但不以此为限。发光元件118的接合垫118b和电路层116中的另一接合垫可包括金属或其他适合的导电材料，但不以此为限。此外，在图3或图5中，导线106可设置在基板100的表面1004上，导线106可通过导电垫108电性连接到电路层116，使得集成电路112可通过导线106控制发光元件118。换言之，导线106可电性连接发光元件118及/或可用于驱动发光元件118，但不以此为限。此外，一些实施例的黏着层104的材料亦可填入接合垫118b之间的空隙，以减少发光元件118受到水气或氧气的影响，或可加强发光元件118与电路层116的附着力。接合垫118b之间的空隙亦可填入其他材料，材料可例如为胶类或光阻类高分子材料，例如包括压克力树脂、环氧树脂、酚醛树脂等，但不以此为限。
波长转换层120、彩色滤光层122或黑色矩阵层124可选择性设置在发光元件118之上，或可选择性设置在基板102的一表面1021上，或可选择性设置在基板102和黏着层104之间，但不以此为限。在一些实施例中，发光元件118上可设置一光散射层(未绘示)，但不以此为限。波长转换层120可用于转换发光元件118所发出的光线(例如转换光线的波长)。例如，波长转换层120可用于将发光元件118所发出的光线转换成红光、绿光或蓝光，但不以此为限。举例而言，波长转换层120可包括量子点材料、磷光材料、荧光材料或上述材料的组合，但不以此为限。
彩色滤光层122可设置在波长转换层120上或可设置在基板102和波长转换层120之间，但不以此为限。彩色滤光层122可包括红色、绿色或蓝色的有机材料，但不以此为限。举例而言，在一红色子像素中，波长转换层120可包括能够将发光元件118所发出的光线转换成红光的量子点材料，且彩色滤光层122可以是红色的彩色滤光层，但不以此为限。
黑色矩阵层124可包括遮光材料，例如黑色的有机材料或黑色的光阻，但不以此为限。如图6，波长转换层120和彩色滤光层122可设置在相邻的黑色矩阵层124之间。举例而言，黑色矩阵层124可使用能够利于波长转换层120中的量子点材料涂布的材料。此外，黑色矩阵层124可具有单层或多层结构。在多层结构中，不同膜层可具有相同或不同的材料。另一方面，黑色矩阵层124亦可设置在相邻子像素的波长转换层120(或彩色滤光层122)之间(图6未绘示)，以避免相邻子像素的光线互相干扰。
在一些实施例中，波长选择层110可设置在导线106和波长转换层120之间，例如，波长选择层110可设置在导线106和基板100之间，但不以此为限。由于导线106可通过能量束114所固化，而波长转换层120中的材料(如量子点)容易受到能量束114的影响，因此可通过将波长选择层110设置在导线106和波长转换层120之间，利用波长选择层110遮蔽能量束114以保护波长转换层120中的材料，进而提升电子装置10的可靠度或显示质量。在一些实施例中，波长选择层110可设置在能量束114和波长转换层120之间，且波长选择层110可被图案化以具有多个图案，各个图案可分别对应一个波长转换层120的区域，亦即波长选择层110可分别对应一个发光单元118。
下文将继续详述本发明的其它实施例，为了简化说明，下文中使用相同标号标注相同元件。为了突显各实施例之间的差异，以下针对不同实施例间的差异详加叙述，而不再对重复的技术特征作赘述。
请参考图7，其所示为本发明第二实施例的电子装置的剖面示意图。第二实施例和第一实施例(如图6)的差异在于，第二实施例的波长选择层110可设置在基板100的表面1002上，或可设置在发光元件118和基板100之间，但不以此为限。
请参考图8，其所示为本发明第三实施例的电子装置的剖面示意图。第三实施例和第一实施例(如图6)的差异在于，第三实施例的波长选择层110可设置在发光元件118和基板102之间，或可设置在黏着层104和波长转换层120之间，但不以此为限。波长选择层110、波长转换层120、彩色滤光层122以及黑色矩阵层124可设置在基板102上，并可通过黏着层104和基板100贴合，但不以此为限。由于本实施例的波长选择层110是设置在发光元件118发出光线的一侧，因此波长选择层110的材料可选择不会遮挡发光元件118所发出的光线的材料。例如，波长选择层110可遮挡的光线的波长范围并不包含发光元件118所发出的光线的波长。
在一些实施例中，在方向Dz上，波长转换层120可至少覆盖发光元件118的上表面中的发光区域，所述发光区域的面积可略小于发光元件118的上表面的面积，但不以此为限。在一些实施例中，在方向Dz上，波长转换层120可至少覆盖发光元件118的上表面。如图9所示。上述波长转换层120覆盖发光元件118的实施例亦可以套用至本发明其他实施例，故不再赘述。
在一些实施例中，在方向Dz上，彩色滤光层122的覆盖面积可等于波长转换层120的上表面的面积。在一些实施例中，彩色滤光层122的覆盖面积可大于波长转换层120的上表面的面积。
请参考图9，其所示为本发明第四实施例的电子装置的剖面示意图。第四实施例和第一实施例(如图6)的差异在于，第四实施例的电子装置10可包括一封装层126且可不包括第一实施例中的基板102和黏着层104，但不以此为限。封装层126可设置在发光元件118上，并可覆盖彩色滤光层122及黑色矩阵层124。彩色滤光层122可设置在波长转换层120上，且彩色滤光层122和波长转换层120可设置在封装层126和发光元件118之间。黑色矩阵层124可设置基板100上，设置在发光元件118、波长转换层120及/或彩色滤光层122的周围。封装层126的材料可填入黑色矩阵层124和发光元件118之间的空隙或是接合垫118b之间的空隙，以减少发光元件118受到水气或氧气的影响。封装层126可包括单层结构或多层结构，但不以此为限。封装层126可包括有机绝缘材料、无机绝缘材料或上述材料的组合，但不以此为限。
请参考图10，其所示为本发明第五实施例的电子装置的剖面示意图。第五实施例和第四实施例(如图9)的差异在于，第五实施例的波长选择层110可设置在基板100的表面1002上，或可设置在发光元件118和基板100之间，但不以此为限。
请参考图11，其所示为本发明第六实施例的电子装置的剖面示意图。第六实施例和第四实施例(如图9)的差异在于，第六实施例的波长选择层110可设置在发光元件118上，或可设置在发光元件118和波长转换层120之间，但不以此为限。本实施例的波长选择层110可设置在相邻的黑色矩阵层124之间，但不以此为限。由于本实施例的波长选择层110是设置在发光元件118发出光线的一侧，因此波长选择层110的材料可选择不会遮挡发光元件118所发出的光线的材料。
在一些实施例中(如图11)，在方向Dz上，波长转换层120可覆盖发光元件118的上表面，波长转换层120亦可设置在发光元件的侧边与黑色矩阵层124之间的空隙。在一些实施例中，波长转换层120可选择性地填入接合垫118b之间的空隙。接合垫118b之间的空隙亦可填入其他材料，材料可例如为胶类或光阻类高分子材料，例如包括压克力树脂、环氧树脂、酚醛树脂等，但不以此为限。
在一些实施例中，第二实施例(图7)至第六实施例(图11)的电子装置可包括第一实施例中邻近于电子装置10边缘的区域R1的第一示例或第二示例的结构。
综上所述，在本发明的电子装置中，波长选择层可设置在导线和波长转换层之间。当导线可通过能量束所固化形成，可通过将波长选择层设置在导线和波长转换层之间，利用波长选择层遮蔽能量束以保护波长转换层中的材料或减少电子装置内的元件或材料受能量束影响而劣化，进而提升电子装置的可靠度或显示质量。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化，且各实施例间的不同特征只要不相冲突或违反发明精神，均可任意排列组合，视设计需求。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一第一基板，所述第一基板包括一第一表面以及与所述第一表面相对的一第二表面；
一发光元件，用于发出一光线，且所述发光元件设置在所述第一表面上；
一波长转换层，用于转换所述光线，且所述波长转换层设置在所述发光元件相反于所述第一基板的一侧上；
一导线，电性连接所述发光元件，且所述导线设置在所述第二表面上；以及
一波长选择层，设置在所述导线和所述波长转换层之间；
其中所述导线是通过一能量束固化，且所述波长选择层是用于遮蔽所述能量束。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述导线设置在所述第一基板的一侧面上，所述侧面介于所述第一表面及所述第二表面之间，且所述侧面连接所述第一表面及所述第二表面。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述波长选择层设置在所述导线和所述第一基板之间。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述波长选择层设置在所述发光元件和所述第一基板之间。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述波长转换层设置在所述发光元件之上。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括相对于所述第一基板设置的一第二基板，其中所述波长转换层和所述波长选择层设置在所述第二基板上。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述导线通过一印刷制程形成在所述第二表面上。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述波长选择层包括多层膜，且所述多层膜中包括至少两种不同的折射率。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述波长选择层的材料包括银、金、铜、铝、铬、铂或银、金、铜、铝、铬、铂的组合。
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