JP4396028B2 - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4396028B2 JP4396028B2 JP2000382419A JP2000382419A JP4396028B2 JP 4396028 B2 JP4396028 B2 JP 4396028B2 JP 2000382419 A JP2000382419 A JP 2000382419A JP 2000382419 A JP2000382419 A JP 2000382419A JP 4396028 B2 JP4396028 B2 JP 4396028B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- heat sink
- mold
- island
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、放熱板を内蔵する樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器は小型化し高集積化する傾向にあり、1つのデバイス当たりの発熱量が増大し熱設計が重要になってきている。そこで、埋め込み式ヒートシンクや投げ込み式ヒートスプレッダ等の放熱板を半導体装置に内蔵することにより放熱性を向上させるようにしている。
【0003】
これらの半導体装置のうち、埋め込み式ヒートシンクを用いた半導体装置(以下、埋め込み式半導体装置という)の概略断面図を図5に示す。この図5の様に、半導体チップ101の裏面がヒートシンク102の表面に対して半田や導電性接着剤のような接続部材103を介して接合されている。また、ヒートシンク102の表面に対して、リードフレーム104が例えばポリイミドテープ105を介して固着されている。
【0004】
また、半導体チップ101の表面とリードフレーム104のインナーリード104aとがボンディングワイヤ106を用いて電気的に接続されている。そして、ヒートシンク102の裏面とリードフレーム104のうちのアウターリード104bとが外部に露出する様にして、半導体チップ101、リードフレーム104及びヒートシンク102がモールド樹脂(成形樹脂)107により封止されている。
【0005】
この様に、埋め込み式半導体装置では、リードフレーム104に対してヒートシンク102がポリイミドテープ105により固着されていたり、或は、図示しないが、リードフレーム104とヒートシンク102とがかしめられて固着されていたりする。そのため、モールド樹脂107を注入する際(以下、モールド成形時という)にヒートシンク102が移動することはなく成形性が良好であり放熱性も優れている。
【0006】
しかしながら、リードフレーム104とヒートシンク102とを固着するという特殊な加工を施しているため、ポリイミドテープ105などの部材が必要となったり固着のための製造工程を追加したりしなければならない。その結果、大幅なコストアップにも繋がる。
【0007】
それに対して、投げ込み式ヒートスプレッダを用いた半導体装置(以下、投げ込み式半導体装置という)の概略断面図を図6に示す。この半導体装置では、図5に示した埋め込み式半導体装置と異なり、リードフレーム104のアイランド104cに対して接続部材を介して半導体チップ101の裏面が接合されている。また、ヒートスプレッダ108はリードフレーム104や半導体チップ101とは独立して設けられている。
【0008】
そして、モールド成形時に金型に対してヒートスプレッダ108を投入し、半導体チップ101が接合されたリードフレーム104を金型に配置した後、金型にモールド樹脂107を注入することにより、半導体チップ101、インナーリード104a及びヒートスプレッダ108が樹脂封止されている。
【0009】
この投げ込み式半導体装置では、ヒートスプレッダ108を用意してモールド成形時に金型内に投げ込むだけで良く、特別な部材や製造工程を必要としない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、投げ込み式半導体装置では、ヒートスプレッダ108が外部に露出すると耐湿性等の面から信頼性が問題となるため、外部に露出する部位を低減するために、ヒートスプレッダ108には半導体チップ101の反対側に突出する突出部108aが設けられ、ヒートスプレッダ108が複雑な形状になることが多い。そして、この突出部108aを金型側に向けてモールド成形することにより、露出したとしても突出部108aのみが露出し、ヒートスプレッダが大きく露出することを防止している。
【0011】
そのため、ヒートスプレッダ108が複雑な形状であるためにモールド成形時にモールド樹脂107が引っかかり、モールド樹脂107に押されてヒートスプレッダ108が金型内の所定位置からずれてしまう。この様なヒートスプレッダ108のずれが生じると、場合によってはヒートスプレッダ108が突出部108a以外の部位にて金型と線接触してしまい、完成した半導体装置において当該接触部にてヒートスプレッダ108が外部に露出する問題がある。
【0012】
また、ヒートスプレッダ108が複雑な形状であるため、樹脂注入時にヒートスプレッダ108の下部を流れるモールド樹脂(下流樹脂)の速度が遅くなる。それに対して、半導体チップ101の上部を流れるモールド樹脂(上流樹脂)の速度が速いため、上流樹脂がリードフレーム104の下まで回り込み、上流樹脂と下流樹脂が巻き込まれてボイドが発生してしまう。そして、場合によっては、このボイドが半導体装置の外部に露出する位置に形成されて外部ボイドとなってしまう。
【0013】
そこで、ヒートスプレッダ108が多少移動しても外部までは露出しない様にしたり、モールド樹脂107が流れ易くしたりするために、ヒートスプレッダ108を小さくすることが考えられる。しかしながら、ヒートスプレッダ108を小さくすると放熱性が低下してしまう。
【0014】
本発明は、上記問題点に鑑み、投げ込み式ヒートスプレッダを用いた樹脂封止型半導体装置において、成形性を向上させた樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、内部に空間部(6a)を有し、該空間部に対して成形樹脂(4)を注入するための注入口(6b)を有する金型(6)を用意し、半導体チップ(3)を搭載したアイランド(2a)を有するリードフレーム(2)を空間部に配置するとともに、アイランドのうち半導体チップが搭載された側とは反対側に放熱板(1)を配置した後、軟化状態の成形樹脂を注入口から注入して、空間部に充填するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、放熱板におけるアイランドとは反対側の面である裏面が、中央付近から周囲に向けて、裏面に対向する成形樹脂の外縁である放熱板対向面(4a)から遠ざかるように徐々に傾斜しており、放熱板における金型と対向する金型対向面を該金型対向面に対向する金型の面(6c)に対して、注入口側において離れるように傾斜させ、且つ、注入口側における金型対向面の端部(B)と、リードフレームのうちのインナーリード(2b)における放熱板が配置されている側の面との距離(L1)を、金型対向面の端部と金型のうち放熱板と対向する面との距離(L2)よりも小さくした状態で、成形樹脂の注入を行うことを特徴としている。
【0016】
本発明では、L1をL2よりも小さくしているため、注入口から注入された成形樹脂を放熱板と金型との間に入り込み易くすることができる。また、放熱板の裏面を傾斜させた状態で成形樹脂を注入しているため、放熱板の裏面側に容易に成形樹脂が入り込み、その結果、放熱板がアイランド側に移動することができる。そのため、放熱板の下に成形樹脂が入り込み、放熱板が外部に露出することを抑制することができる。従って、成形性を向上させた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することができる。
【0017】
この場合、具体的には、放熱板の裏面に突出部(1a)を設けることにより、金型対向面を金型の面に対して注入口側において離れるように傾斜させることができる。
【0018】
また、請求項3に記載の発明では、放熱板の表面には、突出部(1b)が形成されており、成形樹脂の注入の際に、突出部がアイランドの端部に引っかかるようになっていることを特徴としている。
また、請求項4に記載の発明では、アイランドのうち半導体チップが搭載された側と反対側の面には凹部(2d)が形成され、放熱板の表面には、凹部と嵌合するような凸部(1c)が形成されており、成形樹脂の注入の際に、凹部と凸部(1c)が嵌合するようになっていることを特徴としている。
また、請求項5に記載の発明では、半導体チップ(3)と、該半導体チップが搭載されたアイランド(2a)を有するリードフレーム(2)と、放熱板(1)とを備え、放熱板がアイランドのうち半導体チップが搭載された側とは反対側に配置されて、これら半導体チップとリードフレームと放熱板とが、成形樹脂(4)によって封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、前記放熱板における前記アイランドとは反対側の面である裏面が、中央付近から周囲に向けて、前記裏面に対向する前記成形樹脂の外縁である放熱板対向面(4a)から遠ざかるように徐々に傾斜しており、リードフレームのうちのインナーリード(2a)における放熱板と対向する面と放熱板対向面との距離を第1の寸法(M1)とし、放熱板のうち半導体チップの法線方向におけるリードフレームから最も遠い部位(A)と裏面の端部(B)との差を第2の寸法(M2)とし、第1の寸法から第2の寸法を差し引いた寸法を第3の寸法とし、第2の寸法が第3の寸法よりも大きくなっていることを特徴としている。
【0019】
本発明では、第2の寸法と第3の寸法がこの様な関係になる構成に樹脂封止型半導体装置をしているため、請求項1の樹脂封止型半導体装置の製造方法に適した半導体装置を提供することができる。
【0020】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0021】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
以下、図に示す実施形態について説明する。図1は本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置(以下、半導体装置という)10の概略断面図である。図1に示すように、半導体装置10の内部には、Cu(銅)やAl(アルミニウム)等の熱伝導性に優れた金属(熱良導性金属)からなる放熱板(ヒートスプレッダ)1と、CuやCu合金または42合金(42アロイ金属)からなるリードフレーム2と、半導体チップ3とが収納され、これらの部材はエポキシ樹脂等からなる成形樹脂(以下、単に樹脂とする)4によって封止され一体化されている。
【0022】
リードフレーム2は、半導体チップ3を搭載するアイランド2aと半導体チップ3や半導体装置10の外部と電気的に接続するリード部とから構成されている。リード部は、樹脂4内に位置する部位であるインナーリード2bと樹脂4外に引き出された部位であるアウターリード2cとからなる。なお、アイランド2aはリードフレーム2のうち樹脂4外部の図示しない部位と連結されている。
【0023】
そして、アイランド2aには半導体チップ3が半田または導電性ペーストなどの接続部材を介して搭載されており、半導体チップ3とインナーリード2bとは、Au(金)またはAl等からなるボンディングワイヤ5によって電気的に接続されている。
【0024】
また、放熱板1は平面形状が例えば円形となっており、放熱板1におけるアイランド2a側の面である表面が平面となっている。また、表面とは反対側の裏面(金型対向面)は、この裏面に対向する樹脂4の外縁である放熱板対向面4aに対して傾いている。具体的には、放熱板1の裏面は、中央付近から周囲に向けて徐々に放熱板対向面4aから遠ざかるように傾斜している。
【0025】
そして、この様な放熱板1の表面がアイランド2aのうち半導体チップ3が搭載された側とは反対側の裏面に接触するようにして、放熱板1が配置されている。ここで、リードフレーム2のうちのインナーリード2bにおける放熱板1と対向する面である裏面と放熱板対向面4aとの距離を第1の寸法M1とし、放熱板1のうち半導体チップ3の法線方向における最もリードフレーム2から遠い部位(裏面の中央部)Aと裏面(放熱板1)の端部Bとの差を第2の寸法M2とし、第1の寸法M1から第2の寸法M2を差し引いた寸法を第3の寸法とすると、第2の寸法M2が第3の寸法よりも大きくなっている。
【0026】
係る構成を有する半導体装置10の製造方法について、樹脂4を注入する前後の様子を示す概略断面図である図2を参照して述べる。初めに、リードフレーム2と放熱板1とを、金属板に対してプレス加工等の機械加工等を施すことにより形成する。次に、リードフレーム2のアイランド2aに対して接続部材を用いて半導体チップ3を搭載する。その後、半導体チップ3に設けられたボンディングパッド(図示せず)とインナーリード2bとをボンディングワイヤ5を用いて電気的に接続する。
【0027】
その後、内部に空間部6aを有し、この空間部6aに対して樹脂4を注入するための注入口6bを有する金型6を用意する。そして、図2(a)に示すように、上述の様な形状の放熱板1を、裏面側を金型6側に向けて空間部6a内に配置し、放熱板1の上に半導体チップ3が搭載され且つワイヤボンディングされたリードフレーム2を、リードフレーム2の裏面側を放熱板1側に向けて配置する。
【0028】
ここで、放熱板1における金型6と対向する金型対向面(裏面)は、金型6のうちこの裏面に対向する面である放熱板対向面6cに対して注入口6b側において離れるように傾斜した状態となっている。また、注入口6b側における金型対向面の端部Bと、リードフレーム2のうちのインナーリード2bの裏面との距離(第1の距離)L1を、放熱板1の端部Bと金型6の放熱板対向面6cとの距離(第2の距離)L2よりも小さくしている。また、リードフレーム2の裏面側に注入口6bが配置される。
【0029】
次に、図2(b)に示すように、軟化状態の樹脂4を注入口6bから注入して空間部6aに樹脂4を充填して樹脂封止を行う。この際、第1の距離L1を第2の距離L2よりも小さくしているため、注入口6bから注入された樹脂4が放熱板1と金型6との間に入り込み易くなっている。また、放熱板1の裏面を傾斜させた状態で樹脂4を注入しているため、放熱板1の裏面側に容易に樹脂4が入り込む。
【0030】
その結果、放熱板1に揚力が働いて放熱板1がアイランド2a側に移動しアイランド2aに接触する。そして、放熱板1の表面は平面になっているため、アイランド2aの裏面全面と放熱板1とが接触する。この様にして、図2(c)に示すように樹脂封止が完了する。
【0031】
この様に放熱板1がアイランド2a側に移動するため、樹脂注入時において第2の距離L2が第1の距離L1よりも大きい状態が、完成した半導体装置10では上記構成で述べたように、第2の寸法M2が第3の寸法よりも大きい状態となる。つまり、第2の距離L2と第2の寸法M2とが等しく、第1の距離L1が第3の寸法に相当する。
【0032】
そして、図2(c)に示す状態で軟化状態の樹脂4を硬化させた後、金型6から樹脂封止された半導体装置を取り出し、最後に、マーキング処理やアウターリード2cの処理等を行うことにより半導体装置10が完成する。
【0033】
この様に、本実施形態では樹脂注入時に放熱板1がアイランド2a側に移動し易い構成にしており、この移動により放熱板1の下に樹脂4が入り込むため、放熱板1が外部に露出することを抑制できる。また、放熱板1が滑らかな形状になっているため樹脂4が容易に流れることができ、ボイドが形成されることも抑制できる。従って、成形性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【0034】
また、成形性が向上するため、従来技術で述べたように放熱板1の外部露出を低減することや、樹脂4の流れを向上させることを考慮して放熱板1を小さくする必要が無く、放熱板1の大きさの自由度を増すことができる。その結果、放熱板1を大きくして放熱性を向上させることができる。
【0035】
また、樹脂注入時に放熱板1が樹脂4により押されて放熱板1の端部が金型6に接触することも考えられるが、放熱板1の平面形状が円形であるため、この接触は点接触となり問題となる露出とはならない。
【0036】
また、樹脂4の注入により放熱板1がアイランド2a側に移動する際に、放熱板1の表面が平面となっているため、アイランド2aの裏面と放熱板1の表面とを大きな面積で接触させることができる。そのため、半導体チップ3から発生する熱をアイランド2aを介して放熱板1に伝え、放熱性を向上させることができる。
【0037】
更に、放熱板1がアイランド2aの裏面全面と接触しているため、放熱板1とリードフレーム2との平行性を確保することができ、放熱板1とインナーリード2bとがショートする恐れも無い。
【0038】
なお、本実施形態では放熱板1の金型対向面全面を傾斜させているが、少なくとも放熱板1のうち金型6の注入口6b側において傾斜させることにより、樹脂4を放熱板1と金型6との間に入り込み易くすることができる。
【0039】
また、放熱板1の平面形状は必ずしも円形である必要は無い。また、放熱板1の表面は平面になっているが、必ずしも全面を平面にする必要は無く、少なくともアイランド2aと接触する部位を平面にすれば、上述のように放熱性を向上させることができる。
【0040】
また、樹脂4の注入速度が遅いと放熱板1がアイランド2a方向に移動しない(持ち上がらない)場合があるため、適宜、樹脂4の注入速度を調節するようにする。
【0041】
また、仮に放熱板1がアイランド2aの裏面全面に接触せずに傾いた場合に、インナーリード2bのショートを防ぐために、安全策としてリードフレーム2の裏面や放熱板1の表面にポリアミドテープ等の絶縁膜を設けても良い。
【0042】
(第2実施形態)
図3は第2実施形態に係る半導体装置を製造する際の樹脂を注入する前の状態を示す概略断面図である。以下、主として第1実施形態と異なる部分について述べ、図中、図2(a)と同一部分は同一符号を付して説明を省略する。
【0043】
図3に示すように、放熱板1の金型対向面に突出部1aが設けられている。この突出部1aは放熱板1の金型対向面の中央部からずれた部位に、例えば2個設けられており、この突出部1aにより放熱板1が傾いている。そして、放熱板1の金型対向面が金型6の放熱板対向面6cに対して、注入口6b側において離れるように傾斜した状態となっている。
【0044】
これにより、更に樹脂4を放熱板1と金型6との間に入り込み易くすることができるため、第1実施形態と同様に成形性を向上させることができる。
【0045】
また、放熱板1の表面にも突出部1bが形成されており、樹脂注入の際にこの突出部1bがアイランド2aの端部に引っかかり、樹脂4の注入により放熱板1が移動しない様にすることができる。
【0046】
これにより、アイランド2a直下に放熱板1を配置することができ、放熱板1が移動して金型6に接触することを防止できる。
【0047】
(他の実施形態)
上記第2実施形態において設けた放熱板1の表面の突出部1bを設けずに、図4の半導体装置を製造する際の樹脂を注入する前の状態を示す概略断面図のように、アイランド2aの裏面に凹部2dを形成し、この凹部2dに嵌合するような凸部1cを放熱板1の表面に設けても良い。
【0048】
これにより、樹脂注入によって放熱板1がアイランド2a方向に移動した際に、この凹部2dと凸部1cとが嵌合して放熱板1が半導体チップ3の面方向に移動することを防止できる。その結果、アイランド2a直下に放熱板1を配置することができ、放熱板1が金型6に接触することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法において樹脂を注入する前後の様子を示す概略断面図である。
【図3】本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法において樹脂を注入する前の様子を示す概略断面図である。
【図4】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法において樹脂を注入する前の様子を示す概略断面図である。
【図5】従来の埋め込み式ヒートシンクを用いた半導体装置の概略断面図である。
【図6】従来の投げ込み式ヒートスプレッダを用いた半導体装置の概略断面図である。
【符号の説明】
1…放熱板、2…リードフレーム、2a…アイランド、2b…インナーリード、2c…アウターリード、3…半導体チップ、4…樹脂(成形樹脂)、4a…樹脂の放熱板対向面、6…金型、6a…空間部、6b…注入口、6c…金型の放熱板対向面。
Claims (5)
- 内部に空間部(6a)を有し、該空間部に対して成形樹脂(4)を注入するための注入口(6b)を有する金型(6)を用意し、半導体チップ(3)を搭載したアイランド(2a)を有するリードフレーム(2)を前記空間部に配置するとともに、前記アイランドのうち前記半導体チップが搭載された側とは反対側に放熱板(1)を配置した後、軟化状態の前記成形樹脂を前記注入口から注入して、前記空間部に充填するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記放熱板における前記アイランドとは反対側の面である裏面が、中央付近から周囲に向けて、前記裏面に対向する前記成形樹脂の外縁である放熱板対向面(4a)から遠ざかるように徐々に傾斜しており、
前記放熱板における前記金型と対向する金型対向面を、該金型対向面に対向する前記金型の面(6c)に対して、前記注入口側において離れるように傾斜させ、
且つ、前記注入口側における前記金型対向面の端部(B)と、前記リードフレームのうちのインナーリード(2b)における前記放熱板が配置されている側の面との距離(L1)を、前記金型対向面の端部と前記金型のうち前記放熱板と対向する面との距離(L2)よりも小さくした状態で、前記成形樹脂の注入を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 前記放熱板の裏面に突出部(1a)を設けることにより、前記金型対向面を前記金型の面に対して前記注入口側において離れるように傾斜させることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- 前記放熱板の表面には、突出部(1b)が形成されており、前記成形樹脂の注入の際に、前記突出部が前記アイランドの端部に引っかかるようになっていることを特徴とする請求項1または2に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- 前記アイランドのうち前記半導体チップが搭載された側と反対側の面には凹部(2d)が形成され、
前記放熱板の表面には、前記凹部と嵌合するような凸部(1c)が形成されており、
前記成形樹脂の注入の際に、前記凹部と凸部(1c)が嵌合するようになっていることを特徴とする請求項1または2に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 半導体チップ(3)と、該半導体チップが搭載されたアイランド(2a)を有するリードフレーム(2)と、放熱板(1)とを備え、前記放熱板が前記アイランドのうち前記半導体チップが搭載された側とは反対側に配置されて、これら半導体チップとリードフレームと放熱板とが、成形樹脂(4)によって封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、
前記放熱板における前記アイランドとは反対側の面である裏面が、中央付近から周囲に向けて、前記裏面に対向する前記成形樹脂の外縁である放熱板対向面(4a)から遠ざかるように徐々に傾斜しており、
前記リードフレームのうちのインナーリード(2a)における前記放熱板と対向する面と前記放熱板対向面との距離を第1の寸法(M1)とし、前記放熱板のうち前記半導体チップの法線方向における前記リードフレームから最も遠い部位(A)と前記裏面の端部(B)との差を第2の寸法(M2)とし、前記第1の寸法から前記第2の寸法を差し引いた寸法を第3の寸法とし、
前記第2の寸法が前記第3の寸法よりも大きくなっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000382419A JP4396028B2 (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000382419A JP4396028B2 (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002184799A JP2002184799A (ja) | 2002-06-28 |
JP4396028B2 true JP4396028B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=18850244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000382419A Expired - Fee Related JP4396028B2 (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4396028B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003261857A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-29 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device manufacturing method |
JP7388912B2 (ja) | 2019-12-23 | 2023-11-29 | ダイヤゼブラ電機株式会社 | イグナイタ |
-
2000
- 2000-12-15 JP JP2000382419A patent/JP4396028B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002184799A (ja) | 2002-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950009624B1 (ko) | 방열부를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR100255550B1 (ko) | 오프셋 와이어 본드 및 지지블록 공동을 사용한 양면 와이어 본드된 집적 회로 칩 패키지 및 그 제조방법 | |
US7679172B2 (en) | Semiconductor package without chip carrier and fabrication method thereof | |
JP2556294B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP4614586B2 (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
KR930004246B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 | |
JP4614584B2 (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
JP2010524260A (ja) | 光カプラ・パッケージ | |
JP2586835B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US20040036154A1 (en) | High performance thermally enhanced package and method of fabricating the same | |
US6075281A (en) | Modified lead finger for wire bonding | |
KR100591718B1 (ko) | 수지-밀봉형 반도체 장치 | |
JP3606078B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4396028B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2593702B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2001035985A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
JP3702655B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPH0846100A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2765507B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP3642545B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP4120101B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP4614579B2 (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
JP3082507U (ja) | ダブルサイドチップパッケージ | |
JP2756436B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2003086756A (ja) | Icパッケージおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081008 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081014 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090929 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091012 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |