JP2558840B2 - モールドダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
モールドダイオードおよびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はモールドダイオードの構造及び、その製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来の技術 従来、モールドダイオードは第3図に示すように、ダ
イオードの特性を出すペレット20,ペレットの電気的特
性を外部に導き出すリード21a,21b,ペレット20とリード
21bを電気的に接合するワイヤ22、これらを固定し、外
観を形成するモールド樹脂23から形成されていた。
イオードの特性を出すペレット20,ペレットの電気的特
性を外部に導き出すリード21a,21b,ペレット20とリード
21bを電気的に接合するワイヤ22、これらを固定し、外
観を形成するモールド樹脂23から形成されていた。
製造工程では、第4図に示すようにモールド成形工程
で、ペレット20をマウントし、ワイヤ22で接続したリー
ドフレームをモールド金型(図示せず)内に配置してお
いて、モールド金型内にモールド樹脂23を供給してモー
ルド成形後、モールド樹脂23とリードフレームの不要部
分を切断除去していた。
で、ペレット20をマウントし、ワイヤ22で接続したリー
ドフレームをモールド金型(図示せず)内に配置してお
いて、モールド金型内にモールド樹脂23を供給してモー
ルド成形後、モールド樹脂23とリードフレームの不要部
分を切断除去していた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、この場合、モールド樹脂23が、ペレッ
ト20とリードフレーム21a,21b,ワイヤ22の全てを覆うた
め、外形寸法の小型化がしにくい構造であり、一方、製
造工程においてはモールド成形時のモールド樹脂のカス
24およびリードフレームの切断後のくず25が発生するも
のであった。
ト20とリードフレーム21a,21b,ワイヤ22の全てを覆うた
め、外形寸法の小型化がしにくい構造であり、一方、製
造工程においてはモールド成形時のモールド樹脂のカス
24およびリードフレームの切断後のくず25が発生するも
のであった。
課題を解決するための手段 そこで、本発明は、裏表の両面に電極をつけたペレッ
トをモールド樹脂で覆い、樹脂の外部に出たペレットの
電極に外部電極を電気的に接合させ、リードフレーム,
ワイヤを用いない構造にした。
トをモールド樹脂で覆い、樹脂の外部に出たペレットの
電極に外部電極を電気的に接合させ、リードフレーム,
ワイヤを用いない構造にした。
また、製造方法において、(a)ウェハー内に多数の
ダイオードを形成するウェハー製造工程と、(b)前記
ウェハーを個々のダイオードペレットに分割するペレッ
ト分割工程と、(c)各ペレット間にモールド樹脂を流
し込むモールド成形工程と、(d)ペレットの電極をモ
ールド樹脂の表面に出すモールド研磨工程と、(e)各
ダイオードの電化的特性を検査測定する検測工程と、
(f)モールド樹脂を分割し、個々のモールドダイオー
ドに分ける分割工程と、(g)個々のモールドダイオー
ドに外部電極を取付ける工程とを含むことを特徴とす
る。
ダイオードを形成するウェハー製造工程と、(b)前記
ウェハーを個々のダイオードペレットに分割するペレッ
ト分割工程と、(c)各ペレット間にモールド樹脂を流
し込むモールド成形工程と、(d)ペレットの電極をモ
ールド樹脂の表面に出すモールド研磨工程と、(e)各
ダイオードの電化的特性を検査測定する検測工程と、
(f)モールド樹脂を分割し、個々のモールドダイオー
ドに分ける分割工程と、(g)個々のモールドダイオー
ドに外部電極を取付ける工程とを含むことを特徴とす
る。
作用 上記の構造にすることにより、モールドダイオードの
外形寸法をさらに小さく1mm以下にすることができ、リ
ードフレームのカットくずが発生せず、モールド樹脂の
ムダの少ない製造方法により製造することができる。
外形寸法をさらに小さく1mm以下にすることができ、リ
ードフレームのカットくずが発生せず、モールド樹脂の
ムダの少ない製造方法により製造することができる。
実施例 次に本発明について、図面に従って説明する。
第1図(a)は、この発明の一実施例のモールドダイ
オードの断面図である。図において1aはダイオードペレ
ット、1b,1bはペレットにつけられたペレット電極であ
り、ペレット1a及びペレット電極1b,1bの周囲はモール
ド樹脂2で覆われている。外部電極3は、モールド樹脂
2にはめ込まれ、ペレット電極1b,1bと電気的接合をと
る様になっている。
オードの断面図である。図において1aはダイオードペレ
ット、1b,1bはペレットにつけられたペレット電極であ
り、ペレット1a及びペレット電極1b,1bの周囲はモール
ド樹脂2で覆われている。外部電極3は、モールド樹脂
2にはめ込まれ、ペレット電極1b,1bと電気的接合をと
る様になっている。
第2図(a)〜(g)は上記モールドダイオードの製
造方法の実施例である。第2図(a)はウェハー製造工
程で、ウェハー5にペレット電極6,6をウェハー5の裏
表の両面に、各ダイオード素子に対応して付けた構造で
ある。第2図(b)は、前記ウェハー5を貼付テープ7
に貼付けた後、各ダイオードペレット8に分割するペレ
ット分割工程であり、分割されたペレット8はペレット
間にモールド樹脂を流し込むために、貼付テープ7を引
伸ばして、等間隔のすき間をあけて整列している。第2
図(c)はモールド成形工程で、前工程ですき間のあけ
られたペレット8の間にモールド樹脂9を流し込み固め
たものである。第2図(d)はモールド研磨工程で、前
工程でペレット電極6,6の上面にムダについたモールド
樹脂9を研磨し、ペレット電極6,6をモールド樹脂9の
外部に出すものである。
造方法の実施例である。第2図(a)はウェハー製造工
程で、ウェハー5にペレット電極6,6をウェハー5の裏
表の両面に、各ダイオード素子に対応して付けた構造で
ある。第2図(b)は、前記ウェハー5を貼付テープ7
に貼付けた後、各ダイオードペレット8に分割するペレ
ット分割工程であり、分割されたペレット8はペレット
間にモールド樹脂を流し込むために、貼付テープ7を引
伸ばして、等間隔のすき間をあけて整列している。第2
図(c)はモールド成形工程で、前工程ですき間のあけ
られたペレット8の間にモールド樹脂9を流し込み固め
たものである。第2図(d)はモールド研磨工程で、前
工程でペレット電極6,6の上面にムダについたモールド
樹脂9を研磨し、ペレット電極6,6をモールド樹脂9の
外部に出すものである。
第2図(e)は各ダイオードペレット8の電気的特性
を検査,測定する工程で、前工程でムキ出しになったペ
レット電極6,6に検測ピン10a,10bを当て、特性を測定す
る。第2図(f)はモールド分割工程で、各モールド素
子11毎に切り離す。第2図(g)は電極取付け工程で、
前工程で分割されたダイオード素子11毎に外部電極12を
取り付ける。
を検査,測定する工程で、前工程でムキ出しになったペ
レット電極6,6に検測ピン10a,10bを当て、特性を測定す
る。第2図(f)はモールド分割工程で、各モールド素
子11毎に切り離す。第2図(g)は電極取付け工程で、
前工程で分割されたダイオード素子11毎に外部電極12を
取り付ける。
実施例2 第1図(b)は、外部電極4をメッキにより付けた他
の実施例であり、その他は第1図(a)と同じである。
の実施例であり、その他は第1図(a)と同じである。
この実施例のモールドダイオードの製造方法は、第2
図(a)〜(e)までは第1図(a)の実施例の場合と
同様であるが、この後、一方のペレット電極6を共通電
極に接続して他方のペレット電極6に外部電極4をメッ
キ形成し、さらに外部電極4を共通電極に接続して一方
のペレット電極6に外部電極4をメッキ形成して、モー
ルド樹脂9を分割して各モールド素子に分割する。
図(a)〜(e)までは第1図(a)の実施例の場合と
同様であるが、この後、一方のペレット電極6を共通電
極に接続して他方のペレット電極6に外部電極4をメッ
キ形成し、さらに外部電極4を共通電極に接続して一方
のペレット電極6に外部電極4をメッキ形成して、モー
ルド樹脂9を分割して各モールド素子に分割する。
なお、第2図(e)の検測工程を省略して、モールド
素子を形成後に検測工程を実施してもよい。
素子を形成後に検測工程を実施してもよい。
発明の効果 上述のように、本発明のモールドダイオードはリード
フレームやワイヤを使用しない構造としたことにより、
外形寸法の小型化がしやすく、1mm以下にすることがで
き、又製造方法においては、モールド樹脂のムダが発生
しなく、リードフレームのカットくずが発生しない方法
で製造できる効果がある。
フレームやワイヤを使用しない構造としたことにより、
外形寸法の小型化がしやすく、1mm以下にすることがで
き、又製造方法においては、モールド樹脂のムダが発生
しなく、リードフレームのカットくずが発生しない方法
で製造できる効果がある。
第1図(a),(b)は本発明の異なる実施例のモール
ドダイオードの断面図、第2図(a)ないし(g)は本
発明のモールドダイオード製造方法を示す各工程の断面
図である。 第3図は従来のモールドダイオードの断面図、第4図は
従来のモールドダイオードのモールド成形後の平面図で
ある。 1a……ダイオードペレット、 1b……ペレット電極、 2……モールド樹脂、 3,4……外部電極、 5……ウェハー、 6……ペレット電極、 7……貼付テープ、 8……ダイオードペレット、 9……モールド樹脂、 10a,10b……検測ピン、 11……モールド素子、 12……外部電極。
ドダイオードの断面図、第2図(a)ないし(g)は本
発明のモールドダイオード製造方法を示す各工程の断面
図である。 第3図は従来のモールドダイオードの断面図、第4図は
従来のモールドダイオードのモールド成形後の平面図で
ある。 1a……ダイオードペレット、 1b……ペレット電極、 2……モールド樹脂、 3,4……外部電極、 5……ウェハー、 6……ペレット電極、 7……貼付テープ、 8……ダイオードペレット、 9……モールド樹脂、 10a,10b……検測ピン、 11……モールド素子、 12……外部電極。
Claims (2)
- 【請求項1】裏表の両面に電極をつけたペレットをモー
ルド樹脂でおおい、樹脂の外部に出たペレットの電極に
外部電極を電気的に接合させて取り付けたモールドダイ
オード。 - 【請求項2】a)ウェハー内に多数のダイオードを形成
するウェハー製造工程と、 b)前記ウェハーを個々のダイオードペレットに分割す
るペレット分割工程と、 c)各ペレット間にモールド樹脂を流し込むモールド成
形工程と、 d)ペレットの電極をモールド樹脂の表面に出すモール
ド研磨工程と、 e)各ダイオードの電気的特性を検査測定する検測工程
と、 f)モールド樹脂を分割し、個々のモールドダイオード
に分ける分割工程と、 g)個々のモールドダイオードに外部電極を取付ける工
程とを含むことを特徴とするモールドダイオードの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63237790A JP2558840B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | モールドダイオードおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63237790A JP2558840B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | モールドダイオードおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0286150A JPH0286150A (ja) | 1990-03-27 |
JP2558840B2 true JP2558840B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=17020470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63237790A Expired - Fee Related JP2558840B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | モールドダイオードおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2558840B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4685251B2 (ja) * | 2000-02-09 | 2011-05-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
JP2007036036A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 太陽電池モジュール用端子ボックス |
US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
JP5075890B2 (ja) | 2008-09-03 | 2012-11-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4970388B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2012-07-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63237790A patent/JP2558840B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH0286150A (ja) | 1990-03-27 |
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