JPS5923526A - トランスフアモ−ルド方法および装置 - Google Patents
トランスフアモ−ルド方法および装置Info
- Publication number
- JPS5923526A JPS5923526A JP13198382A JP13198382A JPS5923526A JP S5923526 A JPS5923526 A JP S5923526A JP 13198382 A JP13198382 A JP 13198382A JP 13198382 A JP13198382 A JP 13198382A JP S5923526 A JPS5923526 A JP S5923526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plunger
- resin
- transfer
- cavity
- displacement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランスファモールド装置、特に半導体装置の
レジンモールドに好適なトランスファモールド装置に関
する。
レジンモールドに好適なトランスファモールド装置に関
する。
一般に、この種のトランスファモールド装置間におりて
は、高周波により所定の温度（粘度、硬度）に加熱した
モールド用レジンのタブレットヲポットに投入し、その
タブレットをプランジャにより定速で移送して各モール
ド用キャビティの中に充填している。
は、高周波により所定の温度（粘度、硬度）に加熱した
モールド用レジンのタブレットヲポットに投入し、その
タブレットをプランジャにより定速で移送して各モール
ド用キャビティの中に充填している。
ところが、たとえば半導体装置のトランスファモールド
用のモールド金型は一度に多数のＪｌｌ、７品をモール
ドする多数個取り構造になってｂる。そのため、たとえ
ば最もポットに近い位１道にあるキャビティと最も遠い
位置のキャビティとでは、レジンの充填時Ｍが発止し、
最下流位ｔｑのキャビティの充填時期が最も遅れてしま
う。
用のモールド金型は一度に多数のＪｌｌ、７品をモール
ドする多数個取り構造になってｂる。そのため、たとえ
ば最もポットに近い位１道にあるキャビティと最も遠い
位置のキャビティとでは、レジンの充填時Ｍが発止し、
最下流位ｔｑのキャビティの充填時期が最も遅れてしま
う。
このようなレジンの充填状況を移送時間との関係で観察
すると、第１図に示す通９になる。同図において、実線
は最上流部のキャピテイの充填率、破線は中流部のキャ
ビティの充填率、一点鎖１１ｉ！は最下ｔＡｆ部のキャ
ピテイの充填率をそれぞれ示して込る。
すると、第１図に示す通９になる。同図において、実線
は最上流部のキャピテイの充填率、破線は中流部のキャ
ビティの充填率、一点鎖１１ｉ！は最下ｔＡｆ部のキャ
ピテイの充填率をそれぞれ示して込る。
この第１図から判る工う洗い前記充填時差の結果、各キ
ャビティにレジンが充填８ｆＬる速度が異なり、ボンデ
ィングワイヤ丑たはリードの曲り変形等金最も左右する
充す（完了直前の各キャビティのケート部お工びキャビ
ティ内のレジンの流速が最上流から最下流のキャビティ
に行くＫっれて大きくなり、最下流のキャビティはど充
填時差の問題が太きい。
ャビティにレジンが充填８ｆＬる速度が異なり、ボンデ
ィングワイヤ丑たはリードの曲り変形等金最も左右する
充す（完了直前の各キャビティのケート部お工びキャビ
ティ内のレジンの流速が最上流から最下流のキャビティ
に行くＫっれて大きくなり、最下流のキャビティはど充
填時差の問題が太きい。
この工すなレジン充填時差により、竹に最上流部のキャ
ピテイにおいてボンディングワイヤｌたはリードの曲り
変形が生じ、配線密度の商い多ピン型製品では、ワイヤ
またはリードのショートをひき起こ丁という問題が発生
する。
ピテイにおいてボンディングワイヤｌたはリードの曲り
変形が生じ、配線密度の商い多ピン型製品では、ワイヤ
またはリードのショートをひき起こ丁という問題が発生
する。
本発明の目的は、前記昧題に鑑み、キャビティの位置に
よるレジン充填時差に起因するボンディングワイヤまた
はリードの曲り変形等を防止することのできるトランス
ファモールド装置紮提供下ることＫある。
よるレジン充填時差に起因するボンディングワイヤまた
はリードの曲り変形等を防止することのできるトランス
ファモールド装置紮提供下ることＫある。
以下、本発明全図面に示す一実施例にしたがって詳細に
説明する。
説明する。
第２図は本発明によるトランスファモールド装置の一実
施例を示す部分断面図、第３図はそのキャビティ配置全
示す概略平面図である。
施例を示す部分断面図、第３図はそのキャビティ配置全
示す概略平面図である。
この実施例において、符号１はモールド金型の上型、２
は下型でめる。また、符号３は、たとえば高周波で所定
の湯度（粘度、硬度）に加熱ａｒＬ几モールド用レジン
のタブレット４をボット５の中で抑圧移送するプランジ
ャ、８１−ｊ、カル、７はランナ、６はその中でレジン
モールド型半導体装ｆｆｒ／。
は下型でめる。また、符号３は、たとえば高周波で所定
の湯度（粘度、硬度）に加熱ａｒＬ几モールド用レジン
のタブレット４をボット５の中で抑圧移送するプランジ
ャ、８１−ｊ、カル、７はランナ、６はその中でレジン
モールド型半導体装ｆｆｒ／。
全モールドするキャビティである。キャビティ６のうち
、第２図に示す工うに、最上流キャビティは６ ａ ％
最下流キャビティは６ｂでそれぞｆＬ表わされている。
、第２図に示す工うに、最上流キャビティは６ ａ ％
最下流キャビティは６ｂでそれぞｆＬ表わされている。
さらに、符号９はゲートである。
前記プランジャ３の上端部には、接続具【０を弁じて変
位＃Ｆ１１のワイヤ１２が接続さｉｔでいる。
位＃Ｆ１１のワイヤ１２が接続さｉｔでいる。
この変位計１１はプランジャ３の変位鎌倉検出するため
のもので、支柱１３により支持さ扛ている。
のもので、支柱１３により支持さ扛ている。
変位計１１は制御波ｆ（：１．Ｌ４に接続芒れている。
一方、前記キャビティ６のうち、たとえば最下流キャビ
ティ６ｂＫは、その内部のレジン圧力を検出するための
圧力センサ１５か設けられている。
ティ６ｂＫは、その内部のレジン圧力を検出するための
圧力センサ１５か設けられている。
この圧力センサ１５は前記制御装置１４に接続はれてい
る。
る。
制御装用１４は前記変位ｎ１１１および圧カセンザ１５
の両方またはいずｉｌか一方（他方はパターンを・制御
装置工４に読込む）の検出結果に基づいてプレス内の流
ガ１ル１１整弁１６の流力（を絞ってプランジャ３のＭ
、送速度を２段階以上に遅くし、キャビディ６の位置に
よるレジン充填時差をなくしてホンディングワイヤ筐た
はリードの曲り変形およびそれに起因するショート不良
全防止する。
の両方またはいずｉｌか一方（他方はパターンを・制御
装置工４に読込む）の検出結果に基づいてプレス内の流
ガ１ル１１整弁１６の流力（を絞ってプランジャ３のＭ
、送速度を２段階以上に遅くし、キャビディ６の位置に
よるレジン充填時差をなくしてホンディングワイヤ筐た
はリードの曲り変形およびそれに起因するショート不良
全防止する。
仄に、本実施例の作用につｂて説明する。
本実施力でレジンのトランスファモールドを行なう場合
、）’）ｒ定温度に加熱したモールド用レジンのタブレ
ット４會ボツト５の中に入れ、プランジャ３で抑圧移送
し、ランナ７、ゲート９ケ経て名キャビティ６に充填す
る。
、）’）ｒ定温度に加熱したモールド用レジンのタブレ
ット４會ボツト５の中に入れ、プランジャ３で抑圧移送
し、ランナ７、ゲート９ケ経て名キャビティ６に充填す
る。
七の際、プランジャ３の変位間ｔよ変位間１°１１で検
出し、まｔキャビティ６のうちの最−Ｆ’ ｔＡｃキャ
ビティ６ｂ内のレジン圧力を圧カセンーリ“１５で検出
する。
出し、まｔキャビティ６のうちの最−Ｆ’ ｔＡｃキャ
ビティ６ｂ内のレジン圧力を圧カセンーリ“１５で検出
する。
これらの変位量１１によるプランジャ変位量の検出結果
および圧力センサ１５によるレジン圧力の検出結果は制
御装置１４に送られる。制御製放１４はこｎらの検出結
果の両方または一方（他方はパターン全制御装置１４に
読込む）に基づｂてプレス内の流量調整弁１６を絞り、
プランジャ３の移送速度を２段階以上に切り替える。
および圧力センサ１５によるレジン圧力の検出結果は制
御装置１４に送られる。制御製放１４はこｎらの検出結
果の両方または一方（他方はパターン全制御装置１４に
読込む）に基づｂてプレス内の流量調整弁１６を絞り、
プランジャ３の移送速度を２段階以上に切り替える。
本実施例においては、このグランジーｖ３の移送速度の
切替えを行なうに際して第４図に示すような切替操作を
用いている。
切替えを行なうに際して第４図に示すような切替操作を
用いている。
丁なわち、本実施例では、プランジャ３の移送速度は、
最下流キャビティ６ｂへのレジン光」貝完了直前までは
、実線で示す定速移送時の移送速度ｖｏ工りもやや速い
移送速度Ｖ、（破線で示す）でめるが、レジン充填完了
直前（プランジャ３の移送停＋ｈ直前）の時間ｔの間だ
けは前記移送速度Ｖ、およびＶ。よりもさらに遅い移送
速度Ｖｌに２段切替えされる（Ｖ＋ ≧Ｖｏ＞ｖｔ）。
最下流キャビティ６ｂへのレジン光」貝完了直前までは
、実線で示す定速移送時の移送速度ｖｏ工りもやや速い
移送速度Ｖ、（破線で示す）でめるが、レジン充填完了
直前（プランジャ３の移送停＋ｈ直前）の時間ｔの間だ
けは前記移送速度Ｖ、およびＶ。よりもさらに遅い移送
速度Ｖｌに２段切替えされる（Ｖ＋ ≧Ｖｏ＞ｖｔ）。
この移送速度■、でｔ秒間だけレジンを移送し几後、プ
ランジャ１の下降は停止される。
ランジャ１の下降は停止される。
このように、プランジャ３の移送速度Ｖ＋ｆｒレジン光
填完了直前により遅い移送速度ｖｔに２段切替えするこ
とにエリ、本実施例によれば、レジン充填時差に起因し
てモールド中のボンディングワイヤまたはリードが曲り
変形を生じ、それにエリボンディングワイヤ間あるいは
リード間でショート奮起こ丁ことを防止できる。
填完了直前により遅い移送速度ｖｔに２段切替えするこ
とにエリ、本実施例によれば、レジン充填時差に起因し
てモールド中のボンディングワイヤまたはリードが曲り
変形を生じ、それにエリボンディングワイヤ間あるいは
リード間でショート奮起こ丁ことを防止できる。
第４図において、二点鎖澗はキャビティ内しジン圧力全
示す。
示す。
なお、本発明によるプランジャの移送速度の切替えは２
段階に限らず、３段階以上にしてもよい。
段階に限らず、３段階以上にしてもよい。
また、たとえは圧力センサ１５の股置位ｌＩ７は他のキ
ャビティまたはゲート、ランナ等の任詠のレジン流路内
にすることができる。
ャビティまたはゲート、ランナ等の任詠のレジン流路内
にすることができる。
以上説明したように、本発明によｒｔば、ボンディング
ワイヤまたはリードのレジンによる曲り変形を起こさず
、ボンディング間またはリード間におけるショート不良
全防止できる。
ワイヤまたはリードのレジンによる曲り変形を起こさず
、ボンディング間またはリード間におけるショート不良
全防止できる。
第１図はレジンの充填率と移送時間の関係金星す図、
第２因は本発明のトランスファモールド装置の一実施例
を示す部分断面図、 第３図は七のキャビティの配置に？： Ｃｃ示す棋（略
平面図、 第４図はプランジャ変位置と移送時間との関係を示す図
である。 ■・・・上型、２・・・下型、３・・・プランジャ、４
・・・タブレット、５・・・ポット、７・・・ランチ、
（ｉ・・・キャピテイ、９・・・ゲート、１１・・・変
位に１、■４・・・ｆｌｊｌＪり１（１装置、１５・・
・圧カセンザ、１６・・・流ｌｉしｌ’ｉ整弁０代理人
弁理士 渾 １］」 利 （・幸 １゛・、・′ 第 ２ 図 ツノ 第 ４ 図 オ９送Ｉ＋奇問ｒりｅｃ”Ｊ
を示す部分断面図、 第３図は七のキャビティの配置に？： Ｃｃ示す棋（略
平面図、 第４図はプランジャ変位置と移送時間との関係を示す図
である。 ■・・・上型、２・・・下型、３・・・プランジャ、４
・・・タブレット、５・・・ポット、７・・・ランチ、
（ｉ・・・キャピテイ、９・・・ゲート、１１・・・変
位に１、■４・・・ｆｌｊｌＪり１（１装置、１５・・
・圧カセンザ、１６・・・流ｌｉしｌ’ｉ整弁０代理人
弁理士 渾 １］」 利 （・幸 １゛・、・′ 第 ２ 図 ツノ 第 ４ 図 オ９送Ｉ＋奇問ｒりｅｃ”Ｊ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、トランスファモールド用のプランジャの変位量また
はモールド金型内のレジン圧力全検出し、その検出結果
に基づｂて前記プランジャの移送速度を２段階以上に切
り替えることを特徴とするトランスファモールド。 ２、 レジン充填完了直前のプランジャの移送速度を所
足時間だけ遅くすることを１ｒｆｉ＜とする管許請求の
範囲第１項記載のトランスファモールド方法。 ３、モールド用レジンのタブレットヲモールド金型のキ
ャピテイに移送するプランジャと、このプランジャにｊ
ｗさｎで該プランジャの変位ｉｔ検出する変位計と、モ
ールド金型内に設けられ、該モールド金型内のレジン流
路またはキャビティのレジン圧カｔ−検出する圧力セン
サと、前記変位量゛および前記圧力センサの両方′！ま
たはｂずノ１が一方による検査結氷に基づ−て前記プラ
ンジャにょる移送速度を２段階以上に切り替えるＦＪ＝
段とからなるこトラ特徴とテるトランスファモールド装
置１τ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13198382A JPS5923526A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | トランスフアモ−ルド方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13198382A JPS5923526A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | トランスフアモ−ルド方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923526A true JPS5923526A (ja) | 1984-02-07 |
Family
ID=15070805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13198382A Pending JPS5923526A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | トランスフアモ−ルド方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923526A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59125633A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造法 |
| JPS59125632A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
| JPS6278839A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子用樹脂封止装置 |
| JPH03147340A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップのモールドプレス装置 |
| EP0688650A1 (en) * | 1994-01-13 | 1995-12-27 | Citizen Watch Co. Ltd. | Method of resin-sealing semiconductor devices |
| NL1002083C2 (nl) * | 1996-01-12 | 1997-07-15 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het sluiten van vormhelften. |
| KR100465488B1 (ko) * | 1997-09-22 | 2005-05-24 | 삼성전자주식회사 | 금형다이와성형수지의이형력을측정할수있는반도체칩패키지성형금형 |
| US20170355111A1 (en) * | 2014-12-15 | 2017-12-14 | Besi Netherlands B.V. | Mould, Moulding Apparatus and Method for Controlled Overmoulding of a Carrier with Electronic Components and Moulded Product |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP13198382A patent/JPS5923526A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59125633A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造法 |
| JPS59125632A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
| JPS6278839A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子用樹脂封止装置 |
| JPH03147340A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップのモールドプレス装置 |
| EP0688650A1 (en) * | 1994-01-13 | 1995-12-27 | Citizen Watch Co. Ltd. | Method of resin-sealing semiconductor devices |
| EP0688650A4 (en) * | 1994-01-13 | 1997-06-11 | Citizen Watch Co Ltd | RESIN WELDING PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICES |
| NL1002083C2 (nl) * | 1996-01-12 | 1997-07-15 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het sluiten van vormhelften. |
| KR100465488B1 (ko) * | 1997-09-22 | 2005-05-24 | 삼성전자주식회사 | 금형다이와성형수지의이형력을측정할수있는반도체칩패키지성형금형 |
| US20170355111A1 (en) * | 2014-12-15 | 2017-12-14 | Besi Netherlands B.V. | Mould, Moulding Apparatus and Method for Controlled Overmoulding of a Carrier with Electronic Components and Moulded Product |
| TWI679096B (zh) * | 2014-12-15 | 2019-12-11 | 荷蘭商貝西荷蘭有限公司 | 將一載體與電子元件至少部分封裝之模具及封裝之成型裝置及封裝之方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5923526A (ja) | トランスフアモ−ルド方法および装置 | |
| JPS62122136A (ja) | レジンモールド半導体の製造方法および装置 | |
| KR920001029B1 (ko) | 반도체 소자 제조 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPS59179328A (ja) | モ−ルド方法 | |
| JPS6045571B2 (ja) | 樹脂封止用モ−ルド装置 | |
| EP0562556A1 (en) | Method for producing resin sealed type semiconductor device | |
| KR970003930B1 (ko) | 멀티플런저 금형 | |
| US5932160A (en) | Process and mold for encapsulating semiconductor chips having radial runners | |
| JPS58222831A (ja) | トランスフア成形装置 | |
| JP3795790B2 (ja) | 樹脂封止方法 | |
| JP3246037B2 (ja) | 半導体チップのトランスファーモールド用金型 | |
| JPS6198521A (ja) | 成形装置 | |
| JPS6219418A (ja) | 成形装置 | |
| JP3141758B2 (ja) | 樹脂封止方法および電子部品製造方法 | |
| JP3038275B2 (ja) | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| JPH10107054A (ja) | 半導体チップパッケージの成形装置 | |
| JPH03263840A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路の樹脂封止装置 | |
| JP2786469B2 (ja) | 低圧鋳造装置及び低圧鋳造方法 | |
| JPS59189636A (ja) | トランスフアモ−ルド半導体部品製造方法およびその装置 | |
| JPH0691687A (ja) | トランスファーモールド方法 | |
| JPH02122636A (ja) | 樹脂封止装置 | |
| JPH071496A (ja) | 成形方法および装置 | |
| JP2001079881A (ja) | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 | |
| JPS62150727A (ja) | 半導体素子封止用移送成形金型 | |
| JPS63158844A (ja) | 樹脂パツケ−ジ型半導体装置のトランスフアモ−ルド法 |