JP3450223B2 - 半導体装置封入用金型、及び、半導体装置封入方法 - Google Patents
半導体装置封入用金型、及び、半導体装置封入方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置一部露
出封入用金型及び露出封入方法に関し、特に、ＰＫＧ表
面に半導体チップ装置を露出させて封入するための半導
体装置一部露出封入用金型及び露出封入方法に関する。
出封入用金型及び露出封入方法に関し、特に、ＰＫＧ表
面に半導体チップ装置を露出させて封入するための半導
体装置一部露出封入用金型及び露出封入方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの裏面をＰＫＧ表面に露出
させてその半導体チップを封入・封止するための方法
が、図７に示されるように知られている。この公知装置
は、ポッティング装置の試料台上に補強フレーム１０１
により補強されたテープ１０２を設置し、シリンジ１０
３の側のＸ−Ｙ−Ｚロボットの駆動、又は、試料台のＸ
−Ｙ駆動により、液状樹脂が入っているシリンジ１０３
を予めデータ入力により指定した軌跡を描かせて、液状
樹脂の塗布を行う。液状樹脂の塗布は、ディスペンサー
ユニット１０４のエアー圧力の制御により、シリンジ１
０３内から液状樹脂をエアー圧力で押し出す。
させてその半導体チップを封入・封止するための方法
が、図７に示されるように知られている。この公知装置
は、ポッティング装置の試料台上に補強フレーム１０１
により補強されたテープ１０２を設置し、シリンジ１０
３の側のＸ−Ｙ−Ｚロボットの駆動、又は、試料台のＸ
−Ｙ駆動により、液状樹脂が入っているシリンジ１０３
を予めデータ入力により指定した軌跡を描かせて、液状
樹脂の塗布を行う。液状樹脂の塗布は、ディスペンサー
ユニット１０４のエアー圧力の制御により、シリンジ１
０３内から液状樹脂をエアー圧力で押し出す。
【０００３】液状樹脂は、そのコストが高く、保管条
件、使用条件の点で、扱いにくい。液状樹脂の塗布量
は、樹脂の粘度とディスペンサーの圧力及び塗布時間に
より異なっている。この塗布量差により、モールド厚の
バラツキが発生する。更に、サンプル設置部の平面度に
よってモールド内での厚みのバラツキが発生する（平面
が出ていなければ、当然に、低い部分に樹脂が偏
る。）。このような塗布方法は、樹脂塗布時に圧力を加
えることができないため、フレームがテープのように薄
い場合、チップの有無により、ボール面側の高さにバラ
ツキが発生する。ボール配置がチップサイズから外れる
ボールがある場合、ボール付け不具合やコプラナリティ
ーの悪化が発生する。
件、使用条件の点で、扱いにくい。液状樹脂の塗布量
は、樹脂の粘度とディスペンサーの圧力及び塗布時間に
より異なっている。この塗布量差により、モールド厚の
バラツキが発生する。更に、サンプル設置部の平面度に
よってモールド内での厚みのバラツキが発生する（平面
が出ていなければ、当然に、低い部分に樹脂が偏
る。）。このような塗布方法は、樹脂塗布時に圧力を加
えることができないため、フレームがテープのように薄
い場合、チップの有無により、ボール面側の高さにバラ
ツキが発生する。ボール配置がチップサイズから外れる
ボールがある場合、ボール付け不具合やコプラナリティ
ーの悪化が発生する。
【０００４】ポッティング方式は、このように、樹脂塗
布時に圧力を加えることが不可能であるため、フレーム
樹脂との密着がトランスファーと比較して弱く、樹脂と
フレーム界面での剥離が発生しやすい。更に、ポッティ
ング方式では、シリンジを低速で（ボイド対策）移動さ
せ液状樹脂を塗布していくため、１サイクルでの塗布時
間が長く、生産能力においてトランスファー方式よりも
劣っている。また、ポッティング方式では、テープ裏面
側の半田ボール配置がチップ内に配置されない場合（フ
ァンアウト構造）は、樹脂部強度がないため、ボール不
具合（コプラナリティー不良、ボール欠落）が発生す
る。このような問題点を克服するためにトランスファー
封入方法を適用する場合、問題点として、（１）露出部
にバリが発生し、そのバリを除去する工程の追加による
製造コストの増大、（２）チップ部を直接金型でクラン
プすることによるチップへのダメージが考えられる。
布時に圧力を加えることが不可能であるため、フレーム
樹脂との密着がトランスファーと比較して弱く、樹脂と
フレーム界面での剥離が発生しやすい。更に、ポッティ
ング方式では、シリンジを低速で（ボイド対策）移動さ
せ液状樹脂を塗布していくため、１サイクルでの塗布時
間が長く、生産能力においてトランスファー方式よりも
劣っている。また、ポッティング方式では、テープ裏面
側の半田ボール配置がチップ内に配置されない場合（フ
ァンアウト構造）は、樹脂部強度がないため、ボール不
具合（コプラナリティー不良、ボール欠落）が発生す
る。このような問題点を克服するためにトランスファー
封入方法を適用する場合、問題点として、（１）露出部
にバリが発生し、そのバリを除去する工程の追加による
製造コストの増大、（２）チップ部を直接金型でクラン
プすることによるチップへのダメージが考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、露出
封入のための成形がバリの発生を招かない半導体装置一
部露出封入用金型及び封入方法を提供することにある。
封入のための成形がバリの発生を招かない半導体装置一
部露出封入用金型及び封入方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】その課題を解決するため
の手段が、下記のように表現される。その表現中の請求
項対応の技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号
等が添記されている。その番号、記号等は、請求項対応
の技術的事項と実施の複数・形態のうちの少なくとも１
つの形態の技術的事項との一致・対応関係を明白にして
いるが、その請求項対応の技術的事項が実施の形態の技
術的事項に限定されることを示すためのものではない。
の手段が、下記のように表現される。その表現中の請求
項対応の技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号
等が添記されている。その番号、記号等は、請求項対応
の技術的事項と実施の複数・形態のうちの少なくとも１
つの形態の技術的事項との一致・対応関係を明白にして
いるが、その請求項対応の技術的事項が実施の形態の技
術的事項に限定されることを示すためのものではない。
【０００７】本発明による半導体装置一部露出封入用金
型は、第１型（１）と、第１型（１）に対して相対的に
可動な第２型（２）と、第１型（１）と第２型（２）の
うちのいずれかの間に挿入され前記第１型（１）と前記
第２型（２）の間に挿入される半導体装置の一部分（１
４，２２）の面に接合し、前記型（１又は２）から離型
することができる離型体（１１）とからなり、離型体
（１１）は、前記面に接合する接合箇所で前記面より広
く形成されている。
型は、第１型（１）と、第１型（１）に対して相対的に
可動な第２型（２）と、第１型（１）と第２型（２）の
うちのいずれかの間に挿入され前記第１型（１）と前記
第２型（２）の間に挿入される半導体装置の一部分（１
４，２２）の面に接合し、前記型（１又は２）から離型
することができる離型体（１１）とからなり、離型体
（１１）は、前記面に接合する接合箇所で前記面より広
く形成されている。
【０００８】離型体（１１）はそれの厚さが実質的に一
様であるフィルムであることが好ましい。更に、第１型
を保持する保持体（６）からなり、第１型（１）と第２
型（２）のいずれかは第１型（１）と第２型（２）との
可動方向に弾性的に可動であるように保持体（６）に対
して弾性的に支持されていることが、射出成形圧に負け
ず、且つ、成形品を傷めない点で好ましい。
様であるフィルムであることが好ましい。更に、第１型
を保持する保持体（６）からなり、第１型（１）と第２
型（２）のいずれかは第１型（１）と第２型（２）との
可動方向に弾性的に可動であるように保持体（６）に対
して弾性的に支持されていることが、射出成形圧に負け
ず、且つ、成形品を傷めない点で好ましい。
【０００９】本発明による半導体装置一部露出封入方法
は、相対的に可動であるように型を形成する第１型
（１）と第２型（２）の間に半導体装置（５）を挿入す
ること、第１型（１）と第２型（２）の間に離型体（１
１）を挿入すること、第１型（１）と第２型（２）のう
ちのいずれかと離型体（１１）との間に半導体装置
（５）を挿入すること、型締めの際に離型体（１１）が
変形する時の変形弾性力よりも弱い圧力で、離型体（１
１）と半導体装置（５）と型とで形成されるキャビティ
ーに封入材料を注入することとからなる。
は、相対的に可動であるように型を形成する第１型
（１）と第２型（２）の間に半導体装置（５）を挿入す
ること、第１型（１）と第２型（２）の間に離型体（１
１）を挿入すること、第１型（１）と第２型（２）のう
ちのいずれかと離型体（１１）との間に半導体装置
（５）を挿入すること、型締めの際に離型体（１１）が
変形する時の変形弾性力よりも弱い圧力で、離型体（１
１）と半導体装置（５）と型とで形成されるキャビティ
ーに封入材料を注入することとからなる。
【００１０】離型体（１１）はそれの厚さが実質的に一
様であるフィルムである。封入材料を注入することは、
型閉めの際に第１型（１）と第２型（２）のいずれかを
その型を保持する保持体（６）に対して弾性的に支持す
る支持力よりも弱い力で封入材料を注入することが好ま
しい。
様であるフィルムである。封入材料を注入することは、
型閉めの際に第１型（１）と第２型（２）のいずれかを
その型を保持する保持体（６）に対して弾性的に支持す
る支持力よりも弱い力で封入材料を注入することが好ま
しい。
【００１１】
【発明の実施の形態】図に一致対応して、本発明による
半導体装置一部露出封入用金型の実施の形態は、トラン
スファー成形型が設けられている。そのトランスファー
成形型は、上型１と下型２とからなる。下型２は、下型
本体３を備えている。下型本体３の上面は、浅い凹面４
が形成されている。凹面４に、後述されるチップ保持体
５が嵌め込まれる。上型１は固定側であり、下型２は可
動側である。
半導体装置一部露出封入用金型の実施の形態は、トラン
スファー成形型が設けられている。そのトランスファー
成形型は、上型１と下型２とからなる。下型２は、下型
本体３を備えている。下型本体３の上面は、浅い凹面４
が形成されている。凹面４に、後述されるチップ保持体
５が嵌め込まれる。上型１は固定側であり、下型２は可
動側である。
【００１２】上型１は、保持体６と押さえ型７をとを備
えている。押さえ型７は、保持体６に案内され、上型１
と下型２とが相対的に運動する方向に、保持体６に対し
て可動である。保持体６の下面と押さえ型７の上面との
間に弾性部材８が介設されている。弾性部材８には、皿
バネが用いられている。押さえ型７の周囲は吸引用空間
９である。吸引用空間９は、真空化される。上型１と下
型２との間に、薄く弾性的に変形するフィルム１１が介
設される。フィルムは一般的にその厚み方向に変形して
僅かにでも圧縮される性質を持っている。フィルム１１
は、図示されない保持体６と押さえ型７との隙間より吸
引され上型１に吸い付けられる。
えている。押さえ型７は、保持体６に案内され、上型１
と下型２とが相対的に運動する方向に、保持体６に対し
て可動である。保持体６の下面と押さえ型７の上面との
間に弾性部材８が介設されている。弾性部材８には、皿
バネが用いられている。押さえ型７の周囲は吸引用空間
９である。吸引用空間９は、真空化される。上型１と下
型２との間に、薄く弾性的に変形するフィルム１１が介
設される。フィルムは一般的にその厚み方向に変形して
僅かにでも圧縮される性質を持っている。フィルム１１
は、図示されない保持体６と押さえ型７との隙間より吸
引され上型１に吸い付けられる。
【００１３】図２及び図３は、半導体装置であるチップ
保持体５を示している。チップ保持体５は、枠１２と、
粘着層を持つ配線パターン層１３と、複数・チップ１４
とから形成されている。配線パターン層１３には、半田
ボールなどが附属している。図３に示されるように、配
線パターン層１３は、その粘着面である上面が枠１２の
裏面に接着されている。枠１２には、開口１５が開けら
れている。開口１５を通して、複数・チップ１４が並べ
られて配線パターン層１３に接合している。
保持体５を示している。チップ保持体５は、枠１２と、
粘着層を持つ配線パターン層１３と、複数・チップ１４
とから形成されている。配線パターン層１３には、半田
ボールなどが附属している。図３に示されるように、配
線パターン層１３は、その粘着面である上面が枠１２の
裏面に接着されている。枠１２には、開口１５が開けら
れている。開口１５を通して、複数・チップ１４が並べ
られて配線パターン層１３に接合している。
【００１４】このようなチップ保持体５が、図１に示さ
れるように、下型２に装着されている。チップ保持体５
の配線パターン層１３が下型２の凹面４にちょうど嵌ま
り込んでいる。凹面４の形状は、チップ保持体５と配線
パターン層１３の形状に合わせて溝加工されている。
れるように、下型２に装着されている。チップ保持体５
の配線パターン層１３が下型２の凹面４にちょうど嵌ま
り込んでいる。凹面４の形状は、チップ保持体５と配線
パターン層１３の形状に合わせて溝加工されている。
【００１５】図４は、下型２が上昇して上型１に密着し
た型締め状態を示している。上型１と下型２に１つの閉
じられたカル１６が形成されている。プランジャ１７が
下型２に嵌め込まれている。カル１６に固形状の樹脂２
１が挿入される。上型１には、カル１６に接続するラン
ナー１８が形成されている。ランナー１８の末端は、保
持体６の下面で開放している。
た型締め状態を示している。上型１と下型２に１つの閉
じられたカル１６が形成されている。プランジャ１７が
下型２に嵌め込まれている。カル１６に固形状の樹脂２
１が挿入される。上型１には、カル１６に接続するラン
ナー１８が形成されている。ランナー１８の末端は、保
持体６の下面で開放している。
【００１６】フィルム１１は、自動供給され自動排出さ
れる。その自動供給・排出装置は、図示されていない。
そのような自動供給・排出装置は、一般に慣用手段であ
る。その慣用手段は、フィルムを巻き出して供給するた
めの供給側ロールと、１回のトランスファー成形の後の
使用ずみフィルムを巻き取って排出するための排出側ロ
ールとからなり、上型１の一端部と他端部にローラが配
置され、供給排出時には一連の連続フィルムはその複数
ローラにより案内されて供給と排出が同時に行われる。
れる。その自動供給・排出装置は、図示されていない。
そのような自動供給・排出装置は、一般に慣用手段であ
る。その慣用手段は、フィルムを巻き出して供給するた
めの供給側ロールと、１回のトランスファー成形の後の
使用ずみフィルムを巻き取って排出するための排出側ロ
ールとからなり、上型１の一端部と他端部にローラが配
置され、供給排出時には一連の連続フィルムはその複数
ローラにより案内されて供給と排出が同時に行われる。
【００１７】図４に示される型締め状態では、保持体６
の下面と押さえ型７の下面は、フィルム１１の上面に一
致して同一平面を形成している。樹脂は熱で溶融し、溶
融した樹脂はプランジャ１７により圧力を加えられて、
ランナー１８から後述するキャビティーに注入され、チ
ップ保持体５の開口１５に注入される。
の下面と押さえ型７の下面は、フィルム１１の上面に一
致して同一平面を形成している。樹脂は熱で溶融し、溶
融した樹脂はプランジャ１７により圧力を加えられて、
ランナー１８から後述するキャビティーに注入され、チ
ップ保持体５の開口１５に注入される。
【００１８】このような型締め時の状態が、図５に詳し
く示されている。フィルム１１は、チップ１４と押さえ
型７との間で両側から押さえつけられ、弾性変形して、
その一部は複数・チップ１４により圧縮されている。溶
融樹脂２１は、複数・チップ１４の上面と押さえ型７の
下面との間に入り込まないので、複数・チップ１４の上
面の縁にバリが生じることがない。
く示されている。フィルム１１は、チップ１４と押さえ
型７との間で両側から押さえつけられ、弾性変形して、
その一部は複数・チップ１４により圧縮されている。溶
融樹脂２１は、複数・チップ１４の上面と押さえ型７の
下面との間に入り込まないので、複数・チップ１４の上
面の縁にバリが生じることがない。
【００１９】両型間の異常圧力上昇及びチップ厚バラツ
キに対して、チップ１４に亀裂などの損傷が生じること
を防止するように、上型１の押さえ型７はフローティン
グ状態にある。このときの押さえ型７の設定圧力は、圧
力負けを起こさないように、射出成形圧力よりも高い。
このような圧力設定は、既述のバリの発生を有効に防止
することができる。実効射出圧力が１００ｋｇ／平方ｃ
ｍであるのに対して、押さえ型７の設定圧力は２００ｋ
ｇ／平方ｃｍである。
キに対して、チップ１４に亀裂などの損傷が生じること
を防止するように、上型１の押さえ型７はフローティン
グ状態にある。このときの押さえ型７の設定圧力は、圧
力負けを起こさないように、射出成形圧力よりも高い。
このような圧力設定は、既述のバリの発生を有効に防止
することができる。実効射出圧力が１００ｋｇ／平方ｃ
ｍであるのに対して、押さえ型７の設定圧力は２００ｋ
ｇ／平方ｃｍである。
【００２０】このように、フィルム１１と押さえ型７の
圧力設定により、チップの厚みのバラツキに対応して、
全チップが均等な圧力で押さえ型７により押さえられ、
露出面のバリの発生を有効に防止している。
圧力設定により、チップの厚みのバラツキに対応して、
全チップが均等な圧力で押さえ型７により押さえられ、
露出面のバリの発生を有効に防止している。
【００２１】図６は、本発明による実施の他の形態を示
している。この実施の形態の成形対象であるチップ保持
体５’は、図２のチップ保持体と異なっている。チップ
１４は、リードフレーム２０に固着されている。リード
フレーム２０とチップの電極とは、ボンディングワイヤ
１９により接続されている。
している。この実施の形態の成形対象であるチップ保持
体５’は、図２のチップ保持体と異なっている。チップ
１４は、リードフレーム２０に固着されている。リード
フレーム２０とチップの電極とは、ボンディングワイヤ
１９により接続されている。
【００２２】チップ１４が固着されている側と反対側の
リードフレーム２０の面に、ヒートスプレッダ２２が対
面している。上型１には、チップ１４とリードフレーム
２０が入り込む上側キャビティ２４が形成されている。
下型２の側に下側キャビティ２５が形成されている。こ
の実施の形態では、チップ１４ではなく、ヒートスプレ
ッダ２２が露出封入されることになる。
リードフレーム２０の面に、ヒートスプレッダ２２が対
面している。上型１には、チップ１４とリードフレーム
２０が入り込む上側キャビティ２４が形成されている。
下型２の側に下側キャビティ２５が形成されている。こ
の実施の形態では、チップ１４ではなく、ヒートスプレ
ッダ２２が露出封入されることになる。
【００２３】フィルム１１’の挿入位置は、下型２とチ
ップ保持体５’との間である。図６の状態で型締めを行
う。フィルム１１’は下側キャビティ２５の底面とヒー
トスプレッダ２２の下面との間で挟まれる。ランナー１
８から樹脂を注入して、ヒートスプレッダ２２の下面を
露出させたままで、ヒートスプレッダ２２の周囲を樹脂
で覆う。
ップ保持体５’との間である。図６の状態で型締めを行
う。フィルム１１’は下側キャビティ２５の底面とヒー
トスプレッダ２２の下面との間で挟まれる。ランナー１
８から樹脂を注入して、ヒートスプレッダ２２の下面を
露出させたままで、ヒートスプレッダ２２の周囲を樹脂
で覆う。
【００２４】この実施の形態においても、ヒートスプレ
ッダ２２の面の縁にバリが生じることが防止されてい
る。この場合は、樹脂の注入圧力でフィルム１１’をヒ
ートスプレッダ２２に適正に押し当てて、バリの発生を
防止する。この実施の形態では、チップ１４は圧迫され
ないので、図１の弾性部材８のようなフローティング機
構は不要である。
ッダ２２の面の縁にバリが生じることが防止されてい
る。この場合は、樹脂の注入圧力でフィルム１１’をヒ
ートスプレッダ２２に適正に押し当てて、バリの発生を
防止する。この実施の形態では、チップ１４は圧迫され
ないので、図１の弾性部材８のようなフローティング機
構は不要である。
【００２５】
【発明の効果】本発明による半導体装置一部露出封入用
金型及び封入方法は、このようにフィルムを使用するこ
とによりバリの発生を防止することができ、更には、金
型に弾性部材を用いて異常圧力を回避することにより、
トランスファー成形時に半導体（チップ）装置にかかる
負荷が小さく、損傷を与えずに、露出面へのバリの発生
を防止する。又、トランスファー成形による組立が行わ
れることにより、ポッティング封入では高価な樹脂が用
いられが、トランスファー成形によって低廉な材料を用
いることができるため、組立コストが削減される。更
に、ポッティング方式では対応できないファンアウト構
造ＰＫＧへの対応が可能となる。
金型及び封入方法は、このようにフィルムを使用するこ
とによりバリの発生を防止することができ、更には、金
型に弾性部材を用いて異常圧力を回避することにより、
トランスファー成形時に半導体（チップ）装置にかかる
負荷が小さく、損傷を与えずに、露出面へのバリの発生
を防止する。又、トランスファー成形による組立が行わ
れることにより、ポッティング封入では高価な樹脂が用
いられが、トランスファー成形によって低廉な材料を用
いることができるため、組立コストが削減される。更
に、ポッティング方式では対応できないファンアウト構
造ＰＫＧへの対応が可能となる。
【図１】図１は、本発明による半導体装置一部露出封入
用金型の実施の形態を示す断面図である。
用金型の実施の形態を示す断面図である。
【図２】図２は、被封入対象の半導体チップ装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】図３は、図の正面断面である。
【図４】図４は、型締め時の型を示す断面図である。
【図５】図５は、作用解説用断面図である。
【図６】図６は、本発明による半導体装置一部露出封入
用金型の実施の他の形態を示す断面図である。
用金型の実施の他の形態を示す断面図である。
【図７】図７は、公知の封入方法を示す正面図である。
１…第１型
２…第２型
５…半導体チップ保持体（半導体装置）
６…保持体
１１…離型体（フィルム）
１４…チップ（半導体装置の一部分）
２２…ヒートスプレッダ（半導体装置の一部分）
Claims (7)
- 【請求項１】第１型と、 前記第１型に対して相対的に可動な第２型と、 前記第１型と前記第２型の間に挿入される離型体とを構
成し、 前記第２型は第１凹部を有し、 前記第１型は、保 持体と、押 さえ型とを形成し、 前記保持体は、前記第１凹部に対向する位置に第２凹部
を有し、 前記押さえ型は、前記第２凹部の中で前記保持体に対し
て弾性的に支持され、前記押さえ型は、前記保持体に案内され前記第１型と前
記第２型とが相対的に運動する方向に、前記保持体に対
して可動であり、 半 導体装置は前記第１凹部に装着され、前記離型体の表
面と裏面は、型締め時に、前記押さえ型と前記半導体装
置とにそれぞれに接合する半導体装置封入用金型。 - 【請求項２】請求項１において、 前記離型体はそれの厚さが実質的に一様であるフィルム
であることを特徴とする半導体装置封入用金型。 - 【請求項３】請求項２において、 前記フィルムはその厚み方向に弾性的に変形することが
できることを特徴とする半導体装置封入用金型。 - 【請求項４】請求項１の半導体装置封入用金型を用いて
半導体装置を封入する半導体装置封入方法であり、 前記第１凹部に前記半導体装置を装着するステップと、 前記押さえ型と前記半導体装置の間に離型体を挿入する
ステップとを構成し、 型締めの際に前記離型体が変形する時の変形弾性力より
も弱い圧力で、前記離型体と前記半導体装置と前記型と
で形成されるキャビティーに封入材料を注入するステッ
プとを構成する半導体装置封入方法。 - 【請求項５】請求項４において、 前記離型体はそれの厚さが実質的に一様であるフィルム
である半導体装置封入方法。 - 【請求項６】請求項４において、更に、 前記離型体を前記押さえ型から離型させることを更に構
成する半導体装置封入方法。 - 【請求項７】請求項４において、 前記封入材料を注入するステップは、型閉めの際に前記
押さえ型を前記保持体に対して弾性的に支持する支持力
よりも弱い力で前記封入材料を注入するステップを形成
する半導体装置封入方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14767399A JP3450223B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体装置封入用金型、及び、半導体装置封入方法 |
| SG200002876A SG98399A1 (en) | 1999-05-27 | 2000-05-25 | Mold assembly and method for encapsulating semiconductor device |
| US09/577,592 US6554598B1 (en) | 1999-05-27 | 2000-05-25 | Mold assembly for encapsulating semiconductor device |
| KR10-2000-0028584A KR100389569B1 (ko) | 1999-05-27 | 2000-05-26 | 반도체소자를 캡슐화하기 위한 몰드조립 및 방법 |
| US10/373,085 US20030122279A1 (en) | 1999-05-27 | 2003-02-26 | Mold assembly and method for encapsulating semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14767399A JP3450223B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体装置封入用金型、及び、半導体装置封入方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000334782A JP2000334782A (ja) | 2000-12-05 |
| JP3450223B2 true JP3450223B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=15435701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14767399A Expired - Fee Related JP3450223B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体装置封入用金型、及び、半導体装置封入方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6554598B1 (ja) |
| JP (1) | JP3450223B2 (ja) |
| KR (1) | KR100389569B1 (ja) |
| SG (1) | SG98399A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030024116A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-02-06 | Gerhard Engeser | Method of establishing an electrical connection |
| US6969918B1 (en) * | 2001-08-30 | 2005-11-29 | Micron Technology, Inc. | System for fabricating semiconductor components using mold cavities having runners configured to minimize venting |
| JP4200758B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2008-12-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パネルの樹脂塗布方法、ディスプレイ用パネルの製造方法及び樹脂塗布装置 |
| JP4607429B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2011-01-05 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP3941945B2 (ja) * | 2003-04-16 | 2007-07-11 | ミネベア株式会社 | レゾルバの巻線保護用樹脂モールド方法 |
| US7241414B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-07-10 | Asm Technology Singapore Pte Ltd. | Method and apparatus for molding a semiconductor device |
| JP4443334B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-03-31 | Ｔｏｗａ株式会社 | 半導体素子の樹脂封止成形方法 |
| KR100693269B1 (ko) * | 2005-09-09 | 2007-03-13 | 세크론 주식회사 | 반도체 제조용 프레스 금형장치 |
| JP4084844B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2008-04-30 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| JP2007095804A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| JP4855026B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2012-01-18 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| US7771181B2 (en) * | 2005-11-14 | 2010-08-10 | 3M Innovative Properties Company | Gasket molding system for membrane electrode assemblies |
| US20070298268A1 (en) * | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Gelcore Llc | Encapsulated optoelectronic device |
| CN101531041B (zh) * | 2008-03-12 | 2012-03-14 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 模具结构 |
| JP5208099B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2013-06-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 流量センサとその製造方法、及び流量センサモジュール |
| US20130328220A1 (en) * | 2012-06-12 | 2013-12-12 | KyungHoon Lee | Integrated circuit packaging system with film assist and method of manufacture thereof |
| JP5971270B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2016-08-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| CN111609773A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-09-01 | 西安庆华民用爆破器材股份有限公司 | 一种电子雷管自动蘸药用分体式模具 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69501632T2 (de) * | 1994-11-21 | 1998-07-23 | Apic Yamada Corp | Harzformmaschine mit Trennfolie |
| NL9500238A (nl) * | 1995-02-09 | 1996-09-02 | Fico Bv | Omhulinrichting met compensatie-element. |
| US5609889A (en) * | 1995-05-26 | 1997-03-11 | Hestia Technologies, Inc. | Apparatus for encapsulating electronic packages |
| US6048483A (en) * | 1996-07-23 | 2000-04-11 | Apic Yamada Corporation | Resin sealing method for chip-size packages |
| JP3129660B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2001-01-31 | アピックヤマダ株式会社 | Ｓｏｎパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
| US5656549A (en) * | 1996-08-19 | 1997-08-12 | Motorola, Inc. | Method of packaging a semiconductor device |
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| JP3017470B2 (ja) * | 1997-07-11 | 2000-03-06 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置 |
| JP3357269B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2002-12-16 | アピックヤマダ株式会社 | リリースフィルムを用いる樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 |
| JPH1140593A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Towa Kk | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 |
-
1999
- 1999-05-27 JP JP14767399A patent/JP3450223B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-25 US US09/577,592 patent/US6554598B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-25 SG SG200002876A patent/SG98399A1/en unknown
- 2000-05-26 KR KR10-2000-0028584A patent/KR100389569B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-02-26 US US10/373,085 patent/US20030122279A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100389569B1 (ko) | 2003-06-27 |
| KR20010049421A (ko) | 2001-06-15 |
| JP2000334782A (ja) | 2000-12-05 |
| US20030122279A1 (en) | 2003-07-03 |
| US6554598B1 (en) | 2003-04-29 |
| SG98399A1 (en) | 2003-09-19 |
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