JP3798995B2 - アンダーフィル樹脂モールド方法及び金型 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップをバンプを介して装着した基板において、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド方法（フリップチップの一括アンダーフィル）及びその金型とその方法に用いられる樹脂部材の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば、複数個の半導体チップをバンプ（接続電極）を介して装着した基板において、前記した各半導体チップと基板との間（隙間）に樹脂を注入することが行われているが、この方法は、固定上型と可動下型とからなるアンダーフィル樹脂モールド金型を用いて、次のようにして行われている。
即ち、まず、前記した基板を前記した下型のセット用凹所に供給セットすると共に、前記した両型を型締めすることにより、前記した複数個の半導体チップを前記上型の一つの樹脂注入用のキャビティ内に一括して嵌装セットし、次に、前記した上型キャビティ内に溶融樹脂を注入充填することにより、少なくとも前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入して樹脂注入済基板（成形品）を形成するようにしている。
ところで、前記した各半導体チップの高さ（前記した半導体チップの厚さと前記したバンプの高さとを含む）には、ばらつきが存在するため、前記した金型キャビティの高さ（上型面とキャビティ天面との垂直距離）を後述するように設定して前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入するようにしている。
【０００３】
例えば、前記した金型キャビティの高さ（深さ）を前記した半導体チップの高さの最高値に設定した場合、前記した高さが最高値の半導体チップ以外の半導体チップの天面（表面）と前記したキャビティ天面との間に隙間が発生するので、当該隙間に溶融樹脂が浸入して前記した半導体チップの天面（露出面）に樹脂ばりが付着形成され易い。
更に、前記した半導体チップの天面と前記したキャビティ天面との間に隙間が発生するので、前記したキャビティ天面で前記した半導体チップを前記した基板に押圧固定することができず、前記した半導体チップと基板との間に注入される樹脂の注入圧力にて前記した半導体チップが押し剥がれて破壊される等、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
また、前記した金型キャビティの高さを前記した半導体チップの高さの最低値に設定した場合、前記した高さが最低値の半導体チップ以外の半導体チップの天面が前記したキャビティ天面にて押圧されて前記した半導体チップがその応力で割れ易く、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
また、前記した金型キャビティの高さを前記した半導体チップの高さの平均値に設定した場合、前述したように、前記した半導体チップ天面と前記した金型キャビティ天面との間に隙間が発生したり、且つ、前記した半導体チップを前記した金型キャビティ天面で押圧されることになるので、前記した半導体チップの天面（露出面）に樹脂ばりが付着形成され易く、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
【０００４】
また、１枚の基板に1個の半導体チップを装着した形式の基板について、前述した従来例と同様に、前記した基板を複数枚、一つの金型で略同時に樹脂注入することが行われている。
即ち、前記した一つの金型には、前記した複数枚の基板の数（半導体チップの数）に各別に対応して複数個の金型キャビティが同じ所要の高さで設けられると共に、前記した各金型キャビティ内で前記した１個の半導体チップと１枚の基板と間に樹脂を各別に注入することが行われている。
従って、この場合、前記した各キャビティの高さが同じであるため、前記した従来と同様に、前記した半導体チップの天面（露出面）に樹脂ばりが付着形成され易く、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
即ち、前述したように、半導体チップをバンプ（接続電極）を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合、前記した半導体チップの天面（表面）に樹脂ばりが付着形成され易いと云う弊害があり、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易いと云う弊害がある。
【０００６】
従って、本発明は、半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することを目的とするものである。
また、本発明は、半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記したような技術的課題を解決するための本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド方法は、アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて、高さにばらつきのある複数個の半導体チップの夫々を接続電極を介して一体に装着した基板を前記した金型における基板セット位置に供給して前記した金型を型締めすることにより、前記した金型におけるキャビティ内に前記した半導体チップを嵌装すると共に、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド方法であって、前記した複数個の半導体チップの天面を被覆する所要の厚さを有する樹脂部材を用意する工程と、前記した金型キャビティの高さを、前記した半導体チップの高さと前記した所要の厚さを有する樹脂部材の高さとをあわせた高さよりも低くなるように設定する工程と、前記した金型キャビティ面と前記した金型における基板セット位置に供給した基板に装着した半導体チップ天面との間に、前記した所要の厚さを有する樹脂部材を介在させる工程と、前記した金型を型締する工程と、前記した金型の型締工程時において、前記した金型キャビティ面で前記した樹脂部材を前記した基板の半導体チップ天面に押圧する工程と、前記した金型の型締工程時において、前記した半導体チップ天面と前記した金型キャビティ面との間で前記した樹脂部材を所要の形状に変形させることにより、前記した変形樹脂部材と前記した半導体チップ天面との間に隙間をなくす工程と、前記した金型の型締工程時において、前記した金型キャビティ面に設けた調整部に前記した変形樹脂部材の一部を圧入することにより、前記した半導体チップ天面を押圧する樹脂部材の量を調整する工程とを行うことを特徴とする。
【０００８】
また、前記したような技術的課題を解決するための本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型は、高さにばらつきのある複数個の半導体チップの夫々を接続電極を介して一体に装着した基板における半導体チップを嵌装した金型キャビティ内で前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド金型において、前記した金型キャビティの高さを、前記した金型キャビティに嵌装される半導体チップの高さと、前記した半導体チップ天面と前記した金型キャビティ面との間に介在させる樹脂部材の高さとをあわせた高さよりも低くなるように設定すると共に、前記した金型キャビティ面に、前記した金型の型締時に前記した金型キャビティ内で変形する樹脂部材の一部を圧入することにより、前記した金型キャビティ内における樹脂部材の量を調整する調整部を設けたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
アンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）を用いて複数個の半導体チップの夫々を接続電極を介して一体に装着した基板における各半導体チップと基板との間に樹脂を一括して注入する場合に、まず、前記した基板を前記した金型のセット用凹所に供給すると共に、前記した金型のキャビティ天面と前記した基板の各半導体チップ天面との間に所要の厚さを有する樹脂部材を介在させた状態で、前記金型を所定の型締圧力にて型締めする。
このとき、前記した半導体チップの高さに、ばらつきがあったとしても、前記した所定の型締圧力による前記した金型キャビティ天面から前記した半導体チップ天面方向への所定の押圧力で、前記した金型キャビティ内で前記した金型キャビティ天面と各半導体チップ天面との間に介在する樹脂部材は加熱且つ押圧されて変形することになる。
即ち、前記した所定の押圧力（加熱を含む）にて、前記した変形樹脂部材と前記した半導体チップ天面との間に隙間が発生することを効率良く防止することができる。
また、前記所定の押圧力にて、前記した変形した樹脂部材を介して前記した半導体チップを前記した基板に効率良く押圧固定することができる。
従って、次に、前記した所定の押圧力にて前記した変形した樹脂部材と前記した半導体チップ天面との間に隙間が発生しないように効率良く防止した状態で、且つ、前記所定の押圧力にて前記した変形した樹脂部材を介して前記した半導体チップを前記した基板に効率良く押圧固定した状態で、前記金型キャビティ内に溶融樹脂を所定の樹脂圧で注入することにより、前記した複数個の半導体チップと基板との間に一括して樹脂を注入充填する。
即ち、前述したように構成したので、前記した半導体チップを装着した基板における基板と半導体チップとの間に樹脂を一括して注入充填する場合に、前記した半導体チップ天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができると共に、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００１０】
また、前記した樹脂部材に、前記した半導体チップ天面との間に隙間が発生することを効率良く防止することができる隙間防止用の接着層を設ける構成を採用することができる。
即ち、前記した樹脂部材を介した複数個の半導体チップ天面に対する所定の押圧力と、前記した樹脂部材の接着層による複数個の半導体チップ天面に対する所定の接着力との相乗作用で、前記した複数個の半導体チップ天面と前記した樹脂部材との間に隙間が発生することを効率良く防止することができると共に、前記所定の押圧力にて前記した押圧変形した樹脂部材を介して前記した半導体チップを前記した基板に効率良く押圧固定することができる。
従って、前述した構成と同様に、前記した半導体チップ天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができると共に、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００１１】
また、前記した各構成は、１枚の基板にバンプを介して１個の半導体チップを装着した形式の基板に採用することができる。
即ち、本発明に用いられるアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）には、前記した複数枚の基板（複数個の半導体チップ）の数に対応して同じ高さの金型キャビティが各別に設けられて構成されている。
また、前記した複数枚の基板について、前記した基板に装着した半導体チップを前記した各キャビティ内に各別に嵌装セットすると共に、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を略同時に且つ各別に注入することができる。
従って、前記した構成と同様の作用効果を得ることができる。
【００１２】
【実施例】
以下、実施例図に基づいて説明する。
まず、図１・図２（１）・図２（２）・図３・図４（１）・図４（２）・図４（３）を用いて第１実施例を説明する。
なお、図１は本発明に用いられるアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）の全体的に構成を示す図であり、図２（１）・図２（２）・図３に示す金型は、図１に示す金型の要部を拡大して示した図である。
また、図４（１）・図４（２）・図４（３）は前記した金型で樹脂を一括して注入充填された樹脂注入済基板（成形品）を切断分離する工程を説明する図である。
【００１３】
即ち、図例に示すように、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）は、固定上型１と前記上型１に対向配置した可動下型２とから構成されると共に、前記した両型１・２には前記両型１・２を所定の温度にまで加熱する加熱手段（図示なし）が設けられて構成されている。
また、前記した下型２には複数個の半導体チップ３の夫々をバンプ４（接続電極）を介して一体に装着した基板５（被成形品）を供給セットするセット用凹所６が設けられると共に、前記上型１には前記した複数個の半導体チップ３を嵌装セットする樹脂注入用のキャビティ７が設けられて構成されている。
また、前記した上型キャビティ７には前記した複数個の半導体チップ３を各別に収容する収容部８が前記した複数個の半導体チップ３の数と位置に対応して設けられて構成されている。
従って、前記した下型凹所６に前記した基板５を供給セットして前記した下型２を上動することにより、前記した両型１・２を所定の型締圧力にて型締めすることができるように構成されると共に、前記した上型キャビティ７内における各収容部８内に前記した複数個の半導体チップ３を各別に収容（嵌装）セットすることができるように構成されている。
なお、図例に示すように、前記した基板５において、前記したバンプ４の高さを含む半導体チップ３の高さにばらつきがある。
図例においては、前記した半導体チップ３の高さは高さＡと高さＢとで示されると共に、前記した高さＡは前記した高さＢより高さが高い。
【００１４】
また、図例に示すように、前記した各収容部８には当該隣接する収容部８間を連通する連通路９が各別に設けられて構成されている。
また、図示はしていないが、前記した両型１・２には、前記したキャビティ７（前記各収容部８）内に溶融樹脂を注入するゲート（樹脂通路）と、前記キャビティ７内に前記ゲートを通して加熱溶融化した樹脂材料を所定の樹脂圧で注入する樹脂注入機構等の樹脂注入に必要な諸機構等が設けられて構成されている。
即ち、前記した樹脂注入機構から加熱溶融化した樹脂材料を前記キャビティ７内（前記収容部８内）に前記したゲートを通して所定の樹脂圧で注入することにより、前記した各収容部８内に前記した連通路９を通して所定の樹脂圧で順次に注入充填することができるように構成されている。
また、前記したキャビティ７内における各収容部８内に前記した連通路９を通して所定の樹脂圧で当該溶融樹脂を順次に注入充填することができるように構成されている。
即ち、前記したように構成したことにより、前記した各収容部８内で前記した複数個の半導体チップ３と基板５との間１１（隙間）に樹脂１４（充填樹脂）を一括して注入充填することができる。
従って、前記した両型１・２（前記キャビティ７内）で樹脂注入済基板１２（成形品）を成形することができるように構成されている。
【００１５】
また、本発明には、前記した複数個の半導体チップ３の天面１７（表面）に取り付ける（被覆する）所要の厚さ（所要の高さ）Ｃを有する樹脂部材１０が用いられるように構成されている。
即ち、前記した樹脂部材１０は、後述するように、前記した半導体チップ３の天面１７に加熱且つ押圧されて取り付けられるものであって、前記した半導体チップ天面１７と前記した樹脂部材１０との間に隙間が発生することを効率良く防止することにより、前記した半導体チップ天面１７に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができ、前記樹脂部材１０は、樹脂ばり防止用として、或いは、半導体チップ押圧用として用いられるものである。
また、本実施例では、個片状であって所要の厚さＣを有する樹脂部材１０が用いられるように構成されている。
また、前記した個片状の樹脂部材１０における平面形状は、例えば、前記した半導体チップ３天面１７の形状（例：矩形状）に対応して構成されている。
従って、前記した複数個の半導体チップ３に各別に前記した個片状の樹脂部材１０を取り付ける（被覆する）と共に、前記した下型セット用凹所６に前記基板５を供給セットして前記した両型１・２を型締めすることにより、前記した複数個の半導体チップ３に前記した個片状の所要の厚さＣを有する樹脂部材１０を各別に取り付けた状態で、前記した金型キャビティ７における各収容部８内に前記した各半導体チップ３を各別に収容することができるように構成されている。
【００１６】
また、前記した半導体チップ３の高さにばらつきがある場合に、前記した両型１・２を所定の型締圧力にて型締めした時、前記した収容部８内で、前記した収容部８の天面（前記したキャビティ７の天面１８）にて前記した半導体チップ３天面１７上の所要の厚さを有する樹脂部材１０を加熱且つ押圧して変形させることができるように構成されている。
また、更に、前記した変形樹脂部材１０で前記した半導体チップ３の天面１７を前記した所定の型締圧力による所定の押圧力で、前記した金型キャビティ７の天面１７（金型キャビティ面）から前記した半導体チップ３方向へ押圧することができるように構成されている。
従って、前述したように構成したことにより、前記した所定の押圧力で、前記押圧変形した樹脂部材１０と前記半導体チップ３天面との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
このとき、前記した収容部８内（前記金型キャビティ７内）で、前記した収容部８の天面と前記した半導体チップ３天面との間には、前記した変形した樹脂部材１０が所要の形状にて介在することになる。
【００１７】
なお、前記した両型１・２は前記した加熱手段にて所定の温度にまで加熱されており、前記したキャビティ面１７（前記した収容部面）を介して前記した樹脂部材１０を加熱することができるように構成されているので、例えば、前記樹脂部材１０は加熱されることによって軟化し変形することになる。
また、前記した金型キャビティ７は所要の高さＤ（前記した上型１の型面から前記した金型キャビティ７の天面１８までの垂直距離）を備えており、前記した両型１・２の型締時に、前記した金型キャビティ７内に、前記した金型キャビティ７の天面１８と前記した半導体チップ３の天面１７との間に前記した樹脂部材１０を介在させる樹脂部材介在用の空間部が形成されて構成されている。
また、前記した金型キャビティ７の所要の高さＤは、前記した半導体チップの高さＡ・Ｂと前記した樹脂部材１０の所要の厚さＣとを合計した高さより低くなるように構成されている。
即ち、前記した両型１・２の型締時に、所定の型締圧力による所定の押圧力にて前記した金型キャビティ７の天面１８で前記した半導体チップ３の天面１７を前記した樹脂部材１０を介して押圧することができるように構成され、前記金型キャビティ７内で前記した樹脂部材１０は押圧されて変形することになる。
従って、前記した両型１・２の型締時に、前記した金型キャビティ７内で、前記した樹脂部材１０は加熱且つ押圧されて変形することになる。
【００１８】
また、本実施例において、例えば、前記した樹脂注入機構による所定の樹脂圧を前記した半導体チップ３天面を押圧する所定の押圧力（所定の型締圧力）より小さく設定する構成を採用することができる。
即ち、前記した複数個の半導体チップ３と基板５との間１１に樹脂を注入するとき、前記した押圧変形した樹脂部材１０と前記した半導体チップ３天面との間に隙間が発生しないように構成することができるので、前記した半導体チップ３側の隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができるように構成されている。
【００１９】
即ち、まず、前記した基板５に装着した複数個の半導体チップ３の天面に前記した個片状で且つ所要の厚さを有する樹脂部材１０を取り付けると共に、前記した下型のセット用凹所６に前記した樹脂部材１０を取り付けた状態の基板５を供給セットする。
なお、このとき、前記した下型凹所６内の基板５の上面（前記バンプ４装着側）の位置は前記した下型２の型面の位置に合致している。
また、次に、前記両型１・２を所定の型締め圧力で型締めすることにより、前記した複数個の半導体チップ３を前記した上型キャビティ７における各収容部８内に各別に収容する。
このとき、前記した収容部８内において、前記した収容部８の天面（前記キャビティ７の天面１８）で、前記した半導体チップ３天面上の樹脂部材１０は加熱且つ所定の押圧力で押圧されて変形されると共に、前記した半導体チップ３の天面１７と前記した変形した樹脂部材１０との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
即ち、次に、前記したゲートを通して前記キャビティ７内に加熱溶融化された樹脂材料を注入することにより、前記キャビティ７における連通部９を通して前記した各収容部８内に所定の樹脂圧で当該溶融樹脂を注入することができる。
従って、前記した各収容部８内において、前記した半導体チップ３天面１７を前記した変形した樹脂部材１０を介して所定の押圧力で押圧した状態で、前記した収容部８内における半導体チップ３と基板５との間に当該溶融樹脂樹脂を所定の樹脂圧で注入充填することにより、前記したキャビティ７内で前記した樹脂注入済基板１２（製品）を形成することができる。
なお、前記した収容部８内における半導体チップ３と基板５との間に注入充填した当該溶融樹脂の硬化に必要な所要時間の経過後、前記した両型１・２を型開きすることにより、前記した樹脂注入済基板１２を前記した半導体チップ３の天面に前記した押圧変形した樹脂部材１０を取り付けた状態で取り出し、次に、前記した半導体チップ３の天面から前記した押圧変形した樹脂部材１０を取り外すことになる。
【００２０】
即ち、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３天面と前記した変形した樹脂部材１０との間には隙間は発生しない構成であるので、前記した隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
また、前述したように構成したことにより、前記した所定の押圧力にて前記した変形した樹脂部材１０を介して前記した半導体チップ３の天面１７を前記した基板５に効率良く押圧固定することができるので、前記した各半導体チップ３と基板５との間に樹脂を注入した場合に、前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００２１】
また、前記した樹脂注入工程の後、前記した樹脂注入済基板１２を切断することにより、前記した複数個の半導体チップ３に対応し且つ半導体チップ３の高さ（図例ではＡとＢで示す）の異なる個片１５（フリップチップのパッケージ）が形成されることになる。
即ち、図４（１）に示すように、前記した樹脂注入済基板１２における想定切断部位１６をブレード等の切断刃で切断して分離することにより、図４（２）に示す高さＡの個片１５と、図４（３）に示す高さＢの個片１５とを形成することができる。
【００２２】
また、前記した樹脂部材１０として、熱硬化性の樹脂材料を用いる場合、前記した収容部８内で前記した押圧変形した樹脂部材１０は押圧された状態で且つ所要形状を保持した状態で熱硬化することになる。
即ち、前記収容部８内における当該樹脂の硬化状態にかかわらず（例えば、半硬化状態、完全硬化状態）、前記した半導体チップ３の天面１７を当該硬化状態の硬化樹脂で押圧することができるように構成されている。
【００２３】
また、前記した実施例において、図例に示すように、前記したキャビティ７における各収容部８の天面（前記キャビティ７の天面１８）に、前記した半導体チップ３の天面１７上の樹脂部材１０の量を調整する調整部１３（凹部）を所要数設けて構成してもよい。
例えば、前記した両型１・２の型締時に、前記した収容部８内において、加熱且つ前記した所定の型締圧力（押圧力）で押圧されて変形する樹脂部材１０の一部（過剰分）を前記した調整部１３内に圧入することにより、前記した樹脂部材１０の量を効率良く調整することができるように構成されている。
即ち、前記した量を調整した且つ押圧変形した樹脂部材１０にて前記した半導体チップ３天面１７を押圧することができるように構成されている。
従って、この場合において、前記した収容部８内の樹脂部材１０の量を前記した調整部１３にて効率良く調整し得て、前記実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００２４】
また、次に、図５（１）・図５（２）・図６にて第２実施例を説明する。
なお、図５（１）・図６は本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）であり、図５は前記した金型で樹脂注入される基板である。
【００２５】
即ち、図例に示すように、本発明に用いられる基板２３には複数個の半導体チップ３（図例では５個）が一列に配置して装着されている。
また、前記した実施例と同様に、前記した基板２３（被成形品）に前記した複数個の半導体チップ３の夫々をバンプ４（接続電極）を介して一体に装着されると共に、前記した半導体チップ３の高さにはばらつきがある。
また、図例に示すように、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）は、固定上型２１と前記上型２１に対向配置した可動下型２２とから構成されると共に、前記した下型２２を上動することにより、前記両型２１・２２を所定の型締圧力にて型締めすることができるように構成されている。
また、前記した下型２２には前記した基板２３を供給セットするセット用凹所２４が設けられると共に、前記した上型２１には前記した一列配置の各半導体チップ３を一括して嵌装セットする樹脂注入用キャビティ２５が設けられて構成され、且つ、前記した実施例と同様に、前記した両型２１・２２には樹脂注入に必要な諸機構等が設けられて構成されている。
従って、前記した下型凹所２４に前記した基板２３を供給セットして前記下型２２を上動することにより、前記したキャビティ２５内に前記した一列配置の各半導体チップ３を一括して嵌装することができるように構成されると共に、前記した両型２１・２２にて前記した複数個の半導体チップ３と基板２３との間１１（隙間）に樹脂を注入充填することができるように構成されている。
【００２６】
また、本実施例には、前記した一列配置であって複数個の半導体チップ３天面の全体形状に対応してテープ状（長尺状）の所要の厚さを有する樹脂部材２６（テープ部材）が用いられるように構成されると共に、前記した一列配置の各半導体チップ３天面に対して一枚のテープ状樹脂部材２６を一括して取り付ける（被覆する）ことができるように構成されている。
従って、前記した両型２１・２２の型締時に、前記した一列配置の各半導体チップ３天面に前記したテープ状樹脂部材２６を一括して取り付けた状態で、前記したキャビティ２５内に一括して嵌装セットすることができるように構成されている。
また、前記した実施例と同様に、前記キャビティ２５は所要の高さを備え、前記したキャビティ２５の高さは前記半導体チップ３の高さＡ・Ｂと前記テープ状樹脂部材２６の所要の厚さとを合わせた高さより低く構成されている。
従って、前記した両型２１・２２の型締時に、所定の型締圧力（前記キャビティ２５による所定の押圧力）にて前記したテープ状樹脂部材２６を押圧することができるように構成されている（前記両型２１・２２による加熱を含む）。
【００２７】
即ち、まず、図５（２）に示すように、前記した一列配置の各半導体チップ３天面に前記したテープ状樹脂部材２６を一括して取り付けて前記下型の凹所２４に供給セットすると共に、前記した両型２１・２２を所定の型締圧力にて型締めすることにより、前記した一列配置の各半導体チップ３天面に前記したテープ状樹脂部材２６を取り付けた状態で、前記した上型キャビティ２５内に一括して嵌装セットする。
このとき、前記した実施例と同様に、前記したキャビティ２５内において、前記したキャビティ２５天面で前記した半導体チップ３天面上のテープ状樹脂部材２６を加熱して且つ前記した所定の押圧力（所定の型締圧力）で押圧して変形すると共に、前記した半導体チップ３天面と前記した変形テープ状樹脂部材２６との間には隙間は発生しないように構成されている。
即ち、次に、前記したキャビティ内に加熱溶融化された樹脂材料を注入することにより、前記したキャビティ２５内で前記した複数個の半導体チップ３と基板２３との間１１に樹脂を所定の樹脂圧で注入充填することができる。
従って、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３天面と前記した変形したテープ状樹脂部材２６との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるので、前記した隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
また、前述したように構成したことにより、前記した所定の押圧力にて前記した変形テープ状樹脂部材２６を介して前記した半導体チップ３天面１７を前記した基板５に効率良く押圧固定することができるので、前記した各半導体チップ３と基板５との間に樹脂を注入した場合に、前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００２８】
次に、図７を用いて第３実施例を説明する。
なお、図７はマトリックス形（マップ形）の基板である。
【００２９】
即ち、前記した各実施例では、１個の半導体チップ天面に個片状樹脂部材１０を取り付ける構成を、或いは、一列配置の半導体チップ天面にテープ状の樹脂部材２６を取り付ける構成を例示したが、第３実施例では、マトリックス形配置の半導体チップ天面に樹脂部材を取り付ける構成を説明する。
なお、図７に示す基板３１には複数個の半導体チップ３がマトリクス形（図例では、縦４個×横６個の合計２４個）に配置されて構成されていると共に、前記した各半導体チップ３の高さにはばらつきがある。
【００３０】
即ち、図７に示すマトリックス形基板３１において、前記した樹脂部材を取り付ける半導体チップ（天面）の数と位置を適宜に選択することができると共に、前記した樹脂部材の平面形状は前記したマトリックス形基板３１における半導体チップ（天面）の数と位置にて適宜に構成される。
例えば、図７に示すように、前記した半導体チップ天面に取り付ける樹脂部材の範囲として、前記したマトリクス形配置の半導体チップ全体（図例では２４個）に取り付けるフィルム状の樹脂部材３２（１枚）を採用することができる。
この場合、前記したマトリクス形配置の各半導体チップ３天面に前記したフィルム状の樹脂部材３２（フィルム部材）を取り付けた状態で、１個のキャビティ内に一括して嵌装セットすることになる。
また、図７に示すように、４個の半導体チップ３天面に取り付けるフイルム状の樹脂部材３３の構成（或いは、６個の半導体チップ３天面に取り付けるフィルム状の樹脂部材３４の構成）を採用することができる。
この場合、４個（６個）の半導体チップ３天面に前記したフィルム状樹脂部材３３（３４）を各別に取り付けた状態で、前記した樹脂部材単位で、６個（４個）のキャビティ内に各別に嵌装セットすることになる。
即ち、図７に示す各実施例において、前記したキャビティ内で前記した各半導体チップ３の天面を所定の押圧力で押圧した状態（加熱を含む）で、前記した半導体チップ３と前記した基板３１との間（隙間）に樹脂を所定の樹脂圧で注入充填することができる。
従って、図７に示す各実施例において、前記した各実施と同様の作用効果を得ることができる。
【００３１】
次に、図８（１）・図８（２）及び図９（１）・図９（２）を用いて第４実施例を説明する。
なお、図８（１）と図９（１）とには本実施例に用いられる基板と樹脂部材とが各別に示されている。
また、図８（２）と図９（２）とには、図８（１）と図９（１）とに示す基板に樹脂注入する金型が各別に示されている。
【００３２】
まず、図８（１）・図８（２）について説明する。
即ち、図８（１）に示す基板４１にはバンプ４（接続電極）を介して複数個の半導体チップ３が装着されて構成されると共に、前記した基板４１の厚さとバンプ４の高さとを含む半導体チップ３の高さにはばらつきがあり、図例では、前記した半導体チップ３の高さをＡとＢとで示し、前記した高さＡは前記した高さＢより高く構成されている。
また、図８（１）に示す所要の厚さを有する樹脂部材４２は担体となるベース層４３と隙間防止用の接着層４４との２層から構成され、前記した接着層４４は所定の接着力を有している。
また、図８（２）に示すアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）には、固定上型４５と前記上型４５に対向配置した可動下型４６とが設けられて構成されている。
また、前記した下型４６には前記した基板４１を供給セットするセット用凹所４７が設けられると共に、前記した上型４５には樹脂注入用のキャビティ４８が設けられて構成されている。
また、前記した両型には、前記したキャビティ内で前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間１１に樹脂４９を注入する諸機構等が設けられて構成されている。
従って、前記した下型４６の凹所４７に前記した基板４１を供給セットして前記した下型４６を上動することにより、前記両型４５・４６を所定の型締圧力にて型締めすることにより、前記したキャビティ４８内で複数個の半導体チップ３を一括して嵌装セットすることができるように構成されている。
また、図８（１）に示すように、前記した隙間防止用の接着層４４側を下向きにした状態で（前記した半導体チップ３側に向けた状態で）、前記した複数個の半導体チップ３天面に取り付ける（被覆する）ことができるように構成されている。
従って、前記した両型４５・４６の型締時に、前記した２層の樹脂部材４２を前記した複数個の半導体チップ３天面に取り付けた状態で、前記した複数個の半導体チップ３を一括して前記したキャビティ４８内に嵌装セットすることができるように構成されると共に、前記した両型４５・４６のキャビティ４８内で前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間１１に樹脂４９を注入充填して樹脂注入済基板５０を形成することができるように構成されている。
なお、前記した実施例と同様に、前記たキャビティ４８は所要の高さを備え、
前記したキャビティの４８の所要の高さは、前記した半導体チップ３の高さＡ・Ｂと前記した２層の樹脂部材４２の所要の厚さとを合計した高さより低く構成されている。
【００３３】
即ち、図８（１）に示すように、まず、前記した複数個の半導体チップ３の天面に前記した２層の樹脂部材４２を前記した隙間防止用の接着層４４を下向きにした状態で仮止的に取り付ける。
このとき、前記した樹脂部材４２の接着層４４と前記した半導体チップ３天面との間には隙間が発生しないように構成されている。
次に、図８（２）に示すように、前記した複数個の半導体チップ３天面に前記した２層の樹脂部材４２を取り付けた状態で、前記した下型凹所４７に供給セットして前記した両型４５・４６を所定の型締圧力で型締めする。
このとき、前記した半導体チップ３の高さにばらつき（Ａ・Ｂ）があったとしても、即ち、前記した高さＡの半導体チップ３の場合でも、或いは、前記した高さＢの半導体チップ３の場合でも、前記したキャビティ４８面（天面）にて前記した前２層の樹脂部材４２が所定の押圧力（所定の型締圧力）で押圧されることにより、前記したキャビティ４８内で前記した２層の樹脂部材４２は前記した所定の押圧力にて押圧変形されることになる。
また、このとき、前記した樹脂部材４２と前記した半導体チップ３天面との間は、前記した樹脂部材４２に対する所定の押圧力と、前記した樹脂部材４２の接着層４４の所定の接着力との相乗作用にて隙間が発生しないように構成されている。
また、次に、前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間１１に加熱溶融化された樹脂材料を所定の樹脂圧にて注入充填する。
即ち、前記各半導体チップ３天面を所定の押圧力で押圧した状態で、且つ、前記した各半導体チップ３天面に前記した２層の樹脂部材４２における接着層４４を接着した状態で、前記した各半導体チップ３天面と前記した樹脂部材４２との間に隙間が発生することを効率良く防止し得て、前記したキャビティ４８内で前記した各半導体チップ３と前記した基板４１との間１１（隙間）に樹脂４９を所定の樹脂圧で効率良く注入することができる。
従って、前記した半導体チップ３の高さにばらつきがある場合に、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３天面と前記した変形した樹脂部材４２（前記接着層４４）との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるので、前記た隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
また、前述したように構成したことにより、前記した所定の押圧力にて前記した変形樹脂部材４２を介して前記した半導体チップ３天面を前記した基板５に効率良く押圧固定する（前記した接着層４４による接着固定を含む相乗作用）ことができるので、前記した各半導体チップ３と基板５との間１１に樹脂を注入した場合に、前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００３４】
次に、図９（１）・図９（２）について説明する。
即ち、図９（１）・図９（２）に示す実施例は、前記した樹脂部材に位置ずれ防止用（位置移動防止用）の接着層を形成した構成である。
即ち、図９（１）に示す樹脂部材５１は担体となるベース層５２と隙間防止用の接着層５３（半導体チップ天面側用）と位置ずれ防止用の接着層５４（キャビティ面側用）との３層から構成されている。
なお、図９（１）・図９（２）に示す金型の構成部材及び基板５５の構成部材は、図８（１）・図８（２）に示す金型の構成部材及び基板４１の構成部材と同じであるため、同じ符号を付す。
また、図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記した隙間防止用の接着層５３の作用効果は、図８（１）・図８（２）に示す実施例の作用効果と同様である。
即ち、図９（１）・図９（２）に示す実施例において、図８（１）・図８（２）に示す実施例と同様に、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８面にて前記した樹脂部材５１を所定の押圧力（所定の型締圧力）でもって押圧変形させることができると共に、前記した半導体チップ３天面と前記した樹脂部材５１との間に、前記した樹脂部材５１に対する押圧力と前記した樹脂部材５１の隙間防止用の接着層５３の接着力との相乗作用にて、隙間が発生しないように構成されている。
従って、図８（１）・図８（２）に示す実施例と同様に、前記した半導体チップ３天面と前記した押圧変形した樹脂部材５１（前記接着層５３）との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるので、前記た隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
【００３５】
また、図９（２）に示すように、前記した両型４５・４６の型締時に、前記した樹脂部材５１の位置ずれ防止用（位置移動防止用）の接着層５４を前記したキャビティ４８面（天面）に接着させることができるように構成されている。
即ち、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８面にて前記した樹脂部材５１を所定の押圧力（所定の型締圧力）で押圧変形させることにより、前記した位置ずれ防止用の接着層５３を前記したキャビティ４８面に接着させて前記した樹脂部材５１の位置が移動しないように構成されている。
従って、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８内で前記した樹脂部材５１の位置が移動することを効率良く防止することができる。
【００３６】
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記した樹脂部材に前記した位置ずれ防止用の接着層のみを設ける構成を採用してもよい。
なお、前記した接着層は好ましくは柔軟性或いは弾性を有した方が良い。
【００３７】
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記半導体チップ３天面に取り付ける樹脂部材の平面形状は、テープ状、フィルム状、個片状の適宜な形状に設定することができる。
【００３８】
また、前記した２層の樹脂部材４２と前記した３層の樹脂部材５１において、熱硬化性樹脂を用いることができる。
例えば、前記したベース層４３・５２を完全硬化樹脂層で形成し、前記接着層４４・５３・５４を半硬化樹脂層で形成する構成を採用することができる。
【００３９】
なお、前記した接着層４４・５３・５４を適宜な接着剤にて形成してもよい。
【００４０】
また、前記した接着層４４・５３・５４を熱可塑性樹脂層にて、好ましくは、耐熱性の熱可塑性樹脂層にて形成してもよい。
【００４１】
また、前記した各実施例において、前記した樹脂部材として、弾性を有する素材（弾性材）を、例えば、エラストマー等を適宜に採用することができる。
また、前記した各実施例において、前記した樹脂部材として、熱硬化性樹脂、或いは、熱可塑性樹脂（好ましくは耐熱性の熱可塑性樹脂）を用いることができる。
【００４２】
また、前記した各実施例において、１枚の基板にバンプを介して１個の半導体チップを装着した形式の基板に採用することができる。
即ち、前記した基板を複数枚、一つの金型で樹脂注入することができると共に、前記した金型には、前記した複数枚の基板（複数個の半導体チップ）の数に対応して同じ所要の高さを備えた金型キャビティが各別に設けられて構成されている。
なお、前記した１枚の基板に１個の半導体チップを装着した形式の基板には、個片状の樹脂部材を採用することができる。
【００４３】
本発明は、前述した実施例のものに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができるものである。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体チップをバンプを介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができると云う優れた効果を奏するものである。
【００４５】
また、本発明によれば、半導体チップをバンプを介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができると云う優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型開状態を示している。
【図２】 図２（１）は、図１に示す金型の要部を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であり、図２（２）は、図２（１）に示す金型の要部を概略的に示す概略平面図である。
【図３】 図３は、図２（１）に対応する金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型締状態を示している。
【図４】 図４（１）は、図１に示す金型で樹脂を注入された樹脂注入済基板を概略的に示す概略正面図であり、図４（２）・図４（３）は、前記した樹脂注入済基板から切断分離した個片を概略的に示す概略正面図である。
【図５】 図５（１）は、本発明に係る他のアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型開状態を示し、図５（２）は、図５（１）に示す金型に用いられる複数個の半導体チップを装着した基板を概略的に示す概略平面図である。
【図６】 図６は、 図５（１）に対応する金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型締状態を示している。
【図７】 図７は、本発明に用いられる他の複数個の半導体チップを装着した基板を概略的に示す概略平面図である。
【図８】 図８（１）は、本発明に用いられる他の基板と樹脂部材を概略的に示す概略正面図であり、図８（２）は、図８（１）に示す基板と樹脂部材とを用いて樹脂注入する金型の要部を概略的に示す一部切欠概略縦断面図である。
【図９】 図９（１）は、本発明に用いられる他の基板と樹脂部材を概略的に示す概略正面図であり、図９（２）は、図９（１）に示す基板と樹脂部材とを用いて樹脂注入する金型の要部を概略的に示す一部切欠概略縦断面図である。
【符号の説明】
１ 固定上型
２ 可動下型
３ 半導体チップ
４ バンプ（接続電極）
５ 基板
６ 凹所
７ キャビティ
８ 収容部
９ 連通路
１０ 個片状の樹脂部材
１１ 間（隙間）
１２ 樹脂注入済基板
１３ 調整部
１４ 樹脂（充填樹脂）
１５ 個片（フリップチップのパッケージ）
１６ 想定切断部位
１７ 半導体チップ天面（表面）
１８ キャビティ天面（キャビティ面）
２１ 固定上型
２２ 可動下型
２３ 基板
２４ 凹所
２５ キャビティ
２６ テープ状の樹脂部材（テープ部材）
２７ 樹脂注入済基板
２８ 樹脂（充填樹脂）
３１ 基板
３２ フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
３３ フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
３４ フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
４１ 基板
４２ 樹脂部材
４３ ベース層
４４ 隙間防止用の接着層
４５ 固定上型
４６ 可動下型
４７ 凹所
４８ キャビティ
４９ 樹脂（充填樹脂）
５０ 樹脂注入済基板
５１ 樹脂部材
５２ ベース層
５３ 隙間防止用の接着層
５４ 位置ずれ防止用の接着層
５５ 基板
５６ 樹脂注入済基板
Ａ 半導体チップの高さ
Ｂ 半導体チップの高さ
Ｃ 樹脂部材における所要の厚さ（所要の高さ）
Ｄ キャビティの高さ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップをバンプを介して装着した基板において、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド方法（フリップチップの一括アンダーフィル）及びその金型とその方法に用いられる樹脂部材の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば、複数個の半導体チップをバンプ（接続電極）を介して装着した基板において、前記した各半導体チップと基板との間（隙間）に樹脂を注入することが行われているが、この方法は、固定上型と可動下型とからなるアンダーフィル樹脂モールド金型を用いて、次のようにして行われている。
即ち、まず、前記した基板を前記した下型のセット用凹所に供給セットすると共に、前記した両型を型締めすることにより、前記した複数個の半導体チップを前記上型の一つの樹脂注入用のキャビティ内に一括して嵌装セットし、次に、前記した上型キャビティ内に溶融樹脂を注入充填することにより、少なくとも前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入して樹脂注入済基板（成形品）を形成するようにしている。
ところで、前記した各半導体チップの高さ（前記した半導体チップの厚さと前記したバンプの高さとを含む）には、ばらつきが存在するため、前記した金型キャビティの高さ（上型面とキャビティ天面との垂直距離）を後述するように設定して前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入するようにしている。
【０００３】
例えば、前記した金型キャビティの高さ（深さ）を前記した半導体チップの高さの最高値に設定した場合、前記した高さが最高値の半導体チップ以外の半導体チップの天面（表面）と前記したキャビティ天面との間に隙間が発生するので、当該隙間に溶融樹脂が浸入して前記した半導体チップの天面（露出面）に樹脂ばりが付着形成され易い。
更に、前記した半導体チップの天面と前記したキャビティ天面との間に隙間が発生するので、前記したキャビティ天面で前記した半導体チップを前記した基板に押圧固定することができず、前記した半導体チップと基板との間に注入される樹脂の注入圧力にて前記した半導体チップが押し剥がれて破壊される等、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
また、前記した金型キャビティの高さを前記した半導体チップの高さの最低値に設定した場合、前記した高さが最低値の半導体チップ以外の半導体チップの天面が前記したキャビティ天面にて押圧されて前記した半導体チップがその応力で割れ易く、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
また、前記した金型キャビティの高さを前記した半導体チップの高さの平均値に設定した場合、前述したように、前記した半導体チップ天面と前記した金型キャビティ天面との間に隙間が発生したり、且つ、前記した半導体チップを前記した金型キャビティ天面で押圧されることになるので、前記した半導体チップの天面（露出面）に樹脂ばりが付着形成され易く、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
【０００４】
また、１枚の基板に1個の半導体チップを装着した形式の基板について、前述した従来例と同様に、前記した基板を複数枚、一つの金型で略同時に樹脂注入することが行われている。
即ち、前記した一つの金型には、前記した複数枚の基板の数（半導体チップの数）に各別に対応して複数個の金型キャビティが同じ所要の高さで設けられると共に、前記した各金型キャビティ内で前記した１個の半導体チップと１枚の基板と間に樹脂を各別に注入することが行われている。
従って、この場合、前記した各キャビティの高さが同じであるため、前記した従来と同様に、前記した半導体チップの天面（露出面）に樹脂ばりが付着形成され易く、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
即ち、前述したように、半導体チップをバンプ（接続電極）を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合、前記した半導体チップの天面（表面）に樹脂ばりが付着形成され易いと云う弊害があり、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易いと云う弊害がある。
【０００６】
従って、本発明は、半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することを目的とするものである。
また、本発明は、半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記したような技術的課題を解決するための本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド方法は、アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて、高さにばらつきのある複数個の半導体チップの夫々を接続電極を介して一体に装着した基板を前記した金型における基板セット位置に供給して前記した金型を型締めすることにより、前記した金型におけるキャビティ内に前記した半導体チップを嵌装すると共に、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド方法であって、前記した複数個の半導体チップの天面を被覆する所要の厚さを有する樹脂部材を用意する工程と、前記した金型キャビティの高さを、前記した半導体チップの高さと前記した所要の厚さを有する樹脂部材の高さとをあわせた高さよりも低くなるように設定する工程と、前記した金型キャビティ面と前記した金型における基板セット位置に供給した基板に装着した半導体チップ天面との間に、前記した所要の厚さを有する樹脂部材を介在させる工程と、前記した金型を型締する工程と、前記した金型の型締工程時において、前記した金型キャビティ面で前記した樹脂部材を前記した基板の半導体チップ天面に押圧する工程と、前記した金型の型締工程時において、前記した半導体チップ天面と前記した金型キャビティ面との間で前記した樹脂部材を所要の形状に変形させることにより、前記した変形樹脂部材と前記した半導体チップ天面との間に隙間をなくす工程と、前記した金型の型締工程時において、前記した金型キャビティ面に設けた調整部に前記した変形樹脂部材の一部を圧入することにより、前記した半導体チップ天面を押圧する樹脂部材の量を調整する工程とを行うことを特徴とする。
【０００８】
また、前記したような技術的課題を解決するための本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型は、高さにばらつきのある複数個の半導体チップの夫々を接続電極を介して一体に装着した基板における半導体チップを嵌装した金型キャビティ内で前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド金型において、前記した金型キャビティの高さを、前記した金型キャビティに嵌装される半導体チップの高さと、前記した半導体チップ天面と前記した金型キャビティ面との間に介在させる樹脂部材の高さとをあわせた高さよりも低くなるように設定すると共に、前記した金型キャビティ面に、前記した金型の型締時に前記した金型キャビティ内で変形する樹脂部材の一部を圧入することにより、前記した金型キャビティ内における樹脂部材の量を調整する調整部を設けたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
アンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）を用いて複数個の半導体チップの夫々を接続電極を介して一体に装着した基板における各半導体チップと基板との間に樹脂を一括して注入する場合に、まず、前記した基板を前記した金型のセット用凹所に供給すると共に、前記した金型のキャビティ天面と前記した基板の各半導体チップ天面との間に所要の厚さを有する樹脂部材を介在させた状態で、前記金型を所定の型締圧力にて型締めする。
このとき、前記した半導体チップの高さに、ばらつきがあったとしても、前記した所定の型締圧力による前記した金型キャビティ天面から前記した半導体チップ天面方向への所定の押圧力で、前記した金型キャビティ内で前記した金型キャビティ天面と各半導体チップ天面との間に介在する樹脂部材は加熱且つ押圧されて変形することになる。
即ち、前記した所定の押圧力（加熱を含む）にて、前記した変形樹脂部材と前記した半導体チップ天面との間に隙間が発生することを効率良く防止することができる。
また、前記所定の押圧力にて、前記した変形した樹脂部材を介して前記した半導体チップを前記した基板に効率良く押圧固定することができる。
従って、次に、前記した所定の押圧力にて前記した変形した樹脂部材と前記した半導体チップ天面との間に隙間が発生しないように効率良く防止した状態で、且つ、前記所定の押圧力にて前記した変形した樹脂部材を介して前記した半導体チップを前記した基板に効率良く押圧固定した状態で、前記金型キャビティ内に溶融樹脂を所定の樹脂圧で注入することにより、前記した複数個の半導体チップと基板との間に一括して樹脂を注入充填する。
即ち、前述したように構成したので、前記した半導体チップを装着した基板における基板と半導体チップとの間に樹脂を一括して注入充填する場合に、前記した半導体チップ天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができると共に、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００１０】
また、前記した樹脂部材に、前記した半導体チップ天面との間に隙間が発生することを効率良く防止することができる隙間防止用の接着層を設ける構成を採用することができる。
即ち、前記した樹脂部材を介した複数個の半導体チップ天面に対する所定の押圧力と、前記した樹脂部材の接着層による複数個の半導体チップ天面に対する所定の接着力との相乗作用で、前記した複数個の半導体チップ天面と前記した樹脂部材との間に隙間が発生することを効率良く防止することができると共に、前記所定の押圧力にて前記した押圧変形した樹脂部材を介して前記した半導体チップを前記した基板に効率良く押圧固定することができる。
従って、前述した構成と同様に、前記した半導体チップ天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができると共に、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００１１】
また、前記した各構成は、１枚の基板にバンプを介して１個の半導体チップを装着した形式の基板に採用することができる。
即ち、本発明に用いられるアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）には、前記した複数枚の基板（複数個の半導体チップ）の数に対応して同じ高さの金型キャビティが各別に設けられて構成されている。
また、前記した複数枚の基板について、前記した基板に装着した半導体チップを前記した各キャビティ内に各別に嵌装セットすると共に、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を略同時に且つ各別に注入することができる。
従って、前記した構成と同様の作用効果を得ることができる。
【００１２】
【実施例】
以下、実施例図に基づいて説明する。
まず、図１・図２（１）・図２（２）・図３・図４（１）・図４（２）・図４（３）を用いて第１実施例を説明する。
なお、図１は本発明に用いられるアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）の全体的に構成を示す図であり、図２（１）・図２（２）・図３に示す金型は、図１に示す金型の要部を拡大して示した図である。
また、図４（１）・図４（２）・図４（３）は前記した金型で樹脂を一括して注入充填された樹脂注入済基板（成形品）を切断分離する工程を説明する図である。
【００１３】
即ち、図例に示すように、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）は、固定上型１と前記上型１に対向配置した可動下型２とから構成されると共に、前記した両型１・２には前記両型１・２を所定の温度にまで加熱する加熱手段（図示なし）が設けられて構成されている。
また、前記した下型２には複数個の半導体チップ３の夫々をバンプ４（接続電極）を介して一体に装着した基板５（被成形品）を供給セットするセット用凹所６が設けられると共に、前記上型１には前記した複数個の半導体チップ３を嵌装セットする樹脂注入用のキャビティ７が設けられて構成されている。
また、前記した上型キャビティ７には前記した複数個の半導体チップ３を各別に収容する収容部８が前記した複数個の半導体チップ３の数と位置に対応して設けられて構成されている。
従って、前記した下型凹所６に前記した基板５を供給セットして前記した下型２を上動することにより、前記した両型１・２を所定の型締圧力にて型締めすることができるように構成されると共に、前記した上型キャビティ７内における各収容部８内に前記した複数個の半導体チップ３を各別に収容（嵌装）セットすることができるように構成されている。
なお、図例に示すように、前記した基板５において、前記したバンプ４の高さを含む半導体チップ３の高さにばらつきがある。
図例においては、前記した半導体チップ３の高さは高さＡと高さＢとで示されると共に、前記した高さＡは前記した高さＢより高さが高い。
【００１４】
また、図例に示すように、前記した各収容部８には当該隣接する収容部８間を連通する連通路９が各別に設けられて構成されている。
また、図示はしていないが、前記した両型１・２には、前記したキャビティ７（前記各収容部８）内に溶融樹脂を注入するゲート（樹脂通路）と、前記キャビティ７内に前記ゲートを通して加熱溶融化した樹脂材料を所定の樹脂圧で注入する樹脂注入機構等の樹脂注入に必要な諸機構等が設けられて構成されている。
即ち、前記した樹脂注入機構から加熱溶融化した樹脂材料を前記キャビティ７内（前記収容部８内）に前記したゲートを通して所定の樹脂圧で注入することにより、前記した各収容部８内に前記した連通路９を通して所定の樹脂圧で順次に注入充填することができるように構成されている。
また、前記したキャビティ７内における各収容部８内に前記した連通路９を通して所定の樹脂圧で当該溶融樹脂を順次に注入充填することができるように構成されている。
即ち、前記したように構成したことにより、前記した各収容部８内で前記した複数個の半導体チップ３と基板５との間１１（隙間）に樹脂１４（充填樹脂）を一括して注入充填することができる。
従って、前記した両型１・２（前記キャビティ７内）で樹脂注入済基板１２（成形品）を成形することができるように構成されている。
【００１５】
また、本発明には、前記した複数個の半導体チップ３の天面１７（表面）に取り付ける（被覆する）所要の厚さ（所要の高さ）Ｃを有する樹脂部材１０が用いられるように構成されている。
即ち、前記した樹脂部材１０は、後述するように、前記した半導体チップ３の天面１７に加熱且つ押圧されて取り付けられるものであって、前記した半導体チップ天面１７と前記した樹脂部材１０との間に隙間が発生することを効率良く防止することにより、前記した半導体チップ天面１７に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができ、前記樹脂部材１０は、樹脂ばり防止用として、或いは、半導体チップ押圧用として用いられるものである。
また、本実施例では、個片状であって所要の厚さＣを有する樹脂部材１０が用いられるように構成されている。
また、前記した個片状の樹脂部材１０における平面形状は、例えば、前記した半導体チップ３天面１７の形状（例：矩形状）に対応して構成されている。
従って、前記した複数個の半導体チップ３に各別に前記した個片状の樹脂部材１０を取り付ける（被覆する）と共に、前記した下型セット用凹所６に前記基板５を供給セットして前記した両型１・２を型締めすることにより、前記した複数個の半導体チップ３に前記した個片状の所要の厚さＣを有する樹脂部材１０を各別に取り付けた状態で、前記した金型キャビティ７における各収容部８内に前記した各半導体チップ３を各別に収容することができるように構成されている。
【００１６】
また、前記した半導体チップ３の高さにばらつきがある場合に、前記した両型１・２を所定の型締圧力にて型締めした時、前記した収容部８内で、前記した収容部８の天面（前記したキャビティ７の天面１８）にて前記した半導体チップ３天面１７上の所要の厚さを有する樹脂部材１０を加熱且つ押圧して変形させることができるように構成されている。
また、更に、前記した変形樹脂部材１０で前記した半導体チップ３の天面１７を前記した所定の型締圧力による所定の押圧力で、前記した金型キャビティ７の天面１７（金型キャビティ面）から前記した半導体チップ３方向へ押圧することができるように構成されている。
従って、前述したように構成したことにより、前記した所定の押圧力で、前記押圧変形した樹脂部材１０と前記半導体チップ３天面との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
このとき、前記した収容部８内（前記金型キャビティ７内）で、前記した収容部８の天面と前記した半導体チップ３天面との間には、前記した変形した樹脂部材１０が所要の形状にて介在することになる。
【００１７】
なお、前記した両型１・２は前記した加熱手段にて所定の温度にまで加熱されており、前記したキャビティ面１７（前記した収容部面）を介して前記した樹脂部材１０を加熱することができるように構成されているので、例えば、前記樹脂部材１０は加熱されることによって軟化し変形することになる。
また、前記した金型キャビティ７は所要の高さＤ（前記した上型１の型面から前記した金型キャビティ７の天面１８までの垂直距離）を備えており、前記した両型１・２の型締時に、前記した金型キャビティ７内に、前記した金型キャビティ７の天面１８と前記した半導体チップ３の天面１７との間に前記した樹脂部材１０を介在させる樹脂部材介在用の空間部が形成されて構成されている。
また、前記した金型キャビティ７の所要の高さＤは、前記した半導体チップの高さＡ・Ｂと前記した樹脂部材１０の所要の厚さＣとを合計した高さより低くなるように構成されている。
即ち、前記した両型１・２の型締時に、所定の型締圧力による所定の押圧力にて前記した金型キャビティ７の天面１８で前記した半導体チップ３の天面１７を前記した樹脂部材１０を介して押圧することができるように構成され、前記金型キャビティ７内で前記した樹脂部材１０は押圧されて変形することになる。
従って、前記した両型１・２の型締時に、前記した金型キャビティ７内で、前記した樹脂部材１０は加熱且つ押圧されて変形することになる。
【００１８】
また、本実施例において、例えば、前記した樹脂注入機構による所定の樹脂圧を前記した半導体チップ３天面を押圧する所定の押圧力（所定の型締圧力）より小さく設定する構成を採用することができる。
即ち、前記した複数個の半導体チップ３と基板５との間１１に樹脂を注入するとき、前記した押圧変形した樹脂部材１０と前記した半導体チップ３天面との間に隙間が発生しないように構成することができるので、前記した半導体チップ３側の隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができるように構成されている。
【００１９】
即ち、まず、前記した基板５に装着した複数個の半導体チップ３の天面に前記した個片状で且つ所要の厚さを有する樹脂部材１０を取り付けると共に、前記した下型のセット用凹所６に前記した樹脂部材１０を取り付けた状態の基板５を供給セットする。
なお、このとき、前記した下型凹所６内の基板５の上面（前記バンプ４装着側）の位置は前記した下型２の型面の位置に合致している。
また、次に、前記両型１・２を所定の型締め圧力で型締めすることにより、前記した複数個の半導体チップ３を前記した上型キャビティ７における各収容部８内に各別に収容する。
このとき、前記した収容部８内において、前記した収容部８の天面（前記キャビティ７の天面１８）で、前記した半導体チップ３天面上の樹脂部材１０は加熱且つ所定の押圧力で押圧されて変形されると共に、前記した半導体チップ３の天面１７と前記した変形した樹脂部材１０との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
即ち、次に、前記したゲートを通して前記キャビティ７内に加熱溶融化された樹脂材料を注入することにより、前記キャビティ７における連通部９を通して前記した各収容部８内に所定の樹脂圧で当該溶融樹脂を注入することができる。
従って、前記した各収容部８内において、前記した半導体チップ３天面１７を前記した変形した樹脂部材１０を介して所定の押圧力で押圧した状態で、前記した収容部８内における半導体チップ３と基板５との間に当該溶融樹脂樹脂を所定の樹脂圧で注入充填することにより、前記したキャビティ７内で前記した樹脂注入済基板１２（製品）を形成することができる。
なお、前記した収容部８内における半導体チップ３と基板５との間に注入充填した当該溶融樹脂の硬化に必要な所要時間の経過後、前記した両型１・２を型開きすることにより、前記した樹脂注入済基板１２を前記した半導体チップ３の天面に前記した押圧変形した樹脂部材１０を取り付けた状態で取り出し、次に、前記した半導体チップ３の天面から前記した押圧変形した樹脂部材１０を取り外すことになる。
【００２０】
即ち、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３天面と前記した変形した樹脂部材１０との間には隙間は発生しない構成であるので、前記した隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
また、前述したように構成したことにより、前記した所定の押圧力にて前記した変形した樹脂部材１０を介して前記した半導体チップ３の天面１７を前記した基板５に効率良く押圧固定することができるので、前記した各半導体チップ３と基板５との間に樹脂を注入した場合に、前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００２１】
また、前記した樹脂注入工程の後、前記した樹脂注入済基板１２を切断することにより、前記した複数個の半導体チップ３に対応し且つ半導体チップ３の高さ（図例ではＡとＢで示す）の異なる個片１５（フリップチップのパッケージ）が形成されることになる。
即ち、図４（１）に示すように、前記した樹脂注入済基板１２における想定切断部位１６をブレード等の切断刃で切断して分離することにより、図４（２）に示す高さＡの個片１５と、図４（３）に示す高さＢの個片１５とを形成することができる。
【００２２】
また、前記した樹脂部材１０として、熱硬化性の樹脂材料を用いる場合、前記した収容部８内で前記した押圧変形した樹脂部材１０は押圧された状態で且つ所要形状を保持した状態で熱硬化することになる。
即ち、前記収容部８内における当該樹脂の硬化状態にかかわらず（例えば、半硬化状態、完全硬化状態）、前記した半導体チップ３の天面１７を当該硬化状態の硬化樹脂で押圧することができるように構成されている。
【００２３】
また、前記した実施例において、図例に示すように、前記したキャビティ７における各収容部８の天面（前記キャビティ７の天面１８）に、前記した半導体チップ３の天面１７上の樹脂部材１０の量を調整する調整部１３（凹部）を所要数設けて構成してもよい。
例えば、前記した両型１・２の型締時に、前記した収容部８内において、加熱且つ前記した所定の型締圧力（押圧力）で押圧されて変形する樹脂部材１０の一部（過剰分）を前記した調整部１３内に圧入することにより、前記した樹脂部材１０の量を効率良く調整することができるように構成されている。
即ち、前記した量を調整した且つ押圧変形した樹脂部材１０にて前記した半導体チップ３天面１７を押圧することができるように構成されている。
従って、この場合において、前記した収容部８内の樹脂部材１０の量を前記した調整部１３にて効率良く調整し得て、前記実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００２４】
また、次に、図５（１）・図５（２）・図６にて第２実施例を説明する。
なお、図５（１）・図６は本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）であり、図５は前記した金型で樹脂注入される基板である。
【００２５】
即ち、図例に示すように、本発明に用いられる基板２３には複数個の半導体チップ３（図例では５個）が一列に配置して装着されている。
また、前記した実施例と同様に、前記した基板２３（被成形品）に前記した複数個の半導体チップ３の夫々をバンプ４（接続電極）を介して一体に装着されると共に、前記した半導体チップ３の高さにはばらつきがある。
また、図例に示すように、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）は、固定上型２１と前記上型２１に対向配置した可動下型２２とから構成されると共に、前記した下型２２を上動することにより、前記両型２１・２２を所定の型締圧力にて型締めすることができるように構成されている。
また、前記した下型２２には前記した基板２３を供給セットするセット用凹所２４が設けられると共に、前記した上型２１には前記した一列配置の各半導体チップ３を一括して嵌装セットする樹脂注入用キャビティ２５が設けられて構成され、且つ、前記した実施例と同様に、前記した両型２１・２２には樹脂注入に必要な諸機構等が設けられて構成されている。
従って、前記した下型凹所２４に前記した基板２３を供給セットして前記下型２２を上動することにより、前記したキャビティ２５内に前記した一列配置の各半導体チップ３を一括して嵌装することができるように構成されると共に、前記した両型２１・２２にて前記した複数個の半導体チップ３と基板２３との間１１（隙間）に樹脂を注入充填することができるように構成されている。
【００２６】
また、本実施例には、前記した一列配置であって複数個の半導体チップ３天面の全体形状に対応してテープ状（長尺状）の所要の厚さを有する樹脂部材２６（テープ部材）が用いられるように構成されると共に、前記した一列配置の各半導体チップ３天面に対して一枚のテープ状樹脂部材２６を一括して取り付ける（被覆する）ことができるように構成されている。
従って、前記した両型２１・２２の型締時に、前記した一列配置の各半導体チップ３天面に前記したテープ状樹脂部材２６を一括して取り付けた状態で、前記したキャビティ２５内に一括して嵌装セットすることができるように構成されている。
また、前記した実施例と同様に、前記キャビティ２５は所要の高さを備え、前記したキャビティ２５の高さは前記半導体チップ３の高さＡ・Ｂと前記テープ状樹脂部材２６の所要の厚さとを合わせた高さより低く構成されている。
従って、前記した両型２１・２２の型締時に、所定の型締圧力（前記キャビティ２５による所定の押圧力）にて前記したテープ状樹脂部材２６を押圧することができるように構成されている（前記両型２１・２２による加熱を含む）。
【００２７】
即ち、まず、図５（２）に示すように、前記した一列配置の各半導体チップ３天面に前記したテープ状樹脂部材２６を一括して取り付けて前記下型の凹所２４に供給セットすると共に、前記した両型２１・２２を所定の型締圧力にて型締めすることにより、前記した一列配置の各半導体チップ３天面に前記したテープ状樹脂部材２６を取り付けた状態で、前記した上型キャビティ２５内に一括して嵌装セットする。
このとき、前記した実施例と同様に、前記したキャビティ２５内において、前記したキャビティ２５天面で前記した半導体チップ３天面上のテープ状樹脂部材２６を加熱して且つ前記した所定の押圧力（所定の型締圧力）で押圧して変形すると共に、前記した半導体チップ３天面と前記した変形テープ状樹脂部材２６との間には隙間は発生しないように構成されている。
即ち、次に、前記したキャビティ内に加熱溶融化された樹脂材料を注入することにより、前記したキャビティ２５内で前記した複数個の半導体チップ３と基板２３との間１１に樹脂を所定の樹脂圧で注入充填することができる。
従って、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３天面と前記した変形したテープ状樹脂部材２６との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるので、前記した隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
また、前述したように構成したことにより、前記した所定の押圧力にて前記した変形テープ状樹脂部材２６を介して前記した半導体チップ３天面１７を前記した基板５に効率良く押圧固定することができるので、前記した各半導体チップ３と基板５との間に樹脂を注入した場合に、前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００２８】
次に、図７を用いて第３実施例を説明する。
なお、図７はマトリックス形（マップ形）の基板である。
【００２９】
即ち、前記した各実施例では、１個の半導体チップ天面に個片状樹脂部材１０を取り付ける構成を、或いは、一列配置の半導体チップ天面にテープ状の樹脂部材２６を取り付ける構成を例示したが、第３実施例では、マトリックス形配置の半導体チップ天面に樹脂部材を取り付ける構成を説明する。
なお、図７に示す基板３１には複数個の半導体チップ３がマトリクス形（図例では、縦４個×横６個の合計２４個）に配置されて構成されていると共に、前記した各半導体チップ３の高さにはばらつきがある。
【００３０】
即ち、図７に示すマトリックス形基板３１において、前記した樹脂部材を取り付ける半導体チップ（天面）の数と位置を適宜に選択することができると共に、前記した樹脂部材の平面形状は前記したマトリックス形基板３１における半導体チップ（天面）の数と位置にて適宜に構成される。
例えば、図７に示すように、前記した半導体チップ天面に取り付ける樹脂部材の範囲として、前記したマトリクス形配置の半導体チップ全体（図例では２４個）に取り付けるフィルム状の樹脂部材３２（１枚）を採用することができる。
この場合、前記したマトリクス形配置の各半導体チップ３天面に前記したフィルム状の樹脂部材３２（フィルム部材）を取り付けた状態で、１個のキャビティ内に一括して嵌装セットすることになる。
また、図７に示すように、４個の半導体チップ３天面に取り付けるフイルム状の樹脂部材３３の構成（或いは、６個の半導体チップ３天面に取り付けるフィルム状の樹脂部材３４の構成）を採用することができる。
この場合、４個（６個）の半導体チップ３天面に前記したフィルム状樹脂部材３３（３４）を各別に取り付けた状態で、前記した樹脂部材単位で、６個（４個）のキャビティ内に各別に嵌装セットすることになる。
即ち、図７に示す各実施例において、前記したキャビティ内で前記した各半導体チップ３の天面を所定の押圧力で押圧した状態（加熱を含む）で、前記した半導体チップ３と前記した基板３１との間（隙間）に樹脂を所定の樹脂圧で注入充填することができる。
従って、図７に示す各実施例において、前記した各実施と同様の作用効果を得ることができる。
【００３１】
次に、図８（１）・図８（２）及び図９（１）・図９（２）を用いて第４実施例を説明する。
なお、図８（１）と図９（１）とには本実施例に用いられる基板と樹脂部材とが各別に示されている。
また、図８（２）と図９（２）とには、図８（１）と図９（１）とに示す基板に樹脂注入する金型が各別に示されている。
【００３２】
まず、図８（１）・図８（２）について説明する。
即ち、図８（１）に示す基板４１にはバンプ４（接続電極）を介して複数個の半導体チップ３が装着されて構成されると共に、前記した基板４１の厚さとバンプ４の高さとを含む半導体チップ３の高さにはばらつきがあり、図例では、前記した半導体チップ３の高さをＡとＢとで示し、前記した高さＡは前記した高さＢより高く構成されている。
また、図８（１）に示す所要の厚さを有する樹脂部材４２は担体となるベース層４３と隙間防止用の接着層４４との２層から構成され、前記した接着層４４は所定の接着力を有している。
また、図８（２）に示すアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）には、固定上型４５と前記上型４５に対向配置した可動下型４６とが設けられて構成されている。
また、前記した下型４６には前記した基板４１を供給セットするセット用凹所４７が設けられると共に、前記した上型４５には樹脂注入用のキャビティ４８が設けられて構成されている。
また、前記した両型には、前記したキャビティ内で前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間１１に樹脂４９を注入する諸機構等が設けられて構成されている。
従って、前記した下型４６の凹所４７に前記した基板４１を供給セットして前記した下型４６を上動することにより、前記両型４５・４６を所定の型締圧力にて型締めすることにより、前記したキャビティ４８内で複数個の半導体チップ３を一括して嵌装セットすることができるように構成されている。
また、図８（１）に示すように、前記した隙間防止用の接着層４４側を下向きにした状態で（前記した半導体チップ３側に向けた状態で）、前記した複数個の半導体チップ３天面に取り付ける（被覆する）ことができるように構成されている。
従って、前記した両型４５・４６の型締時に、前記した２層の樹脂部材４２を前記した複数個の半導体チップ３天面に取り付けた状態で、前記した複数個の半導体チップ３を一括して前記したキャビティ４８内に嵌装セットすることができるように構成されると共に、前記した両型４５・４６のキャビティ４８内で前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間１１に樹脂４９を注入充填して樹脂注入済基板５０を形成することができるように構成されている。
なお、前記した実施例と同様に、前記たキャビティ４８は所要の高さを備え、
前記したキャビティの４８の所要の高さは、前記した半導体チップ３の高さＡ・Ｂと前記した２層の樹脂部材４２の所要の厚さとを合計した高さより低く構成されている。
【００３３】
即ち、図８（１）に示すように、まず、前記した複数個の半導体チップ３の天面に前記した２層の樹脂部材４２を前記した隙間防止用の接着層４４を下向きにした状態で仮止的に取り付ける。
このとき、前記した樹脂部材４２の接着層４４と前記した半導体チップ３天面との間には隙間が発生しないように構成されている。
次に、図８（２）に示すように、前記した複数個の半導体チップ３天面に前記した２層の樹脂部材４２を取り付けた状態で、前記した下型凹所４７に供給セットして前記した両型４５・４６を所定の型締圧力で型締めする。
このとき、前記した半導体チップ３の高さにばらつき（Ａ・Ｂ）があったとしても、即ち、前記した高さＡの半導体チップ３の場合でも、或いは、前記した高さＢの半導体チップ３の場合でも、前記したキャビティ４８面（天面）にて前記した前２層の樹脂部材４２が所定の押圧力（所定の型締圧力）で押圧されることにより、前記したキャビティ４８内で前記した２層の樹脂部材４２は前記した所定の押圧力にて押圧変形されることになる。
また、このとき、前記した樹脂部材４２と前記した半導体チップ３天面との間は、前記した樹脂部材４２に対する所定の押圧力と、前記した樹脂部材４２の接着層４４の所定の接着力との相乗作用にて隙間が発生しないように構成されている。
また、次に、前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間１１に加熱溶融化された樹脂材料を所定の樹脂圧にて注入充填する。
即ち、前記各半導体チップ３天面を所定の押圧力で押圧した状態で、且つ、前記した各半導体チップ３天面に前記した２層の樹脂部材４２における接着層４４を接着した状態で、前記した各半導体チップ３天面と前記した樹脂部材４２との間に隙間が発生することを効率良く防止し得て、前記したキャビティ４８内で前記した各半導体チップ３と前記した基板４１との間１１（隙間）に樹脂４９を所定の樹脂圧で効率良く注入することができる。
従って、前記した半導体チップ３の高さにばらつきがある場合に、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３天面と前記した変形した樹脂部材４２（前記接着層４４）との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるので、前記た隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
また、前述したように構成したことにより、前記した所定の押圧力にて前記した変形樹脂部材４２を介して前記した半導体チップ３天面を前記した基板５に効率良く押圧固定する（前記した接着層４４による接着固定を含む相乗作用）ことができるので、前記した各半導体チップ３と基板５との間１１に樹脂を注入した場合に、前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００３４】
次に、図９（１）・図９（２）について説明する。
即ち、図９（１）・図９（２）に示す実施例は、前記した樹脂部材に位置ずれ防止用（位置移動防止用）の接着層を形成した構成である。
即ち、図９（１）に示す樹脂部材５１は担体となるベース層５２と隙間防止用の接着層５３（半導体チップ天面側用）と位置ずれ防止用の接着層５４（キャビティ面側用）との３層から構成されている。
なお、図９（１）・図９（２）に示す金型の構成部材及び基板５５の構成部材は、図８（１）・図８（２）に示す金型の構成部材及び基板４１の構成部材と同じであるため、同じ符号を付す。
また、図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記した隙間防止用の接着層５３の作用効果は、図８（１）・図８（２）に示す実施例の作用効果と同様である。
即ち、図９（１）・図９（２）に示す実施例において、図８（１）・図８（２）に示す実施例と同様に、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８面にて前記した樹脂部材５１を所定の押圧力（所定の型締圧力）でもって押圧変形させることができると共に、前記した半導体チップ３天面と前記した樹脂部材５１との間に、前記した樹脂部材５１に対する押圧力と前記した樹脂部材５１の隙間防止用の接着層５３の接着力との相乗作用にて、隙間が発生しないように構成されている。
従って、図８（１）・図８（２）に示す実施例と同様に、前記した半導体チップ３天面と前記した押圧変形した樹脂部材５１（前記接着層５３）との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるので、前記た隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
【００３５】
また、図９（２）に示すように、前記した両型４５・４６の型締時に、前記した樹脂部材５１の位置ずれ防止用（位置移動防止用）の接着層５４を前記したキャビティ４８面（天面）に接着させることができるように構成されている。
即ち、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８面にて前記した樹脂部材５１を所定の押圧力（所定の型締圧力）で押圧変形させることにより、前記した位置ずれ防止用の接着層５３を前記したキャビティ４８面に接着させて前記した樹脂部材５１の位置が移動しないように構成されている。
従って、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８内で前記した樹脂部材５１の位置が移動することを効率良く防止することができる。
【００３６】
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記した樹脂部材に前記した位置ずれ防止用の接着層のみを設ける構成を採用してもよい。
なお、前記した接着層は好ましくは柔軟性或いは弾性を有した方が良い。
【００３７】
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記半導体チップ３天面に取り付ける樹脂部材の平面形状は、テープ状、フィルム状、個片状の適宜な形状に設定することができる。
【００３８】
また、前記した２層の樹脂部材４２と前記した３層の樹脂部材５１において、熱硬化性樹脂を用いることができる。
例えば、前記したベース層４３・５２を完全硬化樹脂層で形成し、前記接着層４４・５３・５４を半硬化樹脂層で形成する構成を採用することができる。
【００３９】
なお、前記した接着層４４・５３・５４を適宜な接着剤にて形成してもよい。
【００４０】
また、前記した接着層４４・５３・５４を熱可塑性樹脂層にて、好ましくは、耐熱性の熱可塑性樹脂層にて形成してもよい。
【００４１】
また、前記した各実施例において、前記した樹脂部材として、弾性を有する素材（弾性材）を、例えば、エラストマー等を適宜に採用することができる。
また、前記した各実施例において、前記した樹脂部材として、熱硬化性樹脂、或いは、熱可塑性樹脂（好ましくは耐熱性の熱可塑性樹脂）を用いることができる。
【００４２】
また、前記した各実施例において、１枚の基板にバンプを介して１個の半導体チップを装着した形式の基板に採用することができる。
即ち、前記した基板を複数枚、一つの金型で樹脂注入することができると共に、前記した金型には、前記した複数枚の基板（複数個の半導体チップ）の数に対応して同じ所要の高さを備えた金型キャビティが各別に設けられて構成されている。
なお、前記した１枚の基板に１個の半導体チップを装着した形式の基板には、個片状の樹脂部材を採用することができる。
【００４３】
本発明は、前述した実施例のものに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができるものである。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体チップをバンプを介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができると云う優れた効果を奏するものである。
【００４５】
また、本発明によれば、半導体チップをバンプを介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができると云う優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型開状態を示している。
【図２】 図２（１）は、図１に示す金型の要部を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であり、図２（２）は、図２（１）に示す金型の要部を概略的に示す概略平面図である。
【図３】 図３は、図２（１）に対応する金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型締状態を示している。
【図４】 図４（１）は、図１に示す金型で樹脂を注入された樹脂注入済基板を概略的に示す概略正面図であり、図４（２）・図４（３）は、前記した樹脂注入済基板から切断分離した個片を概略的に示す概略正面図である。
【図５】 図５（１）は、本発明に係る他のアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型開状態を示し、図５（２）は、図５（１）に示す金型に用いられる複数個の半導体チップを装着した基板を概略的に示す概略平面図である。
【図６】 図６は、 図５（１）に対応する金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型締状態を示している。
【図７】 図７は、本発明に用いられる他の複数個の半導体チップを装着した基板を概略的に示す概略平面図である。
【図８】 図８（１）は、本発明に用いられる他の基板と樹脂部材を概略的に示す概略正面図であり、図８（２）は、図８（１）に示す基板と樹脂部材とを用いて樹脂注入する金型の要部を概略的に示す一部切欠概略縦断面図である。
【図９】 図９（１）は、本発明に用いられる他の基板と樹脂部材を概略的に示す概略正面図であり、図９（２）は、図９（１）に示す基板と樹脂部材とを用いて樹脂注入する金型の要部を概略的に示す一部切欠概略縦断面図である。
【符号の説明】
１ 固定上型
２ 可動下型
３ 半導体チップ
４ バンプ（接続電極）
５ 基板
６ 凹所
７ キャビティ
８ 収容部
９ 連通路
１０ 個片状の樹脂部材
１１ 間（隙間）
１２ 樹脂注入済基板
１３ 調整部
１４ 樹脂（充填樹脂）
１５ 個片（フリップチップのパッケージ）
１６ 想定切断部位
１７ 半導体チップ天面（表面）
１８ キャビティ天面（キャビティ面）
２１ 固定上型
２２ 可動下型
２３ 基板
２４ 凹所
２５ キャビティ
２６ テープ状の樹脂部材（テープ部材）
２７ 樹脂注入済基板
２８ 樹脂（充填樹脂）
３１ 基板
３２ フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
３３ フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
３４ フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
４１ 基板
４２ 樹脂部材
４３ ベース層
４４ 隙間防止用の接着層
４５ 固定上型
４６ 可動下型
４７ 凹所
４８ キャビティ
４９ 樹脂（充填樹脂）
５０ 樹脂注入済基板
５１ 樹脂部材
５２ ベース層
５３ 隙間防止用の接着層
５４ 位置ずれ防止用の接着層
５５ 基板
５６ 樹脂注入済基板
Ａ 半導体チップの高さ
Ｂ 半導体チップの高さ
Ｃ 樹脂部材における所要の厚さ（所要の高さ）
Ｄ キャビティの高さ
Claims (2)
- アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて、高さにばらつきのある複数個の半導体チップの夫々を接続電極を介して一体に装着した基板を前記した金型における基板セット位置に供給して前記した金型を型締めすることにより、前記した金型におけるキャビティ内に前記した半導体チップを嵌装すると共に、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド方法であって、
前記した複数個の半導体チップの天面を被覆する所要の厚さを有する樹脂部材を用意する工程と、
前記した金型キャビティの高さを、前記した半導体チップの高さと前記した所要の厚さを有する樹脂部材の高さとをあわせた高さよりも低くなるように設定する工程と、
前記した金型キャビティ面と前記した金型における基板セット位置に供給した基板に装着した半導体チップ天面との間に、前記した所要の厚さを有する樹脂部材を介在させる工程と、
前記した金型を型締する工程と、
前記した金型の型締工程時において、前記した金型キャビティ面で前記した樹脂部材を前記した基板の半導体チップ天面に押圧する工程と、
前記した金型の型締工程時において、前記した半導体チップ天面と前記した金型キャビティ面との間で前記した樹脂部材を所要の形状に変形させることにより、前記した変形樹脂部材と前記した半導体チップ天面との間に隙間をなくす工程と、
前記した金型の型締工程時において、前記した金型キャビティ面に設けた調整部に前記した変形樹脂部材の一部を圧入することにより、前記した半導体チップ天面を押圧する樹脂部材の量を調整する工程とを行うことを特徴とするアンダーフィル樹脂モールド方法。 - 高さにばらつきのある複数個の半導体チップの夫々を接続電極を介して一体に装着した基板における半導体チップを嵌装した金型キャビティ内で前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド金型において、前記した金型キャビティの高さを、前記した金型キャビティに嵌装される半導体チップの高さと、前記した半導体チップ天面と前記した金型キャビティ面との間に介在させる樹脂部材の高さとをあわせた高さよりも低くなるように設定すると共に、前記した金型キャビティ面に、前記した金型の型締時に前記した金型キャビティ内で変形する樹脂部材の一部を圧入することにより、前記した金型キャビティ内における樹脂部材の量を調整する調整部を設けたことを特徴とするアンダーフィル樹脂モールド金型。
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