JP2004128303A - アンダーフィル樹脂モールド基板及び個片とアンダーフィル樹脂モールド方法及び金型 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体チップ３の天面１１に付着する樹脂ばりを効率良く防止して形成された樹脂注入済基板１０と、前記した樹脂注入済基板１０の所要個所を切断して形成した個片１５とを提供する。
【解決手段】まず、樹脂注入用金型１・２におけるキャビティ７の高さＤを、半導体チップ３の高さＡ（Ｂ）と、前記した半導体チップ３天面１１に取り付ける樹脂部材１２の所要の厚さＣとの合計より低く構成し、且つ、前記金型１・２を型締めすることにより、前記キャビティ７の天面１３で前記した樹脂部材１２を押圧して変形させると共に、前記した変形樹脂部材１２を介して前記した半導体チップ３の天面１１を所定の押圧力で押圧し、次に、前記キャビティ７内に溶融樹脂を注入することにより前記した各半導体チップ３と基板との間８に樹脂９を注入する。
【選択図】　　　図４

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップをバンプを介して一体に装着した基板（フリップチップ装着基板）において、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入してフリップチップのアンダーフィル樹脂モールド基板（樹脂注入済基板）を形成するアンダーフィル樹脂モールドと、前記アンダーフィル樹脂モールド基板の所要個所を切断してフリップチップのアンダーフィル樹脂モールド個片（樹脂注入済個片）を形成するアンダーフィル樹脂モールド個片の切断形成とに係り、特に、前記したアンダーフィル樹脂モールド基板と個片とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば、複数個の半導体チップをバンプ（接続電極）を介して一体に装着した基板（被成形品）において、前記した各半導体チップと基板との間（隙間）に樹脂を注入して樹脂注入済基板（アンダーフィル樹脂モールド基板）を形成する工程と、前記した樹脂注入済基板の所要個所を切断して樹脂注入済個片（アンダーフィル樹脂モールド個片）を形成する工程とが行われているが、前記した基板の樹脂注入工程と前記した個片の切断形成工程とは、次のようにして行われている。
なお、前記した基板の樹脂注入工程には、固定上型と可動下型とからなるアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）が用いられると共に、前記した個片の切断形成工程には、前記した樹脂注入済基板を吸着固定するプラットフォームと前記したプラットフォームに吸着固定された樹脂注入済基板を切断するブレード（切断刃）とを備えた切断装置が用いられている。
【０００３】
即ち、前記した基板の樹脂注入工程において、まず、前記した金型（前記上下両型）を所定の温度にまで加熱すると共に、前記した両型を型開きする。
次に、前記した複数個の半導体チップをバンプを介して装着した基板（被成形品）を前記した下型のセット用凹所に供給セットすると共に、前記した両型を型締めすることにより、前記した複数個の半導体チップを前記上型に設けた一つの樹脂注入用のキャビティ内に一括して嵌装セットする。
従って、次に、前記下型に設けた樹脂材料供給用のポット内で加熱溶融化された樹脂材料を樹脂加圧用のプランジャで加圧すると共に、当該溶融樹脂を樹脂移送用の樹脂通路を通して前記上型キャビティ内に注入充填することにより、少なくとも前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入する。
硬化に必要な所要時間の経過後、前記両型を型開きすることにより前記した金型から前記したキャビティ内で樹脂注入された樹脂注入済基板（成形品）を取り出すことになる。
【０００４】
ところで、前記した各半導体チップの高さ（前記した半導体チップの厚さと前記したバンプの高さとを含む）には、ばらつきが存在するため、前記した金型キャビティの高さ（上型面とキャビティ天面との垂直距離）を後述するように設定して前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入するようにしている。
例えば、前記した金型キャビティの高さ（深さ）を前記した半導体チップの高さの最高値（最大値）に設定した場合、前記した高さが最高値の半導体チップ以外の半導体チップの天面（表面）と前記したキャビティの天面（底面）との間に隙間が発生するので、当該隙間に溶融樹脂が浸入することによって前記した半導体チップの天面（通常、露出面となる）に樹脂ばりが付着形成され易い。
更に、前記した半導体チップの天面と前記したキャビティ天面との間に隙間が発生することにより前記したキャビティ天面で前記した半導体チップを前記した基板に押圧固定することができないので、前記したキャビティ内に注入される溶融樹脂の樹脂圧に対して前記した半導体チップの基板装着強度が耐えきれず、当該溶融樹脂にて前記した半導体チップが押し剥がれて破壊される等、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
また、前記した金型キャビティの高さを前記した半導体チップの高さの最低値（最小値）に設定した場合、前記した高さが最低値の半導体チップ以外の半導体チップの天面が前記キャビティ天面にて直接的に押圧されることになるので、前記した半導体チップに割れ及びひびが発生し易く、したがって、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
また、前記した金型キャビティの高さを前記した半導体チップの高さの平均値に設定した場合、前述した構成と同様に、前記した半導体チップ天面と前記した金型キャビティ天面との間に隙間が発生したり、且つ、前記した半導体チップが前記した金型キャビティ天面で押圧されることになるので、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが付着形成され易く、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
【０００５】
また、次に、前記した個片の切断形成工程において、まず、前記した樹脂注入済基板を前記した切断装置に設けられたプラットフォームに吸着固定し、次に、前記した吸着固定した樹脂注入済基板の所要個所（想定切断部位）を前記したブレードで切断して分離することにより、前記した各半導体チップに各別に対応した樹脂注入済個片を形成することになる。
【０００６】
また、１枚の基板に１個の半導体チップのみを装着した形式の基板について、前述した従来例と同様に、前記した基板を複数枚、一つの樹脂注入用金型で略同時に樹脂を注入する樹脂注入工程が行われている。
即ち、前記した一つの金型には、前記した複数枚の基板の数（半導体チップの数）に各別に対応して複数個の金型キャビティが同じ所要の高さで各別に設けられると共に、前記した各金型キャビティ内において、前記した基板と半導体チップとの間に樹脂を各別に注入して樹脂注入済基板を各別に形成することが行われている。
従って、この場合、前記した従来例と同様に、前記した各キャビティの高さが同じであるために、且つ、前記した各半導体チップの高さにばらつきがあるために、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが付着形成され易く、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
また、前記した従来例と同様に、前記した樹脂注入済基板における所要個所を切断することにより、前記した１枚の樹脂注入済基板における不要部分を切断分離して１個の樹脂注入済個片を形成することができる。
【０００７】
なお、前述したような従来例が記載されている特許文献等を調査したが発見できなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
即ち、前述したように、アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて、半導体チップを装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入してアンダーフィル樹脂モールド基板を形成した場合に、前記した半導体チップの表面に樹脂ばりが付着し且つ前記した半導体チップに損傷が発生したアンダーフィル樹脂モールド基板が形成され易いと云う弊害がある。
また、前記したアンダーフィル樹脂モールド基板の所要個所を切断することにより、前述したような弊害を有するアンダーフィル樹脂モールド個片が形成され易いと云う弊害がある。
【０００９】
従って、本発明は、アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて、半導体チップを装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入してアンダーフィル樹脂モールド基板を形成した場合に、前記した半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができ且つ前記した半導体チップに発生する損傷を効率良く防止することができるアンダーフィル樹脂モールド基板を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、前記したアンダーフィル樹脂モールド基板の所要個所を切断することによって、前記した半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができ且つ前記した半導体チップに発生する損傷を効率良く防止することができるアンダーフィル樹脂モールド個片を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を解決するための本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド基板は、アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて半導体チップを接続電極を介して一体に装着した基板における前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入して形成したアンダーフィル樹脂モールド基板であって、前記した半導体チップを嵌装する金型セット部と前記した半導体チップの表面との間に介在する所要の厚さの樹脂部材を介して前記した半導体チップの表面を押圧した状態で、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入して形成したことを特徴とする。
【００１１】
また、前記したような技術的課題を解決するための本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド個片は、アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて半導体チップを接続電極を介して一体に装着した基板における前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入して形成したアンダーフィル樹脂モールド基板の所要個所を切断して形成したアンダーフィル樹脂モールド個片であって、前記した半導体チップを嵌装する金型セット部と前記した半導体チップの表面との間に介在する所要の厚さの樹脂部材を介して前記した半導体チップの表面を押圧した状態で、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入して形成したアンダーフィル樹脂モールド基板の所要個所を切断して形成したことを特徴とする。
【００１２】
また、前記したような技術的課題を解決するための本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド方法は、アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて半導体チップを接続電極を介して一体に装着され且つ半導体チップ非装着面がバンプ装着部とバンプ非装着部とから構成される基板における前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド方法であって、まず、前記した基板を前記した金型セット位置に供給する際に、少なくとも前記したセット用凹所と前記した基板のバンプ非装着部との間に所要の厚さを有する樹脂部材を介在させる工程を行い、次に、前記した金型を型締することにより、少なくとも前記した基板のバンプ非装着部を前記した樹脂部材を介して押圧する工程を行うことを特徴とする。
【００１３】
また、前記したような技術的課題を解決するための本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型は、半導体チップを接続電極を介して一体に装着され且つ半導体チップ非装着面がバンプ装着部とバンプ非装着部とから構成される基板における前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド金型であって、前記した金型における基板のセット用凹所の深さが、少なくとも前記した基板のバンプ非装着部を押圧するための所要の厚さ有する樹脂部材を介在させることができる深さに形成されていることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明は、アンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）を用いて半導体チップの高さにばらつきのある半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した金型におけるキャビティの高さを、前記した半導体チップの高さと、前記半導体チップ天面に取り付ける樹脂部材の所要の厚さとの合計より低く構成した金型を用いて前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入する構成である。
また、本発明に用いられる樹脂部材（押圧材）は、所要の厚さを有し且つ柔軟性を有して変形自在に構成されているので、前記した樹脂部材を前記したキャビティ天面で前記した半導体チップ天面に所定の押圧力で押圧した場合、前記した樹脂部材は少なくとも前記した半導体チップ天面とキャビティ天面とで形成される空間部の形状に沿って押圧変形されるように構成され、当該空間部には前記した押圧変形した樹脂部材が介在する（充填される）ことになる。
即ち、前記した金型を型締めして前記キャビティの天面で前記した樹脂部材を前記した半導体チップの天面に押圧して（加熱を含む）変形させることにより、前記した押圧変形樹脂部材を前記した半導体チップの天面に押圧し、次に、前記キャビティ内に溶融樹脂を注入することにより、少なくとも前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入することができる。
従って、前述したように構成したことにより、前記した押圧変形樹脂部材を前記半導体チップ天面に押圧して前記した半導体チップ天面と樹脂部材との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるので、当該隙間に溶融樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ天面に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
また、前記した半導体チップを前記したキャビティ天面で前記した押圧変形樹脂部材を介して間接的に押圧することになるので、従来例のように、前記した半導体チップに直接的に押圧することはないように構成されている。
従って、前記したキャビティ天面にて前記した半導体チップに割れ等の損傷が発生することを効率良く防止することができる。
また、前記したキャビティ内において、前記した押圧変形した樹脂部材にて前記した半導体チップを押圧固定することにより、前記した半導体チップを溶融樹脂による所定の樹脂圧から保護することができるように構成されている。
従って、前記した半導体チップが溶融樹脂に押し剥がされて破壊されることを効率良く防止し得て、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００１５】
即ち、総じて、前述したように構成したことにより、前記半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができ且つ前記した半導体チップに発生する損傷を効率良く防止することができるアンダーフィル樹脂モールド基板を提供することができる。
また、前述したように構成したことにより、前記したアンダーフィル樹脂モールド基板の所要個所を切断することによって、前記半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができ且つ前記した半導体チップに発生する損傷を効率良く防止することができるアンダーフィル樹脂モールド個片を提供することができる。
【００１６】
また、前記した樹脂部材に、前記した半導体チップ天面との間に隙間が発生することを効率良く防止することができる隙間防止用の接着層を設ける構成を採用することができる。
即ち、前記した樹脂部材を介した半導体チップ天面に対する所定の押圧力と、前記した樹脂部材の接着層による半導体チップ天面に対する仮止的な所要の接着力との相乗作用で、前記した半導体チップ天面と樹脂部材との間に隙間が発生することを効率良く防止することができると共に、前記した所定の押圧力にて変形した樹脂部材を介して前記した半導体チップを前記した基板に効率良く押圧して固定することができる。
従って、前述した構成と同様に、前記した隙間防止用の接着層を備えた樹脂部材を用いる構成にて、前記した半導体チップ天面に樹脂ばりが付着形されることを効率良く防止することができ、且つ、前述した構成と同様の作用効果を得ることができる。
【００１７】
【実施例】
以下、実施例図に基づいて説明する。
まず、図１（１）・図１（２）・図２・図３（１）・図３（２）・図４（１）・図４（２）・図４（３）を用いて、第１実施例を説明する。
なお、図１（１）は本発明に用いられるアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）の型開状態を示す図であり、図１（２）は図１（１）に示す金型で樹脂注入される基板（樹脂注入前基板）である。
また、図２は図（１）に対応する金型の型締状態を示している。
また、図３（１）は図１（２）に示す基板に樹脂部材を取り付けた状態（被覆した状態）を示し、図３（２）は図２に示す金型の要部を示してる。
また、図４（１）は図１（１）及び図２に示す金型で樹脂を注入されたアンダーフィル樹脂モールド基板（樹脂注入済基板）であり、図４（２）・図４（３）は前記したアンダーフィル樹脂モールド基板における所要個所を切断して形成したアンダーフィル樹脂モールド個片（樹脂注入済個片）である。
【００１８】
まず、アンダーフィル樹脂モールド工程（基板の樹脂注入工程）について説明する。
即ち、図例に示すように、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）は、固定上型１と前記上型１に対向配置した可動下型２とから構成されると共に、前記した金型には前記両型１・２を所定の型締圧力で型締めする型締機構（図示なし）と、前記した両型１・２には前記両型１・２を所定の温度にまで加熱する加熱手段（図示なし）とが設けられて構成されている。
従って、前記した型締機構にて前記した下型２を上動することにより、前記両型１・２を所定の型締圧力で型締めすることができるように構成されると共に、前記両型１・２を前記した加熱手段にて所定の温度にまで加熱することができるように構成されている。
【００１９】
また、前記した下型２には複数個の半導体チップ３の夫々をバンプ４（接続電極）を介して一体に装着した基板５（被成形品）を供給セットするセット用凹所６（基板のセット位置）が設けられると共に、前記上型１には前記した複数個の半導体チップ３を一括して嵌装セットする所要の高さ（深さ）Ｄを有する樹脂注入用キャビティ７が設けられて構成されている。
なお、図例に示すように、前記したキャビティ７の高さは、前記した上型１の型面と前記キャビティ７の天面１３との間の垂直距離である。
また、図１（２）に示すように、前記した基板５には前記した複数個の半導体チップ３が前記した基板５上に一列に配置されて構成されている。
また、図３（１）に示すように、前記した基板５の半導体チップ３において、前記したバンプ４の高さと半導体チップ３の厚さとを含む半導体チップ３の高さに、ばらつきが存在すると共に、前記した半導体チップ３の高さは高さＡと高さＢとで示され、前記半導体チップ３の高さＡは前記半導体チップ３の高さＢより高く構成されている。
なお、図例に示すように、前記した半導体チップ３の高さは、前記した基板５の上面（半導体チップ装着面）と前記した半導体チップ３の天面１１との間の垂直距離である。
従って、前記セット用凹所６に前記基板５を供給セットすると共に、前記下型２を上動して前記両型１・２を型締めすることにより、前記した所要の高さＤを有するキャビティ７内に前記した一列配置の各半導体チップ３（高さＡ・Ｂ）を一括して嵌装セットすることができるように構成されている。
なお、前記した両型１・２の型締時に、前記した基板５の上面（半導体チップ装着面）は前記した両型１・２のパーティングライン面（型面）に一致するように構成されている。
【００２０】
また、図示はしていないが、前記した両型１・２には前記キャビティ７内に溶融樹脂を所定の樹脂圧で注入する樹脂注入機構等の樹脂注入に必要な諸機構等が設けられて構成されている。
なお、前記した樹脂注入機構として、例えば、樹脂材料供給用のポットと、前記ポット内に嵌装した樹脂加圧用のプランジャと、前記したキャビティ７内と前記したポット内とを連通接続する樹脂通路（ランナ・ゲート等）とから構成されている。
即ち、前記したポット内で加熱溶融化された樹脂材料を前記プランジャで加圧することにより、前記キャビティ７内に所定の樹脂圧で注入することができるように構成されると共に、前記キャビティ７内に嵌装された少なくとも複数個の半導体チップ３と基板５との間８（隙間）に当該溶融樹脂（樹脂９）を注入することができるように構成されている。
従って、前記キャビティ７内で少なくとも前記した複数個の半導体チップ３と基板５との間８に当該溶融樹脂を注入することにより、前記キャビティ７内で樹脂注入済基板１０（成形品）を形成することができるように構成されている。
【００２１】
また、図例に示すように、前記した一列配置の各半導体チップ３の天面１１（表面）にテープ状の樹脂部材１２（テープ部材）を取り付ける（被覆する）ことができるように構成されると共に、前記した樹脂部材１２は所要の厚さＣ（所要の高さＣ）を有するように構成されている。
従って、前記テープ状樹脂部材１２（単層）を前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けた状態で（被覆した状態で）、前記した基板５を前記したセット用凹所６に供給セットすると共に、前記両型１・２を所定の型締圧力にて型締めすることにより、前記キャビティ７内において、少なくとも前記キャビティ７の天面１３と前記キャビティ７に嵌装した半導体チップ３の天面１１との間に、前記した樹脂部材１２を介在させることができるように構成されている。
なお、前記したキャビティ７内には、前記した樹脂部材１２を介在させる空間部が設定されて構成されると共に、前記した樹脂部材１２は、後述するように、樹脂ばり防止用、半導体チップ押圧固定用として用いられるものである。
【００２２】
また、図例に示すように、前記したキャビティ７の高さＤ（深さ）は、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材１２を取り付けた状態の高さ、即ち、前記した半導体チップ３の高さＡ（Ｂ）と前記した樹脂部材１２の所要の厚さＣとを合計した高さより低く（小さく）なるように構成されている。
従って、前記した両型１・２の型締時に、前記したキャビティ７内に介在する樹脂部材１２を前記したキャビティ天面１３で（キャビティ面で）型締方向（図例では下方向）に前記した所定の型締圧力にて押圧することができるように構成されている。
このとき、前記キャビティ７内において、前記キャビティ７の天面１３で、前記した半導体チップ３の天面１１を、前記した樹脂部材１２を介して、前記した所定の型締圧力による所定の押圧力にて押圧することができるように構成されている。
また、このとき、前記キャビティ７内において、前記した樹脂部材１２は、前記した加熱手段による所定の温度にて加熱されることにより、且つ、前記したキャビティ７の天面１３（キャビティ面）による所定の押圧力にて押圧されることにより、所要の形状に柔軟に変形することができるように構成されている。
なお、前記した加熱手段（前記した所定の温度）による加熱は、通常の樹脂注入（アンダーフィル樹脂モールド）に用いられる構成である。
【００２３】
また、前述したように構成したことにより、前記した変形した樹脂部材１２で前記半導体チップ３の天面１１を所定の押圧力にて押圧することができるように構成されているので、前記した変形した樹脂部材１２と前記した半導体チップ３の天面１１との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
即ち、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材１２を所定の押圧力で押圧した状態で、前記したキャビティ７内に溶融樹脂を所定の樹脂圧で注入して、前記した半導体チップ３と前記した基板５との間８に樹脂を注入する場合、前記した変形した樹脂部材１２と前記した半導体チップ３の天面１１との間に当該溶融樹脂が浸入することを効率良く防止することができるように構成されている。
従って、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３の天面１１に付着形成される樹脂ばりを効率良く防止することができる。
【００２４】
また、前述したように構成したことにより、前記した変形した樹脂部材１２で前記半導体チップ３の天面１１を所定の押圧力にて押圧することができるように構成されているので、前記したキャビティ７内で前記した半導体チップ３を前記した基板５に効率良く押圧固定することができるように構成されている。
即ち、前記キャビティ７内に溶融樹脂を所定の樹脂圧で注入して前記した半導体チップ３と基板５との間８に樹脂を注入する場合、前記した所定の押圧力にて前記した半導体チップ３を押圧することによって、前記したキャビティ７内に注入される溶融樹脂にて前記した半導体チップ３が前記した基板５から押し剥がされて破壊されることを効率良く防止することができるように構成されている。
従って、前述したように構成したことにより、前記半導体チップ３が当該溶融樹脂にて押し剥がされることを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
【００２５】
なお、前述したように、前記した両型１・２の型締時に、前記したキャビティ７に、前記半導体チップ３の天面１１と前記キャビティ７の天面１３との間に前記樹脂部材１２を介在させる空間部を形成する構成であって、前記キャビティ７の高さＤは前記半導体チップ３の高さＡ（Ｂ）より高く形成されている。
従って、前記半導体チップ３の天面１１と前記キャビティ７の天面１３とが接触しない構成であるので、前記キャビティ７の天面１３にて前記半導体チップ３（の天面１１）に損傷が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
【００２６】
また、前記した所定の押圧力と前記した所定の樹脂圧とについて、例えば、前記した押圧力より前記した樹脂圧を低圧（小さく）に設定する構成を採用することができる。
【００２７】
また、前記した樹脂部材１２（の樹脂材料）として、熱硬化性樹脂を採用することができる。
即ち、前記した樹脂部材１２は、加熱且つ押圧されて所要の形状に変形されるが、前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けられた樹脂部材の硬化状態（例えば、完全硬化、半硬化、一部硬化等の硬化状態）にかかわらず、当該硬化状態の樹脂部材を介して前記した半導体チップ３の天面１１を所定の押圧力で押圧することができるように構成されている
例えば、前記した樹脂部材１２の状態として、前記した半導体チップ３の天面１１に取り付ける前には、柔軟性を有し且つ巻取可能な状態であり、前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けて加熱且つ押圧した後には、所要の形状に変形し且つ半硬化状態となる構成を採用することができる。
【００２８】
即ち、図１（１）・図１（２）に示すように、まず、前記した基板５に装着した複数個の半導体チップ３の天面１１に前記したテープ状で且つ所要の厚さＣを有する樹脂部材１２を取り付けると共に、前記した下型のセット用凹所６に前記した基板５を、図３（１）に示すように、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材１２を取り付けた状態で、供給セットする。
なお、このとき、前記した下型凹所６内の基板５の上面（前記半導体チップ３の装着面）の位置は前記した下型２の型面の位置に合致している。
また、次に、図２に示すように、前記した両型１・２を所定の型締圧力で型締めすることにより、前記した複数個の半導体チップ３を前記キャビティ７内に嵌装する。
このとき、図３（２）に示すように、前記したキャビティ７内において、前記したキャビティ７の天面１１で前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けられた樹脂部材１２を加熱且つ押圧して所要の形状に変形させることになる。
即ち、前記した半導体チップ３の天面１１を前記した所定の型締圧力による所定の押圧力で前記した変形した樹脂部材１２介して押圧することにより、前記した半導体チップ３の天面１１と前記した変形した樹脂部材１２との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
【００２９】
また、次に、前記した半導体チップ３の天面１１を前記した変形した樹脂部材１２を介して所定の押圧力で押圧した状態で、前記したゲート等の樹脂通路を通して前記キャビティ７内に加熱溶融化された樹脂材料を所定の樹脂圧にて注入することにより、前記キャビティ７内で前記した半導体チップ３と基板５との間に当該溶融樹脂樹脂を注入し、前記キャビティ７内で樹脂注入済基板１０（アンダーフィル樹脂モールド基板）を形成する。
硬化に必要な所要時間の経過後、前記両型１・２を型開きすることにより、前記キャビティ７内で樹脂注入された樹脂注入済基板１０を、前記した変形した樹脂部材１２を前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けた状態で、離型して取り出すと共に、前記した変形した樹脂部材１２を前記した半導体チップ３の天面１１から取り外し、前記した樹脂注入済基板１０を得ることができる。
【００３０】
即ち、前述したように、前記した樹脂部材１２を用いた構成を採用したことにより、前記半導体チップ３の天面１１と前記した変形した樹脂部材１２との間に隙間が発生することを効率良く防止することができる構成であるので、前記した各半導体チップ３と基板５との間に樹脂を注入した場合に、前記した隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３の天面１１に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
また、前述したように、前記した樹脂部材１２を用いた構成を採用したことにより、前記した所定の押圧力にて前記した変形した樹脂部材１２を介して前記した半導体チップ３の天面１１を前記した基板５に効率良く押圧固定することができるので、前記した各半導体チップ３と基板５との間に樹脂を注入した場合に、前記した半導体チップ３が前記した基板５から押し剥がされて破壊されることを効率良く防止し得て前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００３１】
従って、本発明を前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３の天面１１に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができ且つ前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができるアンダーフィル樹脂モールド方法及びその方法に用いられるアンダーフィル樹脂モールド金型を提供することができる。
また、本発明を前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３の天面１１に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができ且つ前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる樹脂部材１２を提供することができる。
【００３２】
次に、前記したアンダーフィル樹脂モールド工程で樹脂注入されて形成された樹脂注入済基板１０を前記した各半導体チップ３に対応した個片に切断する個片の切断形成工程について説明する。
また、図示はしていないが、前記した樹脂注入済基板１０を切断する切断装置には、少なくとも、前記した樹脂注入済基板１０を吸着固定するプラットフォームと、前記したプラットフォームに吸着固定した樹脂注入済基板１０の所要個所（想定切断部位）を切断するブレード（切断刃）とが備えられている。
なお、図４（１）に示す図例では、前記想定切断部位を矢印１４で示す。
【００３３】
即ち、まず、前記した樹脂注入済基板１０を前記したプラットフォームに吸着固定し、次に、前記した吸着固定した樹脂注入済基板１０の想定切断部位１４を前記したブレードで切断して分離することにより、前記した各半導体チップ３に各別に対応したアンダーフィル樹脂モールド個片１５（樹脂注入済個片）を形成することになる。
なお、図４（２）・図４（３）には、前記した樹脂注入済基板１０を切断して分離した個片１５、即ち、図４（２）には半導体チップ３の高さＡの個片が示され、図４（３）には半導体チップ３の高さＢの個片が示されている。
従って、本発明において、前記した樹脂部材１２を用いるアンダーフィル樹脂モールド工程を実施することにより、前記した半導体チップ３の天面１１に付着形成される樹脂ばりを効率良く防止して形成された且つ前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止して形成されたアンダーフィル樹脂モールド基板（樹脂注入済基板１０）を提供することができる。
また、本発明において、前記した樹脂部材１２を用いるアンダーフィル樹脂モールド工程と、前記した個片の切断形成工程とを実施することにより、前記した半導体チップ３の天面１１に付着形成される樹脂ばりを効率良く防止して形成した且つ前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止して形成したアンダーフィル樹脂モールド個片（樹脂注入済個片１５）を提供することができる。
【００３４】
次に、図５を用いて第２実施例を説明する。
なお、図５にはマトリックス形（マップ形）の基板が示されている。
【００３５】
即ち、前記した実施例では、一列配置の半導体チップ３の天面１１にテープ状の樹脂部材１２を取り付ける構成を例示したが、第２実施例では、マトリックス形配置の半導体チップ３の天面１１に所要の厚さ（Ｃ）を有する樹脂部材を取り付ける構成を説明する。
なお、図５に示す基板３１には複数個の半導体チップ３がマトリックス形（図例では、縦４個×横６個の合計２４個）に配置されて構成されていると共に、前記した各半導体チップ３の高さには、ばらつきがある。
また、前記した半導体チップ３を嵌装する金型のキャビティの高さ（Ｄ）の設定等は前記した実施例と同様に構成されている。
即ち、図５に示すように、前記したマトリックス形の基板３１において、前記した半導体チップ３（天面１１）の数とその配置形状に対応した（平面的な）範囲に、前記した樹脂部材を取り付けることができるように構成されている。
従って、前記した基板３１の各半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材を適宜に取り付けて樹脂を注入することができるように構成されている。
【００３６】
例えば、図５に示すように、前記した半導体チップ３の天面１１に取り付ける樹脂部材の範囲として、前記したマトリクス形配置の半導体チップ全体（図例では２４個）に取り付けるフィルム状の樹脂部材３２（１枚）を採用することができる。
この場合、前記マトリックス形配置基板３１の各半導体チップ３の天面１１に前記したフィルム状樹脂部材３２（フィルム部材）を１枚、取り付けた状態で、１個のキャビティ内に一括して嵌装セットすることになる。
また、図５に示すように、４個の半導体チップ３の天面１１にフイルム状の樹脂部材３３を取り付ける構成（或いは、６個の半導体チップ３の天面１１にフィルム状の樹脂部材３４を取り付ける構成）を採用することができる。
この場合、４個（６個）の半導体チップ３天面に前記したフィルム状樹脂部材３３（３４）を６枚（４枚）、各別に取り付けた状態で、例えば、前記した樹脂部材単位で、６個（４個）のキャビティ内に各別に、或いは、一つのキャビティ内に一括して嵌装セットすることになる。
また、図５に示すように、１個の半導体チップ３の天面１１に個片状の樹脂部材３５を取り付ける構成を採用することができる。
この場合、１個の半導体チップ３の天面１１に１枚の個片状の樹脂部材３５を取り付けた状態で、２４個のキャビティ内に各別に、或いは、一つのキャビティ内に一括して嵌装セットすることになる。
【００３７】
即ち、図５に示す各実施例において、前記したキャビティ内において、前記キャビティ天面で前記した樹脂部材３２・３３・３４・３５を前記した各半導体チップ３の天面１１に加熱且つ押圧することができるので、前記した各半導体チップ３の天面１１で前記した樹脂部材３２・３３・３４・３５を所要の形状に変形することができる。
また、前記したキャビティ内で前記した各半導体チップ３の天面１１を前記した樹脂部材３２・３３・３４・３５を介して所定の押圧力で押圧した状態で、前記した半導体チップ３と前記した基板３１との間（隙間）に樹脂を所定の樹脂圧で注入することができる。
また、次に、前記した実施例と同様に、前記したマトリックス形基板３１を樹脂注入した樹脂注入済基板を切断して個々の個片を形成することになる。
従って、図５に示す各実施例において、前記した実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００３８】
次に、図６・図７（１）・図７（２）を用いて第３実施例を説明する。
なお、図６・図７（１）には半導体チップの天面に押圧される樹脂部材の量を調整するキャビティ天面の調整部が示され、図７（２）には、樹脂注入後における変形樹脂部材が取り付けられた状態の基板が示されている。
【００３９】
即ち、図６・図７に示す樹脂注入用金型は、固定上型２１と、可動下型２２とから構成されると共に、前記した下型２２には複数個の半導体チップ３を接続電極４を介して一体に装着した基板２３を供給セットするセット用凹所２４が設けられ、前記した上型２１には前記した複数個の半導体チップ３を嵌装する所要の高さＤを備えた樹脂注入用キャビティ２５が設けられて構成されている。
また、前記した基板２３に装着された半導体チップ３の天面１１には個片状の所要の厚さＣを有する樹脂部材２６を各別に取り付けることができるように構成されると共に、前記した半導体チップ３の高さＡ・Ｂには、ばらつきがある。
なお、前記した各実施例と同様に、前記したキャビティ２５の高さＤは、前記した半導体チッ３プの高さＡ（Ｂ）と前記した樹脂部材の厚さＣとを合計した高さより低く設定されている。
また、前記した上型キャビティ２５には前記した半導体チップ３の天面１１に前記した個片状樹脂部材２６を取り付けた状態で収容する収容部２７（小キャビティ）が各別に設けられて構成されると共に、前記したキャビティ２５には前記した各収容部２７間を連通接続する連通路２８が設けられて構成されている。
従って、前記した各半導体チップ３と基板２３との間に樹脂を注入するとき、前記キャビティ２５内で前記した連通路２８を通して前記した各収容部２７に樹脂を注入することができるように構成されている。
また、前記した収容部２７の天面（前記キャビティ２５の天面２９）には、前記した両型２１・２２の型締時に前記した収容部２７内に収容された半導体チップ３の天面１１に取り付けられた樹脂部材２６の量を調整する調整部３０（凹部）が設けられて構成されている。
例えば、前記した調整部３０内に前記した樹脂部材２６の過剰量の一部を押し込むで収容することにより、前記収容部２７内で前記半導体チップ３の天面１１に取り付けられた樹脂部材２６の量を効率良く調整することができるように構成されている。
従って、前記した両型２１・２２を所定の型締圧力にて型締することにより、前記した調整部３０内に前記した樹脂部材２６の一部を収容して前記した収容部２７内に収容した半導体チップ３の天面１１上の樹脂部材２６を前記したキャビティ２５の天面２９にて加熱且つ押圧して前記した樹脂部材２５を所要の形状に変形することができる。
このとき、前記した調整部３０内に前記した変形樹脂部材３６（２６）の一部（過剰量）が押し込まれて収容されると共に、この状態で、前記した半導体チップ３の天面１１を前記した変形樹脂部材３６（２６）を介して所定の押圧力で押圧することができるように構成されている。
従って、前記各実施例と同様に、前記した両型２１・２２と樹脂部材２６を用いることにより、前記した各半導体チップ３と基板２３との間３７に樹脂３８を注入して樹脂注入済基板３８を得ることができる。
【００４０】
即ち、図６に示すように、前記した基板２３に装着した各半導体チップ３の天面１１に前記した個片状の樹脂部材２６を取り付けると共に、前記したセット用凹所２４に供給セットして前記両型２１・２２を型締めすることにより、前記した各半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材２６を取り付けた状態で、前記した半導体チップ３を前記キャビティの各収容部２７内に嵌装セットする。
このとき、前記したキャビティ２５内において、前記した樹脂部材２６は加熱且つ押圧されて変形すると共に、前記した変形樹脂部材３６（２６）の一部は前記した調整部３０内に押し込まれて収容されることになる。
即ち、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した変形樹脂部材３６（２６）を介して所定の押圧力で押圧した状態で、前記したキャビティ２５内に樹脂を注入することにより、前記した各半導体チップ３と基板２３との間８に樹脂３７を注入することができる。
また、次に、図７（２）に示すように、前記した樹脂注入済基板３８の想定切断部位３９から切断することにより、前記した樹脂注入済基板３８を個々の個片に分離することができる。
従って、本実施例は、前記各実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００４１】
なお、本実施例において、前記した調整部３０を設けた構成を採用したので、前記したキャビティ２５内において、前記したキャビティ２５（前記収容部２７）内で前記した半導体チップ３の天面１１と前記したキャビティ２５の天面２９（前記した収容部２７の天面）との間に介在する樹脂部材３６（２６）の量を効率良く調整することができる。
従って、前記した調整部３０で前記した樹脂部材３６（２６）の量を効率良く調整し得て、前記半導体チップ３の天面１１を前記変形樹脂部材３６（２６）を介して所定の押圧力にて押圧することができる。
【００４２】
次に、図８（１）・図８（２）及び図９（１）・図９（２）を用いて第４実施例を説明する。
なお、図８（１）と図９（１）とには本実施例に用いられる基板と樹脂部材とが各別に示されている。
また、図８（２）と図９（２）とには、図８（１）と図９（１）とに示す基板に樹脂注入する金型が各別に示されている。
【００４３】
まず、図８（１）・図８（２）について説明する。
即ち、図８（１）に示す基板４１にはバンプ４（接続電極）を介して複数個の半導体チップ３が装着されて構成されると共に、前記した半導体チップ３の厚さとバンプ４の高さとを含む半導体チップ３の高さには、ばらつきがあり、図例では、前記した半導体チップ３の高さをＡとＢとで示し、前記した高さＡは前記した高さＢより高くなるように構成されている。
また、図８（１）に示す所要の厚さＣを有する樹脂部材４２は担体となるベース層４３と隙間防止用の接着層４４との２層から構成され、且つ、前記した接着層４４は所要の接着力を有するように構成されると共に、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材４２（前記した接着層４４）を仮止的に接着させて取り付けることができるように構成されている。
また、図８（２）に示すアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）には、固定上型４５と前記上型４５に対向配置した可動下型４６とが設けられて構成されている。
また、前記した下型４６には前記した基板４１を供給セットするセット用凹所４７が設けられると共に、前記した上型４５には樹脂注入用のキャビティ４８が設けられて構成されている。
また、前記した各実施例と同様に、前記両型４５・４６には、前記したキャビティ４８内で前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間８に樹脂４９を注入する諸機構等が設けられて構成されている。
従って、前記した下型４６の凹所４７に前記した基板４１を供給セットして前記した下型４６を上動することにより、前記両型４５・４６を所定の型締圧力にて型締めすることにより、前記したキャビティ４８内で複数個の半導体チップ３を一括して嵌装セットすることができるように構成されている。
また、図８（１）に示すように、前記した隙間防止用の接着層４４側を下向きにした状態で（前記した半導体チップ３側に向けた状態で）、前記した複数個の半導体チップ３の天面１１（表面）に仮止的に取り付ける（被覆する）ことができるように構成されている。
従って、前記した両型４５・４６の型締時に、前記した２層の樹脂部材４２を前記した複数個の半導体チップ３の天面１１に取り付けた状態で、前記した複数個の半導体チップ３を一括して前記したキャビティ４８内に嵌装セットすることができるように構成されると共に、前記した両型４５・４６のキャビティ４８内で前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間８に樹脂４９を注入して樹脂注入済基板５０を形成することができるように構成されている。
また、前記した実施例と同様に、前記したキャビティ４８は所要の高さＤを備え、前記したキャビティの４８の所要の高さＤは、前記した半導体チップ３の高さＡ（Ｂ）と前記した２層の樹脂部材４２の所要の厚さＣとを合計した高さより低くなるように構成されている。
従って、前記した各実施例と同様に、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８内において、前記したキャビティ４８の天面５７（底面）で前記した半導体チップ３の天面１１を前記した樹脂部材４２を介して所定の押圧力にて押圧する（加熱を含む）ことができるように構成されている。
【００４４】
即ち、図８（１）に示すように、まず、前記した複数個の半導体チップ３の天面１１に前記した２層の樹脂部材４２を前記した隙間防止用の接着層４４を下向きにした状態で仮止的に取り付ける。
このとき、前記した樹脂部材４２の接着層４４と前記した半導体チップ３の天面１１との間には隙間が発生しないように構成されている。
次に、図８（２）に示すように、前記した複数個の半導体チップ３の天面１１に前記した２層の樹脂部材４２を取り付けた状態で、前記した下型凹所４７に供給セットして前記した両型４５・４６を所定の型締圧力で型締めする。
このとき、前記した半導体チップ３の高さにばらつき（Ａ・Ｂ）があったとしても、前記したキャビティ４８の天面５７（キャビティ面）にて前記した２層の樹脂部材４２が所定の押圧力（所定の型締圧力）で押圧されることになるので、前記したキャビティ４８内で前記した２層の樹脂部材４２は前記した所定の押圧力にて押圧されて（加熱を含む）変形されることになる。
また、このとき、前記した樹脂部材４２の接着層４４と半導体チップ３の天面１１との間には、前記した所定の押圧力と、前記した接着層４４の仮止的な所要の接着力との相乗作用にて隙間が発生しないように構成されている。
また、次に、前記したキャビティ４８内に溶融樹脂を所定の樹脂圧にて注入することにより、前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間８に樹脂を注入する。
即ち、前記各半導体チップ３の天面１１を所定の押圧力で押圧した状態で、且つ、前記した各半導体チップ３の天面１１に前記した２層の樹脂部材４２における接着層４４を接着した状態で、前記した各半導体チップ３の天面１１と前記した樹脂部材４２との間に隙間が発生することを効率良く防止し得て、前記したキャビティ４８内で前記した各半導体チップ３と前記した基板４１との間８（隙間）に樹脂４９を所定の樹脂圧で効率良く注入することができる。
また、次に、前記した両型４５・４６を型開きすることにより、前記したキャビティ４８内で形成された樹脂注入済基板５０を前記した樹脂部材４２を仮止的に接着させた状態で取り出すと共に、前記した樹脂注入済基板５０における半導体チップ３の天面１１から前記した仮止的に接着した樹脂部材４２を引き剥がして樹脂注入済基板５０を得ることができる。
従って、次に、前記した樹脂注入済基板５０の所要個所を切断して個々の個片を分離形成することができる。
【００４５】
即ち、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３の高さにばらつきがある場合に、前記した半導体チップ３の天面１１と前記した変形した樹脂部材４２（前記した接着層４４）との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるので、前記した隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
また、前述したように構成したことにより、前記した所定の押圧力にて前記した変形樹脂部材４２を介して前記した半導体チップ３の天面１１を前記した基板４１に効率良く押圧固定する（前記した接着層４４による仮止的な接着固定を含む相乗効果）ことができるので、前記した各半導体チップ３と基板４１との間８に樹脂を注入した場合に、前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００４６】
次に、図９（１）・図９（２）について説明する。
即ち、図９（１）・図９（２）に示す実施例は、前記した樹脂部材に位置ずれ防止用（位置移動防止用）の接着層を形成した構成である。
また、図９（１）に示す樹脂部材５１は、担体となるベース層５２と、隙間防止用の接着層５３（前記した半導体チップ３の天面１１側用）と、位置ずれ防止用の接着層５４（前記したキャビティ４８の天面５７側用）との３層から構成されている。
また、図９（１）・図９（２）に示す金型の構成部材及び基板５５の構成部材は、図８（１）・図８（２）に示す金型の構成部材及び基板４１の構成部材と同じであるため、同じ符号を付す。
即ち、図９（１）・図９（２）に示す実施例において、図８（１）・図８（２）に示す実施例と同様に、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８の天面５７にて前記した樹脂部材５１を所定の押圧力（所定の型締圧力）でもって押圧して変形させることができると共に、前記した半導体チップ３の天面１１と前記した樹脂部材５１との間に、前記した樹脂部材５１に対する押圧力と、前記した樹脂部材５１の隙間防止用の接着層５３の仮止的な所要の接着力との相乗作用にて、隙間が発生しないように構成されている。
また、図９（１）・図９（２）に示す実施例において、図８（１）・図８（２）に示す実施例と同様に、前記した基板５５において、前記した半導体チップ３と基板５５との間８に樹脂４９を注入して樹脂注入済基板５６を得ることができるように構成されている。
なお、次に、前記した樹脂注入済基板５６の所要個所を切断して個々の個片を分離形成することができるように構成されている。
従って、図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記した隙間防止用の接着層５３の作用効果は、図８（１）・図８（２）に示す実施例の作用効果と同じ作用効果を示すものである。
【００４７】
また、図９（２）に示すように、前記した両型４５・４６の型締時に、前記した樹脂部材５１の位置ずれ防止用の接着層５４を前記したキャビティ４８の天面５７に仮止的に接着させることができるように構成されている。
即ち、前記両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８の天面５７にて前記した樹脂部材５１を所定の押圧力（所定の型締圧力）で押圧変形させることにより、前記した位置ずれ防止用の接着層５３を前記したキャビティ４８の天面５７に仮止的な所要の接着力にて接着させることができるように構成されるとと共に、前記したキャビティ４８内において、前記した樹脂部材５１の位置が、ずれないように（移動しないように）構成されている。
従って、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８内で前記した樹脂部材５１の位置が、ずれること（移動すること）を効率良く防止することができる。
なお、前記キャビティ４８内で前記した樹脂注入済基板５６を形成した後、前記した両型４５・４６を型開きすることにより、前記したキャビティ４８の天面５７に仮止的に接着した樹脂部材５１を、前記したキャビティ４８の天面５７から引き剥がすことができるように構成されている。
従って、前記した両型４５・４６を型開時に、前記樹脂注入済基板５６を、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材５１を仮止的に接着した状態で、前記したキャビティ４８内から取り出すことができるように構成されている。
【００４８】
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記した樹脂部材に前記した位置ずれ防止用の接着層のみを設ける構成を採用してもよい。
なお、前記した接着層は好ましくは柔軟性或いは弾性を有した方が良い。
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例において、図６・図７（１）・図７（２）に示す実施例に記載のキャビティ天面に設けられた調整部の構成を採用することができる。
【００４９】
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記半導体チップ３の天面１１に取り付ける樹脂部材の平面形状は、前記した各実施例と同様に、テープ状、フィルム状、個片状等の適宜な形状に設定することができる。
【００５０】
また、前記した２層の樹脂部材４２と前記した３層の樹脂部材５１において、熱硬化性樹脂を用いることができる。
例えば、前記したベース層４３・５２を完全硬化樹脂層で形成し、前記接着層４４・５３・５４を半硬化樹脂層で形成する構成を採用することができる。
【００５１】
なお、前記した接着層４４・５３・５４を適宜な接着剤にて形成することができる。
例えば、前記接着層４４・５３・５４を熱可塑性樹脂層にて、好ましくは、耐熱性の熱可塑性樹脂層にて形成してもよい。
【００５２】
次に、図１０（１）・図１０（２）・図１１（１）・図１１（２）を用いて、第４実施例を説明する。
なお、図１０（１）・図１１（１）は、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）である。
また、図１０（２）は、本発明に用いられる基板である。
また、図１１（２）は、図１０（２）に示す基板を図１０（１）・図１１（１）に示す金型で樹脂注入して形成した樹脂注入済基板であり、図１１（２）の向かって左側には半導体チップの高さＡの樹脂注入済基板が示され、図１１（２）の向かって右側には半導体チップの高さＢの樹脂注入済基板が示されている。
【００５３】
即ち、本実施例に用いられる基板は、図例に示すように、１枚の基板６１に１個の半導体チップ３を接続電極４を介して一体に装着した構成である。
なお、前記した実施例と同様に、前記した各基板６１における半導体チップ３の高さＡ・Ｂには、ばらつきがあり、前記した高さＡは前記した高さＢより高く構成されている。
また、本実施例は、前記基板６１を複数枚（図例では４枚）を、一つの金型において、前記した各基板６１に対応した樹脂注入用のキャビティ６５内で樹脂部材６６を用いて各別に樹脂注入する構成である。
また、図１０（１）・図１１（１）に示すように、本実施例に用いられる金型は、固定上型６２と、可動下型６３とから構成されている。
また、前記した下型６３には前記した複数枚の基板６１を供給するセット用凹所６４が各別に設けられると共に、前記した上型６２には前記した複数枚の基板６１を嵌装セットする樹脂注入用キャビティ６５が各別に設けられて構成され、前記した各キャビティ６５は各別に所要の高さＤを備えることができるように構成されている。
また、前記した基板６１に装着された半導体チップ３の天面１１に、所要の厚さ（高さ）Ｃを有する個片状の樹脂部材６６が取り付けられるように構成されている。
なお、前記した各実施例と同様に、前記したキャビティ６５の高さＤは、前記した半導体チップ３の高さＡ（Ｂ）と前記した樹脂部材６６の厚さＣとの合計した高さより低く構成されている。
従って、前記各実施例と同様に、前記した各キャビティ６５内において、前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けた樹脂部材６６を前記したキャビティ６５の天面６７（底面）で各別に押圧して（加熱を含む）変形させることができるように構成されると共に、前記した半導体チップ３の天面１１を前記した樹脂部材６６を介して所定の押圧力で各別に押圧することができるように構成されている。
【００５４】
即ち、図例に示すように、まず、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材６６を取り付けた基板６１を前記したセット用凹所６４に各別に供給セットして前記両型６２・６３を所定の型締圧力にて型締めすることにより、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材６６を取り付けた状態で、前記したキャビティ６５内に嵌装セットする。
このとき、前記した各実施例と同様に、前記した半導体チップ３の天面１１は前記した樹脂部材６６を介して所定の押圧力で各別に押圧されている。
即ち、前記した各実施例と同様に、前記した半導体チップ３の天面１１と前記した樹脂部材６６との間に隙間が発生することを効率良く防止することができると共に、前記下キャビティ６５内に前記した半導体チップ３を前記した樹脂部材６６で効率良く押圧固定することができる。
従って、次に、前記キャビティ６５内に加熱溶融化された樹脂材料を所定の樹脂圧で各別に注入して前記した半導体チップ３と基板６１との間８に樹脂６８を注入することにより、前記したキャビティ６５内で樹脂注入済基板６９を形成することができる。
また、次に、図１１（２）に示すように、前記した樹脂注入済基板６９における想定切断部位７０を切断することにより、前記した樹脂注入済基板６９の不要部分を分離して個々の個片（図示なし）を得ることができる。
従って、本実施例において、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができるものである。
なお、本実施例において、前記した各実施例と同様に、前記した樹脂部材６６に代えて、同じ材質の樹脂部材、及び、前記した接着層を備えた２層の或いは３層の樹脂部材を採用することができる。
【００５５】
次に、図１２（１）・図１２（１）を用いて、第５実施例を説明する。
また、図例に示すように、第５実施例に用いられる基板７１は、前記した各実施例と同様に、前記した半導体チップ３を単数個装着した基板７１の上面側（半導体チップ装着面側）において、半導体チップ３を半導体チップ３側の接続電極４（バンプ）を介して一体に装着されて構成されている。
また、図例に示すように、前記した基板７１の下面側（半導体チップ非装着面側）における外周部には基板７１側の接続電極７２（バンプ）が形成された外周バンプ装着部７３が設けられて構成されると共に、前記した基板７１の半導体チップ非装着面側における中央部には前記した基板側バンプ７２が形成されない中央バンプ非装着部７４が設けられて構成されている。
即ち、従来より、前記した半導体チップ３と基板７１との間８（隙間）に所定の樹脂圧で樹脂を注入することが行われているが、前記した基板７１における基板の中央バンプ非装着部７４が前記した所定の樹脂圧にて前記した前記半導体装着面側から前記した半導体チップ非装着面側方向に（図例では下方向に）押圧され、前記した基板７１がその中央部で前記した半導体チップ非装着面側に凸状となって反り返ると云うことが発生していた。
従って、第５実施例において、前記基板７１の反り返りを防止するために、少なくとも前記した基板７１における半導体チップ非装着面側の中央バンプ非装着部７４に（基板セット用の）凹所用の所要の厚さを有する樹脂部材７５を取り付けると共に、当該樹脂部材７５で前記した基板７１の中央部７４を支持した状態で、前記した半導体チップ３と基板７１との間８に樹脂を注入することが行われている。
なお、第５実施例において、前記した各実施例と同様に、前記した基板７１の半導体チップ３に所要の厚さＣを有する樹脂部材７９を用いる構成が採用されている。
【００５６】
即ち、図１２（１）・図１２（１）に示すアンダーフィル樹脂モールド（樹脂注入用金型）には、前記した各実施例と同様に、固定上型７６と該上型７６に対向配置した可動下型７７とから構成されると共に、前記した上型７６には所要の高さＤを有する樹脂注入用キャビティ７８が設けられて構成され、前記した半導体チップ天面１１にキャビティ用の所要の厚さＣを有する樹脂部材７９を取り付けた状態で、前記した半導体チップ３を前記したキャビティ７８内に嵌装することができるように構成されている。
なお、前記した各実施例と同様に、前記キャビティ７８の所要の高さＤは、前記した半導体チップ３の高さＥと樹脂部材７９の所要の厚さＣとの合計より小さく（低く）なるように構成されている。
即ち、前記した各実施例と同様に、前記した両型７６・７７を型締めすることにより、前記キャビティ７８内において、前記キャビティ天面８３で前記半導体チップ天面１１に前記した樹脂部材７９を押圧して（加熱を含む）変形させることができるように構成されると共に、前記した半導体チップ天面１１と押圧変形樹脂部材７９との間に隙間がなくなるように構成されている。
従って、前記したキャビティ７８内において、前記した半導体チップ天面１１に前記した押圧変形した樹脂部材７９を取り付けた状態で、前記した半導体チップ３と基板７１との間８に樹脂を注入することができるように構成され、前記した半導体チップ天面１１に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができるように構成されている。
【００５７】
また、図１２（１）・図１２（１）に示すように、前記した下型７７には前記した基板７１の半導体チップ非装着面側を下向きにした状態で供給セットする所要の深さＦを有する基板セット用の凹所８０が設けられて構成されている。
また、前記したセット用凹所８０の所要の深さＦは、前記した基板７１の厚さＧと前記した樹脂部材の所要の厚さＨとの合計より小さくなるように構成されると共に、前記したバンプ７２の高さＪは前記した樹脂部材７５の厚さの所要の厚さＨより小さくなるように構成されている。
例えば、前記した基板７１における半導体チップ非装着面側に前記した樹脂部材７５を取り付けた状態で、前記した基板７１を前記したセット用凹所８０に供給セットすることができるように構成されると共に、前記した両型７６・７７を型締めすることにより、前記したセット用凹所８０内において、前記したセット用凹所８０の底面８２で前記した樹脂部材７５を押圧して（加熱を含む）変形することができるように構成されている。
このとき、少なくとも前記した押圧変形樹脂部材７５にて前記した基板７１の中央部７４を前記した半導体チップ装着面側に（上方向に）支持（支受）することができるように構成されている。
従って、前記した半導体チップ３と基板７１との間への樹脂の注入時に、少なくとも前記した中央部装着樹脂部材７５で前記した基板７１の中央部７４を支持することにより、前記した基板７１が反り返ることを効率良く防止することができるように構成されている。
なお、図例では、前記した樹脂部材７５にて前記した基板７１の半導体チップ非装着面側全体（前記した外周バンプ装着部７３と中央バンプ非装着部７４）に前記した樹脂部材７５を装着した構成が例示されている。
また、図例では、前記したセット用凹所８０に、前記した樹脂部材７５の量を調整する樹脂部材の量調整部８１が設けられて構成されると共に、前記したセット用凹所８０内における押圧変形した樹脂部材７５の一部（残余部分）が前記した量調整部８１に収容することができるように構成されている。
【００５８】
即ち、第５実施例において、まず、前記した基板７１の半導体チップ非装着面側に前記した所要の厚さＨを有する樹脂部材７５を取り付け、且つ、前記した半導体チップ天面１１に前記した所要の厚さＣを有する樹脂部材７９を取り付けると共に、この状態で、前記基板７１を前記した所要の深さＦを有するセット用凹所８０に供給セットし、且つ、前記両型７６・７７を型締めすることにより、前記したキャビティ７８内に前記した半導体チップ３を嵌装セットする。
このとき、前記したセット用凹所８０内において、前記した樹脂部材７５は前記したセット用凹所８０の底面８２で押圧されて変形すると共に、少なくとも前記した基板７１の半導体チップ非装着面側の中央バンプ非装着部７４に前記した押圧変形部材７５を押圧して前記した基板の中央部を支持する。
また、このとき、前記キャビティ７８内において、前記各実施例と同様に、前記キャビティ天面８３にて押圧変形した樹脂部材７９と前記した半導体チップ天面１１との間に隙間が発生することを効率良く防止することができる。
即ち、次に、前記したキャビティ７８内に樹脂を注入することにより、前記した半導体チップ３と基板７１と間に樹脂を注入することができる。
従って、前述したように構成したので、前記した押圧変形樹脂部材７５で前記した基板７１を（少なくとも前記した基板７１の中央バンプ非装着部７４を）効率良く支持し得て、前記した基板７１が反り返ることを効率良く防止することができる。
また、前述したように構成したので、前記した各実施例と同様に、前記したキャビティ７８側において、前記した半導体チップ３の天面１１に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
なお、第５実施例においては、単数個の半導体チップの構成を例示したが、本実施例は、複数個の半導体チップにも採用することができる。
また、第５実施例においては、基板における半導体チップ非装着面に設けた外周バンプ装着部７３と中央バンプ非装着部７４とを含む基板７１を用いる構成を例示したが、基板における半導体チップ非装着面に任意にバンプ装着部とバンプ非装着部とを含む基板を用いる構成を採用することができる。
【００５９】
なお、前記した各実施例において、前記した樹脂部材１２（前記した２層或いは３層の樹脂部材４２・５１のベース層４３・５２を含む）として熱硬化性樹脂を例示したが、前記した樹脂部材として可塑性樹脂（好ましくは、耐熱性の熱可塑性樹脂）を採用することができる。
また、前記樹脂部材として、弾性を有する素材（弾性材）を、例えば、エラストマー等を適宜に採用することができる。
また、前記した樹脂部材として、加硫ゴム、未加硫ゴムを採用することができる。
【００６０】
また、前記した各実施例において、前記した単層の樹脂部材１２（前記した２層或いは３層の樹脂部材４２・５１のベース層４３・５２を含む）における少なくとも一方の面に、前記した樹脂部材１２を保護する薄膜状の保護層を設ける構成を採用することができる。
【００６１】
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例と同様に、前記した少なくとも一方の面に薄膜状保護層を形成した樹脂部材における少なくとも一方の面に、前記したような接着層を形成する構成を採用することができる。
この場合、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００６２】
本発明は、前述した実施例のものに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができるものである。
【００６３】
【発明の効果】
従って、本発明によれば、アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて、半導体チップを装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入してアンダーフィル樹脂モールド基板を形成した場合に、前記した半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができ且つ前記した半導体チップに発生する損傷を効率良く防止することができるアンダーフィル樹脂モールド基板を提供することができると云う優れた効果を奏するものである。
【００６４】
また、本発明によれば、前記したアンダーフィル樹脂モールド基板の所要個所を切断することによって、前記した半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができ且つ前記した半導体チップに発生する損傷を効率良く防止することができるアンダーフィル樹脂モールド個片を提供することができると云う優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（１）は、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記金型の型開状態を示し、図１（２）は、本発明に用いられる基板を概略的に示す概略平面図である。
【図２】図２は、図１（１）に対応する金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記金型の型締状態を示している。
【図３】図３（１）は、図１（２）に示す基板の要部を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図であって、前記した基板に装着した半導体チップの天面に樹脂部材を取り付けた状態を示し、図３（２）は、図２に示す金型の要部を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図である。
【図４】図４（１）は、図１に示す金型で樹脂を注入された樹脂注入済基板を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図であり、図４（２）・図４（３）は、前記した樹脂注入済基板から切断分離した個片を概略的に示す拡大概略縦断面図である。
【図５】図５は、他の本発明に用いられる基板を概略的に示す概略平面図である。
【図６】図６は、他の本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記金型の型開状態を示している。
【図７】図７（１）は、図６に示す金型の要部を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図であって、前記金型の型締状態を示し、図７（２）は、図７（１）に示す金型で樹脂注入された樹脂注入済基板を示す一部切欠拡大概略縦断面図である。
【図８】図８（１）は、本発明に用いられる他の基板と樹脂部材を拡大して概略的に示す部切欠拡大概略縦断面図であり、図８（２）は、図８（１）に示す基板と樹脂部材とを用いて樹脂注入する金型の要部を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図である。
【図９】図９（１）は、本発明に用いられる他の基板と樹脂部材を拡大して概略的に示す部切欠拡大概略縦断面図であり、図９（２）は、図９（１）に示す基板と樹脂部材とを用いて樹脂注入する金型の要部を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図である。
【図１０】図１０（１）は、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型開状態を示し、図１０（２）は、本発明に用いられる基板を概略的に示す概略平面図である。
【図１１】図１１（１）は、図１０（１）に示す金型を拡大して概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記金型の型締状態を示し、図１１（２）は、図１１（１）に示す金型で樹脂注入された樹脂注入済基板を切断した個片を概略的に示す概略正面図である。
【図１２】図１２（１）は、本発明に係る他の実施例のアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記金型の型開状態を示し、図１２（２）は、図１２（１）に対応する金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型締状態を示している。
【符号の説明】
１　固定上型
２　可動下型
３　半導体チップ
４　接続電極（半導体チップ側のバンプ）
５　基板
６　セット用凹所
７　キャビティ
８　間（間隙）
９　樹脂
１０　樹脂注入済基板
１１　半導体チップの天面
１２　テープ状樹脂部材（テープ部材）
１３　キャビティの天面（底面）
１４　想定切断部位
１５　個片（フリップチップのパッケージ）
２１　固定上型
２２　可動下型
２３　基板
２４　セット用凹所
２５　キャビティ
２６　個片状の樹脂部材
２７　収容部（小キャビティ）
２８　連通路
２９　キャビティ天面（底面）
３０　調整部
３１　基板
３２　フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
３３　フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
３４　フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
３５　個片状の樹脂部材
３６　変形樹脂部材
３７　樹脂
３８　樹脂注入済基板
３９　想定切断部位
４１　基板
４２　樹脂部材
４３　ベース層
４４　隙間防止用の接着層
４５　固定上型
４６　可動下型
４７　セット用凹所
４８　キャビティ
４９　樹脂
５０　樹脂注入済基板
５１　樹脂部材
５２　ベース層
５３　隙間防止用の接着層
５４　位置ずれ防止用の接着層
５５　基板
５６　樹脂注入済基板
５７　キャビティの天面（底面）
６１　基板
６２　固定上型
６３　可動下型
６４　セット用凹所
６５　キャビティ
６６　樹脂部材
６７　キャビティの天面（底面）
６８　樹脂
６９　樹脂注入済基板
７０　想定切断部位
７１　基板
７２　接続電極（基板側のバンプ）
７３　外周バンプ装着部
７４　中央バンプ非装着部
７５　樹脂部材（凹所用）
７６　固定上型
７７　可動下型
７８　キャビティ
７９　樹脂部材（キャビティ用）
８０　セット用凹所
８１　量調整部
８２　セット用凹所の底面
８３　キャビティの天面
Ａ　半導体チップの高さ
Ｂ　半導体チップの高さ
Ｃ　樹脂部材の厚さ（高さ）
Ｄ　キャビティの高さ（収容部の高さ）
Ｅ　半導体チップの高さ
Ｆ　セット用凹所の深さ
Ｇ　基板の厚さ
Ｈ　樹脂部材の厚さ（凹所用）
Ｊ　基板側バンプの高さ

Claims (4)

1. アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて半導体チップを接続電極を介して一体に装着した基板における前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入して形成したアンダーフィル樹脂モールド基板であって、前記した半導体チップを嵌装する金型セット部と前記した半導体チップの表面との間に介在する所要の厚さの樹脂部材を介して前記した半導体チップの表面を押圧した状態で、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入して形成したことを特徴とするアンダーフィル樹脂モールド基板。
2. アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて半導体チップを接続電極を介して一体に装着した基板における前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入して形成したアンダーフィル樹脂モールド基板の所要個所を切断して形成したアンダーフィル樹脂モールド個片であって、前記した半導体チップを嵌装する金型セット部と前記した半導体チップの表面との間に介在する所要の厚さの樹脂部材を介して前記した半導体チップの表面を押圧した状態で、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入して形成したアンダーフィル樹脂モールド基板の所要個所を切断して形成したことを特徴とするアンダーフィル樹脂モールド個片。
3. アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて半導体チップを接続電極を介して一体に装着され且つ半導体チップ非装着面がバンプ装着部とバンプ非装着部とから構成される基板における前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド方法であって、
   まず、前記した基板を前記した金型セット位置に供給する際に、少なくとも前記したセット用凹所と前記した基板のバンプ非装着部との間に所要の厚さを有する樹脂部材を介在させる工程を行い、
   次に、前記した金型を型締することにより、少なくとも前記した基板のバンプ非装着部を前記した樹脂部材を介して押圧する工程を行うことを特徴とするアンダーフィル樹脂モールド方法。
4. 半導体チップを接続電極を介して一体に装着され且つ半導体チップ非装着面がバンプ装着部とバンプ非装着部とから構成される基板における前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド金型であって、前記した金型における基板のセット用凹所の深さが、少なくとも前記した基板のバンプ非装着部を押圧するための所要の厚さ有する樹脂部材を介在させることができる深さに形成されていることを特徴とするアンダーフィル樹脂モールド金型。

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