JP2004031510A - 樹脂部材 - Google Patents

樹脂部材 Download PDF

Info

Publication number
JP2004031510A
JP2004031510A JP2002183275A JP2002183275A JP2004031510A JP 2004031510 A JP2004031510 A JP 2004031510A JP 2002183275 A JP2002183275 A JP 2002183275A JP 2002183275 A JP2002183275 A JP 2002183275A JP 2004031510 A JP2004031510 A JP 2004031510A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor chip
substrate
top surface
resin member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002183275A
Other languages
English (en)
Inventor
Michio Osada
長田　道男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Priority to JP2002183275A priority Critical patent/JP2004031510A/ja
Priority to US10/456,435 priority patent/US6919223B2/en
Publication of JP2004031510A publication Critical patent/JP2004031510A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/75315—Elastomer inlay
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/81005—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83104—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus by applying pressure, e.g. by injection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】半導体チップ３を装着した基板５と前記半導体チップ３との間８に樹脂９を注入するとき、前記半導体チップ３の天面１１に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる樹脂部材１２を提供することを目的とする。
【解決手段】まず、樹脂注入用金型１・２におけるキャビティ７の高さＤを、半導体チップ３の高さＡ・Ｂと、前記した半導体チップ３天面１１に取り付ける樹脂部材１２の所要の厚さＣとの合計より低く構成し、且つ、前記金型１・２を型締めすることにより、前記キャビティ７の天面１３で前記した樹脂部材１２を押圧して変形させると共に、前記した変形樹脂部材１２を介して前記した半導体チップ３の天面１１を所定の押圧力で押圧し、次に、前記キャビティ７内に溶融樹脂を注入することにより前記した各半導体チップ３と基板との間８に樹脂９を注入する。
【選択図】　　　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップをバンプを介して装着した基板（フリップチップ装着基板）において、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入してフリップチップのアンダーフィル樹脂モールド基板（樹脂注入済基板）を形成するアンダーフィル樹脂モールドと、前記したアンダーフィル樹脂モールド基板の所要個所を切断してフリップチップのアンダーフィル樹脂モールド個片（樹脂注入済個片）を形成するアンダーフィル樹脂モールド個片の切断形成とに係り、特に、前記したアンダーフィル樹脂モールドに用いられる樹脂部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば、複数個の半導体チップをバンプ（接続電極）を介して装着した基板において、前記した各半導体チップと基板との間（隙間）に樹脂を注入して樹脂注入済基板を形成する工程と、前記した樹脂注入済基板の所要個所を切断して個片を形成する工程とが行われているが、前記した基板の樹脂注入工程と個片の切断形成工程とは、次のようにして行われている。
なお、前記した基板の樹脂注入工程には、固定上型と可動下型とからなるアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）が用いられると共に、前記した個片の切断形成工程には、前記した樹脂注入済基板を吸着固定するプラットフォームと前記したプラットフォームに吸着固定された樹脂注入済基板を切断するブレード（切断刃）とを備えた切断装置が用いられる。
【０００３】
即ち、前記した基板の樹脂注入工程において、まず、前記した金型（前記上下両型）を所定の温度にまで加熱すると共に、前記した両型を型開きする。
次に、前記した複数個の半導体チップをバンプを介して装着した基板（被成形品）を前記した下型のセット用凹所に供給セットすると共に、前記した両型を型締めすることにより、前記した複数個の半導体チップを前記上型に設けた一つの樹脂注入用のキャビティ内に一括して嵌装セットする。
従って、次に、前記下型に設けた樹脂材料供給用のポット内で加熱溶融化された樹脂材料を樹脂加圧用のプランジャで加圧すると共に、当該溶融樹脂を樹脂移送用の樹脂通路を通して前記上型キャビティ内に注入充填することにより、少なくとも前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入する。
硬化に必要な所要時間の経過後、前記両型を型開きすることにより前記した金型から前記したキャビティ内で樹脂注入された樹脂注入済基板（成形品）を取り出すことになる。
【０００４】
ところで、前記した各半導体チップの高さ（前記した半導体チップの厚さと前記したバンプの高さとを含む）には、ばらつきが存在するため、前記した金型キャビティの高さ（上型面とキャビティ天面との垂直距離）を後述するように設定して前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入するようにしている。
例えば、前記した金型キャビティの高さ（深さ）を前記した半導体チップの高さの最高値（最大値）に設定した場合、前記した高さが最高値の半導体チップ以外の半導体チップの天面（表面）と前記したキャビティ天面との間に隙間が発生するので、当該隙間に溶融樹脂が浸入することによって前記した半導体チップの天面（露出面）に樹脂ばりが付着形成され易い。
更に、前記した半導体チップの天面と前記したキャビティ天面との間に隙間が発生することにより前記したキャビティ天面で前記した半導体チップを前記した基板に押圧固定することができないので、前記したキャビティ内に注入される溶融樹脂の樹脂圧に対して前記した半導体チップの基板装着強度が耐えきれず、当該溶融樹脂にて前記した半導体チップが押し剥がれて破壊される等、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
また、前記した金型キャビティの高さを前記した半導体チップの高さの最低値（最小値）に設定した場合、前記した高さが最低値の半導体チップ以外の半導体チップの天面が前記したキャビティ天面にて押圧されることになるので、前記した半導体チップが割れ易く、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
また、前記した金型キャビティの高さを前記した半導体チップの高さの平均値に設定した場合、前述した構成と同様に、前記した半導体チップ天面と前記した金型キャビティ天面との間に隙間が発生したり、且つ、前記した半導体チップを前記した金型キャビティ天面で押圧することになるので、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが付着形成され易く、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
【０００５】
また、次に、前記した個片の切断形成工程において、まず、前記した樹脂注入済基板を前記した切断装置に設けられたプラットフォームに吸着固定し、次に、前記した吸着固定した樹脂注入済基板の所要個所（想定切断部位）を前記したブレードで切断して分離することにより、前記した各半導体チップに各別に対応した樹脂注入済個片を形成することになる。
【０００６】
また、１枚の基板に１個の半導体チップのみを装着した形式の基板について、前述した従来例と同様に、前記した基板を複数枚、一つの樹脂注入用金型で略同時に樹脂を注入する樹脂注入工程が行われている。
即ち、前記した一つの金型には、前記した複数枚の基板の数（半導体チップの数）に各別に対応して複数個の金型キャビティが同じ所要の高さで各別に設けられると共に、前記した各金型キャビティ内において、前記した基板と半導体チップとの間に樹脂を各別に注入して樹脂注入済基板を各別に形成することが行われている。
従って、この場合、前記した各キャビティの高さが同じであるため、前記した従来と同様に、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが付着形成され易く、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易い。
また、前記した従来例と同様に、前記した樹脂注入済基板における所要個所を切断することにより、前記した１枚の樹脂注入済基板における不要部分を切断分離して１個の樹脂注入済個片を形成することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
即ち、前述したように、半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合、前記した半導体チップの表面に樹脂ばりが付着形成され易くと云う弊害があり、且つ、前記した半導体チップに損傷が発生し易いと云う弊害がある。
【０００８】
従って、本発明は、半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの表面に取り付けられ且つ押圧されることによって前記した半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができる樹脂部材を提供することを目的とする。
また、本発明は、半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの表面に取り付けられ且つ押圧されることによって前記半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる樹脂部材を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記した技術的課題を解決するための本発明に係る所要の厚さを有する樹脂部材は、半導体チップを接続電極を介して一体に装着した基板における半導体チップを金型キャビティ内に嵌装した状態で、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するときに、前記した金型キャビティ面と前記した半導体チップ表面との間に介在させて用いることを特徴とする。
【００１０】
また、前記したような技術的課題を解決するための本発明に係る樹脂部材は、前記した樹脂部材として、単数個の半導体チップに対応した個片状の樹脂部材を用いることを特徴とする。
【００１１】
また、前記したような技術的課題を解決するための本発明に係る樹脂部材は、前記した樹脂部材として、複数個の半導体チップに対応したテープ状の樹脂部材を用いることを特徴とする。
【００１２】
また、前記したような技術的課題を解決するための本発明に係る樹脂部材は、前記した金型キャビティ面と半導体チップ表面とに対応する少なくとも一方の面に接着層を設けて構成したことを特徴とする。
【００１３】
また、前記したような技術的課題を解決するための本発明に係る樹脂部材は、前記した接着層が、熱可塑性樹脂で形成されていることを特徴とする。
【００１４】
また、前記したような技術的課題を解決するための樹脂部材は、前記した接着層が、熱硬化性樹脂で形成されていることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明は、アンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）を用いて半導体チップの高さにばらつきのある半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した金型におけるキャビティの高さを、前記した半導体チップの高さと、前記半導体チップ天面に取り付ける樹脂部材の所要の厚さとの合計より低く構成した金型を用いて前記した半導体チップと基板との間に樹脂注入する。
即ち、前記金型を型締めすることにより、前記キャビティの天面（表面）で前記した樹脂部材を押圧して変形させると共に、前記した変形樹脂部材を介して前記した半導体チップの天面を所定の押圧力で押圧し、次に、前記キャビティ内に溶融樹脂を注入することにより前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入する。
従って、前述したように構成したことにより、前記した変形樹脂部材を介して前記半導体チップの天面を所定の押圧力で押圧して前記した半導体チップ天面と樹脂部材との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるので、前記した半導体チップ天面に溶融樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
また、前記した半導体チップ天面を前記した基板に前記した樹脂部材を介して所定の押圧力で押圧固定することができるので、前記した半導体チップが溶融樹脂に押し剥がされて破壊されることを効率良く防止し得て、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる。
従って、前述したように構成したことにより、前記半導体チップ天面に取り付けられ且つ押圧されることによって前記した半導体チップ天面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができる樹脂部材を提供することができる。
また、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ天面に取り付けられ且つ押圧されることによって前記半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる樹脂部材を提供することができる。
【００１６】
また、前記した樹脂部材に、前記した半導体チップ天面との間に隙間が発生することを効率良く防止することができる隙間防止用の接着層を設ける構成を採用することができる。
即ち、前記した樹脂部材を介した半導体チップ天面に対する所定の押圧力と、前記した樹脂部材の接着層による半導体チップ天面に対する仮止的な所定の接着力との相乗作用で、前記した半導体チップ天面と樹脂部材との間に隙間が発生することを効率良く防止することができると共に、前記した所定の押圧力にて前記した変形した樹脂部材を介して前記した半導体チップを前記した基板に効率良く押圧固定することができる。
従って、前述した構成と同様に、前記した半導体チップ天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができると共に、前記した半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる。
また、前述した構成と同様に、前記した半導体チップ天面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができる樹脂部材を提供することができると共に、前記半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる樹脂部材を提供することができる
【００１７】
【実施例】
以下、実施例図に基づいて説明する。
まず、図１（１）・図１（２）・図２・図３（１）・図３（２）・図４（１）・図４（２）・図４（３）を用いて第１実施例を説明する。
なお、図１（１）は本発明に用いられるアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）の型開状態を示す図であり、図１（２）は図１（１）に示す金型で樹脂注入される基板（樹脂注入前基板）である。
また、図２は図（１）に対応する金型の型締状態を示している。
また、図３（１）は図１（２）に示す基板に樹脂部材を取り付けた状態（被覆した状態）を示し、図３（２）は図２に示す金型の要部を示してる。
また、図４（１）は図１（１）及び図２に示す金型で樹脂を注入されたアンダーフィル樹脂モールド基板（樹脂注入済基板）であり、図４（２）・図４（３）は前記したアンダーフィル樹脂モールド基板における所要個所を切断して形成したアンダーフィル樹脂モールド個片（樹脂注入済個片）である。
【００１８】
まず、アンダーフィル樹脂モールド工程（基板の樹脂注入工程）について説明する。
即ち、図例に示すように、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）は、固定上型１と前記上型１に対向配置した可動下型２とから構成されると共に、前記した金型には前記両型１・２を所定の型締圧力で型締めする型締機構（図示なし）と、前記した両型１・２には前記両型１・２を所定の温度にまで加熱する加熱手段（図示なし）とが設けられて構成されている。
従って、前記した型締機構にて前記した下型２を上動することにより、前記両型１・２を所定の型締圧力で型締めすることができるように構成されると共に、前記両型１・２を前記した加熱手段にて所定の温度にまで加熱することができるように構成されている。
【００１９】
また、前記した下型２には複数個の半導体チップ３の夫々をバンプ４（接続電極）を介して一体に装着した基板５（被成形品）を供給セットするセット用凹所６（基板のセット位置）が設けられると共に、前記上型１には前記した複数個の半導体チップ３を一括して嵌装セットする所要の高さ（深さ）Ｄを有する樹脂注入用キャビティ７が設けられて構成されている。
なお、図例に示すように、前記したキャビティ７の高さは、前記した上型１の型面と前記キャビティ７の天面１３との間の垂直距離である。
また、図１（２）に示すように、前記した基板５には前記した複数個の半導体チップ３が前記した基板５上に一列に配置されて構成されている。
また、図３（１）に示すように、前記した基板５の半導体チップ３において、前記したバンプ４の高さと半導体チップ３の厚さとを含む半導体チップ３の高さに、ばらつきが存在すると共に、前記した半導体チップ３の高さは高さＡと高さＢとで示され、前記半導体チップ３の高さＡは前記半導体チップ３の高さＢより高く構成されている。
なお、図例に示すように、前記した半導体チップ３の高さは、前記した基板５の上面（半導体チップ装着面）と前記した半導体チップ３の天面１１との間の垂直距離である。
従って、前記セット用凹所６に前記基板５を供給セットすると共に、前記下型２を上動して前記両型１・２を型締めすることにより、前記した所要の高さＤを有するキャビティ７内に前記した一列配置の各半導体チップ３（高さＡ・Ｂ）を一括して嵌装セットすることができるように構成されている。
なお、前記した両型１・２の型締時に、前記した基板５の上面（半導体チップ装着面）は前記した両型１・２のパーティングライン面（　Ｐ．Ｌ面）に一致するように構成されている。
【００２０】
また、図示はしていないが、前記した両型１・２には前記キャビティ７内に溶融樹脂を所定の樹脂圧で注入する樹脂注入機構等の樹脂注入に必要な諸機構等が設けられて構成されている。
なお、前記した樹脂注入機構として、例えば、樹脂材料供給用のポットと、前記ポット内に嵌装した樹脂加圧用のプランジャと、前記したキャビティ７内と前記したポット内とを連通接続する樹脂通路（ランナ・ゲート等）とから構成されている。
即ち、前記したポット内で加熱溶融化された樹脂材料を前記プランジャで加圧することにより、前記キャビティ７内に所定の樹脂圧で注入することができるように構成されると共に、前記キャビティ７内に嵌装された少なくとも複数個の半導体チップ３と基板５との間８（隙間）に当該溶融樹脂（樹脂９）を注入することができるように構成されている。
従って、前記キャビティ７内で少なくとも前記した複数個の半導体チップ３と基板５との間８に当該溶融樹脂を注入することにより、前記キャビティ７内で樹脂注入済基板１０（成形品）を形成することができるように構成されている。
【００２１】
また、図例に示すように、前記した一列配置の各半導体チップ３の天面１１（表面）にテープ状の樹脂部材１２（テープ部材）を取り付ける（被覆する）ことができるように構成されると共に、前記した樹脂部材１２は所要の厚さＣ（所要の高さＣ）を有するように構成されている。
従って、前記したテープ状樹脂部材１２（単層）を前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けた状態で、前記した基板５を前記したセット用凹所６に供給セットすると共に、前記した両型１・２を所定の型締圧力にて型締めすることにより、前記キャビティ７内において、少なくとも前記キャビティ７の天面１３と前記キャビティ７に嵌装した半導体チップ３の天面１１との間に、前記した樹脂部材１２を介在させることができるように構成されている。
なお、前記したキャビティ７内には、前記した樹脂部材１２を介在させる空間部が設定されて構成されると共に、前記した樹脂部材１２は、後述するように、樹脂ばり防止用、半導体チップ押圧固定用として用いられるものである。
【００２２】
また、図例に示すように、前記したキャビティ７の高さＤ（深さ）は、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材１２を取り付けた状態の高さ、即ち、前記した半導体チップ３の高さＡ（Ｂ）と前記した樹脂部材１２の所要の厚さＣとを合計した高さより低く（小さく）なるように構成されている。
従って、前記した両型１・２の型締時に、前記したキャビティ７内に介在する樹脂部材１２を前記したキャビティ天面１３で（キャビティ面で）型締方向（図例では下方向）に前記した所定の型締圧力にて押圧することができるように構成されている。
このとき、前記キャビティ７内において、前記キャビティ７の天面１３で、前記した半導体チップ３の天面１１を、前記した樹脂部材１２を介して、前記した所定の型締圧力による所定の押圧力にて押圧することができるように構成されている。
また、このとき、前記キャビティ７内において、前記した樹脂部材１２は、前記した加熱手段による所定の温度にて加熱されることにより、且つ、前記したキャビティ７の天面１３（キャビティ面）による所定の押圧力にて押圧されることにより、所要の形状に柔軟に変形することができるように構成されている。
なお、前記した加熱手段（前記した所定の温度）による加熱は、通常の樹脂注入（アンダーフィル樹脂モールド）に用いられる構成である。
【００２３】
また、前述したように構成したことにより、前記した変形した樹脂部材１２で前記半導体チップ３の天面１１を所定の押圧力にて押圧することができるように構成されているので、前記した変形した樹脂部材１２と前記した半導体チップ３の天面１１との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
即ち、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材１２を所定の押圧力で押圧した状態で、前記したキャビティ７内に溶融樹脂を所定の樹脂圧で注入して、前記した半導体チップ３と前記した基板５との間８に樹脂を注入する場合、前記した変形した樹脂部材１２と前記した半導体チップ３の天面１１との間に当該溶融樹脂が浸入することを効率良く防止することができるように構成されている。
従って、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３の天面１１に付着形成される樹脂ばりを効率良く防止することができる。
【００２４】
また、前述したように構成したことにより、前記した変形した樹脂部材１２で前記半導体チップ３の天面１１を所定の押圧力にて押圧することができるように構成されているので、前記したキャビティ７内で前記した半導体チップ３を前記した基板５に効率良く押圧固定することができるように構成されている。
即ち、前記キャビティ７内に溶融樹脂を所定の樹脂圧で注入して前記した半導体チップ３と基板５との間８に樹脂を注入する場合、前記した所定の押圧力にて前記した半導体チップ３を押圧することによって、前記したキャビティ７内に注入される溶融樹脂にて前記した半導体チップ３が前記した基板５から押し剥がされて破壊されることを効率良く防止することができるように構成されている。
従って、前述したように構成したことにより、前記半導体チップ３が当該溶融樹脂にて押し剥がされることを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
【００２５】
なお、前述したように、前記した両型１・２の型締時に、前記したキャビティ７に、前記半導体チップ３の天面１１と前記キャビティ７の天面１３との間に前記樹脂部材１２を介在させる空間部を形成する構成であって、前記キャビティ７の高さＤは前記半導体チップ３の高さＡ（Ｂ）より高く形成されている。
従って、前記半導体チップ３の天面１１と前記キャビティ７の天面１３とが接触しない構成であるので、前記キャビティ７の天面１３にて前記半導体チップ３（の天面１１）に損傷が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
【００２６】
また、前記した所定の押圧力と前記した所定の樹脂圧とについて、例えば、前記した押圧力より前記した樹脂圧を低圧（小さく）に設定する構成を採用することができる。
【００２７】
また、前記した樹脂部材１２（の樹脂材料）として、熱硬化性樹脂を採用することができる。
即ち、前記した樹脂部材１２は、加熱且つ押圧されて所要の形状に変形されるが、前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けられた樹脂部材の硬化状態（例えば、完全硬化、半硬化、一部硬化等の硬化状態）にかかわらず、当該硬化状態の樹脂部材を介して前記した半導体チップ３の天面１１を所定の押圧力で押圧することができるように構成されている
例えば、前記した樹脂部材１２の状態として、前記した半導体チップ３の天面１１に取り付ける前には、柔軟性を有し且つ巻取可能な状態であり、前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けて加熱且つ押圧した後には、所要の形状に変形し且つ半硬化状態となる構成を採用することができる。
【００２８】
なお、前記した樹脂部材１２として、熱可塑性樹脂（好ましくは、耐熱性の熱可塑性樹脂）を採用することができる。
また、前記樹脂部材１２として、弾性を有する素材（弾性材）を、例えば、エラストマー等を適宜に採用することができる。
【００２９】
即ち、図１（１）・図１（２）に示すように、まず、前記した基板５に装着した複数個の半導体チップ３の天面１１に前記したテープ状で且つ所要の厚さＣを有する樹脂部材１２を取り付けると共に、前記した下型のセット用凹所６に前記した基板５を、図３（１）に示すように、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材１２を取り付けた状態で、供給セットする。
なお、このとき、前記した下型凹所６内の基板５の上面（前記半導体チップ３の装着面）の位置は前記した下型２の型面の位置に合致している。
また、次に、図２に示すように、前記した両型１・２を所定の型締圧力で型締めすることにより、前記した複数個の半導体チップ３を前記キャビティ７内に嵌装する。
このとき、図３（２）に示すように、前記したキャビティ７内において、前記したキャビティ７の天面１１で前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けられた樹脂部材１２を加熱且つ押圧して所要の形状に変形させることになる。
即ち、前記した半導体チップ３の天面１１を前記した所定の型締圧力による所定の押圧力で前記した変形した樹脂部材１２介して押圧することにより、前記した半導体チップ３の天面１１と前記した変形した樹脂部材１２との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
【００３０】
また、次に、前記した半導体チップ３の天面１１を前記した変形した樹脂部材１２を介して所定の押圧力で押圧した状態で、前記したゲート等の樹脂通路を通して前記キャビティ７内に加熱溶融化された樹脂材料を所定の樹脂圧にて注入することにより、前記キャビティ７内で前記した半導体チップ３と基板５との間に当該溶融樹脂樹脂を注入し、前記キャビティ７内で樹脂注入済基板１０（アンダーフィル樹脂モールド基板）を形成する。
硬化に必要な所要時間の経過後、前記両型１・２を型開きすることにより、前記キャビティ７内で樹脂注入された樹脂注入済基板１０を、前記した変形した樹脂部材１２を前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けた状態で、離型して取り出すと共に、前記した変形した樹脂部材１２を前記した半導体チップ３の天面１１から取り外し、前記した樹脂注入済基板１０を得ることができる。
【００３１】
即ち、前述したように、前記した樹脂部材１２を用いた構成を採用したことにより、前記半導体チップ３の天面１１と前記した変形した樹脂部材１２との間に隙間が発生することを効率良く防止することができる構成であるので、前記した各半導体チップ３と基板５との間に樹脂を注入した場合に、前記した隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３の天面１１に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
また、前述したように、前記した樹脂部材１２を用いた構成を採用したことにより、前記した所定の押圧力にて前記した変形した樹脂部材１２を介して前記した半導体チップ３の天面１１を前記した基板５に効率良く押圧固定することができるので、前記した各半導体チップ３と基板５との間に樹脂を注入した場合に、前記した半導体チップ３が前記した基板５から押し剥がされて破壊されることを効率良く防止し得て前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００３２】
従って、本発明を前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３の天面１１に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができ且つ前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができるアンダーフィル樹脂モールド方法及びその方法に用いられるアンダーフィル樹脂モールド金型を提供することができる。
また、本発明を前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３の天面１１に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができ且つ前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる樹脂部材１２を提供することができる。
【００３３】
次に、前記したアンダーフィル樹脂モールド工程で樹脂注入されて形成された樹脂注入済基板１０を前記した各半導体チップ３に対応した個片に切断する個片の切断形成工程について説明する。
また、図示はしていないが、前記した樹脂注入済基板１０を切断する切断装置には、少なくとも、前記した樹脂注入済基板１０を吸着固定するプラットフォームと、前記したプラットフォームに吸着固定した樹脂注入済基板１０の所要個所（想定切断部位）を切断するブレード（回転切断刃）とが備えられている。
なお、図４（１）に示す図例では、前記想定切断部位を矢印１４で示す。
【００３４】
即ち、まず、前記した樹脂注入済基板１０を前記したプラットフォームに吸着固定し、次に、前記した吸着固定した樹脂注入済基板１０の想定切断部位１４を前記したブレードで切断して分離することにより、前記した各半導体チップ３に各別に対応したアンダーフィル樹脂モールド個片１５（樹脂注入済個片）を形成することになる。
なお、図４（２）・図４（３）には、前記した樹脂注入済基板１０を切断して分離した個片１５、即ち、図４（２）には半導体チップ３の高さＡの個片が示され、図４（３）には半導体チップ３の高さＢの個片が示されている。
従って、本発明において、前記した樹脂部材１２を用いるアンダーフィル樹脂モールド工程を実施することにより、前記した半導体チップ３の天面１１に付着する樹脂ばりを効率良く防止して形成された且つ前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止して形成された樹脂注入済基板１０を提供することができる。
また、本発明において、前記した樹脂部材１２を用いるアンダーフィル樹脂モールド工程と、前記した個片の切断形成工程とを実施することにより、前記した半導体チップ３の天面１１に付着する樹脂ばりを効率良く防止して形成した且つ前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止して形成した樹脂注入済個片１５を提供することができる。
【００３５】
次に、図５を用いて第２実施例を説明する。
なお、図５にはマトリックス形（マップ形）の基板が示されている。
【００３６】
即ち、前記した実施例では、一列配置の半導体チップ３の天面１１にテープ状の樹脂部材１２を取り付ける構成を例示したが、第２実施例では、マトリックス形配置の半導体チップ３の天面１１に所要の厚さ（Ｃ）を有する樹脂部材を取り付ける構成を説明する。
なお、図５に示す基板３１には複数個の半導体チップ３がマトリックス形（図例では、縦４個×横６個の合計２４個）に配置されて構成されていると共に、前記した各半導体チップ３の高さには、ばらつきがある。
また、前記した半導体チップ３を嵌装する金型のキャビティの高さ（Ｄ）の設定等は前記した実施例と同様に構成されている。
即ち、図５に示すように、前記したマトリックス形の基板３１において、前記した半導体チップ３（天面１１）の数とその配置形状に対応した（平面的な）範囲に、前記した樹脂部材を取り付けることができるように構成されている。
従って、前記した基板３１の各半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材を適宜に取り付けて樹脂注入することができるように構成されている。
【００３７】
例えば、図５に示すように、前記した半導体チップ３の天面１１に取り付ける樹脂部材の範囲として、前記したマトリクス形配置の半導体チップ全体（図例では２４個）に取り付けるフィルム状の樹脂部材３２（１枚）を採用することができる。
この場合、前記マトリックス形配置基板３１の各半導体チップ３の天面１１に前記したフィルム状樹脂部材３２（フィルム部材）を１枚、取り付けた状態で、１個のキャビティ内に一括して嵌装セットすることになる。
また、図５に示すように、４個の半導体チップ３の天面１１にフイルム状の樹脂部材３３を取り付ける構成（或いは、６個の半導体チップ３の天面１１にフィルム状の樹脂部材３４を取り付ける構成）を採用することができる。
この場合、４個（６個）の半導体チップ３天面に前記したフィルム状樹脂部材３３（３４）を６枚（４枚）、各別に取り付けた状態で、例えば、前記した樹脂部材単位で、６個（４個）のキャビティ内に各別に、或いは、一つのキャビティ内に一括して嵌装セットすることになる。
また、図５に示すように、１個の半導体チップ３の天面１１に個片状の樹脂部材３５を取り付ける構成を採用することができる。
この場合、１個の半導体チップ３の天面１１に１枚の個片状の樹脂部材３５を取り付けた状態で、２４個のキャビティ内に各別に、或いは、一つのキャビティ内に一括して嵌装セットすることになる。
【００３８】
即ち、図５に示す各実施例において、前記したキャビティ内において、前記キャビティ天面で前記した樹脂部材３２・３３・３４・３５を前記した各半導体チップ３の天面１１に加熱且つ押圧することができるので、前記した各半導体チップ３の天面１１で前記した樹脂部材３２・３３・３４・３５を所要の形状に変形することができる。
また、前記したキャビティ内で前記した各半導体チップ３の天面１１を前記した樹脂部材３２・３３・３４・３５を介して所定の押圧力で押圧した状態で、前記した半導体チップ３と前記した基板３１との間（隙間）に樹脂を所定の樹脂圧で注入することができる。
また、次に、前記した実施例と同様に、前記したマトリックス形基板３１を樹脂注入した樹脂注入済基板を切断して個々の個片を形成することになる。
従って、図５に示す各実施例において、前記した実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００３９】
次に、図６・図７（１）・図７（２）を用いて第３実施例を説明する。
なお、図６・図７（１）には半導体チップの天面に押圧される樹脂部材の量を調整するキャビティ天面の調整部が示され、図７（２）には、樹脂注入後における変形樹脂部材が取り付けられた状態の基板が示されている。
【００４０】
即ち、図６・図７に示す樹脂注入用金型は、固定上型２１と、可動下型２２とから構成されると共に、前記した下型２２には複数個の半導体チップ３を接続電極４を介して一体に装着した基板２３を供給セットするセット用凹所２４が設けられ、前記した上型２１には前記した複数個の半導体チップ３を嵌装する所要の高さＤを備えた樹脂注入用キャビティ２５が設けられて構成されている。
また、前記した基板２３に装着された半導体チップ３の天面１１には個片状の所要の厚さＣを有する樹脂部材２６を各別に取り付けることができるように構成されると共に、前記した半導体チップ３の高さＡ・Ｂには、ばらつきがある。
なお、前記した各実施例と同様に、前記したキャビティ２５の高さＤは、前記した半導体チッ３プの高さＡ（Ｂ）と前記した樹脂部材の厚さＣとを合計した高さより低く設定されている。
また、前記した上型キャビティ２５には前記した半導体チップ３の天面１１に前記した個片状樹脂部材２６を取り付けた状態で収容する収容部２７（小キャビティ）が各別に設けられて構成されると共に、前記したキャビティ２５には前記した各収容部２７間を連通接続する連通路２８が設けられて構成されている。
従って、前記した各半導体チップ３と基板２３との間に樹脂を注入するとき、前記キャビティ２５内で前記した連通路２８を通して前記した各収容部２７に樹脂を注入することができるように構成されている。
また、前記した収容部２７の天面（前記キャビティ２５の天面２９）には、前記した両型２１・２２の型締時に前記した収容部２７内に収容された半導体チップ３の天面１１に取り付けられた樹脂部材２６の量を調整する調整部３０（凹部）が設けられて構成されている。
例えば、前記した調整部３０内に前記した樹脂部材２６の過剰量の一部を押し込むで収容することにより、前記収容部２７内で前記半導体チップ３の天面１１に取り付けられた樹脂部材２６の量を効率良く調整することができるように構成されている。
従って、前記した両型２１・２２を所定の型締圧力にて型締することにより、前記した調整部３０内に前記した樹脂部材２６の一部を収容して前記した収容部２７内に収容した半導体チップ３の天面１１上の樹脂部材２６を前記したキャビティ２５の天面２９にて加熱且つ押圧して前記した樹脂部材２５を所要の形状に変形することができる。
このとき、前記した調整部３０内に前記した変形樹脂部材３６（２６）の一部（過剰量）が押し込まれて収容されると共に、この状態で、前記した半導体チップ３の天面１１を前記した変形樹脂部材３６（２６）を介して所定の押圧力で押圧することができるように構成されている。
従って、前記各実施例と同様に、前記した両型２１・２２と樹脂部材２６を用いることにより、前記した各半導体チップ３と基板２３との間３７に樹脂３８を注入して樹脂注入済基板３８を得ることができる。
【００４１】
即ち、図６に示すように、前記した基板２３に装着した各半導体チップ３の天面１１に前記した個片状の樹脂部材２６を取り付けると共に、前記したセット用凹所２４に供給セットして前記両型２１・２２を型締めすることにより、前記した各半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材２６を取り付けた状態で、前記した半導体チップ３を前記キャビティの各収容部２７内に嵌装セットする。
このとき、前記したキャビティ２５内において、前記した樹脂部材２６は加熱且つ押圧されて変形すると共に、前記した変形樹脂部材３６（２６）の一部は前記した調整部３０内に押し込まれて収容されることになる。
即ち、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した変形樹脂部材３６（２６）を介して所定の押圧力で押圧した状態で、前記したキャビティ２５内に樹脂を注入することにより、前記した各半導体チップ３と基板２３との間８に樹脂３７を注入することができる。
また、次に、図７（２）に示すように、前記した樹脂注入済基板３８の想定切断部位３９から切断することにより、前記した樹脂注入済基板３８を個々の個片に分離することができる。
従って、本実施例は、前記各実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００４２】
なお、本実施例において、前記した調整部３０を設けた構成を採用したので、前記したキャビティ２５内において、前記したキャビティ２５（前記収容部２７）内で前記した半導体チップ３の天面１１と前記したキャビティ２５の天面２９（前記した収容部２７の天面）との間に介在する樹脂部材３６（２６）の量を効率良く調整することができる。
従って、前記した調整部３０で前記した樹脂部材３６（２６）の量を効率良く調整し得て、前記半導体チップ３の天面１１を前記変形樹脂部材３６（２６）を介して所定の押圧力にて押圧することができる。
【００４３】
次に、図８（１）・図８（２）及び図９（１）・図９（２）を用いて第４実施例を説明する。
なお、図８（１）と図９（１）とには本実施例に用いられる基板と樹脂部材とが各別に示されている。
また、図８（２）と図９（２）とには、図８（１）と図９（１）とに示す基板に樹脂注入する金型が各別に示されている。
【００４４】
まず、図８（１）・図８（２）について説明する。
即ち、図８（１）に示す基板４１にはバンプ４（接続電極）を介して複数個の半導体チップ３が装着されて構成されると共に、前記した半導体チップ３の厚さとバンプ４の高さとを含む半導体チップ３の高さには、ばらつきがあり、図例では、前記した半導体チップ３の高さをＡとＢとで示し、前記した高さＡは前記した高さＢより高くなるように構成されている。
また、図８（１）に示す所要の厚さＣを有する樹脂部材４２は、担体となるベース層４３と隙間防止用の接着層４４との２層から構成され、前記接着層４４は仮止的な所定の接着力を有している。
また、図８（２）に示すアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）には、固定上型４５と前記上型４５に対向配置した可動下型４６とが設けられて構成されている。
また、前記した下型４６には前記した基板４１を供給セットするセット用凹所４７が設けられると共に、前記した上型４５には樹脂注入用のキャビティ４８が設けられて構成されている。
また、前記した各実施例と同様に、前記両型４５・４６には、前記したキャビティ４８内で前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間８に樹脂４９を注入する諸機構等が設けられて構成されている。
従って、前記した下型４６の凹所４７に前記した基板４１を供給セットして前記した下型４６を上動することにより、前記両型４５・４６を所定の型締圧力にて型締めすることにより、前記したキャビティ４８内で複数個の半導体チップ３を一括して嵌装セットすることができるように構成されている。
また、図８（１）に示すように、前記した隙間防止用の接着層４４側を下向きにした状態で（前記した半導体チップ３側に向けた状態で）、前記した複数個の半導体チップ３の天面１１（表面）に仮止的に取り付ける（被覆する）ことができるように構成されている。
従って、前記した両型４５・４６の型締時に、前記した２層の樹脂部材４２を前記した複数個の半導体チップ３の天面１１に取り付けた状態で、前記した複数個の半導体チップ３を一括して前記したキャビティ４８内に嵌装セットすることができるように構成されると共に、前記した両型４５・４６のキャビティ４８内で前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間８に樹脂４９を注入して樹脂注入済基板５０を形成することができるように構成されている。
また、前記した実施例と同様に、前記したキャビティ４８は所要の高さＤを備え、前記したキャビティの４８の所要の高さＤは、前記した半導体チップ３の高さＡ・Ｂと前記した２層の樹脂部材４２の所要の厚さＣとを合計した高さより低くなるように構成されている。
従って、前記した各実施例と同様に、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８内において、前記したキャビティ４８の天面５７（底面）で前記した半導体チップ３の天面１１を前記した樹脂部材４２を介して所定の押圧力にて押圧する（加熱を含む）ことができるように構成されている。
【００４５】
即ち、図８（１）に示すように、まず、前記した複数個の半導体チップ３の天面１１に前記した２層の樹脂部材４２を前記した隙間防止用の接着層４４を下向きにした状態で仮止的に取り付ける。
このとき、前記した樹脂部材４２の接着層４４と前記した半導体チップ３の天面１１との間には隙間が発生しないように構成されている。
次に、図８（２）に示すように、前記した複数個の半導体チップ３の天面１１に前記した２層の樹脂部材４２を取り付けた状態で、前記した下型凹所４７に供給セットして前記した両型４５・４６を所定の型締圧力で型締めする。
このとき、前記した半導体チップ３の高さにばらつき（Ａ・Ｂ）があったとしても、前記したキャビティ４８の天面５７（キャビティ面）にて前記した２層の樹脂部材４２が所定の押圧力（所定の型締圧力）で押圧されることになるので、前記したキャビティ４８内で前記した２層の樹脂部材４２は前記した所定の押圧力にて押圧されて（加熱を含む）変形されることになる。
また、このとき、前記した樹脂部材４２の接着層４４と半導体チップ３の天面１１との間には、前記した所定の押圧力と、前記した接着層４４の仮止的な所定の接着力との相乗作用にて隙間が発生しないように構成されている。
また、次に、前記したキャビティ４８内に溶融樹脂を所定の樹脂圧にて注入することにより、前記した複数個の半導体チップ３と基板４１との間８に樹脂を注入する。
即ち、前記各半導体チップ３の天面１１を所定の押圧力で押圧した状態で、且つ、前記した各半導体チップ３の天面１１に前記した２層の樹脂部材４２における接着層４４を接着した状態で、前記した各半導体チップ３の天面１１と前記した樹脂部材４２との間に隙間が発生することを効率良く防止し得て、前記したキャビティ４８内で前記した各半導体チップ３と前記した基板４１との間８（隙間）に樹脂４９を所定の樹脂圧で効率良く注入することができる。
また、次に、前記した両型４５・４６を型開きすることにより、前記したキャビティ４８内で形成された樹脂注入済基板５０を前記した樹脂部材４２を仮止的に接着させた状態で取り出すと共に、前記した樹脂注入済基板５０における半導体チップ３の天面１１から前記した仮止的に接着した樹脂部材４２を引き剥がして樹脂注入済基板５０を得ることができる。
従って、次に、前記した樹脂注入済基板５０の所要個所を切断して個々の個片を分離形成することができる。
【００４６】
即ち、前述したように構成したことにより、前記した半導体チップ３の高さにばらつきがある場合に、前記した半導体チップ３の天面１１と前記した変形した樹脂部材４２（前記した接着層４４）との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるので、前記した隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３天面に樹脂ばりが付着することを効率良く防止することができる。
また、前述したように構成したことにより、前記した所定の押圧力にて前記した変形樹脂部材４２を介して前記した半導体チップ３の天面１１を前記した基板４１に効率良く押圧固定する（前記した接着層４４による仮止的な接着固定を含む相乗効果）ことができるので、前記した各半導体チップ３と基板４１との間８に樹脂を注入した場合に、前記した半導体チップ３に損傷が発生することを効率良く防止することができる。
【００４７】
次に、図９（１）・図９（２）について説明する。
即ち、図９（１）・図９（２）に示す実施例は、前記した樹脂部材に位置ずれ防止用（位置移動防止用）の接着層を形成した構成である。
また、図９（１）に示す樹脂部材５１は、担体となるベース層５２と、隙間防止用の接着層５３（前記した半導体チップ３の天面１１側用）と、位置ずれ防止用の接着層５４（前記したキャビティ４８の天面５７側用）との３層から構成されている。
また、図９（１）・図９（２）に示す金型の構成部材及び基板５５の構成部材は、図８（１）・図８（２）に示す金型の構成部材及び基板４１の構成部材と同じであるため、同じ符号を付す。
即ち、図９（１）・図９（２）に示す実施例において、図８（１）・図８（２）に示す実施例と同様に、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８の天面５７にて前記した樹脂部材５１を所定の押圧力（所定の型締圧力）でもって押圧して変形させることができると共に、前記した半導体チップ３の天面１１と前記した樹脂部材５１との間に、前記した樹脂部材５１に対する押圧力と、前記した樹脂部材５１の隙間防止用の接着層５３の仮止的な所定の接着力との相乗作用にて、隙間が発生しないように構成されている。
また、図９（１）・図９（２）に示す実施例において、図８（１）・図８（２）に示す実施例と同様に、前記した基板５５において、前記した半導体チップ３と基板５５との間８に樹脂４９を注入して樹脂注入済基板５６を得ることができるように構成されている。
なお、次に、前記した樹脂注入済基板５６の所要個所を切断して個々の個片を分離形成することができるように構成されている。
従って、図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記した隙間防止用の接着層５３の作用効果は、図８（１）・図８（２）に示す実施例の作用効果と同じ作用効果を示すものである。
【００４８】
また、図９（２）に示すように、前記した両型４５・４６の型締時に、前記した樹脂部材５１の位置ずれ防止用の接着層５４を前記したキャビティ４８の天面５７に仮止的に接着させることができるように構成されている。
即ち、前記両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８の天面５７にて前記した樹脂部材５１を所定の押圧力（所定の型締圧力）で押圧変形させることにより、前記した位置ずれ防止用の接着層５３を前記したキャビティ４８の天面５７に仮止的な所定の接着力にて接着させることができるように構成されるとと共に、前記したキャビティ４８内において、前記した樹脂部材５１の位置が、ずれないように（移動しないように）構成されている。
従って、前記した両型４５・４６の型締時に、前記したキャビティ４８内で前記した樹脂部材５１の位置が、ずれること（移動すること）を効率良く防止することができる。
なお、前記キャビティ４８内で前記した樹脂注入済基板５６を形成した後、前記した両型４５・４６を型開きすることにより、前記したキャビティ４８の天面５７に仮止的に接着した樹脂部材５１を、前記したキャビティ４８の天面５７から引き剥がすことができるように構成されている。
従って、前記した両型４５・４６を型開時に、前記樹脂注入済基板５６を、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材５１を仮止的に接着した状態で、前記したキャビティ４８内から取り出すことができるように構成されている。
【００４９】
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記した樹脂部材に前記した位置ずれ防止用の接着層のみを設ける構成を採用してもよい。
なお、前記した接着層は好ましくは柔軟性或いは弾性を有した方が良い。
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例において、図６・図７（１）・図７（２）に示す実施例に記載のキャビティ天面に設けられた調整部の構成を採用することができる。
【００５０】
また、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例において、前記半導体チップ３の天面１１に取り付ける樹脂部材の平面形状は、前記した各実施例と戸同様に、テープ状、フィルム状、個片状等の適宜な形状に設定することができる。
【００５１】
また、前記した２層の樹脂部材４２と前記した３層の樹脂部材５１において、熱硬化性樹脂を用いることができる。
例えば、前記したベース層４３・５２を完全硬化樹脂層で形成し、前記接着層４４・５３・５４を半硬化樹脂層で形成する構成を採用することができる。
【００５２】
なお、前記接着層４４・５３・５４を適宜な接着剤にて形成してもよい。
【００５３】
また、前記した接着層４４・５３・５４を熱可塑性樹脂層にて、好ましくは、耐熱性の熱可塑性樹脂層にて形成してもよい。
【００５４】
また、前記ベース層４３・５２として、前記した単層の樹脂部材１２等と同様に、熱硬化性樹脂材料、熱可塑性樹脂材料（好ましくは、耐熱性の熱可塑性樹脂材料）、エラストマー等の弾性を有する素材（弾性材）にて形成しても良い。
【００５５】
次に、図１０（１）・図１０（２）・図１１（１）・図１１（２）を用いて第４実施例を説明する。
なお、図１０（１）・図１１（１）は、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）である。
また、図１０（２）は、本発明に用いられる基板である。
また、図１１（２）は、図１０（２）に示す基板を図１０（１）・図１１（１）に示す金型で樹脂注入して形成した樹脂注入済基板であり、図の向かって左側には半導体チップの高さＡの樹脂注入済基板が示され、図の向かって右側には半導体チップの高さＢの樹脂注入済基板が示されている。
【００５６】
即ち、本実施例に用いられる基板は、図例に示すように、１枚の基板６１に１個の半導体チップ３を接続電極４を介して一体に装着した構成である。
なお、前記した実施例と同様に、前記した各基板６１における半導体チップ３の高さＡ・Ｂには、ばらつきがあり、前記した高さＡは前記した高さＢより高く構成されている。
また、本実施例は、前記基板６１を複数枚（図例では４枚）を、一つの金型において、前記した各基板６１に対応した樹脂注入用のキャビティ６５内で樹脂部材６６を用いて各別に樹脂注入する構成である。
また、図１０（１）・図１１（１）に示すように、本実施例に用いられる金型は、固定上型６２と、可動下型６３とから構成されている。
また、前記した下型６３には前記した複数枚の基板６１を供給するセット用凹所６４が各別に設けられると共に、前記した上型６２には前記した複数枚の基板６１を嵌装セットする樹脂注入用キャビティ６５が各別に設けられて構成され、前記した各キャビティ６５は各別に所要の高さＤを備えることができるように構成されている。
また、前記した基板６１に装着された半導体チップ３の天面１１に、所要の厚さ（高さ）Ｃを有する個片状の樹脂部材６６が取り付けられるように構成されている。
なお、前記した各実施例と同様に、前記したキャビティ６５の高さＤは、前記した半導体チップ３の高さＡ・Ｂと前記した樹脂部材６６の厚さＣとの合計した高さより低く構成されている。
従って、前記各実施例と同様に、前記した各キャビティ６５内において、前記した半導体チップ３の天面１１に取り付けた樹脂部材６６を前記したキャビティ６５の天面６７（底面）で各別に押圧して（加熱を含む）変形させることができるように構成されると共に、前記した半導体チップ３の天面１１を前記した樹脂部材６６を介して所定の押圧力で各別に押圧することができるように構成されている。
【００５７】
即ち、図例に示すように、まず、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材６６を取り付けた基板６１を前記したセット用凹所６４に各別に供給セットして前記両型６２・６３を所定の型締圧力にて型締めすることにより、前記した半導体チップ３の天面１１に前記した樹脂部材６６を取り付けた状態で、前記したキャビティ６５内に嵌装セットする。
このとき、前記した各実施例と同様に、前記した半導体チップ３の天面１１は前記した樹脂部材６６を介して所定の押圧力で各別に押圧されている。
即ち、前記した各実施例と同様に、前記した半導体チップ３の天面１１と前記した樹脂部材６６との間に隙間が発生することを効率良く防止することができると共に、前記下キャビティ６５内に前記した半導体チップ３を前記した樹脂部材６６で効率良く押圧固定することができる。
従って、次に、前記キャビティ６５内に加熱溶融化された樹脂材料を所定の樹脂圧で各別に注入して前記した半導体チップ３と基板６１との間８に樹脂６８を注入することにより、前記したキャビティ６５内で樹脂注入済基板６９を形成することができる。
また、次に、図１１（２）に示すように、前記した樹脂注入済基板６９における想定切断部位７０を切断することにより、前記した樹脂注入済基板６９の不要部分を分離して個々の個片（図示なし）を得ることができる。
従って、本実施例において、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができるものである。
なお、本実施例において、前記した各実施例と同様に、前記した樹脂部材６６に代えて、同じ材質の樹脂部材、及び、前記した接着層を備えた２層の或いは３層の樹脂部材を採用することができる。
【００５８】
また、前記した各実施例において、前記した単層の樹脂部材１２（前記した２層或いは３層の樹脂部材４２・５１のベース層４３・５２を含む）における少なくとも一方の面に、前記した樹脂部材１２を保護する薄膜状の保護層を設ける構成を採用することができる。
【００５９】
また、前記した薄膜状保護層を少なくとも一方の面に形成した樹脂部材において、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例と同様に、前記した薄膜状保護層形成の樹脂部材の少なくとも一方の面に、前記した接着層を形成する構成を採用することができる。
この場合、図８（１）・図８（２）・図９（１）・図９（２）に示す実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００６０】
本発明は、前述した実施例のものに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができるものである。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの表面に取り付けられ且つ押圧されることによって前記した半導体チップの表面に付着する樹脂ばりを効率良く防止することができる樹脂部材を提供することができると云う優れた効果を奏する。
【００６２】
また、本発明によれば、半導体チップを接続電極を介して装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの表面に取り付けられ且つ押圧されることによって前記半導体チップに損傷が発生することを効率良く防止することができる樹脂部材を提供することができると云う優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（１）は、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記金型の型開状態を示し、図１（２）は、本発明に用いられる基板を概略的に示す概略平面図である。
【図２】図２は、図１（１）に対応する金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記金型の型締状態を示している。
【図３】図３（１）は、図１（２）に示す基板の要部を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図であって、前記した基板に装着した半導体チップの天面に樹脂部材を取り付けた状態を示し、図３（２）は、図２に示す金型の要部を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図である。
【図４】図４（１）は、図１に示す金型で樹脂を注入された樹脂注入済基板を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図であり、図４（２）・図４（３）は、前記した樹脂注入済基板から切断分離した個片を概略的に示す拡大概略縦断面図である。
【図５】図５は、他の本発明に用いられる基板を概略的に示す概略平面図である。
【図６】図６は、他の本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記金型の型開状態を示している。
【図７】図７（１）は、図６に示す金型の要部を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図であって、前記金型の型締状態を示し、図７（２）は、図７（１）に示す金型で樹脂注入された樹脂注入済基板を示す一部切欠拡大概略縦断面図である。
【図８】図８（１）は、本発明に用いられる他の基板と樹脂部材を拡大して概略的に示す部切欠拡大概略縦断面図であり、図８（２）は、図８（１）に示す基板と樹脂部材とを用いて樹脂注入する金型の要部を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図である。
【図９】図９（１）は、本発明に用いられる他の基板と樹脂部材を拡大して概略的に示す部切欠拡大概略縦断面図であり、図９（２）は、図９（１）に示す基板と樹脂部材とを用いて樹脂注入する金型の要部を拡大して概略的に示す一部切欠拡大概略縦断面図である。
【図１０】図１０（１）は、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型を概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記した金型の型開状態を示し、図１０（２）は、本発明に用いられる基板を概略的に示す概略平面図である。
【図１１】図１１（１）は、図１０（１）に示す金型を拡大して概略的に示す一部切欠概略縦断面図であって、前記金型の型締状態を示し、図１１（２）は、図１１（１）に示す金型で樹脂注入された樹脂注入済基板を切断した個片を概略的に示す概略正面図である。
【符号の説明】
１　固定上型
２　可動下型
３　半導体チップ
４　バンプ（接続電極）
５　基板
６　セット用凹所
７　キャビティ
８　間（間隙）
９　樹脂
１０　樹脂注入済基板
１１　半導体チップの天面
１２　テープ状樹脂部材（テープ部材）
１３　キャビティの天面（底面）
１４　想定切断部位
１５　個片（フリップチップのパッケージ）
２１　固定上型
２２　可動下型
２３　基板
２４　セット用凹所
２５　キャビティ
２６　個片状の樹脂部材
２７　収容部（小キャビティ）
２８　連通路
２９　キャビティ天面（底面）
３０　調整部
３１　基板
３２　フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
３３　フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
３４　フィルム状の樹脂部材（フィルム部材）
３５　個片状の樹脂部材
３６　変形樹脂部材
３７　樹脂
３８　樹脂注入済基板
３９　想定切断部位
４１　基板
４２　樹脂部材
４３　ベース層
４４　隙間防止用の接着層
４５　固定上型
４６　可動下型
４７　セット用凹所
４８　キャビティ
４９　樹脂
５０　樹脂注入済基板
５１　樹脂部材
５２　ベース層
５３　隙間防止用の接着層
５４　位置ずれ防止用の接着層
５５　基板
５６　樹脂注入済基板
５７　キャビティの天面（底面）
６１　基板
６２　固定上型
６３　可動下型
６４　セット用凹所
６５　キャビティ
６６　樹脂部材
６７　キャビティの天面（底面）
６８　樹脂
６９　樹脂注入済基板
７０　想定切断部位
Ａ　半導体チップの高さ
Ｂ　半導体チップの高さ
Ｃ　樹脂部材における所要の厚さ（所要の高さ）
Ｄ　キャビティの高さ（収容部の高さ）

Claims (6)

  1. 半導体チップを接続電極を介して一体に装着した基板における半導体チップを金型キャビティ内に嵌装した状態で、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するときに、前記した金型キャビティ面と前記した半導体チップ表面との間に介在させて用いることを特徴とする所要の厚さを有する樹脂部材。
  2. 樹脂部材として、単数個の半導体チップに対応した個片状の樹脂部材を用いることを特徴とする請求項１に記載の樹脂部材。
  3. 樹脂部材として、複数個の半導体チップに対応したテープ状の樹脂部材を用いることを特徴とする請求項１に記載の樹脂部材。
  4. 金型キャビティ面と半導体チップ表面とに対応する少なくとも一方の面に接着層を設けて構成したことを特徴とする請求項１に記載の樹脂部材。
  5. 接着層が、熱可塑性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の樹脂部材。
  6. 接着層が、熱硬化性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の樹脂部材。
JP2002183275A 2002-06-24 2002-06-24 樹脂部材 Pending JP2004031510A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002183275A JP2004031510A (ja) 2002-06-24 2002-06-24 樹脂部材
US10/456,435 US6919223B2 (en) 2002-06-24 2003-06-06 Method of manufacturing semiconductor resin molding and resin member employed therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002183275A JP2004031510A (ja) 2002-06-24 2002-06-24 樹脂部材

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004031510A true JP2004031510A (ja) 2004-01-29

Family

ID=29728341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002183275A Pending JP2004031510A (ja) 2002-06-24 2002-06-24 樹脂部材

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6919223B2 (ja)
JP (1) JP2004031510A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022009941A (ja) * 2015-08-28 2022-01-14 昭和電工マテリアルズ株式会社 電子部品装置の製造方法及び電子部品装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI311358B (en) * 2005-11-16 2009-06-21 Advanced Semiconductor Eng Flip-chip integrated circuit packaging method
WO2007083352A1 (ja) * 2006-01-17 2007-07-26 Spansion Llc 半導体装置およびその製造方法
US7514290B1 (en) * 2008-04-24 2009-04-07 International Business Machines Corporation Chip-to-wafer integration technology for three-dimensional chip stacking
US9576931B1 (en) * 2016-02-19 2017-02-21 Inotera Memories, Inc. Method for fabricating wafer level package
KR102477355B1 (ko) * 2018-10-23 2022-12-15 삼성전자주식회사 캐리어 기판 및 이를 이용한 기판 처리 장치
US11729915B1 (en) * 2022-03-22 2023-08-15 Tactotek Oy Method for manufacturing a number of electrical nodes, electrical node module, electrical node, and multilayer structure

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2744273B2 (ja) * 1988-02-09 1998-04-28 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
US6313521B1 (en) * 1998-11-04 2001-11-06 Nec Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20000057810A (ko) * 1999-01-28 2000-09-25 가나이 쓰토무 반도체 장치
JP4078033B2 (ja) * 1999-03-26 2008-04-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体モジュールの実装方法
JP3314757B2 (ja) * 1999-05-07 2002-08-12 日本電気株式会社 半導体回路装置の製造方法
JP2003077946A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022009941A (ja) * 2015-08-28 2022-01-14 昭和電工マテリアルズ株式会社 電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
JP2022009940A (ja) * 2015-08-28 2022-01-14 昭和電工マテリアルズ株式会社 電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
JP2022082758A (ja) * 2015-08-28 2022-06-02 昭和電工マテリアルズ株式会社 緩衝シート用組成物及び緩衝シート
JP7322937B2 (ja) 2015-08-28 2023-08-08 株式会社レゾナック 電子部品装置の製造方法
JP7322998B2 (ja) 2015-08-28 2023-08-08 株式会社レゾナック 緩衝シート用組成物及び緩衝シート

Also Published As

Publication number Publication date
US20030235938A1 (en) 2003-12-25
US6919223B2 (en) 2005-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100435051B1 (ko) 반도체장치, 반도체장치의 제조방법, 수지밀봉금형 및 반도체 제조시스템
US7618573B2 (en) Resin sealing method for electronic part and mold used for the method
US8610292B2 (en) Resin sealing method of semiconductor device
TWI641471B (zh) Resin molding die and resin molding method
KR100557286B1 (ko) 반도체 칩과 반도체 칩의 제조 방법
JP2004174801A (ja) 樹脂封止装置
KR100389569B1 (ko) 반도체소자를 캡슐화하기 위한 몰드조립 및 방법
JP2001079878A (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
CN112233986A (zh) 芯片封装结构的制作方法及塑封模具
JP2004031510A (ja) 樹脂部材
JP2004200269A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
KR20210045922A (ko) 수지 성형품의 제조 방법 및 수지 성형 장치
JP2004128303A (ja) アンダーフィル樹脂モールド基板及び個片とアンダーフィル樹脂モールド方法及び金型
JP3798995B2 (ja) アンダーフィル樹脂モールド方法及び金型
JP3658727B2 (ja) 半導体装置の製造装置および製造方法
JP3139981B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2626971B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型
JP2005085832A (ja) 樹脂モールド装置
CN103247739A (zh) 半导体芯片的压缩树脂密封成型方法和装置及树脂毛刺防止用胶带
JP6861507B2 (ja) 圧縮成形装置、圧縮成形方法、及び圧縮成形品の製造方法
US6716671B2 (en) Methods of making microelectronic assemblies using compressed resilient layer
KR102684590B1 (ko) 수지 성형품의 제조 방법, 성형 다이 및 수지 성형 장치
CN111668122B (zh) 半导体封装方法
JP2000012584A (ja) 半導体装置およびその製造方法並びにｉｃカード
JP2007505491A (ja) 可撓性圧力素子を用いて電子部品をカプセル封入する方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050518

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060411

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060607

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060711