KR100803679B1

KR100803679B1 - 몰딩 구조물 제조 방법 및 기판 몰딩 방법 및 장치

Info

Publication number: KR100803679B1
Application number: KR1020060112577A
Authority: KR
Inventors: 유철준; 윤태성
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-11-15
Filing date: 2006-11-15
Publication date: 2008-02-20
Also published as: US20080111284A1

Abstract

몰딩 구조물 제조 방법에서 이형 필름이 부착된 금형에 EMC 파우더를 제공한 후 가압하여 평판형 EMC 및 이형 필름으로 이루어진 몰딩 구조물을 형성한다. 기판 몰딩 방법에서는 하부 금형으로 평판형 EMC 및 이형 필름을 포함하는 몰딩 구조물을 제공하고, 하부 금형을 하부에 기판이 부착된 상부 금형을 향해 상승시켜 몰딩 구조물 및 기판을 가압한 후, 하부 금형을 상부 금형으로 멀어지도록 하강시켜 몰딩 기판을 형성한다.

Description

몰딩 구조물 제조 방법 및 기판 몰딩 방법 및 장치{Method of manufacturing a molding structure and method and apparatus for molding a substrate using the molding structure}

도 1은 몰딩 구조물 형성 방법을 수행하기 위한 몰딩 구조물 형성 장치를 설명하기 위한 단면도이다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 몰딩 구조물 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

도 3 내지 도 5는 도 2의 몰딩 구조물 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 6은 기판 몰딩 방법을 수행하기 위한 기판 몰딩 장치를 설명하기 위한 단면도이다.

도 7은 도 6의 이송암을 설명하기 위한 저면도이다.

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 몰딩 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

도 9 내지 도 12는 도 8의 기판 몰딩 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 몰딩 구조물 제조 장치 110 : 하부 금형

120 : 상부 금형 122 : 진공홀

130 : 지지부재 132 : 스프링

140 : 구동부 150 : 제1 이형 필름

160 : 제2 이형 필름 170 : EMC 파우더

180 : 평판형 EMC 190 : 몰딩 구조물

200 : 기판 몰딩 장치 210 : 하부 금형

220 : 상부 금형 222 : 제1 진공홀

230 : 지지부재 232 : 스프링

240 : 구동부 250 : 이송암

252 : 히터 254 : 제2 진공홀

260 : 저장부 262 : 케이스

264 : 회전판 266 : 통로

268 : 개구 280 : 몰딩 구조물

282 : 평판형 EMC 284 : 이형 필름

290 : 기판 300 : 예비 몰딩 기판

310 : 몰딩 기판

본 발명은 몰딩 구조물 제조 방법 및 기판 몰딩 방법 및 장치에 관한 것으 로, 보다 상세하게는 파우더 형태의 EMC를 평판 형태로 제조하는 몰딩 구조물 제조 방법 및 상기 몰딩 구조물을 이용하여 기판을 몰딩하는 기판 몰딩 방법 및 장치에 관한 것이다.

에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy molding compound, 이하 EMC라 한다)는 반도체 칩을 봉지시켜 반도체 회로를 외부의 충격 및 오염 물질로부터 보호하는 역할을 하는 플라스틱 재료로서 반도체의 생산성 및 신뢰성에 중대한 영향을 미치므로 반도체 제조 공정에서 큰 비중을 차지하고 있다. 상기 반도체 칩의 몰딩은 파우더 형태의 EMC를 압축하여 이루어진다. 구체적으로, 하부 금형의 개구(cavity)에 상기 파우더 형태의 EMC를 넣고, 상기 하부 금형을 상승시키면 압축 스프링이 압축되면서 상기 파우더 형태의 EMC에 압력이 가해진다. 상기 압력에 의해 상기 개구 내에서 용융된 EMC는 상부 금형에 부착된 기판 상에 일정한 두께로 성형된다.

상기와 같이 파우더 형태의 EMC를 이용하는 압축 몰딩 방법은 다음과 같은 문제점들이 발생한다.

첫째, 상기 기판을 일정한 두께로 몰딩하기 위해서는 상기 EMC 파우더의 무게를 측정해야 한다. 상기 EMC 파우더의 무게 측정을 위한 장치가 필요하므로 설비 규모가 커지며, 상기 EMC 파우더의 무게 측정에 시간이 소요되므로 몰딩 공정의 작업시간이 증가하여 생산성 저하된다.

둘째, 상기 기판을 일정한 두께로 몰딩하기 위해서는 상기 개구 내에 EMC 파우더를 고르게 펴져야한다. 상기 EMC 파우더를 펴기 위한 장치가 필요하므로 설비 규모가 커지며, 상기 EMC 파우더를 펴는데 시간이 소요되므로 몰딩 공정의 작업시 간이 증가하여 생산성 저하된다.

셋째, EMC 파우더의 분진에 의해 몰딩 공정 설비가 오염되거나 고장이 잦아진다.

본 발명은 EMC 파우더를 이용하여 기판 몰딩 공정에 사용되는 몰딩 구조물 제조 방법을 제공한다.

본 발명은 상기 몰딩 구조물을 이용하여 기판을 몰딩하기 위한 기판 몰딩 방법을 제공한다.

본 발명은 상기 몰딩 구조물을 이용하여 기판을 몰딩하기 위한 기판 몰딩 장치를 제공한다.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명은 몰딩 구조물 제조 방법을 포함한다. 상기 몰딩 구조물 제조 방법은 하부 금형의 상부에 제1 이형 필름을 부착하고, 상기 제1 이형 필름 상에 에폭시 몰딩 화합물(epoxy molding compound) 파우더를 제공한다. 상기 하부 금형을 대향하는 상부 금형의 밑면에 제2 이형 필름을 부착하고, 상기 상하부 금형들로 상기 파우더를 가압하여 평판형 EMC를 형성한다. 상기 제 1 이형 필름이 상기 평판형 EMC에 부착된 상태로 상기 상하부 금형들을 분리시켜서 상기 평판형 EMC 및 상기 제1 이형 필름으로 이루어진 몰딩 구조물을 형성한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 이형 필름 부착, 상기 EMC 파우더 제공, 상기 제2 이형 필름 부착, 상기 평판형 EMC 형성 및 상기 몰딩 구조물 형성은 상온에서 이루어진다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 이형 필름은 상기 상부 금형에 진공 흡착된다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 이형 필름이 상기 제2 이형 필름보다 두껍다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 이형 필름은 반복하여 사용된다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 이형 필름은 상기 EMC 파우더와 접촉하는 상부면에 접착 물질이 도포된다.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 몰딩 방법을 제공한다. 상기 기판 몰딩 방법은 하부 금형의 상부로 이형 필름과 평판형 EMC로 이루어진 몰딩 구조물을 제공한다. 상기 하부 금형과 상기 하부 금형과 대향하는 상부 금형으로 상기 몰딩 구조물 및 상기 기판을 가압하여 예비 몰딩 기판을 형성한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 하부 금형에 제공된 상기 몰딩 구조물을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 몰딩 구조물은 150℃ 내지 180℃ 사이의 온도로 가열될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 이형 필름으로 자외선을 조사하여 상기 몰딩 기판으로부터 상기 이형 필름을 분리할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 기판은 상기 상부 금형에 진공 흡착될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 기판은 칩이 부착된 인쇄회로기판 또는 솔더볼이 부착된 반도체 기판일 수 있다.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 몰딩 장치를 제공한다. 상기 기판 몰딩 장치는 상부면에 기판을 몰딩하기 위한 몰딩 구조물을 지지하는 하부 금형, 상기 하부 금형의 대향하도록 배치되며 하부면에 상기 기판을 지지하는 상부 금형, 상기 하부 금형을 상하 구동시키기 위한 구동부, 다수의 몰딩 구조물을 저장하는 저장부 및 상기 저장부의 몰딩 구조물을 상기 하부 금형으로 이송하며 상기 몰딩 구조물을 가열하기 위한 이송암을 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 상부 금형은 상하를 관통하며 상기 기판을 진공 흡착하기 위한 진공력이 제공되는 진공홀을 가질 수 있다 .

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 저장부는 상기 몰딩 구조물들을 수용하기 위한 공간을 가지며, 상기 몰딩 구조물들을 냉각하기 위한 공기를 순환하는 통로를 갖는 상방이 개방된 케이스 및 상기 케이스의 하부를 관통하여 구비되며, 상기 몰딩 구조물들을 적층하여 지지하며, 회전하면서 상기 몰딩 구조물들을 상기 케이스의 상방으로 상승시키는 회전판을 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 이송암은 상기 저면에 상기 몰딩 구조물을 진공 흡착하기 위한 진공력이 제공되는 진공홀을 가지며, 상기 하부 금형으로 이송된 몰딩 구조물을 가열하기 위한 히터를 포함할 수 있다.

이와 같이 구성된 본 발명들에 따르면, 기판 몰딩 공정을 수행하기 전에 미리 상기 기판의 몰딩에 사용되는 몰딩 구조물을 형성한다. 따라서, 상기 기판 몰딩 공정시 파우더 형태의 EMC를 사용하지 않으므로, 상기 EMC 파우더의 무게를 측정하거나 상기 EMC 파우더를 고르게 펴지 않아도 된다. 따라서, 몰딩 공정에 소요되는 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 EMC 파우더의 분진에 의해 몰딩 공정 설비가 오염되거나 고장나는 것을 방지할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 몰딩 구조물 제조 방법과 기판 몰딩 방법 및 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것 으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

도 1을 참조하면, 상기 몰딩 구조물 제조 장치(100)는 하부 금형(110), 상부 금형(120), 지지부재(130), 스프링(132) 및 구동부(140)를 포함한다.

상기 하부 금형(110)은 상부면에 제1 이형 필름(150) 및 에폭시 몰딩 화합물(epoxy molding compound, 이하 EMC라 한다) 파우더(170)가 제공된다.

상기 구동부(140)는 상기 하부 금형(110)과 연결되며, 상기 하부 금형(110)을 상기 상부 금형(120)을 향해 상승시키거나 상기 상부 금형(120)으로부터 멀어지 도록 하강시킨다.

상기 상부 금형(120)은 상기 하부 금형(110)의 상방에 배치된다. 상기 상부 금형(120)은 상하를 관통하여 형성되며 진공력이 제공되는 진공홀(122)을 갖는다. 상기 상부 금형(120)은 상기 진공력을 이용하여 제2 이형 필름(160)을 진공 흡착한다.

상기 지지부재(130)는 상기 하부 금형(110)의 가장 자리를 따라 배치되며, 상기 스프링(132)에 의해 상기 하부 금형(110)에 부착된다. 상기 하부 금형(110)이 상승하여 상기 상부 금형(120)과 접촉할 때, 상기 스프링(132)이 압축되면서 상기 지지부재(130)가 서서히 하강한다. 그러므로 상기 지지부재(130) 및 스프링(132)이 상기 하부 금형(110)과 상기 상부 금형(120)이 접촉할 때 발생하는 충격을 완화시킨다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 몰딩 구조물 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 3 내지 도 5는 도 2의 몰딩 구조물 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 하부 금형(110)의 상부면에 제1 이형 필름(150)이 부착된다(S110). 예를 들면, 상기 제1 이형 필름(150)은 제1 두께를 갖는다. 상기 제1두께는 수십㎛ 내지 수백㎛일 수 있다. 일예로, 상기 제1 이형 필름(150)과 후술하는 평판형 EMC(180)와의 결합을 위해 상기 제1 이형 필름(150)의 상부면에는 접착 물질이 도포된다. 다른 예로, 상기 제1 이형 필름(150)은 상기 하부 금형(110)과는 분리되며 상기 평판형 EMC(180)와 결합하는 물질로 이루어질 수 있다.

상기 제1 이형 필름(150)의 상부면에 EMC 파우더(170)를 제공한다(S120). 상기 EMC(170)는 크게 에폭시 수지, 페놀 수지, 실리카 및 여러 첨가제로 구성된다. 상기 EMC(170)는 상기 제1 이형 필름(150) 상에 일정한 두께로 고르게 제공된다.

상기 상부 금형(120)의 하부면에는 제2 이형 필름(160)이 부착된다(S130). 상기 제2 이형 필름(160)은 제2 두께를 갖는다. 상기 제1 이형 필름(150)의 제1 두께는 상기 제2 이형 필름(160)의 제2 두께보다 크다. 상기 제2 두께는 수십㎛일 수 있다. 상기 제2 이형 필름(160)은 상기 상부 금형(120)에 진공 흡착된다. 상기 제2 이형 필름(160)을 진공 흡착하기 위한 진공력은 상기 상부 금형(120)의 상하를 관통하는 진공홀(122)을 통해 제공된다. 상기 제2 이형 필름(160)은 몰딩 구조물 형성 공정시 손상이나 변형이 없는 한 반복적으로 사용될 수 있다.

도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 하부 금형(110)이 상부 금형(120)을 향하도록 상승한다. 상기 하부 금형(110)이 상승함에 따라 상기 하부 금형(110)의 측면에 위치한 지지부재(130)가 상기 상부 금형(120)의 하부면과 접촉하면서 스프링(132)이 압축된다. 그러므로, 상기 지지부재(130) 및 스프링(132)이 상기 하부 금형(110)과 상기 상부 금형(120)이 접촉할 때 발생하는 충격을 완화시킨다. 상기 하부 금형(110)이 상승함에 따라 상기 하부 금형(110) 및 상기 상부 금형(120)에 의해 상기 EMC 파우더(170)에 압력이 가해진다. 상기 압력에 의해 상기 EMC 파우더(170)가 평판 형태의 EMC(180)로 변형된다(S140).

도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 상기 평판형 EMC(180)가 형성되면, 상기 하 부 금형(110)을 상기 상부 금형(120)으로부터 멀어지도록 하강시킨다. 상기 상부 금형(120)의 하부에 부착된 상기 제2 이형 필름(160)으로 인해 상기 평판형 EMC(180)는 상기 상부 금형(120)으로부터 용이하게 분리된다. 또한, 상기 하부 금형(110)의 상부에 부착된 상기 제1 이형 필름(150)으로 인해 상기 평판형 EMC(180)는 상기 하부 금형(110)으로부터 용이하게 분리된다. 이때, 상기 제1 이형 필름(150)의 상부면에 도포된 접착 물질로 인해 상기 제1 이형 필름(150)은 상기 평판형 EMC(180)의 하부면에 부착된다. 따라서, 상기 평판형 EMC(180) 및 상기 제1 이형 필름(150)을 포함하는 몰딩 구조물(190)을 형성한다(S150).

상기 평판형 EMC(180)는 두꺼운 상기 제1 이형 필름(150)에 의해 지지되므로, 상기 평판형 EMC(180)은 쉽게 변형되거나 파손되지 않는다.

상기 몰딩 구조물(190)을 형성하는 공정은 상온에서 진행된다. 즉, 상기 하부 금형(110)에 상기 제1 이형 필름(150)을 부착하는 공정, 상기 EMC 파우더(170)를 상기 하부 금형(110)으로 제공하는 공정, 상기 상부 금형(120)에 상기 제2 이형 필름(160)을 부착하는 공정, 상기 평판형 EMC(180)를 형성하는 공정 및 상기 몰딩 구조물(190)을 형성하는 공정이 모두 상온에서 진행된다. 따라서, 상기 몰딩 구조물(190)을 형성하는 공정시 별도의 가열 공정이 필요하지 않으므로 상기 공정이 간단하고 신속하게 이루어진다. 그리고, 상기 몰딩 구조물(190) 형성 공정을 통해 기판의 몰딩에 사용되는 몰딩 구조물(190)을 미리 대량으로 제조할 수 있다.

도 6은 기판 몰딩 방법을 수행하기 위한 기판 몰딩 장치를 설명하기 위한 단면도이고, 도 7은 도 6의 이송암을 설명하기 위한 저면도이다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 기판 몰딩 장치(200)는 하부 금형(210), 상부 금형(220), 지지부재(230), 스프링(232), 구동부(240), 이송암(250) 및 저장부(260)을 포함한다.

상기 하부 금형(210)은 상부면에 기판(290)을 몰딩하기 위한 몰딩 구조물(280)이 놓여진다.

상기 구동부(240)는 상기 하부 금형(210)과 연결되며, 상기 하부 금형(210)을 상기 상부 금형(220)을 향해 상승시키거나 상기 상부 금형(220)으로부터 멀어지도록 하강시킨다.

상기 상부 금형(220)은 상기 하부 금형(210)의 상방에 배치되며, 상하를 관통하여 진공을 제공하기 위한 제1 진공홀(222)을 갖는다. 상기 상부 금형(220)은 상기 기판(290)을 진공 흡착한다.

상기 지지부재(230)는 상기 하부 금형(210)의 가장 자리를 따라 배치되며, 상기 스프링(232)에 의해 상기 하부 금형(210)에 부착된다. 상기 하부 금형(210)이 상승하여 상기 상부 금형(220)과 접촉할 때, 상기 스프링(232)이 압축되면서 상기 지지부재(230)가 서서히 하강한다. 그러므로 상기 지지부재(230) 및 스프링(232)이 상기 하부 금형(210)과 상기 상부 금형(220)이 접촉할 때 발생하는 충격을 완화시킨다.

상기 이송암(250)은 히터(252) 및 제2 진공홀(254)을 포함한다. 상기 이송암(250)은 저면에 진공을 제공하기 위한 제2 진공홀(254)을 갖는다. 상기 이송암(250)은 상기 몰딩 구조물(280)을 진공 흡착하여 상기 하부 금형(210)으로 이송 한다. 상기 히터(252)는 상기 하부 금형(210)의 상부면으로 이송된 몰딩 구조물(280)을 가열한다. 따라서, 상기 이송암(250)은 상기 저장부(260)의 상기 몰딩 구조물(280)을 진공 흡착하여 상기 하부 금형(210)의 상부면으로 이송하고, 상기 이송암(250)이 상기 하부 금형(210)의 상방에 위치한 상태에서 상기 몰딩 구조물(280)을 상기 히터(252)로 가열한다.

상기 저장부(260)는 상기 몰딩 구조물들(280)을 물성 변화없이 안전하게 저장한다. 상기 저장부(260)는 케이스(262) 및 회전판(264)을 포함한다.

상기 케이스(262)는 상방이 개방된 중공 형태를 갖는다. 상기 케이스(262)는 측벽에 공기를 순환시키기 위한 통로(266)를 갖는다. 상기 케이스(262)의 내벽에는 상기 통로(266)와 상기 케이스(262) 내부를 연결하는 다수의 개구(268)를 갖는다. 예를 들면, 상기 통로(286)로 냉각 공기가 유입되어 상기 개구(268)를 통해 상기 케이스(262) 내부로 제공되고, 상기 냉각 공기는 다시 개구(268)를 통해 상기 통로(286)로 유입된 후 상기 케이스(262)의 외부로 배출된다. 상기 통로(266) 및 개구(268)는 열에 의해 상기 몰딩 구조물들(280)의 물성이 변하는 것을 방지한다.

상기 회전판(264)은 상기 케이스(262)의 하부를 관통하여 구비되며, 상기 몰딩 구조물들(280)을 적층하여 지지한다. 상기 회전판(264)은 회전하면서 상기 몰딩 구조물들(280)을 상기 케이스(262)의 개방된 상방으로 밀어올린다. 따라서, 상기 이송암(250)으로 상기 몰딩 구조물(280)을 용이하게 흡착하여 이송할 수 있다.

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 몰딩 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 9 내지 도 12는 기판을 몰딩하기 위한 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 6, 도 8 및 도 9를 참조하면, 이송암(250)이 다수의 몰딩 구조물(280)이 적층되어 저장되는 저장부(260)로부터 상기 몰딩 구조물(280)을 하부 금형(210)으로 이송한다. 이송된 몰딩 구조물(280)은 하부 금형(210)의 상부면에 부착된다(S210).

상기 몰딩 구조물(280)은 이형 필름(284)과 평판형 EMC(282)가 적층된 형태이다. 상기 몰딩 구조물(280)은 상기 이형 필름(284)이 하부에 위치하고, 상기 평판형 EMC(282)는 상부에 위치하도록 배치된다. 상기 몰딩 구조물(280)은 상기 이형 필름(284)을 포함하므로, 기판 몰딩 공정시 상기 하부 금형(210)과 몰딩 구조물(280)사이에 별도의 이형 필름이 필요없다. 따라서, 상기 하부 금형(210)에 이형 필름을 부착하는 공정이 불필요하다.

도 6, 도 8 및 도 10을 참조하면, 상기 몰딩 구조물(280)을 이송한 이송암(250)은 상기 하부 금형(210)의 상방에 위치한다. 상기 이송암(250)의 히터(252)가 상기 하부 금형(210) 상에 부착된 상기 몰딩 구조물(280)을 가열한다(S220).

구체적으로, 상기 몰딩 구조물(280)의 평판형 EMC(282)가 가열된다. 상기 평판형 EMC(282)는 상기 히터(252)에 의해 약 150℃ 내지 180℃ 사이의 온도로 가열된다. 상기 평판형 EMC(282)가 150℃이하로 가열되는 경우, 상기 평판형 EMC(282)가 충분히 가열되지 않는다. 그러므로, 상기 평판형 EMC(282)가 후술하는 기판(260)을 충분히 몰딩할 수 없다. 상기 평판형 EMC(282)가 180℃이상으로 가열되는 경우, 상기 평판형 EMC(282)가 너무 가열된다. 그러므로, 상기 평판형 EMC(282)가 상기 하부 금형(210)을 따라 흘러내려 상기 기판(260)을 몰딩할 수 없다.

도 6, 도 8 및 도 11을 참조하면, 상기 이송암(250)을 상기 저장부(260)의 상방으로 이동시킨다. 상기 하부 금형(210)이 상부 금형(220)을 향하도록 상승한다. 이때, 상기 상부 금형(220)의 하부면에는 기판(260)이 부착된다. 상기 기판(260)은 칩이 형성된 반도체기판 또는 솔더 볼이 부착된 반도체 기판인 것이 바람직하다. 상기 기판(260)은 상기 상부 금형(220)에 진공 흡착된다. 상기 기판(260)을 진공 흡착하기 위한 진공력은 상기 상부 금형(220)의 상하를 관통하는 제1 진공홀(222)을 통해 제공된다.

상기 하부 금형(210)이 상승함에 따라 상기 하부 금형(210)의 측면에 위치한 지지부재(230)는 상기 상부 금형(220)의 하부면과 접촉하면서 스프링(232)이 압축된다. 그러므로, 상기 지지부재(230) 및 스프링(232)이 상기 하부 금형(210)과 상기 상부 금형(220)이 접촉할 때 발생하는 충격을 완화시킨다. 상기 하부 금형(210)이 상승함에 따라 상기 하부 금형(210) 및 상기 상부 금형(220)이 상기 기판(260) 및 몰딩 구조물(280)을 압축한다.

상기 하부 금형(210) 및 상부 금형(220)의 상기 압력에 의해 상기 가열된 몰딩 구조물(280)은 상기 기판(260)의 저면을 몰딩한다. 구체적으로, 상기 몰딩 구조물(280)의 평판형 EMC(282)가 상기 기판(260)의 칩 또는 솔더 볼을 덮도록 몰딩한다. 따라서, 상기 기판(260)과 상기 몰딩 구조물(280)을 포함하는 예비 몰딩 구조물을 형성한다(S230).

도 6, 도 8 및 도 12를 참조하면, 상기 기판(260) 및 몰딩 구조물(280)의 압축이 완료되면, 상기 하부 금형(210)을 상기 상부 금형(220)으로부터 멀어지도록 하강시킨다. 상기 상부 금형(220)의 제1 진공홀(222)에 제공되는 진공력에 의해 상기 예비 몰딩 기판(300)은 상기 상부 금형(220)에 부착된다. 이때, 상기 몰딩 구조물(280)의 이형 필름(284)으로 인해 상기 예비 몰딩 구조물(300)은 상기 하부 금형(210)으로부터 용이하게 분리된다. 이후, 상기 진공력을 차단하여 상기 상부 금형(220)으로부터 상기 예비 몰딩 기판(300)을 분리한다.

분리된 예비 몰딩 기판(300)의 이형 필름(284)을 제거하여 몰딩 기판(310)을 형성한다(S232).

일예로, 상기 이형 필름(284)으로 자외선을 조사한다. 상기 자외선은 상기 이형 필름(284)의 이형성을 향상시켜 상기 이형 필름(284)을 상기 예비 몰딩 기판(300)으로부터 이탈시킨다. 따라서, 상기 기판(290)과 평판형 EMC(282)로 이루어진 몰딩 기판(310)을 형성한다.

다른 예로, 상기 이형 필름(284)을 상기 평판형 EMC(282)가 노출될 때까지 연마한다. 상기 연마의 예로는 식각, 그라인딩 등을 들 수 있다. 따라서, 상기 기판(290)과 평판형 EMC(282)로 이루어진 몰딩 기판(310)을 형성한다.

상기와 같은 기판 몰딩 방법은 미리 대량으로 형성된 몰딩 구조물을 이용하여 상기 기판을 몰딩한다. 따라서, 상기 기판 몰딩 공정시 파우더 형태의 EMC를 사용하지 않으므로, 상기 EMC 파우더의 무게를 측정하거나 상기 EMC 파우더를 고르게 펴지 않아도 된다. 따라서, 몰딩 공정에 소요되는 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 EMC 파우더의 분진에 의해 몰딩 공정 설비가 오염되거나 고장나는 것을 방지할 수 있다.

그리고, 상기 몰딩 구조물이 상기 이형 필름을 포함하므로, 상기 하부 금형에 이형 필름을 준비하는 공정이 불필요하다. 그러므로, 상기 몰딩 공정을 간단하고 신속하게 수행할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 몰딩 공정을 수행하기 전에 미리 상기 기판의 몰딩에 사용되는 몰딩 구조물을 형성한다. 따라서, 상기 기판 몰딩 공정시 파우더 형태의 EMC를 사용하지 않으므로, 상기 EMC 파우더의 무게를 측정하거나 상기 EMC 파우더를 고르게 펴지 않아도 된다. 따라서, 몰딩 공정에 소요되는 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 EMC 파우더의 분진에 의해 몰딩 공정 설비가 오염되거나 고장나는 것을 방지할 수 있다.

그리고, 상기 몰딩 구조물이 이형 필름을 포함하므로, 상기 기판 몰딩 공정에서 하부 금형에 이형 필름을 준비하는 공정이 불필요하다. 그러므로, 상기 기판 몰딩 공정을 신속하게 수행할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

하부 금형의 상부에 제1 이형 필름을 부착하는 단계;

상기 제1 이형 필름 상에 에폭시 몰딩 화합물(epoxy molding compound) 파우더를 제공하는 단계;

상기 하부 금형을 대향하는 상부 금형의 밑면에 제2 이형 필름을 부착하는 단계;

상기 상하부 금형들로 상기 파우더를 가압하여 평판형 EMC를 형성하는 단계; 및

상기 제 1 이형 필름이 상기 평판형 EMC에 부착된 상태로 상기 상하부 금형들을 분리시켜서 상기 평판형 EMC 및 상기 제1 이형 필름으로 이루어진 몰딩 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰딩 구조물 제조 방법.
청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제1항에 있어서, 상기 제1 이형 필름 부착, 상기 EMC 파우더 제공, 상기 제2 이형 필름 부착, 상기 평판형 EMC 형성 및 상기 몰딩 구조물 형성은 상온에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 몰딩 구조물 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 제2 이형 필름은 상기 상부 금형에 진공 흡착되는 것을 특징으로 하는 몰딩 구조물 제조 방법.
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제1항에 있어서, 상기 제2 이형 필름은 반복하여 사용되는 것을 특징으로 하는 몰딩 구조물 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 EMC 파우더와 접촉하는 상기 제1 이형 필름의 상부면에 접착 물질을 도포하는 것을 특징으로 하는 몰딩 구조물 제조 방법.
하부 금형의 상부로 이형 필름과 평판형 EMC로 이루어진 몰딩 구조물을 제공하는 단계;

상기 하부 금형과 상기 하부 금형과 대향하는 상부 금형으로 상기 몰딩 구조물 및 상기 기판을 가압하여 예비 몰딩 기판을 형성하는 단계; 및

상기 예비 몰딩 기판로부터 상기 이형 필름을 제거하여 몰딩 기판을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 몰딩 방법.
제7항에 있어서, 상기 하부 금형에 제공된 상기 몰딩 구조물을 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 몰딩 방법.
제8항에 있어서, 상기 몰딩 구조물은 150℃ 내지 180℃ 사이의 온도로 가열 되는 것을 특징으로 하는 기판 몰딩 방법.
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제7항에 있어서, 상기 이형 필름으로 자외선을 조사하여 상기 몰딩 기판으로부터 상기 이형 필름을 분리하는 것을 특징으로 하는 기판 몰딩 방법.
청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제7항에 있어서, 상기 기판은 상기 상부 금형에 진공 흡착되는 것을 특징으로 하는 기판 몰딩 방법.
청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제7항에 있어서, 상기 기판은 칩이 부착된 인쇄회로기판 또는 솔더볼이 부착된 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 기판 몰딩 방법.
상부면에 기판을 몰딩하기 위한 몰딩 구조물을 지지하는 하부 금형;

상기 하부 금형의 대향하도록 배치되며, 하부면에 상기 기판을 지지하는 상부 금형;

상기 하부 금형을 상하 구동시키기 위한 구동부;

다수의 몰딩 구조물을 저장하는 저장부; 및

상기 저장부의 몰딩 구조물을 상기 하부 금형으로 이송하며, 상기 몰딩 구조물을 가열하기 위한 이송암을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 몰딩 장치.
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제13항에 있어서, 상기 상부 금형은 상하를 관통하며 상기 기판을 진공 흡착 하기 위한 진공력이 제공되는 진공홀을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 몰딩 장치.
제13항에 있어서, 상기 저장부는,

상기 몰딩 구조물들을 수용하기 위한 공간을 가지며, 상기 몰딩 구조물들을 냉각하기 위한 공기를 순환하는 통로를 갖는 상방이 개방된 케이스; 및

상기 케이스의 하부를 관통하여 구비되며, 상기 몰딩 구조물들을 적층하여 지지하며, 회전하면서 상기 몰딩 구조물들을 상기 케이스의 상방으로 상승시키는 회전판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 몰딩 장치.
청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제13항에 있어서, 상기 이송암은 상기 저면에 상기 몰딩 구조물을 진공 흡착하기 위한 진공력이 제공되는 진공홀을 가지며, 상기 하부 금형으로 이송된 몰딩 구조물을 가열하기 위한 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 몰딩 장치.