WO2018146755A1 - 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 - Google Patents

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WO2018146755A1
WO2018146755A1 PCT/JP2017/004622 JP2017004622W WO2018146755A1 WO 2018146755 A1 WO2018146755 A1 WO 2018146755A1 JP 2017004622 W JP2017004622 W JP 2017004622W WO 2018146755 A1 WO2018146755 A1 WO 2018146755A1
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WO
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mold
workpiece
resin
cavity
mounting surface
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/004622
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義和 大谷
寛治 森
光 高橋
Original Assignee
信越エンジニアリング株式会社
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/26Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings

Definitions

  • the present invention relates to a resin sealing device used when manufacturing a package such as a semiconductor package, and a resin sealing method for manufacturing the package.
  • this type of resin sealing device a substrate mounting portion on which a substrate is mounted and an upper mold having a gas flow path for substrate adsorption, and a lower mold having a cavity to which a resin material for resin sealing is supplied.
  • a mold and a lower mold and an upper mold are clamped so that a chip and a wire mounted on the main surface of the substrate are immersed in a molten resin, and a molded product is formed by curing the molten resin (for example, Patent Document 1).
  • a chip is mounted on the main surface of the substrate, and the electrodes of the main surface of the substrate and the chip are connected by wires.
  • a concave substrate placement part is provided on the lower mold side surface of the upper mold, a suction recess is provided on the bottom surface of the substrate placement part, and a vacuum pump is provided in the suction recess via a gas flow path.
  • the substrate is adsorbed by the gas flow path to the substrate mounting portion. That is, the suction force from the gas flow path due to the operation of the decompression pump attracts and attracts the back surface opposite to the main surface on which the chip of the substrate is mounted toward the bottom surface of the upper substrate mounting portion. The back surface of the substrate is held so as not to fall with respect to the bottom surface of the mounting portion.
  • the resin material disposed in the cavity is heated and melted with a heater to produce a molten resin, and the upper die and the lower die are clamped while the space between the upper die and the lower die is reduced by the gas flow path. To do. Thereby, the chip and the wire are immersed in the molten resin, and then the molten resin is heated and cured to form a molded product.
  • a resin material such as an epoxy-based thermosetting resin
  • a resin material such as an epoxy-based thermosetting resin
  • a resin sealing is heated and melted in a reduced-pressure atmosphere, so that volatile components in the resin are vaporized and foamed, A phenomenon occurs in which the pressure is partially increased by the gas pressure generated by the foaming.
  • Patent Document 1 since the substrate is adsorbed by suction from the upper substrate mounting portion, if the foaming occurs at the interface between the upper substrate mounting portion and the substrate, it is mixed with the foamed gas. And a fine resin component may enter the gap between the upper substrate placement portion and the substrate.
  • the substrate placement portion when the substrate placement portion is provided in a concave shape on the lower die side surface of the upper die, it is very difficult to process the bottom surface of the substrate placement portion into a highly accurate smooth shape. A gap is likely to occur between the bottom surface of the part and the back surface of the substrate.
  • the resin component sticks across the upper mold placement portion and the back surface of the substrate. As a result, the resin component solidifies. For this reason, there has been a problem in that the resin component adheres to the surface of the molded product on the substrate side and causes deterioration in quality.
  • the resin sealing device includes a first mold having a work holding portion on which a semiconductor element is mounted, and the first mold held by the holding portion of the first mold.
  • a second mold having a cavity to which uncured resin is supplied facing a mounting surface on which the semiconductor element of the workpiece is mounted, and an opening / closing formed between the first mold and the second mold A freely closed chamber, and a drive unit that relatively moves one or both of the first mold and the second mold in the opposing direction of the first mold and the second mold,
  • a pressure adjusting unit that adjusts an internal pressure from an air atmosphere to a reduced pressure atmosphere having a predetermined degree of vacuum by exhausting or supplying air over the sealed chamber and the external space; and a controller that controls the operation of the driving unit and the pressure adjusting unit.
  • the holding part of the first mold is the work piece.
  • the control unit has a smooth surface in surface contact with the non-mounting surface opposite to the mounting surface, and the control unit is configured to reduce the pressure of the work by the driving unit in a state where the sealed chamber is depressurized by the pressure adjusting unit.
  • the placement surface and the semiconductor element are immersed in the uncured resin in the cavity, and control is performed so that a molded product is formed by curing the uncured resin.
  • the semiconductor element is mounted on the holding portion of the first mold that is relatively moved in the facing direction of the first mold and the second mold in the air atmosphere.
  • a detachable holding of the workpiece and a feeding step of supplying uncured resin into the cavity of the second mold, and either one or both of the first mold and the second mold are driven.
  • the resin sealing apparatus A has a plurality of semiconductor elements C mounted on the workpiece W by a semiconductor assembly process, and the substrate terminals of the workpiece W and the semiconductor elements C are mounted.
  • a manufacturing apparatus for “molding (resin sealing, resin molding)” in which a product connected by a connecting member C1 such as a wire is pressurized and sealed with an uncured resin R around the connecting member C1. .
  • This makes it possible to protect the semiconductor element C and the connection member C1 of the product from factors such as impact, temperature, and humidity.
  • Examples of the workpiece W include a substrate made of silicon wafer, glass, metal sheet, glass cloth, BT resin, or the like, or a similar one.
  • Examples of the semiconductor element C include chip-shaped electronic components such as semiconductor chips.
  • the connection member C1 include bumps and wires.
  • As the uncured resin R a sheet, powder, granule, gel or the like is used.
  • Examples of the material of the uncured resin R include thermosetting resins such as epoxy resins.
  • the molded product M manufactured by the resin sealing device A is generally subjected to a dividing process such as dicing to complete a package such as a semiconductor package as a final product.
  • the resin sealing device A includes a first mold 1 having a work W holding portion 11 and a work W held by the holding portion 11 of the first mold 1.
  • a second molding die 2 having a cavity 21 provided opposite to the mounting surface W1, an openable / closable sealed chamber 31 formed between the first molding die 1 and the second molding die 2, and a first molding die
  • a drive unit 4 for raising and lowering, in which one or both of the first mold 2 and the second mold 2 are moved relatively close to each other in the opposing direction of the first mold 1 and the second mold 2, and the sealed chamber
  • a pressure adjusting unit 5 that adjusts the internal pressure of 31 as a main component.
  • the release sheet S is a film made of a heat-resistant material having excellent elasticity such as a fluororesin such as Aflex (registered trademark) or ETFE or silicone, and has a size larger than that of the workpiece W or the cavity 21. ing. Further, by pressurizing and compressing the uncured resin R in the cavity 21, it is possible to produce a mold that does not generate bubbles (voids) inside the resin-sealed molded product M.
  • the resin sealing device A includes the positioning portion 6 of the release sheet S with respect to the cavity 21 and the pressing portion 7 that compresses the uncured resin R.
  • the positioning unit 6, the pressurizing unit 7, and the like are electrically communicated with the control unit 8, and their operations are controlled by the control unit 8.
  • the first mold 1 and the second mold 2 are usually arranged so as to face each other in the vertical direction as shown in FIGS. 1 to 8, and the upper first mold 1 and the lower second mold 2 are arranged.
  • the direction in which the mold 2 approaches or isolates is hereinafter referred to as “Z direction”.
  • a direction along the workpiece W that intersects the Z direction is hereinafter referred to as an “XY direction”.
  • the first mold 1 is formed in a flat plate shape having a thickness that does not deform (bend) with a rigid body such as metal, and on the surface thereof, the non-mounting surface W2 and Z opposite to the mounting surface W1 of the workpiece W are formed. It has the holding
  • the holding part 11 of the first mold 1 holds the work W so as to be detachable and cannot fall off, and presses the mounting surface W1 of the work W and the semiconductor element C toward the cavity 21 of the second mold 2 described later.
  • a holding chuck is provided. As the holding chuck, it is preferable to use an adhesive chuck 12 described later.
  • the holding part 11 has a smooth surface 11a that makes surface contact with the non-mounting surface W2 of the workpiece W.
  • the smooth surface 11a is preferably set to a surface roughness (Ra) of about 1 ⁇ m or less by mirror surface processing such as polishing, cutting or grinding, or other processing.
  • the holding part 11 is formed with a hard coating layer (not shown) as a smooth surface 11a on the surface of the first mold 1, and this coating layer is a non-adhesive fluorine to the resin component of the uncured resin R. It is preferable to use a material such as a system, silicone, ceramic coating or hard chrome plating.
  • the first mold 1 is an upper mold arranged on the substrate side of the molding. On the entire lower surface of the upper mold, a smooth surface 11a is formed as a holding portion 11 for the workpiece W so as to come into surface contact with the non-mounting surface W2 of the workpiece W.
  • the holding part 11 (smooth surface 11a) of the first mold 1 is provided with an adhesive chuck 12 as a holding chuck that is detachably in contact with the non-mounting surface W2 of the workpiece W.
  • an adhesive chuck 12 as a holding chuck that is detachably in contact with the non-mounting surface W2 of the workpiece W.
  • a disk-shaped silicon wafer is used as the workpiece W, and the silicon wafer is suspended by the adhesive chuck 12 from the holding portion 11 (smooth surface 11 a) of the first mold 1. ing. Furthermore, in the resin sealing device A according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 to 7, the release sheet S is placed directly on the inner bottom surface of the cavity 21.
  • a substrate made of glass, a metal sheet, a glass cloth, a BT resin, or the like or a similar one is held (suspended), or the workpiece W is outside the workpiece W. It is possible to change the shape to a rectangular shape (a quadrilateral having a right angle including a rectangle and a square).
  • the entire or part of the adhesive chuck 12 is made of, for example, an adhesive material such as fluorine rubber, elastomer, butyl rubber, photosensitive resin, acrylic or silicon, and is opposed to the non-mounting surface W2 of the workpiece W in the Z direction. It has a surface 12a.
  • an adhesive material such as fluorine rubber, elastomer, butyl rubber, photosensitive resin, acrylic or silicon
  • a plurality of concave grooves 11b are formed on the holding portion 11 (smooth surface 11a) of the first mold 1 in a dispersed manner.
  • the diameter of the groove 11b is set to about 10 mm or less.
  • an electrostatic chuck can be used instead of the adhesive chuck 12 as a holding chuck for the workpiece W, or an adsorption chuck or an electrostatic chuck can be used in combination with the adhesive chuck 12.
  • the holding portion 11 (smooth surface 11a) of the first mold 1 includes a pressing portion 13 that moves the non-mounting surface W2 of the work W toward the adhesive surface 12a of the adhesive chuck 12 and forcibly presses the non-mounting surface W2; It is preferable to have the peeling part 14 which peels the non-mounting surface W2 of the workpiece W from the 12 adhesive surfaces 12a.
  • the pressing force of the workpiece W by the pressing portion 13 is obtained by crushing the adhesive surface 12a of the adhesive chuck 12 slightly protruding from the holding portion 11 (smooth surface 11a) of the first mold 1 with the non-mounting surface W2 of the workpiece W.
  • the holding part 11 (smooth surface 11a) of the first mold 1 and the non-mounting surface W2 of the workpiece W are in close contact with each other, and a setting is made so as not to generate a gap for the uncured resin R to enter between them.
  • the suction hole 13a is opened in the holding part 11 (smooth surface 11a) of the first mold 1, and the size of the suction hole 13a is recessed.
  • a plurality of the grooves 11b are arranged in a distributed manner with substantially the same size as the grooves 11b.
  • Each suction hole 13a communicates with an actuator (not shown) such as a compressor for vacuum suction or gas injection.
  • the non-mounting surface W2 of the workpiece W is drawn toward the adhesive chuck 12, and the non-mounting surface W2 is pressed against the adhesive surface 12a.
  • a push pin 14 a that is reciprocally movable in the Z direction with respect to the first mold 1 is used, and the non-mounting surface W 2 of the workpiece W is pushed away from the adhesive surface 12 a at the tip of the push pin 14 a. It is preferable.
  • a plurality of adhesive chucks 12 are dispersedly arranged around each suction hole 13a.
  • the workpiece W is peeled off only by the push pin 14 a as the peeling portion 14.
  • an electrostatic chuck is used as the pressing portion 13 of the workpiece W instead of the suction hole 13a, and the non-mounting surface W2 of the workpiece W is attached to the adhesive chuck 12 by electromagnetic attraction by the electrostatic chuck.
  • the non-mounting surface W2 of the work W can be peeled off or changed from the adhesive surface 12a by an electric repulsive force. It is also possible to use the push pin 14a and the injection of compressed gas from the suction hole 13a as the peeling portion 14.
  • the second molding die 2 is formed as a flat plate having a thickness that does not deform (bend) with a rigid body such as metal, and is opposed to the mounting surface W1 of the workpiece W on which the semiconductor element C is mounted in the Z direction.
  • the surface of 2 has a cavity 21 to which the uncured resin R is supplied.
  • the cavity 21 is formed in a concave shape having a volume that allows at least all of the semiconductor elements C mounted on the mounting surface W1 of the workpiece W to enter and has a depth that allows the mounting to the mounting surface W1 of the workpiece W.
  • At least the second mold 2 is provided with a heater (not shown) for heating the cavity 21 and its periphery. A heater for heating can also be provided in the first mold 1.
  • the second mold 2 is a lower mold disposed on the resin side of the molding.
  • a circular concave cavity 21 into which the uncured resin R, all the semiconductor elements C, and the connection member C1 enter is integrally formed at the center of the upper surface of the lower mold. Further, a circular concave portion into which the entire work W is inserted is formed integrally with the cavity 21.
  • the shape of the cavity 21 is changed to a rectangular concave shape corresponding to the outer shape of the workpiece W, or only the cavity 21 is formed without forming the concave portion into which the entire workpiece W enters. Or changeable.
  • a sheet-like thermosetting resin R 1 having an outer shape corresponding to the shape and size of the cavity 21 is supplied into the cavity 21. It is melted with a heater for heating.
  • a powdery or granular thermosetting resin R2 is supplied into the cavity 21 and melted with a heater for heating, or as shown in FIG.
  • the fiber-containing resin substrate R3 in which the uncured resin layer R31 is impregnated in the resin-impregnated fiber base R32 can be supplied into the cavity 21 or changed.
  • the powdered or granular thermosetting resin R ⁇ b> 2 easily adjusts the capacity of the uncured resin R more easily than the sheet-like thermosetting resin R ⁇ b> 1 or the fiber-containing resin substrate R ⁇ b> 3.
  • the fiber-containing resin substrate R3 shown in FIG. 7 is a resin-impregnated fiber base made of carbon fiber, glass fiber, quartz glass fiber or the like whose linear expansion coefficient in the XY direction is smaller than 3 ppm, as described in Japanese Patent No. 5934078.
  • a material R32 and an uncured resin layer R31 made of an uncured epoxy resin or the like formed on one surface of the resin-impregnated fiber substrate R32 are provided.
  • the shrinkage stress when the uncured resin layer R31 is cured can be suppressed.
  • the workpiece W (wafer or substrate) warps, the workpiece W (wafer)
  • the separation of the semiconductor element C from the substrate and the substrate and the damage of the workpiece W (wafer or substrate) can be suppressed, and the mounting surface W1 of the workpiece W (wafer or substrate) on which the semiconductor element C is mounted or the semiconductor element C is formed.
  • the mounting surface W1 of the workpiece W (wafer or substrate) can be collectively sealed at the level of the workpiece W (wafer or substrate) and the sealing performance such as heat resistance and moisture resistance is excellent after sealing.
  • the second mold 2 is divided into a central portion 22 constituting the bottom surface portion of the cavity 21 and an outer portion 23 serving as a side surface portion of the cavity 21, and a spacer is provided between the central portion 22 and the outer portion 23.
  • the intake port 61 is formed in an annular slit shape along the inner surface of the cavity 21 and communicates with an intake device 62 such as a vacuum pump.
  • the outer portion 23 includes a driven portion 23a that contacts the first mold 1 regardless of the presence of the release sheet S, a stopper 23b that restricts movement of the first mold 1 and the driven portion 23a in the Z direction, and a driven portion. And an elastic member 23c that constantly urges 23a toward the first mold 1.
  • the driven portion 23a is supported so as to be capable of reciprocating in the Z direction, and the bottom surface of the cavity 21 from the pressing portion 11 of the first mold 1 with the first mold 1 in contact with the stopper 23b via the driven portion 23a.
  • the distance to the part is set to be the same as the thickness of the molded product M including the workpiece W.
  • the second mold 2 is integrally formed without being divided into the central portion 22 and the outer portion 23, or the shape and structure of the outer portion 23 are changed to shapes and structures other than those shown in the drawing. It is also possible.
  • the uncured resin R pressurizing unit 7 includes an overflow channel 71 formed continuously outside the cavity 21, a plunger 72 provided so as to be able to protrude toward the overflow channel 71, and an unfilled portion in the overflow channel 71. And a deformable separation portion 73 provided between the cured resin R and the plunger 72.
  • the overflow channel 71 is preferably formed with a plurality of overflow channels 71 around the cavity 21 at predetermined intervals.
  • a plurality of plungers 72 are respectively provided in the plurality of overflow channels 71, and the plurality of overflow channels 71 and the plurality of plungers 72 are preferably arranged symmetrically with respect to the shape of the cavity 21.
  • the plunger 72 is supported so as to reciprocate in the Z direction with respect to the driven portion 23 a of the outer portion 23 and the like in order to vary the volume of the overflow channel 71.
  • the separation portion 73 is preferably formed integrally with the outer peripheral portion of the release sheet S supplied along the cavity 21. In the case of the example shown in FIGS.
  • a plurality of overflow channels 71 are respectively provided on the outer periphery of the circular concave cavity 21 in the circumferential direction at predetermined intervals and in the XY direction. It arranges radially and the plunger 72 is arrange
  • a plurality of overflow channels 71 are arranged at predetermined intervals on each side or each corner. It is also possible to change the arrangement number and shape of 71 or the arrangement location of the plunger 72 other than the illustrated example.
  • the sealed chamber 31 is preferably formed inside the vacuum device 3 including a vacuum chamber and the like, and it is preferable that gas is exhausted (evacuated and evacuated) from the sealed chamber 31 by the operation of the exhaust device 5 such as a vacuum pump.
  • the sealed chamber 31 is configured to be capable of adjusting the transformation from the atmospheric atmosphere AP to the reduced-pressure atmosphere DP having a predetermined degree of vacuum.
  • the vacuum device 3 is configured to be openable and closable in whole or in part so that the workpiece W, the uncured resin R, the release sheet S, the molded product M, and the like can be taken in and out of the sealed chamber 31.
  • Automation can be achieved by providing a transfer mechanism (not shown) such as a transfer robot across the sealed chamber 31 in the vacuum apparatus 3 and the external space O of the vacuum apparatus 3. More specifically, when the sealed chamber 31 is the atmospheric atmosphere AP, the workpiece W, the uncured resin R, and the release sheet S are carried into the sealed chamber 31 by the transport mechanism. Molding is performed after the sealed chamber 31 is in a reduced pressure atmosphere DP having a predetermined degree of vacuum. After the molding is completed, the molded product M is returned from the sealed chamber 31 to the external space O by returning to the atmospheric atmosphere AP.
  • a transfer mechanism such as a transfer robot across the sealed chamber 31 in the vacuum apparatus 3 and the external space O of the vacuum apparatus 3. More specifically, when the sealed chamber 31 is the atmospheric atmosphere AP, the workpiece W, the uncured resin R, and the release sheet S are carried into the sealed chamber 31 by the transport mechanism. Molding is performed after the sealed chamber 31 is in a reduced pressure atmosphere DP having a predetermined degree of vacuum. After the molding is completed, the molded product
  • the peripheral wall portion 32 forms the lower side of the vacuum device 3 on the outer periphery of the first mold 1 constituting the upper side of the vacuum device 3. It is provided so as to be detachable and intimately attached to the outer periphery of the second mold 2.
  • the peripheral wall portion 32 has a seal portion 32a that is in close contact with the outer peripheral portion of the second mold 2 in the Z direction, and a stretchable portion 32b that is elastically deformable in the Z direction.
  • a peripheral wall portion is provided on the outer periphery of the second mold 2, or the outer periphery of the first mold 1 and the second mold 2. It is possible to provide or change a peripheral wall portion separable in the Z direction.
  • the drive unit 4 for raising and lowering is configured by an actuator or the like that reciprocates either the first mold 1 or the second mold 2 or both the first mold 1 and the second mold 2 in the Z direction.
  • the operation is controlled by the control unit 8 described later.
  • control of the drive unit 4 for raising and lowering by the control unit 8 at the time of carrying in the workpiece W and the uncured resin R shown by the solid line in FIG. 1 and at least carrying out the molded product M shown in FIG. Sometimes, the first mold 1 and the second mold 2 are relatively moved apart in the Z direction.
  • the first molding die 1 and the second molding die 2 move further closer to pressurize the workpiece W and the uncured resin R.
  • either the first molding die 1 or the second molding die 2 is relatively moved away from the other in the Z direction by the elevating drive unit 4 at the time of carry-in or carry-out, or the first Both the mold 1 and the second mold 2 are moved relatively apart from each other in the Z direction.
  • either the first mold 1 or the second mold 2 is moved relatively close to the Z direction toward the other, or both the first mold 1 and the second mold 2 are moved to each other. Move relatively close to the Z direction. In the case of the example shown in FIG.
  • the lifting drive unit 4 only the first mold 1 is linked to the lifting drive unit 4, and the first mold 1 side is second molded. It is moved close to the mold 2 side in the Z direction.
  • the second mold 2 is linked to the drive unit 4 for raising and lowering, and the second mold 2 side is relatively close to the first mold 1 side in the Z direction.
  • the first mold 1 and the second mold 2 are respectively linked to the lifting and lowering drive unit 4 so that the first mold 1 side and the second mold 2 side simultaneously move in the Z direction. It is also possible to change.
  • the control unit 8 not only includes the drive unit 4 and the pressure adjusting unit 5 for lifting and lowering, but also the pressure adjusting unit 5, the intake device 62 of the positioning unit 6, the plunger 72 of the pressurizing unit 7, the workpiece W, the uncured resin R, and the separation unit. It is a controller that is electrically connected to the conveyance mechanism of the mold sheet S and the like. The controller serving as the controller 8 sequentially controls the operation at a preset timing in accordance with a preset program in its control circuit (not shown).
  • the resin sealing method according to the embodiment of the present invention includes a loading step of loading the workpiece W, the uncured resin R, and the release sheet S into the opened sealed chamber 31, and the sealed chamber 31 with a predetermined degree of vacuum from the atmospheric atmosphere AP.
  • the main process includes a curing process in which the resin is sealed by curing the uncured resin R, and a carry-out process in which the sealed chamber 31 is opened to take out the molded product M.
  • an air release step for returning the sealed chamber 31 from the reduced pressure atmosphere DP to the air atmosphere AP between the curing step and the carry-out step.
  • the first mold 1 and the second mold 2 are relatively moved apart in the Z direction, and the holding portion 11 ( The workpiece W is carried into the smooth surface 11a) by the transport mechanism and is adhesively held by the adhesive chuck 12. Thereby, the workpiece
  • either one or both of the first mold 1 and the second mold 2 are moved relatively close to each other in the Z direction by the drive unit 4 for raising and lowering.
  • a sealed chamber 31 is formed between the first mold 1 and the second mold 2.
  • the pressure adjusting unit 5 discharges the gas in the sealed chamber 31 to the external space O (evacuation and evacuation) to reduce the pressure from the atmospheric atmosphere AP.
  • the uncured resin R in the cavity 21 is melted by a heater for heating. After that, as shown in FIG.
  • the plunger 72 projects and moves toward the overflow channel 71 via the separation portion 73.
  • the uncured resin R of a volume that protrudes the separating portion 73 into the overflow channel 71 is pushed back to the overflow channel 71 without flowing into the plunger 72, and the uncured resin in the cavity 21.
  • R is pressurized and the uncured resin R is further compressed.
  • the uncured resin R in the cavity 21 and the overflow channel 71 is cured together by heating with a heater or the passage of time, and the work surface W1 and the semiconductor element C are placed between the two.
  • the gap C2 excluding the connection member C1 is integrally resin-sealed.
  • the pressure adjusting unit 5 supplies air from the external space O to the sealed chamber 31 and returns it to the air atmosphere AP.
  • the plunger 72 moves backward to return to the initial state.
  • the first mold 1 and the second mold 2 are moved apart by the drive unit 4 for raising and lowering, and the non-mounting surface W2 of the workpiece W is peeled from the pressing part 11 of the first mold 1. .
  • the resin sealing is completed.
  • the molded product M and the release sheet S are carried out from the sealed chamber 31 to the external space O by the transport mechanism.
  • the molded product M and the release sheet S are separated in the sealed chamber 31 or in the external space O.
  • the resin sealing apparatus A which concerns on 2nd embodiment of this invention is demonstrated based on FIG.
  • the uncured resin R is supplied inside the cavity 21 with the plate-like spacer P interposed therebetween, and is clamped in the same manner as in the first embodiment described above.
  • the configuration for manufacturing the molded product M that is molded is different from that of the first embodiment described above, and other configurations are the same as those of the first embodiment.
  • a plurality of types of spacers P having different thicknesses are prepared, and a spacer P having a thickness suitable for the thickness of the molded product M is used. Therefore, in the second embodiment, in the initial state shown in FIG.
  • the spacer P and the release sheet S are set so as to overlap with the inner bottom surface of the cavity 21, and the uncured resin is placed on the release sheet S. R is supplied. Thereafter, the operation of the second embodiment is controlled in the same manner as in FIGS. 3A, 3B, 5A, and 5B of the first embodiment described above.
  • FIG. 8 as a specific example of the spacer P, one spacer P is set inside the cavity 21 in the initial state. In place of this, although not shown, it is also possible to set a plurality of spacers P in combination.
  • the sheet-like thermosetting resin R1 as the uncured resin R is replaced with the powdery or granular thermosetting resin R2 shown in FIG. 6, or shown in FIG.
  • the uncured resin layer R31 can be changed to the fiber-containing resin substrate R3 impregnated in the resin-impregnated fiber base R32.
  • the thickness of the molded product M is reduced by the thickness of the spacer P, a plurality of types of molded products M having different thicknesses can be easily manufactured even when the depth of the cavity 21 is constant.
  • the work W is held by the holding portion 11 of the first mold 1.
  • the smooth surface 11a of the holding part 11 comes into surface contact with the non-mounting surface W2 of the workpiece W and comes into close contact therewith.
  • the pressure inside the sealed chamber 31 is reduced to a reduced pressure atmosphere DP having a predetermined degree of vacuum by the pressure adjusting unit 5, the uncured resin R in the cavity 21 is foamed to generate gas and fine resin components.
  • the mounting surface W1 of the workpiece W and the semiconductor element C are immersed in the uncured resin R by the driving unit 4.
  • the foaming gas and the fine resin component do not enter between the smooth surface 11 a of the holding unit 11 and the non-mounting surface W ⁇ b> 2 of the work W which are in close contact with each other.
  • the uncured resin R smoothly enters the entire gap C2 excluding the mounting surface W1 of the workpiece W and the connection member C1 of the semiconductor element C, and even a narrow gap C2 of about several tens of um is sufficient.
  • the uncured resin R spreads over.
  • the molded product M is formed by curing the uncured resin R. Therefore, it is possible to prevent gas and fine resin components from entering between the two while holding the workpiece W by the holding portion 11 of the first mold 1.
  • the foamed gas and the fine resin component generated with the reduced pressure are more likely to enter the gap between the upper substrate mounting portion and the substrate, and the foamed gas from the uncured resin R with the reduced pressure. Even if a fine resin component is generated, it does not stick to the smooth surface 11a of the holding part 11 or the non-mounting surface W2 of the workpiece W and solidify. Even when a functional part such as the adhesive chuck 12 is used as the holding part 11 of the workpiece W, fine resin components do not penetrate and change with time can be prevented. As a result, the molded product M that is exposed without the resin component adhering to the non-mounting surface W2 of the workpiece W can be manufactured stably and smoothly. For this reason, it is possible to realize a package sealed with a resin with high accuracy and to improve the quality. Further, since it is not necessary to frequently remove and clean the resin that has entered and solidified into the gaps, continuous operation is possible and the operating rate can be improved.
  • the surface roughness of the smooth surface 11a is preferably set within about 1 ⁇ m.
  • the surface roughness of the non-mounting surface W2 of the workpiece W has excellent smoothness such as a silicon wafer or glass, but also the surface roughness of the non-mounting surface W2 is a silicon wafer or Even if the workpiece W does not reach smoothness such as glass, the non-mounting surface W2 of these workpieces W and the smooth surface 11a of the holding portion 11 can be brought into close contact with each other. Therefore, intrusion of gas and fine resin components can be prevented only by processing the smooth surface 11a. As a result, a high-quality molded product M having a stable surface state can be reliably produced.
  • the holding part 11 has a coating layer as the smooth surface 11a, and the coating layer is made of a non-adhesive material with respect to the resin component of the uncured resin R.
  • the uncured resin R surrounded by the side surface of the workpiece W and the inner surface of the cavity 21 (and the overflow channel 71) sticks to the surface of the coating layer that becomes the smooth surface 11a of the holding unit 11 and is solidified.
  • the molded product M can be easily peeled from the surface of the coating layer having excellent releasability. Therefore, the molded product M can be reliably taken out from the smooth surface 11a of the holding part 11.
  • the first mold 1 is an upper mold disposed on the mold substrate side
  • the second mold 2 is the resin side of the mold.
  • the present invention is not limited to this, and the first mold 1 is a lower mold disposed on the resin side of molding, and the second mold 2 is disposed on the substrate side of molding. It may be an upper mold.

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Abstract

第一成形型の保持部でワークを保持しながら両者間へのガス及び微細な樹脂成分の侵入を防止する。半導体素子が搭載されたワークの保持部を有する第一成形型と、第一成形型の保持部に保持したワークの半導体素子が搭載される載置面と対向して未硬化樹脂が供給されるキャビティを有する第二成形型と、第一成形型及び第二成形型の間に形成される開閉自在な密閉室と、第一成形型又は第二成形型のいずれか一方か若しくは両方を第一成形型及び第二成形型の対向方向へ相対的に接近移動させる駆動部と、密閉室及び外部空間に亘り排気又は給気して大気雰囲気から所定真空度の減圧雰囲気まで内圧調整する調圧部と、駆動部及び調圧部を作動制御する制御部と、を備え、第一成形型の保持部は、ワークの載置面と逆側の非載置面と面接触する平滑面を有し、制御部は、調圧部により密閉室が減圧された状態で、駆動部によりワークの載置面及び半導体素子がキャビティ内の未硬化樹脂に浸漬され、未硬化樹脂の硬化により成形品が形成されるように制御する。

Description

樹脂封止装置及び樹脂封止方法
 本発明は、半導体パッケージなどのパッケージを製造する際に用いられる樹脂封止装置、及び、パッケージを製造するための樹脂封止方法に関する。
 従来、この種の樹脂封止装置として、基板が載置される基板載置部及び基板吸着用の気体流路を有する上型と、樹脂封止用の樹脂材料が供給されるキャビティを有する下型と、を備え、下型と上型の型締めにより、基板の主面に装着されるチップ及びワイヤを溶融樹脂に浸漬させ、溶融樹脂の硬化で成形品を形成するものがある(例えば、特許文献1参照)。
 基板の主面にはチップが装着され、基板の主面とチップとの電極同士はワイヤにより接続される。
 上型の下型側表面には、凹状の基板載置部が設けられ、その基板載置部の底面には、吸着用凹部が設けられ、吸着用凹部には気体流路を介して減圧ポンプに接続されており、基板載置部に対して基板が気体流路によって吸着される。すなわち、減圧ポンプの作動による気体流路からの吸引力で、上型の基板載置部の底面に向け、基板のチップが装着される主面と逆側の裏面を引き寄せて吸着し、基板載置部の底面に対して基板の裏面が落下不能に保持される。
 その次に、キャビティに配設された樹脂材料をヒータにより加熱溶融させて溶融樹脂を生成し、気体流路により上型及び下型間の空間を減圧しながら上型と下型とを型締めする。これにより、チップとワイヤとを溶融樹脂に浸漬させ、その後、溶融樹脂を加熱硬化して成形品が形成される。
特開2004-174801号公報
 ところで、一般的に樹脂封止に用いられる樹脂材料(エポキシ系などの熱硬化性樹脂)は、減圧雰囲気において加熱溶融されると、樹脂の中に内在する揮発成分が気化して発泡するため、この発泡により発生した気体の圧力で部分的に圧力を上昇させる現象が発生する。
 しかし乍ら、特許文献1では、上型の基板載置部からの吸引により基板を吸着するため、上型の基板載置部と基板との界面で前記発泡が発生すると、発泡したガスに混ざって微細な樹脂成分が上型の基板載置部と基板の隙間に侵入するおそれがある。
 特に、上型の下型側表面に基板載置部が凹状に設けられる場合には、その基板載置部の底面を高精度な平滑状に加工することは非常に困難であり、基板載置部の底面と基板の裏面の間には、隙間が発生し易い。
 これにより、上型の載置部と基板の隙間にガスと共に微細な樹脂成分が侵入した状態でモールド成形すると、上型の載置部と基板の裏面に亘って樹脂成分が貼り付き、この状態で樹脂成分が固化してしまう。このため、成形品の基板側表面に樹脂成分が斑状などに付着して品質低下の原因となるという問題があった。
 さらに、上型の載置部に基板の裏面が付着して下型と上型を型開きしても、成形品がスムーズに取り出せず、タクトタイムが長く必要になって生産性に劣るという問題があった。
 また、発泡ガスに混じった微細な樹脂成分は、基板載置部の底面と基板の裏面との隙間から吸着用凹部や気体流路を通って減圧ポンプなどまで到達し、これらの間に浸透してそのうちには装置の配管なども経時的に変化させて、故障の原因となるという問題もあった。
 そこで、このような問題点を解決するため、上型の分解洗浄で隙間に侵入し固化した樹脂を除去することが考えられる。しかし、隙間に侵入固化した樹脂による悪影響を防ぐには上型の分解洗浄を頻繁に行う必要がある。このため、分解洗浄の度に装置全体を運転停止させなければならず、稼働率が低下するという問題もあった。
 このような課題を達成するために本発明に係る樹脂封止装置は、半導体素子が搭載されたワークの保持部を有する第一成形型と、前記第一成形型の前記保持部に保持した前記ワークの前記半導体素子が搭載される載置面と対向して未硬化樹脂が供給されるキャビティを有する第二成形型と、前記第一成形型及び前記第二成形型の間に形成される開閉自在な密閉室と、前記第一成形型又は前記第二成形型のいずれか一方か若しくは両方を前記第一成形型及び前記第二成形型の対向方向へ相対的に接近移動させる駆動部と、前記密閉室及び外部空間に亘り排気又は給気して大気雰囲気から所定真空度の減圧雰囲気まで内圧調整する調圧部と、前記駆動部及び前記調圧部を作動制御する制御部と、を備え、前記第一成形型の前記保持部は、前記ワークの前記載置面と逆側の非載置面と面接触する平滑面を有し、前記制御部は、前記調圧部により前記密閉室が減圧された状態で、前記駆動部により前記ワークの前記載置面及び前記半導体素子が前記キャビティ内の前記未硬化樹脂に浸漬され、前記未硬化樹脂の硬化により成形品が形成されるように制御することを特徴とする。
 また本発明に係る樹脂封止装方法は、大気雰囲気で第一成形型及び第二成形型の対向方向へ相対的に離隔移動した前記第一成形型の保持部に対して、半導体素子が搭載されたワークを着脱自在に保持するとともに、前記第二成形型のキャビティ内に未硬化樹脂を供給する搬入工程と、前記第一成形型又は前記第二成形型のいずれか一方か若しくは両方が駆動部で前記第一成形型及び前記第二成形型の対向方向へ相対的に接近移動して、前記第一成形型と前記第二成形型の間に密閉室を形成するととともに、調圧部で前記密閉室から外部空間へ排気して大気雰囲気から減圧させる減圧工程と、前記密閉室が所定真空度に減圧された状態で、前記駆動部により前記ワークの前記半導体素子が搭載される載置面及び前記半導体素子を前記キャビティ内の前記未硬化樹脂に浸漬させる浸漬工程と、前記未硬化樹脂の硬化により前記ワークの前記載置面及び前記半導体素子が樹脂封止された成形品を形成する硬化工程と、前記第一成形型の保持部から前記ワークの前記載置面と逆側の非載置面を剥離して、前記第一成形型と前記第二成形型を前記駆動部により離隔移動させる搬出工程と、を含み、前記第一成形型の前記保持部は、前記ワークの前記非載置面と面接触する平滑面を有し、前記搬入工程では、前記第一成形型の前記保持部の前記平滑面に対し、前記ワークの前記非載置面が面接触する密着状態で保持されることを特徴とする。
本発明の実施形態(第一実施形態)に係る樹脂封止装置の全体構成を示す説明図で、初期状態(搬入工程)の縦断正面図である。 同平面図及び断面図で、(a)がワークや未硬化樹脂や離型シートを省略した縮小横断平面図、(b)が図2(a)の(2B)-(2B)線に沿える縦断面図である。なお、図1は、図2(a)の(1)-(1)線に沿える縦断側面図である。 本発明の実施形態に係る樹脂封止方法の作動過程を示す説明図で、(a)が減圧開始時の縦断正面図、(b)が型接近移動中の縦断正面図である。 その後の作動過程を示し、(a)が浸漬工程の縦断正面図、(b)が圧縮工程及び硬化工程の縦断正面図である。 その後の作動過程を示し、(a)が大気開放工程の縦断正面図、(b)が搬出工程の縦断正面図である。 本発明の実施形態に係る樹脂封止装置の変形例を示す説明図で、初期状態(搬入工程)の縦断正面図である。 本発明の実施形態に係る樹脂封止装置の変形例を示す説明図で、初期状態(搬入工程)の縦断正面図である。 本発明の第二実施形態に係る樹脂封止装置を示す説明図で、初期状態搬入工程)の縦断正面図である。
 以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
 本発明の実施形態に係る樹脂封止装置Aは、図1~図8に示すように、半導体組立プロセスでワークWに複数の半導体素子Cが搭載され、且つワークWの基板端子と半導体素子Cがワイヤーなどの接続部材C1で接続した製品を、接続部材C1の周囲が未硬化樹脂Rで加圧封止されて硬化させる「モールド成形(樹脂封止、樹脂成形)」用の製造装置である。これにより、製品の半導体素子C及び接続部材C1を衝撃、温度、湿度などの要因から守ることが可能になる。
 ワークWとしては、シリコンウエハ、ガラス、金属シート、ガラスクロス、BTレジンなどからなる基板やそれに類似するものが挙げられる。
 半導体素子Cとしては、半導体チップなどのチップ状の電子部品が挙げられ、ワークWとしてシリコンウエハの載置面W1に搭載される場合には、複数の半導体素子Cが列状又は格子状に搭載される。接続部材C1としては、バンプやワイヤなどが挙げられる。
 未硬化樹脂Rとしては、シート状、粉末状、顆粒状、ゲル状などのものが用いられる。未硬化樹脂Rの材料としては、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂などが挙げられる。エポキシ系樹脂の場合は、加熱を開始して所定時間で熱分解し、溶融状態から時間経過に伴って粘度が高まり、比較的に短時間で熱硬化して固化するため、モールド成形に適している。
 このように樹脂封止装置Aで製造された成形品Mは、一般的にダイシングなどの分割工程を経て、最終製品である半導体パッケージなどのパッケージを完成させる。
 詳しく説明すると、本発明の実施形態に係る樹脂封止装置Aは、ワークWの保持部11を有する第一成形型1と、第一成形型1の保持部11に保持されたワークWの載置面W1と対向状に設けられてキャビティ21を有する第二成形型2と、第一成形型1及び第二成形型2の間に形成される開閉自在な密閉室31と、第一成形型1又は第二成形型2のいずれか一方か若しくは両方を第一成形型1及び第二成形型2の対向方向へ相対的に接近移動して型締めする昇降用の駆動部4と、密閉室31の内圧を調整する調圧部5と、を主要な構成要素として備えている。
 さらに必要に応じて、未硬化樹脂R及びキャビティ21の間には、キャビティ21に沿って変形可能な離型シートSを設けることが好ましい。離型シートSは、例えばアフレックス(登録商標)やETFEなどのフッ素樹脂又はシリコーンなどの伸縮性に優れた耐熱材料からなるフィルムであり、そのサイズをワークWやキャビティ21よりも大きく形成ししている。
 また、キャビティ21内の未硬化樹脂Rを加圧して圧縮変形させることにより、樹脂封止された成形品Mの内部に気泡(ボイド)が発生しないモールド成形を作製可能にしている。
 このため、本発明の実施形態に係る樹脂封止装置Aは、キャビティ21に対する離型シートSの位置決め部6と、未硬化樹脂Rを圧縮する加圧部7と、を備えることが好ましい。
 昇降用の駆動部4及び調圧部5に加えて、位置決め部6や加圧部7などは、制御部8と電気的に連通し、制御部8でそれぞれ作動制御される。
 なお、第一成形型1及び第二成形型2は、図1~図8に示されるように通常、上下方向へ対向するように配置され、上側の第一成形型1と下側の第二成形型2が接近又は隔離する方向を以下「Z方向」という。Z方向と交差するワークWに沿った方向を以下「XY方向」という。
 第一成形型1は、金属などの剛体で歪み(撓み)変形しない厚さの平板状に形成され、その表面には、ワークWの載置面W1と逆側の非載置面W2とZ方向へ対向する保持部11を有している。
 第一成形型1の保持部11は、ワークWを着脱自在で且つ脱落不能に保持して、ワークWの載置面W1及び半導体素子Cを後述する第二成形型2のキャビティ21に向け押し付けるものであり、保持チャックが設けられる。保持チャックとしては、後述する粘着チャック12を用いることが好ましい。この場合には、保持部11とワークWの非載置面W2との間に離型シートSを挟み込むことなく粘着チャック12でワークWが直接的に粘着保持される。
 さらに、保持部11は、ワークWの非載置面W2と面接触する平滑面11aを有している。
 平滑面11aは、研磨や切削や研削などによる鏡面加工又はその他の加工などで、平滑面11aの表面粗さ(Ra)を約1μm以内に設定することが好ましい。これに対し、平滑面11aが接触するワークWの非載置面W2においても、その表面粗さ(Ra)を約1μm以内に形成することが好ましい。
 また、保持部11は、第一成形型1の表面に平滑面11aとして硬質な被覆層(図示しない)が形成され、この被覆層を未硬化樹脂Rの樹脂成分に対して非粘着性のフッ素系やシリコーン系、セラミックコーティングや硬質クロムメッキなどの材料で構成することが好ましい。
 第一成形型1の具体例として図1~図8に示される例の場合には、第一成形型1がモールド成形の基板側に配置される上型である。この上型の下側面の全体には、ワークWの保持部11として平滑面11aが、ワークWの非載置面W2と面接触するように形成される。
 第一成形型1の保持部11(平滑面11a)には、ワークWの非載置面W2と着脱自在に接する保持チャックとして粘着チャック12が設けられる。
 図1~図8に示される例では、ワークWとして円板状のシリコンウエハが用いられ、第一成形型1の保持部11(平滑面11a)に対しシリコンウエハを粘着チャック12で吊持している。
 さらに、図1~図7に示される本発明の第一実施形態に係る樹脂封止装置Aでは、キャビティ21の内底面に対して直接的に離型シートSが載置される。
 また、その他の例として図示しないが、ワークWとしてシリコンウエハに代え、ガラス、金属シート、ガラスクロス、BTレジンなどからなる基板やそれに類似するものを保持(吊持)したり、ワークWの外形状を矩形(長方形及び正方形を含む角が直角の四辺形)状などに変更したり可能である。
 粘着チャック12は、その全体又は一部が例えばフッ素ゴムやエラストマー、ブチルゴム、感光性樹脂、アクリル系やシリコン系などの粘着材料からなり、ワークWの非載置面W2とZ方向へ対向する粘着面12aを有している。
 粘着チャック12の具体例として図1~図8に示される例の場合には、第一成形型1の保持部11(平滑面11a)に複数の凹溝部11bが分散して形成され、各凹溝部11bの直径を約10mm以下に設定している。各凹溝部11bの内部には、粘着シートが嵌着され、その粘着面12aを第一成形型1の保持面11から僅か(約50um以下)に突出させている。
 これにより、密閉室31が所定真空度の減圧雰囲気DPになってもワークWが落下不能になる。その結果、減圧された密閉室31内で未硬化樹脂Rが発泡しても、調圧部5でガスを密閉室31の外部に効率よく排気可能となると同時に、ワークWの載置面W1及び半導体素子Cの隙間C2から確実に排気可能となる。このため、樹脂封止の内部に気泡となって残存せず、ボイドの発生を防止でき、高精度に樹脂封止されたパッケージを実現できて、品質の向上が図れる。
 また、第一成形型1の保持部11(平滑面11a)にワークWの非載置面W2が保持(吊持)されるため、後述する減圧工程おいてワークWの載置面W1及び半導体素子Cと、キャビティ21内の離型シートSや未硬化樹脂Rとの間に所定のギャップ(間隙)を空けた状態で、密閉室31内の気体が外部空間Oへ排出(真空排気、真空引き)することが可能になる。これにより、密閉室31の中で未硬化樹脂Rの表面が十分に真空暴露され、未硬化樹脂Rの脱泡が促進される。
 このため、ワークWの載置面W1と半導体素子Cの接続部材C1を除く隙間C2の全体に対する未硬化樹脂Rの進入性に優れ、内部に気泡(ボイド)がより発生しないモールド成形を安定して製作することができる。
 なお、その他の例として図示しないが、ワークWの保持チャックとして粘着チャック12に代え静電チャックを用いたり、粘着チャック12に加えて吸着チャックや静電チャックを併用したり変更可能である。
 さらに、第一成形型1の保持部11(平滑面11a)は、ワークWの非載置面W2を粘着チャック12の粘着面12aに向け移動して強制的に押し付ける押圧部13と、粘着チャック12の粘着面12aからワークWの非載置面W2を剥がす剥離部14と、を有することが好ましい。
 押圧部13によるワークWの押し付け力は、第一成形型1の保持部11(平滑面11a)から僅かに突出する粘着チャック12の粘着面12aをワークWの非載置面W2で押し潰して、第一成形型1の保持部11(平滑面11a)とワークWの非載置面W2とが密接し、両者間に未硬化樹脂Rが入り込む間隙を生じさせないように設定する。
 押圧部13の具体例として図1~図8に示される例の場合には、第一成形型1の保持部11(平滑面11a)に吸着孔13aが開設され、吸着孔13aのサイズを凹溝部11bのサイズと略同等に設定して複数分散配置している。各吸着孔13aは、真空吸引又は気体噴射するコンプレッサなどのアクチュエータ(図示しない)と連通している。アクチュエータの作動で吸着孔13aから真空吸引することにより、ワークWの非載置面W2が粘着チャック12に向け引き寄せられて非載置面W2を粘着面12aに押し付ける。
 剥離部14としては、第一成形型1に対してZ方向へ往復動自在に設けられる押しピン14aを用い、押しピン14aの先端でワークWの非載置面W2を粘着面12aから押し剥がすことが好ましい。剥離部14の他の例として、吸着孔13aから圧縮気体を噴射することにより、粘着面12aからワークWの非載置面W2を押し剥がすことも可能である。
 図1~図8に示される例の場合には、各吸着孔13aの周囲に複数の粘着チャック12が分散配置されている。図5(a)に示される例の場合には、剥離部14として押しピン14aのみでワークWを押し剥がしている。
 また、その他の例として図示しないが、ワークWの押圧部13として吸着孔13aに代えて静電チャックを用い、静電チャックによる電磁的な引力でワークWの非載置面W2を粘着チャック12に向け引き寄せて押し付けたり、電気的な斥力で粘着面12aからワークWの非載置面W2を押し剥がしたり変更可能である。剥離部14として押しピン14aと、吸着孔13aからの圧縮気体の噴射を併用することも可能である。
 第二成形型2は、金属などの剛体で歪み(撓み)変形しない厚さの平板状に形成され、半導体素子Cを搭載したワークWの載置面W1とZ方向へ対向する第二成形型2の表面は、未硬化樹脂Rが供給されるキャビティ21を有する。
 キャビティ21は、少なくともワークWの載置面W1に搭載されたすべての半導体素子Cが入る大きさで且つワークWの載置面W1まで入る深さを有する容積の凹状に形成される。
 少なくとも第二成形型2には、キャビティ21及びその周囲を加熱するためのヒータ(図示しない)が設けられる。加熱用のヒータは第一成形型1に設けることも可能である。
 第二成形型2の具体例として図1~図8に示される例の場合には、モールド成形の樹脂側に配置される下型である。この下型の上側面の中央部には、未硬化樹脂Rとすべての半導体素子C及び接続部材C1が入る円形凹状のキャビティ21を一体的に形成している。さらに、キャビティ21と連続して、ワークWの全体が入る円形状の凹部を一体的に形成している。
 また、その他の例として図示しないが、キャビティ21の形状は、ワークWの外形状に対応して矩形凹状などに変更したり、ワークWの全体が入る凹部を形成せずキャビティ21のみを形成したり変更可能である。
 未硬化樹脂Rの具体例として図1~図5に示される例の場合には、キャビティ21の形状及びサイズに対応した外形状のシート状の熱硬化性樹脂R1が、キャビティ21内に供給され、加熱用のヒータで溶融している。
 また、未硬化樹脂Rの他の例として、図6に示されるように粉末状又は顆粒状の熱硬化性樹脂R2をキャビティ21内に供給して加熱用のヒータで溶融したり、図7に示されるように未硬化樹脂層R31が樹脂含浸繊維基材R32に含浸された繊維含有樹脂基板R3をキャビティ21内に供給したり変更可能である。それ以外に図示しないがゲル状の未硬化樹脂をキャビティ21内に供給することも可能である。
 図6に示されるように粉末状又は顆粒状の熱硬化性樹脂R2は、シート状の熱硬化性樹脂R1や繊維含有樹脂基板R3に比べて、未硬化樹脂Rの微妙な容量調整を容易に行えて作業性に優れるという利点がある。
 図7に示される繊維含有樹脂基板R3は、特許第5934078号公報に記載されるように、XY方向の線膨張係数が3ppmより小さい炭素繊維、ガラス繊維、石英ガラス繊維などからなる樹脂含浸繊維基材R32と、樹脂含浸繊維基材R32の片面上に形成された未硬化のエポキシ系樹脂などからなる未硬化樹脂層R31と、を有している。
 図7に示される変形例では、未硬化樹脂層R31を硬化させた時の収縮応力が抑制可能となる。このため、ワークWとして大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合、特には薄いものを封止する場合であっても、ワークW(ウエハや基板)の反り、ワークW(ウエハや基板)からの半導体素子Cの剥離、ワークW(ウエハや基板)の破損を抑制でき、半導体素子Cを搭載したワークW(ウエハや基板)の載置面W1、又は半導体素子Cを形成したワークW(ウエハや基板)の載置面W1をワークW(ウエハや基板)のレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れるという利点がある。
 さらに、第二成形型2は、キャビティ21の底面部を構成する中央部位22と、キャビティ21の側面部となる外側部位23とに分割され、中央部位22及び外側部位23の間には、スペーサPや離型シートSの位置決め部6として吸気口61を設けることが好ましい。
 すなわち、キャビティ21は、キャビティ21内において離型シートSで覆われた閉鎖空間(図示しない)と連通する吸気口61を有している。吸気口61は、キャビティ21の内側面に沿って環状のスリット状に形成され、真空ポンプなどの吸気装置62と連通している。
 外側部位23は、離型シートSの有無と関係なく第一成形型1と接する従動部23aと、第一成形型1及び従動部23aのZ方向への移動を規制するストッパ23bと、従動部23aを第一成形型1に向けて常時付勢する弾性部材23cと、を有している。
 従動部23aは、Z方向へ往復動自在に支持され、第一成形型1が従動部23aを介してストッパ23bと当接した状態で、第一成形型1の押圧部11からキャビティ21の底面部までの間隔が、ワークWを含めた成形品Mの厚みと同じになるように設定されている。
 また、その他の例として図示しないが、第二成形型2を中央部位22と外側部位23に分割せずに一体形成したり、外側部位23との形状及び構造を図示以外の形状及び構造に変更したりなども可能である。
 これに加えて第二成形型2の外側部位23には、未硬化樹脂Rの加圧部7を設けることが好ましい。
 未硬化樹脂Rの加圧部7は、キャビティ21の外側に連続して形成される越流路71と、越流路71へ向け突出自在に設けられるプランジャ72と、越流路71内の未硬化樹脂R及びプランジャ72の間に設けられる変形可能な分離部73と、を有している。
 越流路71は、図2に示されるように、キャビティ21の周囲に複数の越流路71をそれぞれ所定間隔毎に形成することが好ましい。複数の越流路71には、複数のプランジャ72がそれぞれ設けられ、複数の越流路71及び複数のプランジャ72をキャビティ21の形状に対して対称的な配置とすることが好ましい。
 プランジャ72は、越流路71の容積を可変させるために外側部位23の従動部23aなどに対してZ方向へ往復動自在に支持される。プランジャ72を越流路71に向け突出移動させることにより、越流路71内の未硬化樹脂Rが加圧されてキャビティ21側に押し返すように構成されている。
 分離部73は、キャビティ21に沿って供給された離型シートSの外周部に一体形成することが好ましい。
 加圧部7の具体例として図1~図8に示される例の場合には、円形凹状のキャビティ21の外周に複数の越流路71をそれぞれ周方向へ所定間隔毎でかつ且つXY方向へ放射状に配置し、各越流路71の底面先端にプランジャ72を配置している。
 また、その他の例として図示しないが、キャビティ21の形状を矩形凹状などに変更した場合には、各辺や各角部に複数の越流路71を所定間隔毎に配置するなど、越流路71の配置数や形状又はプランジャ72の配置箇所を図示例以外に変更することも可能である。
 これにより、樹脂封止された成形品M内の気泡(ボイド)の発生防止が達成可能になる。これと同時に越流路71からキャビティ21側に押し返された未硬化樹脂Rの流勢により、ワークWの基板端子と半導体素子Cをつなぐワイヤーなどの接続部材C1が変形するなどの悪影響の発生防止も達成可能になる。接続部材C1の変形などによる悪影響としては、ワークWの基板に対する半導体素子Cの位置ズレ、接続部材C1の断線、半導体素子Cの破損などが挙げられる。
 密閉室31は、真空チャンバーなどからなる真空装置3の内部に形成され、真空ポンプなどの排気装置5の作動で密閉室31から気体を排出(真空排気、真空引き)することが好ましい。これにより、密閉室31は、大気雰囲気APから所定真空度の減圧雰囲気DPまで変圧調整可能に構成される。
 真空装置3は、密閉室31にワークW,未硬化樹脂R,離型シートS及び成形品Mなどを出し入れするためにその全体又は一部が開閉自在に構成される。真空装置3内の密閉室31と真空装置3の外部空間Oに亘って、例えば搬送ロボットなどの搬送機構(図示しない)を設けることで自動化が図れる。
 詳しく説明すると、密閉室31が大気雰囲気APである時に、ワークW,未硬化樹脂R及び離型シートSを搬送機構により密閉室31へそれぞれ搬入する。密閉室31が所定真空度の減圧雰囲気DPになってから、モールド成形を行う。モールド成形が完了した後は、大気雰囲気APに戻して成形品Mを密閉室31から外部空間Oへ搬出する。
 真空装置3の具体例として図1~図8に示される例の場合には、真空装置3の上側を構成する第一成形型1の外周に周壁部32が、真空装置3の下側を構成する第二成形型2の外周部と着脱自在に密接するように設けられている。周壁部32は、第二成形型2の外周部とZ方向へ密着するシール部位32aと、Z方向へ弾性変形可能な伸縮部位32bと、を有している。
 また、その他の例として図示しないが、第一成形型1の周壁部32に代えて、第二成形型2の外周に周壁部を設けたり、第一成形型1及び第二成形型2の外周にZ方向へ分離可能な周壁部を設けたり変更可能である。
 昇降用の駆動部4は、第一成形型1又は第二成形型2のいずれか一方か若しくは第一成形型1及び第二成形型2の両方をZ方向へ往復動させるアクチュエーターなどで構成され、後述する制御部8により作動制御している。
 制御部8による昇降用の駆動部4の制御例としては、図1の実線に示されるワークWや未硬化樹脂Rなどの搬入時と、少なくとも図5(b)に示される成形品Mの搬出時には、第一成形型1と第二成形型2をZ方向へ相対的に離隔移動させる。それ以外は、図3(a)(b)及び図4(a)(b)に示されるように、第一成形型1と第二成形型2をZ方向へ相対的に接近移動させる。特に必要がある場合には、第一成形型1と第二成形型2が更に接近移動してワークWや未硬化樹脂Rを加圧する。
 詳しく説明すると、昇降用の駆動部4によって、搬入時や搬出時には、第一成形型1又は第二成形型2のいずれか一方を他方からZ方向へ相対的に離隔移動させるか、若しくは第一成形型1及び第二成形型2の両方を互いにZ方向へ相対的に離隔移動させる。それ以外は、第一成形型1又は第二成形型2のいずれか一方を他方へ向けZ方向へ相対的に接近移動させるか、若しくは第一成形型1及び第二成形型2の両方を互いにZ方向へ相対的に接近移動させる。
 昇降用の駆動部4の具体例として、図1に示される例の場合には、第一成形型1のみを昇降用の駆動部4と連係させて、第一成形型1側を第二成形型2側に向けてZ方向へ接近移動させている。
 また、その他の例として図示しないが、第二成形型2のみを昇降用の駆動部4と連係させて、第二成形型2側を第一成形型1側に向けZ方向へ相対的に接近移動したり、第一成形型1及び第二成形型2をそれぞれ昇降用の駆動部4と連係させて、第一成形型1側と第二成形型2側を同時にZ方向へ接近移動したり変更することも可能である。
 制御部8は、昇降用の駆動部4や調圧部5だけでなく、調圧部5、位置決め部6の吸気装置62、加圧部7のプランジャ72、ワークW,未硬化樹脂R及び離型シートSの搬送機構などにも電気的に接続するコントローラーである。
 制御部8となるコントローラーは、その制御回路(図示しない)に予め設定されたプログラムに従って、予め設定されたタイミングで順次それぞれ作動制御している。
 そして、制御部8の制御回路に設定されたプログラムを、成形品Mを生産するための樹脂封止方法として説明する。
 本発明の実施形態に係る樹脂封止方法は、開口した密閉室31へワークW,未硬化樹脂R及び離型シートSを搬入する搬入工程と、密閉室31を大気雰囲気APから所定真空度の減圧雰囲気DPまで減圧させる減圧工程と、密閉室31が所定真空度に減圧された状態でワークWの載置面W1及び半導体素子Cをキャビティ21内の未硬化樹脂Rに浸漬させる浸漬工程と、未硬化樹脂Rの硬化により樹脂封止する硬化工程と、密閉室31を開口させて成形品Mを取り出す搬出工程と、を主要な工程として含んでいる。
 特に、浸漬工程と硬化工程の間には、越流路71に流出した未硬化樹脂Rをプランジャ72の突出移動により加圧する未硬化樹脂Rの圧縮工程を含むことが好ましい。
 さらに、硬化工程と搬出工程の間には、密閉室31を減圧雰囲気DPから大気雰囲気APに戻す大気開放工程を含むことが好ましい。
 搬入工程では、図1及び図2に示すように、第一成形型1と第二成形型2がZ方向へ相対的に離隔移動され、大気雰囲気APで第一成形型1の保持部11(平滑面11a)に対し、ワークWを搬送機構で搬入して粘着チャック12により粘着保持する。これにより、ワークWが保持部11(平滑面11a)の所定位置にセットされる。
 また、第二成形型2のキャビティ21に向け搬送機構により離型シートS及び未硬化樹脂Rを供給する。これにより、キャビティ21の所定位置に離型シートSを介して未硬化樹脂Rがセットされる。
 減圧工程では、図3(a)に示すように、第一成形型1又は第二成形型2のいずれか一方か若しくは両方を昇降用の駆動部4でZ方向へ相対的に接近移動して、第一成形型1と第二成形型2の間に亘り密閉室31を形成する。これに続いて、調圧部5で密閉室31内の気体を外部空間Oへ排出(真空排気、真空引き)して大気雰囲気APから減圧させている。この頃には、キャビティ21内の未硬化樹脂Rが加熱用のヒータで溶融されている。
 その後も図3(b)に示すように、第一成形型1と第二成形型2が相対的に接近移動し、密閉室31が約100Pa以下の高真空になった頃には、溶融状態の未硬化樹脂RにワークWの載置面W1及び半導体素子Cが押し込まれる。
 浸漬工程では、図4(a)に示すように、第一成形型1と接した外側部位23の従動部23aが、ストッパ23bに突き当たるまでZ方向へ接近移動して型締めを行い、未硬化樹脂Rが加圧される。これにより、溶融状態の未硬化樹脂Rに対してワークWの載置面W1及び半導体素子Cを浸漬した容積分だけ、未硬化樹脂Rが越流路71に流れて溢れ出る。
 圧縮工程では、図4(b)に示すように、プランジャ72が分離部73を介して越流路71へ向け突出移動する。これにより、分離部73を越流路71内に突出させた容積分の未硬化樹脂Rが、プランジャ72側へ流入することなく越流路71に押し返されて、キャビティ21内の未硬化樹脂Rを加圧し、未硬化樹脂Rが更に圧縮する。
 その後の硬化工程では、ヒータによる加熱や時間経過などにより、キャビティ21及び越流路71内の未硬化樹脂Rが共に硬化して、ワークWの載置面W1及び半導体素子Cと、両者間の接続部材C1を除く隙間C2と、が一体的に樹脂封止される。
 未硬化樹脂Rの硬化後の大気開放工程では、図5(a)に示すように、調圧部5で外部空間Oから密閉室31へ給気して大気雰囲気APに戻す。これと同時に、プランジャ72が逆移動して初期状態に戻す。この際、第一成形型1と第二成形型2が昇降用の駆動部4により離隔移動して、第一成形型1の押圧部11からワークWの非載置面W2を剥離している。
 その後の搬出工程では、図5(b)に示すように、第一成形型1と第二成形型2が更に離隔移動して、真空装置3が完全に開口したところで、樹脂封止が完了した成形品M及び離型シートSを搬送機構により密閉室31から外部空間Oへ搬出する。成形品Mと離型シートSは、密閉室31内又は外部空間Oにおいて分離される。
 次に、本発明の第二実施形態に係る樹脂封止装置Aを図8に基づいて説明する。
 本発明の第二実施形態に係る樹脂封止装置Aでは、キャビティ21の内部に板状のスペーサPを挟んで未硬化樹脂Rが供給され、前述した第一実施形態と同様に型締めして、モールド成形された成形品Mを製造するする構成が、前述した第一実施形態とは異なり、それ以外の構成は第一実施形態と同じものである。
 スペーサPは、その厚みが異なるものを複数種類用意しておき、成形品Mの厚みに応じて適した厚みのスペーサPが用いられる。
 このため、第二実施形態では、図8に示される初期状態において、キャビティ21の内底面に対してスペーサPと離型シートSが重なり合うようにセットされ、離型シートSの上に未硬化樹脂Rが供給される。それ以降は、第二実施形態も前述した第一実施形態の図3(a)(b)~図5(a)(b)と同様に作動制御している。
 スペーサPの具体例として図8に示される場合には、初期状態においてキャビティ21の内部に一枚のスペーサPをセットしている。これに代えて図示しないが、複数枚のスペーサPを組み合わせてセットすることも可能である。
 また、その他の例として図示しないが、未硬化樹脂Rとしてシート状の熱硬化性樹脂R1を、図6に示される粉末状又は顆粒状の熱硬化性樹脂R2に代えたり、図7に示される未硬化樹脂層R31が樹脂含浸繊維基材R32に含浸された繊維含有樹脂基板R3に代えるなど変更可能である。
 これにより、スペーサPの厚み分だけ成形品Mの厚みが薄くなるため、キャビティ21の深さが一定であっても厚みが異なる複数種類の成形品Mが容易に製造可能になる。
 このような本発明の実施形態(第一実施形態及び第二実施形態)に係る樹脂封止装置A及び樹脂封止方法によると、第一成形型1の保持部11でワークWを保持することにより、保持部11の平滑面11aがワークWの非載置面W2と面接触して密着する。
 調圧部5で密閉室31内が所定真空度の減圧雰囲気DPに減圧されることに伴い、キャビティ21内の未硬化樹脂Rが発泡してガスと微細な樹脂成分が発生する。この状態で、駆動部4にてワークWの載置面W1及び半導体素子Cが未硬化樹脂Rに浸漬される。
 これにより、密着した保持部11の平滑面11aとワークWの非載置面W2の間には、発泡ガスと微細な樹脂成分が侵入しない。これと同時に、ワークWの載置面W1と半導体素子Cの接続部材C1を除く隙間C2の全体には、未硬化樹脂Rがスムーズに進入し、数10um程度の狭い隙間C2であっても十分に未硬化樹脂Rが行き渡る。
 これに続いて未硬化樹脂Rの硬化で成形品Mが形成される。
 したがって、第一成形型1の保持部11でワークWを保持しながら両者間へのガス及び微細な樹脂成分の侵入を防止することができる。
 その結果、減圧に伴い発生する樹脂の発泡ガス及び微細な樹脂成分が上型の基板載置部と基板の隙間に侵入し易い従来のものに比べ、減圧に伴い未硬化樹脂Rから発泡ガスと微細な樹脂成分が発生しても、保持部11の平滑面11aやワークWの非載置面W2に貼り付いて固化しない。また、ワークWの保持部11として粘着チャック12などの機能部分が用いられる場合であっても、微細な樹脂成分が浸透せず経時的な変化を防止できる。
 これにより、ワークWの非載置面W2に樹脂成分の付着が無く露出した成形品Mを安定して且つスムーズに製作することができる。このため、高精度に樹脂封止されたパッケージを実現できて、品質の向上が図れる。
 さらに、隙間に侵入固化した樹脂の除去を図って頻繁に分解洗浄を行う必要もないから、連続運転可能となって稼働率の向上も図れる。
 特に、平滑面11aの表面粗さを約1μm以内に設定することが好ましい。
 この場合には、ワークWの非載置面W2の表面粗さがシリコンウエハやガラスなどのような優れた平滑度を有するものだけでなく、非載置面W2の表面粗さがシリコンウエハやガラスなどのような平滑度に至らないワークWであっても、これらのワークWの非載置面W2と保持部11の平滑面11aが面接触して密着可能になる。
 したがって、平滑面11aの加工のみでガス及び微細な樹脂成分の侵入を防止することができる。
 その結果、表面状態が安定した高品質な成形品Mを確実に作製できる。
 さらに、保持部11が平滑面11aとして被覆層を有し、前記被覆層が未硬化樹脂Rの樹脂成分に対して非粘着性の材料からなることが好ましい。
 この場合には、ワークWの側面とキャビティ21の内側面(及び越流路71)で囲まれた未硬化樹脂Rが、保持部11の平滑面11aとなる被覆層の表面に貼り付き固化しても、離形性に優れた被覆層の表面から成形品Mを簡単に剥離可能となる。
 したがって、保持部11の平滑面11aから成形品Mを確実に取り出すことができる。
 その結果、上型の載置部に基板の裏面が付着して下型と上型を型開きしても成形品がスムーズに取り出せない従来のものに比べ、成形品Mを剥離するためのタクトタイムの短縮化が図れて生産性に優れる。
 なお、前示の第一実施形態及び第二実施形態において図示例では、第一成形型1がモールド成形の基板側に配置される上型であり、第二成形型2がモールド成形の樹脂側に配置される下型であるが、これに限定されず、第一成形型1がモールド成形の樹脂側に配置される下型であり、第二成形型2がモールド成形の基板側に配置される上型であってもよい。
 A 樹脂封止装置           1 第一成形型
 11 保持部             11a 平滑面
 2 第二成形型            21 キャビティ
 31 密閉室             4 駆動部
 5 調圧部              8 制御部
 AP 大気雰囲気           DP 減圧雰囲気
 C 半導体素子            M 成形品
 O 外部空間             R 未硬化樹脂
 W ワーク              W1 載置面
 W2 非載置面

Claims (4)

  1.  半導体素子が搭載されたワークの保持部を有する第一成形型と、
     前記第一成形型の前記保持部に保持した前記ワークの前記半導体素子が搭載される載置面と対向して未硬化樹脂が供給されるキャビティを有する第二成形型と、
     前記第一成形型及び前記第二成形型の間に形成される開閉自在な密閉室と、
     前記第一成形型又は前記第二成形型のいずれか一方か若しくは両方を前記第一成形型及び前記第二成形型の対向方向へ相対的に接近移動させる駆動部と、
     前記密閉室及び外部空間に亘り排気又は給気して大気雰囲気から所定真空度の減圧雰囲気まで内圧調整する調圧部と、
     前記駆動部及び前記調圧部を作動制御する制御部と、を備え、
     前記第一成形型の前記保持部は、前記ワークの前記載置面と逆側の非載置面と面接触する平滑面を有し、
     前記制御部は、前記調圧部により前記密閉室が減圧された状態で、前記駆動部により前記ワークの前記載置面及び前記半導体素子が前記キャビティ内の前記未硬化樹脂に浸漬され、前記未硬化樹脂の硬化により成形品が形成されるように制御することを特徴とする樹脂封止装置。
  2.  前記平滑面の表面粗さが1μm以内であることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止装置。
  3.  前記保持部が前記平滑面として被覆層を有し、前記被覆層が前記未硬化樹脂の樹脂成分に対して非粘着性の材料からなることを特徴とする請求項1又は2記載の樹脂封止装置。
  4.  大気雰囲気で第一成形型及び第二成形型の対向方向へ相対的に離隔移動した前記第一成形型の保持部に対して、半導体素子が搭載されたワークを着脱自在に保持するとともに、前記第二成形型のキャビティ内に未硬化樹脂を供給する搬入工程と、
     前記第一成形型又は前記第二成形型のいずれか一方か若しくは両方が駆動部で前記第一成形型及び前記第二成形型の対向方向へ相対的に接近移動して、前記第一成形型と前記第二成形型の間に密閉室を形成するととともに、調圧部で前記密閉室から外部空間へ排気して大気雰囲気から減圧させる減圧工程と、
     前記密閉室が所定真空度に減圧された状態で、前記駆動部により前記ワークの前記半導体素子が搭載される載置面及び前記半導体素子を前記キャビティ内の前記未硬化樹脂に浸漬させる浸漬工程と、
     前記未硬化樹脂の硬化により前記ワークの前記載置面及び前記半導体素子が樹脂封止された成形品を形成する硬化工程と、
     前記第一成形型の保持部から前記ワークの前記載置面と逆側の非載置面を剥離して、前記第一成形型と前記第二成形型を前記駆動部により離隔移動させる搬出工程と、を含み、
     前記第一成形型の前記保持部は、前記ワークの前記非載置面と面接触する平滑面を有し、
     前記搬入工程では、前記第一成形型の前記保持部の前記平滑面に対し、前記ワークの前記非載置面が面接触する密着状態で保持されることを特徴とする樹脂封止方法。
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