KR102273522B1 - 성형형, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법 - Google Patents

성형형, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

성형 정밀도를 향상시킴과 동시에 전력 소비를 저감할 수 있는 성형형, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법을 제공한다. 상형(UM)과 하형(LM)을 갖는 성형형 본체(M)와, 상형(UM)과 하형(LM) 사이에 배치되며, 수지 재료가 공급되는 캐비티(MC)를 갖는 캐비티 부재(CA)와, 캐비티 부재(CA)에 설치된 히터(H)와, 성형형 본체(M)에 대하여 캐비티 부재(CA)를 이격시킨 상태로 유지 가능하게 하는 플로팅 기구(5)를 구비한다.

Description

성형형, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법{MOLDING MODEL, RESIN MOLDING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING RESIN MOLDING PRODUCT}
본 발명은 성형형, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법에 관한 것이다.
칩이 탑재된 기판이나 기판을 생략한 웨이퍼(Wafer)등의 워크(Works)는 일반적으로 수지 밀봉함으로써 전자 부품으로 이용된다. 종래, 워크를 수지 밀봉하는 수지 성형 장치로서 압축 성형용 프레스 기구를 구비한 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌1참조).
특허 문헌1의 프레스 기구는 상형과 하형으로 구성되는 성형형을 구비하고, 상기 성형형에는 히터가 내장되며, 히터를 이용해 성형형을 가열함으로 열경화 수지를 워크의 표면에서 경화시켜 수지 성형한다. 상기 하형은 베이스와, 베이스에 고정된 캐비티 인서트(Insert)와, 캐비티 인서트의 측벽이 되는 가동식 클램퍼를 가지며, 베이스와 클램퍼에 히터를 내장하고 있다.
일본 특개2017-94619호공보
그러나, 특허 문헌1 기재의 프레스 기구와 같이, 상형이나 하형의 베이스와 클램퍼에 히터를 내장했다 하더라도, 열 용량이 큰 성형형으로 열이 확산(방열)되어 버린다. 그 결과, 히터로부터 멀어질수록 온도가 저하하여 성형형과 워크의 각 부위간 온도 차에 기인하는 팽창 차에 의해 뒤틀림이 발생하며, 수지 성형품의 수지 두께에 불균형이 발생하기 쉽다. 특히, 수지 성형품의 박형화에 따라 성형하는 수지의 두께가 0.1mm 이하가 되었을 때, 공차를 ±10%로 설정해도 0.01mm 이하의 불균형으로 수지 밀봉할 필요가 있어 종래의 프레스 기구에서는 대응이 어렵다.
또한, 예를 들면, 성형형의 가열 온도를 175℃로 했을 때, 형면의 요구 온도 공차 ±3℃을 유지하기 위해서는 히터로의 전원 투입 후, 하루 정도 경과한 열적 안정 상태가 될 때까지 생산을 개시할 수 없다. 그 결과, 성형형의 가열에 많은 전력이 소비되며, 성형형의 대형화에 따라 전력 소비가 더욱 증대한다.
그래서, 성형 정밀도를 향상시킴과 동시에 전력 소비를 저감할 수 있는 성형형, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법이 요구되고 있다.
본 발명에 따른 성형형의 특징 구성은 상형과 하형을 갖는 성형형 본체와, 상기 상형과 상기 하형 사이에 배치되며, 수지 재료가 공급되는 캐비티를 갖는 캐비티 부재와, 상기 캐비티 부재에 설치된 히터와, 상기 성형형 본체에 대하여 상기 캐비티 부재를 이격시킨 상태로 유지가능한 플로팅 기구를 구비한 점에 있다.
본 발명에 따른 수지 성형 장치의 특징 구성은 상기 성형형과, 상기 성형형을 형 조임하는 형 조임 기구를 구비한 점에 있다.
본 발명에 따른 수지 성형품의 제조 방법의 특징 구성은 상기 성형형에 성형 대상물 및 수지 재료를 공급하는 공급 공정과, 상기 캐비티 부재를 상기 성형형 본체로부터 이격시킨 상태로 상기 히터에 통전하여 상기 수지 재료를 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정의 일부 기간에서 상기 성형형을 형 조임하여 상기 캐비티 부재와 상기 성형형 본체를 접촉시켜 수지 성형을 수행하는 성형 공정을 포함하는 점에 있다.
본 발명에 의하면, 성형 정밀도를 향상시킴과 동시에 전력 소비를 저감할 수 있는 성형형, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 수지 성형 장치를 나타내는 모식도이다.
도 2는 이형 필름 공급 기구를 나타내는 모식도이다.
도 3은 압축 성형 모듈을 나타내는 모식도이다.
도 4는 수지 성형품의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
이하, 본 발명에 따른 성형형, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법의 실시 형태에 대하여 도면에 근거하여 설명한다. 다만, 이하의 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지의 변형이 가능하다.
[장치 구성]
칩이 탑재된 기판이나 기판을 생략한 웨이퍼 등의 성형 대상물은 수지 밀봉함으로써 전자 부품으로 이용된다. 수지 밀봉 기술로는 컴프레션 방식(압축 성형)이나 트랜스퍼 방식 등을 들 수 있지만, 컴프레션 방식이 수지 성형품(전자 부품)의 박형화로의 대응이 가능하고 생산성이 우수하다. 이 컴프레션 방식에 의한 성형 대상물로의 수지 밀봉 방법의 하나로써, 이형 필름에 액상 또는 분립체상의 수지를 공급한 후, 프레스 기구의 성형형에 이형 필름을 올려 놓고, 이형 필름 상의 수지에 성형 대상물을 담궈 수지 성형함으로써 수지 성형품을 제조하는 방법을 들 수 있다.
종래의 프레스 기구는 성형형에 히터를 내장하고 있으므로, 열 용량이 큰 성형형으로 열이 확산(방열)되어 버린다. 그 결과, 히터로부터 멀어질수록 온도가 저하하여 성형형과 성형 대상물의 각 부위간 온도 차에 기인하는 팽창 차에 의해 뒤틀림이 발생하며, 수지 성형품의 수지 두께에 불균형이 발생하기 쉽다. 특히, 수지 성형품의 박형화에 따라 성형하는 수지의 두께가 0.1mm 이하가 되었을 때, 공차를 ±10%로 설정해도 0.01mm 이하의 불균형으로 수지 밀봉할 필요가 있어 종래의 프레스 기구에서는 대응이 어렵다. 또한, 예를 들어, 성형형의 가열 온도를 175℃로 했을 때, 형면의 요구 온도 공차 ±3℃을 유지하기 위해서는 히터로의 전원 투입 후, 하루 정도 경과한 열적 안정 상태가 될 때까지 생산을 개시할 수 없다. 그 결과, 성형형의 가열에 많은 전력이 소비되며, 성형형의 대형화에 따라 전력 소비가 더욱 증대한다.
그래서, 본 실시 형태에서는 성형 정밀도를 향상시킴과 동시에 전력 소비를 저감할 수 있는 성형형(C), 수지 성형 장치(D) 및 수지 성형품의 제조 방법을 제공한다. 이하에서, 반도체 칩이 탑재된 기판(S)을 성형 대상물의 일례로서 설명하며, 중력 방향을 아래, 중력 방향과는 반대 방향을 위로 설명할 수 있다. 또한 도 1에 도시된 Z방향이 상하 방향이며, 지면의 앞면이 위가 된다.
도 1에는 수지 성형 장치(D)의 모식도가 도시된다. 본 실시 형태에서 수지 성형 장치(D)는 이형 필름 공급 기구(1)와 수지 공급 모듈(2)과 압축 성형 모듈(3)과 반송 기구(4)와 제어부(6)를 구비한다. 압축 성형 모듈(3)은 반도체 칩이 탑재된 기판(S)을 액상 수지 또는 분립체상 수지(수지 재료의 일례, 이하 "액상 수지"를 대표로 설명한다)로 수지 밀봉하기 위한 성형형(C)을 포함한다. 제어부(6)는 수지 성형 장치(D)의 동작을 제어하는 소프트웨어로서, HDD나 메모리 등의 하드웨어에 기억된 프로그램으로 구성되며, 컴퓨터의 CPU에 의해 실행된다. 즉, 제어부(6)는 이형 필름 공급 기구(1), 수지 공급 모듈(2), 압축 성형 모듈(3) 및 반송 기구(4)의 동작을 제어한다.
또한 액상 수지는 상온(실온)에서 액상의 수지뿐만 아니라, 가열에 의해 고형 수지가 용융하여 액상이 되는 용융 수지도 포함한다. 상온에서 액상이 되는 액상 수지는 열가소성 수지이든 열경화성 수지이든 무방하다. 열경화성 수지는 상온에서는 액상 수지이며, 가열하면 점도가 저하하고 더 가열하면 중합하여 경화하며, 경화 수지가 된다. 본 실시 형태에서 액상 수지는 상온에서 신속하게 유동하지 않을 정도의 비교적 고점도의 열경화성 수지인 것이 바람직하다.
이형 필름 공급 기구(1)는 압축 성형 모듈(3) 내부에 승강 가능하게 설치되며, 이형 필름(F)을 후술하는 캐비티 부재(CA)의 표면에 공급하는(밀착시키는) 것이 가능하다. 이형 필름 공급 기구(1)의 세부 사항은 후술하는 것으로 한다.
수지 공급 모듈(2)은 수지 재료 공급 기구(21)와 수지 로더(22)와 진공 당김 기구(23)을 포함한다.
수지 재료 공급 기구(21)는 캐비티 부재(CA)의 캐비티(MC)에 액상 수지를 공급한다. 수지 재료 공급 기구(21)는 레일(R)에 의해 지지되며, 수지 로더(22)에 의해 X방향으로 왕복 이동한다. 수지 재료 공급 기구(21)는 토출 기구(21a)와 시린지(21b)와 노즐(21c)이 일체화된 디스펜서로서 구성된다. 토출 기구(21a)는 시린지(21b)에 저류된 액상 수지를 노즐(21c)로부터 토출시킨다. 상기 토출 기구(21a)는 서보모터(미도시) 와 같은 구동력에 의해 직선운동하는 플런저(미도시)를 갖고, 상기 플런저를 시린지(21b)의 내부에서 전진 이동시킴으로써, 액상 수지가 노즐(21c)로부터 토출된다. 본 실시 형태에서 수지 재료 공급 기구(21)는 토출 기구(21a), 시린지(21b) 및 노즐(21c)이 서로 탈착 가능하게 구성되고, 예를 들어, 액상 수지를 미리 복수의 시린지(21b)에 저류하여 보관하며, 용량이 다른 시린지(21b)을 선택하여 사용할 수 있다.
또한, 수지 재료 공급 기구(21)는 수지 로더(22)에 의해, 연직면(YZ면) 또는 수평면(XY면)에서 왕복 이동 가능하게 구성된다. 이에 따라, 수지 재료 공급 기구(21)는 캐비티 부재(CA)상에 공급된 이형 필름(F)의 표면에 액상 수지를 균등하게 공급하는 것이 가능해졌다.
수지 로더(22)는 수지 재료 공급 기구(21)를 걸림 고정시킨다. 그리고, 수지 로더(22)는 수지 재료 공급 기구(21)를 압축 성형 모듈(3)까지 이송하여 캐비티 부재(CA)상에 노즐(21c)이 위치하도록 수지 재료 공급 기구(21)를 이동시킨다. 진공 당김 기구(23)는 압축 성형 모듈(3)에서 성형형(C)을 형 조임 하기 직전에 캐비티(MC)로부터 공기를 강제적으로 흡인하여 배출한다. 이에 따라, 캐비티(MC) 내에 잔류하는 공기나 액상 수지에 포함되는 기포 등이 성형형(C)의 외부로 배출된다.
압축 성형 모듈(3)은 수지 밀봉전 기판(Sa)을 수지 밀봉하여 수지 밀봉 완료 기판(Sb)(수지 성형품)을 성형한다. 상기 압축 성형 모듈(3)은 복수개(본 실시 형태에서는 3개)가 설치되며, 각각의 압축 성형 모듈(3)을 독립하여 장착 또는 분해할 수 있다. 압축 성형 모듈(3)의 상세한 설명은 후술한다.
반송 기구(4)는 수지 밀봉전의 반도체 칩이 실장된 수지 밀봉전 기판(Sa)(성형 대상물)을 반송함과 동시에, 수지 밀봉 후의 수지 밀봉 완료 기판(Sb)(수지 성형품)을 반송한다. 반송 기구(4)는 기판 로더(41)와 로봇 암(42)을 포함한다. 기판 로더(41)는 그 위에 기판(S)을 올려 놓을 수 있다. 기판(S)은 수지 밀봉전 기판(Sa)과 수지 밀봉 완료 기판(Sb)이다. 기판 로더(41)는 레일(R)상에서, 반송 기구(4)와 압축 성형 모듈(3) 사이를 이동하는 것이 가능하다. 수지 밀봉전 기판(Sa)에는 복수개의 반도체 칩이 실장된다. 수지 밀봉 완료 기판(Sb)에서는 반도체 칩이 액상 수지가 고체화한 수지(밀봉 수지)에 의해 밀봉된다. 로봇 암(42)은 제1수용부(43)에서 꺼낸 수지 밀봉전 기판(Sa)의 앞뒤를 뒤집음으로써 칩 실장측을 아래쪽으로 향하게 하여 기판 로더(41)에 올려 놓음과 동시에, 수지 밀봉 완료 기판(Sb)을 기판 로더(41)에서 꺼내 앞뒤를 뒤집음으로써 밀봉 수지측(칩 실장측)을 위쪽으로 향하게 하여 제2수용부(44)에 수용할 수 있다.
이하, 이형 필름 공급 기구(1)를 갖는 압축 성형 모듈(3)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 이형 필름 공급 기구(1)는 릴에 감겨진 사용전 이형 필름(F)을 상형(UM)과 하형(LM) 사이(엄밀하게는, 한 쌍의 캐비티 부재(CA) 사이)로 송출하는 송출 기구(13)와 수지 성형에 사용된 사용 완료 이형 필름(F)을 릴에 감아 빼내는 권취 기구(14)를 갖는다. 송출 기구(13)와 캐비티 부재(CA) 사이에는 송출 기구(13)에서 송출된 사용전 이형 필름(F)에 장력을 가하기 위한 송출 롤러(15)가 설치된다. 캐비티 부재(CA)와 권취기구(14) 사이에는 상형(UM)과 캐비티 부재(CA) 사이에 반송된 사용 완료 이형 필름(F)에 장력을 가하기 위한 권취 롤러(16)가 설치된다. 제어부(6)는 송출 기구(13)에 설치된 모터(미도시)의 토크(torque)(회전 속도)와 권취기구(14)에 설치된 모터(미도시)의 토크(회전 속도)를 제어한다. 이에 따라, 이형 필름(F)의 진행 방향(-Y방향)에 대해 적당한 장력을 가하면서 이형 필름(F)을 송출 기구(13)로부터 송출할 수 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 압축 성형 모듈(3)은 하부 고정반(31)의 네 귀퉁이에 타이 바(32)가 입설되고, 타이 바(32)의 상단 부근에는 직사각형 형태의 상부 고정반(33)이 설치된다. 하부 고정반(31)와 상부 고정반(33) 사이에는 직사각형 형태의 가동 플래튼(Platen)(34)이 설치된다. 가동 플래튼(34)은 네 귀퉁이에 타이 바(32)가 관통하는 구멍이 설치되며, 타이 바(32)를 따라서 상하로 이동이 가능하다. 하부 고정반(31) 위에는 가동 플래튼(34)을 상하로 이동시키는 장치인 형 조임 기구(35)가 설치된다. 형 조임 기구(35)는 가동 플래튼(34)을 상측으로 이동시킴으로써 성형형(C)의 형 조임을 수행하고, 가동 플래튼(34)을 하측으로 이동시킴으로써 성형형(C)의 형 풀림을 수행할 수 있다. 형 조임 기구(35)의 구동원은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 서보모터와 같은 전동 모터를 이용할 수 있다.
성형형(C)은 상형(UM)과 하형(LM)을 갖는 성형형 본체(M)를 포함하며, 상형(UM) 및 하형(LM)은 서로 대향하여 배치되는 금형등으로 구성된다. 하형(LM)은 베이스(LMa)와, 베이스(LMa)로부터 상형(UM) 방향으로 돌출한 볼록한 부분(LMb)으로 형성된다. 본 실시 형태에서 상형(UM) 및/또는 하형(LM)의 캐비티 부재(CA)에 대향하는 면에는 아주 작은 요철 가공이 시행되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 후술하는 캐비티 부재(CA)와 성형형 본체(M)의 접촉 면적을 작게 할 수 있다. 또한, 상측 캐비티 부재(CA1) 및/또는 하측 캐비티 부재(CA2)의 성형형 본체(M)에 대향하는 면에 아주 작은 요철 가공을 시행해도 무방하다.
본 실시 형태에서 성형형(C)은 또한 캐비티 부재(CA)와 시트 형태의 히터(H)와 플로팅 기구(5)을 포함한다. 성형형 본체(M)에는 캐비티 부재(CA)를 걸림 고정시키는 볼트 등으로 구성되는 걸림 고정 기구(B)(상형(UM)에만 도시, 하형(LM)에는 미도시)가 설치되며, 캐비티 부재(CA)가 성형형 본체(M)에 대하여 상대적으로 이동 가능하게 지지된다. 상기 캐비티 부재(CA)는 상형(UM)과 하형(LM) 사이에 배치되며, 액상 수지가 공급(수용)되는 캐비티(MC)를 갖는다. 캐비티 부재(CA)는 상형(UM)에 지지되는 상측 캐비티 부재(CA1)와, 하형(LM)에 지지되는 하측 캐비티 부재(CA2)로 구성된다. 상측 캐비티 부재(CA1)에는 기판(S)을 걸림 고정시키는 기판 세트부(미도시)가 설치되며, 수지 밀봉전 기판(Sa)과 수지 밀봉전 기판(Sa)에 실장된 반도체 칩등을 캐비티(MC) 내에서 수지 밀봉하여 성형된 수지 밀봉 완료 기판(Sb)이 상측 캐비티 부재(CA1)에 걸림 고정된다. 또한, 시트 형태의 히터(H)는 상측 캐비티 부재(CA1)의 캐비티(MC)측의 면에 배치되는 상측 히터(H1)와 하측 캐비티 부재(CA2)의 캐비티(MC)측의 면에 배치되는 하측 히터(H2)를 갖는다. 플로팅 기구(5)는 성형형 본체(M)에 대하여 캐비티 부재(CA)를 이격시킨 상태로 유지한다.
캐비티 부재(CA)는 성형형 본체(M)를 구성하는 금형보다 열 용량이 적은 세라믹 또는 포러스(Porous)금속으로 형성된다. 세라믹은 무기물을 가열 처리하여 굳힌 소결체로 구성된다. 포러스 금속은 작은 기공을 다수 갖는 다공질 금속으로 구성된다. 상형(UM)에 대향하도록 배치된 상측 캐비티 부재(CA1)는 평판형으로 형성되며, 표면(상형(UM)에 대향하는 면과는 반대측 면, 캐비티(MC)측의 면)에는 상측 히터(H1)가 증착 등에 의해 설치된다. 하측 캐비티 부재(CA2)는 하형(LM)에 대향하는 평판형의 저벽(51)과 저벽(51)을 둘러싸는 직사각형 형태의 측벽(52)을 갖는다. 저벽(51)과 측벽(52) 사이에는 약간의 틈새가 있으며, 저벽(51)과 측벽(52)이 분리한 상태로 서로 독립하여 이동 가능하도록 구성된다. 저벽(51)의 표면(하형(LM)에 대향하는 면과는 반대측의 면, 캐비티(MC)측의 면)에는 하측 히터(H2)가 증착 등에 의해 설치되며, 적어도 캐비티(MC)에 면해 있는 위치에 형성된 측벽(52)의 내측 홈(52a)에도 하측 히터(H2)가 증착 등에 의해 설치된다.
하측 캐비티 부재(CA2)에는 저벽(51)과 측벽(52)으로 둘러싸인 내측 공간에 액상 수지가 충전(공급)되는 캐비티(MC)가 형성된다. 또한, 하측 캐비티 부재(CA2)에서 캐비티(MC)와 대향하는 측의 면에는 흡인 기구(미도시)에 의해 흡인된 이형 필름(F)이 고정된다.
히터(H)는 금속제의 발열체를 한 쌍의 절연 필름으로 개재하여 형성된다. 발열체는 스테인리스나 니켈 합금 등을 필름 형태로 한 발열 저항체이다. 상기 발열체에는 직류 전원이 도선을 통하여 전기적으로 접속된다. 절연 필름은 폴리이미드, 실리콘, 세라믹 등을 필름 형태로 형성한 절연물이다. 필름 형태의 히터(H)를 이형 필름(F)에 직접 접촉시킴으로써, 이형 필름(F)을 통하여 액상 수지를 신속하게 가열할 수 있다. 또한, 히터(H) 또는 캐비티 부재(CA)에는 온도 센서(미도시)가 설치되며, 제어부(6)는 온도 센서의 계측 값에 근거하여 히터(H)로의 통전량을 제어한다.
플로팅 기구(5)는 성형형 본체(M)에 내장되어 지지된다. 상기 플로팅 기구(5)는 캐비티 부재(CA)를 지지하는 지지 핀(53)(지지 부재의 일례)과, 지지 핀(53)을 캐비티 부재(CA)로 향하도록 힘을 가하는 스프링(54)(탄성 부재의 일례)을 갖는다. 지지 핀(53)은 성형형 본체(M)를 구성하는 금형보다 열 용량이 작은 수지 등으로 구성되며, 핀 형태 부재(53A)와 지지대(53B)를 갖는다. 지지 핀(53)은 핀 형태 부재(53A)의 단부가 캐비티 부재(CA)의 이면(성형형 본체(M)에 대향하는 면)에 맞닿아 접해 있고, 지지대(53B)의 이면이 스프링(54)에 맞닿아 접해 있다. 지지 핀(53)은 상형(UM)의 표면에 형성된 복수의 상부 구멍(UMa)에 각각 개별로 삽입된 복수의 상측 지지 핀(53a)과 하형(LM)의 볼록한 부분(LMb)의 표면에 형성된 복수의 하부 구멍(LMb1)에 각각 개별로 삽입된 복수의 하측 지지 핀(53b)을 갖는다.
스프링(54)은 지지 핀(53) 및 하측 캐비티 부재(CA2)의 측벽(52)을 각각 개별적으로 힘을 가하는 복수의 압축 코일 스프링 등으로 구성된다. 상기 스프링(54)은 상측 지지 핀(53a)을 상측 캐비티 부재(CA1)로 향하도록 힘을 가하는 상측 스프링(54a)과 하측 지지 핀(53b)을 하측 캐비티 부재(CA2)의 저벽(51)으로 향하도록 힘을 가하는 하측 스프링(54b)과 하측 캐비티 부재(CA2)의 측벽(52)을 상형(UM)으로 향하도록 힘을 가하는 측벽 스프링(54c)을 갖는다. 상측 스프링(54a)은 상형(UM)의 내부에 수용되고, 하측 스프링(54b)은 하형(LM)의 내부에 수용되며, 측벽 스프링(54c)은 하형(LM)의 베이스(LMa)에 걸림 고정된다. 또한, 탄성 부재로서 압축 코일 스프링에 한정하지 않고, 고무나 수지 등의 탄성 부재로 구성해도 무방하고, 에어 압이나 가스 압 등에 의해 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)로부터 이격시켜도 무방하다.
이러한 구성에서, 하측 캐비티 부재(CA2)의 하측 히터(H2)에 의해 이형 필름(F)을 가열함으로, 캐비티(MC) 내의 액상 수지가 가열된다. 또한, 상측 캐비티 부재(CA1)의 상측 히터(H1)에 의해 반도체 칩이 실장된 기판(S)이 가열된다.
[수지 성형품의 제조 방법]
도 1 내지 도 4를 이용하여 수지 성형품의 제조 방법에 대하여 설명한다.
우선, 도 1에 도시한 바와 같이, 로봇 암(42)에 의해 제1수용부(43)에서 꺼낸 수지 밀봉전 기판(Sa)의 앞뒤를 뒤집음으로써, 칩 실장측을 하부로 향하게 하여 기판 로더(41)에 올려 놓는다. 그리고, 반송 기구(4)는 수지 밀봉전의 반도체 칩이 실장된 수지 밀봉전 기판(Sa)을 압축 성형 모듈(3)까지 반송하고, 수지 밀봉전 기판(Sa)을 상측 캐비티 부재(CA1)의 상측 히터(H1)의 표면에 걸림 고정시킨다(도 4의 공급 공정, 도 3도 참조).
계속해서, 도 2에 도시한 바와 같이, 이형 필름 공급 기구(1)는 하측 캐비티 부재(CA2)의 표면에 이형 필름(F)을 이송시켜 올려 놓고, 흡인 기구에 의해 이형 필름(F)을 하측 캐비티 부재(CA2)의 오목형 형면에 흡착시킨다. 그리고, 수지 로더(22)는 수지 재료 공급 기구(21)를 수지 공급 모듈(2)에서 압축 성형 모듈(3)까지 이송하고, 수지 로더(22)에 의해, 연직면(YZ면) 또는 수평면(XY면)에서 왕복 이동하면서 노즐(21c)로부터 이형 필름(F) 상으로 액상 수지를 공급한다(도 4의 공급 공정, 도 1도 참조). 계속 해서, 도 4에 도시한 바와 같이, 온도 센서의 계측 값이 소정 값이 되도록 상측 히터(H1)에 통전함으로써 상측 캐비티 부재(CA1)에 걸림 고정된 수지 밀봉전 기판(Sa)을 가열함과 동시에, 하측 히터(H2)에 통전함으로써 이형 필름(F) 상의 액상 수지를 가열하여 유동시킨다(가열 공정). 이 때, 상측 캐비티 부재(CA1) 및 하측 캐비티 부재(CA2)가 플로팅 기구(5)에 의해 상형(UM) 및 하형(LM)으로부터 이격해 있기 때문에, 성형형 본체(M)로 열이 확산(방열)되는 것이 억제된다. 즉, 캐비티 부재(CA)와 성형형 본체(M) 사이에 개재하는 공기에 의한 단열 효과로 인하여, 히터(H)의 열이 빠져 나오지 않고 보열되는 동시에, 히터(H)가 액상 수지에 직접 접촉하고 있으므로 캐비티(MC)에 있는 액상 수지를 신속하게 가열할 수 있다. 그리고, 진공 당김 기구(23)에 의해 캐비티(MC)로부터 공기를 강제적으로 흡인하여 배출한다(도 1 참조). 이와 같이, 캐비티(MC)를 감압하여 가열함으로 다음에 수행할 형 조임시에 액상 수지에 공기가 혼입하여 수지 밀봉 완료 기판(Sb)에 보이드(Void)가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
계속해서, 형 조임 기구(35)에 의해 가동 플래튼(34)을 상측으로 이동시켜 하형(LM)을 상형(UM) 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써, 성형형(C)의 형 조임을 실행한다(도 4의 성형 공정, 형 조임공정, 도 3도 참조). 이 때, 우선, 수지 밀봉전 기판(Sa)의 외주 부위가 하측 캐비티 부재(CA2)의 측벽(52)에 맞닿아 접하고, 측벽 스프링(54c)이 압축되어 측벽(52)이 하강함으로써, 측벽(52)으로 둘러싸인 캐비티(MC)가 밀봉 상태가 된다. 그리고, 캐비티(MC)의 액상 수지에 수지 밀봉전 기판(Sa)의 표면이 침지되어 형 조임에 의해 액상 수지에 작용하는 압력으로부터의 반력을 받아 상측 캐비티 부재(CA1)가 상측 방향으로 가압됨과 동시에 하측 캐비티 부재(CA2)가 하측 방향으로 가압된다. 그 결과, 상측 스프링(54a) 및 하측 스프링(54b)이 압축되어 상측 캐비티 부재(CA1) 및 하측 캐비티 부재(CA2)가 성형형 본체(M)에 접근한다.
계속해서, 또한 형 조임 기구(35)에 의한 클램프(clamp)력을 크게 함으로써, 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)에 접촉시킨 상태에서 형 조임을 수행한다(도 4의 성형 공정, 가압 공정). 이 때, 상형(UM) 및 하형(LM)에서 캐비티(MC)측의 면이 아주 작은 요철 형상으로 되어 있으면, 접촉 면적을 작게 하여 형 조임시에 캐비티 부재(CA)로부터 성형형 본체(M)로 열전도 되기 어려워진다. 그 결과, 큰 방열을 고려하여 히터(H)에 대한 통전량을 크게 할 필요 없이 전력 소비를 절약할 수 있다. 이 상태에서, 히터(H)에 의해 캐비티 부재(CA)를 더 가열함으로써, 캐비티(MC) 내의 액상 수지가 경화되며, 수지 밀봉전 기판(Sa)을 수지 밀봉하여 수지 밀봉 완료 기판(Sb)(수지 성형품)을 형성한다.
계속해서, 수지 밀봉 완료 기판(Sb)이 이형 가능한 상태가 될 때까지, 소정 시간에 걸쳐서 형 조임 상태(스프링(54)의 탄성력에 의해 캐비티 부재(CA)를 클램프한 상태)를 유지한다(도 4의 성형 공정, 유지 공정). 이 때, 플로팅 기구(5)에 의해 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)로부터 이격시킨다. 형 조임을 끝내고 나서 수지 밀봉 완료 기판(Sb)을 성형형(C)으로부터 이형할 수 있는 상태가 될 때까지, 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)로부터 이격시키면, 캐비티 부재(CA)의 열이 성형형 본체(M)로 전도하는 것을 억제할 수 있다. 이 유지 공정에 의해 수지 성형의 불량이 되는 언더 큐어(Undercure)나 오버 큐어(Overcure)를 방지할 수 있다.
계속해서, 가동 플래튼(34)을 하측으로 이동시킴으로써, 성형형(C)의 형 풀림을 수행하고, 기판 로더(41)에 의해 이형 필름(F)을 박리시킨 수지 밀봉 완료 기판(Sb)을 제2수용부(44)에 수용한다(도 1 참조). 상기 형 풀림의 직전 또는 직후에 히터(H)로의 통전을 정지한다. 그리고, 미도시된 절단 기구에서 복수의 반도체 칩이 탑재된 기판(S)을 절단하며, 1개의 반도체 칩이 탑재된 기판(S)을 1단위로 복수의 전자 부품이 제조된다.
이와 같이, 성형형 본체(M)에 히터(H)를 내장하는 것이 아니라, 플로팅 기구(5)에 의해 성형형 본체(M)로부터 이격시킬 수 있는 캐비티 부재(CA)의 캐비티(MC)측의 면(표면)에 시트 형태의 히터(H)를 설치한다. 즉, 열 용량이 큰 성형형 본체(M)로부터 이격된 캐비티 부재(CA)를 이용하여 가열하므로, 성형형 본체(M)를 통하여 방열되는 것이 억제된다. 그 결과, 캐비티 부재(CA)(캐비티(MC)에 충전된 수지 재료)와 기판(S)을 균등하게 가열하는 것이 가능해져 수지 밀봉 완료 기판(Sb)의 수지 두께의 불균형을 방지할 수 있다. 더구나, 시트 형태의 히터(H)를 캐비티 부재(CA)의 캐비티(MC)측의 면에 배치하기 때문에, 캐비티(MC)를 확보하면서 수지 재료를 신속하게 가열하는 것이 가능해진다. 그 결과, 성형형 본체(M)에 히터(H)를 내장한 경우처럼 성형형 본체(M)로 열이 확산(방열)되는 것이 억제되며, 전력 소비를 저감할 수 있다.
또한, 가열 공정(성형 공정 포함)의 대부분의 기간에서, 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)로부터 이격시킨 상태로 히터(H)에 통전하여 액상 수지를 가열하므로 성형형 본체(M)로부터 열이 확산(방열)되는 것이 억제되며, 전력 소비를 저감할 수 있다. 그리고, 가열된 액상 수지는 가열 공정의 일부 기간에서 형 조임되기 때문에 성형형 본체(M)와 캐비티 부재(CA)의 접촉 시간을 최소화할 수 있으며, 성형형 본체(M)를 통한 방열을 최대한 줄일 수 있다.
또한, 캐비티 부재(CA)가 열 용량이 적은 세라믹 또는 포러스 금속으로 형성되기 때문에, 캐비티 부재(CA)로 방열되기 어려워지며, 액상 수지를 신속하게 가열할 수 있게 되어 전력 소비를 저감할 수 있다. 더구나, 히터(H)로서 금속제의 발열체를 한 쌍의 절연 필름으로 개재하여 형성하면, 이형 필름(F)의 표면을 균일하게 가열할 수 있기 때문에, 수지 밀봉 완료 기판(Sb)의 수지 두께의 불균형을 억제할 수 있다. 상기 히터(H)를 하측 캐비티 부재(CA2)의 저벽(51)의 내측뿐 아니라 측벽(52)의 내측에도 배치하면, 수지 재료를 균등하게 가열할 수 있다.
[다른 실시 형태]
이하, 상술한 실시 형태와 동일한 부재에 대해서는 이해를 쉽게 하기 위해 동일한 용어, 부호를 이용하여 설명한다.
<1> 상술한 실시 형태에서는 히터(H)를 캐비티 부재(CA)의 표면에 배치하는 예를 설명했으나, 히터(H)를 캐비티 부재(CA)에 내장하여도 무방하다. 또한, 상술한 실시 형태에서는 히터(H)를 하측 캐비티 부재(CA2)의 저벽(51) 및 측벽(52)의 내측에 배치했으나, 하측 캐비티 부재(CA2)의 저벽(51)에만 히터(H)를 배치해도 무방하다.
<2> 상술한 실시 형태에서는 금속제의 발열체를 한 쌍의 절연 필름으로 개재하여 형성된 시트 형태의 히터(H)를 캐비티 부재(CA)의 표면에 증착 등에 의해 설치하는 예를 설명했으나, 미리 제작된 시트 형태의 히터(H)를 접착 등에 의해 캐비티 부재(CA)의 표면에 고정해도 무방하다.
<3> 상술한 실시 형태에서는 수지 공급 모듈(2)에서 이형 필름(F) 상으로 액상 수지를 공급하는 예를 나타냈으나, 분립체상 수지가 공급된 수지 유지판을 셔터 기구에 의해 폐색한 상태로 이형 필름(F) 상으로 이송한 후, 셔터 기구를 개방시켜 이형 필름(F) 상으로 분립체상 수지를 공급해도 무방하다.
<4> 상술한 실시 형태에서는 압축 성형 모듈(3)의 내부에서 이형 필름(F) 상으로 수지 재료를 공급했으나, 압축 성형 모듈(3)과는 별도로 이형 필름 공급 모듈을 설치해도 무방하다. 이 경우, 이형 필름 공급 모듈에서, 수지 재료 공급 기구(21)를 이용하여 이형 필름(F) 상으로 수지 재료를 공급하고, 수지 재료가 공급된 이형 필름(F)을 압축 성형 모듈(3)의 하측 캐비티 부재(CA2) 상으로 이송시켜도 무방하다.
<5> 하측 캐비티 부재(CA2)의 저부에 중량 센서를 설치하여 캐비티(MC) 내에 충전되어 있는 액상 수지의 중량을 계측하면서, 수지 재료 공급 기구(21)에서 수지 공급량을 제어해도 무방하다. 이에 따라, 수지 재료 공급 기구(21)에 의한 수지 공급 정밀도가 높아짐과 동시에, 캐비티(MC) 내에 충전되어 있는 수지가 부족하다는 불편함도 해소할 수 있다.
<6> 상술한 실시 형태에서는 히터(H)에 통전한 상태에서 수지 재료를 캐비티(MC)로 공급했으나, 수지 재료를 캐비티(MC)로 공급한 후에 히터(H)에 통전해도 무방하다. 또한, 히터(H)로의 통전 시간(가열 시간), 형 조임 기구(35)의 가압 시간, 형 조임후에 있어서의 큐어(Cure)시간(경화시간), 진공 당김 기구(23)의 감압 시간 등은 성형 대상물의 성형 상태에 따라 최적화하는 것이 바람직하다.
<7> 상술한 실시 형태에서는 페이스 다운(Face Down)의 컴프레션(Compression)방식으로 설명했으나, 페이스 업(Face Up)의 컴프레션(Compression) 방식으로 기판(S)등의 성형 대상물을 수지 재료 공급 기구(21)에서 수지를 공급하는 공급 대상물이어도 무방하다. 또한, 이형 필름(F)을 생략하여 하측 캐비티 부재(CA2)을 수지 재료 공급 기구(21)에서 수지를 공급하는 공급 대상물이어도 무방하다.
[상기 실시 형태의 개요]
이하, 상술의 실시 형태에서 설명한 성형형(C), 수지 성형 장치(D) 및 수지 성형품의 제조 방법의 개요에 대하여 설명한다.
(1) 성형형(C)의 특징 구성은 상형(UM)과 하형(LM)을 갖는 성형형 본체(M)와, 상형(UM)과 하형(LM) 사이에 배치되며, 수지 재료가 공급되는 캐비티(MC)를 갖는 캐비티 부재(CA)와, 캐비티 부재(CA)에 설치된 히터(H)와, 성형형 본체(M)에 대하여 캐비티 부재(CA)를 이격시킨 상태로 유지 가능하게 하는 플로팅 기구(5)를 구비한 점에 있다.
본 구성에서는 성형형 본체(M)에 히터(H)를 내장하는 것이 아니라, 플로팅 기구(5)에 의해 성형형 본체(M)로부터 이격시킬 수 있는 캐비티 부재(CA)에 히터(H)를 설치한다. 즉, 열 용량이 큰 성형형 본체(M)로부터 이격된 캐비티 부재(CA)를 이용하여 가열하므로, 성형형 본체(M)로 방열되는 것이 억제된다. 그 결과, 캐비티 부재(CA)(캐비티(MC)에 충전된 수지 재료)와 성형 대상물을 균등하게 가열하는 것이 가능해져 수지 성형품의 수지 두께의 불균형을 방지할 수 있다. 또한, 성형형 본체(M)에 히터(H)를 내장한 경우처럼 성형형 본체(M)로부터 열이 확산(방열)되는 것이 억제되기 때문에 전력 소비를 저감할 수 있다.
(2) 히터(H)는 캐비티 부재(CA)의 캐비티(MC)측의 면에 배치된 시트 형태의 부재로 구성되어도 무방하다.
본 구성과 같이, 히터(H)를, 캐비티 부재(CA)의 캐비티(MC)측의 면에 배치된 시트 형태의 부재로 구성하면, 캐비티(MC)를 확보하면서 수지 재료를 신속하게 가열하여 수지 성형품의 수지 두께의 불균형을 방지할 수 있다. 더구나, 히터(H)를 캐비티(MC)측의 면에 배치하기 때문에, 캐비티(MC)에 충전된 수지 재료를 히터(H)에 의해 직접 가열하는 것이 가능해져서 캐비티 부재(CA) 자체를 원하는 온도가 될 때까지 가열할 필요가 없으며 전력 소비를 저감할 수 있다.
(3) 캐비티 부재(CA)는 하형(LM)과 대향하는 저벽(51)과, 저벽(51)을 둘러싸는 측벽(52)을 포함하며, 히터(H)는 저벽(51) 및 측벽(52)에 배치되어도 무방하다.
본 구성과 같이, 히터(H)를 저벽(51)뿐 아니라 측벽(52)에도 배치하면, 수지 재료를 균등하게 가열할 수 있다.
(4) 히터(H)는 금속제의 발열체를 한 쌍의 절연 필름으로 개재하여 형성되어도 무방하다.
본 구성과 같이, 히터(H)로서 금속제의 발열체를 한 쌍의 절연 필름으로 개재하여 형성하면, 시트면을 균일하게 가열하는 것이 가능해지므로 성형품의 수지 두께의 불균형을 억제할 수 있다.
(5) 캐비티 부재(CA)는 성형형 본체(M)보다 열 용량이 적은 재료로 형성되어도 무방하다.
본 구성과 같이, 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)보다 열 용량이 적은 재료로 형성하면, 캐비티 부재(CA)로 방열되기 어려워지기 때문에, 수지 재료를 신속하게 가열할 수 있게 되어 전력 소비를 저감할 수 있다.
(6) 상기 재료는 세라믹 또는 포러스 금속이어도 무방하다.
본 구성과 같이, 캐비티 부재(CA)를 세라믹 또는 포러스 금속으로 하면, 소결 가공 등이 가능하여 생산성이 우수하다.
(7) 플로팅 기구(5)는 성형형 본체(M)에 지지되며, 캐비티 부재(CA)를 지지하는 지지 핀(53)(지지 부재)과, 지지 핀(53)을 캐비티 부재(CA)로 향하도록 힘을 가하는 스프링(54)(탄성 부재)을 가져도 무방하다.
본 구성과 같이, 플로팅 기구(5)을 지지 핀(53)과 스프링(54)으로 형성하면, 구조가 간단한 것이 된다. 또한, 상형(UM)과 하형(LM)으로 형 조임할 때는 스프링(54)의 탄성력도 클램프 압으로 작용하기 때문에 효율적이다.
(8) 성형형 본체(M) 및 캐비티 부재(CA)의 서로 대향하는 면의 적어도 어느 한쪽은 요철 형상으로 형성되어도 무방하다.
본 구성과 같이, 성형형 본체(M) 및 캐비티 부재(CA)의 서로 대향하는 면의 어느 한쪽에 요철 형상을 형성하면, 캐비티 부재(CA)와 성형형 본체(M)와의 접촉 면적을 작게 하는 것이 가능해지므로, 형 조임시에 성형형 본체(M)로 열전도(방열)되기 어려워진다. 그 결과, 전력 소비를 저감할 수 있다.
(9) 수지 성형 장치(D)의 특징 구성은 상기(1)~(8)의 어느 하나에 기재된 성형형(C)과 성형형(C)을 형 조임하는 형 조임 기구(35)를 구비한 점에 있다.
본 구성에서는 상술한 성형형(C)을 이용하여 형 조임하기 때문에, 성형 정밀도를 향상시킴과 동시에 전력 소비를 저감할 수 있다.
(10) 수지 성형품의 제조 방법의 특징은 상기(9)의 수지 성형 장치(D)를 이용한 수지 성형품의 제조 방법으로, 성형형(C)에 기판(S)(성형 대상물) 및 수지 재료를 공급하는 공급 공정과, 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)로부터 이격시킨 상태로 히터(H)에 통전하여 수지 재료를 가열하는 가열 공정과, 가열 공정의 일부 기간에서 성형형(C)을 형 조임하여 캐비티 부재(CA)와 성형형 본체(M)를 접촉시켜 기판(S)(성형 대상물)의 수지 성형을 수행하는 성형 공정을 포함하는 점에 있다.
본 방법에서는 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)로부터 이격시킨 상태로 히터(H)에 통전하여 수지 재료를 가열하므로, 성형형 본체(M)로 열이 확산(방열)되는 것이 억제되어 전력 소비를 저감할 수 있다. 그리고, 가열 공정의 일부 기간에서 형 조임되기 때문에, 성형형 본체(M)와 캐비티 부재(CA)의 접촉 시간을 최소화할 수 있으며, 성형형 본체(M)를 통한 방열을 최대한 줄일 수 있다.
(11) 상기 수지 성형품의 제조 방법은 성형 공정에서 캐비티 부재(CA)와 성형형 본체(M)를 접촉시킨 후에 플로팅 기구(5)에 의해 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)로부터 이격시킨 상태를 유지하여 기판(S)(성형 대상물)의 수지 성형을 수행하여도 무방하다. 즉, 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)로부터 이격시키고, 플로팅 기구(5)에 의해 한 쌍의 캐비티 부재(CA)를 클램프한 상태를 유지하여도 무방하다.
본 방법에서는 형 조임을 끝내고 나서 수지 성형품을 성형형(C)에서 이형할 수 있는 상태가 될 때까지 캐비티 부재(CA)를 성형형 본체(M)로부터 이격시키므로, 성형형 본체(M)를 통하여 방열되는 것을 억제할 수 있다.
(12) 상기 수지 성형품의 제조 방법은 가열 공정에서 캐비티(MC)를 감압하여도 무방하다.
본 방법과 같이, 캐비티(MC)를 감압하여 가열함으로써, 형 조임시에 수지 재료에 공기가 혼입하여 수지 성형품에 보이드(Void)가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태(다른 실시 형태를 포함, 이하 동일)에서 개시되는 구성은 모순이 생기지 않는 이상 다른 실시 형태로 개시되는 구성과 조합하여 적용하는 것이 가능하다. 또한, 본 명세서에서 개시된 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 실시 형태는 이에 한정되지 않고, 본 발명의 목적을 벗어나지 않는 범위 내에서 적절하게 변경하는 것이 가능하다.
본 발명은 수지 재료 공급 장치, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법에 이용 가능하다.
1 : 이형 필름 공급 기구
2 : 수지 공급 모듈
3 : 압축 성형 모듈
4 : 반송 기구
5 : 플로팅 기구
6 : 제어부
21 : 수지 재료 공급 기구
23 : 진공 당김 기구
35 : 형 조임 기구
51 : 저벽
52 : 측벽
53 : 지지 핀(지지 부재)
54 : 스프링(탄성 부재)
C : 성형형
CA : 캐비티 부재
D : 수지 성형 장치
H : 히터
LM : 하형
M : 성형형 본체
MC : 캐비티
Sa : 수지 밀봉전 기판(성형 대상물)
Sb : 수지 밀봉 완료 기판(수지 성형품)
UM : 상형

Claims (12)

  1. 상형과 하형을 갖는 성형형 본체와,
    상기 상형과 상기 하형 사이에 배치되며, 수지 재료가 공급되는 캐비티를 갖는 캐비티 부재와,
    상기 캐비티 부재에 설치된 히터와,
    상기 성형형 본체에 대하여 상기 캐비티 부재를 이격시킨 상태로 유지가능한 플로팅 기구를 구비하며,
    상기 플로팅 기구는, 상기 상형과 상기 하형을 상대적으로 근접 이동시킴으로써, 상기 성형형 본체에 대하여 상기 캐비티 부재를 이격시킨 상태에서 상기 성형형 본체에 대하여 상기 캐비티 부재를 접촉시킨 상태로 변경 가능하도록 구성되는, 성형형.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 히터는 상기 캐비티 부재의 상기 캐비티측의 면에 배치된 시트 형태의 부재로 구성되는 성형형.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 캐비티 부재는 상기 하형과 대향하는 저벽과 해당 저벽을 둘러싸는 측벽을 포함하고,
    상기 히터는 상기 저벽 및 상기 측벽에 배치되는 성형형.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 시트 형태의 부재는 금속제의 발열체를 한 쌍의 절연 필름으로 개재하여 형성되는 성형형.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 캐비티 부재는 상기 성형형 본체보다 열 용량이 적은 재료로 형성되는 성형형.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 재료는 세라믹 또는 포러스(Porous) 금속인 성형형.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 플로팅 기구는 상기 성형형 본체에 지지되며, 상기 캐비티 부재를 지지하는 지지 부재와, 해당 지지 부재를 상기 캐비티 부재로 향하도록 힘을 가하는 탄성 부재를 갖는 성형형.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 성형형 본체 및 상기 캐비티 부재의 서로 대향하는 면의 적어도 어느 한쪽은 요철 형상으로 형성되는 성형형.
  9. 제 1항의 성형형과,
    상기 성형형을 형 조임하는 형 조임 기구를 구비한 수지 성형 장치.
  10. 제 9항의 수지 성형 장치를 이용한 수지 성형품의 제조 방법으로,
    상기 성형형에 성형 대상물 및 수지 재료를 공급하는 공급 공정과,
    상기 캐비티 부재를 상기 성형형 본체로부터 이격시킨 상태로 상기 히터에 통전하여 상기 수지 재료를 가열하는 가열 공정과,
    상기 가열 공정의 일부 기간에서 상기 성형형을 형 조임하여 상기 상형과 상기 하형을 상대적으로 근접 이동시킴으로써, 상기 성형형 본체에 대하여 상기 캐비티 부재를 이격시킨 상태에서 상기 캐비티 부재와 상기 성형형 본체를 접촉시킨 상태로 변경하여 상기 성형 대상물의 수지 성형을 수행하는 성형 공정을 포함하는 수지 성형품의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 성형 공정에서 상기 캐비티 부재와 상기 성형형 본체를 접촉시킨 후에 상기 플로팅 기구에 의해 상기 캐비티 부재를 상기 성형형 본체로부터 이격시킨 상태를 유지하여 상기 성형 대상물의 수지 성형을 수행하는 수지 성형품의 제조 방법.
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 가열 공정에서 상기 캐비티를 감압하는 수지 성형품의 제조 방법. 
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