KR20190085847A - 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법 - Google Patents

수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법 Download PDF

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요시카즈 오타니
히로하루 모리
히로시 다카하시
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신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤
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Abstract

약 100Pa 이하의 고진공 상태에서 워크를 확실하게 점착 지지한 상태로 수지 밀봉한다. 반도체 소자가 탑재된 워크의 지지면을 갖는 제1 성형 금형과, 제1 성형 금형의 지지면에 지지된 워크의 반도체 소자가 탑재되는 재치면과 대향하여 미경화 수지가 공급되는 캐비티를 갖는 제2 성형 금형과, 제1 성형 금형 및 제2 성형 금형의 사이에 형성되는 개폐 가능한 감압실과, 제1 성형 금형 또는 제2 성형 금형 중 어느 한쪽 혹은 양쪽 모두를 제1 성형 금형 및 제2 성형 금형의 대향 방향으로 상대적으로 접근 이동시켜 감압실을 형성하는 구동부와, 감압실 및 외부 공간에 걸쳐 배기 또는 급기하여 대기 분위기로부터 소정 진공도의 감압 분위기까지 내압 조정하는 압력 조정부와, 구동부 및 압력 조정부를 작동 제어하는 제어부를 구비하고, 제1 성형 금형의 지지면은, 워크의 재치면과 반대 측의 비재치면과 착탈 가능하게 접하는 점착부를 가지며, 제어부는, 압력 조정부에 의하여 감압실이 약 100Pa 이하의 고진공이 된 상태에서, 구동부에 의하여 워크의 재치면이 캐비티 내의 미경화 수지에 침지되도록 제어한다.

Description

수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법
본 발명은, 반도체 패키지 등의 패키지를 제조할 때에 이용되는 수지 밀봉 장치, 및 패키지를 제조하기 위한 수지 밀봉 방법에 관한 것이다.
종래, 이 종류의 수지 밀봉 장치로서, 기판이 재치되는 기판 재치부, 기판을 흡착하는 기체 유로를 갖는 상형과, 캐비티, 캐비티에 연통되는 기체 유로, 히터를 갖는 하형을 구비한 것이 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
기판의 주면(主面)에는 칩이 장착되고, 기판과 칩의 전극끼리는 와이어에 의하여 접속된다.
상형의 기판 재치부가 마련되고, 그 기판 재치부의 바닥면에는, 흡착용 오목부가 마련되며, 흡착용 오목부에는 기체 유로를 통하여 감압 펌프가 접속되어 있고, 기판 재치부에는, 기판이 기체 유로에 의하여 흡착된다. 즉, 감압 펌프의 작동에 따른 기체 유로로부터의 흡인으로 흡착용 오목부를 부압으로 하고, 상형 및 하형 사이의 공간과의 압력차를 이용하여 기판이 흡착되며, 상형의 기판 재치부에 기판을 낙하하지 않도록 유지하고 있다.
캐비티에 배치된 수지 재료를 히터에 의하여 가열 용융시켜 용융 수지를 생성하고, 기체 유로에 의하여 상형 및 하형 사이의 공간을 감압하면서 상형과 하형을 형체결한다. 이로써, 칩과 와이어를 용융 수지에 침지시키고, 그 후, 용융 수지를 가열 경화하여 성형품이 형성된다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2004-174801호
그런데, 일반적으로 수지 밀봉에 이용되는 수지 재료(에폭시계 등의 열경화성 수지)는, 감압 분위기에 있어서 가열 용융되면, 수지 중에 내재하는 휘발 성분이 기화되어 발포하기 때문에, 이 발생된 가스가 수지 밀봉의 내부에 기포가 되어 잔류하여, 보이드의 발생 원인이 된다.
그러나, 이와 같은 종래의 수지 밀봉 장치에서는, 상형의 기판 재치부에 대한 기판의 흡착을 유지하기 위하여, 상형 및 하형 사이의 공간과 흡착용 오목부가 수천 Pa 정도의 압력차를 확보해야 하여, 상형 및 하형 사이의 공간을 약 100Pa 이하의 고진공까지 감압할 수 없었다.
이로써, 수지 재료의 가열 용융으로 발생한 가스는, 상형 및 하형 사이의 공간으로부터 확실하게 배기되지 않고, 수지 밀봉의 내부에 기포가 되어 잔존하여, 보이드가 발생하기 쉬워져 품질이 저하된다는 문제가 있었다.
또, 단순히 칩 및 와이어를 용융 수지에 침지시킨 것만으로는, 기판과 칩의 사이에 있어서 와이어를 제외한 간극에 공기층이 잔존하고 있다. 이 공기층이 보이드가 되어 용융 수지의 침입을 방해하기 때문에, 간극 전체에 용융 수지가 확산되지 않는다. 이와 같은 수지 미충전의 성형품에서는, 기판으로부터 칩을 취하기 쉽고 또한 전기적 특성이 안정적이지 않다는 문제가 있었다.
따라서, 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판의 확실한 흡착 유지를 무시하고 상형 및 하형 사이의 공간을 약 100Pa 이하의 고진공 근처까지로 감압한 경우에는, 감압의 도중에 기판이 낙하하여, 보이드를 내재한 상태로 밀봉할 뿐만 아니라, 용융 수지에 기판이 낙하함으로써, 기판은 상형의 기판 재치부에 대한 당초의 흡착 유지 위치에서 위치 어긋남이 발생하는 경우가 있다. 이 위치 어긋남에 의하여 기판의 일부가 수지 밀봉되지 않고 노출하는 등, 불량품이 발생하기 쉬워 수율이 저하된다는 문제가 있었다.
또, 상형의 기판 재치부에 요설(凹設)되는 흡착용 오목부의 크기는, 기판의 대부분을 흡착하는 광범위이기 때문에, 상형과 하형의 형체결로 수십 톤의 압력을 가하여 프레스 성형이 행해지면, 압력이 기판에 있어서 비교적 큰 흡착용 오목부에 집중적으로 가해져, 이로써 기판이 국부적으로 갈라지기 쉬워진다는 문제도 있었다.
이와 같은 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 관한 수지 밀봉 장치는, 반도체 소자가 탑재된 워크의 지지면을 갖는 제1 성형 금형과, 상기 제1 성형 금형의 상기 지지면에 지지된 상기 워크의 상기 반도체 소자가 탑재되는 재치면과 대향하여 미경화 수지가 공급되는 캐비티를 갖는 제2 성형 금형과, 상기 제1 성형 금형 및 상기 제2 성형 금형의 사이에 형성되는 개폐 가능한 감압실과, 상기 제1 성형 금형 또는 상기 제2 성형 금형 중 어느 한쪽 혹은 양쪽 모두를 상기 제1 성형 금형 및 상기 제2 성형 금형의 대향 방향으로 상대적으로 접근 이동시켜 상기 감압실을 형성하는 구동부와, 상기 감압실 및 외부 공간에 걸쳐 배기 또는 급기하여 대기 분위기로부터 소정 진공도의 감압 분위기까지 내압 조정하는 압력 조정부와, 상기 구동부 및 상기 압력 조정부를 작동 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 성형 금형의 상기 지지면은, 상기 워크의 상기 재치면과 반대 측의 비재치면과 착탈 가능하게 접하는 점착부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 압력 조정부에 의하여 상기 감압실이 약 100Pa 이하의 고진공이 된 상태에서, 상기 구동부에 의하여 상기 워크의 상기 재치면이 상기 캐비티 내의 상기 미경화 수지에 침지되도록 제어하는 것을 특징으로 한다.
또 본 발명에 관한 수지 밀봉 장방법은, 대기 분위기에서 상기 제1 성형 금형 및 상기 제2 성형 금형의 대향 방향으로 상대적으로 이격 이동한 상기 제1 성형 금형의 지지면에 대하여, 반도체 소자가 탑재된 워크를, 상기 지지면에 마련된 점착부에서 점착 지지함과 함께, 상기 제2 성형 금형의 캐비티 내에 미경화 수지를 공급하는 반입 공정과, 상기 제1 성형 금형 또는 상기 제2 성형 금형 중 어느 한쪽 혹은 양쪽 모두를 상기 구동부에서 상기 제1 성형 금형 및 상기 제2 성형 금형의 대향 방향으로 상대적으로 접근 이동시켜, 상기 제1 성형 금형과 상기 제2 성형 금형의 사이에 감압실을 형성함과 함께, 압력 조정부에서 상기 감압실로부터 외부 공간으로 배기하여 대기 분위기로부터 감압시키는 감압 공정과, 상기 감압실이 약 100Pa 이하의 고진공이 된 상태에서, 상기 구동부에 의하여 상기 워크의 상기 재치면 및 상기 반도체 소자를 상기 캐비티 내의 상기 미경화 수지에 침지시키는 침지 공정과, 상기 미경화 수지를 경화시켜 상기 워크의 상기 재치면 및 상기 반도체 소자를 수지 밀봉하는 경화 공정과, 상기 압력 조정부에서 상기 외부 공간으로부터 상기 감압실로 급기하여 대기 분위기로 되돌림과 함께, 상기 워크의 상기 재치면의 상기 점착부로부터 상기 워크의 상기 재치면과 반대 측의 비재치면을 박리하여, 상기 제1 성형 금형과 상기 제2 성형 금형을 상기 구동부에 의하여 이격 이동시키는 반출 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 수지 밀봉 장치의 전체 구성을 나타내는 설명도이며, 초기 상태(반입 공정)의 종단 정면도이다.
도 2는 동 평면도 및 단면도이며, (a)가 미경화 수지나 이형 시트를 생략한 축소 횡단 평면도, (b)가 도 2(a)의 (2B)-(2B)선을 따른 종단면도이다. 또한, 도 1은, 도 2(a)의 (1)-(1)선을 따른 종단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 관한 수지 밀봉 방법의 작동 과정을 나타내는 설명도이며, (a)가 감압 공정의 종단 정면도, (b)가 침지 공정의 종단 정면도이다.
도 4는 그 후의 작동 과정을 나타내고, (a)가 가압 공정의 종단 정면도, (b)가 플런저에 의한 가압 상태 및 경화 공정의 종단 정면도이다.
도 5는 그 후의 작동 과정을 나타내고, (a)가 반출 공정의 종단 정면도, (b)가 성형품의 취출 상태의 종단 정면도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 관한 장치의 변형예를 나타내는 설명도이며, 초기 상태(준비 공정)의 종단 정면도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 관한 수지 밀봉 장치의 변형예를 나타내는 설명도이며, 초기 상태(준비 공정)의 종단 정면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 근거하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시형태에 관한 수지 밀봉 장치(A)는, 반도체 조립 프로세스에 있어서, 워크(W)에 복수의 반도체 소자(C)를 탑재하고, 워크(W)의 기판 단자와 반도체 소자(C)가 와이어 등의 접속 부재(C1)로 접속된 제품을, 충격, 온도, 습도 등의 요인으로부터 지키기 위하여, 접속 부분(C1)의 주위를 미경화 수지(R)로 밀봉하여 경화시키는 "몰드 성형(수지 밀봉, 수지 성형)"용 제조 장치이다.
워크(W)로서는, 실리콘 웨이퍼, 유리, 금속 시트, 글라스 클로스, BT 레진 등으로 이루어지는 기판이나 그에 유사한 것을 들 수 있다.
반도체 소자(C)로서는, 반도체 칩 등의 칩 형상의 전자 부품을 들 수 있고, 워크(W)로서 실리콘 웨이퍼나 유리 등으로 이루어지는 기판의 재치면(W1)에 복수의 반도체 소자(C)를 탑재하는 경우에는, 복수의 반도체 소자(C)가 열상(列狀) 또는 격자상으로 탑재된다. 접속 부분(C1)로서는, 범프나 와이어 등을 들 수 있다.
미경화 수지(R)로서는, 시트상, 분말상, 과립상, 젤상 등의 것이 이용된다. 미경화 수지(R)의 재료로서는, 에폭시계 수지 등의 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 에폭시계 수지의 경우는, 가열을 개시하여 소정 시간 동안 열분해하여, 용융 상태로부터 시간 경과에 따라 점도가 높아져, 비교적 단시간에 젤화되어 고화시키기 때문에, 몰드 성형에 적합하다.
이와 같이 수지 밀봉 장치(A)에서 제조된 성형품(M)은, 일반적으로 다이싱 등의 분할 공정을 거쳐, 최종 제품인 반도체 패키지 등의 패키지를 완성시킨다.
자세하게 설명하면, 본 발명의 실시형태에 관한 수지 밀봉 장치(A)는, 도 1~도 7에 나타내는 바와 같이, 워크(W)의 지지면(11)을 갖는 제1 성형 금형(1)과, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 지지된 워크(W)의 재치면(W1)과 대향하여 캐비티(21)을 갖는 제2 성형 금형(2)와, 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)의 사이에 형성되는 개폐 가능한 감압실(31)과, 제1 성형 금형(1) 또는 제2 성형 금형(2) 중 어느 한쪽 혹은 양쪽 모두를 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)의 대향 방향으로 상대적으로 접근 이동시켜 감압실(31)을 형성하는 승강용 구동부(4)와, 감압실(31) 및 외부 공간(O)에 걸쳐 배기 또는 급기하여 감압실(31)의 내압을 조정하는 압력 조정부(5)를 주요한 구성 요소로서 구비하고 있다.
또한 필요에 따라, 적어도 미경화 수지(R) 및 캐비티(21)의 사이에는, 이형 시트(S)를 이용하는 것이 바람직하고, 캐비티(21) 내의 미경화 수지(R)을 가압하여 압축 성형하는 것이 바람직하다.
이로 인하여, 본 발명의 실시형태에 관한 수지 밀봉 장치(A)는, 캐비티(21)에 대한 이형 시트(S)의 위치 결정부(6)과, 미경화 수지(R)을 압축하는 가압부(7)을 구비하는 것이 바람직하다.
구동부(4), 압력 조정부(5), 위치 결정부(6) 및 가압부(7) 등은, 제어부(8)과 전기적으로 연통되어, 제어부(8)로 각각 작동 제어된다.
또한, 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)는, 도 1~도 7에 나타나는 바와 같이 통상, 상하 방향으로 대향하도록 배치되며, 상측의 제1 성형 금형(1)과 하측의 제2 성형 금형(2)가 접근 또는 격리되는 방향을 이하 "Z 방향"이라고 한다. Z 방향과 교차하는 워크(W)에 따른 방향을 이하 "XY 방향"이라고 한다.
제1 성형 금형(1)은, 금속 등의 강체로서 왜곡(휨) 변형하지 않는 두께의 평판 형상으로 형성되며, 그 표면에는, 워크(W)의 재치면(W1)과 반대 측의 비재치면(W2)와 Z 방향으로 대향하는 지지면(11)을 갖고 있다.
제1 성형 금형(1)의 구체예로서 도 1~도 7에 나타나는 예의 경우에는, 제1 성형 금형(1)이 몰드 성형의 기판 측에 배치되는 상형이다. 이 상형의 내측면의 중앙부 또는 전체에는, 평활한 지지면(11)이, 워크(W)의 비재치면(W2)와 접촉하도록 형성된다.
제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에는, 워크(W)의 비재치면(W2)와 착탈 가능하게 접하는 지지 척으로서 점착부(12)가 마련된다.
도 1~도 7에 나타나는 예에서는, 워크(W)로서 원판 형상의 실리콘 웨이퍼가 이용되며, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 대하여 실리콘 웨이퍼를 지지 척의 점착부(12)로 매달아 지지하고 있다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 워크(W)로서 실리콘 웨이퍼 대신에 유리, 금속 시트, 글라스 클로스, BT 레진 등으로 이루어지는 기판이나 그에 유사한 것을 지지(매달아 지지)하거나, 워크(W)의 외형상을 직사각형(장방형 및 정방형을 포함하는 각이 직각인 사변형)상 등으로 변경 가능하다.
점착부(12)는, 그 전체 또는 일부가 예를 들면 불소 고무나 엘라스토머, 뷰틸 고무, 감광성 수지, 아크릴계나 실리콘계 등의 점착 재료로 이루어진다. 점착부(12)는, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)로부터 후술하는 감압실(31)을 향하여 돌출되는 탄성 변형 가능한 점착면(12a)를 갖는 것이 바람직하다.
이로써, 감압실(31)이 소정 진공도의 감압 분위기(DP)가 되어도 워크(W)가 낙하하지 않게 된다.
점착부(12)의 형상은, 시트상으로 형성하는 것이 바람직하다.
점착부(12)의 사이즈는, 워크(W)의 재치면(W1)보다 훨씬 작게 설정하여, 복수의 점착부(12)를 각각 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 분산하여 배치하는 것이 바람직하다.
점착부(12)의 구체예로서 도 1~도 7에 나타나는 예의 경우에는, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 복수의 홈부(11a)가 분산하여 형성되며, 각 홈부(11a)의 직경을 약 10mm 이하로 설정하고 있다. 각 홈부(11a)의 내부에는, 점착부(12)가 되는 점착 시트가 끼워 붙여지고, 그 점착면(12a)가 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)로부터 약간(약 50μm 이하) 돌출되어 있다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 워크(W)의 지지 척으로서 점착부(12)에 더하여, 흡착 척이나 정전 척을 병용하는 것도 가능하다.
또한 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)은, 워크(W)의 비재치면(W2)를 점착부(12)의 점착면(12a)를 향하여 이동시켜 압압하는 압압부(13)과, 점착부(12)의 점착면(12a)로부터 워크(W)의 비재치면(W2)를 박리하는 박리부(14)를 갖는 것이 바람직하다.
압압부(13)에 의한 워크(W)의 압압력은, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)로부터 약간 돌출되는 점착부(12)의 점착면(12a)를 워크(W)의 비재치면(W2)로 압착하여, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)과 워크(W)의 비재치면(W)가 밀접하고, 양자 간에 미경화 수지(R)이 들어가는 간극이 발생하지 않도록 설정된다.
압압부(13)의 구체예로서 도 1~도 7에 나타나는 예의 경우에는, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 흡착 구멍(13a)가 개설되고, 흡착 구멍(13a)의 사이즈를 홈부(11a)의 사이즈와 대략 동등하게 설정하여 복수 분산 배치하고 있다. 각 흡착 구멍(13a)는, 진공 흡인 또는 기체 분사하는 컴프레서 등의 액추에이터(도시하지 않음)와 연통되어 있다. 액추에이터의 작동으로 흡착 구멍(13a)로부터 진공 흡인함으로써, 워크(W)의 비재치면(W2)가 점착부(12)를 향하여 끌어 당겨져 비재치면(W2)를 점착면(12a)에 압압한다.
박리부(14)로서는, 제1 성형 금형(1)에 대하여 Z 방향으로 왕복 이동 가능하게 마련되는 압핀(14a)를 이용하여, 압핀(14a)의 선단에서 워크(W)의 비재치면(W2)를 점착면(12a)로부터 떼어내는 것이 바람직하다. 박리부(14)의 다른 예로서 흡착 구멍(13a)로부터 압축 기체를 분사함으로써, 점착면(12a)로부터 워크(W)의 비재치면(W2)를 떼어내는 것도 가능하다.
도 1~도 7에 나타나는 예의 경우에는, 각 흡착 구멍(13a)의 주위에 복수의 점착부(12)가 분산 배치되어 있다. 도 5(a)에 나타나는 예의 경우에는, 박리부(14)로서 압핀(14a)만으로 워크(W)를 떼어내고 있다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 워크(W)의 압압부(13)으로서 흡착 구멍(13a) 대신에 정전 척을 이용하여, 정전 척에 의한 전자적인 인력으로 워크(W)의 비재치면(W2)를 점착부(12)를 향하여 끌어 당겨 압압하거나, 전기적인 척력(斥力)으로 점착면(12a)로부터 워크(W)의 비재치면(W2)를 떼어내거나 변경 가능하다. 박리부(14)로서 압핀(14a)와, 흡착 구멍(13a)로부터의 압축 기체의 분사를 병용하는 것도 가능하다.
제2 성형 금형(2)는, 금속 등의 강체로서 왜곡(휨) 변형하지 않는 두께의 평판 형상으로 형성되고, 반도체 소자(C)를 탑재한 워크(W)의 재치면(W1)과 Z 방향으로 대향하는 제2 성형 금형(2)의 표면은, 미경화 수지(R)이 공급되는 캐비티(21)을 갖는다. 캐비티(21)은, 적어도 워크(W)의 재치면(W1)과 반도체 소자(C)의 접속 부재(C1)이 모두 들어가는 크기(용적)의 오목 형상으로 형성된다.
또한, 적어도 제2 성형 금형(2)에는, 캐비티(21) 및 그 주위를 가열하기 위한 히터(도시하지 않음)가 마련된다. 또한, 히터를 제1 성형 금형(1)에 마련하는 것도 가능하다.
제2 성형 금형(2)의 구체예로서 도 1~도 7에 나타나는 예의 경우에는, 몰드 성형의 수지 측에 배치되는 하형이다. 이 하형의 내측면의 중앙부에는, 미경화 수지(R)과 모든 반도체 소자(C) 및 접속 부재(C1)이 들어가는 원형상의 캐비티(21)과, 워크(W)의 전체가 들어가는 원형상의 오목부를 연속해서 일체적으로 형성하고 있다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 캐비티(21)의 형상은, 워크(W)의 외형상에 대응하여 직사각형상 등으로 변경하거나, 워크(W)의 전체가 들어가는 오목부를 형성하지 않고 캐비티(21)만을 형성하거나 변경 가능하다.
미경화 수지(R)의 구체예로서 도 1~도 5에 나타나는 예의 경우에는, 시트상의 열경화성 수지(R1)이 캐비티(21) 내에 공급되어, 히터로 가열 용융되고 있다.
또, 미경화 수지(R)의 다른 예로서 도 6에 나타나는 바와 같이 분말상 또는 과립상의 열경화성 수지(R2)가 캐비티(21) 내에 공급되어, 히터로 가열 용융되거나, 도 7에 나타나는 바와 같이 미경화 수지층(R31)이 수지 함침 섬유 기재(R32)에 함침된 섬유 함수지 기판(R3)을 캐비티(21) 내에 공급하거나, 도시하지 않지만 젤상의 미경화 수지를 캐비티(21) 내에 공급하는 등 변경 가능하다.
도 6에 나타나는 바와 같이 분말상 또는 과립상의 열경화성 수지(R2)는, 시트상의 열경화성 수지(R1)이나 섬유 함수지 기판(R3)에 비하여, 미경화 수지(R)의 미묘한 용량 조정을 용이하게 행할 수 있어 작업성이 우수하다는 이점이 있다.
도 7에 나타나는 섬유 함수지 기판(R3)은, 일본 특허공보 제5934078호에 기재되는 바와 같이, XY 방향의 선팽창 계수가 3ppm보다 작은 탄소 섬유, 유리 섬유, 석영 유리 섬유 등으로 이루어지는 수지 함침 섬유 기재(R32)와, 수지 함침 섬유 기재(R32)의 편면 상에 형성된 미경화의 에폭시계 수지 등으로 이루어지는 미경화 수지층(R31)을 갖고 있다.
도 7에 나타나는 변형예에서는, 미경화 수지층(R31)을 경화시켰을 때의 수축 응력이 억제 가능해지기 때문에, 워크(W)로서 대구경(大口俓) 웨이퍼나 금속 등의 대구경 기판을 밀봉한 경우, 특히 얇은 것을 밀봉하는 경우이더라도, 워크(W)(웨이퍼나 기판)의 만곡, 워크(W)(웨이퍼나 기판)로부터의 반도체 소자(C)의 박리, 워크(W)(웨이퍼나 기판)의 파손을 억제할 수 있고, 반도체 소자(C)를 탑재한 워크(W)(웨이퍼나 기판)의 재치면(W1), 또는 반도체 소자(C)를 형성한 워크(W)(웨이퍼나 기판)의 재치면(W1)을 워크(W)(웨이퍼나 기판)의 레벨로 일괄 밀봉할 수 있으며, 또한 밀봉 후에는 내열성이나 내습성 등의 밀봉 성능이 우수하다는 이점이 있다.
또한, 제2 성형 금형(2)는, 캐비티(21)의 바닥면부를 구성하는 중앙 부위(22)와, 캐비티(21)의 측면부를 구성하는 외측 부위(23)으로 분할되고, 중앙 부위(22) 및 외측 부위(23)의 사이에는, 이형 시트(S)의 위치 결정부(6)으로서 흡착용 슬릿(61)을 형성하는 것이 바람직하다.
흡착용 슬릿(61)은, 진공 펌프 등의 흡기 장치(62)와 연통되어, 신축성이 우수한 이형 시트(S)가 캐비티(21)의 바닥면부 및 측면부의 형상을 따라 굴곡 변형하도록 위치 결정 지지한다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 제2 성형 금형(2)를 중앙 부위(22)와 외측 부위(23)으로 분할하지 않고 일체 형성하는 것도 가능하다.
외측 부위(23)은, 이형 시트(S)의 유무와 관계없이 제1 성형 금형(1)과 접하는 종동부(23a)와, 제1 성형 금형(1) 및 종동부(23a)의 Z 방향으로의 이동을 규제하는 스토퍼(23b)와, 종동부(23a)를 제1 성형 금형(1)을 향하여 상시 부세하는 탄성 부재(23c)를 갖고 있다.
종동부(23a)는, Z 방향으로 왕복 이동 가능하게 지지되고, 제1 성형 금형(1)이 종동부(23a)을 통하여 스토퍼(23b)와 맞닿은 상태에서, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)로부터 캐비티(21)의 바닥면부까지의 간격이, 워크(W)를 포함시킨 성형품(M)의 두께와 동일해지도록 설정되어 있다.
또한, 외측 부위(23)에는, 미경화 수지(R)의 가압부(7)을 마련하는 것이 바람직하다.
미경화 수지(R)의 가압부(7)은, 캐비티(21)의 외측에 연속해서 형성되는 월유로(越流路)(71)과, 월유로(71)을 향하여 돌출 가능하게 마련되는 플런저(72)를 갖고 있다.
플런저(72)는, 월유로(71)의 용적을 감소시키기 위하여 종동부(23a) 등에 대하여 Z 방향으로 왕복 이동 가능하게 지지되며, 캐비티(21) 내의 미경화 수지(R)에 대한 반도체 소자(C) 등의 침지에 따라 캐비티(21)로부터 월유로(71)로 넘쳐 나온 미경화 수지(R)을 압축하도록 구성되어 있다.
가압부(7)의 구체예로서 도 1~도 7에 나타나는 예의 경우에는, 캐비티(21)을 중심으로 하여 복수의 월유로(71)이 XY 방향으로 방사상으로 형성되며, 각 월유로(71)의 바닥면 선단에 플런저(72)를 배치하고 있다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 외측 부위(23)와 가압부(7)의 형상 및 구조를 도시 이외의 형상 및 구조로 변경하는 것도 가능하다.
감압실(31)은, 진공 챔버 등으로 이루어지는 진공 장치(3)의 내부에 형성되고, 진공 펌프 등의 배기 장치(5)의 작동으로 감압실(31)로부터 기체를 배출(진공 배기, 진공 흡인)한다. 이로써, 감압실(31)은, 대기 분위기(AP)로부터 소정 진공도의 감압 분위기(DP)까지 변압 조정 가능하게 구성된다.
진공 장치(3)은, 감압실(31)에 워크(W), 미경화 수지(R), 이형 시트(S) 및 성형품(M) 등을 출입시키기 위하여 그 전체 또는 일부가 개폐 가능하게 구성된다. 진공 장치(3) 내의 감압실(31)과 진공 장치(3)의 외부 공간(O)에 걸쳐, 예를 들면 반송 로봇 등의 반송 기구(도시하지 않음)를 마련함으로써 자동화를 도모할 수 있다.
자세하게 설명하면, 감압실(31)이 대기 분위기(AP)일 때에, 워크(W), 미경화 수지(R) 및 이형 시트(S)를 반송 기구에 의하여 감압실(31)로 각각 반입한다. 감압실(31)이 소정 진공도의 감압 분위기(DP)가 된 후, 몰드 성형을 행한다. 몰드 성형이 완료된 후는, 대기 분위기(AP)로 되돌려 성형품(M)을 감압실(31)로부터 외부 공간(O)로 반출한다.
진공 장치(3)의 구체예로서 도 1~도 7에 나타나는 예의 경우에는, 진공 장치(3)의 상측을 구성하는 제1 성형 금형(1)의 외주에 주벽부(32)가, 진공 장치(3)의 하측을 구성하는 제2 성형 금형(2)의 외주부와 착탈 가능하게 밀접하도록 마련되어 있다. 주벽부(32)는, 제2 성형 금형(2)의 외주부와 Z 방향으로 밀착하는 시일 부위(32a)와, Z 방향으로 탄성 변형 가능한 신축 부위(32b)를 갖고 있다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 제1 성형 금형(1)의 주벽부(32) 대신에, 제2 성형 금형(2)의 외주에 주벽부를 마련하거나, 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)의 외주에 Z 방향으로 분리 가능한 주벽부를 마련하거나 변경 가능하다.
승강용 구동부(4)는, 제1 성형 금형(1) 또는 제2 성형 금형(2) 중 어느 한쪽 혹은 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)의 양쪽 모두를 Z 방향으로 왕복 이동시키는 액추에이터 등으로 구성되며, 후술하는 제어부(8)에 의하여 작동 제어되고 있다.
제어부(8)에 의한 구동부(4)의 제어예로서는, 도 1의 실선으로 나타나는 바와 같은 감압실(31)로의 워크(W), 미경화 수지(R) 및 이형 시트(S)의 반입 시, 도 5(a)(b)에 나타나는 바와 같은 감압실(31)로부터의 성형품(M)의 반출 시에는, 승강용 구동부(4)에서 제1 성형 금형(1) 또는 제2 성형 금형(2) 중 어느 한쪽을 다른 쪽으로부터 Z 방향으로 상대적으로 이격 이동시키거나, 혹은 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)의 양쪽 모두를 서로 Z 방향으로 상대적으로 이격 이동시키고 있다. 그 이외는, 도 3(a)(b) 및 도 4(a)(b)에 나타나는 바와 같이, 승강용 구동부(4)에서 제1 성형 금형(1) 또는 제2 성형 금형(2) 중 어느 한쪽을 다른 쪽으로부터 Z 방향으로 상대적으로 접근 이동시키거나, 혹은 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)의 양쪽 모두를 서로 Z 방향으로 상대적으로 접근 이동시킨다. 특별히 필요가 있는 경우에는 더 접근 이동시켜 가압한다.
승강용 구동부(4)의 구체예로서 도 1에 나타나는 예의 경우에는, 제1 성형 금형(1)만을 승강용 구동부(4)와 연계시켜, 제1 성형 금형(1) 측을 제2 성형 금형(2) 측을 향하여 Z 방향으로 접근 이동시키고 있다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 제2 성형 금형(2)만을 승강용 구동부(4)와 연계시켜, 제2 성형 금형(2) 측을 제1 성형 금형(1) 측을 향하여 Z 방향으로 상대적으로 접근 이동시키거나, 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)를 각각 승강용 구동부(4)와 연계시켜, 제1 성형 금형(1) 측과 제2 성형 금형(2) 측을 동시에 Z 방향으로 접근 이동시키거나 변경하는 것도 가능하다.
제어부(8)은, 승강용 구동부(4), 압력 조정부(5)뿐만 아니라, 흡착 구멍(13a)의 액추에이터, 이형 시트(S)의 위치 결정부(6)의 흡기 장치(62), 미경화 수지(R)의 가압부(7)의 플런저(72), 워크(W), 미경화 수지(R) 및 이형 시트(S)의 반송 기구 등에도 전기적으로 접속하는 컨트롤러이다.
제어부(8)이 되는 컨트롤러는, 그 제어 회로(도시하지 않음)에 미리 설정된 프로그램에 따라, 미리 설정된 타이밍에 순차 각각 작동 제어하고 있다.
그리고, 제어부(8)의 제어 회로에 설정된 프로그램을, 성형품(M)을 생산하기 위한 수지 밀봉 방법으로서 설명한다.
본 발명의 실시형태에 관한 수지 밀봉 방법은, 개구된 감압실(31)에 워크(W), 미경화 수지(R) 및 이형 시트(S)를 반입하여 세팅하는 반입 공정과, 제1 성형 금형(1)과 제2 성형 금형(2)의 사이에 형성된 감압실(31)을 감압시키는 감압 공정과, 약 100Pa 이하의 고진공 상태에서 워크(W)의 재치면(W1)을 캐비티(21) 내의 미경화 수지(R)에 침지시키는 침지 공정과, 미경화 수지(R)을 경화시켜 워크(W)의 재치면(W1) 및 반도체 소자(C)를 수지 밀봉하는 경화 공정과, 감압실(31)을 대기 개방하여 개구시켜 성형품(M)을 취출하는 반출 공정을 주요한 공정으로서 포함하고 있다.
특히, 침지 공정과 경화 공정의 사이에는, 제1 성형 금형(1) 또는 제2 성형 금형(2) 중 어느 한쪽 혹은 양쪽 모두를 승강용 구동부(4)에 의하여 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)의 대향 방향(Z 방향)으로 더 접근 이동시키는 가압 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
반입 공정에서는, 도 1 및 도 2 또는 도 6 혹은 도 7에 나타내는 바와 같이, 대기 분위기(AP)에서 Z 방향으로 상대적으로 이격 이동한 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 대하여, 워크(W)를 반송 기구로 반입하여 점착부(12)에 의하여 점착 지지함과 함께, 반송 기구로 제2 성형 금형(2)의 캐비티(21)에 대하여, 이형 시트(S)와 미경화 수지(R)을 순차 공급하여 각각 소정 위치에 세팅하고 있다.
감압 공정에서는, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 제1 성형 금형(1) 또는 제2 성형 금형(2) 중 어느 한쪽 혹은 양쪽 모두를 승강용 구동부(4)에서 Z 방향으로 상대적으로 접근 이동시켜, 제1 성형 금형(1)과 제2 성형 금형(2)의 사이에 걸쳐 감압실(31)을 형성함과 함께, 압력 조정부(5)에서 감압실(31)로부터 외부 공간(O)로 배기하여 대기 분위기(AP)로부터 감압시키고 있다.
침지 공정에서는, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 감압실(31)이 약 100Pa 이하의 고진공이 된 상태에서, 구동부(4)에 의하여 워크(W)의 재치면(W1) 및 반도체 소자(C)를 캐비티(21) 내의 미경화 수지(R)에 침지시키고 있다.
이때, 미경화 수지(R)은, 히터로 열 용융되어 있다. 이로 인하여, 워크(W)의 재치면(W1) 및 반도체 소자(C)가 침지되면, 용융 상태의 미경화 수지(R)이 월유로(71)로 넘쳐 나온다. 가압 공정에서는, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 제1 성형 금형(1)과 접한 외측 부위(23)의 종동부(23a)가, 스토퍼(23b)에 닿을 때까지 Z 방향으로 접근 이동시켜 형체결을 행하여, 미경화 수지(R)이 압축된다. 이에 이어서 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 플런저(72)가 월유로(71)을 향하여 돌출되어, 캐비티(21)로부터 월유로(71)로 넘쳐 나온 미경화 수지(R)을 더 압축시키고 있다.
그 후의 경화 공정에서는, 캐비티(21) 및 월유로(71) 내의 미경화 수지(R)이 모두 경화되어, 워크(W)의 재치면(W1) 및 반도체 소자(C)와, 양자 사이의 접속 부재(C1)을 제외한 간극(C2)가 일체적으로 수지 밀봉된다.
미경화 수지(R)의 경화 후는, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 플런저(72)가 역이동하여 반출 공정으로 이동한다.
반출 공정에서는, 압력 조정부(5)에서 외부 공간(O)로부터 감압실(31)로 급기하여 대기 분위기(AP)로 되돌림과 함께, 박리부(14)에서 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)의 점착부(12)로부터 워크(W)의 비재치면(W2)를 박리한 후, 제1 성형 금형(1)과 제2 성형 금형(2)를 승강용 구동부(4)에 의하여 이격 이동시키고 있다.
그 후도 제1 성형 금형(1)과 제2 성형 금형(2)가 이격 이동하여, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이 진공 장치(3)이 개구된바, 수지 밀봉이 완료된 성형품(M) 및 이형 시트(S)를 반송 기구에 의하여 감압실(31)로부터 외부 공간(O)로 반출한다. 성형품(M)과 이형 시트(S)는, 감압실(31) 내 또는 외부 공간(O)에 있어서 분리된다.
이와 같은 본 발명의 실시형태에 관한 수지 밀봉 장치(A) 및 수지 밀봉 방법에 의하면, 감압실(31) 내가 압력 조정부(5)에 의하여 감압 분위기(DP)로서 약 100Pa 이하의 고진공까지 감압되어도, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 점착부(12)에서 워크(W)의 비재치면(W2)가 점착 지지된다.
이 고진공 상태에서 구동부(4)에서 워크(W)의 재치면(W1)을 캐비티(21) 내의 미경화 수지(R)에 침지시킴으로써, 워크(W)의 재치면(W1)과 반도체 소자(C)의 접속 부재(C1)을 제외한 간극(C2)의 전체에 미경화 수지(R)이 원활하게 침입하여, 수십 um 정도의 좁은 간극(C2)이더라도 충분히 미경화 수지(R)이 확산된다.
그 결과, 상형의 기판 재치부에 대한 기판의 흡착을 유지하기 위하여 상형 및 하형 사이의 공간과 흡착용 오목부의 사이에 수천 Pa 정도의 압력차를 확보할 필요가 있는 종래의 것에 비하여, 감압실(31) 내에서 미경화 수지(R)이 발포되어도, 압력 조정부(5)에서 가스를 감압실(31)의 외부로 효율적으로 배기 가능해짐과 동시에, 워크(W)의 재치면(W1) 및 반도체 소자(C)의 간극(C2)로부터 확실하게 배기 가능해진다. 이로 인하여, 수지 밀봉의 내부에 기포가 되어 잔존하지 않고, 보이드의 발생을 방지할 수 있어, 고정밀도로 수지 밀봉된 패키지를 실현할 수 있어, 품질의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 감압실(31) 내의 감압에 관계없이, 점착부(12)에서 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 대하여 워크(W)의 비재치면(W2)의 위치가 어긋나지 않도록 점착 지지되기 때문에, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 대한 워크(W)의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 이로 인하여, 보다 고정밀도로 수지 밀봉된 패키지를 실현할 수 있어, 안정성 및 수율의 향상을 도모할 수 있다.
특히, 점착부(12)를 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 복수 각각 분산 배치하는 것이 바람직하다.
이 경우에는, 점착부(12)나 점착부(12)를 장착하는 홈부(11a)의 사이즈가 워크(W)의 사이즈보다 훨씬 작아진다. 이로 인하여, 제1 성형 금형(1)과 제2 성형 금형(2)의 형체결로 워크(W)에 대하여 수십 톤의 압력을 가하여 프레스 성형이 행해져도, 워크(W)에 큰 압력이 집중적으로 가해지기 어려워진다.
이 작용을 실증하기 위하여, 이하의 실험을 행했다.
·실시예: 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 직경 10mm 이하의 볼록부를 마련한 것과, 직경 10mm 이하의 오목부가 마련된 것을 준비했다.
·비교예: 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 직경 10mm보다 큰 볼록부를 마련한 것과, 직경 10mm보다 큰 오목부가 마련된 것을 준비했다.
·실험 장치: 실시예 또는 비교예의 제1 성형 금형(1)과 제2 성형 금형(2)의 형체결에 의하여, 워크(W)로서 실리콘 웨이퍼에 대하여 수십 톤의 압력을 가한다. 이로써, 실리콘 웨이퍼에 균열이 발생하는지 여부를 조사했다.
·실험 결과: 직경 10mm 이하의 볼록부 및 오목부의 실시예에서는, 실리콘 웨이퍼에 균열이 발생하지 않았다.
반면에, 직경 10mm보다 큰 볼록부 및 오목부의 비교예에서는, 실리콘 웨이퍼에 균열이 발생했다.
따라서, 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)에 의한 형체결로 워크(W)에 대하여 국부적으로 큰 압력이 가해지는 것을 방지할 수 있다.
그 결과, 상형의 기판 재치부에 요설되는 흡착용 오목부의 크기가 기판의 대부분을 흡착하는 광범위한 종래의 것에 비하여, 워크(W)의 균열을 확실하게 방지할 수 있어, 추가적인 수율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 점착부(12)가, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)로부터 감압실(31)을 향하여 돌출되는 탄성 변형 가능한 점착면(12a)를 갖는 것이 바람직하다.
제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 형성된 홈부(11a)에 대하여, 점착부(12)를 점착면(12a)가 지지면(11)로부터의 돌출량(돌출 사이즈)이 약간(약 50um 이하)이 되도록 장착한 경우에는, 감압실(31)로 반입된 워크(W)의 비재치면(W2)가, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)보다 먼저 점착부(12)의 점착면(12a)와 접촉하여 점착 지지된다. 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)의 형체결에 의하여 점착부(12)의 점착면(12a)가 압축 변형되어, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)과 동일해져 워크(W)의 비재치면(W2)를 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에 밀접시킨다.
따라서, 워크(W)의 반입 시에 있어서의 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)에의 워크(W)의 확실한 점착 지지와, 제1 성형 금형(1) 및 제2 성형 금형(2)의 형체결 시에 있어서의 제1 성형 금형(1)(지지면(11)) 및 워크(W)(비재치면(W2)) 사이로의 미경화 수지(R)의 침입 방지를 동시에 달성할 수 있다.
그 결과, 워크(W)가 안정된 점착 지지를 달성하면서 점착면(12a)의 돌출에 의한 워크(W)의 균열도 방지할 수 있다.
또한 워크(W) 및 제1 성형 금형(1)의 사이에 미경화 수지(R)이 침입함으로써 발생하는 패키지의 불량이 없어져, 추가적인 수율의 향상을 도모할 수 있어, 생산성이 우수하다.
또, 제1 성형 금형(1)의 지지면(11)이, 워크(W)를 점착부(12)의 점착면(12a)를 향하여 이동시켜 압압하는 압압부(13)을 갖는 것이 바람직하다.
이 경우에는, 압압부(13)에 의하여 워크(W)의 비재치면(W2)가 점착부(12)의 점착면(12a)에 접한 후 더 압압되기 때문에, 점착면(12a)가 압축 변형되면서 비재치면(W2)와 압착된다.
따라서, 점착부(12)의 점착면(12a)로부터의 워크(W)의 탈락을 확실하게 방지할 수 있다.
그 결과, 워크(W)의 점착 지지의 안정성이 향상되어 생산성이 우수하다.
또한, 상술한 실시형태에 있어서 도시예에서는, 제1 성형 금형(1)이 몰드 성형의 기판 측에 배치되는 상형이며, 제2 성형 금형(2)가 몰드 성형의 수지 측에 배치되는 하형이지만, 이에 한정되지 않으며, 제1 성형 금형(1)이 몰드 성형의 수지 측에 배치되는 하형이며, 제2 성형 금형(2)가 몰드 성형의 기판 측에 배치되는 상형이어도 된다.
A 수지 밀봉 장치
1 제1 성형 금형
11 지지면
12 점착부
12a 점착면
13 압압부
2 제2 성형 금형
21 캐비티
31 감압실
4 구동부
5 압력 조정부
8 제어부
AP 대기 분위기
DP 감압 분위기
C 반도체 소자
O 외부 공간
R 미경화 수지
W 워크
W1 재치면
W2 비재치면

Claims (5)

  1. 반도체 소자가 탑재된 워크의 지지면을 갖는 제1 성형 금형과,
    상기 제1 성형 금형의 상기 지지면에 지지된 상기 워크의 상기 반도체 소자가 탑재되는 재치면과 대향하여 미경화 수지가 공급되는 캐비티를 갖는 제2 성형 금형과,
    상기 제1 성형 금형 및 상기 제2 성형 금형의 사이에 형성되는 개폐 가능한 감압실과,
    상기 제1 성형 금형 또는 상기 제2 성형 금형 중 어느 한쪽 혹은 양쪽 모두를 상기 제1 성형 금형 및 상기 제2 성형 금형의 대향 방향으로 상대적으로 접근 이동시켜 상기 감압실을 형성하는 구동부와,
    상기 감압실 및 외부 공간에 걸쳐 배기 또는 급기하여 대기 분위기로부터 소정 진공도의 감압 분위기까지 내압 조정하는 압력 조정부와,
    상기 구동부 및 상기 압력 조정부를 작동 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제1 성형 금형의 상기 지지면은, 상기 워크의 상기 재치면과 반대 측의 비재치면과 착탈 가능하게 접하는 점착부를 가지며,
    상기 제어부는, 상기 압력 조정부에 의하여 상기 감압실이 약 100Pa 이하의 고진공이 된 상태에서, 상기 구동부에 의하여 상기 워크의 상기 재치면이 상기 캐비티 내의 상기 미경화 수지에 침지되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 점착부가, 상기 제1 성형 금형의 상기 지지면에 복수 각각 분산 배치되는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 점착부가, 상기 제1 성형 금형의 상기 지지면으로부터 상기 감압실을 향하여 돌출되는 탄성 변형 가능한 점착면을 갖는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 성형 금형의 상기 지지면이, 상기 워크를 상기 점착부의 상기 점착면을 향하여 이동시켜 압압하는 압압부를 갖는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 장치.
  5. 대기 분위기에서 상기 제1 성형 금형 및 상기 제2 성형 금형의 대향 방향으로 상대적으로 이격 이동한 상기 제1 성형 금형의 지지면에 대하여, 반도체 소자가 탑재된 워크를, 상기 지지면에 마련된 점착부에서 점착 지지함과 함께, 상기 제2 성형 금형의 캐비티 내에 미경화 수지를 공급하는 반입 공정과,
    상기 제1 성형 금형 또는 상기 제2 성형 금형 중 어느 한쪽 혹은 양쪽 모두를 상기 구동부에서 상기 제1 성형 금형 및 상기 제2 성형 금형의 대향 방향으로 상대적으로 접근 이동시켜, 상기 제1 성형 금형과 상기 제2 성형 금형의 사이에 감압실을 형성함과 함께, 압력 조정부에서 상기 감압실로부터 외부 공간으로 배기하여 대기 분위기로부터 감압시키는 감압 공정과,
    상기 감압실이 약 100Pa 이하의 고진공이 된 상태에서, 상기 구동부에 의하여 상기 워크의 상기 재치면 및 상기 반도체 소자를 상기 캐비티 내의 상기 미경화 수지에 침지시키는 침지 공정과,
    상기 미경화 수지를 경화시켜 상기 워크의 상기 재치면 및 상기 반도체 소자를 수지 밀봉하는 경화 공정과,
    상기 압력 조정부에서 상기 외부 공간으로부터 상기 감압실로 급기하여 대기 분위기로 되돌림과 함께, 상기 워크의 상기 재치면의 상기 점착부로부터 상기 워크의 상기 재치면과 반대 측의 비재치면을 박리하여, 상기 제1 성형 금형과 상기 제2 성형 금형을 상기 구동부에 의하여 이격 이동시키는 반출 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 방법.
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