JP7200961B2 - 半導体装置の製造方法、及び、樹脂シート - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、及び、その製造方法に用いうる樹脂シートに関する。

近年、スマートフォン、タブレットＰＣといった小型の高機能携帯端末の需要が増大している。こうした小型の高機能携帯端末に用いられる半導体装置のさらなる高機能化及び小型化が求められている。このような要求に応えるために、例えば、２個以上の半導体チップを内包するように封止したマルチチップパッケージ、並びに、複数個のマルチチップパッケージ同士を互いに接合することにより構成されるパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）が注目されている。こうしたパッケージオンパッケージの構成としては、例えば、所定のパッケージ上に、さらに別のパッケージを搭載し、互いに電気的に接続する形態が挙げられる。

上述のようなパッケージを製造するにあたり、実装基板上に半導体チップを搭載する方法としては、いくつかの方法が提案されている。例えば、半導体チップの電極を実装基板側とは反対側に向けて、いわゆるフェイスアップ状態で実装基板に搭載し、半導体チップの電極と実装基板の電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンディング実装が提案されている。また、例えば、半導体チップの電極を実装基板側に向けて、いわゆるフェイスダウン状態で搭載し、半導体チップの電極と実装基板の電極とを直接的に接続するフリップチップ実装が知られている。フリップチップ実装の場合には、通常、半導体チップ側の電極にバンプと称される突起電極を形成し、バンプと実装基板側の電極とを接合させる。

通常は、半導体チップが搭載された実装基板に、封止層を形成することによって、パッケージが得られる。封止層は、例えば、エポキシモールディングコンパウンド等の樹脂組成物を封止材として用いたトランスファーモールド法、封止材で形成された封止フィルムを圧着する真空熱プレス法、等の方法によって、前記樹脂組成物の硬化体を含む硬化体層として形成されうる。封止フィルムを用いる真空プレス法による封止工程は、特許文献１に開示されている。また、特許文献２に記載の技術も知られている。

特開２０１４－２９９５８号公報 特許第６２７２６９０号公報

硬化体層は、例えば、圧縮成型法（コンプレッションモールド法）によって形成されることがある。圧縮成型法では、一般に、成型用の型を用いて硬化体層を形成する。しかし、顆粒及びパウダー等の固形の樹脂組成物を使用する場合には、粉塵が生じ、装置及び製造環境に付着する可能性がある。また、特に大面積の実装基板を封止する場合には、型への樹脂組成物の供給に時間を要し、歩留まりが低下する傾向がある。さらに、固形の樹脂組成物を使用する場合には、硬化体層の膜厚の面内方向におけるバランスが劣る可能性がある。「面内方向」とは、別に断らない限り、厚さ方向に垂直な方向を表す。

また、圧縮成型法において液状の樹脂組成物を用いる場合には、形成される硬化体層にフローマークが生じ易い。さらに、液状の樹脂組成物は、通常、保存安定性に劣る。また、実装基板の形状によっては、樹脂組成物の充填性に劣ることがありうる。例えば、四角形の実装基板に液状の樹脂組成物を用いて圧縮成型法を行うと、充填性に劣ってしまうことがありうる。

これに対し、フィルム状の樹脂組成物を用いた圧縮成型法は、硬化体層の膜厚を面内方向において均一にすることができ、また、フローマークが生じ難い。そこで、本発明者は、フィルム状の樹脂組成物を用いた圧縮成型法について検討を行った。具体的には、支持フィルムと、この支持フィルムの片面全体に設けられた樹脂組成物層とを備える樹脂シートを用いて、圧縮成型法によって実装基板上に硬化体層を形成することを試みた。

しかしながら、前記の樹脂シートを用いた場合、下記のような課題が生じうることが判明した。
例えば、型のキャビティよりも小さい樹脂シートを用いた場合、圧縮成型後に得られる硬化体層に支持フィルムが食い込み、硬化体層の表面に凹凸が形成されうる。このような凹凸が形成された硬化体層を含む製品は出荷に適さないので、前記の凹凸は、歩留まりの低下の原因となりうる。また、硬化体層に支持フィルムが食い込むと、支持フィルムの剥離が難しくなる。

例えば、型のキャビティよりも大きい樹脂シートを用いた場合、硬化体層への支持フィルムの食い込みは抑制できる。しかし、樹脂組成物層の一部が型の外部に流出したり型に付着したりして、装置を汚すことがありうる。

例えば、型のキャビティと同じ大きさの樹脂シートを用いた場合でも、樹脂組成物の流出による装置の汚れが生じることがある。また、型の汚れが生じない場合であっても、通常は硬化体層への支持フィルムの食い込みが生じるので、硬化体層の表面に凹凸が形成されうる。

前記の課題は、実装基板以外の基板を用いた製造方法においても、同様に生じることがあった。

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたものであって、樹脂組成物の硬化体で形成された硬化体層を備える半導体装置を圧縮成型法を用いて製造する製造方法であって、硬化体層における凹凸の形成を抑制でき、且つ、樹脂組成物の流出による型の汚れを抑制できる製造方法；並びに、当該製造方法に用いうる樹脂シート；を提供することを目的とする。

本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、樹脂シートから支持フィルムを剥がし、樹脂組成物層を単独で圧縮成型に供した場合に、前記の課題を解決できることを見い出した。また、本発明者は、樹脂シートが特定の要件を満たす場合に、支持フィルムの剥がしやすさを改善でき且つ支持フィルムの意図しない剥がれを抑制できることを見い出した。本発明者は、前記の知見に基づき、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。

〔１〕 基板を支持できる第一型と、前記第一型に対向して設けられた第二型とを備え、前記第一型及び前記第二型の少なくとも一方にキャビティが形成された圧縮成型装置を用いて、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
前記製造方法が、
前記基板を用意する工程（Ｉ）と、
熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、前記樹脂組成物層の一方の面に接する第一支持フィルムと、を備える樹脂シートを用意する工程（ＩＩ）と、
前記第一支持フィルムを剥がして、前記樹脂組成物層の両方の面で、同時又は非同時に、非被覆状態を得る工程（ＩＩＩ）と、
前記樹脂組成物層を前記キャビティ内に収めて、前記第一型と前記第二型との間で、前記樹脂組成物層と前記基板とを加圧する工程（ＩＶ）と、を含む、半導体装置の製造方法。
〔２〕 工程（ＩＩ）で用意される前記樹脂シートが、前記樹脂組成物層と、前記樹脂組成物層の一方の面に接する前記第一支持フィルムと、前記樹脂組成物層の他方の面に接する第二支持フィルムと、を備え、
工程（ＩＩＩ）が、前記第一支持フィルム及び第二支持フィルムを剥がすことを含む、〔１〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔３〕 前記第一支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ａ［ｇｆ／ｃｍ］が、下記式（１）を満たし、
前記第二支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ｂ［ｇｆ／ｃｍ］が、下記式（２）を満たす、〔２〕に記載の半導体装置の製造方法。
１．５［ｇｆ／ｃｍ］＜ Ｆ_Ａ ＜２０［ｇｆ／ｃｍ］ （１）
１．５［ｇｆ／ｃｍ］＜ Ｆ_Ｂ ＜２０［ｇｆ／ｃｍ］ （２）
〔４〕 前記第一支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ａ［ｇｆ／ｃｍ］、前記第二支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ｂ［ｇｆ／ｃｍ］、及び、１００℃における前記樹脂組成物の溶融粘度η［ｐｏｉｓｅ］が、式（３）を満たす、〔２〕又は〔３〕に記載の半導体装置の製造方法。
０．００００５＜ （Ｆ_Ａ＋Ｆ_Ｂ）／η ＜０．０３ （３）
〔５〕 前記第二支持フィルムの厚さが、１０μｍ～２００μｍである、〔２〕～〔４〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
〔６〕 前記第二支持フィルムの前記樹脂組成物層と接する面が、シリコーン系離型剤で表面処理されている、〔２〕～〔５〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
〔７〕 前記樹脂組成物層の厚さが、４０μｍ以上である、〔１〕～〔６〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
〔８〕 前記第一支持フィルムの厚さが、１０μｍ～２００μｍである、〔１〕～〔７〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
〔９〕 前記第一支持フィルムの前記樹脂組成物層と接する面が、シリコーン系離型剤で表面処理されている、〔１〕～〔８〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
〔１０〕 前記樹脂組成物層が、工程（ＩＶ）において前記樹脂組成物層が加圧されたときに、前記キャビティ内を満たせる容量を有する、〔１〕～〔９〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
〔１１〕 熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、前記樹脂組成物層の一方の面に接する第一支持フィルムと、前記樹脂組成物層の他方の面に接する第二支持フィルムと、を備え、
前記樹脂組成物層の厚さが、４０μｍ以上であり、
前記第一支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ａ［ｇｆ／ｃｍ］、前記第二支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ｂ［ｇｆ／ｃｍ］、及び、１００℃における前記樹脂組成物の溶融粘度η［ｐｏｉｓｅ］が、下記式（１）、式（２）及び式（３）を満たす、樹脂シート。
１．５［ｇｆ／ｃｍ］＜ Ｆ_Ａ ＜２０［ｇｆ／ｃｍ］ （１）
１．５［ｇｆ／ｃｍ］＜ Ｆ_Ｂ ＜２０［ｇｆ／ｃｍ］ （２）
０．００００５＜ （Ｆ_Ａ＋Ｆ_Ｂ）／η ＜０．０３ （３）

本発明によれば、硬化体層における凹凸の形成を抑制でき、且つ、樹脂組成物の流出による型の汚れを抑制できる、圧縮成型法を用いた半導体装置の製造方法；並びに、当該製造方法に用いうる樹脂シート；を提供できる。

図１は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置に、基板を設置した様子を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用意される樹脂シートを、厚さ方向に平行な平面で切った断面を模式的に示す断面図である。 図４は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置に、基板及び樹脂組成物層を設置した様子を模式的に示す断面図である。 図５は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。 図６は、本発明の第一実施形態に係る製造方法で製造できる成型体を模式的に示す断面図である。 図７は、樹脂組成物層及び支持フィルムを備えた樹脂シートを用いて圧縮成型を行うときの圧縮成型装置を模式的に示す断面図である。 図８は、本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置に、基板及び樹脂組成物層を設置した様子を模式的に示す断面図である。 図９は、本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。 図１０は、本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置に、基板及び樹脂組成物層を設置した様子を模式的に示す断面図である。 図１１は、本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。

以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

［１．第一実施形態］
図１は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置１００を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、本発明の第一実施形態に係る製造方法で用いる圧縮成型装置１００は、第一型１１０と第二型１２０とを備える。これらの第一型１１０及び第二型１２０は、互いに接近することで型閉じがなされ、また、互いに離れることによって型開きがなされるように設けられている。本実施形態では、第一型１１０及び第二型の厚さ方向が鉛直方向と平行になるように、第一型１１０を下方、第二型１２０を上方に設けた例を示して説明する。

第一型１１０は、基板２００を支持できるように設けられている。第一型１１０は、基板２００を固定できる固定機構（図示せず。）を備えていてもよい。固定機構としては、例えば、基板２００を吸着して固定できる吸着部、基板２００を係止して固定できる係止部、などが挙げられる。ただし、粘着テープ等の固定部材（図示せず。）を用いて第一型１１０に基板２００を固定してもよいので、第一型１１０は、固定機構を有していなくてもよい。

第二型１２０は、第一型１１０に対向して設けられている。そして、第一型１１０及び第二型１２０の少なくとも一方には、成型用の凹みとしてのキャビティ１３０が形成されている。通常は、図１に示すように、第二型１２０の第一型１１０に対向する側に、キャビティ１３０が形成される。このキャビティ１３０は、型閉じがなされた場合に、圧縮成型用の空間を形成できるように形成されている。本実施形態で示す例においては、キャビティ１３０は、第一型１１０に支持された基板２００の表面２００Ｕと第二型１２０との間に、キャビティ１３０に対応する空間が形成され、この空間内で樹脂組成物層（図１では図示せず。）を圧縮成型できるように形成されている。

前記の第一型１１０及び第二型１２０は、キャビティ１３０内を加圧できるように設けられている。本実施形態では、前記の加圧を実現するため、第二型１２０が、底部ブロック１２１と、この底部ブロック１２１の周囲を囲うように環状に設けられた側部ブロック１２２とを備える例を示して説明する。底部ブロック１２１は、キャビティ１３０の底部を形成する。また、側部ブロック１２２は、キャビティ１３０の側壁部を形成する。そして、底部ブロック１２１は、側部ブロック１２２に対して相対的に、移動可能に設けられている。よって、この例において、第二型１２０は、底部ブロック１２１が図中下方に押圧されることで、キャビティ１３０内を加圧できるように設けられている。ただし、キャビティ１３０内を加圧する方法は、ここに示す例に限定されない。

さらに、第一型１１０及び第二型１２０は、基板２００及び樹脂組成物層の貼り付きを抑制するために、図示しないリリースフィルムを備えていてもよい。また、第一型１１０及び第二型１２０は、キャビティ１３０内を加熱するため、図示しないヒーター等の温度調整装置を備えていてもよい。さらに、第一型１１０及び第二型１２０には、気体が流通しうる図示しないエアベント路がキャビティ１３０に連通するように形成されていてもよく、このエアベント路には減圧装置（図示せず。）が接続されていてもよい。

本発明の第一実施形態に係る製造方法では、前記の圧縮成型装置１００を用いて、半導体装置を製造する。この製造方法は、
基板２００を用意する工程（Ｉ）と、
熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、この樹脂組成物層の一方の面に接する第一支持フィルムと、を備える樹脂シートを用意する工程（ＩＩ）と、
前記第一支持フィルムを剥がして、樹脂組成物層の両方の面で、同時又は非同時に、非被覆状態を得る工程（ＩＩＩ）と、
樹脂組成物層をキャビティ１３０内に収めて、第一型１１０と第二型１２０との間で、樹脂組成物層と基板２００とを加圧する工程（ＩＶ）と、を含む。

［１．１．基板を用意する工程（Ｉ）］
本発明の第一実施形態に係る製造方法は、基板を用意する工程（Ｉ）を含む。基板としては、例えば、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ－４基板等のガラスエポキシ基板；ポリエステル基板；ポリイミド基板；ＢＴレジン基板；熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板；等が挙げられる。また、基板は、半導体チップを剥離可能に仮固定することができる仮固定フィルムを備えていてもよい。さらに、仮固定フィルム自体を基板として用いてもよい。仮固定フィルムの市販品としては、例えば、日東電工社製「リヴァアルファ」が挙げられる。また、基板は、当該基板の一部として表面に銅箔等の金属層を有していてもよい。例えば、両方の表面に剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基板を用いてもよい。このような基板を用いる場合、通常、回路配線として機能できる配線層としての導体層が、第二金属層の第一金属層とは反対側の面に形成される。このような金属層を有する基板としては、例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」が挙げられる。

また、基板は、その一方又は両方の表面に形成された導体層を備えていてもよい。導体層に含まれる導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む材料が挙げられる。導体材料としては、単金属を用いてもよく、合金を用いてもよい。合金としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性の観点から、単金属としてのクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅；及び、合金としてのニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金；が好ましい。その中でも、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属；及び、ニッケル・クロム合金；がより好ましく、銅の単金属が特に好ましい。また、導体層は、例えば配線層として機能させるために、パターン加工されていてもよい。

さらに、基板は、一側又は両側に実装された電子部品を備えていてもよい。電子部品としては、例えば、コンデンサ、インダクタ、抵抗等の受動部品；半導体チップ等の能動部品；が挙げられる。

基板の面内方向の寸法は、キャビティの面内方向の寸法より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。よって、基板の幅は、通常、キャビティの幅より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。また、基板の面積は、キャビティの開口面積よりも小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。基板の面積とは、別に断らない限り、基板を厚さ方向から見た場合の面積を表す。また、キャビティの開口面積とは、別に断らない限り、キャビティを厚さ方向から見た場合の開口部（図１の符号１３０Ｄで示す部分）の面積を表す。例えば、キャビティより小さい基板は、キャビティ内に収まることができるので、当該基板自体を硬化体層に埋め込むことができる。また、例えば、キャビティより大きい基板は、当該基板がキャビティに蓋をできるので、当該基板上に硬化体層を形成できる。

図２は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置１００に、基板２００を設置した様子を模式的に示す断面図である。図２に示すように、用意された基板２００は、第一型１１０に設置される。本実施形態では、図２に示したように、キャビティ１３０に蓋をできる程度に大きな基板２００を用いた例を示して説明する。

［１．２．樹脂シートを用意する工程（ＩＩ）］
図３は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用意される樹脂シート３００を、厚さ方向に平行な平面で切った断面を模式的に示す断面図である。
本発明の第一実施形態に係る製造方法は、図３に示す樹脂シート３００を用意する工程（ＩＩ）を含む。樹脂シート３００は、熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層３１０と、樹脂組成物層３１０の一方の面としての第一面３１０Ｕに接する第一支持フィルム３２０と、を備える。樹脂組成物層３１０は、第一面３１０Ｕの反対側に、他方の面としての第二面３１０Ｄを有する。この第二面３１０Ｄは、他の部材に被覆されていない非被覆状態となっていてもよい。ただし、樹脂組成物層３１０を傷付き及びゴミ付着から保護する観点では、樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄには、第二支持フィルム３３０が接していることが好ましい。よって、樹脂シート３００は、樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄに接する第二支持フィルム３３０を備えることが好ましい。

樹脂組成物層３１０は、当該樹脂組成物層３１０の全体をキャビティ１３０内に収められるように、小さく形成されている。キャビティ１３０内に樹脂組成物層３１０を収められることにより、型閉じがなされた場合に、樹脂組成物のキャビティ１３０の外部への流出を抑制できる。よって、樹脂組成物による第一型１１０及び第二型１２０の汚れを抑制できる。

また、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０は、樹脂組成物層３１０から剥がすことができるように設けられている。よって、樹脂組成物層３１０は、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を剥がして樹脂組成物層３１０単独で圧縮成型に供することができる。よって、圧縮成型時にはキャビティ１３０に第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０が収められないので、それら支持フィルム３２０及び３３０の食い込みが生じない。したがって、硬化体層（図３では図示せず。）における凹凸の形成を抑制できる。

以下、樹脂組成物層３１０の寸法について説明する。別に断らない限り、以下に説明する樹脂組成物層３１０の寸法は、工程（ＩＶ）での加圧より前の樹脂組成物層３１０の寸法を表す。樹脂組成物層３１０の面内方向の寸法は、当該樹脂組成物層３１０の全体をキャビティ１３０内に収められるようにする観点から、キャビティ１３０の面内方向の寸法よりも小さくなるように形成されている。よって、樹脂組成物層３１０の幅Ｗ_３１０は、通常、キャビティ１３０の幅Ｗ_１３０（図１参照）よりも小さい。

キャビティ１３０の幅Ｗ_１３０に対する樹脂組成物層３１０の幅Ｗ_３１０の比（Ｗ_３１０／Ｗ_１３０）は、好ましくは０．９９以下、より好ましくは０．９８以下、特に好ましくは０．９７以下である。比（Ｗ_３１０／Ｗ_１３０）が前記範囲にある場合、樹脂組成物のキャビティ１３０の外部への流出を効果的に抑制できる。比（Ｗ_３１０／Ｗ_１３０）の下限は特段の制限は無いが、キャビティ１３０の隅々にまで樹脂組成物を効果的に充填する観点では、好ましくは０．８０以上、より好ましくは０．８５以上、特に好ましくは０．９０以上である。

また、樹脂組成物層３１０の幅Ｗ_３１０とキャビティ１３０の幅Ｗ_１３０との差（Ｗ_１３０－Ｗ_３１０）は、好ましくは１ｍｍ以上、より好ましくは１．５ｍｍ以上、特に好ましくは２ｍｍ以上である。差（Ｗ_１３０－Ｗ_３１０）が前記範囲にある場合、樹脂組成物のキャビティ１３０の外部への流出を効果的に抑制できる。差（Ｗ_１３０－Ｗ_３１０）の上限は特段の制限は無いが、キャビティ１３０の隅々にまで樹脂組成物を効果的に充填する観点では、好ましくは１０ｍｍ以下、より好ましくは８ｍｍ以下、更に好ましくは６ｍｍ以下である。

さらに、樹脂組成物層３１０の面積は、当該樹脂組成物層３１０の全体をキャビティ１３０内に収められるようにする観点から、キャビティ１３０の開口面積よりも小さくなるように形成されている。樹脂組成物層３１０の面積とは、別に断らない限り、樹脂組成物層３１０を厚さ方向から見た場合の面積を表す。キャビティ１３０の開口面積１００％に対する樹脂組成物層３１０の面積は、好ましくは９９％以下、より好ましくは９８％以下、特に好ましくは９６％以下である。樹脂組成物層３１０の面積が前記範囲にある場合、樹脂組成物のキャビティ１３０の外部への流出を効果的に抑制できる。樹脂組成物層３１０の面積の下限は、特段の制限は無いが、キャビティ１３０の隅々にまで樹脂組成物を効果的に充填する観点では、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、特に好ましは８０％以上である。

樹脂組成物層３１０の面内方向の寸法は、基板２００の面内方向の寸法より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。よって、樹脂組成物層３１０の幅Ｗ_３１０は、通常、基板２００の幅Ｗ_２００（図２参照）より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。圧縮成型法においては、加圧によって樹脂組成物層３１０が広げられて、基板２００の表面２００Ｕに硬化体層が形成されることが多いので、加圧される前の樹脂組成物層３１０の幅Ｗ_３１０は、通常、基板２００の幅Ｗ_２００よりも小さい。この場合、大面積の硬化体層を形成して歩留まりを向上させる観点では、基板２００の幅Ｗ_２００に対する樹脂組成物層３１０の幅Ｗ_３１０の比（Ｗ_３１０／Ｗ_２００）は、好ましくは０．５０以上、より好ましくは０．７０以上、特に好ましくは０．８０以上である。また、同様の観点から、基板２００の幅Ｗ_２００と樹脂組成物層３１０の幅Ｗ_３１０との差（Ｗ_２００－Ｗ_３１０）は、好ましくは１００ｍｍ以下、より好ましくは８０ｍｍ以下、特に好ましくは５０ｍｍ以下である。

さらに、樹脂組成物層３１０の面積は、基板２００の面積より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。圧縮成型法においては、加圧によって樹脂組成物層３１０が広げられて、基板２００の表面２００Ｕに硬化体層が形成されることが多いので、加圧される前の樹脂組成物層３１０の面積は、通常、基板２００の面積よりも小さい。この場合、大面積の硬化体層を形成して歩留まりを向上させる観点では、基板２００の面積１００％に対する樹脂組成物層３１０の面積は、好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、特に好ましくは７０％以上である。

樹脂組成物層３１０は、工程（ＩＶ）において樹脂組成物層３１０が加圧されたときに、キャビティ１３０内を満たせる容量を有することが好ましい。このような容量を有する樹脂組成物層３１０は、工程（ＩＶ）において、キャビティ１３０内を隙間なく満たすことができる。例えば、本実施形態のように第一型１１０に支持された基板２００と第二型１２０との間にキャビティ１３０が圧縮成型用の空間を形成する場合には、工程（ＩＶ）において加圧された樹脂組成物層３１０が、前記のキャビティ１３０が形成する空間を隙間なく満たすことができる。よって、樹脂組成物層３１０が硬化して形成される硬化体層において、未充填部及びボイドの発生を抑制できる。また、樹脂組成物層３１０が硬化して得られる硬化体層の、面内方向における膜厚均一性を向上できる。

樹脂組成物層３１０の厚さは、製造される半導体装置に応じて適切に設定しうる。例えば、樹脂組成物層３１０が薄い場合、薄い硬化体層を容易に形成できるので、半導体装置の薄型化を容易に実現できる。また、例えば、樹脂組成物層３１０が厚い場合、厚い硬化体層を容易に形成できるので、基板２００が備えうる厚い部品を硬化体層が容易に封止できる。ただし、樹脂組成物層３１０を厚くすることによって機械的強度を高めて、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の剥がしやすさを高める観点では、樹脂組成物層３１０の厚さは、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上、特に好ましくは８０μｍ以上である。上限に特段の制限は無いが、半導体装置の薄型化の観点では、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは４００μｍ以下、特に好ましくは２００μｍ以下である。

また、樹脂組成物層３１０の厚さは、均一であることが好ましい。樹脂組成物層３１０が均一な厚さを有する場合、キャビティ１３０内の全体にバランス良く圧力を加えることができるので、キャビティ１３０の端部にまで樹脂組成物を充分に充填できる。よって、未充填部及びボイドの発生を抑制できる。厚さの均一さは、厚さの最大値と最小値との差で表すことができる。具体的な範囲を示すと、樹脂組成物層３１０の厚さの最大値と最小値との差は、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。

樹脂組成物層３１０に含まれる樹脂組成物は、１００℃において、特定の範囲の溶融粘度ηを有することが好ましい。具体的には、前記の溶融粘度ηは、好ましくは８００ポイズ以上、より好ましくは１０００ポイズ以上、特に好ましくは１５００ポイズ以上であり、好ましくは１２００００ポイズ以下、より好ましくは１０００００ポイズ以下、特に好ましくは９００００ポイズ以下である。前記下限値以上の溶融粘度ηを有する樹脂組成物で形成された樹脂組成物層は、高い剛性を有しうる。よって、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の剥がしやすさを良好にできる。また、前記上限値以下の溶融粘度ηを有する樹脂組成物は、圧縮成型時に高い流動性を有することができるので、キャビティ１３０の端部にまで樹脂組成物を充分に充填できる。よって、未充填部及びボイドの発生を抑制できる。

樹脂組成物の溶融粘度は、動的粘弾性法により測定しうる。具体的な測定条件は、実施例において説明する条件を採用しうる。

樹脂組成物の溶融粘度は、例えば、樹脂組成物の組成を調整する方法により、調整できる。具体例を挙げると、樹脂組成物が含む溶剤の量を調整することにより、溶融粘度を調整できる。

第一支持フィルム３２０は、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに、剥がすことができるように接して設けられたフィルムである。第一支持フィルム３２０としては、例えば、プラスチックフィルム、金属箔、離型紙が挙げられる。中でも、プラスチックフィルム及び金属箔が好ましい。

プラスチックフィルムに含まれるプラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリスチレン等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

第一支持フィルム３２０は、樹脂組成物層３１０と接する面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理、離型剤処理等の表面処理が施されていてもよい。特に、離型剤処理が施されていることが好ましい。このように離型剤処理では、一般に、上述したプラスチック材料、金属材料等の材料で形成された処理前のフィルム部の表面を、離型剤によって処理する。よって、離型剤処理が施された第一支持フィルム３２０は、通常、前記のフィルム部と、このフィルム部上に離型剤によって形成された離型層とを備える。離型剤処理がなされることにより、樹脂組成物層３１０から第一支持フィルム３２０を剥がしやすくできる。

離型剤としては、例えば、アルキド系離型剤、ポリオレフィン系離型剤、ウレタン系離型剤、及びシリコーン系離型剤からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、第一支持フィルム３２０の剥がしやすさを適切な範囲に収める観点から、シリコーン系離型剤が好ましい。

第一支持フィルム３２０の厚さは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、特に好ましくは３０μｍ以上であり、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、特に好ましくは８０μｍ以下である。第一支持フィルム３２０の厚さが前記範囲にある場合、第一支持フィルム３２０の剥がしやすさ及び樹脂シート３００のハンドリング性を良好にできる。

第一支持フィルム３２０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ａ［ｇｆ／ｃｍ］は、下記式（１）を満たすことが好ましい。
１．５［ｇｆ／ｃｍ］＜ Ｆ_Ａ ＜２０［ｇｆ／ｃｍ］ （１）

より詳細には、密着力Ｆ_Ａは、好ましくは１．５［ｇｆ／ｃｍ］より大きく、より好ましくは１．７［ｇｆ／ｃｍ］より大きく、特に好ましくは１．９［ｇｆ／ｃｍ］より大きく、また、好ましくは２０［ｇｆ／ｃｍ］未満、より好ましくは１８［ｇｆ／ｃｍ］未満、特に好ましくは１７［ｇｆ／ｃｍ］未満である。第一支持フィルム３２０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ａが前記範囲の下限値より大きい場合、第一支持フィルム３２０に浮きが生じることを抑制できる。前記の「浮き」とは、樹脂組成物層３１０に接していたフィルム（具体的には、第一支持フィルム３２０又は第二支持フィルム３３０）が、意図せず、部分的な剥がれを生じることをいう。浮きを抑制できることは、例えば、樹脂シート３００のロールを２３℃で２４時間保管した後で、ロールから樹脂シート３００を引き出して観察することにより、確認できる。また、第一支持フィルム３２０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ａが前記範囲の上限値未満である場合、樹脂組成物層３１０から第一支持フィルム３２０を剥がしやすい。よって、第一支持フィルム３２０を円滑に剥がしたり、第一支持フィルム３２０を剥がすことによる樹脂組成物層３１０の破損を抑制したりできる。

第一支持フィルム３２０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ａは、下記の方法によって測定できる。
すなわち、第一支持フィルム３２０を、樹脂組成物層３１０に対して垂直方向（９０度方向）に２３℃において引き剥がしたときの剥離強度を、密着力Ｆ_Ａとして測定できる。この測定は、引っ張り試験機を用いて行うことができる。

第一支持フィルム３２０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ａは、例えば、樹脂組成物層３１０の厚さを調整する方法、樹脂組成物層３１０に含まれる樹脂組成物の組成を調整する方法、第一支持フィルム３２０が備える離型層の組成を調整する方法、第一支持フィルム３２０の樹脂組成物層３１０に接する面の粗さを調整する方法、などによって、調整できる。

第二支持フィルム３３０は、樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄに、剥がすことができるように接して設けられたフィルムである。第二支持フィルム３３０としては、例えば、第一支持フィルム３２０と同じく、プラスチックフィルム、金属箔、離型紙が挙げられる。中でも、プラスチックフィルム及び金属箔が好ましい。

第二支持フィルム３３０は、樹脂組成物層３１０と接する面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理、離型剤処理等の表面処理が施されていてもよい。特に、離型剤処理が施されていることが好ましい。離型剤処理が施された第二支持フィルム３３０は、通常、プラスチック材料、金属材料等の材料で形成されたフィルム部と、このフィルム部上に離型剤によって形成された離型層とを備える。離型剤処理がなされることにより、樹脂組成物層３１０から第二支持フィルム３３０を剥がしやすくできる。離型剤としては、第一支持フィルム３２０に用いうる離型剤と同じ例が挙げられる。中でも、第二支持フィルム３３０の剥がしやすさを適切な範囲に収める観点から、シリコーン系離型剤が好ましい。

第二支持フィルム３３０の厚さは、第一支持フィルム３２０と同じ利点を得る観点から、第一支持フィルム３２０の厚さと同じ範囲にあることが好ましい。第一支持フィルム３２０の厚さと第二支持フィルム３３０の厚さとは、同じでもよく、異なっていてもよい。

第二支持フィルム３３０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ｂ［ｇｆ／ｃｍ］は、下記式（２）を満たすことが好ましい。より詳細には、密着力Ｆ_Ｂは、第一支持フィルム３２０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ａと同じ範囲にあることが好ましい。密着力Ｆ_Ａと密着力Ｆ_Ｂとは、同じでもよく、異なっていてもよい。
１．５［ｇｆ／ｃｍ］＜ Ｆ_Ｂ ＜２０［ｇｆ／ｃｍ］ （２）

第二支持フィルム３３０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ｂが前記範囲の下限値より大きい場合、第二支持フィルム３３０に浮きが生じることを抑制できる。また、第二支持フィルム３３０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ｂが前記範囲の上限値未満である場合、樹脂組成物層３１０から第二支持フィルム３３０を剥がしやすい。よって、第二支持フィルム３３０を円滑に剥がしたり、第二支持フィルム３３０を剥がすことによる樹脂組成物層３１０の破損を抑制したりできる。

第二支持フィルム３３０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ｂは、第一支持フィルム３２０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ａと同じ方法によって測定できる。

第二支持フィルム３３０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ｂは、例えば、樹脂組成物層３１０の厚さを調整する方法、樹脂組成物層３１０に含まれる樹脂組成物の組成を調整する方法、第二支持フィルム３３０が備える離型層の組成を調整する方法、第二支持フィルム３３０の樹脂組成物層３１０に接する面の粗さを調整する方法、などによって、調整できる。

第一支持フィルム３２０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ａ［ｇｆ／ｃｍ］、第二支持フィルム３３０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ｂ［ｇｆ／ｃｍ］、及び、樹脂組成物層３１０に含まれる樹脂組成物の１００℃における溶融粘度η［ｐｏｉｓｅ］は、式（３）を満たすことが好ましい。
０．００００５＜ （Ｆ_Ａ＋Ｆ_Ｂ）／η ＜０．０３ （３）

詳細には、前記のパラメータ「（Ｆ_Ａ＋Ｆ_Ｂ）／η」は、好ましくは０．００００５［ｇｆ／（ｃｍ・ｐｏｉｓｅ）］より大きく、より好ましくは０．０００１［ｇｆ／（ｃｍ・ｐｏｉｓｅ）］より大きく、特に好ましくは０．０００２［ｇｆ／（ｃｍ・ｐｏｉｓｅ）］より大きく、また、好ましくは０．０３０［ｇｆ／（ｃｍ・ｐｏｉｓｅ）］未満、より好ましくは０．０２５［ｇｆ／（ｃｍ・ｐｏｉｓｅ）］未満、特に好ましくは０．０２０［ｇｆ／（ｃｍ・ｐｏｉｓｅ）］未満である。パラメータ「（Ｆ_Ａ＋Ｆ_Ｂ）／η」が、前記範囲の下限値より大きい場合、第一支持フィルム３２０又は第二支持フィルム３３０が浮きを生じることを抑制できる。また、パラメータ「（Ｆ_Ａ＋Ｆ_Ｂ）／η」が、前記範囲の上限値未満である場合、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を樹脂組成物層３１０から剥がしやすくできる。

樹脂シート３００は、樹脂組成物層３１０、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０に組み合わせて、更に任意の部材を備えていてもよい。例えば、樹脂シート３００は、保護フィルムを更に備えていてもよい。

上述した樹脂シート３００の製造方法は、特段の制限は無い。例えば、樹脂シート３００は、樹脂組成物を、ダイコーター等の塗布装置を用いて第一支持フィルム３２０上に塗布することを含む方法により、製造できる。また、例えば、樹脂シート３００は、樹脂組成物及び溶剤を含む樹脂ワニスを第一支持フィルム３２０上に塗布することを含む方法により、製造してもよい。樹脂ワニスを用いた場合、通常は、塗布後に樹脂ワニスを乾燥させて、樹脂組成物層３１０を形成する。

溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤；セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤；トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ－メチルピロリドン等のアミド系溶剤；等の有機溶剤が挙げられる。溶剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の乾燥方法により実施しうる。乾燥条件は、樹脂組成物層３１０に含まれる溶剤の量が、通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように行うことが好ましい。樹脂ワニス中の溶剤の沸点によっても異なるが、例えば、３０質量％～６０質量％の溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃～１５０℃で３分～１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層３１０を形成してもよい。

前記の乾燥により、樹脂組成物層３１０と、この樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに接した第一支持フィルム３２０とを備えるシートが得られる。こうして得られるシートを樹脂シートとして用いてもよいが、樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄに第二支持フィルム３３０を設けて、樹脂シート３００を得てもよい。例えば、樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄに第二支持フィルム３３０を貼り合わせることで、第二支持フィルム３３０、樹脂組成物層３１０及び第一支持フィルム３２０を厚さ方向でこの順に備える樹脂シート３００を得ることができる。

又は、第二支持フィルム３３０に樹脂ワニスを塗布し、乾燥して樹脂組成物層３１０を形成した後で、その樹脂組成物層に接するように第一支持フィルム３２０を設けて、樹脂シート３００を製造してもよい。

製造効率の向上の観点から、樹脂シート３００は、長尺の第一支持フィルム３２０又は第二支持フィルム３３０を用いて製造することが好ましい。「長尺」のフィルムとは、幅に対して通常１０倍以上の長さを有するフィルムを表し、好ましくはロール状に巻き取ることが可能な程度に長いフィルムを表す。このように長尺の第一支持フィルム３２０又は第二支持フィルム３３０を用いる場合、長尺の樹脂シート３００を得ることができる。この長尺の樹脂シート３００は、必要に応じて適切な寸法にカットして、圧縮成型に使用できる。

［１．３．支持フィルムを剥がす工程（ＩＩＩ）］
本発明の第一実施形態に係る製造方法は、用意された樹脂シート３００の第一支持フィルム３２０を剥がして、樹脂組成物層３１０の両方の面（即ち、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄ）で非被覆状態を得る工程（ＩＩＩ）を含む。「非被覆状態」とは、面が第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０等の部材によって覆われていない状態をいう。よって、ある面で非被覆状態を得るとは、その面が部材によって覆われていない状態を得ることをいう。

工程（ＩＩＩ）では、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで非被覆状態を得るのであるから、第二支持フィルム３３０を備える樹脂シート３００では、第一支持フィルム３２０だけでなく第二支持フィルム３３０も剥がされる。よって、樹脂組成物層３１０と、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに接する第一支持フィルム３２０と、樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄに接する第二支持フィルム３３０と、を備える樹脂シート３００を工程（ＩＩ）において用意した場合には、工程（ＩＩＩ）は、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を剥がすことを含む。

工程（ＩＩＩ）では、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで同時に非被覆状態を得てもよい。第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで「同時に」非被覆状態を得る、とは、第一面３１０Ｕで非被覆状態を得ている期間と、第二面３１０Ｄで非被覆状態を得ている期間とが、時間的に重なり合うことをいう。また、工程（ＩＩＩ）では、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで非同時に非被覆状態を得てもよい。第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで「非同時に」非被覆状態を得る、とは、第一面３１０Ｕで非被覆状態を得ている期間と、第二面３１０Ｄで非被覆状態を得ている期間とが、時間的に重なり合わないこという。よって、工程（ＩＩ）で樹脂シート３００が用意された後、工程（ＩＶ）で圧縮成型がなされる前に、ある期間で樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕで非被覆状態を得ており、且つ、前記期間と同じか又は異なる期間に樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄで非被覆状態を得ている場合、工程（ＩＩＩ）が行われたといえる。

第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで同時に非被覆状態を得る例としては、下記のような場合が挙げられる。
例えば、樹脂組成物層３１０と、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに接する第一支持フィルム３２０と、樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄに接する第二支持フィルム３３０とを備える樹脂シート３００を用意する。ある時点で、用意された樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに接していた第一支持フィルム３２０を剥がして、その第一面３１０Ｕで非被覆状態を得る。また、樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄに接していた第二支持フィルム３３０を剥がして、その第二面３１０Ｄで非被覆状態を得る。その後、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄの両方で非被覆状態を得た樹脂組成物層３１０を、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄの一方が基板２００に接するように、基板２００上に設置する。この場合、第一面３１０Ｕで非被覆状態を得ている期間と、第二面３１０Ｄで非被覆状態を得ている期間とが、時間的に重なり合う。よって、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで同時に非被覆状態を得る工程（ＩＩＩ）が行われたといえる。

また、例えば、樹脂組成物層３１０と、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに接する第一支持フィルム３２０とを備える樹脂シート３００を用意する。この例に係る樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄは、特段の操作を行わなくても、他の部材に被覆されていない非被覆状態が得られている。ある時点で、用意された樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに接していた第一支持フィルム３２０を剥がして、その第一面３１０Ｕで非被覆状態を得る。その後、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄの両方で非被覆状態を得た樹脂組成物層３１０を、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄの一方が基板２００に接するように、基板２００上に設置する。この場合も、第一面３１０Ｕで非被覆状態を得ている期間と、第二面３１０Ｄで非被覆状態を得ている期間とが、時間的に重なり合う。よって、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで同時に非被覆状態を得る工程（ＩＩＩ）が行われたといえる。

他方、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで非同時に非被覆状態を得ている工程（ＩＩＩ）の例としては、下記のような場合が挙げられる。
例えば、樹脂組成物層３１０と、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに接する第一支持フィルム３２０と、樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄに接する第二支持フィルム３３０とを備える樹脂シート３００を用意する。ある時点で、用意された樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄに接していた第二支持フィルム３３０を剥がして、その第二面３１０Ｄで非被覆状態を得る。その後、非被覆状態の第二面３１０Ｄが基板２００に接するように、樹脂組成物層３１０を基板２００上に設置する。更にその後、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに接していた第一支持フィルム３２０を剥がして、その第一面３１０Ｕで非被覆状態を得る。この場合、第一面３１０Ｕで非被覆状態を得ている期間と、第二面３１０Ｄで非被覆状態を得ている期間とが、時間的に重なり合わない。よって、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで非同時に非被覆状態を得る工程（ＩＩＩ）が行われたといえる。

また、例えば、樹脂組成物層３１０と、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに接する第一支持フィルム３２０とを備える樹脂シート３００を用意する。この例に係る樹脂組成物層３１０の第二面３１０Ｄは、特段の操作を行わなくても、他の部材に被覆されていない非被覆状態が得られている。この非被覆状態の第二面３１０Ｄが基板２００に接するように、樹脂組成物層３１０を基板２００上に設置する。その後、樹脂組成物層３１０の第一面３１０Ｕに接していた第一支持フィルム３２０を剥がして、その第一面３１０Ｕで非被覆状態を得る。この場合も、第一面３１０Ｕで非被覆状態を得ている期間と、第二面３１０Ｄで非被覆状態を得ている期間とが、時間的に重なり合わない。よって、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで非同時に非被覆状態を得る工程（ＩＩＩ）が行われたといえる。

第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を備える樹脂シート３００では、第一支持フィルム３２０を剥がすことと、第二支持フィルム３３０を剥がすこととは、同時に行ってもよく、非同時に行ってもよい。よって、第一支持フィルム３２０を先に剥がしてもよく、第二支持フィルム３３０を先に剥がしてもよく、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を同時に剥がしてもよい。通常は、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０のうち、樹脂組成物層３１０との密着力が小さい方を先に剥がすことが、工程（ＩＩＩ）を円滑に行う観点から好ましい。

図４は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置１００に、基板２００及び樹脂組成物層３１０を設置した様子を模式的に示す断面図である。図４に示すように、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を剥がして得られた樹脂組成物層３１０は、型閉じがなされた場合にキャビティ１３０に収まるように、基板２００上に設置される。本実施形態では、図４に示したように、第一型１１０に基板２００を設置した後で当該基板２００上に樹脂組成物層３１０を設置した例を示したが、第一型１１０に基板２００を設置する前に基板２００上に樹脂組成物層３１０を設置しても構わない。この際、例えば、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を剥がして得た樹脂組成物層３１０を単独で基板２００に設置してもよい。また、例えば、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の一方を剥がして第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄの一方で非被覆状態を得て、その非被覆状態の面が基板２００に接するように樹脂組成物層３１０を設置し、その後、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の他方を剥がしてもよい。また、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の他方を剥がす前に、必要に応じて、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の他方をローラー等の押圧具で押圧して、樹脂組成物層３１０を基板２００に密着させてもよい。

［１．４．圧縮成型工程（ＩＶ）］
図５は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置１００を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。
本発明の第一実施形態に係る製造方法は、上述した工程（Ｉ）から工程（ＩＩＩ）の後で、図５に示すように、樹脂組成物層３１０をキャビティ１３０内に収めて、第一型１１０と第二型１２０との間で、樹脂組成物層３１０と基板２００とを加圧する工程（ＩＶ）を含む。この工程（ＩＶ）により、樹脂組成物層３１０を圧縮成型して、樹脂組成物の硬化体で形成された硬化体層３４０を得ることができる。

詳細には、工程（ＩＶ）では、第一型１１０及び第二型１２０を型閉じする。型閉じすることにより、第一型１１０と第二型１２０との間に樹脂組成物層３１０及び基板２００が配置される。この際、基板２００は、キャビティ１３０の開口部１３０Ｄの全体を塞ぐ。よって、キャビティ１３０内には、基板２００と第二型１２０とに囲まれた閉空間が形成される。樹脂組成物層３１０は、その全体が、前記の閉空間内に収められる。このように樹脂組成物層３１０がキャビティ１３０内の閉空間に収められた状態で、第二型１２０の底部ブロック１２１を押し込むことにより、樹脂組成物層３１０及び基板２００を加圧する。加圧により、樹脂組成物層３１０が基板２００に接合させられるとともに、樹脂組成物層３１０が圧縮成型される。

前記の加圧により、樹脂組成物層３１０は、前記閉空間の全体に充填される。この際、第二型１２０及び基板２００は密着している。よって、樹脂組成物層３１０に含まれる樹脂組成物は、閉空間の外へと流出しない。したがって、樹脂組成物による第一型１１０及び第二型１２０の汚れを抑制できる。

通常、前記のように樹脂組成物層３１０が閉空間に充填された状態で、加熱を行う。加熱により、樹脂組成物層３１０が硬化されて、樹脂組成物の硬化体を含む硬化体層３４０が形成される。よって、前記の閉空間を形成するキャビティ１３０の形状を高い精度で写し取った硬化体層３４０を得ることができる。

この際、工程（ＩＩ）で用意された樹脂シート３００が備える要素のうちでは、樹脂組成物層３１０のみがキャビティ１３０内にあり、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０はキャビティ１３０内に無い。よって、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の樹脂組成物層３１０への食い込みが生じないので、硬化体層３４０における凹凸の形成を抑制できる。

上述した圧縮成型の条件は、樹脂組成物の組成により異なり、良好な硬化体層３４０が得られるように適切な条件を採用できる。
例えば、成型時の型の温度は、樹脂組成物が優れた圧縮成型性を発揮できる温度が好ましく、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。
また、例えば、成型時に加える圧力は、好ましくは１ＭＰａ以上、より好ましくは３ＭＰａ以上、特に好ましくは５ＭＰａ以上であり、好ましくは５０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは２０ＭＰａ以下である。
さらに、例えば、キュアタイムは、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、特に好ましくは５分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは３０分以下、特に好ましくは２０分以下である。

［１．５．任意の工程］
本発明の第一実施形態に係る製造方法は、上述した工程（Ｉ）、工程（ＩＩ）、工程（ＩＩＩ）及び工程（ＩＶ）に組み合わせて、任意の工程を含みうる。
通常、本実施形態に係る製造方法は、工程（ＩＶ）の後で、型開きする工程を含む。このように型開きすることにより、基板２００及び硬化体層３４０を圧縮成型装置１００から取り外すことができる。このように取り外すことにより、基板２００及び硬化体層３４０を備える成型体を得ることができる。

図６は、本発明の第一実施形態に係る製造方法で製造できる成型体３５０を模式的に示す断面図である。図６に示すように、第一実施形態に係る製造方法によれば、基板２００と、この基板２００上に樹脂組成物の硬化体によって形成された硬化体層３４０とを備える成型体３５０を得ることができる。このような成型体３５０を、半導体装置として得てもよい。例えば、硬化体層３４０側に半導体チップ（図示せず）を備える実装基板を基板２００として用いた場合には、その実装基板としての基板２００と、この基板２００が備える半導体チップを封止する封止層としての硬化体層３４０とを備える成型体３５０を、半導体装置としての半導体チップパッケージとして得ることができる。

また、上述した成型体３５０には、更に配線層、絶縁層、ソルダーレジスト層、半導体チップ等の任意の要素を設けてもよい。よって、本実施形態に係る製造方法は、それら任意の要素を設ける工程を含んでいてもよい。

さらに、本実施形態に係る製造方法は、成型体３５０から基板２００を剥離する工程を含んでいてもよい。この場合、硬化体層３４０を備えるが基板２００を備えない半導体装置を得ることができる。例えば、基板２００として、半導体チップを剥離可能に仮固定することができる仮固定フィルムを用いた場合に、基板２００を備えない半導体装置を得ることができる。

さらに、本実施形態に係る製造方法は、任意の要素を含みうる成型体３５０又は硬化体層３４０を個片化するダイシング工程を含んでいてもよい。

また、本実施形態に係る製造方法は、型開きの後で、得られた硬化体層３４０の熱硬化を更に進行させる工程を含んでいてもよい。具体的には、型開きの後で、硬化体層３４０を更に加熱する工程を行ってもよい。

上述した製造方法において、各工程を行う順は、所望の半導体装置が得られる範囲で制限は無い。また、複数の工程を同時に行ってもよい。

［１．６．本実施形態に係る製造方法の主な利点］
第一実施形態に係る製造方法によれば、硬化体層３４０における凹凸の形成を抑制できる。以下、この利点について、別の製造方法と対比させて説明する。

図７は、樹脂組成物層３１０及び支持フィルム９１０を備えた樹脂シート９００を用いて圧縮成型を行うときの圧縮成型装置９２０を模式的に示す断面図である。この図７において、上述した第一実施形態で説明したのと同じ部位には、図１～図６と同じ符号を付して説明する。

図７に示すように、樹脂組成物層３１０及び支持フィルム９１０を備えた樹脂シート９００を用いて圧縮成型を行う場合を仮定する。この場合、樹脂組成物層３１０だけでなく支持フィルム９１０もキャビティ１３０内に収められる。よって、支持フィルム９１０の端部９１０Ｅが樹脂組成物層３１０に食い込む。そうすると、支持フィルム９１０の端部９１０Ｅが食い込んだ樹脂組成物層３１０の部分９３０には、前記の食い込みによる凹凸が形成される。また、このように端部９１０Ｅの組み込みが生じると、支持フィルム９１０を剥離することが困難になる。

これに対し、第一実施形態に係る製造方法では、図５に示すように、樹脂組成物層３１０はキャビティ１３０内に収められるが、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０はキャビティ１３０内に無い。よって、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の樹脂組成物層３１０への食い込みが抑制される。したがって、図６に示すように、硬化体層３４０における凹凸の形成を抑制できる。また、硬化体層３４０から第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を剥離する操作が不要であるから、通常、成型体３５の効率的な製造が可能である。

さらに、第一実施形態に係る製造方法によれば、樹脂組成物の流出による第一型１１０及び第二型１２０の汚れを抑制できる。以下、この利点について、別の製造方法と対比させて説明する。

キャビティより大きい樹脂シートを用いて圧縮成型を行う場合を仮定する。この場合、支持フィルムの端部がキャビティの外に配置されるので、支持フィルムの樹脂組成物層への組み込みを抑制できるが、樹脂組成物層の一部がキャビティの外にはみ出る。よって、そのはみ出た樹脂組成物層が第一型及び第二型に接触することにより、第一型及び第二型に樹脂組成物が付着し、汚れが生じる。

これに対し、第一実施形態に係る製造方法では、図５に示すように、樹脂組成物層３１０の全体をキャビティ１３０内に収めた状態で、圧縮成型を実施できる。よって、キャビティ１３０の外では第一型１１０及び第二型１２０に樹脂組成物層３１０が接触しないので、樹脂組成物の付着による汚れを抑制できる。

上述した第一実施形態に係る半導体装置の製造方法を実施するためには、工程（ＩＩＩ）において、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を円滑に剥がすことが好ましい。よって、上述した第一実施形態に係る製造方法の利点を得るためには、樹脂組成物層３１０から剥がしやすい第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を備える樹脂シート３００を用いることが好ましい。そのような樹脂シート３００としては、上述した特定の厚さの樹脂組成物層を有し、且つ、第一支持フィルム３２０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ａ［ｇｆ／ｃｍ］、第二支持フィルム３３０と樹脂組成物層３１０との密着力Ｆ_Ｂ［ｇｆ／ｃｍ］、及び、１００℃における樹脂組成物の溶融粘度η［ｐｏｉｓｅ］が、上述した式（１）、式（２）及び式（３）を満たすものが、特に好ましい。

［２．第二実施形態］
第一実施形態では、第一型１１０及び第二型１２０の一方に基板２００及び樹脂組成物層３１０の両方を設置して、圧縮成型を実施した例を用いて、半導体装置の製造方法を説明した。しかし、基板２００及び樹脂組成物層３１０の設置態様は第一実施形態に限定されない。例えば、第一型１１０に基板２００を設置し、第二型１２０に樹脂組成物層３１０を設置した後で、圧縮成型を実施してもよい。以下、その方法を、第二実施形態を示して説明する。

図８は、本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置４００に、基板２００及び樹脂組成物層３１０を設置した様子を模式的に示す断面図である。第二実施形態においては、第一実施形態で説明したのと同じ部位には、第一実施形態と同じ符号を付して説明する。

図８に示すように、本発明の第二実施形態に係る製造方法で用いる圧縮成型装置４００は、第一型１１０が上方、第二型１２０が下方に設けられていること以外は、第一実施形態で説明した圧縮成型装置１００と同じに設けられている。よって、圧縮成型装置４００は、基板２００を支持できる第一型１１０と、第一型１１０に対向して設けられた第二型１２０とを、第一型１１０及び第二型１２０の厚さ方向が鉛直方向と平行になるように備える。

本発明の第二実施形態に係る製造方法では、前記の圧縮成型装置４００を用いて、半導体装置を製造する。この製造方法は、第一実施形態と同じく、
基板２００を用意する工程（Ｉ）と、
樹脂シート３００（図３参照）を用意する工程（ＩＩ）と、
第一支持フィルム３２０を剥がして、樹脂組成物層３１０の両方の面３１０Ｕ及び３１０Ｄで非被覆状態を得る工程（ＩＩＩ）と、
樹脂組成物層３１０をキャビティ１３０内に収めて、第一型１１０と第二型１２０との間で、樹脂組成物層３１０と基板２００とを加圧する工程（ＩＶ）と、を含む。

工程（Ｉ）で用意される基板２００は、第一実施形態で説明したものと同じである。第二実施形態では、用意した基板２００を、図８に示すように第一型１１０に設置する。

工程（ＩＩ）で用意される樹脂シート３００は、第一実施形態で説明したものと同じである。このように用意した樹脂シート３００は、第一実施形態と同じく、工程（ＩＩＩ）において、第一支持フィルム３２０を剥がされる。また、樹脂シート３００が第二支持フィルム３３０を備える場合には、当該第二支持フィルム３３０も剥がされる。そして、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで同時又は非同時に非被覆状態を得た樹脂組成物層３１０を、図８に示すように、キャビティ１３０に収まるように第二型１２０に設置する。樹脂組成物層３１０は、第一型１１０に基板２００を設置した後で第二型１２０に設置してもよく、第一型１１０に基板２００を設置する前に第二型１２０に設置してもよい。この際、例えば、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を剥がして得た樹脂組成物層３１０を単独で第二型１２０に設置してもよい。また、例えば、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の一方を剥がして第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄの一方で非被覆状態を得て、その非被覆状態の面が第二型１２０に接するように樹脂組成物層３１０を設置し、その後、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の他方を剥がしてもよい。

図９は、本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置４００を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。
本発明の第二実施形態に係る製造方法は、上述した工程（Ｉ）～工程（ＩＩＩ）の後で、図９に示すように、樹脂組成物層３１０をキャビティ１３０内に収めて、第一型１１０と第二型１２０との間で、樹脂組成物層３１０と基板２００とを加圧する工程（ＩＶ）を含む。この工程（ＩＶ）は、第一実施形態と同じく行いうる。よって、具体的には、工程（ＩＶ）では、第一型１１０及び第二型１２０が型閉じされ、樹脂組成物層３１０の全体が、基板２００と第二型１２０とに囲まれたキャビティ１３０内の閉空間に収められる。そして、この状態で、樹脂組成物層３１０及び基板２００が加圧されて、樹脂組成物層３１０が基板２００に接合されるとともに、樹脂組成物層３１０が圧縮成型される。したがって、必要に応じて加熱して樹脂組成物層３１０を硬化させることにより、硬化体層３４０を得ることができる。

その後、通常は、型開きがなされて、基板２００及び硬化体層３４０を圧縮成型装置４００から取り外す。このようにして、第一実施形態と同じく、基板２００及び硬化体層３４０を備える成型体３５０を得ることができる。

上述した第二実施形態に係る製造方法によれば、第一実施形態に係る製造方法と同じ利点を得ることができる。

第二実施形態に係る製造方法は、第一実施形態に係る製造方法と同じく、任意の工程を含んでいてもよい。

［３．変形例］
本発明の半導体装置の製造方法は、上述した実施形態から更に変更して実施してもよい。例えば、基板を収納できるキャビティが形成された型を備える圧縮成型装置を用いて、半導体装置の製造を行ってもよい。以下、その方法の例を、図面を参照して説明する。

図１０は、本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置５００に、基板２００及び樹脂組成物層３１０を設置した様子を模式的に示す断面図である。第三実施形態においては、第一実施形態で説明したのと同じ部位には、第一実施形態と同じ符号を付して説明する。

図１０に示すように、本発明の第三実施形態に係る製造方法で用いる圧縮成型装置５００は、基板２００を支持する第一型５１０にキャビティ５３０が設けられていること、及び、キャビティ５３０が樹脂組成物層３１０だけでなく基板２００も収納できるように形成されていること以外は、第一実施形態で説明した圧縮成型装置１００と同じに設けられている。

本実施形態で示す例においては、キャビティ５３０は、基板２００及び樹脂組成物層３１０を収納できるように大きく形成されている。よって、この圧縮成型装置５００では、第一型５１０と第二型５２０との間に、キャビティ５３０に対応する空間が形成され、この空間内で樹脂組成物層３１０を圧縮成型できる。

また、キャビティ５３０内を加圧できるようにする観点から、第一型５１０は、底部ブロック５１１と、この底部ブロック５１１の周囲を囲うように環状に設けられた側部ブロック５１２とを備える。底部ブロック５１１は、側部ブロック５１２に対して相対的に、移動可能に設けられている。よって、この例において、第一型５１０は、底部ブロック５１１が図中上方に押圧されることで、キャビティ５３０内を加圧できるように設けられている。

本発明の第三実施形態に係る製造方法では、前記の圧縮成型装置５００を用いて、半導体装置を製造する。この製造方法は、第一実施形態と同じく、
基板２００を用意する工程（Ｉ）と、
樹脂シート３００（図３参照）を用意する工程（ＩＩ）と、
第一支持フィルム３２０を剥がして、樹脂組成物層３１０の両方の面３１０Ｕ及び３１０Ｄで非被覆状態を得る工程（ＩＩＩ）と、
樹脂組成物層３１０をキャビティ５３０内に収めて、第一型５１０と第二型５２０との間で、樹脂組成物層３１０と基板２００とを加圧する工程（ＩＶ）と、を含む。

工程（Ｉ）で用意される基板２００は、第一実施形態で説明したものと同じである。第三実施形態では、用意した基板２００を、図１０に示すように第一型５１０のキャビティ５３０内に設置する。

工程（ＩＩ）で用意される樹脂シート３００は、第一実施形態で説明したものと同じである。このように用意した樹脂シート３００は、第一実施形態と同じく、工程（ＩＩＩ）において、第一支持フィルム３２０を剥がされる。また、樹脂シート３００が第二支持フィルム３３０を備える場合には、当該第二支持フィルム３３０も剥がされる。そして、第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄで同時又は非同時に非被覆状態を得た樹脂組成物層３１０を、図１０に示すように、キャビティ５３０に収まるように基板２００上に設置する。樹脂組成物層３１０は、第一型５１０に基板２００を設置した後で基板２００上に設置してもよく、第一型５１０に基板２００を設置する前に基板２００上に設置してもよい。この際、例えば、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０を剥がして得た樹脂組成物層３１０を単独で基板２００上に設置してもよい。また、例えば、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の一方を剥がして第一面３１０Ｕ及び第二面３１０Ｄの一方で非被覆状態を得て、その非被覆状態の面が基板２００に接するように樹脂組成物層３１０を設置し、その後、第一支持フィルム３２０及び第二支持フィルム３３０の他方を剥がしてもよい。

図１１は、本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置５００を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。
本発明の第三実施形態に係る製造方法は、上述した工程（Ｉ）～工程（ＩＩＩ）の後で、図１１に示すように、樹脂組成物層３１０をキャビティ５３０内に収めて、第一型５１０と第二型５２０との間で、樹脂組成物層３１０と基板２００とを加圧する工程（ＩＶ）を含む。この工程（ＩＶ）は、第一実施形態と同じく行いうる。よって、具体的には、工程（ＩＶ）では、第一型５１０及び第二型５２０が型閉じされ、樹脂組成物層３１０の全体が、第一型５１０、基板２００及び第二型５２０に囲まれたキャビティ５３０内の閉空間に収められる。そして、この状態で、樹脂組成物層３１０及び基板２００が加圧されて、樹脂組成物層３１０が基板２００に接合されるとともに、樹脂組成物層３１０が圧縮成型される。したがって、必要に応じて加熱して樹脂組成物層３１０を硬化させることにより、硬化体層３４０を得ることができる。

その後、通常は、型開きがなされて、基板２００及び硬化体層３４０を圧縮成型装置５００から取り外す。このようにして、第一実施形態と同じく、基板２００及び硬化体層３４０を備える成型体３５０を得ることができる。

上述した第三実施形態に係る製造方法によれば、第一実施形態に係る製造方法と同じ利点を得ることができる。

第三実施形態に係る製造方法は、第一実施形態に係る製造方法と同じく、任意の工程を含んでいてもよい。

［４．樹脂組成物層の組成］
樹脂組成物の組成は、当該樹脂組成物が熱硬化性を有する範囲であれば、特段の制限は無い。

熱硬化性を発揮できるようにする観点から、樹脂組成物は、通常、熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂の例としては、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド－トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビニルベンジル樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、高い封止能力を有する硬化体層を得易いことから、エポキシ樹脂が好ましい。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。全てのエポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

エポキシ樹脂には、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂を含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂を含んでいてもよく、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含んでいてもよい。

液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂等の脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がより好ましい。

液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ－４０３２」、「ＨＰ－４０３２Ｄ」、「ＨＰ－４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「エピコート８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＣＥＬド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ３９５０Ｌ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂及びナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ－４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００」、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ－６０００」、「ＨＰ－６０００Ｌ」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、好ましくは１：０．０１～１：２０、より好ましくは１：０．０５～１：１０、特に好ましくは１：０．１～１：２である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比が前記の範囲にある場合、通常は、適度な粘着性が得られる。また、通常は、十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する。さらに、通常は、十分な破断強度を有する硬化体を得ることができる。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ～５０００ｇ／ｅｑ、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ～３０００ｇ／ｅｑ、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ～２０００ｇ／ｅｑ、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ～１０００ｇ／ｅｑである。エポキシ当量がこの範囲とある場合、樹脂組成物の硬化体の架橋密度を高めることができる。エポキシ当量は、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。このエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。

エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１００～５０００、より好ましくは２５０～３０００、さらに好ましくは４００～１５００である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。

エポキシ樹脂の量は、良好な機械強度及び絶縁信頼性を示す硬化体層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、特に好ましくは１２質量％以下である。なお、本明細書において、樹脂組成物中の各成分の量は、別途明示のない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値を表す。

エポキシ樹脂の量は、良好な機械強度及び絶縁信頼性を示す硬化体層を得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは１３質量％以上、さらに好ましくは１５質量％以上であり、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下、特に好ましくは８０質量％以下である。「樹脂成分」とは、樹脂組成物に含まれる不揮発成分のうち、無機充填材を除いた成分をいう。

樹脂組成物がエポキシ樹脂を含む場合、その樹脂組成物は、硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤は、エポキシ樹脂と反応して、樹脂組成物を硬化させる機能を有する。硬化剤としては、例えば、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、アミン系硬化剤などが挙げられる。中でも、高い封止性能を有する硬化体層を得やすいことから、活性エステル系硬化剤及びフェノール系硬化剤が好ましく、フェノール系硬化剤が特に好ましい。また、硬化剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。

活性エステル系硬化剤としては、１分子中に１個以上の活性エステル基を有する化合物を用いることができる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤として「ＥＸＢ－９４１６－７０ＢＫ」、「ＥＸＢ－８１５０－６５Ｔ」、「ＥＸＢ－８１００Ｌ－６５Ｔ」、「ＥＸＢ－８１５０Ｌ－６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、硬化体層と導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、「ＭＥＨ－８０００Ｈ」；日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」；新日鉄住金化学社製の「ＳＮ－１７０」、「ＳＮ－１８０」、「ＳＮ－１９０」、「ＳＮ－４７５」、「ＳＮ－４８５」、「ＳＮ－４９５」、「ＳＮ－４９５Ｖ」、「ＳＮ－３７５」、「ＳＮ－３９５」；ＤＩＣ社製の「ＴＤ－２０９０」、「ＴＤ－２０９０－６０Ｍ」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」、「ＨＰＣ－９５００」、「ＫＡ－１１６０」、「ＫＡ－１１６３」、「ＫＡ－１１６５」；群栄化学社製の「ＧＤＰ－６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ－６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等が挙げられる。

酸無水物系硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’－４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５－（テトラヒドロ－２，５－ジオキソ－３－フラニル）－ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１，３－ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。

酸無水物系硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「ＭＨ－７００」等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ－ＯＤ１００」（ベンゾオキサジン環当量２１８ｇ／ｅｑ．）、「ＪＢＺ－ＯＰ１００Ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１８ｇ／ｅｑ．）、「ＯＤＡ－ＢＯＺ」（ベンゾオキサジン環当量２１８ｇ／ｅｑ．）；四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１７ｇ／ｅｑ．）、「Ｆ－ａ」（ベンゾオキサジン環当量２１７ｇ／ｅｑ．）；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」（ベンゾオキサジン環当量４３２ｇ／ｅｑ．）等が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル、等の２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂；これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー；などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＵＬＬ－９５０Ｓ」（多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ－０３（カルボジイミド基当量：２１６ｇ／ｅｑ．）、Ｖ－０５（カルボジイミド基当量：２６２ｇ／ｅｑ．）、Ｖ－０７（カルボジイミド基当量：２００ｇ／ｅｑ．）；Ｖ－０９（カルボジイミド基当量：２００ｇ／ｅｑ．）；ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ（カルボジイミド基当量：３０２ｇ／ｅｑ．）が挙げられる。

アミン系硬化剤としては、１分子内中に１個以上のアミノ基を有する硬化剤が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系硬化剤は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルアニリン）、ジフェニルジアミノスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、ｍ－フェニレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジヒドロキシベンジジン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３－ジメチル－５，５－ジエチル－４，４－ジフェニルメタンジアミン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系硬化剤は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ－２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ－１００」、「カヤハードＡ－Ａ」、「カヤハードＡ－Ｂ」、「カヤハードＡ－Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。

エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．０１～１：１０の範囲が好ましく、１：０．０５～１：５がより好ましく、１：０．１～１：３がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化体の耐熱性がより向上する。

硬化剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１．０質量％以上であり、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。

樹脂組成物は、必要に応じて、無機充填材を含んでいてもよい。無機充填材の材料としては、無機化合物を用いうる。無機充填材の材料の例としては、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカ、アルミナが好適であり、シリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては、球状シリカが好ましい。無機充填材は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

無機充填材の市販品としては、例えば、デンカ社製の「ＵＦＰ－３０」；新日鉄住金マテリアルズ社製の「ＳＰ６０－０５」、「ＳＰ５０７－０５」；アドマテックス社製の「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」；トクヤマ社製の「シルフィルＮＳＳ－３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ－４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ－５Ｎ」；アドマテックス社製の「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ－Ｃ４」、「ＳＯ－Ｃ２」、「ＳＯ－Ｃ１」；などが挙げられる。

無機充填材の比表面積としては、好ましくは１ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは２ｍ^２／ｇ以上、特に好ましくは３ｍ^２／ｇ以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは６０ｍ^２／ｇ以下、５０ｍ^２／ｇ以下又は４０ｍ^２／ｇ以下である。比表面積は、ＢＥＴ全自動比表面積測定装置（マウンテック社製Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ－１２１０）を使用して、試料表面に窒素ガスを吸着させ、ＢＥＴ多点法を用いて測定しうる。

無機充填材の平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、特に好ましくは０．１μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以下である。

無機充填材の平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材１００ｍｇ、メチルエチルケトン１０ｇをバイアル瓶に秤取り、超音波にて１０分間分散させたものを使用することができる。測定サンプルを、レーザー回折式粒径分布測定装置を使用して、使用光源波長を青色及び赤色とし、フローセル方式で無機充填材の体積基準の粒径分布を測定し、得られた粒径分布からメディアン径として平均粒径を算出できる。レーザー回折式粒径分布測定装置としては、例えば堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」等が挙げられる。

無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤としては、例えば、ビニルシラン系カップリング剤、（メタ）アクリル系カップリング剤、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。表面処理剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。

表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ１００３」（ビニルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」（３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３－アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ－３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－７１０３」（３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）等が挙げられる。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の分散性向上の観点から、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、無機充填材１００質量部は、０．２質量部～５質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．２質量部～３質量部で表面処理されていることが好ましく、０．３質量部～２質量部で表面処理されていることが好ましい。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０．８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下が更に好ましい。

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ－３２０Ｖ」等を使用することができる。

無機充填材の量（体積％）は、樹脂組成物の硬化体の誘電正接を低くする観点から、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは３０体積％以上、より好ましくは４０体積％以上、さらに好ましくは５０体積％以上である。また、好ましくは８０体積％以下、より好ましくは７０体積％以下、さらに好ましくは６０体積％以下である。

無機充填材の量（質量％）は、樹脂組成物の硬化体の誘電正接を低くする観点から、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは６５質量％以上であり、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８６質量％以下である。

樹脂組成物は、必要に応じて、硬化促進剤を含んでいてもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。硬化促進剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）]－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾールが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」、四国化成工業社製の「１Ｂ２ＰＺ」（１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール）、等が挙げられる。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エンが好ましい。

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

硬化促進剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．００５質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上であり、好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．３質量％以下、さらに好ましくは０．１質量％以下である。

樹脂組成物は、必要に応じて、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられ、フェノキシ樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは３８０００以上、より好ましくは４００００以上、さらに好ましくは４２０００以上である。上限は、好ましくは１０００００以下、より好ましくは７００００以下、さらに好ましくは６００００以下である。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製ＬＣ－９Ａ／ＲＩＤ－６Ａを、カラムとして昭和電工社製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ－８００Ｐ／Ｋ－８０４Ｌ／Ｋ－８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７５００ＢＨ３０」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、例えば、電気化学工業社製の「電化ブチラール４０００－２」、「電化ブチラール５０００－Ａ」、「電化ブチラール６０００－Ｃ」、「電化ブチラール６０００－ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ－５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ－１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業社製の「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」（ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド）等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「ＯＰＥ－２Ｓｔ １２００」等が挙げられる。ポリエーテルエーテルケトン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「スミプロイＫ」等が挙げられる。ポリエーテルイミド樹脂の具体例としては、ＧＥ社製の「ウルテム」等が挙げられる。

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

ポリオレフィン樹脂としては、例えば低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体等のエチレン系共重合樹脂；ポリプロピレン、エチレン－プロピレンブロック共重合体等のポリオレフィン系エラストマー等が挙げられる。

ポリエステル樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンナフタレート樹脂、ポリトリメチレンテレフタレート樹脂、ポリトリメチレンナフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンジメチルテレフタレート樹脂等が挙げられる。

熱可塑性樹脂の量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上である。上限は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下である。

樹脂組成物は、必要に応じて、エラストマーを含んでいてもよい。エラストマーを含む樹脂組成物を用いる場合、硬化体層の反りを効果的に抑制できる。エラストマーは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

エラストマーとしては、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂が好ましい。中でも、ポリブタジエン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、またはポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有する樹脂がより好ましい。更には、ポリブタジエン構造、及びポリアルキレンオキシ構造から選択される１以上の構造を有する樹脂が更に好ましく、ポリブタジエン構造を有する樹脂が特に好ましい。「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレート並びにそれらの組み合わせを包含する用語である。これらの構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。

エラストマーは、硬化体層の反りを低下させる観点から、高分子量であることが好ましい。エラストマーの数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００以上、より好ましくは１５００以上、さらに好ましくは３０００以上、５０００以上である。上限は、好ましくは１,０００,０００以下、より好ましくは９００,０００以下である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。

エラストマーは、エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させて剥離強度を高めるという観点から、エポキシ樹脂と反応し得る官能基を有することが好ましい。エポキシ樹脂と反応し得る官能基には、加熱によって現れる官能基が包含される。

好適な一実施形態において、エポキシ樹脂と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基が好ましく、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基がより好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。ただし、官能基としてエポキシ基を含む場合、数平均分子量（Ｍｎ）は、５,０００以上であることが好ましい。

エラストマーの好適な実施形態は、ポリブタジエン構造を含有する樹脂であり、ポリブタジエン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。なお、ポリブタジエン構造は、一部又は全てが水素添加されていてもよい。ポリブタジエン構造を含有する樹脂をポリブタジエン樹脂という。

ポリブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＧＱ－１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ－１０００」、「Ｇ－２０００」、「Ｇ－３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ－１０００」、「ＧＩ－２０００」、「ＧＩ－３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ－０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）等が挙げられる。一実施形態として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６－３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）、フェノール性水酸基含有ブタジエン等が挙げられる。該ポリイミド樹脂のブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％～９５質量％、より好ましくは７５質量％～８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６－３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。

エラストマーの好適な実施形態は、ポリ（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂である。ポリ（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂をポリ（メタ）アクリル樹脂という。ポリ（メタ）アクリル樹脂としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン、根上工業社製の「ＭＥ－２０００」、「Ｗ－１１６．３」、「Ｗ－１９７Ｃ」、「ＫＧ－２５」、「ＫＧ－３０００」等が挙げられる。

エラストマーの好適な実施形態は、ポリカーボネート構造を含有する樹脂である。ポリカーボネート構造を含有する樹脂をポリカーボネート樹脂という。ポリカーボネート樹脂としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ－１０９０」、「Ｃ－２０９０」、「Ｃ－３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。またヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドを使用することもできる。該ポリイミド樹脂のカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％～９５質量％、より好ましくは７５質量％～８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、国際公開第２０１６／１２９５４１号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。

また、エラストマーの他の実施形態としては、シロキサン構造を含有する樹脂である。シロキサン構造を含有する樹脂をシロキサン樹脂という。シロキサン樹脂としては、例えば、信越シリコーン社製の「ＳＭＰ－２００６」、「ＳＭＰ－２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ－５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサンおよび四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号、特開２００２－１２６６７号公報及び特開２０００－３１９３８６号公報等）等が挙げられる。

エラストマーの他の実施形態としては、アルキレン構造、アルキレンオキシ構造を含有する樹脂である。アルキレン構造を含有する樹脂をアルキレン樹脂といい、アルキレンオキシ構造を含有する樹脂をアルキレンオキシ樹脂という。ポリアルキレンオキシ構造は、炭素原子数２～１５のポリアルキレンオキシ構造が好ましく、炭素原子数３～１０のポリアルキレンオキシ構造がより好ましく、炭素原子数５～６のポリアルキレンオキシ構造がさらに好ましい。アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂の具体例としては、旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ－１０００」、「ＰＴＸＧ－１８００」等が挙げられる。

エラストマーの他の実施形態としては、イソプレン構造を含有する樹脂である。イソプレン構造を含有する樹脂をイソプレン樹脂という。イソプレン樹脂の具体例としては、クラレ社製の「ＫＬ－６１０」、「ＫＬ６１３」等が挙げられる。

エラストマーの他の実施形態としては、イソブチレン構造を含有する樹脂である。イソブチレン構造を含有する樹脂をイソブチレン樹脂という。イソブチレン樹脂の具体例としては、カネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ－０７３Ｔ」（スチレン－イソブチレン－スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ－０４２Ｄ」（スチレン－イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。

エラストマーの量は、最低溶融粘度が低い樹脂組成物を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上であり、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２１質量％以下である。また、エラストマーの量が前記範囲にある場合、通常は、誘電正接及び導体層に対しての密着性に優れ、反りを抑制可能な硬化体層が得られる。

エラストマーの量は、最低溶融粘度が低い樹脂組成物を得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは３０質量％以上、さらに好ましくは４０質量％以上であり、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６５質量％以下、さらに好ましくは６２質量％以下である。また、エラストマーの量が前記範囲にある場合、通常は、誘電正接及び導体層に対しての密着性に優れ、反りを抑制可能な硬化体層が得られる。

樹脂組成物は、上述した成分以外に、更に任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、難燃剤；ゴム粒子等の有機充填材；有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物；増粘剤；消泡剤；レベリング剤；密着性付与剤；顔料等の着色剤；特開２０１９－０４４１２８号公報に記載のマレイミド化合物；特開２０１８－１６８３５４号公報に記載の両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー；が挙げられる。任意の成分は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物は、溶剤を含んでいてもよいが、その量は少ないことが好ましい。樹脂組成物に含まれる溶剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、更に好ましくは０．０１質量％以下である。中でも、樹脂組成物は、溶剤を含まないことが特に好ましい。

［５．半導体装置の用途］
上述した製造方法によれば、硬化体層を含む半導体装置を製造できる。このように硬化体層を含む半導体装置としては、例えば、プリント配線板、半導体チップパッケージ、マルチチップパッケージ、パッケージオンパッケージ、ウェハレベルパッケージ、パネルレベルパッケージ、システムインパッケージ等が挙げられる。これらの半導体装置において、硬化体層は、例えば、絶縁層又は封止層として機能できる。

こうして製造された半導体装置は、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）、及び、乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）などの用途に好適に用いうる。

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。

［評価方法］
（樹脂組成物層の溶融粘度の測定方法）
樹脂組成物の溶融粘度は、動的粘弾性測定装置（ユー・ビー・エム社製「Ｒｈｅｏｓｏｌ－Ｇ３０００」）を使用して測定した。具体的には、試料である樹脂組成物１ｇについて、直径１８ｍｍの円形のパラレルプレートを使用して、開始温度６０℃から２００℃まで昇温速度５℃／分にて昇温し、測定温度間隔２．５℃、振動数１Ｈｚ、ひずみ５ｄｅｇの条件にて溶融粘度を測定した。こうして得られた測定結果から、目的とする測定温度（１００℃）での溶融粘度を読み取った。

（支持フィルムの密着力Ｆ_Ａ及びＦ_Ｂの測定方法）
実施例及び比較例で製造した樹脂シートの樹脂組成物層と第一支持フィルムとの間の密着力Ｆ_Ａは、下記の方法で測定した。
実施例又は比較例で製造した樹脂シートから、第二支持フィルムを剥がし、第一支持フィルム及び樹脂組成物層を備える複層フィルムを得た。
ＦＲ４銅張積層板から銅箔を除去して、基材（厚さ０．８ｍｍ、伸和プリント工業社製）を用意した。この基材の片面全面に、両面テープ（ニチバン社製「ナイスタック」）を貼り付けた。この両面テープと、複層フィルムの樹脂組成物層とを、ボイドなく均一な圧力で接着して、積層基材を得た。得られた積層基材を、幅２７ｍｍ、長さ１００ｍｍにカットして、測定試料を得た。第一支持フィルムの一端を剥がして、つかみ具で掴んだ。そして、室温（２３℃）下、５０ｍｍ／分の速度で、つかみ具で垂直方向に引っ張って支持体を３０ｍｍ引き剥がした時の平均荷重を測定し、密着力Ｆ_Ａを求めた。測定には、引っ張り試験機（ＴＳＥ社製「ＡＣ－５０Ｃ－ＳＬ」）を使用した。

実施例及び比較例で製造した樹脂シートの樹脂組成物層と第二支持フィルムとの間の密着力Ｆ_Ｂは、第一支持フィルムと第二支持フィルムとを入れ替えたこと以外は、上述した樹脂組成物層と第一支持フィルムとの間の密着力Ｆ_Ａの測定方法と同じ方法により、測定した。

（保管後の支持フィルムの浮きの評価方法）
実施例及び比較例で製造した長尺の樹脂シートをロール状に巻き取り、２３℃で２４時間保管した。保管後にロールから樹脂シートを３３ｃｍ引き出し、カットして、正方形（縦３３ｃｍ×横３３ｃｍ）の評価用シートを用意した。評価用シートを観察して、第一支持フィルム又は第二支持フィルムが樹脂組成物層から離隔する浮きが前記のカットによって生じたかどうかを、下記の基準で評価した。

「Ａ」：浮きが生じない。
「Ｂ」：評価用シートの端部のみに、第一支持フィルム又は第二支持フィルムの浮きが、僅かに生じる。
「Ｃ」：評価用シートの全体で、第一支持フィルム又は第二支持フィルムの浮きが、著しく生じる。

（支持フィルムの剥がしやすさの評価方法）
実施例及び比較例で製造した長尺の樹脂シートをカットして、正方形（縦３３ｃｍ×横３３ｃｍ）の評価用シートを得た。この評価用シートの第一支持フィルム及び第二支持フィルムを剥がして、樹脂組成物層のみのシートを得ることを試みた。この際、第一支持フィルム及び第二支持フィルムの剥がしやすさを下記の基準で評価した。

「良」：樹脂組成物層から、第一支持フィルム及び第二支持フィルムの両方を剥がせる。
「不良」：第一支持フィルム及び第二支持フィルムの少なくとも一方が、剥がせない。

（硬化体層の凹凸の評価）
実施例及び比較例で得られた成型体（即ち、評価基板、及び、樹脂組成物の硬化体で形成された硬化体層を備える成型体）の硬化体層の表面を観察して、凹凸の有無を調べた。凹凸がない場合は「良」と判定し、凹凸がある場合は「不良」と判定した。

（金型の汚れの評価）
圧縮成型後、金型を観察して、キャビティ外の部分での樹脂組成物の付着の有無を調べた。樹脂組成物の付着がない場合は「良」と判定し、樹脂組成物の付着がある場合は「不良」と判定した。

［製造例１．エラストマーＡの製造］
反応容器に、２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（日本曹達社製「Ｇ－３０００」、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、芳香族炭化水素系混合溶剤（出光石油化学社製「イプゾール１５０」）４０ｇと、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇとを入れ、混合して均一に溶解させた。均一になったところで６０℃に昇温し、更に撹拌しながらイソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製「ＩＰＤＩ」、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し、約３時間反応を行った。

次いで反応物に、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ－１１６０」、水酸基当量＝１１７ｇ／ｅｑ．）２３ｇと、エチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６０ｇとを添加し、攪拌しながら１５０℃まで昇温し、約１０時間反応を行った。ＦＴ－ＩＲによって２２５０ｃｍ^－１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピークの消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温した。そして、反応物を１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有するエラストマー（フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂：不揮発成分５０質量％）を得た。エラストマーＡの数平均分子量は５９００、ガラス転移温度は－７℃であった。

［実施例１］
（１－１．樹脂ワニスの製造）
エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ．）２１部、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ－６０００Ｌ」、エポキシ当量２１５ｇ／ｅｑ．）３０部、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）３部、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、比表面積５．８ｍ^２／ｇ、アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」）３８０部、フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ．、ＤＩＣ社製「ＴＤ２０９０－６０Ｍ」、固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）８．３部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のシクロヘキサノン：メチルエチルケトン（ＭＥＫ）の１：１溶液）１６．６部、メチルエチルケトン３０部、イミダゾール系硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」）０．３部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して樹脂ワニス１を調製した。

（１－２．樹脂シートの製造及び評価）
第一支持フィルムとして、表面に離型層を備えた長尺のポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）を用意した。この第一支持フィルムの離型層上に、前記の樹脂ワニス１を、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが２００μｍとなるように均一に塗布した。その後、樹脂ワニス１を８０℃～１２０℃（平均１００℃）で乾燥して、第一支持フィルム上に樹脂組成物層を得た。前記の乾燥は、得られる樹脂組成物層に含まれる樹脂組成物の１００℃における溶融粘度が１００００ｐｏｉｓｅとなるように行った。具体的には、乾燥の程度を調整することによって、乾燥後に樹脂組成物層に残留する溶剤の量を調整して、当該樹脂組成物層に含まれる樹脂組成物の溶融粘度を調整した。これ以降に説明する実施例及び比較例でも同様である。

得られた樹脂組成物層に、第二支持フィルムとして、表面に離型層を備えた長尺のポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製「Ｅ７００７」、厚さ５０μｍ）を貼り合わせて、第一支持フィルム、樹脂組成物層及び第二支持フィルムをこの順で備える長尺の樹脂シートを得た。この樹脂シートについて、上述した方法により、支持フィルムの密着力、支持フィルムの保管後の浮き、及び、支持フィルムの剥がしやすさを評価した。

（１－３．圧縮成型）
縦３２０ｍｍ、横３２０ｍｍの主面を有する、厚さ１．１ｍｍのガラスパネルを用意した。このガラスパネルの主面全体に、前記主面と同じサイズの熱剥離シート（日東電工社製「リバアルファＮｏ．３１９５Ｖ」）を、仮固定材として貼り合わせた。その後、熱剥離シート上に、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍのシリコンチップを搭載し、評価基板を得た（工程（Ｉ））。

前記の樹脂シートを四角形に切り出した（工程（ＩＩ））。切り出された樹脂シートの第二支持フィルムを剥がして、樹脂組成物層の片面で非被覆状態を得た。この樹脂組成物層を、評価基板上に配置して、評価基板、樹脂組成物層及び第一支持フィルムをこの順に備える積層体を得た。前記の配置は、樹脂組成物層の非被覆状態の面が、評価基板のシリコンチップが搭載された面に接するように、行った。その後、ハンドローラーで、積層体の第一支持フィルム側の面を押圧して、樹脂組成物層と評価基板とを仮付けした。第一支持フィルムを剥離して、樹脂組成物層のもう片面で、非被覆状態を得た。これにより、評価基板上に、四角形の樹脂組成物層（縦２９２ｍｍ×横２９２ｍｍ）が設けられた（工程（ＩＩＩ））。

図１に示すように、金型としての第一型１１０及び第二型１２０を備える圧縮成型装置１００を用意した。第二型１２０の第一型１１０に対向する側には、正方形の開口部（縦３００ｍｍ、横３００ｍｍ、面積９００００ｍｍ^２）を有するキャビティ１３０が形成されていた。図４に示すように、樹脂組成物層３１０が配置された評価基板２００を、型閉じされた場合に樹脂組成物層３１０をキャビティ１３０に収められるように、第一型１１０に設置した。その後、第一型１１０及び第二型１２０を型閉じし、キャビティ１３０内を加圧して、圧縮成型を実施した。前記の圧縮成型は、金型温度１２０℃、圧力８ＭＰａ、キュアタイム８分の条件で行った。

圧縮成型後、型開きして、評価基板、及び、樹脂組成物の硬化体で形成された硬化体層を備える成型体を得た。得られた成型体の硬化体層の凹凸、及び、金型の汚れを、上述した方法によって評価した。

［実施例２］
ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００」、エポキシ当量２７６ｇ／ｅｑ．）１部、ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量１６９ｇ／ｅｑ．）５部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、比表面積５．８ｍ^２／ｇ、アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」）６５部、エラストマーＡを２０部、マレイミド化合物（デザイナーモレキュールズ社製「ＢＭＩ－６８９」）４部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ－１１６０」、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）３部、硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ」）０．０５部、及びメチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス２を作製した。

こうして得られた樹脂ワニス２、樹脂ワニス１の代わりに用いた。
また、第一支持フィルム上に塗布された樹脂ワニス２の乾燥の程度を、得られる樹脂組成物層に含まれる樹脂組成物の１００℃における溶融粘度が８００００ｐｏｉｓｅとなるように変更した。
以上の事項以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂シートの製造及び評価、並びに、圧縮成型による成型体の製造及び評価を行った。

［実施例３］
第一支持フィルム上に塗布された樹脂ワニス１の乾燥の程度を、得られる樹脂組成物層に含まれる樹脂組成物の１００℃における溶融粘度が３０００ｐｏｉｓｅとなるように変更した。
また、第二支持フィルムを、粗化処理を施された粗面と粗化処理を施されていない平滑面とを有する長尺のポリプロピレンカバーフィルム（王子エフテックス社製「アルファンＭＡ－４１１」、厚さ１５μｍ）に変更した。実施例３では、樹脂組成物層と前記の平滑な面とが接するように、樹脂組成物層及び前記ポリプロピレンカバーフィルムの貼り合わせを行った。
以上の事項以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂シートの製造及び評価、並びに、圧縮成型による成型体の製造及び評価を行った。

［実施例４］
第一支持フィルムを、粗化処理を施された粗面と粗化処理を施されていない平滑面とを有する長尺のポリプロピレンカバーフィルム（王子エフテックス社製「アルファンＭＡ－４１１」、厚さ１５μｍ）に変更した。実施例４では、前記ポリプロピレンカバーフィルムの粗面上に樹脂ワニス１の塗布を行った。
また、第一支持フィルム上に塗布された樹脂ワニス１の乾燥の程度を、得られる樹脂組成物層に含まれる樹脂組成物の１００℃における溶融粘度が２０００ｐｏｉｓｅとなるように変更した。
さらに、第二支持フィルムを、表面にシリコーン系離型層を備えた長尺のポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製「Ｅ７００６」、厚さ５０μｍ）に変更した。
以上の事項以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂シートの製造及び評価、並びに、圧縮成型による成型体の製造及び評価を行った。

［実施例５］
第一支持フィルム上に塗布された樹脂ワニス１の乾燥の程度を、得られる樹脂組成物層に含まれる樹脂組成物の１００℃における溶融粘度が２０００ｐｏｉｓｅとなるように変更した。
また、第二支持フィルムを、表面に離型層を備えた長尺のポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）に変更した。
以上の事項以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂シートの製造及び評価、並びに、圧縮成型による成型体の製造及び評価を行った。

［実施例６］
第一支持フィルムを、表面にシリコーン系離型層を備えたポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製「Ｅ７００６」、厚さ５０μｍ）に変更した。
また、第二支持フィルムを、表面に離型層を備えたポリエチレンテレフタレートフィルム（藤森工業社製「フィルムバイナＫＦ」、厚さ３８μｍ）に変更した。
以上の事項以外は、実施例２と同じ方法により、樹脂シートの製造及び評価、並びに、圧縮成型による成型体の製造及び評価を行った。

［比較例１］
第一支持フィルムを、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚さ３８μｍ）に変更した。
また、第一支持フィルム上に塗布された樹脂ワニス２の乾燥の程度を、得られる樹脂組成物層に含まれる樹脂組成物の１００℃における溶融粘度が５００００ｐｏｉｓｅとなるように変更した。
さらに、第二支持フィルムを、表面にシリコーン系離型層を備えたポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製「Ｅ７００６」、厚さ５０μｍ）に変更した。
以上の事項以外は、実施例２と同じ方法により、樹脂シートの製造及び評価を行った。さらに、製造された樹脂シートを用いて圧縮成型による成型体の製造を行おうとしたが、第一支持フィルムを剥がす際に樹脂組成物層が破損したので、圧縮成型を実施できなかった。

［比較例２］
第一支持フィルム上に塗布された樹脂ワニス１の乾燥の程度を、得られる樹脂組成物層に含まれる樹脂組成物の１００℃における溶融粘度が５００ｐｏｉｓｅとなるように変更した。
以上の事項以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂シートの製造及び評価を行った。さらに、製造された樹脂シートを用いて圧縮成型による成型体の製造を行おうとしたが、第一支持フィルムを剥がす際に樹脂組成物層が破損したので、圧縮成型を実施できなかった。

［結果］
前記の実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。

［検討］
比較例１では、第一支持フィルムと樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ａが強すぎた。そのため、第一支持フィルムを剥がしたところ、剥がれた第一支持フィルムに樹脂組成物層の一部が付着し、樹脂組成物層が破損した。したがって、圧縮成型法による成型体の製造が行えなかった。

比較例２では、樹脂組成物層が柔らかく、コシが弱かった。すなわち、樹脂組成物層の剛性が不十分であった。よって、樹脂組成物層の機械的強度が低いので、第一支持フィルムを剥がしたところ、剥がれた第一支持フィルムに樹脂組成物層の一部が付着し、樹脂組成物層が破損した。したがって、圧縮成型法による成型体の製造が行えなかった。

これに対し、実施例では、いずれも、樹脂シートから第一支持フィルム及び第二支持フィルムを剥がして樹脂組成物層が得られたので、その樹脂組成物層を用いた圧縮成型法により成型体の製造が可能であった。得られた成型体の硬化体層には、第一支持フィルム及び第二支持フィルムの食い込みが生じないので、凹凸の形成は無かった。また、前記の圧縮成型では、金型のキャビティ外に樹脂組成物層が接触しないので、樹脂組成物の付着による金型の汚れは生じなかった。よって、本発明の半導体装置の製造方法によれば、硬化体層における凹凸の形成を抑制でき、且つ、樹脂組成物の流出による型の汚れを抑制できることが確認された。

ただし、実施例６では、樹脂シートを保存した場合に、樹脂シートの全体において、第二支持フィルムと樹脂組成物層とが部分的に離隔して浮きを生じることが観察された。よって、実施例６の結果から、本発明の製造方法に適用するための樹脂シートには、支持フィルムと樹脂組成物層との密着力、及び、それら密着力と樹脂組成物層の溶融粘度との関係に、式（１）～式（３）に示される好適な条件が存在することが確認できる。

１００ 圧縮成型装置
１１０ 第一型
１２０ 第二型
１２１ 底部ブロック
１２２ 側部ブロック
１３０ キャビティ
１３０Ｄ キャビティの開口部
２００ 基板
２００Ｕ 基板の表面
３００ 樹脂シート
３１０ 樹脂組成物層
３１０Ｕ 樹脂組成物層の第一面
３１０Ｄ 樹脂組成物層の第二面
３２０ 第一支持フィルム
３３０ 第二支持フィルム
３４０ 硬化体層
３５０ 成型体
４００ 圧縮成型装置
５００ 圧縮成型装置
５１０ 第一型
５１１ 底部ブロック
５１２ 側部ブロック
５２０ 第二型
５３０ キャビティ
Ｗ_１３０ キャビティの幅
Ｗ_２００ 基板の幅
Ｗ_３１０ 樹脂組成物層の幅

Claims (11)

1. 基板を支持できる第一型と、前記第一型に対向して設けられた第二型とを備え、前記第一型及び前記第二型の少なくとも一方にキャビティが形成された圧縮成型装置を用いて、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
   前記製造方法が、
   前記基板を用意する工程（Ｉ）と、
   熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、前記樹脂組成物層の一方の面に接する第一支持フィルムと、を備える樹脂シートを用意する工程（ＩＩ）と、
   前記第一支持フィルムを剥がして、前記樹脂組成物層の両方の面で、同時又は非同時に、非被覆状態を得る工程（ＩＩＩ）と、
   前記樹脂組成物層を前記キャビティ内に収めて、前記第一型と前記第二型との間で、前記樹脂組成物層と前記基板とを加圧する工程（ＩＶ）と、を含む、半導体装置の製造方法。
2. 工程（ＩＩ）で用意される前記樹脂シートが、前記樹脂組成物層と、前記樹脂組成物層の一方の面に接する前記第一支持フィルムと、前記樹脂組成物層の他方の面に接する第二支持フィルムと、を備え、
   工程（ＩＩＩ）が、前記第一支持フィルム及び第二支持フィルムを剥がすことを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第一支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ａ［ｇｆ／ｃｍ］が、下記式（１）を満たし、
   前記第二支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ｂ［ｇｆ／ｃｍ］が、下記式（２）を満たす、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
   １．５［ｇｆ／ｃｍ］＜ Ｆ_Ａ ＜２０［ｇｆ／ｃｍ］ （１）
   １．５［ｇｆ／ｃｍ］＜ Ｆ_Ｂ ＜２０［ｇｆ／ｃｍ］ （２）
4. 前記第一支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ａ［ｇｆ／ｃｍ］、前記第二支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ｂ［ｇｆ／ｃｍ］、及び、１００℃における前記樹脂組成物の溶融粘度η［ｐｏｉｓｅ］が、式（３）を満たす、請求項２又は３に記載の半導体装置の製造方法。
   ０．００００５＜ （Ｆ_Ａ＋Ｆ_Ｂ）／η ＜０．０３ （３）
5. 前記第二支持フィルムの厚さが、１０μｍ～２００μｍである、請求項２～４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第二支持フィルムの前記樹脂組成物層と接する面が、シリコーン系離型剤で表面処理されている、請求項２～５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記樹脂組成物層の厚さが、４０μｍ以上である、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記第一支持フィルムの厚さが、１０μｍ～２００μｍである、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記第一支持フィルムの前記樹脂組成物層と接する面が、シリコーン系離型剤で表面処理されている、請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記樹脂組成物層が、工程（ＩＶ）において前記樹脂組成物層が加圧されたときに、前記キャビティ内を満たせる容量を有する、請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、前記樹脂組成物層の一方の面に接する第一支持フィルムと、前記樹脂組成物層の他方の面に接する第二支持フィルムと、を備え、
    前記樹脂組成物層の厚さが、４０μｍ以上であり、
    前記第一支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ａ［ｇｆ／ｃｍ］、前記第二支持フィルムと前記樹脂組成物層との密着力Ｆ_Ｂ［ｇｆ／ｃｍ］、及び、１００℃における前記樹脂組成物の溶融粘度η［ｐｏｉｓｅ］が、下記式（１）、式（２）及び式（３）を満たす、樹脂シート。
    １．５［ｇｆ／ｃｍ］＜ Ｆ_Ａ ＜２０［ｇｆ／ｃｍ］ （１）
    １．５［ｇｆ／ｃｍ］＜ Ｆ_Ｂ ＜２０［ｇｆ／ｃｍ］ （２）
    ０．００００５＜ （Ｆ_Ａ＋Ｆ_Ｂ）／η ＜０．０３ （３）

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