CN112055734B - 粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法 - Google Patents

粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112055734B
CN112055734B CN201980029526.3A CN201980029526A CN112055734B CN 112055734 B CN112055734 B CN 112055734B CN 201980029526 A CN201980029526 A CN 201980029526A CN 112055734 B CN112055734 B CN 112055734B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mass
meth
adhesive tape
acrylate
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980029526.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112055734A (zh
Inventor
本池进悟
田中秀
中村将
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denka Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denka Co Ltd filed Critical Denka Co Ltd
Publication of CN112055734A publication Critical patent/CN112055734A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112055734B publication Critical patent/CN112055734B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J175/04—Polyurethanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/141—Feedstock

Abstract

本发明提供在加热处理的情况下也能抑制有机气体产生的粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法。该粘合带具有：基材膜，其在250℃以下的温度区域内不具有玻璃化转变温度或熔点；和粘接层，其层叠于所述基材膜的至少一个面，含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂和(C)增粘树脂，(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(A‑1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、(A‑2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、(A‑3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯和(A‑4)具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，(C)增粘树脂是软化点为70℃以上且180℃以下的萜烯酚树脂。

Description

粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种粘合带和使用了该粘合带的半导体装置的制造方法。
背景技术
近年来，关于LSI的安装技术，CSP(Chip Size/Scale Package，芯片尺寸封装)受到关注。CSP是使得QFP(Quad Flat Package，四侧引脚扁平封装)、QFN(Quad Flat Non-lead，四侧无引脚扁平封装)等复数个半导体芯片在引线框的芯片垫(die pad)上排列并在模具的模腔内利用封装树脂进行统一封装的半导体装置。
关于QFP、QFN等半导体装置的制造，广泛实施如下传递方式的模塑：利用模塑模具在局部将引线框的外周夹紧，将在柱塞内暂时加热软化的材料填充于模腔并使其固化。在该模塑时，一般将粘合带粘贴于引线框的背面侧，使得封装树脂不向引线框背面侧泄漏(参照专利文献1)。
用于模塑时的粘合带不仅在半导体装置的制造工序中使用，还用于在粘贴了引线框的状态下进行保管、输送的情况，有时根据这些管理状态从粘合带产生排气(out gas)而导致引线框剥离，在后续的半导体装置的制造工序中导致封装树脂向引线框背面泄漏。
关于用于这种粘合带的粘接剂，为了提高耐热性，一般使用硅酮粘接剂。然而，使用硅酮粘接剂的粘合带有时在从引线框剥离时残渣残留于被粘接体表面。由于该残渣为疏水性以及疏油性，因此，导致电机连接部的镀覆适合性降低、使电路面的粘接力降低，有可能成为因电阻增大以及产生裂纹引发的故障等的原因。
另一方面，由于粘接性优异，在交联的情况下还具备耐热性且价格低廉，因此提出了使用以丙烯酸系聚合物为主成分的粘接剂层的粘合带(参照专利文献2、专利文献3)。
专利文献2中记载有使用了丙烯酸系粘接剂层的粘合带，但该粘合带难以获得耐热性，有可能在高温条件下因产生排气而引起封装树脂的树脂泄漏。
专利文献3中也记载有使用了丙烯酸系粘接剂层的耐热遮蔽带，有可能引起若暴露于高温条件下则粘接力变得过大而使得被粘接体难以剥离的情况、或有机溶剂、未反应单体等作为排气产生而引起封装树脂的树脂泄漏。
因此，作为这种粘合带，不仅要求满足与搭载有半导体芯片的引线框贴合的高度的密封性、防止封装树脂漏出的高度的耐热性，还要求满足封装后容易剥离的剥离性等上述所有性能。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-64714号公报。
专利文献2：国际公开第2017/038914号。
专利文献3：日本特开2005-53975号公报。
发明内容
发明要解决的课题
本发明的课题在于提供一种粘合带，其在CSP等的制造工序中使用，具有相对于被粘接体的足够的初始粘接性，并且在高温下长时间的热处理时不会产生排气，不仅具有防止封装树脂漏出的高度的耐热性，而且粘接力稳定，此后还能够容易地剥离。
用于解决课题的手段
本发明为了解决上述课题而采用以下手段。
[1]一种粘合带，其具有：基材膜，该基材膜在250℃以下的温度区域内不具有玻璃化转变温度或熔点；以及粘接层，该粘接层层叠于所述基材膜的至少一个面，并且含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂以及(C)增粘树脂，并且所述粘合带满足以下(1)及(2)。
(1)所述(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有55质量％以上且90质量％以下的(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、2质量％以上且35质量％以下的(A-2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、0.05质量％以上且13质量％以下的(A-3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、以及0.05质量％以上且17质量％以下的(A-4)具有羟基的(甲基)丙烯酸酯。
(2)所述(C)增粘树脂是软化点为70℃以上且180℃以下的萜烯酚树脂。
[2]根据[1]所述的粘合带，其中，相对于100质量份的所述(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物，所述粘接层含有0.3质量份以上且20质量份以下的所述(B)异氰酸酯系固化剂、以及0.3质量份以上且30质量份以下的所述(C)增粘树脂。
[3]根据[1]或[2]所述的粘合带，其中，从30℃升温至250℃时的质量减小率为3％以下。
[4]一种半导体装置的制造方法，其中，其具有：将[1]至[3]中任一项所述的粘合带粘贴于搭载有半导体芯片的引线框的未搭载所述半导体芯片的面的工序；利用封装树脂对所述引线框的搭载有所述半导体芯片的面进行封装的工序；以及使所述粘合带剥离的工序。
发明的效果
根据本发明，能够获得如下粘合带，该粘合带在CSP等的制造工序中使用，具有相对于被粘接体的足够的初始粘接性，并且在高温下长时间的热处理时不会产生排气，不仅具有防止封装树脂漏出的高度的耐热性，而且粘接力稳定，此后还能够容易地剥离。
附图说明
图1中(a)是表示用于本发明的半导体装置的制造方法的引线框的一例的俯视图，(b)是封装图。
图2是表示将粘合带粘贴于用于本发明的半导体装置的制造方法的引线框的一例的剖视图。
图3是利用封装树脂对图2所示的引线框进行封装的剖视图。
图4是在图3所示的剖视图中使粘合带剥离后的状态的剖视图。
具体实施方式
以下，对本发明的一个实施方式进行详细说明。本发明并不限定于以下实施方式，可以在不妨碍本发明的效果的范围内适当地施加变更而实施。应予说明，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是丙烯酸以及甲基丙烯酸的总称，“(甲基)丙烯酸酯”是丙烯酸酯以及甲基丙烯酸酯的总称。
[第1实施方式]
本实施方式的粘合带是在基材膜的至少一个面具有粘接层的粘合带。
(基材膜)
基材膜由耐热性的树脂构成，只要在250℃以下的温度区域不具有玻璃化转变温度或熔点即可，并未特别限定。通过使用所述基材膜，即使在树脂封装时的温度约为180℃的树脂封装工序中，也能够获得防止树脂泄漏的优异的粘合带。
作为这种材料，例如能举出聚酰胺酰亚胺(PAI)树脂、聚醚醚酮(PEEK)树脂、聚芳酯(PAR)树脂、聚酰亚胺(PI)树脂以及液晶聚合物(LCP)等。其中，从耐热性、尺寸稳定性以及基材强度的观点出发，优选聚酰亚胺树脂。
在本发明中，基材膜的玻璃化转变温度意味着JIS K7121中的中间点玻璃化转变温度。即，是源自利用差示热重分析仪在氮环境下以10℃/分钟的升温速度在室温至380℃进行DSC测定时的玻璃化转变的2个拐点温度的中间值。基材膜的熔点，是同样通过DSC测定而获得的值。
对于基材膜，可以根据需要而配合增塑剂、稳定剂等添加剂。增塑剂并未特别限定，例如可以使用邻苯二甲酸二辛酯等邻苯二甲酸酯系增塑剂、环氧大豆油等环氧系增塑剂、邻苯二甲酸聚乙二醇二酯等聚酯系增塑剂。稳定剂并未特别限定，例如可以使用环氧系稳定剂；钡系稳定剂；钙系稳定剂；锡系稳定剂；锌系稳定剂；钙-锌系(Ca-Zn系)、钡-锌系(Ba-Zn系)等复合稳定剂；脂肪酸钙、脂肪酸锌、脂肪酸钡等金属皂；水滑石、β-二酮化合物以及甲基丙烯酸缩水甘油酯和甲基丙烯酸甲酯的共聚物等。可以单独使用上述稳定剂，也可以使用1种或2种以上的上述稳定剂。
对于基材膜，为了使膜的光滑性变得良好，作为润滑剂，可以以0.005质量％～20质量％的配合比例而含有平均粒径为0.01μm～20μm左右的有机微粒、无机微粒。此外，平均粒径为一次粒子的平均粒径(平均一次粒径)，是利用透射型电子显微镜(TEM)对几十个至100个左右的粒子实际测量最大直径并对其平均值进行求解所得的值。
作为微粒的具体例，能举出碳酸钙、氧化钙、氧化铝、氧化钛、石墨、高岭土、氧化硅、氧化锌、炭黑、碳化硅、氧化锡、丙烯酸系树脂粒子、交联苯乙烯树脂粒子、三聚氰胺树脂粒子、硅酮树脂粒子等。
对于基材膜，除了上述添加剂以外，可以根据需要添加抗静电剂、有机润滑剂、催化剂、颜料、荧光增白剂、交联剂、滑动剂、紫外线吸收剂、其他树脂等。
上述添加剂的含量并未特别限定，相对于100质量份的基材膜，合计可以设为0.1质量份以上且20质量份以下、0.1质量份以上且10质量份以下、或者0.1质量份以上且5质量份以下。
基材膜的厚度并未特别限定，可以设为5μm以上且50μm以下，优选设为10μm以上且35μm以下。另外，基材膜可以设为单层，也可以设为2层以上的多层结构。
(粘接层)
粘接层(以下也称为“第1粘接层”)包含(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂、以及(C)增粘树脂。粘接层包含(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂、以及(C)增粘树脂，所述增粘树脂是软化点为70℃以上且180℃以下的萜烯酚树脂，因此具有耐热性，并且即使在高温下对粘合带进行加热处理，也能够防止产生排气。
(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有55质量％以上且90质量％以下的(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、2质量％以上且35质量％以下的(A-2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、0.05质量％以上且13质量％以下的(A-3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、以及0.05质量％以上且17质量％以下的(A-4)具有羟基的(甲基)丙烯酸酯。
通过(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物中含有55质量％以上且90质量％以下的(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯，从而能够获得具有相对于被粘接体的足够的粘接性的粘接层。(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯的含量在(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物中优选为60质量％以上且80质量％以下。在(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯的含量不足55质量％的情况下，共聚树脂具有高弹性，无法确保对于被粘接体的足够的粘接性。另外，若(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯的含量超过90质量％，则能够使对于被粘接体的足够的粘接性变得良好，另一方面，粘接层实现了低弹性，变得无法防止封装树脂漏出。
作为(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯，能举出(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。可以使用选自上述物质的1种或者2种以上。
通过(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物中含有2质量％以上且35质量％以下的(A-2)甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种，从而能够获得具有足够的凝聚力的粘接层，能够抑制加热后的剥离性、糊残留性以及排气的产生。(A-2)甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯的至少1种的含量在(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物中优选为3质量％以上且32质量％以下，更优选为4质量％以上且25质量％以下。在(A-2)甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯的至少1种的含量不足2质量％的情况下，在维持高温环境下的粘接力的状态下无法确保凝聚力，加热后的剥离性下降。另外，若(A-2)甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯的至少1种的含量超过35质量％，则能够确保树脂的凝聚力，另一方面，共聚树脂的软化点升高，无法获得对于被粘接体的足够的粘接力。
通过(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物中含有0.05质量％以上且13质量％以下的(A-3)含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯，从而能够抑制粘接层的加热后的糊残留性以及排气的产生。(A-3)含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯的含量在(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物中优选为0.08质量％以上且11质量％以下，更优选为0.5质量％以上且5质量％以下。在(A-3)含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯的含量不足0.05质量％的情况下，无法获得高温下的凝聚力，无法抑制排气的产生。另外，若(A-3)含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯的含量超过13质量％，则能够确保树脂的凝聚力，另一方面，树脂具有高弹性，无法获得对于被粘接体的粘接性。
作为(A-3)含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯，例如能举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油基醚等，可以使用选自上述物质的1种或2种以上。
通过(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物中含有0.05质量％以上且17质量％以下的(A-4)含有羟基的(甲基)丙烯酸酯，从而能够对与(B)异氰酸酯系固化剂的交联结构进行控制，能够获得具有足够的粘接力的粘接层，并且能够抑制糊残留性以及排气的产生。(A-4)含有羟基的(甲基)丙烯酸酯的含量在(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物中优选为0.08质量％以上且16质量％以下，更优选为0.5质量％以上且8质量％以下。
在(A-4)含有羟基的(甲基)丙烯酸酯的含量不足0.05质量％的情况下，未形成交联结构，加热后的剥离性降低。另外，若(A-4)含有羟基的(甲基)丙烯酸酯的含量超过17质量％，则树脂成为高弹性，无法获得对于被粘接体的粘接性。
作为(A-4)含有羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如能举出(甲基)丙烯酸2-羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、季戊四醇三丙烯酸酯、缩水甘油二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯等，可以使用选自上述物质的1种或2种以上。
作为(B)异氰酸酯系固化剂，优选使用多官能异氰酸酯固化剂，例如能举出芳族多异氰酸酯固化剂、脂肪族多异氰酸酯固化剂、脂环族多异氰酸酯固化剂，可以使用上述物质的三聚体或者与三羟甲基丙烷的加成物。
芳族多异氰酸酯固化剂并未特别限定，例如能举出1,3-苯二异氰酸酯、4,4'-联苯二异氰酸酯、1,4-苯二异氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二异氰酸酯、2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4'-甲苯胺二异氰酸酯、2,4,6-三异氰酸酯基甲苯、1,3,5-三异氰酸酯基苯、联茴香胺二异氰酸酯、4,4'-二苯醚二异氰酸酯、4,4',4'-三苯基甲烷三异氰酸酯、ω,ω'-二异氰酸酯基-1,3-二甲基苯、ω,ω'-二异氰酸酯基-1,4-二甲基苯、ω,ω'-二异氰酸酯基-1,4-二乙基苯、1,4-四甲基苯二亚甲基二异氰酸酯、以及1,3-四甲基苯二亚甲基二异氰酸酯等。
脂肪族多异氰酸酯固化剂并未特别限定，例如能举出三亚甲基二异氰酸酯、四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、五亚甲基二异氰酸酯、1,2-亚丙基二异氰酸酯、2,3-亚丁基二异氰酸酯、1,3-亚丁基二异氰酸酯、十二亚甲基二异氰酸酯、以及2,4,4-三甲基六亚甲基二异氰酸酯等。
脂环族多异氰酸酯固化剂并未特别限定，例如能举出3-异氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基环己基异氰酸酯、1,3-环戊烷二异氰酸酯、1,3-环己烷二异氰酸酯、1,4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2,4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2,6-环己烷二异氰酸酯、4,4'-亚甲基双(环己基异氰酸酯)、1,4-双(异氰酸酯甲基)环己烷、以及1,4-双(异氰酸酯甲基)环己烷等。
三聚体或者与三羟甲基丙烷的加成物并未特别限定，优选使用2,4-甲苯二异氰酸酯和三羟甲基丙烷的加成物。
相对于100质量份的(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物，(B)异氰酸酯系固化剂的含量优选为0.3质量份以上且20质量份以下，更优选为0.4质量份以上且20质量份以下，进一步优选为2质量份以上且20质量份以下。通过将固化剂的含量设为上述范围内，能够对与(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物的交联结构进行控制，能够获得足够的粘接力，并且能够抑制糊残留性以及排气的产生。
作为(C)增粘树脂，采用萜烯酚树脂。通过以往公知的方法使萜烯化合物和酚类反应而制造萜烯酚树脂，能举出通过以往公知的方法使1摩尔的萜烯化合物和0.1～50摩尔的酚类反应而制造的萜烯酚树脂。
作为萜烯化合物，能举出月桂烯、别罗勒烯、α-蒎烯、β-蒎烯、柠檬烯、α-萜品烯、γ-萜品烯、莰烯、萜品油烯、δ-3-蒈烯等。在上述化合物中，优选使用α-蒎烯、β-蒎烯、柠檬烯、月桂烯、别罗勒烯、α-萜品烯。
作为酚类，能举出苯酚、甲酚、二甲苯酚、儿茶酚、间苯二酚、对苯二酚、双酚A等，但并不限定于此。萜烯酚树脂中的酚类的比率为25摩尔％～50摩尔％左右，但并不限定于此。萜烯酚树脂的羟值为50～250左右，但并不限定于此。
萜烯酚树脂的软化点优选为70℃以上且180℃以下，更优选为130℃以上且180℃以下。通过设为该范围，能够抑制加热后的剥离性、糊残留性以及排气的产生。
相对于100质量份的(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物，(C)增粘树脂的含量优选为0.3质量份以上且30质量份以下，更优选为0.4质量份以上且26质量份以下，进一步优选为1质量份以上且20质量份以下，特别优选为3质量份以上且15质量份以下。通过将增粘树脂的含量设为上述范围内，能够获得足够的粘接力，并且能够抑制糊残留性以及排气的产生。
(其他添加剂等)
在粘接剂组合物中例如可以含有软化剂、抗老化剂、填充剂、导电剂、紫外线吸收剂以及光稳定剂等各种添加剂。其他添加剂的含量并未特别限定，相对于100质量份的(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)，可以设为1质量份以上且20质量份以下、1质量份以上且10质量份以下、或者1质量份以上且5质量份以下。
粘接层的厚度优选为2μm以上且23μm以下，更优选为3μm以上且20μm以下，进一步优选为4μm以上且10μm以下。通过将粘接剂层的厚度设为2μm以上，能够确保充分的粘接性，并且能够防止厚度精度、粘接力下降。通过将粘接剂层的厚度设为23μm以下，能够容易地形成粘接剂层，并且能够防止在增大厚度的情况下有可能产生的、加热后的糊残留、成本提升、生产率的降低等。
关于粘接层的形成，有如下方法：例如采用凹版涂布器、缺角轮涂布器、棒涂器、刮刀涂布器或者辊涂器等涂布器将含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂、(C)增粘树脂、以及根据需要使用的添加剂等的粘接剂组合物直接涂敷在基材膜上的方法；将粘接剂组合物涂敷于剥离膜并使其干燥之后使其贴合于基材膜的方法。可以通过凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔版印刷、胶版印刷、或者丝网印刷等将粘接剂组合物印刷于基材膜上。
[第2实施方式]
本实施方式的粘合带在基材膜的两面具有粘接层。即，在第1实施方式的粘合带的基础上，本实施方式所涉及的粘合带在基材膜的未层叠第1粘接层的面还具有粘接层(以下也称为“第2粘接层”)。关于基材膜以及第1粘接层，与第1实施方式相同，因而此处将其记载省略。
(第2粘接层)
作为第2粘接层，根据用途的不同，可以使用含有与(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物相同的(甲基)丙烯酸酯共聚物或者不同的(甲基)丙烯酸酯共聚物、以及(B)异氰酸酯系固化剂或者环氧系固化剂，还含有(C)增粘树脂或者不含(C)增粘树脂的粘接剂组合物而形成。关于与(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物相同的树脂、(B)异氰酸酯系固化剂、以及(C)增粘树脂，与上述内容相同，因而此处将其记载省略。
作为与(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物不同的(甲基)丙烯酸酯共聚物，能举出不含有羟基及缩水甘油基的一者或两者的(甲基)丙烯酸酯共聚物树脂。
作为环氧系固化剂，可以使用多官能环氧固化剂。多官能环氧固化剂主要是指具有2个以上的环氧基、1个以上的叔氮原子的化合物，能举出N，N-缩水甘油基苯胺、N，N-缩水甘油基甲苯胺、间-N，N-缩水甘油基氨基苯基缩水甘油基醚、对-N，N-缩水甘油基氨基苯基缩水甘油基醚、异氰脲酸三缩水甘油酯、N，N，N'，N'-四缩水甘油基二氨基二苯基甲烷、N，N，N'，N'-四缩水甘油基-间二甲苯二胺、N，N，N'，N'，N”-五缩水甘油基二亚乙基三胺等。此外，第2粘接层的厚度以及形成方法与第1粘接层相同。
[粘合带]
即使在高温下对第1实施方式及第2实施方式所涉及的粘合带进行加热处理，产生的排气也较少。因此，即使在制造半导体装置时使用，也能够防止封装树脂的树脂泄漏。另外，还能够抑制粘接性在加热处理后过度升高，因此能够防止糊残留的产生。
(质量减小率)
对下述测定条件下使粘合带从30℃升温至250℃时减小的质量进行测定并通过下式求出的值为质量减小率。若质量减小率为3质量％以下，则表示即使在高温下加热也能够抑制从粘合带产生排气。
质量减小率＝[(30℃条件下的质量-250℃条件下的质量)/(30℃条件下的质量)]×100(质量％)
·测定条件
测定开始温度：30℃。
升温速度：10℃/分钟。
环境气体：大气(无载气流量)。
质量减小率优选为2质量％以下，更优选为1质量％以下。
(粘接力)
粘合带的粘接力为按照JIS Z 0237测定的值，将贴合于铜板后经过30分钟之后的粘接力设为“初始”。优选为0.4N/20mm以上且4N/20mm以下。通过设为该范围，能够防止对于引线框的足够的密接性以及粘合带贴合失败的情况下的粘合带剥离时的引线框的变形。
在贴合于铜板后经过30分钟之后，将以180℃加热5分钟之后的粘接力设为“加热后”。优选为0.9N/20mm以上且5N/20mm以下。通过将加热后的粘接力设为该范围，能够抑制加热处理后的糊残留。
(用途)
第1实施方式及第2实施方式的粘合带即使在加热处理的情况下也能够抑制排气的产生，因此，除了制造半导体装置以外，例如还能够用于电子部件的制造及输送用途、膜状基板生产工序等用途。具体而言，可以用作能够一连串地执行在电子部件的表面形成蒸镀膜的工序、晶片级封装(WLP)、有机EL以及LED的制造中的材料的薄化工序、电极形成工序、薄膜电路形成工序、树脂封装工序并进行输送支承的遮蔽带。另外，可以用作进行半导体晶片、电子部件、玻璃等的表面处理时的支承体的遮蔽带。
[半导体的制造方法]
使用了第1实施方式及第2实施方式的粘合带的半导体装置的制造方法具有如下工序：将粘合带粘贴于搭载有半导体芯片的引线框的未搭载该半导体芯片的面的粘贴工序；对所述引线框的搭载有所述半导体芯片的面进行封装的封装工序；以及使所述粘合带剥离的剥离工序。
(粘贴工序)
在粘贴工序中，将粘合带粘贴于搭载有半导体芯片的引线框的未搭载该芯片的面。引线框通常由Cu系材料(Cu-Fe-P等)、Fe系材料(Fe-Ni等)等的金属板形成。引线框内的电触点部分(与半导体芯片的连接部分)优选由银、镍、钯、金等被覆(镀覆)。引线框的厚度优选为100μm～300μm左右。
优选引线框排列成复数个规定的配置图案(例如各QFN的配置图案)以便容易通过后续的切断工序进行切分(参照图1)。
另外，如图2所示，封装件2具备芯片垫4、导电膏5、半导体芯片6以及引线端子7。
根据需要而对半导体芯片表面的电极焊盘和引线端子7进行引线接合。利用接合线(例如金线或铜线等)在加热至150℃～250℃的状态下通过同时使用基于超声波的振动能量和基于施加加压的压接能量而进行引线接合。
优选地，除了引线框中的封装区域以外，在比引线框的封装区域靠外侧的区域、即包含树脂封装的树脂封装区域的外侧的整周的区域或者包含封装区域以及封装区域的外侧的整周的区域进行粘合带向引线框的粘贴。
(封装工序)
在封装工序中，将引线框夹持于上下模具，注射封装树脂而在半导体芯片搭载面进行封装。此时，同时还对未粘贴粘合带的区域(外侧的整周)进行封装。
为了对搭载于引线框的半导体芯片以及接合线加以保护而进行半导体芯片的封装，例如代表性的例子是使用环氧系树脂。优选利用由具有复数个模腔的上模具和下模具构成的模具同时对复数个半导体芯片进行封装。
封装时的加热温度为170℃～180℃左右，在该温度条件下进行几分钟的固化。进而，进行几小时的后模具固化。
(剥离工序)
在剥离工序中，使粘贴于引线框背面的粘合带剥离。优选在后模具固化之前进行封装后的粘合带的剥离。
然后，可以针对每个半导体芯片而对包含封装树脂的引线框进行分割，由此获得半导体装置。可以利用切片机等旋转切刀等进行针对每个半导体芯片的分割。
实施例
以下示出实施例对本发明进行更具体的说明，并非利用这些实施例来限定对于本发明的解释。
[材料]
实施例及比较例利用以下材料。
(基材膜)
PI：25μm的聚酰亚胺树脂膜，东丽杜邦株式会社制的“KAPTON 100H”，无Tg，400℃以上的Tm。
PAR：25μm的聚芳酯树脂膜，尤尼吉可株式会社(Unichika,Ltd.)制的“U POLYMERT-200”，260℃的Tg，无Tm。
PES：25μm的聚醚砜树脂膜，住友化学株式会社制的“SUMIKAEXCEL PES4800G”，225℃的Tg，无Tm。
“KAPTON”、“U POLYMER”以及“SUMIKAEXCEL”为注册商标。
(粘接层)
(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物
构成(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物的(A-1)～(A-4)分别采用以下材料。
(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯丙烯酸正丁酯：株式会社日本触媒制，均聚物的Tg为-54℃，分子量为128。
丙烯酸2-乙基己酯：株式会社日本触媒制，均聚物的Tg为-70℃，分子量为184。
(A-2)甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯的至少1种
甲基丙烯酸甲酯：三菱瓦斯化学株式会社制，均聚物的Tg为105℃，分子量为100。
丙烯腈：三菱人造丝株式会社制，均聚物的Tg为100℃，分子量为53。
甲基丙烯腈：旭化成株式会社制，均聚物的Tg为120℃，分子量为67。
苯乙烯：NS苯乙烯单体株式会社制，均聚物的Tg为100℃，分子量为104。
(A-3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯
甲基丙烯酸缩水甘油酯：日油株式会社制，均聚物的Tg为41℃，分子量为142。
(A-4)具有羟基的(甲基)丙烯酸酯
甲基丙烯酸2-羟基乙酯：株式会社日本触媒制，均聚物的Tg为55℃，分子量为130，羟值为431mgKOH/g。
(B)异氰酸酯系固化剂
B-1：TDI-TMP附成物：东曹株式会社制的“CORONATE L-45E”。
(C)增粘树脂
C-1：萜烯酚树脂，安原化工株式会社(Yasuhara Chemical Co.,Ltd.)制的“YSPOLYSTER G150”，软化点为150℃。
C-2：萜烯酚树脂，安原化工株式会社(Yasuhara Chemical Co.,Ltd.)制的“YSPOLYSTER T80”，软化点为80℃。
C-3：萜烯酚树脂，安原化工株式会社(Yasuhara Chemical Co.,Ltd.)制的“YSPOLYSTER T160”，软化点为160℃。
C-4：萜烯酚树脂，安原化工株式会社(Yasuhara Chemical Co.,Ltd.)制的“YSPOLYSTER T30”，软化点为30℃。
“CORONATE”、“POLYSTER”为注册商标。
[粘合带的制造方法]
通过如下制造方法而获得粘合带。
<实施例1>
以如下方式制作了形成粘接层的粘接剂组合物。首先，为了合成(甲基)丙烯酸酯共聚物，在容量为1升的可分离式烧瓶中注入200质量份的含有0.2质量％的聚乙烯醇的水、72质量份的丙烯酸正丁酯、20质量份的甲基丙烯酸甲酯、3质量份的甲基丙烯酸缩水甘油酯、5质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯、0.1质量份的作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰、以及0.2质量份的用于调整分子量的2-乙基己基-3-巯基丙酸酯。
边在氮气环境下对其进行搅拌边使其升温至70℃，进行4小时的悬浮聚合。接下来，通过倾析从悬浮液将水分除去。边对固态物进行吸滤边利用水进行清洗，在将水分除去之后，在60℃条件下进行真空干燥，获得含水率为0.5％以下的共聚树脂((A)(甲基)丙烯酸酯共聚物)。
在甲苯中对获得的(甲基)丙烯酸酯共聚物进行熔融搅拌。向其中加入异氰酸酯系固化剂以及增粘树脂而进行搅拌混合，获得粘接剂组合物。在以固化后的厚度达到5μm的方式利用涂敷器将该粘接剂组合物涂敷于宽度为300mm、长度为400mm、厚度为25μm的PI膜上之后，以100℃加热2分钟而使其干燥。使宽度为300mm、长度为400mm、脱模处理后的厚度为38μm的聚酯膜贴合于粘着面而获得粘合带。利用烘箱以40℃、3天的加热条件对其进行老化处理，作为交联后的粘接层而获得宽度为300mm、长度为400mm、厚度为0.068mm的实施例1的粘合带。
<实施例2～18、比较例1～10>
通过与实施例1相同的方法而制作实施例2～18、比较例1～10的粘合带。表1及表2中总结示出了组成等。
Figure BDA0002753210670000151
Figure BDA0002753210670000161
[评价]
对实施例及比较例中获得的粘合带进行了以下评价。表1及表2中示出了结果。
(质量减小率)
关于质量减小率，利用差示热/热重同时测定装置在30℃至300℃对以成为14mg～16mg的质量切取的粘合带进行热重测定，对测定粘合带的30℃和250℃时的质量且通过下式求出的值进行了评价。
质量减小率＝[(30℃条件下的质量-250℃条件下的质量)/(30℃条件下的质量)]×100(质量％)
测定条件如下所述。
·测定条件
测定装置：布鲁克日本株式会社制，TG-DATA2000SA。
测定开始温度：30℃。
升温速度：10℃/分钟。
环境：大气(无载气流量)。
<评价>
3：小于1.5质量％。
2：1.5质量％以上且小于3.1质量％。
1：3.1质量％以上。
(初始粘接力)
关于初始粘接力，针对在以下贴合条件下贴合于铜板的粘合带在180°的剥离角度、300mm/分钟的剥离速度(拉伸速度)下基于JIS Z 0237进行了测定。此外，如下所述，换算为20mm的宽度而进行了评价。
贴合条件：
将宽度为10mm的粘合带载置于100mm方形、厚度为0.5mm的铜板(算术平均表面粗糙度Ra：1.0±0.1μm)，在从其上方使2kg的辊往返1次而进行贴合之后，在23℃条件下静置30分钟。
<评价>
3：1.0N/20mm以上且3.0N/20mm以下。
2：0.4N/20mm以上且小于1.0N/20mm、或者超过3.0N/20mm且小于4.0N/20mm。
1：小于0.4N/20mm或4.0N/20mm以上。
(加热后的粘接力)
关于加热后的粘接力，在同上所述的条件下，在180℃的烘箱中对带有贴合于铜板的粘合带的铜板进行5分钟的加热之后，在23℃条件下冷却2小时，通过同上所述的方法对粘接力进行了测定。此外，如下所述，换算为20mm的宽度而进行了评价。
<评价>
3：1.0N/20mm以上且4.0N/20mm以下。
2：0.4N/20mm以上且小于1.0N/20mm、或者超过4.0N/20mm且小于5.0N/20mm。
1：小于0.4N/20mm或5.0N/20mm以上。
(封装率)
·封装结构物的制造方法
在使2kg的辊往返1次而使实施例及比较例中获得的粘合带贴合于铜制的引线框(50mm×48mm(封装搭载有7×8＝56个16针型的QFN))的背面侧之后，以下面的条件进行封装而获得封装结构物。
<封装条件>
封装装置：GTM-S MS。
封装树脂：环氧系封装树脂(住友电木株式会社(Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.)制，EME-M100)。
树脂量：4.5g。
模具温度：175℃。
预加热的设定：5秒。
固化时间：120秒。
夹紧压力：296KN。
传递压力：7.8MPa。
传递速度：2.1mm/秒。
传递时间：10.5秒。
在使得粘合带从通过上述制造方法获得的封装结构物剥离之后，利用显微镜对贴合有粘合带的50mm×48mm(封装排列有7×8＝56个16针型的QFN)的部位放大至100倍进行观察，将无封装泄漏的封装件的个数的比例设为封装率。
封装率(％)＝[(无封装泄漏的封装件数)/(1个引线框中的封装件数(56))]×100
<评价>
3：95％以上。
2：90％以上且小于95％。
1：小于90％。
附图标记的说明
1：引线框；2：封装件；3：粘合带；4：芯片垫；5：导电膏；6：半导体芯片；7：引线端子；8：接合线；9：封装树脂；10：封装结构物。

Claims (4)

1.一种粘合带，其中，其具有：
基材膜，该基材膜在250℃以下的温度区域内不具有玻璃化转变温度和熔点；以及
粘接层，该粘接层层叠于所述基材膜的至少一个面，并且含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂以及(C)增粘树脂，
所述玻璃化转变温度意味着JIS K7121中的中间点玻璃化转变温度，并且是源自利用差示热重分析仪在氮环境下以10℃/分钟的升温速度在室温至380℃进行DSC测定时的玻璃化转变的2个拐点温度的中间值，
所述粘合带满足以下(1)及(2)，
(1)所述(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有55质量％以上且90质量％以下的(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、2质量％以上且35质量％以下的(A-2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、0.05质量％以上且13质量％以下的(A-3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、以及0.05质量％以上且17质量％以下的(A-4)具有羟基的(甲基)丙烯酸酯；
(2)所述(C)增粘树脂是软化点为70℃以上且180℃以下的萜烯酚树脂。
2.根据权利要求1所述的粘合带，其中，
相对于100质量份的所述(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物，所述粘接层含有0.3质量份以上且20质量份以下的所述(B)异氰酸酯系固化剂、以及0.3质量份以上且30质量份以下的所述(C)增粘树脂。
3.根据权利要求1或2所述的粘合带，其中，
从30℃升温至250℃时的质量减小率为3％以下。
4.一种半导体装置的制造方法，其中，其具有：
将权利要求1至3中任一项所述的粘合带粘贴于搭载有半导体芯片的引线框的未搭载所述半导体芯片的面的工序；
利用封装树脂对所述引线框的搭载有所述半导体芯片的面进行封装的工序；以及
将所述粘合带剥离的工序。
CN201980029526.3A 2018-05-28 2019-05-24 粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法 Active CN112055734B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-101320 2018-05-28
JP2018101320 2018-05-28
PCT/JP2019/020578 WO2019230575A1 (ja) 2018-05-28 2019-05-24 粘着テープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112055734A CN112055734A (zh) 2020-12-08
CN112055734B true CN112055734B (zh) 2022-07-01

Family

ID=68696990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980029526.3A Active CN112055734B (zh) 2018-05-28 2019-05-24 粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7304345B2 (zh)
CN (1) CN112055734B (zh)
WO (1) WO2019230575A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011225668A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Sekisui Chem Co Ltd 膨張性接着剤、及び膨張性接着テープ
WO2012165368A1 (ja) * 2011-05-27 2012-12-06 電気化学工業株式会社 粘着シート
CN102816547A (zh) * 2011-06-09 2012-12-12 第一毛织株式会社 粘合剂组合物和使用此组合物的表面保护膜
CN103443706A (zh) * 2011-05-18 2013-12-11 旭化成电子材料株式会社 表膜、表膜用粘合剂、带表膜的光掩膜及半导体元件的制造方法
CN103992757A (zh) * 2009-09-29 2014-08-20 琳得科株式会社 粘合剂以及粘合片
JP2019048941A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 デンカ株式会社 粘着テープ及びそれを用いた電子部品の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2849407B2 (ja) * 1989-07-21 1999-01-20 旭化成工業株式会社 再はく離型粘着剤組成物
JP4610168B2 (ja) * 2003-08-06 2011-01-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 耐熱マスキングテープ
JP5996861B2 (ja) * 2010-12-30 2016-09-21 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド ダイシングダイボンディングフィルム用粘着剤組成物
JP2012169337A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Hitachi Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンディング一体型シート、およびその製造方法
WO2016136774A1 (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP6117306B2 (ja) * 2015-09-25 2017-04-19 リケンテクノス株式会社 粘着剤組成物
EP3439021A4 (en) * 2016-03-31 2019-11-27 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. FILM FOR THE MANUFACTURE OF COMPONENTS AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF COMPONENTS
JP2017214501A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 東レ株式会社 電磁波シールド用接着材、電磁波シールド材、および同軸ケーブル、ならびに同軸ケーブルの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103992757A (zh) * 2009-09-29 2014-08-20 琳得科株式会社 粘合剂以及粘合片
JP2011225668A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Sekisui Chem Co Ltd 膨張性接着剤、及び膨張性接着テープ
CN103443706A (zh) * 2011-05-18 2013-12-11 旭化成电子材料株式会社 表膜、表膜用粘合剂、带表膜的光掩膜及半导体元件的制造方法
WO2012165368A1 (ja) * 2011-05-27 2012-12-06 電気化学工業株式会社 粘着シート
CN102816547A (zh) * 2011-06-09 2012-12-12 第一毛织株式会社 粘合剂组合物和使用此组合物的表面保护膜
JP2019048941A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 デンカ株式会社 粘着テープ及びそれを用いた電子部品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019230575A1 (ja) 2019-12-05
CN112055734A (zh) 2020-12-08
JP7304345B2 (ja) 2023-07-06
JPWO2019230575A1 (ja) 2021-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101843900B1 (ko) 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
KR101492629B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
TWI717381B (zh) 黏著劑組成物及黏著薄片
JP5718005B2 (ja) 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体装置の製造方法。
EP2490251B1 (en) Die attach film
KR20160058711A (ko) 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름
KR100845092B1 (ko) 접착수지 조성물, 접착필름, 다이싱 다이본딩 필름 및반도체 장치
CN110383438B (zh) 粘合片
KR102346224B1 (ko) 접착제 조성물, 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
US20090170284A1 (en) Adhesive Composition, Adhesive Sheet and Production Process for Semiconductor Device
KR102424574B1 (ko) 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR20190118553A (ko) 점착 시트
KR101284978B1 (ko) 접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
JP6960276B2 (ja) 樹脂シート、半導体装置、および樹脂シートの使用方法
CN112055734B (zh) 粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法
JP5414256B2 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR20090111262A (ko) 다이어태치 필름 및 반도체 웨이퍼
EP2639278A1 (en) Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for production of semiconductor device and method for producing seminconductor device using the tape
KR102140470B1 (ko) 칩용 수지막 형성용 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102541672B1 (ko) 점착 시트
WO2022176585A1 (ja) 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
KR102549654B1 (ko) 점착 시트
TW202202587A (zh) 半導體裝置製造用接著片材及使用有其之半導體裝置之製造方法
KR101093322B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
KR20140086221A (ko) 레이저 다이싱용 반도체 접착 필름 및 이를 포함한 다이싱 다이본드 필름

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant