JP7304345B2 - 粘着テープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

粘着テープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7304345B2
JP7304345B2 JP2020522149A JP2020522149A JP7304345B2 JP 7304345 B2 JP7304345 B2 JP 7304345B2 JP 2020522149 A JP2020522149 A JP 2020522149A JP 2020522149 A JP2020522149 A JP 2020522149A JP 7304345 B2 JP7304345 B2 JP 7304345B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mass
meth
less
adhesive tape
acrylic acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020522149A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2019230575A1 (ja
Inventor
進悟 本池
秀 田中
将 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denka Co Ltd
Denki Kagaku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denka Co Ltd, Denki Kagaku Kogyo KK filed Critical Denka Co Ltd
Publication of JPWO2019230575A1 publication Critical patent/JPWO2019230575A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7304345B2 publication Critical patent/JP7304345B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J175/04—Polyurethanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/141—Feedstock

Landscapes

  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、粘着テープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
近年、ＬＳＩの実装技術において、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が注目されている。ＣＳＰは、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）やＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ－ｌｅａｄ）等、複数の半導体チップをリードフレームのダイパッド上に整列させ、金型のキャビティ内で封止樹脂にて一括封止した半導体装置である。
ＱＦＰやＱＦＮ等の半導体装置の製造には、モールド金型によってリードフレームの外周を部分的にクランプし、プランジャ内で一旦加熱軟化させた材料をキャビティに充填し硬化させるトランスファー方式のモールディングが広く実施されている。このモールディングの際には、一般に、リードフレームの裏面側に粘着テープを貼り付けて、封止樹脂がリードフレーム裏面側へ漏れないようにしている（特許文献１参照）。
モールディングの際に用いる粘着テープは、半導体装置の製造工程中のみならず、リードフレームを貼り付けた状態で保管や輸送をする場合にも使用され、これらの管理状態によっては粘着テープからアウトガスが発生してリードフレームが剥れてしまい、後の半導体装置の製造工程で封止樹脂がリードフレーム裏面に漏れてしまう場合がある。
このような粘着テープに使用される粘着剤は、耐熱性向上のために一般的にはシリコーン粘着剤が用いられている。しかしながら、シリコーン粘着剤を用いた粘着テープは、リードフレームから剥離する際に、残渣が被着体表面に残る場合がある。この残渣は、撥水及び撥油性であるため、電機接続部のメッキ適性の低下や、回路面の接着力を低下させ、電気抵抗の増大およびクラック発生による故障などの原因となる恐れがある。
一方、粘着性に優れ、架橋した場合は耐熱性も備え、且つ安価なため、アクリル系ポリマーを主成分とする粘着剤層を用いた粘着テープが提案されている（特許文献２、特許文献３参照）。
特許文献２では、アクリル系粘着剤層を用いた粘着テープの記載があるが、この粘着テープは耐熱性が得られにくく、高温条件下でアウトガスの発生による封止樹脂の樹脂漏れを起こす恐れがある。
特許文献３でも、アクリル系粘着剤層を用いた耐熱マスキングテープの記載があるが、高温条件に曝されると粘着力が大きくなり過ぎて被着体の剥離が困難になる場合や、有機溶剤や未反応モノマー等がアウトガスとして発生し、封止樹脂の樹脂漏れを起こす恐れがある。
したがって、かかる粘着テープとしては、半導体チップの搭載されたリードフレームに貼合する高度なシール性や、封止樹脂の漏れ出しを防止する高度な耐熱性だけでなく、封止後に容易に剥がせる剥離性など、これらのすべての性能を満足するものが要求されている。
特開２０１２－６４７１４号公報 国際公開第２０１７／０３８９１４号 特開２００５－５３９７５号公報
本発明では、ＣＳＰなどの製造工程において使用される粘着テープであって、被着体に対する十分な初期接着性を有するともに、高温で長時間の熱処理時にアウトガスが発生せず、封止樹脂の漏れ出しを防止する高度な耐熱性だけでなく、接着力が安定しており、その後に、容易に剥離することができる粘着テープを提供することを課題とする。
本発明は、上記の課題を解決するために、以下の手段を採用する。
〔１〕２５０℃以下の温度領域にガラス転移温度または融点を有さない基材フィルムと、前記基材フィルムの少なくとも一方の面に積層された、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と（Ｂ）イソシアネート系硬化剤及び（Ｃ）粘着付与樹脂を含む粘着層を有し、かつ、以下（１）及び（２）を満たす粘着テープ。
（１）前記（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体が、（Ａ－１）アルキル基の炭素数が４以上８以下である（メタ）アクリル酸アルキルエステルを５５質量％以上９０質量％以下、（Ａ－２）メチルメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びスチレンから選択される少なくとも１種を２質量％以上３５質量％以下、（Ａ－３）グリシジル基を有する（メタ）アクリル酸エステルを０．０５質量％以上１３質量％以下、及び、（Ａ－４）ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステルを０．０５質量％以上１７質量％以下含有する。
（２）前記（Ｃ）粘着付与樹脂が、軟化点７０℃以上１８０℃以下のテルペンフェノール樹脂である。
〔２〕前記粘着層が、前記（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して、前記（Ｂ）イソシアネート系硬化剤０．３質量部以上２０質量部以下、及び前記（Ｃ）粘着付与樹脂０．３質量部以上３０質量部以下を含有する、〔１〕に記載の粘着テープ。
〔３〕３０℃から２５０℃まで昇温させたときの質量減少率が３％以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の粘着テープ。
〔４〕半導体チップが搭載されたリードフレームの前記半導体チップが搭載されていない面に〔１〕から〔３〕の何れかに記載の粘着テープを貼る工程と、前記リードフレームの前記半導体チップが搭載されている面を封止樹脂で封止する工程と、前記粘着テープを剥離する工程とを有する半導体装置の製造方法。
本発明によれば、ＣＳＰなどの製造工程において使用される粘着テープであって、被着体に対する十分な初期接着性を有するともに、高温で長時間の熱処理時にアウトガスが発生せず、封止樹脂の漏れ出しを防止する高度な耐熱性だけでなく、接着力が安定しており、その後に、容易に剥離することができる粘着テープが得られる。
本発明の半導体装置の製造方法に用いるリードフレームの一例を示す平面図（ａ）、パッケージ図（ｂ）である。 本発明の半導体装置の製造方法に用いるリードフレームに粘着テープを貼付した一例を示す断面図である。 図２に示すリードフレームを封止樹脂で封止した断面図である。 図３に示す断面図において粘着テープを剥離した状態の断面図である。
以下、本発明の一実施形態について詳細に説明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を阻害しない範囲で適宜変更を加えて実施することができる。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」は、アクリル酸及びメタクリル酸の総称であり、「（メタ）アクリレート」は、アクリレート及びメタクリレートの総称である。
［第１の実施形態］
本実施形態の粘着テープは、基材フィルムの少なくとも一方の面に粘着層を有するものである。
（基材フィルム）
基材フィルムは、耐熱性の樹脂からなり、２５０℃以下の温度領域にガラス転移温度または融点を有さなければよく、特に限定されるものではない。前記基材フィルムを用いることにより、樹脂封止時の温度約１８０℃での樹脂封止工程でも、樹脂漏れ防止に優れた粘着テープが得られる。
このような材料としては、例えば、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリアリレート（ＰＡＲ）樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂及び液晶ポリマー（ＬＣＰ）等が挙げられる。中でも、耐熱性、寸法安定性および基材強度の観点から、ポリイミド樹脂が好ましい。
本発明において、基材フィルムのガラス転移温度は、ＪＩＳ Ｋ７１２１における中間点ガラス転移温度を意味する。つまり、示差熱重量計を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分で室温から３８０℃までＤＳＣ測定を行ったときのガラス転移に由来する２つの折曲点温度の中間値である。基材フィルムの融点は、同じくＤＳＣ測定により、得られるものである。
基材フィルムは、必要に応じて、可塑剤や安定剤等の添加剤を配合してもよい。可塑剤は、特に限定されず、例えば、フタル酸ジオクチル等のフタル酸エステル系可塑剤、エポキシ化大豆油等のエポキシ系可塑剤、フタル酸ポリエチレングリコールジエステル等のポリエステル系可塑剤を用いることができる。安定剤は、特に限定されず、例えば、エポキシ系安定剤、バリウム系安定剤、カルシウム系安定剤、スズ系安定剤、亜鉛系安定剤、カルシウム－亜鉛系（Ｃａ－Ｚｎ系）やバリウム－亜鉛系（Ｂａ－Ｚｎ系）等の複合安定剤、脂肪酸カルシウム、脂肪酸亜鉛、脂肪酸バリウム等の金属石ケン、ハイドロタルサイト、β－ジケトン化合物及びグリシジルメタクリレートとメタクリル酸メチルとの共重合体等が挙げられる。これらの安定剤は、単独で用いてもよく、１種又は２種以上を用いることができる。
基材フィルムには、フィルムの滑り性を良好なものとするため、滑剤として平均粒径が０．０１～２０μｍ程度の有機や無機の微粒子を、０．００５～２０質量％の配合割合で含有させることができる。なお、平均粒径は、一次粒子の平均粒子径（平均一次粒子径）であり、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて数十個から１００個程度の粒子について最大の直径を実測し、その平均値を求めた値である。
微粒子の具体例としては、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、酸化アミルニウム、酸化チタン、グラファイト、カオリン、酸化珪素、酸化亜鉛、カーボンブラック、炭化珪素、酸化錫、アクリル樹脂粒子、架橋スチレン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、シリコーン樹脂粒子等が挙げられる。
基材フィルムには、上記以外にも帯電防止剤、有機滑剤、触媒、顔料、蛍光増白剤、架橋剤、滑り剤、紫外線吸収剤、他の樹脂等を必要に応じて添加することができる。
これらの添加剤の含有量は、特に限定されず、基材フィルム１００質量部に対して合計で０．１質量部以上２０質量部以下、０．１質量部以上１０質量部以下、又は０．１質量部以上５質量部以下とすることができる。
基材フィルムの厚みは、特に限定されず、５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上３５μｍ以下とすることができる。また、基材フィルムは、単層であってもよく、２層以上の多層構造としてもよい。
（粘着層）
粘着層（以下、「第１の粘着層」ともいう。）は、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）イソシアネート系硬化剤、及び（Ｃ）粘着付与樹脂を含むものである。粘着層が（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）イソシアネート系硬化剤、及び（Ｃ）粘着付与樹脂を含み、前記粘着付与樹脂が、軟化点７０℃以上１８０℃以下のテルペンフェノール樹脂であるので、耐熱性を有するとともに、粘着テープを高温で加熱処理してもアウトガスの発生を防ぐことができる。
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、（Ａ－１）アルキル基の炭素数４以上８以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステルを５５質量％以上９０質量％以下、（Ａ－２）メチルメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びスチレンから選択される少なくとも１種を２質量％以上３５質量％以下、（Ａ－３）グリシジル基を有する（メタ）アクリル酸エステルを０．０５質量％以上１３質量％以下、及び（Ａ－４）ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステルを０．０５質量％以上１７質量％以下含有する。
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体中に、（Ａ－１）アルキル基の炭素数４以上８以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステルを５５質量％以上９０質量％以下含有することにより、被着体に対する十分な粘着性を有する粘着層を得ることができる。（Ａ－１）アルキル基の炭素数４以上８以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステルの含有量は、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体中に、６０質量％以上８０質量％以下が好ましい。（Ａ－１）アルキル基の炭素数４以上８以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステルの含有量が５５質量％に満たない場合は、共重合樹脂が高弾性になり、被着体への十分な粘着性が確保できない。また、（Ａ－１）アルキル基の炭素数４以上８以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステルの含有量が９０質量％を超えると、被着体に対する十分な粘着性を良好にできる一方で、粘着層が低弾性化して、封止樹脂の漏れ出しを防止できなくなる。
（Ａ－１）アルキル基の炭素数４以上８以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－ブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらから選択される１種又は２種以上を用いることができる。
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体中に、（Ａ－２）メチルメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びスチレンの少なくとも１種を２質量％以上３５質量％以下含有することにより、十分な凝集力を有する粘着層を得ることができ、加熱後の剥離性、糊残り性及びアウトガスの発生を抑制することができる。（Ａ－２）メチルメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びスチレンの少なくとも１種の含有量は、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体中に、３質量％以上３２質量％以下が好ましく、４質量％以上２５質量％以下がより好ましい。（Ａ－２）メチルメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びスチレンの少なくとも１種の含有量が２質量％に満たない場合は、高温環境下での粘着力を維持したまま凝集力を確保できず、加熱後の剥離性が低下する。また、（Ａ－２）メチルメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びスチレンの少なくとも１種の含有量が３５質量％を超えると、樹脂の凝集力は確保できる一方で、共重合樹脂の軟化点が高くなり、被着体への十分な粘着力を得られない。
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体中に、（Ａ－３）グリシジル基を含有する（メタ）アクリル酸エステルを０．０５質量％以上１３質量％以下含有することにより、粘着層の加熱後の糊残り性及びアウトガスの発生を抑制することができる。（Ａ－３）グリシジル基を含有する（メタ）アクリル酸エステルの含有量は、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体中に、０．０８質量％以上１１質量％以下が好ましく、０．５質量％以上５質量％以下がより好ましい。（Ａ－３）グリシジル基を含有する（メタ）アクリル酸エステルの含有量が０．０５質量％に満たない場合は、高温下での凝集力が得られず、アウトガスの発生を抑制出来ない。また、（Ａ－３）グリシジル基を含有する（メタ）アクリル酸エステルの含有量が１３質量％を超えると、樹脂の凝集力は確保できる一方で、樹脂が高弾性となり被着体への粘着性が得られない。
（Ａ－３）グリシジル基を含有する（メタ）アクリル酸エステルとして、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル等を挙げることができ、これらから選択される１種又は２種以上を用いることができる。
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体中に、（Ａ－４）ヒドロキシル基を含有する（メタ）アクリル酸エステルを０．０５質量％以上１７質量％以下含有することにより、（Ｂ）イソシアネート系硬化剤との架橋構造を制御可能となり、十分な粘着力を有する粘着層を得ることができるとともに、糊残り性及びアウトガスの発生を抑制できる。（Ａ－４）ヒドロキシル基を含有する（メタ）アクリル酸エステルの含有量は、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体中に、０．０８質量％以上１６質量％以下が好ましく、０．５質量％以上８質量％以下がより好ましい。
（Ａ－４）ヒドロキシル基を含有する（メタ）アクリル酸エステルの含有量が０．０５質量％に満たない場合は、架橋構造が形成されず、加熱後の剥離性が低下する。また、（Ａ－４）ヒドロキシル基を含有する（メタ）アクリル酸エステルの含有量が１７質量％を超えると、樹脂が高弾性となり被着体への粘着性が得られない。
（Ａ－４）ヒドロキシル基を含有する（メタ）アクリル酸エステルとして、例えば、２－ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、グリシドールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等を挙げることができ、これらから選択される１種又は２種以上を用いることができる。
（Ｂ）イソシアネート系硬化剤としては、多官能イソシアネート硬化剤を用いることが好ましく、例えば芳香族ポリイソシアネート硬化剤、脂肪族ポリイソシアネート硬化剤、脂環族ポリイソシアネート硬化剤が挙げられ、それらの三量体又はトリメチロールプロパンとのアダクト体を用いることができる。
芳香族ポリイソシアネート硬化剤は、特に限定されず、例えば１，３－フェニレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルジイソシアネート、１，４－フェニレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、４，４’－トルイジンジイソシアネート、２，４，６－トリイソシアネートトルエン、１，３，５－トリイソシアネートベンゼン、ジアニシジンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’，４’－トリフェニルメタントリイソシアネート、ω，ω’－ジイソシアネート－１，３－ジメチルベンゼン、ω，ω’－ジイソシアネート－１，４－ジメチルベンゼン、ω，ω’－ジイソシアネート－１，４－ジエチルベンゼン、１，４－テトラメチルキシリレンジイソシアネート、及び１，３－テトラメチルキシリレンジイソシアネート等が挙げられる。
脂肪族ポリイソシアネート硬化剤は、特に限定されず、例えばトリメチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネート、１，２－プロピレンジイソシアネート、２，３－ブチレンジイソシアネート、１，３－ブチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、及び２，４，４－トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。
脂環族ポリイソシアネート硬化剤は、特に限定されず、例えば３－イソシアネートメチル－３，５，５－トリメチルシクロヘキシルイソシアネート、１，３－シクロペンタンジイソシアネート、１，３－シクロヘキサンジイソシアネート、１，４－シクロヘキサンジイソシアネート、メチル－２，４－シクロヘキサンジイソシアネート、メチル－２，６－シクロヘキサンジイソシアネート、４，４’－メチレンビス（シクロヘキシルイソシアネート）、１，４－ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサン、及び１，４－ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサン等が挙げられる。
三量体又はトリメチロールプロパンとのアダクト体は、特に限定されず、２，４－トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンとのアダクト体が好適に用いられる。
（Ｂ）イソシアネート系硬化剤の含有量は、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して、０．３質量部以上２０質量部以下であることが好ましく、０．４質量部以上２０質量部以下がより好ましく、２質量部以上２０質量部以下がさらに好ましい。硬化剤の含有量を上記範囲内とすることで、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体との架橋構造を制御可能となり、十分な粘着力を得ることができるとともに、糊残り性及びアウトガスの発生を抑制することができる。
（Ｃ）粘着付与樹脂としては、テルペンフェノール樹脂を用いる。テルペンフェノール樹脂は、テルペン化合物とフェノール類とを従来公知の方法で反応させて製造されたものであり、テルペン化合物１モルとフェノール類０．１～５０モルとを従来公知の方法で反応させて製造されたものを挙げることができる。
テルペン化合物としては、ミルセン、アロオシメン、α－ピネン、β－ピネン、リモネン、α－テルピネン、γ－テルピネン、カンフェン、タービノーレン、デルタ－３－カレン等が挙げられる。これらの化合物の中で、α－ピネン、β－ピネン、リモネン、ミルセン、アロオシメン、α－テルピネンが好ましく用いられる。
フェノール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、カテコール、レゾルシン、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ等が挙げられるが、これらに限定はされない。テルペンフェノール樹脂中のフェノール類の比率は、２５～５０モル％程度であるが、これらに限定はされない。テルペンフェノール樹脂の水酸基価は、５０～２５０程度であるが、これらに限定されない。
テルペンフェノール樹脂の軟化点は、７０℃以上１８０℃以下であることが好ましく、１３０℃以上１８０℃以下であることがより好ましい。この範囲にすることで、加熱後の剥離性、糊残り性及びアウトガスの発生を抑制することができる。
（Ｃ）粘着付与樹脂の含有量は、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して、０．３質量部以上３０質量部以下であることが好ましく、０．４質量部以上２６質量部以下であることがより好ましく、１質量部以上２０質量部以下であることがさらに好ましく、３質量部以上１５質量部以下が特に好ましい。粘着付与樹脂の含有量を上記範囲内とすることで、十分な粘着力を得ることができるとともに、糊残り性及びアウトガスの発生を抑制することができる。
（その他の添加剤等）
粘着剤組成物には、例えば、軟化剤、老化防止剤、充填剤、導電剤、紫外線吸収剤、及び光安定剤等の各種添加剤を含有していてもよい。その他の添加剤の含有量は、特に限定されず、（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）１００質量部に対して、１質量部以上２０質量部以下、１質量部以上１０質量部以下、又は１質量部以上５質量部以下とすることができる。
粘着層の厚さは、２μｍ以上２３μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上２０μｍであることがより好ましく、４μｍ以上１０μｍ以下であることがさらに好ましい。粘着剤層の厚さを２μｍ以上にすることで、充分な粘着性を確保できるとともに厚み精度や粘着力の低下を防ぐことができる。粘着剤層の厚さを２３μｍ以下とすることで、容易に粘着剤層を形成できるとともに、厚みを上げる場合に生じ得る、加熱後の糊残り、コスト上昇や生産性の低下等を防ぐことができる。
粘着層の形成には、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）イソシアネート系硬化剤、（Ｃ）粘着付与樹脂、及び必要に応じて添加剤等を含有する粘着剤組成物を、例えばグラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、ナイフコーター又はロールコーターなど、コーターで基材フィルム上に直接塗布する方法や、剥離フィルムに粘着剤組成物を塗布して乾燥した後に基材フィルムに貼り合わせる方法がある。凸板印刷、凹板印刷、平板印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、又はスクリーン印刷等で基材フィルム上に粘着剤組成物を印刷してもよい。
［第２の実施形態］
本実施形態の粘着テープは、基材フィルムの両面に粘着層を有するものである。すなわち、本実施形態に係る粘着テープは、第１の実施形態における粘着テープにおいて、基材フィルムの第１の粘着層が積層されていない面に、さらに粘着層（以下、「第２の粘着層」ともいう。）を有するものである。基材フィルム、及び第１の粘着層については第１の実施形態と同様であるため、ここでは記載を省略する。
（第２の粘着層）
第２の粘着層としては、用途に応じて、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と同じ（メタ）アクリル酸エステル共重合体又は異なる（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、（Ｂ）イソシアネート系硬化剤又はエポキシ系硬化剤とを含み、さらに（Ｃ）粘着付与樹脂を含む又は含まない粘着剤組成物を用いて形成することができる。（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と同じ樹脂、（Ｂ）イソシアネート系硬化剤、及び（Ｃ）粘着付与樹脂については上記と同様のものであるため、ここでは記載を省略する。
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる（メタ）アクリル酸エステル共重合体としては、ヒドロキシル基とグリシジル基の一方又は両方を含有しない（メタ）アクリル酸エステル共重合体樹脂を挙げることができる。
エポキシ系硬化剤としては、多官能エポキシ硬化剤を用いることができる。多官能エポキシ硬化剤は、主にエポキシ基を２以上、第３級窒素原子を１以上有する化合物をいい、Ｎ，Ｎ－グリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ－グリシジルトルイジン、ｍ－Ｎ，Ｎ－グリシジルアミノフェニルグリシジルエーテル、ｐ－Ｎ，Ｎ－グリシジルアミノフェニルグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレート、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシリレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’－ペンタグリシジルジエチレントリアミン等が挙げられる。なお、第２の粘着層の厚み及び形成方法については、第１の粘着層と同様である。
［粘着テープ］
第１の実施形態及び第２の実施形態に係る粘着テープは、高温で加熱処理してもアウトガスの発生が少ないものである。そのため、半導体装置を製造する際に使用しても、封止樹脂の樹脂漏れを防ぐことができる。また、加熱処理後に粘着性が過度に上昇することも抑制できるので、糊残りの発生を防ぐことができる。
（質量減少率）
質量減少率は、下記の測定条件で粘着テープを３０℃から２５０℃まで昇温させたときの質量減少を測定し、下式により求めた値である。質量減少率が３質量％以下であれば、高温で加熱しても粘着テープからアウトガスが発生を抑制できていることを示す。
質量減少率＝［（３０℃での質量－２５０℃での質量）／（３０℃での質量）］×１００（質量％）
・測定条件
測定開始温度：３０℃
昇温速度：１０℃／分
雰囲気ガス：大気（キャリアガス流量なし）
質量減少率は、２質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましい。
（粘着力）
粘着テープの粘着力は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準じて測定した値であり、銅板に貼合後３０分経過後の粘着力を「初期」とする。０．４Ｎ／２０ｍｍ以上４Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましい。この範囲にすることで、リードフレームへの十分な密着性とテープ貼合に失敗した場合のテープ剥離の際におけるリードフレームの変形を防止できる。
銅板に貼合後３０分経過後に、１８０℃、５分で加熱した後の粘着力を「加熱後」とする。０．９Ｎ／２０ｍｍ以上５Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましい。加熱後の粘着力をこの範囲にすることで、加熱処理後の糊残りを抑制できる。
（用途）
第１の実施形態及び第２の実施形態の粘着テープは、加熱処理した場合でもアウトガスの発生を抑制できるので、半導体装置の製造の他にも、例えば、電子部品の製造及び搬送用途、フィルム状基板生産工程用等の用途に用いることができる。具体的には、電子部品の表面に蒸着膜を形成する工程や、ウエハーレベルパッケージ（ＷＬＰ）、有機ＥＬ、及びＬＥＤの製造における材料の薄化工程、電極形成工程、薄膜回路形成工程、樹脂封止工程を一貫して搬送サポートできるマスキングテープとして用いることができる。また、半導体ウエハ、電子部品、ガラス等の表面処理を行う際の支持体のマスキングテープとして用いることができる。
［半導体の製造方法］
第１の実施形態及び第２の実施形態の粘着テープを用いた半導体装置の製造方法は、粘着テープを半導体チップが搭載されたリードフレームの該半導体チップが搭載されていない面に貼る貼付工程と、前記リードフレームの前記半導体チップが搭載されている面を封止する封止工程と、前記粘着テープを剥離する剥離工程と、を有する。
（貼付工程）
貼付工程では、粘着テープを半導体チップが搭載されたリードフレームの該チップが搭載されていない面に貼り付ける。リードフレームは、通常、Ｃｕ系素材（Ｃｕ－Ｆｅ－Ｐなど）、Ｆｅ系素材（Ｆｅ－Ｎｉなど）等の金属板で形成される。リードフレーム内の電気接点部分（半導体チップとの接続部分）には、銀、ニッケル、パラジウム、金等で被覆（めっき）されていることが好ましい。リードフレームの厚みは、１００～３００μｍ程度が好ましい。
リードフレームは、後の切断工程にて切り分けやすいように、所定の配置パターン（例えば、個々のＱＦＮの配置パターン）が複数並べられているものが好ましい（図１参照）。
また、図２に示すとおり、パッケージ２は、ダイパッド４、導電ペースト５、半導体チップ６及びリード端子７を備える。
半導体チップ表面の電極パッドと、リード端子７とは必要に応じてワイヤボンドする。ワイヤボンドは、ボンディングワイヤ（例えば、金線又は銅線など）によって、１５０～２５０℃に加熱した状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーとの併用により行われる。
粘着テープのリードフレームへの貼り付けは、リードフレームにおけるパッケージ領域に加えて、リードフレームのパッケージ領域より外側の領域、つまり、樹脂封止される樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に又はパッケージ領域及びパッケージ領域の外側の全周を含む領域に行われることが好ましい。
（封止工程）
封止工程では、リードフレームを上下金型にはさみ、封止樹脂を射出して、半導体チップ搭載面に封止する。その際、粘着テープが貼られていない領域（外側の全周）も同時に封止する。
半導体チップの封止は、リードフレームに搭載された半導体チップ及びボンディングワイヤを保護するために行われ、例えば、エポキシ系樹脂を用いるのが代表的である。複数のキャビティを有する上金型と下金型とからなる金型を用いて、複数の半導体チップを同時に封止することが好ましい。
封止時の加熱温度は１７０～１８０℃程度であり、この温度で数分間キュアを行う。さらに、ポストモールドキュアを数時間行う。
（剥離工程）
剥離工程では、リードフレーム裏面に貼り付けられた粘着テープを剥離する。封止後の粘着テープの剥離は、ポストモールドキュアの前に行うことが好ましい。
その後、封止樹脂を含むリードフレームを、半導体チップごとに分割し、半導体装置を得ることができる。半導体チップごとの分割は、ダイサー等の回転切断刃等を用いて行うことができる
以下に実施例を示して本発明を更に具体的に説明するが、これらの実施例により本発明の解釈が限定されるものではない。
［材料］
実施例及び比較例は、以下の材料を用いた。
（基材フィルム）
・ＰＩ：ポリイミド樹脂フィルム２５μｍ、東レデュポン株式会社製「カプトン１００Ｈ」、Ｔｇなし、Ｔｍ４００℃以上
・ＰＡＲ：ポリアリレート樹脂フィルム２５μｍ、ユニチカ株式会社製「Ｕポリマー Ｔ－２００」、Ｔｇ２６０℃、Ｔｍなし
・ＰＥＳ：ポリエーテルスルフォン樹脂フィルム２５μｍ、住友化学株式会社製「スミカエクセルＰＥＳ４８００Ｇ」、Ｔｇ２２５℃、Ｔｍなし
「カプトン」、「Ｕポリマー」及び「スミカエクセル」は登録商標
（粘着層）
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体：
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体を構成する（Ａ－１）～（Ａ－４）は、それぞれ以下を用いた。
（Ａ－１）アルキル基の炭素数が４以上８以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル
・ｎ－ブチルアクリレート：株式会社日本触媒製、ホモポリマーのＴｇ－５４℃、分子量１２８
・２－エチルヘキシルアクリレート：株式会社日本触媒製、ホモポリマーのＴｇ－７０℃、分子量１８４
（Ａ－２）メチルメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びスチレンの少なくとも１種
・メチルメタクリレート：三菱ガス化学株式会社製、ホモポリマーのＴｇ１０５℃、分子量１００
・アクリロニトリル：三菱レイヨン株式会社製、ホモポリマーのＴｇ１００℃、分子量５３
・メタクリロニトリル：旭化成株式会社製、ホモポリマーのＴｇ１２０℃、分子量６７
・スチレン：ＮＳスチレンモノマー株式会社製、ホモポリマーのＴｇ１００℃、分子量１０４
（Ａ－３）グリシジル基を有する（メタ）アクリル酸エステル
・グリシジルメタクリレート：日油株式会社製、ホモポリマーのＴｇ４１℃、分子量１４２
（Ａ－４）ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステル
・２－ヒドロキシエチルメタクリレート：株式会社日本触媒製、ホモポリマーのＴｇ５５℃、分子量１３０、水酸基価４３１ｍｇＫＯＨ／ｇ
（Ｂ）イソシアネート系硬化剤：
・Ｂ－１：ＴＤＩ－ＴＭＰ付加物：東ソー株式会社製「コロネート Ｌ－４５Ｅ」
（Ｃ）粘着付与樹脂：
・Ｃ－１：テルペンフェノール樹脂、ヤスハラケミカル株式会社製「ＹＳポリスターＧ１５０」、軟化点１５０℃
・Ｃ－２：テルペンフェノール樹脂、ヤスハラケミカル株式会社製「ＹＳポリスターＴ８０」、軟化点８０℃
・Ｃ－３：テルペンフェノール樹脂、ヤスハラケミカル株式会社製「ＹＳポリスターＴ１６０」、軟化点１６０℃
・Ｃ－４：テルペンフェノール樹脂、ヤスハラケミカル株式会社製「ＹＳポリスターＴ３０」、軟化点３０℃
「コロネート」、「ポリスター」は登録商標
［粘着テープの製造方法］
粘着テープは、以下のとおりの製造方法で得た。
＜実施例１＞
粘着層を形成する粘着剤組成物を次のように作製した。まず、（メタ）アクリル酸エステル共重合体を合成するために、容量１リットルのセパラブルフラスコに、０．２質量％のポリビニルアルコールを含有する水２００質量部と、ｎ－ブチルアクリレート７２質量部と、メチルメタクリレート２０質量部と、グリシジルメタクリレート３質量部と、２－ヒドロキシエチルメタクリレート５質量部と、重合開始剤として過酸化ベンゾイル０．１質量部と、分子量調整用に２－エチルヘキシル－３－メルカプトプロピオネート０．２質量部とを注入した。
これを窒素雰囲気下で攪拌しながら７０℃に昇温し、４時間懸濁重合させた。次いで、デカンテーションによって懸濁液から水分を除いた。固形物を吸引ろ過しながら水で洗浄し、水分を除去した後に、６０℃で真空乾燥を行い、含水率０．５％以下の共重合樹脂（（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体）を得た。
得られた（メタ）アクリル酸エステル共重合体を、トルエン中で溶融攪拌した。これにイソシアネート系硬化剤と、粘着付与樹脂を加えて攪拌混合して、粘着剤組成物を得た。この粘着剤組成物を、幅３００ｍｍ、長さ４００ｍｍ、厚さ２５μｍのＰＩフィルム上に、硬化後の厚みが５μｍとなるようにアプリケータを用いて塗工した後、１００℃、２分で加熱して乾燥させた。粘着面に、幅３００ｍｍ、長さ４００ｍｍ、離型処理された厚み３８μｍのポリエステルフィルムを貼り合わせ、粘着テープを得た。これをオーブンにより４０℃、３日間の加熱条件でエージング処理し、架橋させた粘着層として、幅３００ｍｍ、長さ４００ｍｍ、厚さ０．０６８ｍｍの実施例１の粘着テープを得た。
＜実施例２～１８、比較例１～１０＞
実施例１と同様の方法で実施例２～１８、比較例１～１０の粘着テープを作製した。組成等を表１及び表２にまとめる。
Figure 0007304345000001
Figure 0007304345000002
［評価］
実施例及び比較例で得られた粘着テープについて、以下の評価を行った。結果を表１及び２に示す。
（質量減少率）
質量減少率は、１４～１６ｍｇの質量となるように切り取った粘着テープを、示差熱・熱重量同時測定装置で３０℃から３００℃まで熱重量測定を行い、粘着テープの３０℃と２５０℃における質量を測定し下式で求めた値を評価した。
質量減少率＝［（３０℃での質量－２５０℃での質量）／（３０℃での質量）］×１００（質量％）
測定条件は下記のとおり。
・測定条件
測定装置：ブルカージャパン株式会社製、ＴＧ－ＤＡＴＡ２０００ＳＡ
測定開始温度：３０℃
昇温速度：１０℃／分
雰囲気：大気（キャリアガス流量なし）
評価）
３：１．５質量％未満
２：１．５質量％以上３．１質量％未満
１：３．１質量％以上
（初期粘着力）
初期粘着力は、以下の貼合条件で銅板に貼合した粘着テープを剥離角度１８０°、剥離速度（引っ張り速度）３００ｍｍ／ｍｉｎで、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準じて測定した。なお、評価は下記のとおり２０ｍｍ幅に換算している。
貼合条件：
１０ｍｍ幅の粘着テープを１００ｍｍ角、０．５ｍｍ厚の銅板（算術平均表面粗さＲａ：１．０±０．１μｍ）に載せ、その上から２ｋｇのローラーを１往復させて貼合した後、２３℃で３０分間静置した。
評価）
３：１．０Ｎ／２０ｍｍ以上３．０Ｎ／２０ｍｍ以下
２：０．４Ｎ／２０ｍｍ以上１．０Ｎ／２０ｍｍ未満、又は、３．０Ｎ／２０ｍｍを超え４．０Ｎ／２０ｍｍ未満
１：０．４Ｎ／２０ｍｍ未満、４．０Ｎ／２０ｍｍ以上
（加熱後の粘着力）
加熱後の粘着力は、上記と同様の条件で、銅板に貼合した粘着テープ付き銅板を１８０℃のオーブンで５分間加熱した後、２３℃で２時間冷却し、上記と同様の方法で粘着力を測定した。なお、評価は下記のとおり２０ｍｍ幅に換算して行った。
評価）
３：１．０Ｎ／２０ｍｍ以上４．０Ｎ／２０ｍｍ以下
２：０．４Ｎ／２０ｍｍ以上１．０Ｎ／２０ｍｍ未満、又は、４．０Ｎ／２０ｍｍを超え５．０Ｎ／２０ｍｍ未満
１：０．４Ｎ／２０ｍｍ未満、５．０Ｎ／２０ｍｍ以上
（封止率）
・封止構造物の製造方法
実施例及び比較例で得た粘着テープを、銅製のリードフレーム（５０ｍｍ×４８ｍｍ（１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが７×８＝５６パッケージ搭載））の裏面側に、２ｋｇのローラーを１往復させて貼り合せたあと、以下の条件で封止することにより、封止構造物を得た。
封止条件）
封止装置：ＧＴＭ－Ｓ ＭＳ
封止樹脂：エポキシ系封止樹脂（住友ベークライト株式会社製、ＥＭＥ－Ｍ１００）
樹脂量：４．５ｇ
金型温度：１７５℃
プレヒート設定：５秒
キュア時間：１２０秒
クランプ圧：２９６ＫＮ
トランスファー圧力：７．８ＭＰａ
トランスファー：２．１ｍｍ／秒
トランスファー時間：１０．５秒
上記製造方法で得られた封止構造物から粘着テープを剥離後、粘着テープが貼合されていた箇所５０ｍｍ×４８ｍｍ（１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが７×８＝５６パッケージを配列）をマイクロスコープで１００倍に拡大して観察し、封止漏れのないパッケージの個数の割合を封止率とした。
封止率（％）＝［（封止漏れのないパッケージ数）／（１フレーム中のパッケージ数（５６））］×１００
評価）
３：９５％以上
２：９０％以上９５％未満
１：９０％未満
１ リードフレーム
２ パッケージ
３ 粘着テープ
４ ダイパッド
５ 導電ペースト
６ 半導体チップ
７ リード端子
８ ボンディングワイヤ
９ 封止樹脂
１０ 封止構造物

Claims (4)

  1. ２５０℃以下の温度領域にガラス転移温度と融点のいずれも有さない基材フィルムと、前記基材フィルムの少なくとも一方の面に積層された、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と（Ｂ）イソシアネート系硬化剤及び（Ｃ）粘着付与樹脂を含む粘着層を有し、かつ、以下（１）及び（２）を満たす粘着テープ。
    （１）前記（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体が、（Ａ－１）アルキル基の炭素数が４以上８以下である（メタ）アクリル酸アルキルエステルを５５質量％以上９０質量％以下、（Ａ－２）メチルメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びスチレンから選択される少なくとも１種を２質量％以上３５質量％以下、（Ａ－３）グリシジル基を有する（メタ）アクリル酸エステルを０．０５質量％以上１３質量％以下、及び、（Ａ－４）ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステルを０．０５質量％以上１７質量％以下含有する。
    （２）前記（Ｃ）粘着付与樹脂が、軟化点７０℃以上１８０℃以下のテルペンフェノール樹脂である。
  2. 前記粘着層が、前記（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して、前記（Ｂ）イソシアネート系硬化剤０．３質量部以上２０質量部以下、及び前記（Ｃ）粘着付与樹脂０．３質量部以上３０質量部以下を含有する、請求項１に記載の粘着テープ。
  3. ３０℃から２５０℃まで昇温させたときの質量減少率が３％以下である、請求項１又は２に記載の粘着テープ。
  4. 半導体チップが搭載されたリードフレームの前記半導体チップが搭載されていない面に請求項１から３のいずれか一項に記載の粘着テープを貼る工程と、前記リードフレームの前記半導体チップが搭載されている面を封止樹脂で封止する工程と、前記粘着テープを剥離する工程とを有する半導体装置の製造方法。
JP2020522149A 2018-05-28 2019-05-24 粘着テープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法 Active JP7304345B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018101320 2018-05-28
JP2018101320 2018-05-28
PCT/JP2019/020578 WO2019230575A1 (ja) 2018-05-28 2019-05-24 粘着テープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019230575A1 JPWO2019230575A1 (ja) 2021-06-24
JP7304345B2 true JP7304345B2 (ja) 2023-07-06

Family

ID=68696990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020522149A Active JP7304345B2 (ja) 2018-05-28 2019-05-24 粘着テープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7304345B2 (ja)
CN (1) CN112055734B (ja)
WO (1) WO2019230575A1 (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005053975A (ja) 2003-08-06 2005-03-03 Three M Innovative Properties Co 耐熱マスキングテープ
JP2011225668A (ja) 2010-04-16 2011-11-10 Sekisui Chem Co Ltd 膨張性接着剤、及び膨張性接着テープ
JP2012140591A (ja) 2010-12-30 2012-07-26 Cheil Industries Inc ダイシングダイボンディングフィルム用粘着剤組成物
JP2012169337A (ja) 2011-02-10 2012-09-06 Hitachi Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンディング一体型シート、およびその製造方法
JP2016027169A (ja) 2015-09-25 2016-02-18 リケンテクノス株式会社 粘着剤組成物
WO2016136774A1 (ja) 2015-02-24 2016-09-01 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、接着シートおよび半導体装置の製造方法
WO2017169747A1 (ja) 2016-03-31 2017-10-05 三井化学東セロ株式会社 部品製造用フィルム及び部品の製造方法
JP2017214501A (ja) 2016-06-01 2017-12-07 東レ株式会社 電磁波シールド用接着材、電磁波シールド材、および同軸ケーブル、ならびに同軸ケーブルの製造方法
JP6861130B2 (ja) 2017-09-11 2021-04-21 デンカ株式会社 粘着テープ及びそれを用いた電子部品の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2849407B2 (ja) * 1989-07-21 1999-01-20 旭化成工業株式会社 再はく離型粘着剤組成物
US20120183769A1 (en) * 2009-09-29 2012-07-19 Lintec Corporation Adhesive composition and adhesive sheet
CN103443706B (zh) * 2011-05-18 2016-08-17 旭化成株式会社 表膜、表膜用粘合剂、带表膜的光掩膜及半导体元件的制造方法
WO2012165368A1 (ja) * 2011-05-27 2012-12-06 電気化学工業株式会社 粘着シート
CN102816547B (zh) * 2011-06-09 2015-04-29 第一毛织株式会社 粘合剂组合物和使用此组合物的表面保护膜

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005053975A (ja) 2003-08-06 2005-03-03 Three M Innovative Properties Co 耐熱マスキングテープ
JP2011225668A (ja) 2010-04-16 2011-11-10 Sekisui Chem Co Ltd 膨張性接着剤、及び膨張性接着テープ
JP2012140591A (ja) 2010-12-30 2012-07-26 Cheil Industries Inc ダイシングダイボンディングフィルム用粘着剤組成物
JP2012169337A (ja) 2011-02-10 2012-09-06 Hitachi Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンディング一体型シート、およびその製造方法
WO2016136774A1 (ja) 2015-02-24 2016-09-01 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2016027169A (ja) 2015-09-25 2016-02-18 リケンテクノス株式会社 粘着剤組成物
WO2017169747A1 (ja) 2016-03-31 2017-10-05 三井化学東セロ株式会社 部品製造用フィルム及び部品の製造方法
JP2017214501A (ja) 2016-06-01 2017-12-07 東レ株式会社 電磁波シールド用接着材、電磁波シールド材、および同軸ケーブル、ならびに同軸ケーブルの製造方法
JP6861130B2 (ja) 2017-09-11 2021-04-21 デンカ株式会社 粘着テープ及びそれを用いた電子部品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019230575A1 (ja) 2019-12-05
CN112055734B (zh) 2022-07-01
CN112055734A (zh) 2020-12-08
JPWO2019230575A1 (ja) 2021-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4430085B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
KR101492629B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
JP5725329B2 (ja) バリ特性及び信頼性に優れたダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置
JP6101492B2 (ja) 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
WO2012032959A1 (ja) 半導体装置用フィルム、及び、半導体装置
JP2011102383A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
KR100845092B1 (ko) 접착수지 조성물, 접착필름, 다이싱 다이본딩 필름 및반도체 장치
WO2018207408A1 (ja) 半導体封止成形用仮保護フィルム
JP2009242605A (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2008135448A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2014216488A (ja) 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR102402235B1 (ko) 접착 필름, 다이싱·다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JP6960276B2 (ja) 樹脂シート、半導体装置、および樹脂シートの使用方法
JP4806815B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5566141B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5715680B1 (ja) 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法
TWI820249B (zh) 半導體裝置製造用的臨時保護膜、捲軸體以及製造半導體裝置的方法
JP2012144667A (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5414256B2 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2002275435A (ja) 半導体装置組立用マスクシートおよび半導体装置の組み立て方法
JP7304345B2 (ja) 粘着テープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法
TWI648368B (zh) Film, dicing die, film manufacturing method, and semiconductor device
JP6193926B2 (ja) 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5714091B1 (ja) 半導体装置用フィルムロール、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
TWI759029B (zh) 黏著帶

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230315

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230613

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230626

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7304345

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150