TW201743375A - 零件製造用膜及零件的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種即便於在伴有溫度變化的環境下使用的情形時，亦可於吸附停止後容易地自載台面取下且使與載台面的密接狀態穩定的半導體零件製造用膜及電子零件製造用膜。進而，本發明提供一種使用此種半導體零件製造用膜的半導體零件的製造方法、及使用此種電子零件製造用膜的電子零件的製造方法。本零件製造用膜1是用於半導體零件或電子零件的製造方法中的膜，且具備基層11及設於其一面11a側的黏著材層12，基層的未設有黏著材層的一面的表面的Ra（μm）為0.1～2.0，Rz（μm）為1.0～15。本方法使用零件製造用膜1，包括分割步驟與拾取步驟，且於拾取步驟之前包括評價步驟。

Description

零件製造用膜及零件的製造方法

本發明是有關於一種半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方法、以及電子零件製造用膜及電子零件的製造方法。更詳細而言，本發明是有關於一種於由半導體晶圓來製造半導體零件時貼附於半導體晶圓的背面上而利用的半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方法、以及於由陣列狀電子零件來製造電子零件時貼附於陣列狀電子零件的背面上而利用的電子零件製造用膜及電子零件的製造方法。

近年來，利用以下方法：將形成有電路的晶圓分割後，對經分割的半導體零件進行評價（檢查），僅將所述評價中合格的半導體零件再配置於載體上，其後利用密封劑以陣列狀密封，藉此一起製造多數的電子零件，實現高良率。將此類型的製造方法揭示於下述專利文獻1（參照圖3A～圖3E、[0028]及[0029]）中。 另外，關於將形成有電路的晶圓分割時可利用的黏著膜，揭示有下述專利文獻2。進而，關於密封時可利用的黏著膜，揭示有下述專利文獻3。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2006-287235號公報 [專利文獻2]日本專利特開2007-005436號公報 [專利文獻3]日本專利特開2010-278065號公報

[發明所欲解決之課題] 半導體零件大多形成於一個半導體晶圓上，但是當進行實際運作時潛伏有產生初期故障者。因此期望如下：不將初期故障令人擔心的半導體零件帶入至後續步驟中，而於更前階段的步驟中加以排除，從而提高最終製品的良率。就此方面而言，於專利文獻1中記載有如下概要：於黏著膜的黏著面上，以彼此具有充分間隙的方式配置經初期階段的評價的優異的晶粒（die）（將晶圓分割所得的半導體零件），但關於具體利用何種黏著膜可實現該步驟並未提及。

已對半導體製造步驟進行詳細區分，根據各步驟的要求來變更被黏著物（半導體晶圓、半導體零件及電子零件等）的支撐體（黏著膜或托盤等）。例如，為了獲得所述的「經評價的晶粒」，需要進行半導體晶圓的評價。於進行該評價的步驟中，通常將半導體晶圓固定於黏著膜的黏著面後，進而將該黏著膜的背面（非黏著面）吸附於抽吸載台來進行評價。而且，於評價步驟中，指派加溫環境或冷卻環境。即，於加溫環境或冷卻環境下，執行對半導體零件是否正常運作進行評價的動作評價、或進行熱應力的負荷的加速評價。

然而，可知當進行該些評價時，即便其後停止相對於黏著膜的抽吸，亦有無法將黏著膜自抽吸載台取下或難以取下的情形。認為其原因在於：於伴有溫度變化的環境下使用黏著膜，結果成為黏著膜的背面牢固地密接於平滑性極高的吸附載台的載台面的狀態，無法進行真空破壞。 如此，若載台面與黏著膜的密接狀態於每次作業時發生變化等而不穩定，則有無法使為了取下黏著膜而所需的力固定、作業效率降低的問題。

本發明是鑒於所述課題而成，其目的在於提供一種即便於在伴有溫度變化的環境下使用的情形時，亦可於吸附停止後容易地自載台面取下且使與載台面的密接狀態穩定的半導體零件製造用膜及電子零件製造用膜。進而，本發明的目的在於提供一種使用此種半導體零件製造用膜的半導體零件的製造方法、及使用此種電子零件製造用膜的電子零件的製造方法。 [解決課題之手段]

即，本發明如下所述。 第1發明所述的半導體零件製造用膜用於半導體零件的製造方法中，並且所述半導體零件製造用膜的主旨在於： 具備基層、及設於所述基層的一面側的黏著材層， 所述基層的未設有所述黏著材層的一面的表面的算術平均粗糙度（Ra）為0.1 μm以上且2.0 μm以下，並且最大高度粗糙度（Rz）為1.0 μm以上且15 μm以下。 第2發明所述的半導體零件製造用膜如第1發明所述的半導體零件製造用膜，其主旨在於：所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）之比R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦R_E1 ≦1，並且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。 第3發明所述的半導體零件製造用膜如第1發明或第2發明所述的半導體零件製造用膜，其主旨在於：所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.01≦R_E2 ≦1。 第4發明所述的半導體零件製造用膜如第1發明至第3發明中任一發明所述的半導體零件製造用膜，其主旨在於：所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。 第5發明所述的半導體零件製造用膜如第1發明至第4發明中任一發明所述的半導體零件製造用膜，其主旨在於：所述半導體零件的製造方法包括：分割步驟，於在形成有電路的半導體晶圓的背面上貼附有所述黏著材層的狀態下，將所述半導體晶圓分割而獲得半導體零件；及 拾取步驟，將所述半導體零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內進行所述半導體晶圓或所述半導體零件的評價的評價步驟。

第6發明所述的半導體零件的製造方法的主旨在於包括：分割步驟，於在形成有電路的半導體晶圓的背面上貼附有半導體零件製造用膜的黏著材層的狀態下，將所述半導體晶圓分割而獲得半導體零件；及 拾取步驟，將所述半導體零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內進行所述半導體晶圓或所述半導體零件的評價的評價步驟， 所述基層的未設有所述黏著材層的一面的表面的算術平均粗糙度（Ra）為0.1 μm以上且2.0 μm以下，並且最大高度粗糙度（Rz）為1.0 μm以上且15 μm以下。 第7發明所述的半導體零件的製造方法如第6發明所述的半導體零件的製造方法，其主旨在於：所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）之比R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦R_E1 ≦1，並且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。 第8發明所述的半導體零件的製造方法如第6發明或第7發明所述的半導體零件的製造方法，其主旨在於：所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.01≦R_E2 ≦1。 第9發明所述的半導體零件的製造方法如第6發明至第8發明中任一發明所述的半導體零件的製造方法，其主旨在於：所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。

第10發明所述的電子零件製造用膜用於電子零件的製造方法中，並且所述電子零件製造用膜的主旨在於： 具備基層、及設於所述基層的一面側的黏著材層， 所述基層的未設有所述黏著材層的一面的表面的算術平均粗糙度（Ra）為0.1 μm以上且2.0 μm以下，並且最大高度粗糙度（Rz）為1.0 μm以上且15 μm以下。 第11發明所述的電子零件製造用膜如第10發明所述的電子零件製造用膜，其主旨在於：所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）之比R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦R_E1 ≦1，並且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。 第12發明所述的電子零件製造用膜如第10發明或第11發明所述的電子零件製造用膜，其主旨在於：所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.01≦R_E2 ≦1。 第13發明所述的電子零件製造用膜如第10發明至第12發明中任一發明所述的電子零件製造用膜，其主旨在於：所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。 第14發明所述的電子零件製造用膜如第10發明至第13發明中任一發明所述的電子零件製造用膜，其主旨在於：所述電子零件的製造方法包括： 分割步驟，於在將半導體零件以陣列狀密封而成的陣列狀電子零件的背面上貼附有所述黏著材層的狀態下，將所述陣列狀電子零件分割而獲得電子零件；及 拾取步驟，將所述電子零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內進行所述陣列狀電子零件或所述電子零件的評價的評價步驟。

第15發明所述的電子零件的製造方法的主旨在於包括： 分割步驟，於在將半導體零件以陣列狀密封而成的陣列狀電子零件的背面上貼附有電子零件製造用膜的黏著材層的狀態下，將所述陣列狀電子零件分割而獲得電子零件；及 拾取步驟，將所述電子零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內進行所述陣列狀電子零件或所述電子零件的評價的評價步驟， 所述電子零件製造用膜具有基層、及設於所述基層的一面側的所述黏著材層， 所述基層的未設有所述黏著材層的一面的表面的算術平均粗糙度（Ra）為0.1 μm以上且2.0 μm以下，並且最大高度粗糙度（Rz）為1.0 μm以上且15 μm以下。 第16發明所述的電子零件的製造方法如第15發明所述的電子零件的製造方法，其主旨在於：所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）之比R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦R_E1 ≦1，並且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。 第17發明所述的電子零件的製造方法如第15發明或第16發明所述的電子零件的製造方法，其主旨在於：所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.01≦R_E2 ≦1。 第18發明所述的電子零件的製造方法如第15發明至第17發明中任一發明所述的電子零件的製造方法，其主旨在於：所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。 [發明的效果]

根據本發明的半導體零件製造用膜，即便於在伴有溫度變化的環境下使用的情形時，亦可於吸附停止後容易地自載台面取下，使與載台面的密接狀態穩定。 根據本發明的半導體零件的製造方法，即便於在伴有溫度變化的環境下使用的情形時，亦可於吸附停止後將半導體零件製造用膜容易地自載台面取下，使載台面與半導體零件製造用膜的密接狀態穩定，因此可效率良好地製造半導體零件。

根據本發明的電子零件製造用膜，即便於在伴有溫度變化的環境下使用的情形時，亦可於吸附停止後容易地自載台面取下，使與載台面的密接狀態穩定。 根據本發明的電子零件的製造方法，即便於在伴有溫度變化的環境下使用的情形時，亦可於吸附停止後將電子零件製造用膜容易地自載台面取下，使載台面與電子零件製造用膜的密接狀態穩定，因此可效率良好地製造電子零件。

以下，一面參照圖一面對本發明進行說明。此處所示的事項為例示事項及用以對本發明的實施形態進行例示說明的事項，其闡述目的在於提供可最有效且容易地理解本發明的原理及概念性特徵的說明。就此方面而言，其為從根本上理解本發明所必需的說明，而非意指於某種程度以上示出本發明的詳細結構，本領域技術人員明知如何根據與圖式一併示出的說明而實際實現本發明的若干形態。 再者，以下的說明中，關於半導體零件製造用膜與電子零件製造用膜通用的事項，有時亦簡單記載為「零件製造用膜」來進行說明。

[1] 半導體零件製造用膜 半導體零件製造用膜1是用於半導體零件的製造方法中的膜。該半導體零件製造用膜1具備基層11及黏著材層12（參照圖1）。黏著材層12僅設於基層11的另一面側，通常並不設於基層11的一面側。另外，基層11與黏著材層12可直接接觸，亦可介隔其他層。

〈1〉基層 基層11的未設有黏著材層12的一面11a的表面的算術平均粗糙度（Ra）為0.1 μm以上且2.0 μm以下，並且最大高度粗糙度（Rz）為1.0 μm以上且15 μm以下。 藉此，即便於在伴有溫度變化的環境下使用的情形時，亦可防止零件製造用膜1的一面11a牢固地密接於平滑性高的吸附載台90的載台面而無法進行真空破壞的情況。而且，於吸附停止後，可將零件製造用膜1容易地自載台面取下。另外，可使載台面與零件製造用膜1的密接狀態以每次作業時不發生變化的方式實現穩定化，從而使為了取下零件製造用膜1而所需的力固定。因此，作業效率提高，特別是於進行自動化的情形時具有優勢。

藉由Ra的下限值為0.1 μm以上，並且Rz的下限值為1.0 μm以上，可有效地防止無法進行真空破壞的情況。另一方面，藉由Ra的上限值為2.0 μm以下，並且Rz的上限值為15 μm以下，可防止於使零件製造用膜1吸附於吸附載台90時無法獲得充分的密接的情況。 所述中，Ra只要為0.1 μm以上且2.0 μm以下的範圍即可，進而，較佳為0.15 μm以上且1.9 μm以下，更佳為0.17 μm以上且1.8 μm以下，尤佳為0.19 μm以上且1.7 μm以下，特佳為0.20 μm以上且1.5 μm以下。 另外，Rz只要為1.0 μm以上且15 μm以下的範圍即可，進而，較佳為1.5 μm以上且14 μm以下，更佳為2.0 μm以上且13 μm以下，尤佳為2.2 μm以上且12 μm以下，特佳為2.4 μm以上且5.9 μm以下。

另外，基層較佳為高溫時與常溫時的各自的彈性係數E'之比含有於既定的範圍內。具體而言，於將100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）之比設為R_E1 （=E'（100）/E'（25））的情形時，比R_E1 較佳為0.2以上且1以下（0.2≦R_E1 ≦1）。此處，「E'（100）」表示基層的100℃下的拉伸彈性係數，「E'（25）」表示基層的25℃下的拉伸彈性係數。

如所述般，於為0.2≦R_E1 ≦1的情形時，即便於高溫下，亦可以能夠充分地發揮功能的程度維持常溫下所具有的表面粗糙度。另一方面，即便為R_E1 ＜0.2的基層，亦可用作零件製造用膜，尤其若欲獲得於高溫下在吸附停止後容易地自載台面取下的特性，則有產生進一步增大表面粗糙度的必要性、吸附效率降低的傾向。因此，若確保於常溫至高溫下針對吸附載台的充分的吸附性，並且欲獲得高溫下的自載台面的取下容易性，則較佳為將比R_E1 設為0.2≦R_E1 ≦1。

該比R_E1 較佳為0.2≦R_E1 ≦1，進而較佳為0.23≦R_E1 ≦0.90，進一步較佳為0.25≦R_E1 ≦0.80，進而更佳為0.28≦R_E1 ≦0.78，進一步更佳為0.30≦R_E1 ≦0.75，進而尤佳為0.31≦R_E1 ≦0.73，進一步尤佳為0.33≦R_E1 ≦0.70。 於該些較佳範圍內，尤其可製成即便於高溫下亦可於吸附停止後容易地自載台面取下且使與載台面的密接狀態穩定化的零件製造用膜。即，於利用吸附載台進行高溫評價試驗的情形時，無需於每次評價時逐一等待吸附載台的溫度降低，可將零件製造用膜自吸附載台取下，將下一被評價物載置於吸附載台，從而效率良好地進行評價作業。

此處，所謂吸附載台，為具備具有平滑的上表面的載台且可藉由吸附而使零件製造用膜1吸附於該平滑的上表面的裝置。例如，亦被稱為真空吸盤台（chuck table）等。 構成該載台的原材料並無特別限定，通常具有能夠抽吸的結構，例如可使用具有抽吸孔的成形體（金屬成形體、陶瓷成形體、樹脂成形體等）、或多孔質的成形體（金屬成形體、陶瓷成形體、樹脂成形體等）。尤其於利用具有金屬製載台的吸附載台的步驟中，本零件製造用膜1可有效地發揮其作用。

另外，0.2≦R_E1 ≦1的範圍內，E'（25）較佳為35 MPa≦E'（25）≦3500 MPa，進而較佳為40 MPa≦E'（25）≦3000 MPa，進一步較佳為42 MPa≦E'（25）≦2800 MPa，進而更佳為44 MPa≦E'（25）≦2000 MPa，進一步更佳為46 MPa≦E'（25）≦1000 MPa，進而尤佳為48 MPa≦E'（25）≦500 MPa，進一步尤佳為50 MPa≦E'（25）≦400 MPa，進而特佳為58 MPa≦E'（25）≦350 MPa，進一步特佳為60 MPa≦E'（25）≦300 MPa，進而最佳為65 MPa≦E'（25）≦250 MPa，進一步最佳為68 MPa≦E'（25）≦200 MPa，尤其最佳為70 MPa≦E'（25）≦150 MPa。該E'（25）的值可於基層的縱向（Machine Direction，MD）方向及橫向（Transverse Direction，TD）方向上不同，較佳為於基層的MD方向及TD方向此兩方向上為所述範圍。

另一方面，所述情形時的E'（100）較佳為7 MPa≦E'（100）≦3100 MPa，進而較佳為10 MPa≦E'（100）≦3060 MPa，進一步較佳為12 MPa≦E'（100）≦2650 MPa，進而更佳為15 MPa≦E'（100）≦2500 MPa，進一步更佳為16 MPa≦E'（100）≦2330 MPa，進而尤佳為17 MPa≦E'（100）≦2230 MPa，進一步尤佳為18 MPa≦E'（100）≦1960 MPa，進而特佳為19 MPa≦E'（100）≦1000 MPa，進一步特佳為20 MPa≦E'（100）≦500 MPa，進而最佳為21 MPa≦E'（100）≦250 MPa，進一步最佳為22 MPa≦E'（100）≦100 MPa，尤其最佳為23 MPa≦E'（100）≦70 MPa。該E'（100）的值可於基層的MD方向及TD方向上不同，較佳為於基層的MD方向及TD方向此兩方向上為所述範圍。

再者，與基層有關的所述各彈性係數E'是藉由動態黏彈性測定裝置（Dynamic Mechanical Analysis，DMA）來測定。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、夾具間的長度20 mm，根據於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/min的測定條件下自-50℃至200℃進行測定所得的資料來讀取各溫度的資料，由此獲得彈性係數E'。即，將25℃下的值作為拉伸彈性係數E'（25），將100℃下的值作為拉伸彈性係數E'（100）。

此外，基層較佳為高溫時與低溫時的各自的彈性係數E'之比含有於既定的範圍內。具體而言，於將160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比設為R_E2 （=E'（160）/E'（-40））的情形時，比R_E2 較佳為0.01以上且1以下（0.01≦R_E2 ≦1）。此處，「E'（160）」表示基層的160℃下的拉伸彈性係數，「E'（-40）」表示基層的-40℃下的拉伸彈性係數。

如上所述，於為0.01≦R_E2 ≦1的情形時，於半導體零件的製造時，即便於-40℃以上且0℃以下的低溫及/或100℃以上且160℃以下的高溫的各溫度範圍內進行評價步驟，亦可於其後將半導體晶圓或半導體零件自零件製造用膜取下，無需更換為下一步驟所要求的其他零件製造用膜，如評價步驟與分割步驟及拾取步驟等般與不同的兩個或以上的其他步驟通用地利用零件製造用膜。 若更詳細地進行說明，則近年來半導體零件例如有時以下述（1）及（2）的順序來製造。

（1）為以下順序：將半導體晶圓（分割前）放置於專用托盤或黏著膜上，以晶圓形態進行評價後，於經評價的晶圓背面（非電路面）上貼附其他黏著膜（具備下一步驟所要求的特性的其他黏著膜），其後將晶圓分割（切割）而製成半導體零件，自該黏著膜拾取半導體零件，為了於其後的步驟中利用僅於先前的評價中合格的半導體零件，進而重新裱貼於其他黏著膜。 （2）為以下順序：於評價前的半導體晶圓（分割前）的背面（非電路面）上貼附黏著膜（具備下一步驟所要求的特性的其他黏著膜），其後將半導體晶圓分割（切割）而製成半導體零件，自該黏著膜拾取半導體零件，將半導體零件再配置於專用托盤上進行評價，為了於其後的步驟中利用僅評價合格的半導體零件，進而重新裱貼於其他黏著膜。

於該些順序中，均需進行於多個黏著膜等之間換帖半導體零件的作業，重新裱貼的工數增多，所利用的黏著膜的種類亦增加。因此，若存在可於不同的步驟中共用的零件製造用膜，則可消除所述問題，從而可實現工數削減及成本削減。

相對於此，於本零件製造用膜中，如上文所述般，於除具備0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15的特性以外，亦具備0.2≦R_E1 ≦1的特性的情形時，可利用自伴有溫度變化的評價步驟遍及將半導體製造用膜伸展而進行的拾取步驟（於拾取步驟中可具備必要的柔軟性）通用的膜。 另外，如上文所述般，於具備0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15的特性及具備0.2≦R_E1 ≦1的特性，此外亦具備0.01≦R_E2 ≦1的特性的情形時，進而亦可與具備高溫過程或低溫過程的評價步驟相對應，可利用自此種評價步驟遍及將半導體製造用膜伸展而進行的拾取步驟（於拾取步驟中可具備必要的柔軟性）通用的膜。 如此，無需依各步驟而重新裱貼於專用的黏著膜上，半導體零件的生產性具有優勢。

此外，亦可於將本零件製造用膜貼附於半導體晶圓或半導體零件的狀態下進行評價步驟及分割步驟（將半導體晶圓分割的步驟）的任一步驟，故亦可先進行該些任一步驟，與利用專用的黏著膜或托盤等的情形相比可提高步驟的自由度。

所述比R_E2 較佳為0.01≦R_E2 ≦1，進而較佳為0.01≦R_{E 2} ≦0.9，進一步較佳為0.013≦R_E2 ≦0.7，進而更佳為0.017≦R_E2 ≦0.5，進一步更佳為0.020≦R_E2 ≦0.3，進而尤佳為0.023≦R_E2 ≦0.2，進一步尤佳為0.025≦R_E2 ≦0.1，進而特佳為0.027≦R_E2 ≦0.05。於該些的較佳範圍內，尤其可發揮步驟間的高的共用性。

另外，0.01≦R_E2 ≦1的範圍內，E'（-40）較佳為10 MPa≦E'（-40）≦4500 MPa。本零件製造用膜中，於基層為10 MPa≦E'（-40）≦4500 MPa的情形時，可於低溫環境下維持零件製造用膜的柔軟性。 例如，零件製造用膜1有時是如後述般以伴有框體（環狀框架等）7的保護構件15（參照圖2）的形式而操作。而且，於評價步驟（參照圖16的R3'）中，於使背面貼附在經保護構件15固定的零件製造用膜1的黏著材層12上的狀態下，將被評價物（於圖16中例示了半導體晶圓20，同樣地亦能夠相對於半導體零件21、陣列狀電子零件50、電子零件51進行）供於評價。於該評價時，為了避免探針卡8等測定設備側的各部與框體7的接觸，可將制動器91等夾具配置於框體7的內側，將框體7向下方壓下（例如0.5 mm～15 mm），使框體7遠離探針卡8等測定設備。於此情形時，若使框體7向下方移動，則貼附於框體7的零件製造用膜1於開口部71內伸張，故零件製造用膜1需要可追隨於該動作的柔軟性。然而如後述，評價可於低溫下進行，但基層11的低溫下的拉伸彈性係數E'必定大於高溫下的拉伸彈性係數E'，故重要的是維持低溫的柔軟性。如此，對於要求經過評價步驟的零件製造用膜1而言，較佳為可維持低溫環境下的柔軟性。然而，容易獲得高溫下的耐熱性的材料通常為高溫拉伸彈性係數高的材料，此種材料的拉伸彈性係數於低溫下變得更高，故難以耐受所述狀況。就此方面而言，基層11的比R_E2 為0.01≦R_E2 ≦1、且E'（-40）為10 MPa≦E'（-40）≦4500 MPa的零件製造用膜1可充分滿足所述要求。

該E'（-40）進而較佳為20 MPa≦E'（-40）≦4300 MPa，進一步較佳為50 MPa≦E'（-40）≦4200 MPa，進而更佳為80 MPa≦E'（-40）≦4100 MPa，進一步更佳為100 MPa≦E'（-40）≦4000 MPa，進而尤佳為120 MPa≦E'（-40）≦3800 MPa，進一步尤佳為150 MPa≦E'（-40）≦2500 MPa，進而特佳為200 MPa≦E'（-40）≦1400 MPa，進一步特佳為250≦E'（-40）≦500 MPa，進而最佳為300 MPa≦E'（-40）≦400 MPa。該E'（-40）的值可於基層的MD方向及TD方向上不同，較佳為於基層的MD方向及TD方向此兩方向上為所述範圍。

另一方面，所述情形時的E'（160）較佳為0.1 MPa≦E'（160）≦600 MPa，進而較佳為0.15 MPa≦E'（160）≦580 MPa，進一步較佳為0.2 MPa≦E'（160）≦560 MPa，進而更佳為0.3 MPa≦E'（160）≦540 MPa，進一步更佳為0.4 MPa≦E'（160）≦520 MPa，進而尤佳為0.5 MPa≦E'（160）≦500 MPa，進一步尤佳為0.6 MPa≦E'（160）≦100 MPa，進而特佳為0.8 MPa≦E'（160）≦50 MPa，進一步特佳為1 MPa≦E'（160）≦40 MPa。該E'（160）的值可於基層的MD方向及TD方向上不同，較佳為於基層的MD方向及TD方向此兩方向上為所述範圍。

再者，與基層有關的所述各彈性係數E'是藉由動態黏彈性測定裝置（Dynamic Mechanical Analysis，DMA）來測定。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、夾具間的長度20 mm，根據於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/min的測定條件下自-50℃至200℃進行測定所得的資料來讀取各溫度的資料，由此獲得彈性係數E'。即，將-40℃下的值作為拉伸彈性係數E'（-40），將160℃下的值作為拉伸彈性係數E'（160）。

另外，基層的厚度並無特別限定，較佳為50 μm以上且200 μm以下，更佳為80 μm以上且200 μm以下，尤佳為80 μm以上且150 μm以下。 另外，不論基層有無延伸均可。

基層具有所述各種特性，只要可支撐黏著材層即可，其材質並無特別限定。構成基層的材料較佳為樹脂。 另外，樹脂中，就達成所述各種特性的觀點而言，較佳為具有彈性體性的樹脂。具有彈性體性的樹脂可列舉熱塑性彈性體及矽酮等。該些樹脂可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些樹脂中，較佳為具有熱塑性者，且較佳為熱塑性彈性體。 於含有熱塑性彈性體的情形時，關於其比例，相對於構成基層的樹脂總體，例如可設為30質量%以上且100質量%以下。即，構成基層的樹脂可僅包含熱塑性彈性體。熱塑性彈性體的比例進而較佳為50質量%以上且100質量%以下，更佳為70質量%以上且100質量%以下。

熱塑性彈性體可包含具有硬段（hard segment）及軟段（soft segment）的嵌段共聚物，亦可包含硬質聚合物（hard polymer）與軟質聚合物（soft polymer）的聚合物合金（polymer alloy），亦可具有該些兩者的特性。基層的各彈性係數E'的值可藉由調整構成基層的該些成分而控制。即，可藉由調整樹脂種類、含有多種樹脂的情形時的該些樹脂的比例、構成樹脂的聚合物的分子結構（硬段及軟段的比例）而控制。

熱塑性彈性體可列舉：聚酯系熱塑性彈性體、聚醯胺系熱塑性彈性體、苯乙烯系熱塑性彈性體、烯烴系熱塑性彈性體、氯乙烯系熱塑性彈性體、聚醯亞胺系熱塑性彈性體（聚醯亞胺酯系、聚醯亞胺胺基甲酸酯系等）等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。 該些熱塑性彈性體中，較佳為聚酯系熱塑性彈性體、聚醯胺系熱塑性彈性體、聚醯亞胺系熱塑性彈性體，進而尤佳為聚酯系熱塑性彈性體及/或聚醯胺系熱塑性彈性體。

聚酯系熱塑性彈性體除了以聚酯成分作為硬段以外，可為任意構成。軟段可利用聚酯、聚醚及聚醚酯等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。即，例如構成硬段的聚酯成分可含有來源於對苯二甲酸二甲酯等單體的構成單元。另一方面，構成軟段的成分可含有來源於1,4-丁二醇及聚(氧基四亞甲基)二醇等單體的構成單元。 更具體可列舉PBT-PE-PBT型聚酯系熱塑性彈性體等。 聚酯系熱塑性彈性體具體可列舉：三井化學股份有限公司製造的「普利馬羅（Primalloy）（商品名）」、東麗杜邦（Toray-Dupont）公司製造的「海特萊爾（Hytrel）（商品名）」、東洋紡績股份有限公司製造的「派爾普蘭（Pelprene）（商品名）」、理研科技（Riken technos）股份有限公司製造的「海帕羅伊愛可提瑪（Hyper Alloy Actymer）（商品名）」等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

聚醯胺系熱塑性彈性體除了以聚醯胺成分作為硬段以外，可為任意構成。軟段可利用聚酯、聚醚及聚醚酯等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。即，例如構成硬段的聚醯胺成分可列舉聚醯胺6、聚醯胺11及聚醯胺12等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些聚醯胺成分中可利用各種內醯胺等作為單體。另一方面，構成軟段的成分可含有來源於二羧酸等單體或聚醚多元醇的構成單元。其中，聚醚多元醇較佳為聚醚二醇，例如可列舉聚(四亞甲基)二醇、聚(氧伸丙基)二醇等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。 更具體可列舉：聚醚醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體、聚酯醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體、聚醚酯醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體等。 聚醯胺系熱塑性彈性體具體可列舉：阿科瑪（Arkema）股份有限公司製造的「派巴克斯（Pebax）（商品名）」、大賽璐贏創（Daicel-Evonik）股份有限公司製造的「帶阿米德（Diamide）（商品名）」、大賽璐贏創（Daicel-Evonik）股份有限公司製造的「貝斯泰咪德（Vestamid）（商品名）」、宇部興產股份有限公司製造的「優貝斯達（UBESTA）XPA（商品名）」等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

另外，於基層為熱塑性彈性體以外的樹脂的情形時，此種樹脂可列舉聚酯、聚醯胺、聚碳酸酯、丙烯酸系樹脂等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些樹脂中，較佳為聚酯及/或聚醯胺，具體可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯等聚酯，尼龍6、尼龍12等聚醯胺。 進而，基層可於構成其的樹脂中含有塑化劑及軟化劑（礦物油等）、填充劑（碳酸鹽、硫酸鹽、鈦酸鹽、矽酸鹽、氧化物（氧化鈦、氧化鎂）、二氧化矽、滑石、雲母、黏土、纖維填料等）、抗氧化劑、光穩定劑、抗靜電劑、潤滑劑、著色劑等各種添加劑。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

〈2〉黏著材層 黏著材層12為藉由黏著材所形成的層，通常僅於基層11的另一面上具備（基層11的一面11a為具有0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15的特性的面）。該黏著材層12可與基層11直接接觸而設置，亦可介隔其他層而設置。

黏著材層12的黏著力並無特別限定，較佳為貼附於矽晶圓的表面上並放置60分鐘後，自矽晶圓的表面剝離時的依據JIS Z0237所測定的對矽晶圓的黏著力（於溫度23℃、相對濕度50%的環境下測定）為0.1 N/25 mm～10 N/25 mm。於黏著力為所述範圍的情形時，可確保與被貼附物（半導體晶圓、半導體零件、電子零件等）的良好的接著性，並且抑制將被貼附物剝離時的殘糊。該黏著力進而更佳為0.2 N/25 mm以上且9 N/25 mm以下，進而佳為0.3 N/25 mm以上且8 N/25 mm以下。 另外，黏著材層12的厚度（基層11的一面側的厚度）並無特別限定，較佳為1 μm以上且40 μm以下，更佳為2 μm以上且35 μm以下，尤佳為3 μm以上且25 μm以下。

黏著材只要具有所述特性即可，可使用任意材料。通常至少含有黏著主劑。黏著主劑可列舉丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些黏著主劑中，較佳為丙烯酸系黏著劑。

丙烯酸系黏著劑可列舉丙烯酸酯化合物的均聚物、丙烯酸酯化合物與共單體的共聚物等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。 另外，丙烯酸酯化合物可列舉：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯及丙烯酸-2-乙基己酯等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。 進而，共單體可列舉：乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸、甲基丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、馬來酸酐等。

進而，黏著材除了黏著主劑以外，可含有交聯劑。交聯劑可列舉：環氧系交聯劑（季戊四醇聚縮水甘油醚等）、異氰酸酯系交聯劑（二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等）。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。於黏著材中含有交聯劑的情形時，將黏著材總體設為100質量份，交聯劑的含量較佳為設為10質量份以下。另外，黏著材層的黏著力可藉由交聯劑的含量而調整。具體可利用日本專利特開2004-115591號公報中記載的方法。

另外，黏著劑可為藉由能量線而硬化的能量硬化型黏著材，亦可為不藉由能量線硬化的能量非硬化型黏著材。 其中，於為能量硬化型黏著材的情形時，藉由對黏著材進行能量線照射，可使黏著材硬化而使其黏著力降低。因此，於使所得的電子零件（將半導體零件以陣列狀密封而得的電子零件）與半導體零件製造用膜分離時，可更可靠地防止對電子零件的殘糊。 能量硬化型黏著材可藉由任何能量線而硬化。能量線可列舉紫外線、電子束、紅外線等。該些能量線可僅使用一種，亦可併用兩種以上。具體可列舉藉由紫外線而硬化的紫外線硬化型黏著劑。

於為能量硬化型黏著材的情形時，黏著材除了所述黏著主劑以外，可含有於分子內具有碳-碳雙鍵的化合物（以下簡稱為「硬化性化合物」）、及可對能量線發生反應而引發硬化性化合物的聚合的光聚合起始劑。該硬化性化合物較佳為於分子中具有碳-碳雙鍵且可藉由自由基聚合而硬化的單體、寡聚物及/或聚合物。具體而言，硬化性化合物可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。於黏著材中含有硬化性化合物的情形時，相對於黏著材100質量份，硬化性化合物的含量較佳為0.1質量份～20質量份。

再者，分子內的碳-碳雙鍵亦可藉由於分子內具有所述黏著主劑而含有。即，例如黏著主劑可設定為於側鏈上具有碳-碳雙鍵的能量硬化型聚合物等。於如此般黏著主劑於分子內具有硬化性結構的情形時，可調配所述硬化性化合物亦可不調配。

另一方面，光聚合起始劑較佳為可藉由能量線的照射而生成自由基的化合物。具體可列舉：苯乙酮系光聚合起始劑｛甲氧基苯乙酮等｝、α-酮醇化合物｛4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基環己基苯基酮等｝、縮酮系化合物｛苯偶醯二甲基縮酮等｝、安息香系光聚合起始劑｛安息香、安息香烷基醚類（安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚）等｝、二苯甲酮系光聚合起始劑｛二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸等｝、芳香族縮酮類｛苯偶醯二甲基縮酮等｝等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。於黏著材中含有光聚合起始劑的情形時，相對於黏著材100質量份，光聚合起始劑的含量較佳為設為5質量份～15質量份。

〈3〉其他層 本品製造用膜1可僅包含基層11及黏著材層12，但可具備其他層。其他層可列舉：可吸收貼附面的凹凸形狀而使膜面平滑的凹凸吸收層、提昇與黏著材的界面強度的界面強度提昇層、抑制低分子量成分自基材向黏著面轉移的防轉移層等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

〈4〉半導體零件製造用膜的製造 本零件製造用膜可利用任意方法製造，該方法並無特別限定。具體可藉由共擠出法、擠出層壓法、接著層壓法、塗佈法等方法來製造。其中，共擠出法為藉由共擠出將成為基層11的熔融樹脂與成為黏著材層12的熔融樹脂積層而製造零件製造用膜的方法。 另外，擠出層壓法為於基層11上藉由擠出而積層成為黏著材層12的熔融樹脂，製造半導體零件製造用膜的方法。 進而，塗佈法為於基層11上藉由塗佈或塗敷而積層成為黏著材層12的熔融樹脂，製造半導體零件製造用膜的方法。於使用能量硬化型黏著材作為構成黏著材層12的黏著材的情形時，較佳為使用該塗佈法。 另外，接著層壓法為經由熱壓接、接著劑、熱熔等將基層11與黏著材層12積層而製造半導體零件製造用膜的方法。 該些方法可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

進而，如所述般，即便於藉由共擠出法、擠出層壓法、接著層壓法、塗佈法等任意的方法來製造零件製造用膜的情形時，基層11亦可藉由擠出成形法及壓延成形法等適當的方法來成形。 本零件製造用膜1的基層11的一面11a具有既定的表面粗糙度。該具有既定的表面粗糙度的一面11a可於基層11的形成時賦予，亦可於形成後賦予。

例如，於在基層11的形成時賦予既定的表面粗糙度的情形時，當利用擠出成形時，使自擠出機擠出的片材通過具有既定的表面凹凸的輥（網紋輥等），將輥的表面凹凸轉印至片材，藉此可形成賦予既定的表面粗糙度的基層11。 另外，於在基層11的形成時賦予既定的表面粗糙度的情形時，當利用壓延成形時，於多個輥間一面對經軟化或熔融的樹脂進行混練及壓延，一面將其以膜狀成形，於壓延步驟的更後方的步驟中，通過具有既定的表面凹凸的輥（網紋輥等），將輥的表面凹凸轉印至片材，藉此可形成賦予既定的表面粗糙度的基層11。 再者，基層11的一面11a的相對面的表面粗糙度並無特別限定。就形成黏著劑層12的觀點而言，一面11a的相對面與黏著劑層12只要密接性良好地形成，則即便為更平滑的表面，亦可增大表面的算術平均粗糙度（Ra）或最大高度粗糙度（Rz）。

另外，於在基層11的形成後賦予既定的表面粗糙度的情形時，使預先成形的平滑的膜通過具有既定的表面凹凸的輥（網紋輥等），將輥的表面凹凸轉印至膜，藉此可賦予既定的表面粗糙度。此時，視需要可對膜進行加熱。 進而，可對預先成形的平滑的膜進行噴砂加工而賦予既定的表面粗糙度。 於該些情形時，就形成黏著劑層12的觀點而言，基層11的一面11a的相對面與一面11a不同，相同的是較佳為更平滑的表面。

[2] 半導體零件的製造方法 本零件製造用膜1是用於半導體零件21的製造方法中。該半導體零件的製造方法包括分割步驟R4（參照圖5）、評價步驟R3（參照圖4）及/或評價步驟R5（參照圖6）、以及拾取步驟R8（參照圖9）。 其中，分割步驟R4（參照圖5）為於形成有電路的半導體晶圓20的背面上貼附半導體零件製造用膜1的黏著材層12的狀態下，將半導體晶圓20分割而獲得半導體零件21的步驟。 另外，拾取步驟R8（參照圖9）為將半導體零件21自黏著材層12分離的步驟。 而且，於進行該拾取步驟R8（參照圖9）之前，包括評價步驟R3（參照圖4）及評價步驟R5（參照圖6）中的至少一個步驟。其中，評價步驟R3為於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內進行半導體晶圓20的評價的步驟。另一方面，評價步驟R5為於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內進行半導體零件21的評價的步驟。

所述中，於分割步驟R4（參照圖5）的前步驟中通常設有貼附步驟R2（參照圖3）。貼附步驟R2（參照圖3）為於形成有電路的半導體晶圓20的背面上貼附零件製造用膜1的黏著材層12的步驟。通常，零件製造用膜1是以覆蓋具有開口部71的框體7的開口部71的方式於框體7的一面7a上貼附零件製造用膜1的黏著材層12（保護構件形成步驟R1，參照圖2），以保護構件15的形式利用。而且，貼附步驟R2（參照圖3）為於保護構件15的框體7的開口部71中露出的黏著材層12的表面12a上貼附半導體晶圓20的步驟，但該些保護構件形成步驟R1（參照圖2）與貼附步驟R2（參照圖3）是同時進行。另外，理所當然，保護構件形成步驟R1（參照圖2）與貼附步驟R2（參照圖3）視需要亦可分別進行。

半導體晶圓20只要為可較佳地貼附於本零件製造用膜1的半導體晶圓即可，其種類並無限定，例如可列舉：矽基板、藍寶石基板、鍺基板、鍺-砷基板、鎵-磷基板、鎵-砷-鋁基板等。其中，所謂使用藍寶石基板的半導體晶圓，可列舉於藍寶石基板上積層有半導體層（GaN等）的半導體晶圓。於該些半導體晶圓的表面上通常形成有電路。該電路可列舉配線、電容器、二極體及電晶體等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

分割步驟R4（參照圖5）為將於背面上貼附有零件製造用膜1的半導體晶圓20分割（切割）而獲得半導體零件21的步驟。該分割步驟R4可使用公知的方法適當進行。另外，關於分割，能以於一個半導體零件21內含有至少一個半導體電路區域的方式分割，亦能以於一個半導體零件21內含有兩個以上的半導體電路區域的方式分割。

拾取步驟R8（參照圖9）為將經分割的半導體零件21自零件製造用膜1的黏著材層12分離的步驟。拾取步驟R8可使用公知的方法適當進行，例如可如圖9所例示般，自半導體零件製造用膜1的基層11之側，藉由頂起構件92將作為拾取對象的半導體零件21'頂起，藉由拾取器具93利用吸附等方法來拾取該被頂起的半導體零件21'。

評價步驟為於拾取步驟R8之前，進行半導體晶圓20或半導體零件21的評價的步驟。該評價步驟中，包括於分割步驟R4之前且拾取步驟R8之前進行半導體晶圓20的評價的評價步驟R3（參照圖4）、與於分割步驟R4之後且拾取步驟R8之前進行半導體零件21的評價的評價步驟R5（參照圖6）。評價步驟R3及評價步驟R5視需要可僅進行任一者，亦可進行該些兩者。

所謂半導體晶圓20或半導體零件21的評價，具體而言包括下述（1）半導體晶圓評價、及下述（2）半導體零件評價。 其中，（1）半導體晶圓評價是利用探針進行以下評價，即，於半導體晶圓的狀態下，形成於半導體晶圓上的多個電路（與各半導體零件的電路相對應）的電氣特性於既定的溫度範圍（25℃以下或75℃以上）內是否為所需的特性。 另一方面，（2）半導體零件評價是利用探針進行以下評價，即，於將半導體晶圓分割並將多個半導體零件以陣列狀排列的狀態下，該些半導體零件的電氣特性於既定的溫度範圍（25℃以下或75℃以上）內是否為所需的特性。 該些各評價中，包括以確認既定的溫度範圍內的動作為目的之評價、或以既定的溫度範圍內的加速耐久試驗為目的之評價（例如預燒測試）。

於所述評價步驟中進行評價步驟R3（參照圖4）的情形、即於分割步驟R4之前且拾取步驟R8之前進行評價的情形（對半導體晶圓20進行評價的情形）時，例如使形成有多個探針81的探針卡8與半導體晶圓20的既定的對應部位接觸並進行電性連接，判定探針81與形成於半導體晶圓20上的電路之間交換的信號正確與否（探針測試），由此進行評價（參照圖4）。

另外，此時，如圖4所示般，將零件製造用膜1固定於保護構件15的框體7，並將半導體晶圓20的背面貼附於所述黏著材層12，於此狀態下，使探針卡8等測定設備與吸附載台90接近，從而使探針81與半導體晶圓20的表面接觸。 於該情形時，如圖16所示般，為了避免探針卡8等測定設備側的各部與框體7的接觸，可將吸附載台90或制動器91等夾具配置於框體7的內側，將框體7向下方壓下，從而可防止框體7與探針卡8等測定設備接觸。

另一方面，如圖6所示般，於評價步驟中進行評價步驟R5（參照圖6）的情形、即於分割步驟R4之後且拾取步驟R8之前進行評價的情形（對半導體零件21進行評價的情形）時，例如使形成有多個探針81的探針卡8與半導體零件21各自的既定的對應部位接觸並進行電性連接，判定探針81與形成於半導體零件21上的電路之間交換的信號正確與否（探針測試），由此進行評價（參照圖6）。 於該情形時，亦同樣地，如圖16所示般，將框體7向下方壓下，從而可防止框體7與探針卡8等測定設備接觸。

該些評價除了如上所述般使探針81接觸而進行的電性評價（探針測試）以外，亦可包含非接觸的光學式的評價。 另外，評價溫度範圍並無特別限定，例如可設為25℃以下或75℃以上。尤其，於本零件製造用膜1具有0.2≦R_E1 ≦1且35 MPa≦E'（25）≦3500 MPa的特性的情形時，具有至少可耐受25℃～100℃的溫度範圍內的評價的特性。 另外，藉由具有0.01≦R_E2 ≦1的特性，即便於低溫側於-80℃以上且0℃以下（進而-60℃以上且-10℃以下、尤其-40℃以上且-10℃以下）進行評價步驟，零件製造用膜1亦可於評價步驟中維持必要的柔軟性。進而，亦不妨礙拾取步驟R8（參照圖9）。即，於拾取步驟R8中利用頂起構件92頂起時，零件製造用膜1亦維持柔軟性，可於不使零件製造用膜1破裂的情況下頂起。尤其於在拾取步驟R8之前具備零件分離步驟R7（參照圖8）的情形時，成為零件製造用膜1更易破裂的狀況，但藉由利用上文所述的零件製造用膜1，可防止破裂而順利地進行拾取。

進而，即便於高溫側於100℃以上且170℃以下（進而110℃以上且170℃以下、尤其120℃以上且160℃以下）進行評價步驟，零件製造用膜1亦可於評價步驟中維持必要的柔軟性。進而，不會妨礙拾取步驟R8（參照圖9）。即，於拾取步驟R8中利用頂起構件92頂起時，零件製造用膜1亦維持柔軟性，可於不使零件製造用膜1破裂的情況下頂起。尤其於在拾取步驟R8之前具備零件分離步驟R7（參照圖8）的情形時，成為零件製造用膜1更易破裂的狀況，但藉由利用上文所述的零件製造用膜1，可防止破裂而順利地進行拾取。

進而，關於該些評價，可僅於低溫側及高溫側的任一溫度範圍內進行評價，但本零件製造用膜1即便進行該些兩者，亦可不妨礙拾取步驟R8（參照圖9）。

本製造方法中，除了貼附步驟R2（參照圖3）、評價步驟R3（參照圖4）、分割步驟R4（參照圖5）、評價步驟R5（參照圖6）、拾取步驟R8（參照圖9）以外，通常進而包括膜分離步驟R6（參照圖7）。 膜分離步驟R6（參照圖7）為於將被貼附物（半導體晶圓20或半導體零件21）貼附於零件製造用膜1的狀態下，將吸附載台90與零件製造用膜1分離的步驟。於本方法中，由於利用上文所述的零件製造用膜1，因此基層11的未設有黏著材層12的一面11a的表面為0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15，可容易穩定地進行該膜分離步驟R6。 該膜分離步驟R6（參照圖7）例如可於評價步驟R5（參照圖6）與拾取步驟R8（參照圖9）之間進行。即，為於變更載置零件製造用膜1的台（吸附載台90等）時所需的步驟。

本製造方法中，除了貼附步驟R2（參照圖3）、評價步驟R3（參照圖4）、分割步驟R4（參照圖5）、評價步驟R5（參照圖6）、膜分離步驟R6（參照圖7）、拾取步驟R8（參照圖9）以外亦可包括其他步驟。 其他步驟可列舉保護構件形成步驟R1（參照圖2）及零件分離步驟R7（參照圖8）。

其中，保護構件形成步驟R1（參照圖2）為以覆蓋具有開口部71的框體7的開口部71的方式於框體7的一面7a上貼附半導體零件製造用膜1的黏著材層12的步驟。 框體7例如可使用環狀框架。框體7的概形並無限定，可適當設定為必要形狀。例如可採用圓形或四邊形等。同樣地，開口部71的概形亦無限定，可適當設定為必要形狀，例如可採用圓形或四邊形等。構成框體7的材質亦無限定，例如可使用樹脂及/或金屬等。 另外，以覆蓋框體7的開口部71的方式於框體7的一面7a上貼附半導體零件製造用膜1的黏著材層12時，可視需要而進行加熱。

另外，零件分離步驟R7（參照圖8）為藉由將零件製造用膜1伸張而使經分割的半導體零件21彼此於零件製造用膜1上分離的步驟。於使零件製造用膜1伸張時，可使制動器91抵接於框體7的內側而進行。

[3] 電子零件製造用膜 本發明的電子零件製造用膜1為用於電子零件51的製造方法中的膜。該電子零件製造用膜1具有與半導體零件製造用膜1相同的構成（參照圖1）。 因此，關於電子零件製造用膜1中的基層11，可直接應用上文所述的半導體零件製造用膜1中的基層11的說明（〈1〉基層）。 另外，關於電子零件製造用膜1中的黏著材層12，可直接應用上文所述的半導體零件製造用膜1中的黏著材層12的說明（〈2〉黏著材層）。 進而，關於電子零件製造用膜1中的其他層，可直接應用上文所述的半導體零件製造用膜1中的其他層的說明（〈3〉其他層）。 於所述的各說明中，將與半導體零件製造用膜1有關的說明中的「半導體零件製造用膜」一詞改稱為「電子零件製造用膜1中的基層」，將「半導體晶圓」一詞改稱為「陣列狀電子零件」，將「半導體零件」一詞改稱為「電子零件」。

關於電子零件製造用膜1中的電子零件製造用膜的製造，可直接應用與上文所述的半導體零件製造用膜1中的所述製造有關的說明（〈4〉半導體零件製造用膜的製造）。此處，將與半導體零件製造用膜1的製造有關的說明中的「半導體零件製造用膜」一詞改稱為「電子零件製造用膜1」，將「半導體晶圓」一詞改稱為「陣列狀電子零件」，將「半導體零件」一詞改稱為「電子零件」。

[4] 電子零件的製造方法 本零件製造用膜1是用於電子零件51的製造方法中。該電子零件的製造方法包括分割步驟R4（參照圖11）、評價步驟R3（參照圖10）及/或評價步驟R5（參照圖12）、以及拾取步驟R8（參照圖15）。

其中，分割步驟R4（參照圖11）為將於背面上貼附有零件製造用膜1的陣列狀電子零件50分割（切割）而獲得電子零件51的步驟。 該分割步驟R4可使用公知的方法適當進行。再者，分割能以於一個電子零件51內含有至少一個半導體零件的方式分割，亦能以於一個電子零件51內含有兩個以上的半導體零件的方式分割。 另外，於分割步驟R4（參照圖11）中，與上文所述的半導體零件製造用膜1的情形同樣地，本電子零件製造用膜1亦可利用框體7以保護構件15的形式利用。

陣列狀電子零件50是將半導體零件以陣列狀密封而成。具體而言包括下述電子零件（1）～電子零件（3）。 陣列狀電子零件（1）為將形成有電路的半導體晶圓分割而獲得半導體零件（晶片、晶粒），將所得的半導體零件（晶片、晶粒）排列於引線框架上，進行打線接合後，以密封劑密封而獲得的陣列狀電子零件。 陣列狀電子零件（2）為將形成有電路的半導體晶圓分割而獲得半導體零件21（晶片、晶粒），將所得的半導體零件（晶片、晶粒）分離排列，以密封劑30密封後，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路40而成的陣列狀電子零件50（參照圖10及圖11）。即，其為以扇出（fan out）方式（eWLB方式）獲得的陣列狀電子零件。 陣列狀電子零件（3）為將半導體晶圓直接以晶圓狀態用作半導體零件，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路、或以密封劑密封的密封層而成的陣列狀電子零件。該陣列狀電子零件（3）中的半導體晶圓為分割前狀態，且包括將半導體零件（晶片、晶粒）形成為陣列狀的形態、或將半導體晶圓用作基體（於非電路矽基板上接合具有電路的晶片而利用的形態）等。即，陣列狀電子零件（3）為以晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）方式獲得的陣列狀電子零件。 另外，對於陣列狀電子零件（2）而言，於形成其時亦可利用本發明的電子零件製造用膜。具體而言，可於電子零件製造用膜1上將半導體零件分離排列，以密封劑密封後，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路而獲得陣列狀電子零件。

評價步驟為於拾取步驟R8之前進行陣列狀電子零件50或電子零件51的評價的步驟。於該評價步驟中，包括於分割步驟R4之前且拾取步驟R8之前進行陣列狀電子零件50的評價的評價步驟R3（參照圖10）、與於分割步驟R4之後且拾取步驟R8之前進行電子零件51的評價的評價步驟R5（參照圖12）。評價步驟R3及評價步驟R5視需要可僅進行任一者，亦可進行該些兩者。

所謂陣列狀電子零件50或電子零件51的評價，具體而言包括下述（1）陣列狀電子零件評價、及下述（2）電子零件評價。 其中，（1）陣列狀電子零件評價是利用探針進行以下評價：於使陣列狀電子零件50保持陣列狀的狀態下，陣列狀電子零件50所含的各內部電路、及與該些內部電路相對應而形成的外部電路（用以將各內部電路向外部導出的電路）的電氣特性於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內是否為所需的特性。 另一方面，（2）電子零件評價是利用探針進行以下評價：於將陣列狀電子零件50分割並將多個電子零件51以陣列狀排列的狀態下，該些各電子零件51的電氣特性於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內是否為所需的特性。 該些各評價中，包括以確認所述各溫度範圍內的動作為目的之評價、或以所述各溫度範圍內的加速耐久試驗為目的之評價（例如預燒測試）。

於所述評價步驟中進行評價步驟R3（參照圖10）的情形、即於分割步驟R4之前且拾取步驟R8之前進行評價的情形（對陣列狀電子零件50進行評價的情形）時，例如使形成有多個探針81的探針卡8與形成於陣列狀電子零件50上的外部電路（凸塊電極等）接觸並進行電性連接，判定探針81與形成於陣列狀電子零件50上的外部電路之間交換的信號正確與否（探針測試），由此進行評價（參照圖10）。

另外，此時，如圖10所示般，將零件製造用膜1固定於保護構件15的框體7，並將陣列狀電子零件50的背面貼附於所述黏著材層12，於此狀態下，使探針卡8等測定設備與吸附載台90接近，從而使探針81與陣列狀電子零件50的表面接觸。 於該情形時，如圖16所示般，為了避免探針卡8等測定設備側的各部與框體7的接觸，可將吸附載台90或制動器91等夾具配置於框體7的內側，將框體7向下方壓下，從而可防止框體7與探針卡8等測定設備接觸。

另一方面，如圖12所示般，於評價步驟中進行評價步驟R5（參照圖12）的情形、即於分割步驟R4之後且拾取步驟R8之前進行評價的情形（對電子零件51進行評價的情形）時，例如使形成有多個探針81的探針卡8與電子零件51各自的既定的對應部位接觸而進行電性連接，判定探針81與形成於電子零件51上的電路之間交換的信號正確與否（探針測試），由此進行評價（參照圖12）。 於該情形時，亦同樣地，如圖16所示般，將框體7向下方壓下，從而可防止框體7與探針卡8等測定設備接觸。

該些評價除了如上所述般使探針81接觸而進行的電性評價（探針測試）以外，亦可包含非接觸的光學式的評價。 另外，評價溫度範圍並無特別限定，例如可設為25℃以下或75℃以上。尤其，於本零件製造用膜1具有0.2≦R_E1 ≦1且35 MPa≦E'（25）≦3500 MPa的特性的情形時，具有至少可耐受25℃～100℃的溫度範圍內的評價的特性。 另外，藉由具有0.01≦R_E2 ≦1的特性，即便於低溫側於-80℃以上且0℃以下（進而-60℃以上且-10℃以下、尤其-40℃以上且-10℃以下）進行評價步驟，零件製造用膜1亦可於評價步驟中維持必要的柔軟性。進而，亦不妨礙拾取步驟R8（參照圖15）。即，於拾取步驟R8中利用頂起構件92頂起時，零件製造用膜1亦維持柔軟性，可於不使零件製造用膜1破裂的情況下頂起。尤其於在拾取步驟R8之前具備零件分離步驟R7（參照圖14）的情形時，成為零件製造用膜1更易破裂的狀況，但藉由利用上文所述的零件製造用膜1，可防止破裂而順利地進行拾取。

進而，即便於高溫側於100℃以上且170℃以下（進而110℃以上且170℃以下、尤其120℃以上且160℃以下）進行評價步驟，零件製造用膜1亦可於評價步驟中維持必要的柔軟性。進而，不會妨礙拾取步驟R8（參照圖15）。即，於拾取步驟R8中利用頂起構件92頂起時，零件製造用膜1亦維持柔軟性，可於不使零件製造用膜1破裂的情況下頂起。尤其於在拾取步驟R8之前具備零件分離步驟R7（參照圖14）的情形時，成為零件製造用膜1更易破裂的狀況，但藉由利用上文所述的零件製造用膜1，可防止破裂而順利地進行拾取。

進而，關於該些評價，可僅於低溫側及高溫側的任一溫度範圍內進行評價，但本零件製造用膜1即便進行該些兩者，亦可不妨礙拾取步驟R8（參照圖15）。

本製造方法中，除了評價步驟R3（參照圖10）、分割步驟R4（參照圖11）、評價步驟R5（參照圖12）、拾取步驟R8（參照圖15）以外，通常進而包括膜分離步驟R6（參照圖13）。 膜分離步驟R6（參照圖13）為於將被貼附物（陣列狀電子零件50或電子零件51）貼附於零件製造用膜1的狀態下，將吸附載台90與零件製造用膜1分離的步驟。於本方法中，由於利用上文所述的零件製造用膜1，因此基層11的未設有黏著材層12的一面11a的表面為0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15，可容易穩定地進行該膜分離步驟R6。 該膜分離步驟R6（參照圖13）例如可於評價步驟R5（參照圖12）與拾取步驟R8（參照圖15）之間進行。即，為於變更載置零件製造用膜1的台（吸附載台90等）時所需的步驟。

本製造方法中，除了評價步驟R3（參照圖10）、分割步驟R4（參照圖11）、評價步驟R5（參照圖12）、膜分離步驟R6（參照圖13）、拾取步驟R8（參照圖15）以外亦可包括其他步驟。 其他步驟可列舉零件分離步驟R7（參照圖14）。 零件分離步驟R7（參照圖14）為藉由將零件製造用膜1伸張而使經分割的電子零件51彼此於零件製造用膜1上分離的步驟。於使零件製造用膜1伸張時，可使制動器91抵接於框體7的內側而進行。 [實施例]

以下，藉由實施例對本發明加以具體說明。 [1] 用於零件製造用膜的基層 為了製造零件製造用膜，準備利用各種樹脂的基層。具體而言，關於基層11，準備藉由鏡面加工輥（1）、鏡面加工輥（2）、網紋加工輥（1）、網紋加工輥（2）、網紋加工輥（3）、噴砂加工、及網紋加工輥（4）的各自的加工將利用後述各種樹脂的膜設為既定範圍的表面粗糙度而成的基層用膜。

依據ISO4287-1997，使用小型表面粗糙度測定機（三豐（Mitutoyo）股份有限公司製造，SJ-210）來對藉由各加工的成為各基層的膜的算術平均粗糙度（Ra）及最大高度粗糙度（Rz）進行測定。將此時的基準長度設為4.0 mm，將速度設為0.5 mm/s，將截止值設為0.8 mm。 結果，藉由各加工的表面粗糙度如下所述。 鏡面加工輥（1）：Ra：0.01～0.05、Rz：0.35～0.55 鏡面加工輥（2）：Ra：0.05～0.15、Rz：0.60～0.70 網紋加工輥（1）：Ra：0.20～0.35、Rz：2.50～2.80 網紋加工輥（2）：Ra：0.20～0.40、Rz：3.00～3.20 網紋加工輥（3）：Ra：0.50～0.70、Rz：4.30～4.45 噴砂加工：Ra：0.55～0.70、Rz：6.00～7.00 網紋加工輥（4）：Ra：1.5、Rz：10.7

[2] 零件製造用膜的製造 〈實驗例1〉 （1）基層 使用厚度80 μm的聚酯系熱塑性彈性體（TPEE）膜（熔點200℃）且所述的表面粗糙度不同的六種（除了網紋加工輥（4）以外）膜作為基層11。 使用藉由鏡面加工輥（1）的膜，藉由動態黏彈性測定裝置（Dynamic Mechanical Analysis，DMA）（製品名：RSA-3，TA儀器（TA Instrument）公司製造）來測定拉伸彈性係數E'。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、夾具間的長度20 mm，根據於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/min的測定條件下自-50℃至200℃進行測定所得的資料來讀取各溫度的資料。 結果，拉伸彈性係數E'（-40）為440 MPa，拉伸彈性係數E'（25）為95 MPa，拉伸彈性係數E'（100）為38 MPa，拉伸彈性係數E'（160）為12 MPa。 因此，R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.40，R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.03。

（2）黏著材層 使用厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。

（3）基層與黏著材層的積層 於所述（1）中記載的各六種基層11的一面的各個上層壓所述（2）的黏著材層12，獲得實驗例1-1～實驗例1-6的零件製造用膜1。 使用所得的實驗例1的零件製造用膜1，依據JIS Z0237利用以下方法來測定黏著力。 即，將所得的零件製造用膜（藉由鏡面加工輥（1）的膜）製成寬度25 mm的試片，一面利用約2 kg橡膠輥施加壓力一面將其黏著材層12貼附於4吋的矽晶圓上。繼而，於溫度23℃、相對濕度50%的環境下放置60分鐘。其後，將試片朝180°方向以剝離速度300 mm/min自矽晶圓剝離，測定此時的黏著力。黏著力的測定是進行2次，將平均值作為「黏著力」（N/25 mm）。結果，實驗例1的零件製造用膜的黏著力為1.2 N/25 mm。

〈實驗例2〉 作為基層11，除了厚度為150 μm以外，使用與實驗例1相同的聚酯系熱塑性彈性體膜（熔點200℃）且所述的表面粗糙度不同的六種（除了網紋加工輥（4）以外）膜。 使用與實驗例1相同的厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。 與實驗例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層，獲得實驗例2-1～實驗例2-6的零件製造用膜1。使用所得的實驗例2的零件製造用膜，與實驗例1同樣地測定的黏著力為1.2 N/25 mm。

〈實驗例3〉 使用厚度150 μm的尼龍系熱塑性彈性體（TPAE）膜（熔點160℃）且所述的表面粗糙度不同的六種（除了網紋加工輥（4）以外）膜作為基層11。 使用該基層11（藉由鏡面加工輥（1）的膜），與實驗例1同樣地進行測定，結果，拉伸彈性係數E'（-40）為280 MPa，拉伸彈性係數E'（25）為72 MPa，拉伸彈性係數E'（100）為24 MPa，拉伸彈性係數E'（160）為0.27 MPa。 因此，R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.34，R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.001。 使用與實驗例1相同的厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。 與實驗例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層，獲得實驗例3-1～實驗例3-6的零件製造用膜1。使用所得的實驗例3的零件製造用膜，與實驗例1同樣地測定的黏著力為1.2 N/25 mm。

〈實驗例4〉 使用厚度75 μm的聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜（熔點263℃）且所述的表面粗糙度不同的六種（除了網紋加工輥（4）以外）膜作為基層11。 使用該基層11（藉由鏡面加工輥（1）的膜），與實驗例1同樣地進行測定，結果，拉伸彈性係數E'（-40）為4000 MPa，拉伸彈性係數E'（25）為3000 MPa，拉伸彈性係數E'（100）為2150 MPa，拉伸彈性係數E'（160）為550 MPa。 因此，R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.72，R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.14。 使用與實驗例1相同的厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。 與實驗例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層，獲得實驗例4-1～實驗例4-6的零件製造用膜1。使用所得的實驗例4的零件製造用膜，與實驗例1同樣地測定的黏著力為1.2 N/25 mm。

〈實驗例5〉 使用厚度75 μm的聚對苯二甲酸丁二酯（PBT）膜（熔點220℃）且所述的表面粗糙度不同的七種膜作為基層11。 使用該基層11（藉由鏡面加工輥（1）的膜），與實驗例1同樣地進行測定，結果，拉伸彈性係數E'（-40）為1500 MPa，拉伸彈性係數E'（25）為550 MPa，拉伸彈性係數E'（100）為138 MPa，拉伸彈性係數E'（160）為90 MPa。 因此，R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.25，R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.06。 使用與實驗例1相同的厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。 與實驗例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層，獲得實驗例5-1～實驗例5-7的零件製造用膜1。使用所得的實驗例5的零件製造用膜，與實驗例1同樣地測定的黏著力為1.2 N/25 mm。

〈實驗例6〉 使用厚度80 μm的無規聚丙烯（rPP）膜（熔點138℃）且所述的表面粗糙度不同的六種（除了網紋加工輥（4）以外）膜作為基層11。 使用該基層11（藉由鏡面加工輥（1）的膜），與實驗例1同樣地進行測定，結果，拉伸彈性係數E'（-40）為1500 MPa，拉伸彈性係數E'（25）為775 MPa，拉伸彈性係數E'（100）為81 MPa。再者，拉伸彈性係數E'（160）因破裂而無法測定。 因此，R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.10，R_E2 （=E'（160）/E'（-40））未滿0.01。 使用與實驗例1相同的厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。 與實驗例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層，獲得實驗例6-1～實驗例6-6的零件製造用膜1。使用所得的實驗例6的零件製造用膜，與實驗例1同樣地測定的黏著力為1.2 N/25 mm。

〈實驗例7〉 使用厚度80 μm的直鏈狀低密度聚乙烯（LLDPE）膜（熔點116℃）且所述的表面粗糙度不同的六種（除了網紋加工輥（4）以外）膜作為基層11。 使用該基層11（藉由鏡面加工輥（1）的膜），與實驗例1同樣地進行測定，結果，拉伸彈性係數E'（-40）為520 MPa，拉伸彈性係數E'（25）為118 MPa，拉伸彈性係數E'（100）為12 MPa。再者，拉伸彈性係數E'（160）因破裂而無法測定。 因此，R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.10，R_E2 （=E'（160）/E'（-40））未滿0.01。 使用與實驗例1相同的厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。 與實驗例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層，獲得實驗例7-1～實驗例7-6的零件製造用膜1。使用所得的實驗例7的零件製造用膜，與實驗例1同樣地測定的黏著力為1.2 N/25 mm。

〈實驗例8〉 使用厚度120 μm的聚酯系熱塑性彈性體（TPEE）膜（熔點199℃）且所述的表面粗糙度不同的七種膜作為基層11。 使用該基層11（藉由鏡面加工輥（1）的膜），與實驗例1同樣地進行測定，結果，拉伸彈性係數E'（-40）為374 MPa，拉伸彈性係數E'（25）為56 MPa，拉伸彈性係數E'（100）為32 MPa，拉伸彈性係數E'（160）為8.5 MPa。 因此，R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.6，R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.02。 使用與實驗例1相同的厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。 與實驗例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層，獲得實驗例8-1～實驗例8-7的零件製造用膜1。使用所得的實驗例8的零件製造用膜，與實驗例1同樣地測定的黏著力為1.2 N/25 mm。

表1

[2] 使用零件製造用膜的試驗 使用實驗例1-實驗例8進行以下的試驗。 即，所述[1]中獲得的實驗例1-實驗例8（各六～七種）的各零件製造用膜1是以覆蓋金屬製的框體7的開口部71的方式於框體7的一面7a上貼附各零件製造用膜1的黏著材層12而形成保護構件15（圖2）。進而，與保護構件15的形成同時地，將尺寸4吋的矽晶圓貼附於黏著劑層12側。 其後，於經設定為各溫度（載台表面溫度為25℃、75℃、100℃、160℃）的吸附載台上，吸附固定貼有各零件製造用膜1的保護構件15的基層11的一面11a側。而且，經過10分鐘後進行真空破壞，抓住框體7而將各零件製造用膜1自晶圓載台上取下。此時，按以下基準來評價自晶圓載台上的取下容易性，將其結果示於表2～表5。 「○」・・・可與吸附載台的表面溫度無關地取下。 「△」・・・若不等待吸附載台的表面溫度降低則無法取下，可藉由表面溫度的降低而取下。 「×」・・・即便吸附載台的表面溫度成為25℃亦難以取下。 再者，本試驗中利用的吸附載台為金屬製，其表面粗糙度為Ra=0.48 μm且Rz=2.64 μm。測定方法與上文所述的膜的情形相同。

表2

表3

表4

表5

[3]實施例的效果 如表2所示般，零件製造用膜1的基層11的一面11a側的表面粗糙度為0.01≦Ra（μm）≦0.05且0.35≦Rz（μm）≦0.55的零件製造用膜（實驗例1-1、實驗例2-1、實驗例3-1、實驗例4-1、實驗例5-1、實驗例6-1、實驗例7-1、實驗例8-1）不論構成基層11的材質如何，即便吸附載台的表面溫度為25℃亦難以取下。另外，0.05≦Ra（μm）≦0.15且0.60≦Rz（μm）≦0.70的零件製造用膜（實驗例1-2、實驗例2-2、實驗例3-2、實驗例4-2、實驗例5-2、實驗例6-2、實驗例7-2、實驗例8-2）不論構成基層11的材質如何，即便吸附載台的表面溫度為25℃亦難以取下。 相對於此，0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15的零件製造用膜1均可容易地自表面溫度為25℃的狀態的吸附載台取下。

如表3所示般，於零件製造用膜1的基層11的一面11a側的表面粗糙度為0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15，基層的R_E1 為0.10的實驗例6（實驗例6-1～實驗例6-6）及實驗例7（實驗例7-1～實驗例7-6）中，於試驗後（75℃），若不等待吸附載台的表面溫度降低則難以取下，可藉由吸附載台的表面溫度降低而取下。 相對於此，除了零件製造用膜1的基層11的一面11a側的表面粗糙度為0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15以外，基層為0.2≦R_E1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下的零件製造用膜1均可容易地自表面溫度為75℃的狀態的吸附載台取下。

如表4所示般，除了零件製造用膜1的基層11的一面11a側的表面粗糙度為0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15以外，基層的R_E2 為0.01≦R_E2 ≦1的零件製造用膜1即便為表面溫度100℃的狀態，均可容易地自吸附載台取下。

如表5所示般，於零件製造用膜1的基層11的一面11a側的表面粗糙度為0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15，基層的R_E2 為0.001的實驗例3（實驗例3-1～實驗例3-6）中，於試驗後（160℃），若不等待吸附載台的表面溫度降低則難以取下，可藉由吸附載台的表面溫度降低而取下。 相對於此，除了零件製造用膜1的基層11的一面11a側的表面粗糙度為0.1≦Ra（μm）≦2.0且1.0≦Rz（μm）≦15以外，基層的R_E2 為0.01≦R_E2 ≦1的零件製造用膜1即便為表面溫度160℃的狀態，均可容易地自吸附載台取下。

再者，本發明不限於所述具體實施例所示的內容，可設定為根據目的、用途於本發明的範圍內加以各種變更而成的實施例。 [產業上之可利用性]

本發明的半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方法、以及電子零件製造用膜及電子零件的製造方法可廣泛地用於半導體零件製造、電子零件製造的用途中。尤其於利用包括伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟的半導體零件的製造方法的情形，以及利用包括伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟的電子零件的製造方法的情形時，可於該些步驟中通用地利用，故於進行生產性優異的零件的製造時可較佳地利用。

1‧‧‧半導體零件製造用膜（電子零件製造用膜） 7‧‧‧框體 7a‧‧‧框體的一面 8‧‧‧探針卡 11‧‧‧基層 11a‧‧‧基層的一面 12‧‧‧黏著材層 12a‧‧‧黏著材層的表面（於開口部71中露出的黏著材層12的表面） 15‧‧‧保護構件 20‧‧‧半導體晶圓 21、21'‧‧‧半導體零件 30‧‧‧密封材 40‧‧‧外部電路 50‧‧‧陣列狀電子零件 51‧‧‧電子零件 71‧‧‧框體的開口部 81‧‧‧探針 90‧‧‧吸附載台 91‧‧‧制動器 92‧‧‧頂起構件 93‧‧‧拾取器具 R1‧‧‧保護構件形成步驟 R2‧‧‧貼附步驟 R3、R3'‧‧‧評價步驟（半導體晶圓評價步驟、陣列狀電子零件評價步驟） R4‧‧‧分割步驟 R5‧‧‧評價步驟（半導體零件評價步驟、電子零件評價步驟） R6‧‧‧膜分離步驟 R7‧‧‧零件分離步驟 R8‧‧‧拾取步驟

圖1為對本半導體零件製造用膜的一例的剖面進行說明的說明圖。 圖2為對本半導體零件的製造方法的保護構件形成步驟進行說明的說明圖。 圖3為對本半導體零件的製造方法的貼附步驟進行說明的說明圖。 圖4為對本半導體零件的製造方法的評價步驟進行說明的說明圖。 圖5為對本半導體零件的製造方法的分割步驟進行說明的說明圖。 圖6為對本半導體零件的製造方法的評價步驟進行說明的說明圖。 圖7為對本半導體零件的製造方法的膜分離步驟進行說明的說明圖。 圖8為對本半導體零件的製造方法的零件分離步驟進行說明的說明圖。 圖9為對本半導體零件的製造方法的拾取步驟進行說明的說明圖。 圖10為對本電子零件的製造方法的評價步驟進行說明的說明圖。 圖11為對本電子零件的製造方法的分割步驟進行說明的說明圖。 圖12為對本電子零件的製造方法的評價步驟進行說明的說明圖。 圖13為對本電子零件的製造方法的膜分離步驟進行說明的說明圖。 圖14為對本電子零件的製造方法的零件分離步驟進行說明的說明圖。 圖15為對本電子零件的製造方法的拾取步驟進行說明的說明圖。 圖16為對本電子零件的製造方法的評價步驟的其他形態進行說明的說明圖。

1‧‧‧半導體零件製造用膜(電子零件製造用膜)

11‧‧‧基層

11a‧‧‧基層的一面

12‧‧‧黏著材層

Claims (18)

1. 一種半導體零件製造用膜，其是用於半導體零件的製造方法中，並且所述半導體零件製造用膜的特徵在於： 具備基層、及設於所述基層的一面側的黏著材層， 所述基層的未設有所述黏著材層的一面的表面的算術平均粗糙度（Ra）為0.1 μm以上且2.0 μm以下，並且最大高度粗糙度（Rz）為1.0 μm以上且15 μm以下。
2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體零件製造用膜，其中所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）之比R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦R_E1 ≦1，並且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體零件製造用膜，其中所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.01≦R_E2 ≦1。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的半導體零件製造用膜，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。
5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的半導體零件製造用膜，其中所述半導體零件的製造方法包括： 分割步驟，於在形成有電路的半導體晶圓的背面上貼附有所述黏著材層的狀態下，將所述半導體晶圓分割而獲得半導體零件；及 拾取步驟，將所述半導體零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內進行所述半導體晶圓或所述半導體零件的評價的評價步驟。
6. 一種半導體零件的製造方法，其特徵在於包括：分割步驟，於在形成有電路的半導體晶圓的背面上貼附有半導體零件製造用膜的黏著材層的狀態下，將所述半導體晶圓分割而獲得半導體零件；及 拾取步驟，將所述半導體零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內進行所述半導體晶圓或所述半導體零件的評價的評價步驟， 所述基層的未設有所述黏著材層的一面的表面的算術平均粗糙度（Ra）為0.1 μm以上且2.0 μm以下，並且最大高度粗糙度（Rz）為1.0 μm以上且15 μm以下。
7. 如申請專利範圍第6項所述的半導體零件的製造方法，其中所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）之比R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦R_E1 ≦1，並且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。
8. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的半導體零件的製造方法，其中所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.01≦R_E2 ≦1。
9. 如申請專利範圍第6項至第8項中任一項所述的半導體零件的製造方法，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。
10. 一種電子零件製造用膜，其是用於電子零件的製造方法中，並且所述電子零件製造用膜的特徵在於： 具備基層、及設於所述基層的一面側的黏著材層， 所述基層的未設有所述黏著材層的一面的表面的算術平均粗糙度（Ra）為0.1 μm以上且2.0 μm以下，並且最大高度粗糙度（Rz）為1.0 μm以上且15 μm以下。
11. 如申請專利範圍第10項所述的電子零件製造用膜，其中所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）之比R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦R_E1 ≦1，並且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。
12. 如申請專利範圍第10項或第11項所述的電子零件製造用膜，其中所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.01≦R_E2 ≦1。
13. 如申請專利範圍第10項至第12項中任一項所述的電子零件製造用膜，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。
14. 如申請專利範圍第10項至第13項中任一項所述的電子零件製造用膜，其中所述電子零件的製造方法包括： 分割步驟，於在將半導體零件以陣列狀密封而成的陣列狀電子零件的背面上貼附有所述黏著材層的狀態下，將所述陣列狀電子零件分割而獲得電子零件；及 拾取步驟，將所述電子零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內進行所述陣列狀電子零件或所述電子零件的評價的評價步驟。
15. 一種電子零件的製造方法，其特徵在於包括： 分割步驟，於在將半導體零件以陣列狀密封而成的陣列狀電子零件的背面上貼附有電子零件製造用膜的黏著材層的狀態下，將所述陣列狀電子零件分割而獲得電子零件；及 拾取步驟，將所述電子零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於25℃以下或75℃以上的溫度範圍內進行所述陣列狀電子零件或所述電子零件的評價的評價步驟， 所述電子零件製造用膜具有基層、及設於所述基層的一面側的所述黏著材層， 所述基層的未設有所述黏著材層的一面的表面的算術平均粗糙度（Ra）為0.1 μm以上且2.0 μm以下，並且最大高度粗糙度（Rz）為1.0 μm以上且15 μm以下。
16. 如申請專利範圍第15項所述的電子零件的製造方法，其中所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）之比R_E1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦R_E1 ≦1，並且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。
17. 如申請專利範圍第15項或第16項所述的電子零件的製造方法，其中所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比R_E2 （=E'（160）/E'（-40））為0.01≦R_E2 ≦1。
18. 如申請專利範圍第15項至第17項中任一項所述的電子零件的製造方法，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。