TW201805386A - 切晶帶 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種具有良好之柔軟性且擴展性優異之切晶帶。 本發明之切晶帶具備基材層及配置於該基材層之至少單側之黏著劑層，形成該黏著劑層之黏著劑包含(甲基)丙烯酸系聚合物及塑化劑，該基材層包含聚氯乙烯系樹脂及具有與該黏著劑所含之塑化劑相同之構造之塑化劑。於一實施形態中，上述黏著劑所含之塑化劑為對苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯、鄰苯二甲酸二異壬酯及/或己二酸聚酯系塑化劑。

Description

切晶帶
本發明係關於一種切晶帶。
通常，半導體積體電路係藉由將高純度矽單晶等切片而製成晶圓後，於晶圓表面蝕刻形成IC等特定之電路圖案並組裝積體電路，接著利用研削機研削晶圓背面，最後切割進行晶片化而製造。於上述切割時，係於晶圓上貼附切晶帶，於晶圓被固定之狀態下進行切割，其後擴展切晶帶而使晶片彼此分離後，用針向上頂起，從而拾取該晶片。 近年來，半導體晶圓隨著電子機器之小型化而逐漸薄型化，薄型之晶圓於製造步驟中容易破損。因此，為了減輕擴展時或拾取時對半導體晶圓造成之負荷以防止晶片破損，對於切晶帶要求更高之柔軟性、應力緩和性。 為了獲得滿足上述特性之切晶帶，作為切晶帶之基材而常用聚氯乙烯系薄膜。一般而言，聚氯乙烯系薄膜係將向聚氯乙烯系樹脂中添加塑化劑、其它添加劑(穩定劑、潤滑劑、著色劑、填充劑等)而得到之樹脂組合物成形為帶狀而形成，塑化劑對該薄膜賦予柔軟性(例如專利文獻1、2)。然而，即便係添加塑化劑而賦予了柔軟性之聚氯乙烯系薄膜，使用該薄膜形成切晶帶時(即，於聚氯乙烯系薄膜上形成黏著劑層時)，作為切晶帶之柔軟性仍不充分。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平9-235522號公報 [專利文獻2]日本專利特開2011-49753號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明者等人研究了切晶帶之柔軟性不充分之原因後發現：由於切晶帶之基材所含之塑化劑會移動(轉移)至黏著劑層中，導致基材之柔軟性降低，其結果，切晶帶之柔軟性降低。 本發明係為了解決上述先前課題研究而成者，其目的在於提供具有良好之柔軟性且擴展性優異之切晶帶。更詳細而言，提供不損害基材具備之柔軟性地構成，且擴展性優異之切晶帶。 [解決問題之技術手段] 本發明之切晶帶具備基材層及配置於該基材層之至少單側之黏著劑層，形成該黏著劑層之黏著劑包含(甲基)丙烯酸系聚合物及塑化劑，該基材層包含聚氯乙烯系樹脂及具有與該黏著劑所含之塑化劑相同之構造之塑化劑。 於一實施形態中，上述黏著劑所含之塑化劑為對苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯、鄰苯二甲酸二異壬酯、偏苯三甲酸三(2-乙基己基)酯及/或己二酸聚酯系塑化劑。 根據本發明之另一方面，提供一種切晶帶之製造方法。該製造方法包括於基材薄膜上塗佈黏著劑而形成黏著劑層之步驟，於將該黏著劑塗佈於基材薄膜之前，該黏著劑包含(甲基)丙烯酸系聚合物及塑化劑(a1)，該基材薄膜包含聚氯乙烯系樹脂及塑化劑(a2)，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，該塑化劑(a1)之含有比率為10重量份～150重量份，相對於聚氯乙烯系樹脂100重量份，該塑化劑(a2)之含有比率為10重量份～80重量份，於將該黏著劑塗佈於基材薄膜之後，該黏著劑層中之塑化劑(a1)及塑化劑(a2)之合計含量相對於塗佈前之黏著劑中之塑化劑(a1)之重量為10重量%～100重量%。 於一實施形態中，上述塑化劑(a1)為對苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯、鄰苯二甲酸二異壬酯及/或己二酸聚酯系塑化劑。 於一實施形態中，上述塑化劑(a1)及塑化劑(a2)為同一系列之塑化劑。 於一實施形態中，上述黏著劑中之塑化劑(a1)之含量為上述基材薄膜中之塑化劑(a2)之含量之1倍～10倍。 [發明之效果] 根據本發明，藉由向基材層及黏著劑層之兩者中添加塑化劑，能夠提供具有良好之柔軟性且擴展性優異之切晶帶。
A. 切晶帶之整體構成 圖1係本發明之一實施形態之切晶帶之概略剖視圖。切晶帶100具備基材層10及配置於基材層10之至少單側之黏著劑層20。黏著劑層20由包含作為基礎聚合物之(甲基)丙烯酸系聚合物及塑化劑(a1)之黏著劑形成。基材層10包含聚氯乙烯系樹脂及塑化劑。基材層10包含具有與黏著劑所含之塑化劑(a1)相同之構造之塑化劑，更具體而言包含自黏著劑轉移之塑化劑(a1)(詳見後述)。再者，雖未圖示，但本發明之切晶帶於直至供於使用為止之期間，出於保護黏著面之目的，可於黏著劑層之外側設置有剝離襯墊。 本發明之切晶帶藉由利用包含特定塑化劑(a1)之黏著劑來形成黏著劑層，即便塑化劑於基材層/黏著劑層之間轉移，基材層中之塑化劑亦不會減少，可維持基材層之柔軟性。更詳細而言，先前之切晶帶、即具有由不含塑化劑之黏著劑構成之黏著劑層之切晶帶中，基材層中之塑化劑會向黏著劑層轉移，但於本發明中，塑化劑自基材層向黏著劑層轉移，另一方面，塑化劑亦自黏著劑層向基材層轉移。其結果，基材層中之塑化劑不會減少，可維持基材層之柔軟性。此種切晶帶擴展性優異，可有助於提高晶片之拾取性。又，藉由形成柔軟性優異之基材層，能夠得到基材層與黏著劑層之密接性優異之切晶帶。此種切晶帶可防止黏著劑層自基材層剝離，並且防止因該剝離而產生氣泡。 切晶帶之厚度較佳為30 μm～300 μm，更佳為50 μm～200 μm，尤佳為60 μm～125 μm。 切晶帶於25℃下之黏著力較佳為0.3 N/20mm～3 N/20mm，更佳為0.4 N/20mm～2.5 N/20mm。再者，本說明書中之黏著力係指：以鏡面晶圓(矽製)作為試驗板，利用基於JIS Z 0237(2000)之方法(貼合條件：2 kg輥往返1次、熟化：於測定溫度下實施1小時、剝離速度：300 mm/分鐘、剝離角度：90°)測定所得之黏著力。 切晶帶於25℃下0～10%應變(伸長率)時之最大拉伸應力較佳為2000 N/cm2 以下，更佳為500～1500 N/cm2 。上述最大拉伸應力係按照JIS-K-7127(1999年)，利用INSTRON型拉伸試驗機(島津製作所製、自動繪圖儀)進行測定。具體而言，「0～10%應變(伸長率)時之最大拉伸應力」係將寬10 mm×長150 mm之樣品以夾具間距離為50 mm之形式設置後，以300 m/分鐘之拉伸速度拉伸至應變(伸長率)為10%為止時之最大應力值。B. 黏著劑層 上述黏著劑層可藉由(甲基)丙烯酸系黏著劑形成。(甲基)丙烯酸系黏著劑可為熱硬化型黏著劑、活性能量射線硬化型黏著劑等硬化型黏著劑，亦可為壓敏型黏著劑。形成黏著劑層之黏著劑進而包含塑化劑(a1)。 上述(甲基)丙烯酸系黏著劑包含作為基礎聚合物之(甲基)丙烯酸系聚合物。上述(甲基)丙烯酸系聚合物可由包含(甲基)丙烯酸酯作為主單體之單體成分構成。於(甲基)丙烯酸系聚合物中，源自(甲基)丙烯酸酯之構造單元之含有比率相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份較佳為50重量份以上，更佳為70重量份～100重量份，進而較佳為80重量份～90重量份。上述單體成分中之單體可僅為1種，亦可為2種以上。 作為(甲基)丙烯酸酯，可列舉出例如碳數為1～30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯、含羥基之(甲基)丙烯酸酯等。(甲基)丙烯酸酯可僅為1種，亦可為2種以上。 作為碳數為1～30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉出：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯(Pentyl (meta)acrylate)、(甲基)丙烯酸戊酯(amyl (meta)acrylate)、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等碳數為1～30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯等。該等(甲基)丙烯酸酯之中，較佳為(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異壬酯。 作為含羥基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉出例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯等。 構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分亦可進而包含能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之其它單體。作為其它單體，可列舉出例如下述單體。其它單體可僅為單獨1種，或者組合使用2種以上。 含羧基之單體：例如，丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸(MAA)、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸；馬來酸、衣康酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸及其酸酐(馬來酸酐、衣康酸酐等)； 含羥基之單體：例如，乙烯醇、烯丙醇等不飽和醇類；2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物； 含氨基之單體；含環氧基之單體；含氰基之單體；含酮基之單體；具有含氮原子環之單體；含烷氧基甲矽烷基之單體。 源自上述其它單體之構造單元之含有比率相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份較佳為50重量份以下，更佳為0.1重量份～50重量份，進而較佳為1重量份～30重量份。若為此種範圍，則能夠形成內聚力高且密接性優異之黏著劑層。 上述(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較佳為20萬～300萬，更佳為25萬～150萬。重量平均分子量可藉由GPC(溶劑：THF)進行測定。 作為上述活性能量射線硬化型黏著劑，可使用包含任意適當之(甲基)丙烯酸系聚合物之黏著劑。較佳使用包含具有至少一個硬化性官能團(例如，丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等碳-碳多鍵)之(甲基)丙烯酸系聚合物及光聚合起始劑之黏著劑。此外，可使用包含(甲基)丙烯酸系聚合物、硬化性之單體成分及/或硬化性之低聚物成分、光聚合起始劑之黏著劑。作為硬化性之單體成分及/或硬化性之低聚物成分，可列舉出包含具有丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等碳-碳多鍵之官能團之光反應性單體或低聚物。 作為上述黏著劑所含之塑化劑(a1)，例如可列舉出；對苯二甲酸酯系、間苯二甲酸酯系、鄰苯二甲酸酯系、偏苯三甲酸酯系、己二酸酯系(例如，己二酸二辛酯、己二酸二異壬酯等)、己二酸聚酯系、磷酸酯系(例如，磷酸三甲苯酯等)、檸檬酸酯系(例如，乙醯基檸檬酸三丁酯等)、癸二酸酯系、壬二酸酯系、馬來酸酯系、苯甲酸酯系、聚醚系聚酯、環氧系聚酯、聚酯(例如，由羧酸及二醇形成之低分子聚酯等)等塑化劑。塑化劑可僅為1種，亦可為2種以上。 於一實施形態中，作為上述塑化劑(a1)，可使用對苯二甲酸酯系塑化劑。作為對苯二甲酸酯系塑化劑，可列舉出例如對苯二甲酸二丁酯(DBTP)、對苯二甲酸二異丁酯(DIBTP)、對苯二甲酸二正己酯(DHTP)、對苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯(DOTP)、對苯二甲酸二正辛酯(DnOTP)、對苯二甲酸二異壬酯(DINTP)、對苯二甲酸二壬酯(DNTP)、對苯二甲酸二異癸酯(DIDTP)、對苯二甲酸雙丁基苄酯(BBTP)等。其中，較佳為DOTP。 一直以來，鄰苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯(DOP)、鄰苯二甲酸二丁酯(DBP)等常被用作塑化劑，但該等化合物成為受RoHS指令管控之對象。本發明中，較佳使用並非RoHS指令管控對象之塑化劑。作為此種塑化劑，可列舉出DOTP、鄰苯二甲酸二異壬酯、偏苯三甲酸三(2-乙基己基)酯、己二酸聚酯系化合物等。本發明中，即便使用此種塑化劑，亦能夠得到柔軟性優異之切晶帶。 相對於黏著劑中之(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，上述黏著劑所含之塑化劑(a1)之含有比率較佳為10重量份～150重量份，更佳為20重量份～100重量份，進而較佳為30重量份～50重量份。若為此種範圍，則塑化劑於基材層/黏著劑層之間之轉移得以推進，其結果，能夠得到柔軟性優異之切晶帶。再者，「黏著劑所含之塑化劑(a1)之含有比率」係指將黏著劑塗佈於基材薄膜之前之塑化劑(a1)之含有比率，應留意對其與將黏著劑塗佈於基材薄膜之後(即，塑化劑於基材層/黏著劑層之間之轉移得以推進後)之黏著劑層所含之塑化劑之含有比率加以區分。本說明書中，將黏著劑塗佈於基材薄膜之後之黏著劑層所含之塑化劑簡稱為「黏著劑層所含之塑化劑」。由於塑化劑於黏著劑層/基材層之間轉移，因此，「黏著劑層所含之塑化劑」可為塑化劑(a1)及/或基材薄膜所含之塑化劑(a2)。再者，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，黏著劑層所含之塑化劑之含有比率較佳為1重量份～150重量份，更佳為2重量份～100重量份。 上述黏著劑亦可進而包含任意之適當之添加劑。作為上述添加劑，例如可列舉出聚合起始劑、交聯劑、黏著性賦予劑、防老劑、填充劑、著色劑、抗靜電劑、界面活性劑等。上述添加劑可單獨使用，亦可組合使用2種以上。使用2種以上之添加劑時，可1種1種地添加，亦可同時添加2種以上之添加劑。上述添加劑之調配量可設定為任意適當之量。 上述黏著劑層之厚度較佳為5 μm～200 μm，更佳為5 μm～100 μm。C. 基材層 基材層包含聚氯乙烯系樹脂及塑化劑。再者，如上所述，對於本發明之切晶帶而言，塑化劑可於基材層/黏著劑層之間轉移，本說明書中，「基材層」係指構成切晶帶之層(即，塗佈黏著劑後、塑化劑轉移後之層)。此外，將塗佈黏著劑之前之薄膜(即，作為材料之薄膜)稱為「基材薄膜」。 上述基材薄膜較佳包含塑化劑(a2)。即，本發明之切晶帶較佳使用包含塑化劑(a2)之基材薄膜，並對該基材薄膜塗佈包含塑化劑(a1)之黏著劑來形成。作為基材薄膜所含之塑化劑(a2)，可使用上述B項中說明之塑化劑。較佳使用並非RoHS指令管控對象之塑化劑(例如，DOTP、鄰苯二甲酸二異壬酯、偏苯三甲酸三(2-乙基己基)酯、己二酸聚酯系化合物等)。 於一實施形態中，黏著劑及基材薄膜包含同一系列之塑化劑。換言之，於一實施形態中，上述塑化劑(a1)與塑化劑(a2)為同一系列。「同一系列之塑化劑」係指化學構造類似之塑化劑。例如，於塑化劑為酯系化合物之情況下，源自含氧酸(oxo acid)之部分(為高分子系化合物時係源自含氧酸之構造單元)相同且源自含羥基化合物之部分(為高分子系化合物時係平均一個源自含羥基化合物之構造單元)之分子量差異處於288以下之酯系化合物群符合「同一系列之塑化劑」。作為「同一系列之塑化劑」之例，可列舉出例如鄰苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯(DOP)與對苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯(DOTP)之組合、DOP與鄰苯二甲酸二異壬酯之組合。於一實施形態中，黏著劑及基材薄膜包含相同之塑化劑。再者，黏著劑及基材薄膜包含複數種塑化劑時，可全部均為「同一系列之塑化劑」或「相同之塑化劑」，亦可至少1種為「同一系列之塑化劑」或「相同之塑化劑」。 相對於基材薄膜中之聚氯乙烯系樹脂100重量份，上述基材薄膜中之塑化劑(a2)之含有比率較佳為10重量份～80重量份，更佳為15重量份～50重量份。若為此種範圍，則會形成柔軟性優異之基材層，能夠得到對於拉伸等變形之追隨性優異、拾取性良好之切晶帶。再者，相對於基材層中之聚氯乙烯系樹脂100重量份，上述基材層中之塑化劑之含有比率(即，塑化劑(a1)與塑化劑(a2)之總含有比率)較佳為15重量份～80重量份，更佳為20重量份～60重量份。基材層中之塑化劑之含量較佳多於基材薄膜中之塑化劑(a2)之含量。 上述基材薄膜於不損害本發明效果之範圍內可包含任意適當之其它成分。 上述基材薄膜之按照JIS-K-7127(1999年)測定之最大伸長率較佳為100%以上，更佳為200%～1000%。藉由使用顯示出此種最大伸長率之基材薄膜，能夠得到具有適當之伸長率性且擴展性優異之切晶帶。最大伸長率可以於23℃之環境下以300 mm/分鐘之拉伸速度進行測定。 上述基材薄膜之按照JIS-K-7127(1999年)測定之拉伸強度較佳為1000 N/cm2 ～8000 N/cm2 ，更佳為3000 N/cm2 ～6000 N/cm2 。藉由使用顯示出此種拉伸強度之基材薄膜，能夠得到擴展性優異之切晶帶。拉伸強度係於23℃之環境下以300 mm/分鐘之拉伸速度進行拉伸試驗時之斷裂時之強度。 上述基材薄膜可藉由任意之適當製造方法來製造。例如，可以藉由注射成形、擠出成形、吹脹成形、壓延成形、吹塑成形等成形方法來獲得基材薄膜。 如上所述，上述基材層包含具有與上述黏著劑所含之塑化劑(a1)相同之構造之塑化劑。更詳細而言，將黏著劑塗佈於基材薄膜後，該黏著劑所含之塑化劑(a1)轉移至基材薄膜，其結果，形成包括具有與黏著劑所含之塑化劑相同之構造之塑化劑之基材層。於一實施形態中，基材層含有基材薄膜所含之塑化劑(a2)及黏著劑所含之塑化劑(a1)。 基材層之厚度較佳為20 μm～300 μm，更佳為30 μm～200 μm，進而較佳為40 μm～150 μm。基材之厚度過薄時，處理性有可能變差。基材之厚度過厚時，有可能對於拉伸等變形之追隨性變差、拾取性降低。D. 切晶帶之製造方法 本發明之切晶帶之製造方法包括於上述基材薄膜上塗佈上述黏著劑，從而形成黏著劑層。 如上所述，基材薄膜包含聚氯乙烯系樹脂及塑化劑(a2)。此外，黏著劑包含(甲基)丙烯酸系聚合物及塑化劑(a1)。於一實施形態中，塑化劑(a1)及塑化劑(a2)為同一系列之塑化劑，較佳為相同之塑化劑。 將黏著劑塗佈於基材薄膜之前，相對於聚氯乙烯系樹脂100重量份，基材薄膜中之塑化劑(a2)之含有比率較佳為10重量份～80重量份，更佳為15重量份～50重量份。 將黏著劑塗佈於基材薄膜之前，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，黏著劑中之塑化劑(a1)之含有比率較佳為10重量份～150重量份，更佳為20重量份～100重量份，進而較佳為30重量份～50重量份。 將黏著劑塗佈於基材薄膜之前，黏著劑中之塑化劑(a1)之含有重量份較佳為基材薄膜中之塑化劑(a2)之含有重量份之1倍～10倍、更佳為1倍～5倍、進而較佳為1.5倍～3倍。若為此種範圍，則能夠形成包括具有與黏著劑所含之塑化劑相同之構造之塑化劑之基材層，能夠得到柔軟性優異之切晶帶。 黏著劑之塗佈例如可藉由將黏著劑塗佈於基材薄膜，並使塗佈層加熱乾燥來進行。作為塗佈方法，可以採用棒塗機塗佈、氣刀塗佈、凹版塗佈、凹版逆轉塗佈、逆轉輥塗佈、唇塗佈、模塗佈、浸漬塗佈、膠版印刷、柔版印刷、絲網印刷等各種方法。加熱乾燥之溫度例如為80℃～200℃。 藉由將黏著劑塗佈於基材薄膜，能夠得到具備基材層及黏著劑層之切晶帶。本發明之切晶帶中，塑化劑於基材層/黏著劑層之間轉移之結果，基材層可含有基材薄膜所含之塑化劑(a2)及/或黏著劑所含之塑化劑(a1)，黏著劑層亦可含有基材薄膜所含之塑化劑(a2)及/或黏著劑所含之塑化劑(a1)。將黏著劑塗佈於基材薄膜後，黏著劑層中之塑化劑之含量較佳達到塗佈前之黏著劑中之塑化劑(a1)之含量以下。將黏著劑塗佈於基材薄膜後，黏著劑層中之塑化劑之含量相對於塗佈前之黏著劑中之塑化劑(a1)之重量較佳為10重量%～100重量%，更佳為20重量%～80重量%，進而較佳為30重量%～60重量%。基材層中之塑化劑之含量較佳為基材薄膜中之塑化劑(a2)之含量以上。 作為黏著劑而使用硬化型之黏著劑時，可以對黏著劑層實施硬化處理，從而調整該黏著劑層之特性(黏著力、彈性模量等)。作為硬化處理，例如可列舉出紫外線照射、加熱處理等。 使用切晶帶進行擴展時，該擴展可使用以往公知之擴展裝置進行。擴展裝置具有：能夠借助切割環將切晶帶向下方按壓之環狀之外環、以及直徑小於外環且支承切晶帶之內環。藉由該擴展步驟，於作為後續步驟之拾取步驟中，能夠防止相鄰之半導體晶片彼此接觸而破損。 擴展速度較佳為0.1 mm/秒以上、更佳為1 mm/秒以上。為0.1 mm/秒以上時，可容易地切斷。另一方面，對擴展速度之上限並無特別限定。 [實施例] 以下，藉由實施例來具體說明本發明，但本發明不限定於該等實施例。此外，於實施例中，若未特別記載，則「份」及「%」為重量基準。 〔製造例1〕：基材薄膜(1)之製造 利用壓延法，將相對於聚氯乙烯100重量份包含DOP塑化劑20重量份之基材薄膜(1)製膜。所得基材薄膜(1)之厚度為70 μm，最大伸長率(拉伸速度為300 mm/分鐘)為320%，拉伸強度(拉伸速度為300 mm/分鐘時之斷裂時強度)為3600 N/cm2 。 〔製造例2〕：基材薄膜(2)之製造 利用壓延法，將相對於聚氯乙烯100重量份包含DOTP塑化劑20重量份之基材薄膜(1)製膜。所得基材薄膜(1)之厚度為70 μm，最大伸長率(拉伸速度為300 mm/分鐘)為290%，拉伸強度(拉伸速度為300 mm/分鐘時之斷裂時強度)為5200 N/cm2 。 [實施例1] 製備包含由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)構成之丙烯酸系聚合物100重量份、三聚氰胺系交聯劑(丁醇改性三聚氰胺甲醛樹脂、DIC Corporation製、商品名「SUPER BECKAMINE J-820-60N」)10重量份、DOP塑化劑30重量份及甲苯之黏著劑(1)。將該黏著劑(1)塗佈於上述基材薄膜(1)後，以130℃乾燥90秒，形成厚度為10 μm之黏著劑層。 接著，於該黏著劑層面上貼合單面用矽酮進行了剝離處理且厚度為38 μm之剝離襯墊(聚酯薄膜、商品名：MRF、三菱化學聚酯株式會社製)，以50℃保存72小時，得到切晶帶1。 [實施例2] 除了使用DOTP塑化劑30重量份來代替DOP塑化劑30重量份之外，與實施例1同樣地製備黏著劑(2)。將該黏著劑(2)塗佈於上述基材薄膜(2)後，以150℃乾燥90秒，從而形成厚度為10 μm之黏著劑層，於黏著劑層面貼合單面用矽酮進行了剝離處理之聚酯薄膜(剝離襯墊)，從而得到切晶帶2。 [實施例3] 除了將DOP塑化劑之調配量設為50重量份之外，與實施例1同樣地製備黏著劑(3)。將該黏著劑(3)塗佈於上述基材薄膜(1)後，以130℃乾燥90秒，從而形成厚度為10 μm之黏著劑層，於黏著劑層面貼合單面用矽酮進行了剝離處理之聚酯薄膜(剝離襯墊)，從而得到切晶帶3。 [實施例4] 除了將DOTP塑化劑之調配量設為50重量份之外，與實施例2同樣地製備黏著劑(4)。將該黏著劑(4)塗佈於上述基材薄膜(2)後，以130℃乾燥90秒，從而形成厚度為10 μm之黏著劑層，於黏著劑層面貼合單面用矽酮進行了剝離處理之聚酯薄膜(剝離襯墊)，從而得到切晶帶4。 [比較例1] 除了不添加塑化劑之外，與實施例1同樣地製備黏著劑(5)。將該黏著劑(5)塗佈於作為基材薄膜之聚乙烯後，以130℃乾燥90秒，從而形成厚度為10 μm之黏著劑層，於黏著劑層面貼合單面用矽酮進行了剝離處理之聚酯薄膜(剝離襯墊)，從而得到切晶帶。 [比較例2] 除了不添加塑化劑之外，與實施例1同樣地製備黏著劑(5)。將該黏著劑(5)塗佈於基材薄膜(1)後，以130℃乾燥90秒，從而形成厚度為10 μm之黏著劑層，於黏著劑層面貼合單面用矽酮進行了剝離處理之聚酯薄膜(剝離襯墊)，從而得到切晶帶。 [比較例3] 除了不添加塑化劑之外，與實施例1同樣地製備黏著劑(5)。將該黏著劑(5)塗佈於基材薄膜(2)後，以130℃乾燥90秒，從而形成厚度為10 μm之黏著劑層，於黏著劑層面貼合單面用矽酮進行了剝離處理之聚酯薄膜(剝離襯墊)，從而得到切晶帶。 [參考例1] 除了將DOP塑化劑之調配量設為5重量份之外，與實施例1同樣地製備黏著劑(6)。將該黏著劑(6)塗佈於基材薄膜(1)後，以130℃乾燥90秒，從而形成厚度為10 μm之黏著劑層，於黏著劑層面貼合單面用矽酮進行了剝離處理之聚酯薄膜(剝離襯墊)，從而得到切晶帶。 [參考例2] 除了將DOTP塑化劑之調配量設為5重量份之外，與實施例2同樣地製備黏著劑(7)。將該黏著劑(7)塗佈於上述基材薄膜(2)後，以130℃乾燥90秒，從而形成厚度為10 μm之黏著劑層，於黏著劑層面貼合單面用矽酮進行了剝離處理之聚酯薄膜(剝離襯墊)，從而得到切晶帶。 [評價]擴展性 按照下述方法及基準，評價實施例及比較例中得到之切晶帶之擴展性。將結果示於表1。 (1)於8英吋之切割環上貼合剝掉剝離襯墊之切晶帶。 (2)按照下述條件僅對切晶帶進行切割。 ＜切割條件＞ 切割尺寸：0.8 mm×0.8 mm 裝置：DISCO公司製、「DFD-6450」 切刀：DISCO公司製、「NBC-ZH 205O-SE 27HECC」 單次切割(single cut) 主軸：40000 rpm 切割速度：80 mm/秒 刀片高度：45 um (3)將切割後之切晶帶置於擴展裝置。 (4)按照下述擴張條件、擴張速度來擴展切晶帶。 ＜擴展條件＞ 擴展裝置：OEX-840II(大宮工業株式會社製) 擴張條件：頂起量為40mm 擴張速度：3mm/秒 基台溫度：室溫 (評價基準)將切晶帶於擴展時破裂之情況記作不合格(表1中為×)、將未破裂之情況記作合格(表1中為〇)。 [表1]
10‧‧‧基材層
20‧‧‧黏著劑層
100‧‧‧切晶帶
圖1係本發明之一實施形態之切晶帶之概略剖視圖。
10‧‧‧基材層
20‧‧‧黏著劑層
100‧‧‧切晶帶

Claims (7)

  1. 一種切晶帶，其具備基材層及配置於該基材層之至少單側之黏著劑層， 形成該黏著劑層之黏著劑包含(甲基)丙烯酸系聚合物及塑化劑， 該基材層包含聚氯乙烯系樹脂及具有與該黏著劑所含之塑化劑相同之構造之塑化劑。
  2. 如請求項1之切晶帶，其中上述黏著劑所含之塑化劑為對苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯、鄰苯二甲酸二異壬酯、偏苯三甲酸三(2-乙基己基)酯及/或己二酸聚酯系塑化劑。
  3. 一種切晶帶之製造方法，其包括於基材薄膜上塗佈黏著劑而形成黏著劑層之步驟， 於將該黏著劑塗佈於基材薄膜之前， 該黏著劑包含(甲基)丙烯酸系聚合物及塑化劑(a1)， 該基材薄膜包含聚氯乙烯系樹脂及塑化劑(a2)， 相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，該塑化劑(a1)之含有比率為10重量份～150重量份， 相對於聚氯乙烯系樹脂100重量份，該塑化劑(a2)之含有比率為10重量份～80重量份， 於將該黏著劑塗佈於基材薄膜之後， 該黏著劑層中之塑化劑(a1)及塑化劑(a2)之合計含量相對於塗佈前之黏著劑中之塑化劑(a1)之重量為10重量%～100重量%。
  4. 如請求項3之切晶帶之製造方法，其中上述塑化劑(a1)為對苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯、鄰苯二甲酸二異壬酯、偏苯三甲酸三(2-乙基己基)酯及/或己二酸聚酯系塑化劑。
  5. 如請求項3或4之切晶帶之製造方法，其中上述塑化劑(a1)及塑化劑(a2)為同一系列之塑化劑。
  6. 如請求項3或4之切晶帶之製造方法，其中上述黏著劑中之塑化劑(a1)之含有重量份為上述基材薄膜中之塑化劑(a2)之含有重量份之1倍～10倍。
  7. 如請求項5之切晶帶之製造方法，其中上述黏著劑中之塑化劑(a1)之含有重量份為上述基材薄膜中之塑化劑(a2)之含有重量份之1倍～10倍。
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