TWI448530B - Surface protection adhesive tape for semiconductor processing - Google Patents

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Description

半導體加工用表面保護黏著帶
本發明係關於一種半導體裝置之加工所使用之表面保護黏著帶，更詳細而言，關於用於半導體晶圓之背面研削時較佳之半導體加工用表面保護黏著帶。
於半導體晶圓(以下記載為晶圓)之加工步驟中，在晶圓表面形成圖案後，進行將晶圓背面研削、研磨至特定厚度之所謂背面研削、研磨。此時，為了保護晶圓表面，而於晶圓表面貼合表面保護黏著帶，並於該狀態下研削晶圓背面。作為表面保護黏著帶，提出有於乙烯乙酸乙烯酯共聚物(以下記載為EVA)等聚烯烴基材樹脂膜上設置有以丙烯酸聚合物作為主成分之黏著劑層者(例如參照專利文獻1)。
晶圓表面之圖案中，存在各種電子電路或電極、保護該等之聚醯亞胺等保護膜、以及於使晶圓單片化成晶片之切晶步驟時刀片所切入之溝槽即劃線。由於如上所述之結構，晶圓表面並不平滑，存在數μm~數十μm之階差、凹凸。
該階差之大小或形狀根據晶圓或裝置之種類而各種各樣，業界期待藉由貼合表面保護黏著帶來與晶圓表面之階差密合而填補間隙。然而，於晶圓之階差大之情形或帶較硬之情形時，帶對晶圓表面之追隨性不足，因而產生如下被稱作滲流之現象：於背面研削時或化學機械研磨時研 削水或研磨液(漿料)滲入至晶圓與帶之間隙中。
由於產生滲流，造成帶自晶圓剝離並以該部位為起點於晶圓中產生裂痕而導致破損，或者成為產生由滲入水造成之晶圓表面之污染或糊之附著而使良率嚴重惡化的原因。
針對滲流，已知有利用加厚黏著劑、降低黏著劑之彈性模數等方法提高對晶圓表面之密合性的方法(例如參照專利文獻2)。又，藉由提高黏著力亦可期待相同之效果。
藉由採用如上所述之方法，帶之黏附力同時上升。所謂黏附力，係指所謂用手指接觸表面時之黏性感，為了用以滿足黏於被黏著體之黏著帶之最基本條件所必需的特性。
另一方面，由於過強之黏附力而於黏著帶使用方面隨處可見弊端。例如，於將保護黏著帶貼合至晶圓上時使用被稱作貼合機之裝置。處於帶捲出位置之帶係由各種輥支持而剝離脫模膜，貼合於晶圓上並切割成晶圓形狀，最終捲取不用部分並回收。(例如參照專利文獻3)
黏著帶於晶圓貼合後被捲取時，存在黏著劑與支持輥接觸之部分。若為黏附力較大之帶，則有帶難以自輥剝離而直接捲於輥上之情況。
因此，業界期望一種兼具對晶圓表面保護而言較為充分之黏著力、及對作業性影響較小之黏附力的帶。
[專利文獻1]日本特開2000-8010號公報
[專利文獻2]日本特開2002-53819號公報
[專利文獻3]日本特開2010-98132號公報
本發明之課題在於解決上述問題，提供一種半導體加工用表 面保護黏著帶，其於半導體晶圓之加工、更詳細而言矽晶圓等之背面研削步驟中具有即便對於階差或凹凸大之晶圓亦不產生滲流的黏著力，並且作業性良好。
本發明人等對上述課題進行了潛心研究，結果發現，黏著力與探針黏附力之比處於特定範圍之半導體加工用表面保護黏著帶於背面研削步驟中可防止滲流，且帶來良好之作業性。本發明係基於該見解而成者。
即，本發明利用下述方法解決上述課題。
(1)一種半導體加工用表面保護黏著帶，於基材上具有黏著劑層，該黏著帶之探針黏附力B為0.08~0.20(MPa)，且該黏著帶之黏著力A(N/25mm)與探針黏附力B(MPa)之比C(A/B)為10(N/25mm/MPa)以上。
(2)如(1)之半導體加工用表面保護黏著帶，其中，上述黏著力A為0.9~2.0(N/25mm)。
(3)如(1)或(2)之半導體加工用表面保護黏著帶，其中，上述黏著劑層之厚度為15~55μm。
(4)如(1)至(3)中任一項之半導體加工用表面保護黏著帶，其中，上述基材由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物構成。
根據本發明，可提供一種半導體加工用表面保護黏著帶，其於半導體晶圓之加工、更詳細而言矽晶圓等之背面研削步驟中即便為階差或凹凸大之晶圓亦防止滲流，並改善作業性。
本發明之上述及其他特徵及優點根據下述記載更加清楚。
本發明之半導體加工用表面保護用黏著帶係由基材及形成於基材上之黏著劑(接著劑層)構成。
構成本發明所使用之基材之樹脂並無特別限制，可使用先前公知者。作為本發明之基材所使用之樹脂之例，可列舉：高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、或該等之金屬交聯物(離子聚合物)等聚烯烴類；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯類。各種樹脂可單獨使用或將兩種以上摻合使用。本發明所使用之基材可為單層結構，亦可組合複數種樹脂或摻合樹脂而製成多層結構。就研削後之晶圓翹曲或柔軟性之觀點而言，更佳為使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)之基材。基材所使用之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，乙酸乙烯酯成分之含量較佳為5~30質量%，更佳為10~20質量%。
於基材樹脂中，亦可摻合用以認識、識別黏著帶之著色用顏料等，於對物性無影響之範圍內添加添加物。
基材之厚度並無特別限定，可適當地設定，較佳為50~200μm。
上述基材之製造方法並無特別限定。可使用射出、擠出、膨脹等先前之方法。
本發明所使用之黏著劑只要滿足使用該黏著劑所形成之黏著帶的黏著力A(N/25mm)與探針黏附力B(MPa)之比C(A/B)為10(N/25mm/MPa)以上，則並無特別限制。例如，可列舉以(甲基)丙烯酸酯作為構成成分之均聚物、或具有兩種以上(甲基)丙烯酸酯作為構成成分之共聚物。作為該(甲基)丙烯酸酯，較佳為碳數30以下之直鏈或具有支鏈之烷基(例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁 基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基及十二烷基)的(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為碳數4~18之直鏈或具有支鏈之烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。
於上述共聚物中，作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯以外之構成成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸及丁烯酸等含羧基之單體成分；順丁烯二酸酐或衣康酸酐等酸酐單體成分；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基之單體成分；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體成分；磷酸2-羥基乙基丙烯醯基酯等含磷酸基之單體成分；(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸N-羥基甲基醯胺、(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸第三丁基胺基乙酯等)、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯醯基嗎啉、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。該等單體成分於上述共聚物中可含有一種或兩種以上。
又，上述共聚物可含有以下之多官能性單體成分作為構成成分。作為該多官能性單體成分之例，可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸聚酯及(甲基)丙烯酸胺基甲酸 酯等。該等多官能性單體成分於上述共聚物中可含有一種或兩種以上。
上述共聚物例如可含有(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等作為(甲基)丙烯酸酯成分。
本發明所使用之黏著劑較佳為包含具有丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯之兩者作為構成成分之共聚物。又，本發明所使用之黏著劑進而較佳為包含醇部未經取代之(甲基)丙烯酸酯與醇部具有取代基之(甲基)丙烯酸酯之兩者作為構成成分的共聚物。又，作為醇部具有取代基之情形時之該取代基，較佳為烷基、羥基或環氧基。作為醇部具有取代基之(甲基)丙烯酸酯，較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯或(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。
於本發明所使用之黏著劑所含之共聚物中，較佳為醇部未經取代之(甲基)丙烯酸酯成分之含量為40~60質量%。又，較佳為於共聚物中之醇部未經取代之丙烯酸酯成分含量比醇部未經取代之甲基丙烯酸酯成分含量多。醇部未經取代之丙烯酸酯成分較佳為於上述共聚物中含有25~50質量%。
另一方面，醇部具有取代基之形態之(甲基)丙烯酸2-乙基己酯成分較佳為於上述共聚物中含有35~50質量%，更佳為含有40~50質量%。該(甲基)丙烯酸2-乙基己酯較佳為丙烯酸2-乙基己酯。
進而，上述共聚物較佳為含有(甲基)丙烯酸縮水甘油酯成分。該(甲基)丙烯酸縮水甘油酯更佳為於上述共聚物中含有1~5質量%。該(甲基)丙烯酸縮水甘油酯較佳為甲基丙烯酸縮水甘油酯。
上述共聚物較佳為含有(甲基)丙烯酸成分。上述共聚物中之(甲基)丙烯酸成分之含量較佳為0.5~5質量%。該(甲基)丙烯酸較佳為甲基丙烯酸。
較佳地用作本發明所使用之黏著劑之上述共聚物較佳為使用界面活性劑進行乳化聚合所得者。作為界面活性劑，較佳為陰離子系界 面活性劑，較佳為聚氧乙烯烷基苯基醚之硫酸酯鹽，其中較佳為苯環上加成有烯丙基之聚氧乙烯烷基苯基醚之硫酸酯鹽。又，較佳為聚合時併用聚丙二醇或聚乙二醇。又，較佳為使用經去離子化之純水作為反應溶劑。再者，作為聚合起始劑，可為任意者，較佳為過硫酸鹽。
於本發明中，黏著劑中可使用硬化劑。
作為硬化劑，可使用日本特開2007-146104號公報中記載之硬化劑。例如可列舉：1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)甲苯、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)苯、N,N,N,N'-四縮水甘油基間苯二甲胺等分子中具有兩個以上環氧基之環氧化合物；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯等分子中具有兩個以上異氰酸酯基的異氰酸酯化合物；四羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等分子中具有兩個以上氮丙啶基之氮丙啶化合物等。硬化劑之含量根據所需之黏著力進行調整即可，相對於上述聚合物100質量份，較佳為0.01~10質量份，進而較佳為0.1~5質量份。
又，於本發明中，亦可使黏著劑層中含有光聚合性化合物及光聚合起始劑。藉由含有光聚合起始劑，可藉由照射紫外線而使黏著劑層硬化，降低黏著劑層之黏著力。作為此種光聚合性化合物，例如可使用如日本特開昭60-196956號公報及日本特開昭60-223139號公報中所揭示之可藉由光照射而立體網狀化之於分子內至少具有兩個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物。
具體而言，例如可使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六 丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售之丙烯酸寡酯。
作為光聚合起始劑，可使用日本特開2007-146104號公報或日本特開2004-186429號公報中記載之光聚合起始劑。又，例如，可併用異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯甲酮、米其勒酮、氯9-氧硫、苯偶醯甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷。
作為黏著劑層，可使用利用含有聚合物中具有光聚合性碳-碳雙鍵之聚合物、光聚合起始劑及硬化劑之樹脂組成物而成的光聚合性黏著劑。作為聚合物中具有碳-碳雙鍵之聚合物，較佳為利用任意方法將一種或兩種以上之側鏈上具有碳原子數為4~12、進而較佳為碳原子數8之烷基的(甲基)丙烯酸酯等之單體或共聚合性改質單體均聚合或共聚合而成的(甲基)丙烯酸系聚合物。
以此種方式形成之光聚合性黏著劑層藉由照射放射線、較佳為紫外線，可使黏著力自初始大幅度下降，可容易地自被黏著體剝離黏著帶。
於本發明中，黏著劑層之厚度可根據欲應用之被黏著體而適當設定，並無特別限制，較佳為15~55μm，更佳為20~50μm。若超過55μm，則產生對晶圓之糊劑殘留等之可能性提高，反之，若低於15μm，則無法追隨晶圓表面之凹凸，而有成為滲流等之要因之可能性。
本發明之半導體加工用表面黏著帶之黏著力A(N/25mm)與探針黏附力B(MPa)之比C(C=A/B)為10(N/25mm/MPa)以上。藉由設定於該範圍內，可具有即便對於階差或凹凸大之晶圓亦不產生滲流之黏著力，而且使作業性保持良好。該比C較佳為10~60(N/25mm/MPa)，更佳為10~40(N/25mm/MPa)。
此處，黏著力A較佳為0.8~4.0N/25mm，更佳為0.9~2.0N/25mm。另一方面，探針黏附力B較佳為0.20MPa以下，更佳為0.08~0.20MPa，進 而較佳為0.10~0.20MPa。
黏著力A與探針黏附力B係利用以下方法分別依據JIS Z 0237進行測定。
<黏著力A>
使用以#280之耐水砂紙均勻地進行水磨後經水洗、脫脂的SUS 304鋼板，研磨後放置1小時後對25mm寬之半導體加工用表面保護黏著帶之表面使2kg荷重之橡膠輥進行3次往返而貼合該黏著帶，放置1小時後，於剝離角度180度、拉伸速度300mm/min、測定溫度23℃之條件下求出剝離時之荷重，藉此獲得黏著力A。
<探針黏附力B>
使用黏附試驗機(例如Rhesca製造之TACII)於半導體加工用表面保護黏著帶之基材背面側(黏著劑塗敷面相反之側)以30mm/min之速度壓入3mm圓柱狀探針，於室溫下以靜止荷重100g保持1sec後，以600mm/min之速度進行提拉，藉由測定此時之荷重而求出探針黏附力B。
黏著力A及探針黏附力B可根據黏著劑層中之聚合物種類或添加物之種類或量、尤其是黏著劑所使用之聚合物之種類、尤其是單體成分之種類與量進行調整。此外，探針黏附力亦可根據基材之種類進行調整。為了將上述比C調整成10(N/25mm/MPa)以上，較佳為將基材、黏著劑層設為上述較佳範圍。
進而，黏著力A及探針黏附力B係根據黏著劑層所使用之聚合物(上述聚合物)之彈性模數、分子量、玻璃轉移溫度(Tg)或硬化劑、塑化劑、脫模劑、填料等添加物而變化，尤其是Tg、質量平均分子量、硬化劑之影響較大。因此，為了將上述比C調整成10(N/25mm/MPa)以上，將交聯後之Tg設為-50~-10℃、較佳為-40~-20℃，或將質量平均分子量設為80萬以上、較佳為100萬以上，或相對於聚合物100質量 份，將硬化劑之摻合份數調整成0.3~1.8質量份、較佳為0.5~1.5質量份，藉此亦可設成目標範圍。
[實施例]
以下，基於實施例及比較例對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於此。
(實施例1)
於已進行去離子之純水中添加於苯環上加成有烯丙基之聚氧乙烯烷基苯基醚化合物及聚丙二醇化合物作為界面活性劑，添加過硫酸銨作為聚合起始劑，一面加熱一面攪拌。繼而，將甲基丙烯酸甲酯16質量份、丙烯酸丁酯40質量份、丙烯酸2-乙基己酯40質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯2質量份及甲基丙烯酸2質量份滴加至攪拌溶液中，進而持續攪拌進行聚合，獲得丙烯酸系乳液黏著劑組成物A。
於由藉由擠出成形而製膜之厚度165μm之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)構成的基材上，使用上述組成之黏著劑組成物A，以塗敷後之厚度成為40μm之方式形成層，獲得半導體加工用表面保護黏著帶。利用後述之方法測定該黏著帶之黏著力與探針黏附力，結果黏著力為1.18N/25mm，探針黏附力為0.10MPa。
(實施例2)
分別將上述黏著劑組成物A之甲基丙烯酸甲酯變更為10質量份，將丙烯酸2-乙基己酯變更為46質量份，藉此變更為將黏著力調整成1.24N/25mm、將探針黏附力調整成0.11MPa之黏著劑組成物B，除此以外，利用與實施例1相同之方法獲得半導體加工用表面保護黏著帶。
(實施例3)
於已進行去離子之純水中添加於苯環上加成有烯丙基之聚氧乙烯壬基苯基醚硫酸酯之銨鹽化合物及聚丙二醇化合物作為界面活性劑，添加過硫 酸銨作為聚合起始劑，一面加熱一面攪拌。繼而，將甲基丙烯酸甲酯15質量份、丙烯酸丁酯30質量份、丙烯酸2-乙基己酯43質量份及甲基丙烯酸縮水甘油酯2質量份滴加至攪拌溶液中，進而持續攪拌進行聚合，獲得丙烯酸系乳液黏著劑組成物C。
將由藉由擠出成形而製膜之厚度70μm之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)構成的基材與經雙軸延伸之40μm之聚丙烯膜(PP)貼合，獲得合計厚度為110μm之多層構成基材。於該基材上，使用上述組成之黏著劑組成物C，以塗敷後之厚度成為20μm之方式形成層，獲得半導體加工用表面保護黏著帶。該黏著帶之黏著力為3.20N/25mm，黏附力為0.16MPa。
(實施例4)
於已進行去離子之純水中添加苯環上加成有烯丙基之聚氧乙烯烷基苯基醚化合物及聚丙二醇化合物作為界面活性劑，添加過硫酸銨作為聚合起始劑，一面加熱一面攪拌。繼而，將甲基丙烯酸甲酯15質量份、丙烯酸丁酯35質量份、丙烯酸2-乙基己酯45質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯2質量份及甲基丙烯酸1質量份滴加至攪拌溶液中，進而持續攪拌進行聚合，獲得丙烯酸系乳液黏著劑組成物D。
於由藉由擠出成形而製膜之厚度120μm之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)構成的基材上，使用以(甲基)丙烯酸共聚物作為主成分之上述組成之黏著劑組成物D，以塗敷後之厚度成為50μm之方式形成層，獲得半導體加工用表面保護黏著帶。該黏著帶之黏著力為1.38N/25mm，黏附力為0.11MPa。
(實施例5)
藉由將上述黏著劑組成物D之甲基丙烯酸變更為5質量份，而變更成將黏著力調整成3.75N/25mm、將探針黏附力調整成0.10MPa之黏著劑組成物E，除此以外，利用與實施例4相同之方法獲得半導體加工用表面保護 黏著帶。
(比較例1)
使丙烯酸甲酯5質量份、丙烯酸2-乙基己酯60質量份及甲基丙烯酸甲酯5質量份於乙酸乙酯溶液中聚合，而獲得丙烯酸系共聚物。於聚合而成之丙烯酸系共聚物中摻合加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane公司製造)0.5質量份及環氧系硬化劑E-5XM(商品名，綜研化學製造)2質量份，為了調整成容易塗敷之黏度而添加乙酸乙酯進行調整，獲得黏著劑組成物F。
於由藉由擠出成形而製膜之厚度165μm之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)構成之基材上，使用以(甲基)丙烯酸共聚物作為主成分之上述組成之黏著劑組成物F，以塗敷後之厚度成為40μm之方式形成層，而獲得半導體加工用表面保護黏著帶。黏著力為0.31N/25mm，探針黏附力為0.11MPa。
(比較例2)
藉由將上述黏著劑組成物F之環氧系硬化劑之摻合量變更為0.5質量份，而變更成將黏著力調整成1.88N/25mm、將探針黏附力調整成0.30MPa之黏著劑組成物G，除此以外，利用與比較例1相同之方法獲得半導體加工用表面保護黏著帶。
(比較例3)
藉由擠出成形將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)與高密度聚乙烯(HDPE)積層，獲得厚度100μm之EVA(70μm)/HDPE(30μm)多層構成基材。又，獲得使丙烯酸丁酯85質量份及丙烯酸2-羥基乙酯15質量份於乙酸乙酯溶液中聚合所得之丙烯酸系共聚物。於聚合而成之丙烯酸系共聚物中摻合加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane公司製造)0.5質量份，為了調整成容易塗敷之黏度而添加乙酸 乙酯進行調整，獲得黏著劑組成物H。使用該黏著劑組成物H，以塗敷後之厚度成為30μm之方式形成層，獲得半導體加工用表面保護黏著帶。該黏著帶之黏著力為0.88N/25mm，探針黏附力為0.26MPa。
(比較例4)
相對於丙烯酸2-乙基己酯60質量份、丙烯酸2-羥基乙酯38質量份及甲基丙烯酸2質量份之共聚物即丙烯酸系共聚物100質量份，摻合加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane公司製造)4質量份、作為低聚物之具有光聚合性碳-碳雙鍵之四羥甲基甲烷四丙烯酸酯150質量份及作為光聚合起始劑的Irgacure184(商品名，Ciba Japan公司製造)5質量份，為了調整成容易塗敷之黏度而添加乙酸乙酯進行調整，獲得黏著劑組成物I。
於藉由擠出成形而製膜之厚度100μm之EVA(70μm)/HDPE(30μm)多層構成基材上，使用上述黏著劑組成物I，以塗敷後之厚度成為30μm之方式形成層，獲得半導體加工用表面保護黏著帶。該黏著帶之黏著力為1.30N/25mm，探針黏附力為0.24MPa。
(表面保護用黏著帶之性能評價)
對上述實施例與比較例中獲得之各半導體加工用表面保護黏著帶進行以下試驗並評價其性能，獲得下述表1及2之結果。
(黏著力)
使用以#280之耐水砂紙均勻地水磨後經水洗、脫脂之SUS 304鋼板，研磨後放置1小時後，對25mm寬之試驗板之表面使2kg荷重之橡膠輥進行3次往返而貼合試驗片，進而放置1小時後求出剝離時之荷重。剝離角度為180度，拉伸速度為300mm/min，測定溫度為23℃。
(探針黏附力)
使用黏附試驗機(商品名：TACII，Rhesca製造)，於試驗片之基材背 面側(與黏著劑塗敷面相反之側)以30mm/min之速度壓入3mm圓柱狀探針，以靜止荷重100g保持1sec後以600mm/min之速度進行提拉，測定此時之荷重。
(滲流)
於跨及整個表面以5mm間隔形成有寬度50μm、深度30μm之溝槽之直徑8英吋之矽晶圓的形成有溝槽之面上，使用貼合機(商品名：DR-8500II，日東電工(股)製造)，貼合半導體加工用表面保護黏著帶。利用砂磨機(商品名：DGP8760，Disc(股)製造)對貼合有該黏著帶之晶圓進行背面研削至50μm，研究自研削後之晶圓外周部向溝槽之切割水之滲入，藉由目視按以下等級進行評價。
評價等級
A：未見滲入。
B：略微可見滲入。
C：明顯可見滲入。
(貼合時作業性)
於貼合機之貼合後，於捲繞帶時，按以下等級對帶黏於與黏著劑接觸之支持輥上之情況(剝離性)進行評價。
評價等級
A：帶未黏於存在於通過路徑中之任一支持輥上，可順利地捲取帶。
B：帶黏於支持輥上，但未捲繞至該支持輥上，可捲取帶。
C：帶黏於支持輥上且未剝離，帶捲繞至該支持輥上。
(翹曲)
於上述研削中，將8英吋直徑之矽裸晶圓研削至50μm之厚度時，使因附有半導體加工用表面保護黏著帶之晶圓發生翹曲而產生的凸側向下，使附有該黏著帶之晶圓靜置於水平之台上。對該晶圓之兩端之翹曲進行測 定，將其平均值作為晶圓之翹曲，按以下等級進行評價。
評價等級
A：翹曲未達25mm。
B：翹曲為25mm以上且未達30mm。
C：翹曲為30mm以上。
根據表1、2之結果可知，黏著力與探針黏附力之比C未達10之比較例1~4均於滲流或貼合時之作業性方面有問題，與此相對地，本發明之表面保護用黏著帶均防止滲流，且具有良好之作業性。
雖說明本發明與其實施態樣，但只要本發明沒有特別指定，則即使在說明本發明之任一細部中，皆非用以限定本發明，且只要在不違反本案申請專利範圍所示之發明精神與範圍下，應作最大範圍的解釋。
本案主張基於2012年5月23日於日本提出申請之特願2012-118040之優先權，本發明係參照此申請案並將其內容加入作為本說明書記載之一部份。

Claims (5)

  1. 一種半導體加工用表面保護黏著帶，於基材上具有黏著劑層，該黏著帶之探針黏附力B為0.08~0.20(MPa)，且該黏著帶之黏著力A(N/25mm)與探針黏附力B(MPa)之比C(A/B)為10~60(N/25mm/MPa)。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體加工用表面保護黏著帶，其中，該黏著力A為0.9~2.0(N/25mm)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體加工用表面保護黏著帶，其中，該黏著劑層之厚度為15~55μm。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之半導體加工用表面保護黏著帶，其中，該基材係由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物構成。
  5. 如申請專利範圍第3項之半導體加工用表面保護黏著帶，其中，該基材係由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物構成。
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