WO2013176120A1 - 半導体加工用表面保護粘着テープ - Google Patents

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WO2013176120A1
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meth
acrylate
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pressure
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具朗 内山
啓時 横井
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古河電気工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a surface protective pressure-sensitive adhesive tape used for processing a semiconductor device, and more particularly to a surface protective pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing suitable for use when grinding a back surface of a semiconductor wafer.
  • a surface protective adhesive tape is bonded to the wafer surface, and the wafer back surface is ground in that state.
  • EVA ethylene vinyl acetate copolymer
  • the wafer surface pattern includes various electronic circuits and electrodes, a protective film such as polyimide that protects them, and a scribe line that is a groove into which the blade cuts during a dicing process that separates the wafer into chips. Due to the structure as described above, the wafer surface is not smooth and has steps and irregularities of several ⁇ m to several tens of ⁇ m.
  • the size and shape of this step varies depending on the type of wafer and device, but it is expected to adhere to the step on the wafer surface and fill the gap by bonding a surface protective adhesive tape.
  • the level difference of the wafer is large or the tape is hard, the followability to the wafer surface will be insufficient, so that grinding water and polishing liquid (slurry) will be in the gap between the wafer and the tape during back grinding or chemical mechanical polishing.
  • a phenomenon called sea page intrusion occurs.
  • seapage causes the tape to peel off from the wafer and cause cracks in the wafer, leading to breakage, contamination of the wafer surface due to ingress water and adhesion of glue, greatly reducing yield.
  • the tack force of the tape increases at the same time.
  • the tack force is a feeling of stickiness when touching the surface with a so-called finger, and is a characteristic necessary for satisfying the most basic condition of an adhesive tape that sticks to an adherend.
  • the use of adhesive tape can cause harmful effects due to the too strong tack force.
  • a protective adhesive tape is bonded to a wafer
  • a laminator is used.
  • the tape spanned at the tape feeding position is supported by various rolls, peels off the release film, is bonded to the wafer and cut into a wafer shape, and finally the unused portion is wound and collected.
  • the present invention solves the above-mentioned problems, and has an adhesive force that does not generate seapage even on a wafer having large steps or irregularities in the processing of a semiconductor wafer, more specifically, in a back grinding process of a silicon wafer or the like, and It is an object of the present invention to provide a surface protective adhesive tape for semiconductor processing with good workability.
  • the present inventors have found that the surface protective adhesive tape for semiconductor processing in which the ratio of the adhesive force and the probe tack force is in a specific range prevents seapage in the back grinding process and is good I found that it brings about a good workability.
  • the present invention has been made based on this finding.
  • the probe tack force B of the adhesive tape is 0.08 to 0.20 (MPa)
  • the ratio C A of the adhesive force A (N / 25 mm) of the adhesive tape to the probe tack force B (MPa) / B) is a surface protective pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing, which is 10 (N / 25 mm / MPa) or more.
  • a surface protective adhesive tape for semiconductor processing which prevents seapage and improves workability even in the case of a wafer having large steps and irregularities in the processing of a semiconductor wafer, more specifically, in a back grinding process of a silicon wafer or the like. be able to.
  • the surface-protective pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing of the present invention is composed of a base material and a pressure-sensitive adhesive (adhesive layer) formed on the base material.
  • the resin constituting the substrate used in the present invention is not particularly limited, and conventionally known resins can be used.
  • the resin used for the substrate of the present invention include high density polyethylene (HDPE), low density polyethylene (LDPE), polypropylene (PP), ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), and ethylene- (meth) acrylic acid copolymer.
  • Polyolefins such as polymers or cross-linked metal products (ionomers); polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene terephthalate (PEN), and polyethylene terephthalate (PBT).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene terephthalate
  • PBT polyethylene terephthalate
  • the substrate used in the present invention may have a single layer structure, or may have a multilayer structure by combining a plurality of resins or blend resins. From the viewpoint of wafer warpage and flexibility after grinding, a substrate using an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) is more preferable.
  • EVA ethylene-vinyl acetate copolymer
  • the ethylene-vinyl acetate copolymer used for the substrate preferably has a vinyl acetate component content of 5 to 30% by mass, more preferably 10 to 20% by mass.
  • Additives may be added to the base resin within a range that does not affect the physical properties, such as blending a coloring pigment for recognizing and identifying the adhesive tape.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited and may be set as appropriate, but is preferably 50 to 200 ⁇ m.
  • the method for producing the substrate is not particularly limited. Conventional methods such as injection, extrusion, and inflation can be used.
  • the pressure-sensitive adhesive used in the present invention has a ratio C (A / B) between the pressure-sensitive adhesive force A (N / 25 mm) and the probe tack force B (MPa) of the pressure-sensitive adhesive tape formed using the pressure-sensitive adhesive. / 25 mm / MPa) or more as long as it satisfies the condition.
  • a homopolymer having (meth) acrylic acid ester as a constituent component and a copolymer having two or more kinds of (meth) acrylic acid ester as constituent components can be exemplified.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester include linear or branched alkyl groups having 30 or less carbon atoms (for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, isobutyl, amyl, isoamyl, hexyl).
  • Alkyl (meth) acrylates having 1 to 8 carbon atoms preferably heptyl, cyclohexyl, 2-ethylhexyl, octyl, isooctyl, nonyl, isononyl, decyl, isodecyl, undecyl, lauryl, tridecyl, tetradecyl, stearyl, octadecyl and dodecyl).
  • Alkyl (meth) acrylates having a linear or branched alkyl group are more preferred.
  • examples of components other than the alkyl (meth) acrylate include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and Carboxylic group-containing monomer components such as crotonic acid, acid anhydride monomer components such as maleic anhydride and itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate and (4-hydroxymethyl) Cyclohexyl ) Hydroxyl group-containing monomer components such as methyl (meth) acrylate, styrene s
  • the said copolymer can contain the following polyfunctional monomer components as a structural component.
  • the multifunctional monomer component include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, and neopentyl glycol di (meth).
  • the copolymer includes, for example, (meth) acrylic acid ester components such as ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, (meth) 2-hydroxyethyl acrylate can be included.
  • (meth) acrylic acid ester components such as ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, (meth) 2-hydroxyethyl acrylate can be included.
  • the pressure-sensitive adhesive used in the present invention preferably contains a copolymer having both acrylic acid ester and methacrylic acid ester as constituent components.
  • the pressure-sensitive adhesive used in the present invention includes a copolymer having both (meth) acrylic acid ester in which the alcohol part is unsubstituted and (meth) acrylic acid ester in which the alcohol part has a substituent as constituent components. Further preferred.
  • an alkyl group, a hydroxyl group, or an epoxy group is preferable.
  • the (meth) acrylic acid ester having a substituent in the alcohol part is preferably 2-hydroxyethyl (meth) acrylate or glycidyl (meth) acrylate.
  • the content of the (meth) acrylic acid ester component in which the alcohol part is unsubstituted is preferably 40 to 60% by mass.
  • the acrylic acid ester component having an alcohol part unsubstituted has a higher content in the copolymer than the methacrylic acid ester component having an alcohol part unsubstituted.
  • the acrylic acid ester component having an alcohol part unsubstituted is preferably contained in the copolymer in an amount of 25 to 50% by mass.
  • the 2-ethylhexyl (meth) acrylate component in which the alcohol part has a substituent is preferably contained in the copolymer in an amount of 35 to 50% by mass, more preferably 40 to 50% by mass. preferable.
  • the 2-ethylhexyl (meth) acrylate is preferably 2-ethylhexyl acrylate.
  • the copolymer preferably contains a glycidyl (meth) acrylate component.
  • the glycidyl (meth) acrylate is more preferably contained in the copolymer in an amount of 1 to 5% by mass.
  • the glycidyl (meth) acrylate is preferably glycidyl methacrylate.
  • the copolymer preferably contains a (meth) acrylic acid component.
  • the content of the (meth) acrylic acid component in the copolymer is preferably 0.5 to 5% by mass.
  • the (meth) acrylic acid is preferably meth
  • the copolymer preferably used as the pressure-sensitive adhesive used in the present invention is preferably obtained by emulsion polymerization using a surfactant.
  • a surfactant an anionic surfactant is preferable, and a sulfate ester salt of polyoxyethylene alkylphenyl ether is preferable, and a sulfate ester salt of polyoxyethylene alkylphenyl ether in which an allyl group is added to the benzene ring is particularly preferable.
  • a persulfate is preferable.
  • a curing agent can be used in the pressure-sensitive adhesive.
  • a curing agent a curing agent described in JP 2007-146104 A can be used.
  • Epoxy compounds having two or more epoxy groups in the molecule such as benzene, N, N, N, N′-tetraglycidyl-m-xylenediamine, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate , 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4′-diisocyanate, etc.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may contain a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator.
  • a photopolymerization initiator By including a photopolymerization initiator, the pressure-sensitive adhesive layer can be cured by irradiating ultraviolet rays, and the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer can be reduced.
  • a photopolymerizable compound include a photopolymerizable compound in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation, as disclosed in, for example, JP-A-60-196956 and JP-A-60-223139. A low molecular weight compound having at least two carbon-carbon double bonds is used.
  • trimethylolpropane triacrylate pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6- Hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, and commercially available oligoester acrylate can be used.
  • photopolymerization initiator a photopolymerization initiator described in JP2007-146104A or JP2004-186429A can be used.
  • isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, benzylmethyl ketal, ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone, and 2-hydroxymethylphenylpropane can be used in combination.
  • a photopolymerizable pressure-sensitive adhesive using a resin composition containing a polymer having a photopolymerizable carbon-carbon double bond in the polymer, a photopolymerization initiator, and a curing agent can be used.
  • a single amount such as a (meth) acrylic acid ester having an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms, more preferably 8 carbon atoms in the side chain, etc.
  • a (meth) acrylic polymer obtained by homopolymerizing or copolymerizing one or two or more types of copolymer and a copolymerizable modifying monomer by an arbitrary method is preferable.
  • the photopolymerizable pressure-sensitive adhesive layer formed in this way can easily peel off the pressure-sensitive adhesive tape from the adherend by irradiating radiation, preferably ultraviolet rays, to greatly reduce the adhesive strength from the beginning. .
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer can be appropriately set depending on the adherend to be applied, and is not particularly limited, but is preferably 15 to 55 ⁇ m, more preferably 20 to 50 ⁇ m. If the thickness exceeds 55 ⁇ m, the possibility of occurrence of adhesive residue on the wafer increases. Conversely, if the thickness is less than 15 ⁇ m, the unevenness on the wafer surface cannot be followed, which may cause seapage or the like.
  • the ratio C is preferably 10 to 60 (N / 25 mm / MPa), more preferably 10 to 40 (N / 25 mm / MPa).
  • the adhesive strength A is preferably 0.8 to 4.0 N / 25 mm, and more preferably 0.9 to 2.0 N / 25 mm.
  • the probe tack force B is preferably 0.20 MPa or less, more preferably 0.08 to 0.20 MPa, and even more preferably 0.10 to 0.20 MPa.
  • the adhesive force A and probe tack force B are measured in accordance with JIS Z 0237, respectively, by the following methods.
  • ⁇ Adhesive strength A> A rubber roller with a load of 2 kg on the surface of a 25 mm wide surface-protective adhesive tape for semiconductor processing using a SUS 304 steel plate that has been uniformly polished with # 280 water-resistant abrasive paper, then washed and degreased and left for 1 hour after polishing. 3 is reciprocated to bond the pressure-sensitive adhesive tape, and after standing for 1 hour, the load at the time of peeling is obtained under the conditions of a peeling angle of 180 °, a tensile speed of 300 mm / min, and a measurement temperature of 23 ° C.
  • ⁇ Probe tack force B> Using a tacking tester (for example, TACII manufactured by Resca), push a 3 mm ⁇ cylindrical probe at a speed of 30 mm / min into the back side of the substrate (on the side opposite to the adhesive coated surface) of the surface protective adhesive tape for semiconductor processing. It is obtained by measuring the load when pulling up at a speed of 600 mm / min after holding for 1 sec at a stop load of 100 g at room temperature.
  • a tacking tester for example, TACII manufactured by Resca
  • the adhesive strength A and probe tack strength B can be adjusted by the type and amount of polymer species and additives in the adhesive layer, particularly the type of polymer used in the adhesive, particularly the type and amount of monomer components.
  • the probe tack force can be adjusted by the type of substrate.
  • the base material and the pressure-sensitive adhesive layer are preferably within the above-described preferable ranges.
  • the adhesive force A and the probe tack force B are the elastic modulus, molecular weight, glass transition temperature (Tg) of the polymer used in the adhesive layer, the curing agent, the plasticizer, the release agent, the filler, etc. It varies depending on the additive, and is particularly affected by Tg, mass average molecular weight, and curing agent. Therefore, in order to adjust the ratio C to 10 (N / 25 mm / MPa) or more, the Tg after crosslinking is set to ⁇ 50 to ⁇ 10 ° C., preferably ⁇ 40 to ⁇ 20 ° C., or the mass average molecular weight is set. 800,000 or more, preferably 1,000,000 or more, or the blending amount of the curing agent is adjusted to 0.3 to 1.8 parts by weight, preferably 0.5 to 1.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. Depending on the target range.
  • Example 1 A polyoxyethylene alkyl phenyl ether compound and a polypropylene glycol compound in which an allyl group is added to a benzene ring as a surfactant are added to deionized pure water, and ammonium persulfate is added as a polymerization initiator and stirred while heating. . Next, 16 parts by mass of methyl methacrylate, 40 parts by mass of butyl acrylate, 40 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 2 parts by mass of glycidyl methacrylate and 2 parts by mass of methacrylic acid were added dropwise to the stirring solution. Emulsion adhesive composition A was obtained.
  • the pressure-sensitive adhesive composition A having the above composition is used so that the thickness after coating becomes 40 ⁇ m.
  • a layer was formed on the surface protective adhesive tape for semiconductor processing.
  • the adhesive force was 1.18 N / 25 mm, and the probe tack force was 0.10 MPa.
  • Example 2 The pressure-sensitive adhesive whose pressure-sensitive adhesive strength was adjusted to 1.24 N / 25 mm and the probe tack strength was adjusted to 0.11 MPa by changing the methyl methacrylate of the pressure-sensitive adhesive composition A to 10 parts by mass and 46 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, respectively.
  • a surface protective adhesive tape for semiconductor processing was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition B was changed.
  • Example 3 To the deionized pure water, add an ammonium salt compound of polyoxyethylene nonylphenyl ether sulfate with an allyl group added to the benzene ring as a surfactant and a polypropylene glycol compound, and add ammonium persulfate as a polymerization initiator. Stir while heating. Next, 15 parts by weight of methyl methacrylate, 30 parts by weight of butyl acrylate, 43 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, and 2 parts by weight of glycidyl methacrylate are added dropwise to the stirring solution. Got.
  • a base material made of an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) having a thickness of 70 ⁇ m formed by extrusion molding and a 40 ⁇ m polypropylene film (PP) biaxially stretched are bonded together to form a composite having a total thickness of 110 ⁇ m.
  • a layered substrate was obtained.
  • the adhesive force of this adhesive tape was 3.20 N / 25 mm, and the tack force was 0.16 MPa.
  • Example 4 A polyoxyethylene alkyl phenyl ether compound and a polypropylene glycol compound in which an allyl group is added to a benzene ring as a surfactant are added to deionized pure water, and ammonium persulfate is added as a polymerization initiator and stirred while heating. . Next, 15 parts by weight of methyl methacrylate, 35 parts by weight of butyl acrylate, 45 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 2 parts by weight of glycidyl methacrylate and 1 part by weight of methacrylic acid are added dropwise to the stirring solution. Emulsion adhesive composition D was obtained.
  • An adhesive composition D having the above composition mainly composed of a (meth) acrylic acid copolymer was used on a substrate made of an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) having a thickness of 120 ⁇ m formed by extrusion molding. Then, a layer was formed so that the thickness after coating was 50 ⁇ m to obtain a surface protective adhesive tape for semiconductor processing.
  • the adhesive force of this adhesive tape was 1.38 N / 25 mm, and the tack force was 0.11 MPa.
  • Example 5 Except for changing the pressure-sensitive adhesive composition D to pressure-sensitive adhesive composition E adjusted to 5.75 N / 25 mm and probe tack power of 0.10 MPa by changing the methacrylic acid to 5 parts by mass.
  • a surface protective adhesive tape for semiconductor processing was obtained in the same manner as in Example 4.
  • Acrylic copolymer was obtained by polymerizing 5 parts by mass of methyl acrylate, 60 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate and 5 parts by mass of methyl methacrylate in an ethyl acetate solution.
  • 0.5 parts by mass of adduct isocyanate cross-linking agent Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of epoxy curing agent E-5XM (trade name, manufactured by Soken Chemical) were added to the polymerized acrylic copolymer.
  • Coronate L trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.
  • E-5XM epoxy curing agent
  • the pressure-sensitive adhesive composition F having the above composition mainly composed of (meth) acrylic acid copolymer was used. Then, a layer was formed so that the thickness after coating was 40 ⁇ m to obtain a surface protective adhesive tape for semiconductor processing.
  • the adhesive force was 0.31 N / 25 mm, and the probe tack force was 0.11 MPa.
  • adduct isocyanate crosslinker Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) to the polymerized acrylic copolymer and add ethyl acetate to adjust the viscosity to be easy to apply.
  • pressure-sensitive adhesive composition H was obtained. Using this pressure-sensitive adhesive composition H, a layer was formed so that the thickness after coating was 30 ⁇ m to obtain a surface protective pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing. The adhesive force of this adhesive tape was 0.88 N / 25 mm, and the probe tack force was 0.26 MPa.
  • Adduct isocyanate crosslinker Coronate L (trade name) with respect to 100 parts by mass of acrylic copolymer which is a copolymer of 60 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 38 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate and 2 parts by mass of methacrylic acid. 4 parts by weight, 150 parts by weight of tetramethylolmethane tetraacrylate having a photopolymerizable carbon-carbon double bond as an oligomer, and 5 parts by weight of Irgacure 184 (trade name, manufactured by Ciba Japan) as a photopolymerization initiator.
  • the pressure-sensitive adhesive composition I was obtained by adding ethyl acetate to adjust the viscosity to be easy to apply. On the 100 ⁇ m thick EVA (70 ⁇ m) / HDPE (30 ⁇ m) multilayer substrate formed by extrusion molding, the pressure-sensitive adhesive composition I is used so that the thickness after coating is 30 ⁇ m. To obtain a surface protective adhesive tape for semiconductor processing. The adhesive force of this adhesive tape was 1.30 N / 25 mm, and the probe tack force was 0.24 MPa.
  • a laminator (trade name: DR-8500II, manufactured by Nitto Denko Corporation) is formed on the groove-formed surface of an 8-inch diameter silicon wafer in which grooves having a width of 50 ⁇ m and a depth of 30 ⁇ m are formed at intervals of 5 mm over the entire surface. ) was used to paste a surface protective adhesive tape for semiconductor processing.
  • the wafer to which this adhesive tape is bonded is ground to 50 ⁇ m with a grinder (trade name: DGP8760, manufactured by DISCO Corporation), and the intrusion of cutting water into the groove from the outer periphery of the wafer after grinding is investigated. Visual evaluation was made with the following rank.
  • Evaluation rank A The tape is not caught on any support roll existing in the pass line, and the tape can be wound up without any problem.
  • warp In the above grinding, when a silicon bare wafer having an 8 inch diameter is ground to a thickness of 50 ⁇ m, the wafer with the adhesive tape is turned downward with the convex side generated by warping of the wafer with the surface protective adhesive tape for semiconductor processing. Was placed on a horizontal table. The warpage of both ends of the wafer was measured, and the average value thereof was regarded as the warpage of the wafer, and evaluated according to the following rank.
  • Evaluation rank A Warpage is less than 25 mm.
  • B Warpage is 25 mm or more and less than 30 mm.
  • C Warpage is 30 mm or more.

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Abstract

　基材上に粘着剤層を有する半導体加工用表面保護粘着テープであって、　該粘着テープのプローブタック力Ｂが０．０８～０．２０（ＭＰａ）であり、且つ、該粘着テープの粘着力Ａ（Ｎ／２５ｍｍ）とプローブタック力Ｂ（ＭＰａ）との比Ｃ（Ａ／Ｂ）が、１０（Ｎ／２５ｍｍ／ＭＰａ）以上である、半導体加工用表面保護粘着テープ。

Description

半導体加工用表面保護粘着テープ
　本発明は、半導体デバイスの加工に用いられる表面保護粘着テープに関し、更に詳しくは半導体ウェハの裏面研削時に用いるのに好適な半導体加工用表面保護粘着テープに関する。
　半導体ウェハ（以下、ウェハと記載）の加工工程において、ウェハ表面にパターンを形成した後、ウェハ裏面を所定厚さまで研削・研磨するいわゆる裏面研削・研磨が行なわれる。その際、ウェハ表面を保護する目的で、ウェハ表面に表面保護粘着テープを貼り合わせ、その状態でウェハ裏面が研削される。表面保護粘着テープとしては、エチレン酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡと記載）などのポリオレフィン基材樹脂フィルム上に、アクリルポリマーを主成分とした粘着剤層が設けられたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
　ウェハ表面のパターンには、各種の電子回路や電極、それらを保護するポリイミドなどの保護膜、さらにウェハをチップに個片化するダイシング工程時にブレードが切り込む溝であるスクライブラインが存在する。上記のような構造により、ウェハ表面は平滑ではなく数μｍ～数十μｍの段差・凹凸が存在している。
　この段差の大きさや形状はウェハやデバイスの種類によって様々であるが、表面保護粘着テープを貼合することでウェハ表面の段差に密着して隙間を埋めることが期待される。しかし、ウェハの段差が大きい場合や、テープが硬い場合はウェハ表面への追従性が不足することで、裏面研削時や化学機械研磨時に研削水や研磨液（スラリー）がウェハとテープの隙間に浸入するシーページと呼ばれる現象が発生する。
　シーページが発生することで、テープがウェハから剥離しその箇所を起点としてウェハにクラックが発生し破損に繋がることや、浸入水によるウェハ表面の汚染や糊の付着が発生し歩留りを大きく悪化させる原因となる。
　シーページに対しては、粘着剤を厚くする、粘着剤の弾性率を下げるといった方法でウェハ表面への密着性を向上させる方法が知られている（例えば特許文献２参照）。また、粘着力を上げることでも同様の効果が期待される。
　上記のような手法をとることで、同時にテープのタック力が上昇する。タック力とはいわゆる指で表面にふれた時のベタツキ感であり、被着体にくっつくという粘着テープの最も基本的な条件を満たすために必要な特性である。
　他方で、強すぎるタック力により粘着テープ使用上で弊害が散見される。例えば、保護粘着テープをウェハに貼合する際にはラミネータと呼ばれる装置が使用される。テープ繰出し位置に架けられたテープは、種々のロールにより支持され離型フィルムを剥離し、ウェハに貼合されてウェハ形状に切断され、最終的に不用部分を巻取って回収される。（例えば、特許文献３参照）
　ウェハ貼合後に巻き取られる際には、粘着剤と支持ロールが接触する部分が存在する。タック力の大きいテープでは、ロールからテープが剥離しづらく、そのままロールに巻きついてしまうことがある。
　そこで、ウェハ表面保護に十分な粘着力と、作業性に影響の小さいタック力を両立したテープが望まれていた。
特開２０００－８０１０号公報 特開２００２－５３８１９号公報 特開２０１０－９８１３２号公報
　本発明は、上記の問題点を解決し、半導体ウェハの加工、更に詳しくはシリコンウェハ等の裏面研削工程において、段差や凹凸が大きなウェハに対してもシーページを発生させない粘着力を持ち、なおかつ作業性が良好な半導体加工用表面保護粘着テープを提供することを課題とする。
　本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、粘着力とプローブタック力の比が特定の範囲である半導体加工用表面保護粘着テープが、裏面研削工程においてシーページを防止し、且つ、良好な作業性をもたらすことを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。
　すなわち、本発明は、上記課題を下記の手段で解決した。
（１）基材上に粘着剤層を有する半導体加工用表面保護粘着テープであって、
　該粘着テープのプローブタック力Ｂが０．０８～０．２０（ＭＰａ）であり、且つ、該粘着テープの粘着力Ａ（Ｎ／２５ｍｍ）とプローブタック力Ｂ（ＭＰａ）との比Ｃ（Ａ／Ｂ）が１０（Ｎ／２５ｍｍ／ＭＰａ）以上である、半導体加工用表面保護粘着テープ。
（２）前記粘着力Ａが、０．９～２．０（Ｎ／２５ｍｍ）である、（１）に記載の半導体加工用表面保護粘着テープ。
（３）前記粘着剤層の厚さが、１５～５５μｍである、（１）または（２）に記載の半導体加工用表面保護粘着テープ。
（４）前記基材が、エチレン－酢酸ビニル共重合体から構成されている、（１）～（３）のいずれか１項に記載の半導体加工用表面保護粘着テープ。
　本発明により、半導体ウェハの加工、更に詳しくはシリコンウェハ等の裏面研削工程において、段差や凹凸が大きなウェハであってもシーページを防ぎ作業性を改善する半導体加工用表面保護粘着テープを提供することができる。
　本発明の上記及び他の特徴及び利点は、下記の記載からより明らかになるであろう。
　本発明の半導体加工用表面保護用粘着テープは、基材と基材上に形成された粘着剤（接着剤層）から構成されている。
　本発明に用いる基材を構成する樹脂は特に制限されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。本発明の基材に用いる樹脂の例として、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、又はこれらの金属架橋体（アイオノマー）等のポリオレフィン類；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレブタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル類を挙げることができる。各々の樹脂は、単独で、あるいは２種以上をブレンドして用いることができる。本発明に用いる基材は単層構造でもよく、複数の樹脂又はブレンド樹脂を組み合わせて複層構造としてもよい。研削後のウェハ反りや柔軟性の観点からは、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を用いた基材がより好ましい。基材に用いるエチレン－酢酸ビニル共重合体は、酢酸ビニル成分の含有量が５～３０質量％であることが好ましく、１０～２０質量％であることがより好ましい。
　基材樹脂中には、粘着テープを認識・識別するための着色用顔料を配合するなど、物性に影響が出ない範囲で添加物を加えてもよい。
　基材の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０～２００μｍが好ましい。
　上記基材の製造方法は特に限定されない。射出・押出・インフレーションなど従来の方法を用いることができる。
　本発明に用いる粘着剤は、当該粘着剤を用いて形成された粘着テープの粘着力Ａ（Ｎ／２５ｍｍ）とプローブタック力Ｂ（ＭＰａ）との比Ｃ（Ａ／Ｂ）が、１０（Ｎ／２５ｍｍ／ＭＰａ）以上であることを満たすならば、特に制限されない。例えば、（メタ）アクリル酸エステルを構成成分とする単独重合体や、２種以上の（メタ）アクリル酸エステルを構成成分として有する共重合体を挙げることができる。当該（メタ）アクリル酸エステルとしては、炭素数３０以下の直鎖もしくは分岐のアルキル基（例えば、メチル、エチル、ｎ－プルピル、イソプルピル、ｎ－ブチル、ｔ－ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、ヘプチル、シクロヘキシル、２－エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシルおよびドデシル）を有するアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、炭素数４～１８の直鎖もしくは分岐のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートがより好ましい。
　上記共重合体において、上記アルキル（メタ）アクリレート以外の構成成分としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸およびクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー成分、無水マレイン酸や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー成分、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリルおよび（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー成分、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレートおよび（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー成分、２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー成分、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸Ｎ－ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ－ブチルアミノエチルメタクリレート等）、Ｎ－ビニルピロリドン、アクリロイルモルフオリン、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられる。これらモノマー成分は上記共重合体中に１種又は２種以上含まれうる。
　また、上記共重合体は、構成成分として、以下の多官能性単量体成分を含むことができる。当該多官能性単量体成分の例としては、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレートおよびウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これら多官能性単量体成分は上記共重合体中に１種又は２種以上含まれうる。
　上記共重合体は、例えば、（メタ）アクリル酸エステル成分として、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル等を含むことができる。
　本発明に用いる粘着剤は、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルの両方を構成成分として有する共重合体を含むことが好ましい。また、本発明に用いる粘着剤は、アルコール部が無置換の（メタ）アクリル酸エステルとアルコール部が置換基を有する（メタ）アクリル酸エステルの両方を構成成分として有する共重合体を含むことがさらに好ましい。また、アルコール部が置換基を有する場合の当該置換基としては、アルキル基、水酸基又はエポキシ基が好ましい。アルコール部が置換基を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、又は（メタ）アクリル酸グリシジルが好ましい。
　本発明に用いる粘着剤に含まれる共重合体中、アルコール部が無置換の（メタ）アクリル酸エステル成分の含有量は４０～６０質量％であることが好ましい。また、アルコール部が無置換のアクリル酸エステル成分は、アルコール部が無置換のメタクリル酸エステル成分より共重合体中における含有量が多い方が好ましい。アルコール部が無置換のアクリル酸エステル成分は、上記共重合体中に２５～５０質量％含まれることが好ましい。
　一方、アルコール部が置換基を有する形態である（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル成分は、上記共重合体中に３５～５０質量％含まれるのが好ましく、４０～５０質量％含まれるのがより好ましい。当該（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシルは、アクリル酸２－エチルヘキシルが好ましい。
　さらに、上記共重合体は（メタ）アクリル酸グリシジル成分を含有することが好ましい。当該（メタ）アクリル酸グリシジルは上記共重合体中に１～５質量％含まれることがより好ましい。当該（メタ）アクリル酸グリシジルはメタクリル酸グリシジルであることが好ましい。
　上記共重合体は、（メタ）アクリル酸成分を含むことが好ましい。上記共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の含有量は、０．５～５質量％が好ましい。当該（メタ）アクリル酸はメタクリル酸であることが好ましい。
　本発明に用いる粘着剤として好ましく使用される上記共重合体は、界面活性剤を使用して乳化重合して得られたものが好ましい。界面活性剤としては、アニオン系界面活性剤が好ましく、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルの硫酸エステル塩が好ましく、なかでもベンゼン環にアリル基が付加したポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルの硫酸エステル塩が好ましい。また、重合の際にポリプロピレングリコールやポリエチレングリコールを併用することが好ましい。また、反応溶媒としては脱イオン化された純水を用いるのが好ましい。なお、重合開始剤としてはどのようなものでも構わないが、過硫酸塩が好ましい。
　本発明において、粘着剤中には、硬化剤を使用することができる。
　硬化剤としては、特開２００７－１４６１０４号公報に記載の硬化剤を使用することができる。例えば、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート化合物、テトラメチロール－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリメチロール－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン－トリ－β－（２－メチルアジリジン）プロピオネート等の分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン化合物等が挙げられる。硬化剤の含有量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、上記重合体１００質量部に対して、０．０１～１０質量部が好ましく、さらに好ましくは、０．１～５質量部である。
　また、本発明において、粘着剤層中には光重合性化合物および光重合開始剤を含ませてもよい。光重合開始剤を含ませることによって、紫外線を照射することにより粘着剤層を硬化させ、粘着剤層の粘着力を低下させることができる。このような光重合性化合物としては、例えば特開昭６０－１９６９５６号公報および特開昭６０－２２３１３９号公報に開示されているような、光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素－炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が用いられる。
　具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートを用いることができる。
　光重合開始剤としては、特開２００７－１４６１０４号公報または特開２００４－１８６４２９号公報に記載の光重合開始剤を使用することができる。また、例えば、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパンを併用することができる。
　粘着剤層として、重合体中に光重合性炭素－炭素二重結合を有する重合体、光重合開始剤および硬化剤を含む樹脂組成物を用いてなる光重合性粘着剤を用いることができる。重合体中に炭素－炭素二重結合を有する重合体としては、側鎖に炭素原子数が４～１２、さらに好ましくは炭素原子数８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルなどの単量体や共重合性改質単量体を１種または２種以上を任意の方法で単独重合または共重合した（メタ）アクリル系重合体が好ましい。
　このようにして形成される光重合性粘着剤層は、放射線、好ましくは紫外線を照射することにより、粘着力を初期から大きく低下させて、容易に被着体から粘着テープを剥離することができる。
　本発明において粘着剤層の厚さは、適用しようとする被着体により適宜設定することができ、特に制限するものではないが、好ましくは１５～５５μｍ、更に好ましくは２０～５０μｍである。５５μｍを超えると、ウェハへの糊残り等が発生する可能性が高まり、逆に１５μｍを下回ると、ウェハ表面の凹凸に追従できず、シーページ等の要因となる可能性がある。
　本発明の半導体加工用表面粘着テープは、粘着力Ａ（Ｎ／２５ｍｍ）とプローブタック力Ｂ（ＭＰａ）との比Ｃ（Ｃ＝Ａ／Ｂ）が１０（Ｎ／２５ｍｍ／ＭＰａ）以上である。この範囲に設定することで、段差や凹凸が大きなウェハに対してもシーページを発生させない粘着力を持ち、なおかつ作業性を良好に保つことが可能となる。この比Ｃは１０～６０（Ｎ／２５ｍｍ／ＭＰａ）が好ましく、１０～４０（Ｎ／２５ｍｍ／ＭＰａ）がより好ましい。
　ここで、粘着力Ａは、０．８～４．０Ｎ／２５ｍｍが好ましく、０．９～２．０Ｎ／２５ｍｍがより好ましい。一方、プローブタック力Ｂは、０．２０ＭＰａ以下が好ましく、０．０８～０．２０ＭＰａがより好ましく、０．１０～０．２０ＭＰａがさらに好ましい。
　粘着力Ａとプローブタック力Ｂは、以下の方法でそれぞれＪＩＳ　Ｚ　０２３７に準拠して測定する。
＜粘着力Ａ＞
　＃２８０の耐水研磨紙で均一に水研ぎした後、水洗・脱脂したＳＵＳ ３０４ 鋼板を用い、研磨後１時間放置してから２５ｍｍ幅の半導体加工用表面保護粘着テープの表面に２ｋｇの荷重のゴムローラを３往復させて該粘着テープを貼合し、１時間放置後に、剥離角度１８０度、引張速さ３００ｍｍ／ｍｉｎ、測定温度２３℃の条件で、剥離時の荷重を求めることで得られる。
＜プローブタック力Ｂ＞
　タッキング試験機（例えば、レスカ製のＴＡＣＩＩ）を用いて、半導体加工用表面保護粘着テープの基材背面側（粘着剤塗工面と反対側）に、３ｍｍφ円柱状プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、室温で停止荷重１００ｇで１ｓｅｃ保持後に６００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げる際の荷重を測定することで求められる。
　粘着力Ａおよびプローブタック力Ｂは、粘着剤層中のポリマー種や添加物の種類や量、特に粘着剤に用いるポリマーの種類、特にモノマー成分の種類と量によって調整することができる。これに加え、プローブタック力は基材の種類によっても調整できる。上記比Ｃを１０（Ｎ／２５ｍｍ／ＭＰａ）以上に調整するためには、基材、粘着剤層を前述の好ましい範囲とすることが好ましい。
　さらに、粘着力Ａおよびプローブタック力Ｂは、粘着剤層に用いるポリマー（前記重合体）の弾性率、分子量、ガラス転移温度（Ｔｇ）や、硬化剤、可塑剤、離型剤、フィラーなどの添加物によって変化し、特にＴｇ、質量平均分子量、硬化剤の影響が大きい。このため、上記比Ｃを１０（Ｎ／２５ｍｍ／ＭＰａ）以上に調整するためには、架橋後のＴｇを－５０～－１０℃、好ましくは－４０～－２０℃とし、または質量平均分子量を８０万以上、好ましくは１００万以上とし、または硬化剤の配合部数をポリマー１００質量部に対し、０．３～１．８質量部、好ましくは０．５～１．５質量部に調整することによっても目的の範囲とすることができる。
　以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
　脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてベンゼン環にアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレート１６質量部、ブチルアクリレート４０質量部、２－エチルヘキシルアクリレート４０質量部、メタクリル酸グリシジル２質量部およびメタクリル酸２質量部を、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルション粘着剤組成物Ａを得た。
　押出成形により製膜した厚さ１６５μｍのエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）からなる基材上に、上記組成の粘着剤組成物Ａを用いて、塗工後の厚さが４０μｍとなるように層を形成して半導体加工用表面保護粘着テープを得た。この粘着テープの粘着力とプローブタック力を後述の方法で測定した結果、粘着力は、１．１８Ｎ／２５ｍｍ、プローブタック力は０．１０ＭＰａであった。
（実施例２）
　前記粘着剤組成物Ａのメチルメタクリレートを１０質量部、２－エチルヘキシルアクリレートを４６質量部にそれぞれ変更することで、粘着力を１．２４Ｎ／２５ｍｍ、プローブタック力を０．１１ＭＰａに調整した粘着剤組成物Ｂに変更した以外は、実施例１と同様の方法で半導体加工用表面保護粘着テープを得た。
（実施例３）
　脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてベンゼン環にアリル基を付加させたポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸エステルのアンモニウム塩化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレート１５質量部、ブチルアクリレート３０質量部、２－エチルヘキシルアクリレート４３質量部およびメタクリル酸グリシジル２質量部を、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルション粘着剤組成物Ｃを得た。
　押出成形により製膜した厚さ７０μｍのエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）からなる基材と、二軸延伸した４０μｍのポリピロピレンフィルム（ＰＰ）を貼り合わせて合計厚さが１１０μｍの複層構成基材を得た。この基材上に、上記組成の粘着剤組成物Ｃを用いて、塗工後の厚さが２０μｍとなるように層を形成して半導体加工用表面保護粘着テープを得た。この粘着テープの粘着力は、３．２０Ｎ／２５ｍｍ、タック力は０．１６ＭＰａであった。
（実施例４）
　脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてベンゼン環にアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレート１５質量部、ブチルアクリレート３５質量部、２－エチルヘキシルアクリレート４５質量部、メタクリル酸グリシジル２質量部およびメタクリル酸１質量部を、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルション粘着剤組成物Ｄを得た。
　押出成形により製膜した厚さ１２０μｍのエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）からなる基材上に、（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする上記組成の粘着剤組成物Ｄを用いて、塗工後の厚さが５０μｍとなるように層を形成して半導体加工用表面保護粘着テープを得た。この粘着テープの粘着力は、１．３８Ｎ／２５ｍｍ、タック力は０．１１ＭＰａであった。
（実施例５）
　前記粘着剤組成物Ｄのメタクリル酸を５質量部に変更することで、粘着力を３．７５Ｎ／２５ｍｍ、プローブタック力を０．１０ＭＰａに調整した粘着剤組成物Ｅに変更した以外は、実施例４と同様の方法で半導体加工用表面保護粘着テープを得た。
（比較例１）
　メチルアクリレート５質量部、２－エチルヘキシルアクリレート６０質量部およびメタクリル酸メチル５質量部を、酢酸エチル溶液の中で重合させアクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）０．５質量部およびエポキシ系硬化剤Ｅ－５ＸＭ（商品名、綜研化学製）２質量部を配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルを加えて調整を行い、粘着剤組成物Ｆを得た。
　押出成形により製膜した厚さ１６５μｍのエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）からなる基材上に、（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする上記組成の粘着剤組成物Ｆを用いて、塗工後の厚さが４０μｍとなるように層を形成して半導体加工用表面保護粘着テープを得た。粘着力は０．３１Ｎ／２５ｍｍ、プローブタック力は０．１１ＭＰａであった。
（比較例２）
　前記粘着剤組成物Ｆのエポキシ系硬化剤の配合量を０．５質量部に変更することで、粘着力を１．８８Ｎ／２５ｍｍ、プローブタック力を０．３０ＭＰａに調整した粘着剤組成物Ｇに変更した以外は、比較例１と同様の方法で半導体加工用表面保護粘着テープを得た。
（比較例３）
　押出成形によりエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）と高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）を積層し、厚さ１００μｍのＥＶＡ（７０μｍ）／ＨＤＰＥ（３０μｍ）複層構成基材を得た。また、ブチルアクリレート８５質量部および２－ヒドロキシエチルアクリレート１５質量部を、酢酸エチル溶液の中で重合させ得られたアクリル系共重合体得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）０．５質量部を配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルを加えて調整を行い、粘着剤組成物Ｈを得た。この粘着剤組成物Ｈを用いて、塗工後の厚さが３０μｍとなるように層を形成して半導体加工用表面保護粘着テープを得た。この粘着テープの粘着力は、０．８８Ｎ／２５ｍｍ、プローブタック力は０．２６ＭＰａであった。
（比較例４）
　２－エチルヘキシルアクリレート６０質量部、２－ヒドロキシエチルアクリレート３８質量部およびメタクリル酸２質量部の共重合体であるアクリル系共重合体１００質量部に対してアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）４質量部、オリゴマーとして光重合性炭素－炭素二重結合を有するテトラメチロールメタンテトラアクリレート１５０質量部および光重合開始剤としてイルガキュア１８４（商品名、チバジャパン社製）５質量部を配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルを加えて調整を行い、粘着剤組成物Ｉを得た。
　押出成形により製膜した厚さ１００μｍのＥＶＡ（７０μｍ）／ＨＤＰＥ（３０μｍ）複層構成基材上に、前記粘着剤組成物Ｉを用いて、塗工後の厚さが３０μｍとなるように層を形成して半導体加工用表面保護粘着テープを得た。この粘着テープの粘着力は、１．３０Ｎ／２５ｍｍ、プローブタック力は０．２４ＭＰａであった。
（表面保護用粘着テープの性能評価）
　上記実施例と比較例で得られた各半導体加工用表面保護粘着テープについて、以下の試験を行いその性能を評価し、下記表１および２の結果を得た。
（粘着力）
　＃２８０の耐水研磨紙で均一に水研ぎした後、水洗・脱脂したＳＵＳ　３０４　鋼板を用い、研磨後１時間放置してから２５ｍｍ幅の試験板の表面に２ｋｇの荷重のゴムローラを３往復させて試験片を貼合し、更に１時間放置して剥離時の荷重を求めた。剥離角度１８０度、引張速さ３００ｍｍ／ｍｉｎ、測定温度は２３℃である。
（プローブタック力）
　タッキング試験機（商品名：ＴＡＣＩＩ、レスカ製）を用いて、試験片の基材背面側（粘着剤塗工面と反対側）に、３ｍｍφ円柱状プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、停止荷重１００ｇで１ｓｅｃ保持後に６００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げる際の荷重を測定した。
（シーページ）
　表面の全面に亘って幅５０μｍ、深さ３０μｍの溝が５ｍｍ間隔で形成された直径８インチのシリコンウェハの、溝を形成した面にラミネータ（商品名：ＤＲ－８５００ＩＩ、日東電工（株）製）を用いて半導体加工用表面保護粘着テープを貼合した。この粘着テープが貼合されたウェハを、グラインダー（商品名：ＤＧＰ８７６０、（株）ディスコ製）で５０μｍまで裏面研削を行い、研削後のウェハ外周部から溝への切削水の浸入を調査し、目視により、以下のランクで評価した。
評価ランク
　Ａ：浸入が見られなかった。
　Ｂ：僅かに浸入が見られた。
　Ｃ：明らかに浸入が見られた。
（貼合時作業性）
　ラミネータによる貼合後、テープを巻き取る際に、粘着剤と接触する支持ロールに対するテープの引っかかり具合（剥離性）を以下のランクで評価した。
評価ランク
　Ａ：パスライン中に存在するいずれの支持ロールにもテープが引っかからず、問題無くテープを巻き取ることができる。
　Ｂ：テープが支持ロールに引っかかるが、当該支持ロールには巻き込まれずに、テープを巻き取ることができる。
　Ｃ：テープが支持ロールに引っかかって剥離せず、当該支持ロールにテープが巻き込まれてしまう。
（反り）
　上記研削において、８インチ径のシリコンベアウェハを５０μｍの厚さまで研削した際、半導体加工用表面保護粘着テープ付きのウェハが反ることにより発生した凸側を下にして、この粘着テープ付きのウェハを水平な台に静置した。該ウェハの両端の反りを測定し、その平均値をウェハの反りとし、以下のランクで評価した。
評価ランク
　Ａ：反りが２５ｍｍ未満。
　Ｂ：反りが２５ｍｍ以上３０ｍｍ未満。
　Ｃ：反りが３０ｍｍ以上。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１、２の結果から、粘着力とプローブタックの比Ｃが１０未満である比較例１～４はいずれもシーページまたは貼合時作業性に問題があるのに対し、本発明の表面保護用粘着テープは、いずれもシーページを防止し、良好な作業性を持っていることがわかる。
　本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。
　本願は、2012年5月23日に日本国で特許出願された特願2012-118040に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。

Claims (4)

  1. 　基材上に粘着剤層を有する半導体加工用表面保護粘着テープであって、
    　該粘着テープのプローブタック力Ｂが０．０８～０．２０（ＭＰａ）であり、且つ、該粘着テープの粘着力Ａ（Ｎ／２５ｍｍ）とプローブタック力Ｂ（ＭＰａ）との比Ｃ（Ａ／Ｂ）が１０（Ｎ／２５ｍｍ／ＭＰａ）以上である、半導体加工用表面保護粘着テープ。
  2. 　前記粘着力Ａが、０．９～２．０（Ｎ／２５ｍｍ）である、請求項１に記載の半導体加工用表面保護粘着テープ。
  3. 　前記粘着剤層の厚さが、１５～５５μｍである、請求項１または２に記載の半導体加工用表面保護粘着テープ。
  4. 　前記基材が、エチレン－酢酸ビニル共重合体から構成されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体加工用表面保護粘着テープ。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5778721B2 (ja) * 2013-07-19 2015-09-16 日東電工株式会社 熱剥離型粘着テープ及び電子部品の切断方法
KR102526293B1 (ko) * 2019-01-25 2023-04-26 주식회사 엘지화학 표면 보호 필름 및 이를 이용한 유기 발광 전자 장치 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008001838A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハの裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いた半導体ウェハの裏面研削方法
JP2011132354A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Hitachi Maxell Ltd 紫外線硬化型粘着フィルム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4054113B2 (ja) * 1998-06-25 2008-02-27 三井化学株式会社 半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの裏面研削方法
JP4707805B2 (ja) * 2000-08-08 2011-06-22 三井化学株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法
JP5137937B2 (ja) * 2009-12-16 2013-02-06 日東電工株式会社 半導体装置製造用耐熱性粘着シート、該シートに用いる粘着剤、及び該シートを用いた半導体装置の製造方法
CN102337087B (zh) * 2010-07-20 2013-11-06 麦建进 保护膜

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008001838A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハの裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いた半導体ウェハの裏面研削方法
JP2011132354A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Hitachi Maxell Ltd 紫外線硬化型粘着フィルム

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