TWI680517B - 半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方法、以及電子零件製造用膜及電子零件的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可通用地進行伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟的半導體零件製造用膜，半導體零件的製造方法，半導體零件及評價方法。即，半導體零件製造用膜1具備基層11及設於其一面側的黏著材層12，基層11的160℃下的彈性係數E'(160)與-40℃下的彈性係數E'(-40)之比RE(=E'(160)/E'(-40))為RE≧0.01並且E'(-40)為10MPa以上且小於1000MPa。

Description

半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方 法、以及電子零件製造用膜及電子零件的製造方法
本發明是有關於一種半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方法、以及電子零件製造用膜及電子零件的製造方法。更詳細而言，本發明是有關於一種於由半導體晶圓來製造半導體零件時貼附於半導體晶圓的背面上而利用的半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方法、以及於由陣列狀電子零件來製造電子零件時貼附於陣列狀電子零件的背面上而利用的電子零件製造用膜及電子零件的製造方法。
近年來，利用以下方法：將形成有電路的晶圓分割後，對所得的半導體零件進行評價(檢查)，僅將評價合格的半導體零件再配置於載體上，其後利用密封劑以陣列狀密封，藉此一起製造半導體零件，實現高良率。將此類型的製造方法揭示於下述專利文獻1(參照圖3A~圖3E、[0028]及[0029])中。
另外，關於將形成有電路的晶圓分割時可利用的黏著膜，揭示有下述專利文獻2。進而，關於密封時可利用的黏著膜，揭示有下述專利文獻3。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-287235號公報
[專利文獻2]日本專利特開2007-005436號公報
[專利文獻3]日本專利特開2010-278065號公報
於所述專利文獻1中記載有如下概要：於可剝離的膠帶的接著部上，以彼此具有充分間隙的方式配置經初期階段的評價的優異的晶粒(die)(將晶圓分割所得的半導體零件)。然而，關於具體利用何種基材可實現該情況則並未提及。所述方法中，關於「可剝離的膠帶」，可利用所述專利文獻3中揭示的黏著膜。
另一方面，在此以前的步驟例如可按以下順序進行：(1)將半導體晶圓(分割前)載置於專用托盤上，以晶圓形態進行評價後，於經評價的晶圓背面(非電路面)上貼附所述專利文獻2中揭示的黏著膜，其後將晶圓分割(切割)而製成半導體零件，自黏著膜拾取半導體零件後，僅將評價合格的半導體零件再配置於專利文獻3中揭示的黏著膜上。
另外，所述步驟例如可按以下順序進行：(2)於評價前的半導體晶圓(分割前)的背面(非電路面)上貼附所述專利文獻2中揭示的黏著膜，其後將半導體晶圓分割(切割)而製成半導體零件，自黏著膜拾取半導體零件後，將半導體零件再配置於專用托盤上進行評價後，僅將評價合格的半導體零件再配置於專利文獻3中揭示的黏著膜上。
總之，於所述(1)及(2)的順序中有必須進行於多種黏著膜間換貼半導體零件的作業等課題。
進而，所述檢查中，有時實施動作評價，或進行熱應力的負荷而實施加速評價，其中所述動作評價是對半導體晶圓或半導體零件是否於經加溫或冷卻的環境下正常運作進行評價。即，半導體零件是於一個半導體晶圓上非常多地形成後加以分割而製成半導體零件。關於該半導體零件，已知若測定其故障率則成為被稱為所謂浴缸曲線(bathtub curve)的曲線，實際運作而早期產生的「初期故障」的比例相對較高。因此利用以下方法：不將初期故障令人擔心的半導體零件帶入至後續步驟中，而於更前階段的步驟中加以排除，由此提高最終製品的良率。
而且如上文所述，有時於評價時實施加熱或冷卻。即，有時於經維持於低溫的狀態下進行電性評價，或於經維持於高溫的狀態下進行電性評價，或進而於低溫與高溫此兩種環境下進行評價。因此，就不將不良品帶入至後續步驟中而使後續步驟中的不良率降低等觀點而言，較佳為於更後的步驟中進行評價，但另一方面，因插入評價步驟而導致工數反而增加，生產性降低，這一情況亦令人擔心。
就此種平衡而言，謀求可提供不依存於黏著膜的性能而可自如地選擇適於各製品的步驟順序的自由度的黏著膜。即，謀求即便於評價步驟中暴露於大幅度的溫度變化下，亦可於分割(切割)及拾取時完成該些作業的黏著膜。即，謀求可於同一膜上進行評 價、分割及拾取各步驟的黏著膜。
本發明是鑒於所述課題而成，其目的在於提供一種可通用地進行伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟的半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方法，以及可通用地進行伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟的電子零件製造用膜及電子零件的製造方法。
本發明中包括以下事項。
[1]一種半導體零件製造用膜，其是用於半導體零件的製造方法中，並且所述半導體零件製造用膜具備基層、及設於所述基層的一面側的黏著材層，所述基層的160℃下的彈性係數E'(160)與-40℃下的彈性係數E'(-40)之比RE(=E'(160)/E'(-40))為RE≧0.01，並且E'(-40)為10MPa以上且小於1000MPa。
[2]如[1]所記載的半導體零件製造用膜，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體及/或熱塑性聚醯胺系彈性體。
[3]如[1]所記載的半導體零件製造用膜，其中所述基層的厚度為50μm以上且200μm以下。
[4]如[1]所記載的半導體零件製造用膜，其中所述黏著材層的厚度為1μm以上且40μm以下。
[5]如[1]所記載的半導體零件製造用膜，其中所述黏著材層 的依據JIS Z0237所測定的黏著力為0.1N/25mm~10N/25mm。
[6]如[1]所記載的半導體零件製造用膜，其中所述半導體零件的製造方法包括：分割步驟，於在形成有電路的半導體晶圓的背面上貼附有所述黏著材層的狀態下，將所述半導體晶圓分割而獲得半導體零件；及拾取步驟，將所述半導體零件自所述黏著材層分離；並且於所述拾取步驟之前，包括於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行所述半導體晶圓或所述半導體零件的評價的評價步驟。
[7]一種半導體零件的製造方法，包括：分割步驟，於在形成有電路的半導體晶圓的背面上貼附有半導體零件製造用膜的黏著材層的狀態下，將所述半導體晶圓分割而獲得半導體零件；及拾取步驟，將所述半導體零件自所述黏著材層分離；並且於所述拾取步驟之前，包括於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行所述半導體晶圓或所述半導體零件的評價的評價步驟，所述半導體零件製造用膜具有基層、及設於所述基層的一面側的所述黏著材層，所述基層的160℃下的彈性係數E'(160)與-40℃下的彈性係數E'(-40)之比RE(=E'(160)/E'(-40))為RE≧0.01，並且E'(-40)為10MPa以上且小於1000MPa。
[8]如[7]所記載的半導體零件的製造方法，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體及/或熱塑性聚醯胺系彈性體。
[9]如[7]所記載的半導體零件的製造方法，其中所述基層的厚度為50μm以上且200μm以下。
[10]如[7]所記載的半導體零件的製造方法，其中所述黏著材層的厚度為1μm以上且40μm以下。
[11]如[7]所記載的半導體零件的製造方法，其中所述黏著材層的依據JIS Z0237所測定的黏著力為0.1N/25mm~10N/25mm。
[12]一種電子零件製造用膜，其是用於電子零件的製造方法中，並且所述電子零件製造用膜具備基層、及設於所述基層的一面側的黏著材層，所述基層的160℃下的彈性係數E'(160)與-40℃下的彈性係數E'(-40)之比RE(=E'(160)/E'(-40))為RE≧0.01，並且E'(-40)為10MPa以上且小於1000MPa。
[13]如[12]所記載的電子零件製造用膜，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體及/或熱塑性聚醯胺系彈性體。
[14]如[12]所記載的電子零件製造用膜，其中所述基層的厚度為50μm以上且200μm以下。
[15]如[12]所記載的電子零件製造用膜，其中所述黏著材層的厚度為1μm以上且40μm以下。
[16]如[12]所記載的電子零件製造用膜，其中所述黏著材層的依據JIS Z0237所測定的黏著力為0.1N/25mm~10N/25mm。
[17]如[12]所記載的電子零件製造用膜，其中所述電子零件 的製造方法包括：分割步驟，於在將半導體零件以陣列狀密封而成的陣列狀電子零件的背面上貼附有所述黏著材層的狀態下，將所述陣列狀電子零件分割而獲得電子零件；及拾取步驟，將所述電子零件自所述黏著材層分離；並且於所述拾取步驟之前，包括於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行所述陣列狀電子零件或所述電子零件的評價的評價步驟。
[18]一種電子零件的製造方法，包括：分割步驟，於在將半導體零件以陣列狀密封而成的陣列狀電子零件的背面上貼附有零件製造用膜的黏著材層的狀態下，將所述陣列狀電子零件分割而獲得電子零件；及拾取步驟，將所述電子零件自所述黏著材層分離；並且於所述拾取步驟之前，包括於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行所述陣列狀電子零件或所述電子零件的評價的評價步驟；所述電子零件製造用膜具有基層、及設於所述基層的一面側的所述黏著材層，所述基層的160℃下的彈性係數E'(160)與-40℃下的彈性係數E'(-40)之比RE(=E'(160)/E'(-40))為RE≧0.01，並且E'(-40)為10MPa以上且小於1000MPa。
[19]如[18]所記載的電子零件的製造方法，其中所述基層含 有熱塑性聚酯系彈性體及/或熱塑性聚醯胺系彈性體。
[20]如[18]所記載的電子零件的製造方法，其中所述基層的厚度為50μm以上且200μm以下。
[21]如[18]所記載的電子零件的製造方法，其中所述黏著材層的厚度為1μm以上且40μm以下。
[22]如[18]所記載的電子零件的製造方法，其中所述黏著材層的依據JIS Z0237所測定的黏著力為0.1N/25mm~10N/25mm。
根據本發明的半導體零件製造用膜，可通用地進行伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟。因此，可進行生產性優異的半導體零件的製造。
根據本發明的半導體零件的製造方法，可利用在伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟中通用的半導體零件製造用膜，故生產性優異。
根據本發明的電子零件製造用膜，可通用地進行伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟。因此，可進行生產性優異的電子零件的製造。
根據本發明的電子零件的製造方法，可利用在伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟中通用的電子零件製造用膜，故生產性優異。
1‧‧‧半導體零件製造用膜(電子零件製造用膜)
7‧‧‧框體
7a‧‧‧一面
8‧‧‧探針卡
11‧‧‧基層
12‧‧‧黏著材層
12a‧‧‧表面(於開口部71中露出的黏著材層12的表面)
15‧‧‧保護構件
20‧‧‧半導體晶圓
21、21'‧‧‧半導體零件
30‧‧‧密封劑
40‧‧‧外部電路
50‧‧‧陣列狀電子零件
51、51'‧‧‧電子零件
71‧‧‧開口部
81‧‧‧探針
91‧‧‧制動器
92‧‧‧頂起構件
93‧‧‧拾取器具
R1‧‧‧保護構件形成步驟
R2‧‧‧貼附步驟
R3‧‧‧評價步驟(半導體晶圓評價步驟、陣列狀電子零件評價步驟)
R4‧‧‧分割步驟
R5‧‧‧評價步驟(半導體零件評價步驟、電子零件評價步驟)
R6‧‧‧零件分離步驟
R7‧‧‧拾取步驟
圖1為對本半導體零件製造用膜的一例的剖面進行說明的說明圖。
圖2為對本半導體零件的製造方法的保護構件形成步驟進行說明的說明圖。
圖3為對本半導體零件的製造方法的貼附步驟進行說明的說明圖。
圖4為對本半導體零件的製造方法的評價步驟進行說明的說明圖。
圖5為對本半導體零件的製造方法的分割步驟進行說明的說明圖。
圖6為對本半導體零件的製造方法的評價步驟進行說明的說明圖。
圖7為對本半導體零件的製造方法的零件分離步驟進行說明的說明圖。
圖8為對本半導體零件的製造方法的拾取步驟進行說明的說明圖。
圖9為對本電子零件的製造方法的評價步驟進行說明的說明圖。
圖10為對本電子零件的製造方法的分割步驟進行說明的說明圖。
圖11為對本電子零件的製造方法的評價步驟進行說明的說明圖。
圖12為對本電子零件的製造方法的零件分離步驟進行說明的說明圖。
圖13為對本電子零件的製造方法的拾取步驟進行說明的說明圖。
以下，一面參照圖一面對本發明進行說明。此處所示的事項為例示事項及用以對本發明的實施形態進行例示說明的事項，其闡述目的在於提供可最有效且容易地理解本發明的原理及概念性特徵的說明。就此方面而言，其為從根本上理解本發明所必需的說明，而非意指於某種程度以上示出本發明的詳細結構，本領域技術人員明知如何根據與圖式一併示出的說明而實際實現本發明的若干形態。
[1]半導體零件製造用膜
本發明的半導體零件製造用膜1是用於半導體零件的製造方法中的膜。該半導體零件製造用膜1具備基層11及黏著材層12(參照圖1)。黏著材層12只要設於基層11的至少一面側即可，視需要亦可設置於基層11的一面側及另一面側這兩者。另外，基層11與黏著材層12可直接接觸，亦可介隔其他層。
(1)基層
基層11的160℃下的彈性係數E'(160)與-40℃下的彈性係數E'(-40)之比RE(=E'(160)/E'(-40))為RE≧0.01，並且E'(-40)為10MPa以上且小於1000MPa。
此處，「E'(160)」表示基層11的160℃下的拉伸彈性係數，「E'(-40)」表示基層11的-40℃下的拉伸彈性係數。進而，比RE表示E'(160)相對於E'(-40)之比例{E'(160)/E'(-40)}。
因此，比RE為RE≧0.01表示基層11的160℃下的拉伸彈性係數為基層11的-40℃下的拉伸彈性係數的1%以上。該RE只要為RE≧0.01即可，較佳為0.01≦RE≦0.5，更佳為0.01≦RE≦0.3，尤佳為0.02≦RE≦0.2。
於本發明的半導體零件製造用膜1中，基層11為RE≧0.01，由此於製造半導體零件時，即便進行於-40℃以上且0℃以下的低溫、及/或100℃以上且160℃以下的高溫的各溫度範圍內進行半導體晶圓或半導體零件的評價的評價步驟，於此後的拾取步驟中半導體零件製造用膜1亦可維持必要的柔軟性。因此，可於伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟中通用地利用本半導體零件製造用膜1，無需依各步驟而換貼於專用的黏著膜上，半導體零件的生產性優異。
此外，亦可於貼附有本半導體零件製造用膜1的狀態下進行所述評價步驟與分割步驟的任一步驟，故亦可先進行該些任一步驟，與利用專用的黏著膜或托盤等的情形相比可提高步驟的自由度。
另外，E'(-40)為10MPa≦E'(-40)<1000MPa。本發明的半導體零件製造用膜1藉由基層11為10MPa≦E'(-40)<1000MPa，可於低溫環境下維持半導體零件製造用膜的柔軟性。
例如，零件製造用膜1有時是如後述般以伴有框體(環狀框架等)7的保護構件15的形式而操作。而且，於評價步驟(參照圖4的R3、圖6的R5、圖9的R3、圖11的R5)中，於使背面貼附在經保護構件15固定的零件製造用膜1的黏著材層12上的狀態下，將被評價物(半導體晶圓20、半導體零件21、陣列狀電子零件50、電子零件51)供於評價。於該評價時，為了避免探針卡8等測定設備側的各部與框體7的接觸，可將真空吸盤台(chuck table)(未圖示)或制動器91等夾具配置於框體7的內側，將框體7向下方壓下(例如0.5mm~15mm)，使框體7遠離探針卡8等測定設備。於此情形時，若使框體7向下方移動，則貼附於框體7的零件製造用膜1於開口部71內伸張，故零件製造用膜1需要可追隨於該動作的柔軟性。然而如後述，評價是於低溫下進行，但基層11的低溫下的拉伸彈性係數E'必定大於高溫下的拉伸彈性係數E'，故重要的是維持低溫的柔軟性。如此，對於要求經過評價步驟的零件製造用膜1而言，必須可維持低溫環境下的柔軟性。然而，容易獲得高溫下的耐熱性的材料通常為高溫拉伸彈性係數高的材料，故此種材料的拉伸彈性係數於低溫下變得更高，故難以耐受所述狀況。就此方面而言，基層11的比RE為RE≧0.01、且E'(-40)為10MPa≦E'(-40)<1000MPa的零件製造用膜1可充分滿足所述要求。
該E'(-40)較佳為10MPa≦E'(-40)<1000MPa，進而佳為150MPa≦E'(-40)≦900MPa，更佳為200MPa≦E'(-40)≦ 800MPa，尤佳為250MPa≦E'(-40)≦700MPa。另外，E'(-40)的值較佳為於基層11的縱向(Machine Direction，MD)方向及橫向(Transverse Direction，TD)方向此兩方向上為所述範圍。
E'(160)為1MPa≦E'(160)≦100MPa。本發明的半導體零件製造用膜1藉由基層11為1MPa≦E'(160)≦100MPa，可防止高溫環境下的半導體零件製造用膜的熔融，並且保持膜的形狀。
該E'(160)只要為0.1MPa≦E'(160)≦10MPa即可，較佳為2MPa≦E'(160)≦80MPa，更佳為3MPa≦E'(160)≦60MPa，尤佳為4MPa≦E'(160)≦40MPa。另外，E'(160)的值較佳為於基層11的MD方向及TD方向此兩方向上為所述範圍。
與基層11有關的各彈性係數E'是藉由動態黏彈性測定裝置(Dynamic Mechanical Analysis，DMA)來測定。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10mm、夾具間的長度20mm，根據於頻率1Hz、升溫速度5℃/min的測定條件下自-50℃至200℃進行測定所得的資料來讀取各溫度的資料，由此獲得彈性係數E'。即，將-40℃下的值作為拉伸彈性係數E'(-40)，將160℃下的值作為拉伸彈性係數E'(160)。
另外，基層11的厚度並無特別限定，較佳為50μm以上且200μm以下，更佳為65μm以上且175μm以下，尤佳為80μm以上且150μm以下。
另外，不論基層11有無延伸均可。
基層11只要可支撐黏著材層12、且具有所述比RE及E'(-40)即可，其材質並無特別限定。構成基層11的材料較佳為樹脂。
另外，樹脂中，就達成所述比RE及E'(-40)等觀點而言，較佳為具有彈性體性的樹脂。具有彈性體性的樹脂可列舉熱塑性彈性體及矽酮等。該些樹脂可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些樹脂中，較佳為具有熱塑性，較佳為熱塑性彈性體。
於含有熱塑性彈性體的情形時，關於其比例，相對於構成基層11的樹脂總體，例如可設為30質量%以上且100質量%以下。即，構成基層11的樹脂可僅包含熱塑性彈性體。熱塑性彈性體的比例進而較佳為50質量%以上且100質量%以下，更佳為70質量%以上且100質量%以下。
熱塑性彈性體可包含具有硬段(hard segment)及軟段(soft segment)的嵌段共聚物，亦可包含硬質聚合物(hard polymer)與軟質聚合物(soft polymer)的聚合物合金(polymer alloy)，亦可具有該些兩者的特性。基層11的各彈性係數E'的值可藉由調整構成基層11的該些成分而控制。即，可藉由調整樹脂種類、含有多種樹脂的情形時的該些樹脂的比例、構成樹脂的聚合物的分子結構(硬段及軟段的比例)而控制。
熱塑性彈性體可列舉：聚酯系熱塑性彈性體(熱塑聚酯彈性體)、聚醯胺系熱塑性彈性體(熱塑聚醯胺彈性體)、苯乙烯系熱塑性彈性體(熱塑苯乙烯彈性體)、烯烴系熱塑性彈性體(熱 塑聚烯烴彈性體)、氯乙烯系熱塑性彈性體(熱塑氯乙烯彈性體)、聚醯亞胺系熱塑性彈性體{熱塑聚醯亞胺彈性體、聚醯亞胺酯系熱塑性彈性體(熱塑聚醯亞胺酯彈性體)、聚醯亞胺-胺基甲酸酯系熱塑性彈性體(熱塑聚醯亞胺-胺基甲酸酯彈性體)等}、聚胺基甲酸酯系熱塑彈性體(熱塑聚胺基甲酸酯彈性體)等。該些熱塑性彈性體可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
該些熱塑性彈性體中，較佳為聚酯系熱塑性彈性體、聚醯胺系熱塑性彈性體、聚醯亞胺系熱塑性彈性體，進而尤佳為聚酯系熱塑性彈性體及/或聚醯胺系熱塑性彈性體。
聚酯系熱塑性彈性體除了以聚酯成分作為硬段以外，可為任意構成。軟段可利用聚酯、聚醚及聚醚酯等。該些成分可僅使用一種，亦可併用兩種以上。即，例如構成硬段的聚酯成分可含有來源於對苯二甲酸二甲酯等單體的構成單元。另一方面，構成軟段的成分可含有來源於1,4-丁二醇及聚(氧基四亞甲基)二醇等單體的構成單元。
更具體可列舉PBT-PE-PBT型聚酯系熱塑性彈性體等。另外，所述「PBT-PE-PBT」的記載中的PBT是指聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate)，PE是指聚醚(polyether)。
聚酯系熱塑性彈性體具體可列舉：三菱化學股份有限公司製造的「普利馬羅(Primalloy)(商品名)」、東麗杜邦(Toray-Dupont)公司製造的「海特萊爾(Hytrel)(商品名)」、東洋紡績股份有限公司製造的「派爾普蘭(Pelprene)(商品名)」、 理研科技(Riken technos)股份有限公司製造的「海帕羅伊愛可提瑪(Hyper Alloy Actymer)(商品名)」等。該些聚酯系熱塑性彈性體可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
聚醯胺系熱塑性彈性體除了以聚醯胺成分作為硬段以外，可為任意構成。軟段可利用聚酯、聚醚及聚醚酯等。該些成分可僅使用一種，亦可併用兩種以上。即，例如構成硬段的聚醯胺成分可列舉聚醯胺6、聚醯胺11及聚醯胺12等。該些聚醯胺成分可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些聚醯胺成分中可利用各種內醯胺等作為單體。另一方面，構成軟段的成分可含有來源於二羧酸等單體或聚醚多元醇的構成單元。其中，聚醚多元醇較佳為聚醚二醇，例如可列舉聚(四亞甲基)二醇、聚(氧伸丙基)二醇等。該些聚醚多元醇可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
更具體可列舉：聚醚醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體、聚酯醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體、聚醚酯醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體等。
聚醯胺系熱塑性彈性體具體可列舉：阿科瑪(Arkema)股份有限公司製造的「派巴克斯(Pebax)(商品名)」、大賽璐贏創(Daicel-Evonik)股份有限公司製造的「帶阿米德(Diamide)(商品名)」、大賽璐贏創(Daicel-Evonik)股份有限公司製造的「貝斯塔米德(Vestamid)(商品名)」、宇部興產股份有限公司製造的「優貝斯達(UBESTA)XPA(商品名)」等。該些聚醯胺系熱塑性彈性體可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
另外，於基層11含有熱塑性彈性體以外的樹脂的情形時，此種樹脂可列舉聚酯、聚醯胺、聚碳酸酯、丙烯酸系樹脂等。該些樹脂可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些樹脂中，較佳為聚酯及/或聚醯胺，具體可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯等聚酯，尼龍6、尼龍12等聚醯胺。另外，於含有熱塑性彈性體以外的樹脂(例如1質量%以上)的情形時，若將熱塑性彈性體與除此以外的其他樹脂的合計設為100質量%，則其他樹脂的比例較佳為小於50質量%，更佳為小於30質量%。
進而，基層11可於構成其的樹脂中含有塑化劑及軟化劑(礦物油等)、填充劑(碳酸鹽、硫酸鹽、鈦酸鹽、矽酸鹽、氧化物(氧化鈦、氧化鎂)、二氧化矽、滑石、雲母、黏土、纖維填料等)、抗氧化劑、光穩定劑、抗靜電劑、潤滑劑、著色劑等各種添加劑。該些添加劑可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
(2)黏著材層
黏著材層12為藉由黏著材所形成的層，可僅於基層11的一面或於基層11的兩面上具備。該黏著材層12可與基層11直接接觸而設置，亦可介隔其他層而設置。
黏著材層12的黏著力並無特別限定，較佳為貼附於矽晶圓的表面上並放置60分鐘後，自矽晶圓的表面剝離時的依據JIS Z0237所測定的對矽晶圓的黏著力(於溫度23℃、相對濕度50%的環境下測定)為0.1N/25mm~10N/25mm。於黏著力為所述範 圍的情形時，可確保與半導體零件的良好的接著性，並且抑制將密封後的電子零件剝離時的殘糊。該黏著力進而更佳為0.2N/25mm以上且9N/25mm以下，進而佳為0.3N/25mm以上且8N/25mm以下。
另外，黏著材層12的厚度(基層11的一面側的厚度)並無特別限定，較佳為1μm以上且40μm以下，更佳為2μm以上且35μm以下，尤佳為3μm以上且25μm以下。
黏著材只要具有所述特性即可，可使用任意材料。通常至少含有黏著主劑。黏著主劑可列舉丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑等。該些黏著主劑可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些黏著主劑中，較佳為丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系黏著劑可列舉丙烯酸酯化合物的均聚物、丙烯酸酯化合物與共單體的共聚物等。該些丙烯酸系黏著劑可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
另外，丙烯酸酯化合物可列舉：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯及丙烯酸-2-乙基己酯等。該些丙烯酸酯化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
進而，共單體可列舉：乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸、甲基丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、馬來酸酐等。
進而，黏著材除了黏著主劑以外，可含有交聯劑。交聯 劑可列舉：環氧系交聯劑(季戊四醇聚縮水甘油醚等)、異氰酸酯系交聯劑(二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等)。該些交聯劑可僅使用一種，亦可併用兩種以上。於黏著材中含有交聯劑的情形時，將黏著材總體設為100質量份，交聯劑的含量較佳為設為10質量份以下。另外，黏著材層的黏著力可藉由交聯劑的含量而調整。具體可利用日本專利特開2004-115591號公報中記載的方法。
另外，黏著劑可為藉由能量線而硬化的能量線硬化型黏著材，亦可為不藉由能量線硬化的能量非硬化型黏著材，進而亦可為藉由能量線而發泡的能量發泡型黏著材。
其中，於為能量線硬化型黏著材的情形時，藉由對黏著材進行能量線照射，可使黏著材硬化而使其黏著力降低。因此，於使所得的電子零件與半導體零件製造用膜分離時，可更可靠地防止對電子零件的殘糊。
能量線硬化型黏著材可藉由任何能量線而硬化。能量線可列舉紫外線、電子束、紅外線等。該些能量線可僅使用一種，亦可併用兩種以上。具體可列舉藉由紫外線而硬化的紫外線硬化型黏著劑。
於為能量線硬化型黏著材的情形時，黏著材除了所述黏著主劑以外，可含有於分子內具有碳-碳雙鍵的化合物(以下簡稱為「硬化性化合物」)、及可對能量線發生反應而引發硬化性化合 物的聚合的光聚合起始劑。該硬化性化合物較佳為於分子中具有碳-碳雙鍵且可藉由自由基聚合而硬化的單體、寡聚物及/或聚合物。具體而言，硬化性化合物可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。該些硬化性化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。於黏著材中含有硬化性化合物的情形時，相對於黏著材100質量份，硬化性化合物的含量較佳為0.1質量份~20質量份。
另外，分子內的碳-碳雙鍵亦可藉由於分子內具有所述黏著主劑而含有。即，例如黏著主劑可設定為於側鏈上具有碳-碳雙鍵的能量線硬化型聚合物等。於如此般黏著主劑於分子內具有硬化性結構的情形時，可調配所述硬化性化合物亦可不調配。
另一方面，光聚合起始劑較佳為可藉由能量線的照射而生成自由基的化合物。具體可列舉：苯乙酮系光聚合起始劑{甲氧基苯乙酮等}、α-酮醇化合物{4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基環己基苯基酮等}、縮酮系化合物{苯偶醯二甲基縮酮等}、安息香系光聚合起始劑{安息香、安息香烷基醚類(安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚)等}、二苯甲酮系光聚合起始劑{二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸等}、芳香族縮酮類{苯偶醯二甲基縮酮等}等。該些化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。於黏著材中含有光聚合起始劑的情形時，相對於黏著材100 質量份，光聚合起始劑的含量較佳為設為5質量份~15質量份。
(3)其他層
本發明的半導體零件製造用膜1可僅包含基層11及黏著材層12，但可具備其他層。其他層可列舉：可吸收貼附面的凹凸形狀而使膜面平滑的凹凸吸收層、提昇與黏著材的界面強度的界面強度提昇層、抑制低分子量成分自基材向黏著面轉移的防轉移層等。該些層可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
(4)半導體零件製造用膜的製造
本發明的半導體零件製造用膜可利用任意方法製造，該方法並無特別限定。具體可藉由共擠出法、擠出層壓法、接著層壓法、塗佈法等方法來製造。其中，共擠出法為藉由共擠出將成為基層11的熔融樹脂與成為黏著材層12的熔融樹脂積層而製造半導體零件製造用膜的方法。
另外，擠出層壓法為於基層11上藉由擠出而積層成為黏著材層12的熔融樹脂，製造半導體零件製造用膜的方法。
進而，塗佈法為於基層11上藉由塗佈或塗敷而積層成為黏著材層12的熔融樹脂，製造半導體零件製造用膜的方法。於使用能量線硬化型黏著材作為構成黏著材層12的黏著材的情形時，較佳為使用該塗佈法。
另外，接著層壓法為經由熱壓接、接著劑、熱熔等將基層11與黏著材層12積層而製造半導體零件製造用膜的方法。
該些方法可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
[2]半導體零件的製造方法
本發明的半導體零件製造用膜1是用於半導體零件的製造方法中。該半導體零件的製造方法包括分割步驟R4(參照圖5)及拾取步驟R7(參照圖8)，並且於拾取步驟R7之前包括評價步驟R3(參照圖4)及/或評價步驟R5(參照圖6)。
其中，於分割步驟R4(參照圖5)的前步驟中通常設有貼附步驟R2(參照圖3)。貼附步驟R2(參照圖3)為於形成有電路的半導體晶圓的背面上貼附半導體零件製造用膜1的黏著材層12的步驟。通常，半導體零件製造用膜1是以覆蓋具有開口部71的框體7的開口部71的方式於框體7的一面7a上貼附半導體零件製造用膜1的黏著材層12(保護構件形成步驟R1，參照圖2)，以保護構件15的形式利用。而且，貼附步驟R2(參照圖3)為於保護構件15的框體7的開口部71中露出的黏著材層12的表面12a上貼附半導體晶圓20的步驟，但該些保護構件形成步驟R1(參照圖2)與貼附步驟R2(參照圖3)是同時進行。另外，理所當然，保護構件形成步驟R1(參照圖2)與貼附步驟R2(參照圖3)視需要亦可分別進行。
半導體晶圓20只要為可較佳地貼附於本半導體零件製造用膜1的半導體晶圓即可，其種類並無限定，例如可列舉：矽基板、藍寶石基板、鍺基板、鍺-砷基板、鎵-磷基板、鎵-砷-鋁基板等。其中，所謂使用藍寶石基板的半導體晶圓，可列舉於藍寶石基板上積層有半導體層(GaN等)的半導體晶圓。於該些半導 體晶圓的表面上通常形成有電路。該電路可列舉配線、電容器、二極體及電晶體等。該些電路可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
分割步驟R4(參照圖5)為將於背面上貼附有半導體零件製造用膜1的半導體晶圓分割(切割)而獲得半導體零件21的步驟。該分割步驟R4可使用公知的方法適當進行。另外，關於分割，能以於一個半導體零件21內含有至少一個半導體電路區域的方式分割，亦能以於一個半導體零件21內含有兩個以上的半導體電路區域的方式分割。
拾取步驟R7(參照圖8)為將經分割的半導體零件自半導體零件製造用膜1的黏著材層12分離的步驟。拾取步驟R7可使用公知的方法適當進行，例如可如圖8所例示，自半導體零件製造用膜1的基層11之側，藉由頂起構件92將作為拾取對象的半導體零件21'頂起，藉由拾取器具93利用吸附等方法來拾取該被頂起的半導體零件21。
評價步驟為於拾取步驟之前，於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行半導體晶圓或半導體零件的評價的步驟。即，該評價步驟中，包括於分割步驟之前且拾取步驟之前於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行半導體晶圓的評價的評價步驟R3(參照圖4)、與於分割步驟之後且拾取步驟之前於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行半導體零件的評價的評價步驟R5(參照圖6)。評價步驟R3及評價步驟R5視需要可僅進行任一者，亦可進行該些兩者。
另外，所謂半導體晶圓20或半導體零件21的評價，具體而言包括下述(1)半導體晶圓評價、及下述(2)半導體零件評價。其中，(1)半導體晶圓評價是利用探針進行以下評價，即，於半導體晶圓的狀態下，形成於半導體晶圓上的多個電路(與各半導體零件的電路相對應)的電氣特性於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內是否為所需的特性。另一方面，(2)半導體零件評價是利用探針進行以下評價，即，於將半導體晶圓分割並將多個半導體零件以陣列狀排列的狀態下，該些半導體零件的電氣特性於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內是否為所需的特性。
該些各評價中，包括以確認所述各溫度範圍內的動作為目的之評價、或以所述各溫度範圍內的加速耐久試驗為目的之評價(例如預燒測試(burn-in test))。
於所述評價步驟中進行評價步驟R3(參照圖4)的情形、即於分割步驟之前且拾取步驟之前進行評價的情形(對半導體晶圓20進行評價的情形)時，例如使形成有多個探針81的探針卡8與半導體晶圓20的既定的對應部位接觸並進行電性連接，判定探針81與形成於半導體晶圓20上的電路之間交換的信號正確與否(探針測試)，由此進行評價(參照圖4)。另外，此時於如上文所述般於保護構件15的框體7上固定半導體零件製造用膜1，於將半導體晶圓20的背面貼附於其黏著材層12的狀態下將半導體晶圓20供於評價的情形時，為了避免探針卡8等測定設備側的各部與框體7的接觸，可將真空吸盤台(未圖示)或制動器91 等夾具配置於框體7的內側，將框體7向下方壓下(例如0.5mm~15mm)，使框體7遠離探針卡8等測定設備。
另一方面，於所述評價步驟中進行評價步驟R5(參照圖6)的情形、即於分割步驟之後且拾取步驟之前進行評價的情形(對半導體零件21進行評價的情形)時，例如使形成有多個探針81的探針卡8與半導體零件21各自的既定的對應部位接觸並進行電性連接，判定探針81與形成於半導體零件21上的電路之間交換的信號正確與否(探針測試)，由此進行評價(參照圖6)。該情形時亦同樣地，於在保護構件15的框體7上固定半導體零件製造用膜1，於將半導體零件21的背面貼附於其黏著材層12的狀態下將半導體零件21供於評價的情形時，為了避免探針卡8等測定設備側的各部與框體7的接觸，可將真空吸盤台(未圖示)或制動器91等夾具配置於框體7的內側，將框體7向下方壓下(例如0.5mm~15mm)，使框體7遠離探針卡8等測定設備。
該些評價只要於0℃以下及/或100℃以上的溫度範圍內進行，則並無特別限定，除了如上所述般使探針接觸而進行的電性評價(探針測試)以外，亦可包括非接觸的光學式的評價。
另外，關於評價溫度範圍，低溫側只要為0℃以下即可，另外，高溫側只要為100℃以上即可。尤其，本半導體零件製造用膜1即便於低溫側於-80℃以上且0℃以下(進而-60℃以上且-10℃以下、尤其-40℃以上且-10℃以下)進行評價步驟，半導體零件製造用膜1亦可於評價步驟中維持必要的柔軟性。進而，亦不妨礙拾 取步驟R7(參照圖8)。即，於拾取步驟R7(參照圖8)中利用頂起構件92頂起時，半導體零件製造用膜1亦維持柔軟性，可於不使半導體零件製造用膜1破裂的情況下頂起。尤其於拾取步驟R7(參照圖8)之前包括零件分離步驟R6(參照圖7)的情形時，成為半導體零件製造用膜1更易破裂的狀況，但藉由利用上文所述的半導體零件製造用膜1，可防止破裂而順利地進行拾取。
進而，即便於高溫側於100℃以上且170℃以下(進而110℃以上且170℃以下、尤其120℃以上且160℃以下)進行評價步驟，半導體零件製造用膜1亦可於評價步驟中維持必要的柔軟性。進而，不會妨礙拾取步驟R7(參照圖8)。即，於拾取步驟R7(參照圖8)中利用頂起構件92頂起時，半導體零件製造用膜1亦維持柔軟性，可於不使半導體零件製造用膜1破裂的情況下頂起。尤其於拾取步驟R7(參照圖8)之前包括零件分離步驟R6(參照圖7)的情形時，成為半導體零件製造用膜1更易破裂的狀況，但藉由利用上文所述的半導體零件製造用膜1，可防止破裂而順利地進行拾取。
進而，關於該些評價，可僅於低溫側及高溫側的任一溫度範圍內進行評價，但本半導體零件製造用膜1即便進行該些兩者，亦可不妨礙拾取步驟R7(參照圖8)。
所述製造方法中，除了貼附步驟R2(參照圖3)、評價步驟R3(參照圖4)、分割步驟R4(參照圖5)、評價步驟R5(參照圖6)、拾取步驟R7(參照圖8)以外亦可包括其他步驟。
其他步驟可列舉保護構件形成步驟R1(參照圖2)及零件分離步驟R6(圖7)。
其中，保護構件形成步驟R1(參照圖2)為以覆蓋具有開口部71的框體7的開口部71的方式於框體7的一面7a上貼附半導體零件製造用膜1的黏著材層12的步驟。
框體7例如可使用環狀框架。框體7的概形並無限定，可適當設定為必要形狀。例如可採用圓形或四邊形等。同樣地，開口部71的概形亦無限定，可適當設定為必要形狀，例如可採用圓形或四邊形等。構成框體7的材質亦無限定，例如可使用樹脂及/或金屬等。
另外，以覆蓋框體7的開口部71的方式於框體7的一面7a上貼附半導體零件製造用膜1的黏著材層12時，可視需要而進行加熱。
另外，零件分離步驟R6(參照圖7)為藉由將半導體零件製造用膜1伸張而使經分割的半導體零件21彼此於半導體零件製造用膜1上分離的步驟。於使半導體零件製造用膜1伸張時，使制動器91抵接於框體7的內側而進行。
[3]電子零件製造用膜
本發明的電子零件製造用膜1為用於電子零件的製造方法中的膜。與半導體零件製造用膜1同樣地，該電子零件製造用膜1具備基層11及黏著材層12(參照圖1)。另外，亦與半導體零件製造用膜1同樣地，黏著材層12只要設於基層11的至少一面側 即可，視需要亦可設於基層11的一面側及另一面側兩處，基層11與黏著材層12可直接接觸，亦可介隔其他層。
(1)基層
關於電子零件製造用膜1中的基層11，可直接應用上文所述的半導體零件製造用膜1中的基層11的說明。此處，於與半導體零件製造用膜1的基層11有關的說明中，將「半導體零件製造用膜」一詞改稱為「電子零件製造用膜1中的基層」，將「半導體晶圓」一詞改稱為「陣列狀電子零件」，將「半導體零件」一詞改稱為「電子零件」。
(2)黏著材層
關於電子零件製造用膜1中的黏著材層12，可直接應用上文所述的半導體零件製造用膜1中的黏著材層12的說明。此處，於與半導體零件製造用膜1的黏著材層12有關的說明中，將「半導體零件製造用膜」一詞改稱為「電子零件製造用膜1中的基層」，將「半導體晶圓」一詞改稱為「陣列狀電子零件」，將「半導體零件」一詞改稱為「電子零件」。
(3)其他層
關於電子零件製造用膜1中的其他層，可直接應用上文所述的半導體零件製造用膜1中的其他層的說明。此處，於與半導體零件製造用膜1的其他層有關的說明中，將「半導體零件製造用膜」一詞改稱為「電子零件製造用膜1中的基層」，將「半導體晶圓」一詞改稱為「陣列狀電子零件」，將「半導體零件」一詞改稱 為「電子零件」。
(4)電子零件製造用膜的製造
關於電子零件製造用膜1中的電子零件製造用膜的製造，可直接應用上文所述的半導體零件製造用膜1中的半導體零件製造用膜的製造的說明。此處，於與半導體零件製造用膜1的製造有關的說明中，將「半導體零件製造用膜」一詞改稱為「電子零件製造用膜1中的基層」，將「半導體晶圓」一詞改稱為「陣列狀電子零件」，將「半導體零件」一詞改稱為「電子零件」。
[4]電子零件的製造方法
本發明的電子零件製造用膜1是用於電子零件的製造方法中。該電子零件的製造方法包括分割步驟R4(參照圖10)及拾取步驟R7(參照圖13)，並且於拾取步驟R7之前包括評價步驟R3(參照圖9)及/或評價步驟R5(參照圖11)。
分割步驟R4(圖10參照)為將於背面上貼附有電子零件製造用膜1的陣列狀電子零件50分割(切割)而獲得電子零件51的步驟。
該分割步驟R4可使用公知的方法適當進行。另外，分割能以於一個電子零件51內含有至少一個半導體零件的方式分割，亦能以於一個電子零件51內含有兩個以上的半導體零件的方式分割。
另外，於分割步驟R4(參照圖10)中，與上文所述的半導體零件製造用膜1的情形同樣地，本電子零件製造用膜1亦可利 用框體7以保護構件15的形式利用。
陣列狀電子零件50是將半導體零件21以陣列狀密封而成。具體而言包括下述電子零件(1)~電子零件(3)。
陣列狀電子零件(1)為將形成有電路的半導體晶圓20分割而獲得半導體零件21(晶片、晶粒)，將所得的半導體零件21(晶片、晶粒)排列於引線框架上，進行打線接合後，以密封劑30密封而獲得的陣列狀電子零件50。
陣列狀電子零件(2)為將形成有電路的半導體晶圓20分割而獲得半導體零件21(晶片、晶粒)，將所得的半導體零件21(晶片、晶粒)分離排列，以密封劑30密封後，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路40而成的陣列狀電子零件50。即，其為以扇出(fan out)方式(eWLB方式)獲得的陣列狀電子零件50。
陣列狀電子零件(3)為將半導體晶圓20直接以晶圓狀態用作半導體零件21，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路40、或以密封劑30密封的密封層而成的陣列狀電子零件50。該陣列狀電子零件(3)中的半導體晶圓20為分割前狀態，且包括將半導體零件21(晶片、晶粒)形成為陣列狀的形態、或將半導體晶圓20用作基體(於非電路矽基板上接合具有電路的晶片而利用的形態)等。即，陣列狀電子零件(3)為以晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)方式獲得的陣列狀電子零件50。
另外，對於陣列狀電子零件(2)而言，於形成其時亦可利用 本發明的電子零件製造用膜。具體而言，可於電子零件製造用膜1上將半導體零件21分離排列，以密封劑30密封後，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路40而獲得陣列狀電子零件50。
拾取步驟R7(參照圖13)為將經分割的電子零件51自電子零件製造用膜1的黏著材層12分離的步驟。拾取步驟R7可使用公知的方法適當進行，例如可如圖13所例示，自電子零件製造用膜1的基層11之側，藉由頂起構件92將作為拾取對象的電子零件51'頂起，藉由拾取器具93利用吸附等方法來拾取該被頂起的電子零件51'。
評價步驟為於拾取步驟之前，於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行陣列狀電子零件或電子零件的評價的步驟。即，於該評價步驟中，包括於分割步驟之前且拾取步驟之前於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行陣列狀電子零件的評價的評價步驟R3(參照圖9)、與於分割步驟之後且拾取步驟之前於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行電子零件的評價的評價步驟R5(參照圖11)。評價步驟R3及評價步驟R5視需要可僅進行任一者，亦可進行該些兩者。
另外，所謂陣列狀電子零件50或電子零件51的評價，具體而言包括下述(1)陣列狀電子零件評價、及下述(2)電子零件評價。其中，(1)陣列狀電子零件評價是利用探針進行以下評價：於使陣列狀電子零件保持陣列狀的狀態下，陣列狀電子零 件所含的各內部電路、及與該些內部電路相對應而形成的外部電路(用以將各內部電路向外部導出的電路)的電氣特性於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內是否為所需的特性。另一方面，(2)電子零件評價是利用探針進行以下評價：於將陣列狀電子零件分割並將多個電子零件以陣列狀排列的狀態下，該些各電子零件的電氣特性於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內是否為所需的特性。
該些各評價中，包括以確認所述各溫度範圍內的動作為目的之評價、或以所述各溫度範圍內的加速耐久試驗為目的之評價(例如預燒測試)。
於所述評價步驟中進行評價步驟R3(參照圖9)的情形、即於分割步驟之前且拾取步驟之前進行評價的情形(對陣列狀電子零件50進行評價的情形)時，例如使形成有多個探針81的探針卡8與形成於陣列狀電子零件50上的外部電路(凸塊電極等)接觸並進行電性連接，判定探針81與形成於陣列狀電子零件50上的外部電路之間交換的信號正確與否(探針測試)，由此進行評價(參照圖9)。另外，此時於如上文所述般於保護構件15的框體7上固定電子零件製造用膜1，於將陣列狀電子零件50的背面貼附於其黏著材層12的狀態下將陣列狀電子零件50供於評價的情形時，為了避免探針卡8等測定設備側的各部與框體7的接觸，可將真空吸盤台(未圖示)或制動器91等夾具配置於框體7的內側，將框體7向下方壓下(例如0.5mm~15mm)，使框體7遠離探針卡8等測定設備。
另一方面，於所述評價步驟中進行評價步驟R5(參照圖11)的情形、即於分割步驟之後且拾取步驟之前進行評價的情形(對電子零件51進行評價的情形)時，例如使形成有多個探針81的探針卡8與電子零件51各自的既定的對應部位(例如凸塊電極等外部電路)接觸而進行電性連接，判定探針81與形成於電子零件51上的外部電路之間交換的信號正確與否(探針測試)，由此進行評價(參照圖11)。該情形時亦同樣地，於在保護構件15的框體7上固定電子零件製造用膜1，於將電子零件51的背面貼附於其黏著材層12上的狀態下將電子零件51供於評價的情形時，為了避免探針卡8等測定設備側的各部與框體7的接觸，可將真空吸盤台(未圖示)或制動器91等夾具配置於框體7的內側，將框體7向下方壓下(例如0.5mm~15mm)，使框體7遠離探針卡8等測定設備。
該些評價只要於0℃以下及/或100℃以上的溫度範圍內進行，則並無特別限定，除了如上所述般使探針接觸而進行的電性評價(探針測試)以外，亦可包含非接觸的光學式的評價。
另外，關於評價溫度範圍，於低溫側只要為0℃以下即可，另外，於高溫側只要為100℃以上即可。尤其本電子零件製造用膜1即便於低溫側於-80℃以上且0℃以下(進而-60℃以上且-10℃以下、尤其-40℃以上且-10℃以下)進行評價步驟，電子零件製造用膜1亦可於評價步驟中維持必要的柔軟性。進而，不會妨礙拾取步驟R7(參照圖13)。即，於拾取步驟R7(圖13參照)中利用 頂起構件92頂起時，電子零件製造用膜1亦維持柔軟性，可於不使電子零件製造用膜1破裂的情況下頂起。尤其於拾取步驟R7(參照圖13)之前具備零件分離步驟R6(參照圖12)的情形時，成為電子零件製造用膜1更易破裂的狀況，但藉由利用上文所述的電子零件製造用膜1，可防止破裂而順利地進行拾取。
進而，即便於高溫側於100℃以上且170℃以下(進而110℃以上且170℃以下、尤其120℃以上且160℃以下)進行評價步驟，電子零件製造用膜1亦可於評價步驟中維持必要的柔軟性。進而，不會妨礙拾取步驟R7(參照圖13)。即，於拾取步驟R7(參照圖13)中利用頂起構件92頂起時，電子零件製造用膜1亦維持柔軟性，可於不使電子零件製造用膜1破裂的情況下頂起。尤其於拾取步驟R7(參照圖13)之前具備零件分離步驟R6(參照圖12)的情形時，成為電子零件製造用膜1更易破裂的狀況，但藉由利用上文所述的電子零件製造用膜1，可防止破裂而順利地進行拾取。
進而，關於該些評價，可僅於低溫側及高溫側的任一溫度範圍內進行評價，但本電子零件製造用膜1即便進行該些兩者，亦可不妨礙拾取步驟R7(參照圖13)。
所述製造方法中，除了評價步驟R3(參照圖9)、分割步驟R4(參照圖10)、評價步驟R5(參照圖11)、拾取步驟R7(參照圖13)以外亦可包括其他步驟。
其他步驟可列舉零件分離步驟R6(圖12)。零件分離步驟R6 (圖12參照)為藉由將電子零件製造用膜1伸張而使經分割的電子零件51彼此於電子零件製造用膜1上分離的步驟。於使電子零件製造用膜1伸張時，使制動器91抵接於框體7的內側而進行。
[5]評價方法
藉由利用本發明的半導體零件製造用膜1，可於製造半導體零件的期間內，於不換貼半導體零件製造用膜1的情況下進行半導體晶圓的評價。即，可於將具備基層11、及設於基層11的一面側的黏著材層12的半導體零件製造用膜1的黏著材層12貼附於形成有電路的半導體晶圓20的背面上的狀態下，於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行半導體晶圓20的評價，其中所述基層11的160℃下的彈性係數E'(160)與-40℃下的彈性係數E'(-40)之比RE(=E'(160)/E'(-40))為RE≧0.01，並且E'(-40)為10MPa以上且小於1000MPa(參照圖4)。
進而，藉由利用本發明的半導體零件製造用膜1，可於製造半導體零件的期間內，於不換貼半導體零件製造用膜1的情況下進行半導體零件的評價。即，可於將具備基層11、及設於基層11的一面側的黏著材層12的半導體零件製造用膜1的黏著材層12貼附於將形成有電路的半導體晶圓20分割所得的半導體零件21的背面上的狀態下，於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行半導體零件21的評價，其中所述基層11的160℃下的彈性係數E'(160)與-40℃下的彈性係數E'(-40)之比RE(=E'(160)/E'(-40))為RE≧0.01，並且E'(-40)為10MPa以上且小於1000 MPa(參照圖6)。
該些評價方法可僅進行任一者，亦可併用該些兩者。即，可於對半導體晶圓20進行既定的評價後，進而對半導體零件21進行既定的評價。評價的內容如上文所述。
另外，藉由利用本發明的電子零件製造用膜1，可於製造電子零件的期間內，於不換貼電子零件製造用膜1的情況下進行陣列狀電子零件的評價。即，可於將具備基層11、及設於基層11的一面側的黏著材層12的電子零件製造用膜1的黏著材層12貼附於陣列狀電子零件50的背面上的狀態下，於-40℃以上且0℃以下、或100℃以上且160℃以下的溫度範圍內進行陣列狀電子零件50的評價，其中所述基層11的160℃下的彈性係數E'(160)與-40℃下的彈性係數E'(-40)之比RE(=E'(160)/E'(-40))為RE≧0.01，並且E'(-40)為10MPa以上且小於1000MPa(參照圖9)。
進而，藉由利用本發明的電子零件製造用膜1，可於製造電子零件的期間內，於不換貼電子零件製造用膜1的情況下進行電子零件的評價。即，可於將具備基層11、及設於基層11的一面側的黏著材層12的電子零件製造用膜1的黏著材層12貼附於電子零件51的背面上的狀態下，於-40℃以上且0℃以下、或100℃以上且160℃以下的溫度範圍內進行電子零件51的評價，其中所述基層11的160℃下的彈性係數E'(160)與-40℃下的彈性係數E'(-40)之比RE(=E'(160)/E'(-40))為RE≧0.01，並且 E'(-40)為10MPa以上且小於1000MPa(參照圖11)。
該些評價方法可僅進行任一者，亦可併用該些兩者。即，可於對陣列狀電子零件50進行既定的評價後，進而對電子零件51進行既定的評價。評價的內容如上文所述。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明加以具體說明。另外，以下將半導體零件製造用膜與電子零件製造用膜統稱而記載為零件製造用膜。
[1]零件製造用膜的製造
<實施例1>
(1)基層
使用厚度80μm的聚酯系熱塑性彈性體(TPEE)膜(東麗杜邦(Toray-Dupont)股份有限公司製造，品名「海特萊爾(Hytrel)4777」，熔點200℃)作為基層11。
使用該基層11，藉由動態黏彈性測定裝置(Dynamic Mechanical Analysis，DMA)(製品名：RSA-3，TA儀器(TA Instrument)公司製造)來測定拉伸彈性係數E'。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10mm、夾具間的長度20mm，根據於頻率1Hz、升溫速度5℃/min的測定條件下自-50℃至200℃進行測定所得的資料來讀取各溫度的資料。即，將-40℃下的值作為拉伸彈性係數E'(-40)，將160℃下的值作為拉伸彈性係數E'(160)。結果，E'(-40)為440MPa，E'(160)為12MPa。結果，比RE(=E'(160) /E'(-40))為0.03。
(2)黏著材層
使用厚度10μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。
(3)基層與黏著材層的積層
於所述(1)中所得的基層11的一面上層壓所述(2)的黏著材層12，獲得實施例1的零件製造用膜1。
使用所得的實施例1的零件製造用膜1，依據JIS Z0237利用以下方法來測定黏著力。即，將所得的零件製造用膜製成寬度25mm的試片，一面利用約2kg橡膠輥施加壓力一面將其黏著材層12貼附於4吋的矽晶圓上。繼而，於溫度23℃、相對濕度50%的環境下放置60分鐘。其後，將試片朝180°方向以剝離速度300mm/min自矽晶圓剝離，測定此時的黏著力。黏著力的測定是進行2次，將平均值作為「黏著力」(N/25mm)。結果，實施例1的零件製造用膜的黏著力為1.2N/25mm。
<實施例2>
作為基層11，除了厚度為150μm以外，使用與實施例1相同的聚酯系熱塑性彈性體膜(東麗杜邦(Toray-Dupont)股份有限公司製造，品名「海特萊爾(Hytrel)4777」，熔點200℃)。
使用與實施例1相同的厚度10μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。
與實施例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層， 獲得實施例2的零件製造用膜1。使用所得的實施例2的零件製造用膜，與實施例1同樣地測定的黏著力為1.2N/25mm。
<實施例3>
作為基層11，除了厚度為150μm以外，使用與實施例1相同的聚酯系熱塑性彈性體膜(東麗杜邦(Toray-Dupont)股份有限公司製造，品名「海特萊爾(Hytrel)4777」，熔點200℃)。
作為黏著材層12，將本公司製造的紫外線硬化型的丙烯酸系黏著劑成形為厚度10μm，製成黏著材層12。
與實施例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層，獲得實施例3的零件製造用膜1。使用所得的實施例3的零件製造用膜，與實施例1同樣地測定的黏著力為4.5N/25mm。
<比較例1>
使用厚度80μm的直鏈狀短鏈分支聚乙烯(PE)膜(普瑞曼聚合物(Prime Polymer)股份有限公司製造，品名「埃博路(Evolue)SP2040」，熔點116℃)作為基層11。
使用該基層11，與實施例1同樣地進行測定，將所得的-40℃下的值作為拉伸彈性係數E'(-40)而為520MPa。另一方面，於溫度160℃下因破裂而無法測量E'(160)。結果，比RE(=E'(160)/E'(-40))小於0.01。
使用與實施例1相同的厚度10μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。
與實施例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層， 獲得比較例1的零件製造用膜1。使用所得的比較例1的零件製造用膜，與實施例1同樣地測定的黏著力為1.2N/25mm。
<比較例2>
使用厚度80μm的無規聚丙烯(PP)膜(普瑞曼聚合物(Prime Polymer)股份有限公司製造，品名「F327」，熔點138℃)作為基層11。
使用該基層11，與實施例1同樣地進行測定，將所得的-40℃下的值作為拉伸彈性係數E'(-40)而為1500MPa。另一方面，於溫度160℃下因破裂而無法測量E'(160)。結果，比RE(=E'(160)/E'(-40))小於0.01。
使用與實施例1相同的厚度10μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。
與實施例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層而獲得比較例2的零件製造用膜1。使用所得的比較例2的零件製造用膜，與實施例1同樣地測定的黏著力為1.2N/25mm。
<比較例3>
使用厚度80μm的聚氯乙烯(PVC)膜(阿基里斯(Achilles)股份有限公司製造，品名「賽燈膜(Seiden Film)」，熔點95℃)作為基層11。
使用該基層11，與實施例1同樣地進行測定，將所得的-40℃下的值作為拉伸彈性係數E'(-40)而為2000MPa，E'(160)為0.5MPa。結果，比RE(=E'(160)/E'(-40))為2.5×10-4， 小於0.01。
使用與實施例1相同的厚度10μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑作為黏著材層12。
與實施例1的情形同樣地，將基層11與黏著材層12積層而獲得比較例3的零件製造用膜1。使用所得的比較例3的零件製造用膜，與實施例1同樣地測定的黏著力為1.2N/25mm。
[2]使用零件製造用膜的試驗
使用實施例1~實施例3及比較例1~比較例3進行以下兩種試驗。
(1)試驗1(耐熱性的評價)
於經設定為溫度160℃的真空吸附式的晶圓載台(吸盤台)上，吸附固定所述[1]中獲得的實施例1~實施例3及比較例1~比較例3的各零件製造用膜的基層11之側，經過10分鐘後，進行 真空破壞，將各零件製造用膜自晶圓載台上取下。此時，按以下基準來評價自晶圓載台上的取下容易性，將其結果示於表1。
「○」‧‧‧可無問題地取下。
「×」‧‧‧確認到熔著於晶圓載台上，不容易取下。
(2)試驗2(殘糊的評價)
於尺寸4吋的矽晶圓的鏡面上，貼附所述[1]中獲得的實施例1~實施例3及比較例1~比較例3的各零件製造用膜的黏著材層12之側，於160度的加熱板上設置晶圓面並維持10分鐘後，將加熱板冷卻。繼而，使用高壓水銀燈以累計光量成為1080mJ/cm2的方式照射波長365nm的光後，將各零件製造用膜自矽晶圓剝離。此時，藉由目測按以下基準來評價矽晶圓上的殘糊，將其結果示於表1。
「○」‧‧‧目測未確認到矽晶圓上的殘糊。
「×」‧‧‧目測確認到矽晶圓上的殘糊。
[3]實施例的效果
零件製造用膜1的基層11的比RE為RE>0.01，由此得知可利用經加熱至160℃的晶圓載台來製造半導體零件及電子零件。即，藉由利用本零件製造用膜1，可於伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟中通用地利用零件製造用膜，減少用以進行換貼的工數，提高半導體零件及電子零件的生產性。另外，根據實施例1與實施例2的比較，與厚度無關而操作容易性(常溫時的膜的硬度、貼附容易性等)未見差異，於任一實施例中均成為 易操作的零件製造用膜。
另外，本發明不限於所述具體實施例所示的內容，可設定為根據目的、用途於本發明的範圍內加以各種變更而成的實施例。
[產業上之可利用性]
本發明的半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方法、以及電子零件製造用膜及電子零件的製造方法可廣泛地用於半導體零件製造、電子零件製造的用途中。尤其於利用包括伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟的半導體零件的製造方法的情形，以及利用包括伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟的電子零件的製造方法的情形時，可於該些步驟中通用地利用，故於進行生產性優異的零件的製造時可較佳地利用。

Claims (22)

  1. 一種半導體零件製造用膜，其是用於半導體零件的製造方法中，並且所述半導體零件製造用膜的特徵在於： 具備基層、及設於所述基層的一面側的黏著材層， 所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比RE（＝E'（160）/E'（-40））為RE≧0.01，並且E'（-40）為10 MPa以上且小於1000 MPa。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體零件製造用膜，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體及/或熱塑性聚醯胺系彈性體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的半導體零件製造用膜，其中所述基層的厚度為50 μm以上且200 μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的半導體零件製造用膜，其中所述黏著材層的厚度為1 μm以上且40 μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的半導體零件製造用膜，其中所述黏著材層的依據JIS Z0237所測定的黏著力為0.1 N/25 mm～10 N/25 mm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的半導體零件製造用膜，其中所述半導體零件的製造方法包括：分割步驟，於在形成有電路的半導體晶圓的背面上貼附有所述黏著材層的狀態下，將所述半導體晶圓分割而獲得半導體零件；及 拾取步驟，將所述半導體零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行所述半導體晶圓或所述半導體零件的評價的評價步驟。
  7. 一種半導體零件的製造方法，其特徵在於包括： 分割步驟，於在形成有電路的半導體晶圓的背面上貼附有半導體零件製造用膜的黏著材層的狀態下，將所述半導體晶圓分割而獲得半導體零件；及 拾取步驟，將所述半導體零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行所述半導體晶圓或所述半導體零件的評價的評價步驟， 所述半導體零件製造用膜具有基層、及設於所述基層的一面側的所述黏著材層， 所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比RE（＝E'（160）/E'（-40））為RE≧0.01，並且E'（-40）為10 MPa以上且小於1000 MPa。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的半導體零件的製造方法，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體及/或熱塑性聚醯胺系彈性體。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的半導體零件的製造方法，其中所述基層的厚度為50 μm以上且200 μm以下。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的半導體零件的製造方法，其中所述黏著材層的厚度為1 μm以上且40 μm以下。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的半導體零件的製造方法，其中所述黏著材層的依據JIS Z0237所測定的黏著力為0.1 N/25 mm～10 N/25 mm。
  12. 一種電子零件製造用膜，其是用於電子零件的製造方法中，並且所述電子零件製造用膜的特徵在於： 具備基層、及設於所述基層的一面側的黏著材層， 所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比RE（＝E'（160）/E'（-40））為RE≧0.01，並且E'（-40）為10 MPa以上且小於1000 MPa。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的電子零件製造用膜，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體及/或熱塑性聚醯胺系彈性體。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的電子零件製造用膜，其中所述基層的厚度為50 μm以上且200 μm以下。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的電子零件製造用膜，其中所述黏著材層的厚度為1 μm以上且40 μm以下。
  16. 如申請專利範圍第12項所述的電子零件製造用膜，其中所述黏著材層的依據JIS Z0237所測定的黏著力為0.1 N/25 mm～10 N/25 mm。
  17. 如申請專利範圍第12項所述的電子零件製造用膜，其中所述電子零件的製造方法包括： 分割步驟，於在將半導體零件以陣列狀密封而成的陣列狀電子零件的背面上貼附有所述黏著材層的狀態下，將所述陣列狀電子零件分割而獲得電子零件；及 拾取步驟，將所述電子零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行所述陣列狀電子零件或所述電子零件的評價的評價步驟。
  18. 一種電子零件的製造方法，包括： 分割步驟，於在將半導體零件以陣列狀密封而成的陣列狀電子零件的背面上貼附有零件製造用膜的黏著材層的狀態下，將所述陣列狀電子零件分割而獲得電子零件；及 拾取步驟，將所述電子零件自所述黏著材層分離；並且 於所述拾取步驟之前，包括於0℃以下或100℃以上的溫度範圍內進行所述陣列狀電子零件或所述電子零件的評價的評價步驟， 所述電子零件製造用膜具有基層、及設於所述基層的一面側的所述黏著材層， 所述基層的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比RE（＝E'（160）/E'（-40））為RE≧0.01，並且E'（-40）為10 MPa以上且小於1000 MPa。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的電子零件的製造方法，其中所述基層含有熱塑性聚酯系彈性體及/或熱塑性聚醯胺系彈性體。
  20. 如申請專利範圍第18項所述的電子零件的製造方法，其中所述基層的厚度為50 μm以上且200 μm以下。
  21. 如申請專利範圍第18項所述的電子零件的製造方法，其中所述黏著材層的厚度為1 μm以上且40 μm以下。
  22. 如申請專利範圍第18項所述的電子零件的製造方法，其中所述黏著材層的依據JIS Z0237所測定的黏著力為0.1 N/25 mm～10 N/25 mm。
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