KR20180015229A

KR20180015229A - 반도체 부품 제조용 필름

Info

Publication number: KR20180015229A
Application number: KR1020187000151A
Authority: KR
Inventors: 에이지 하야시시타
Original assignee: 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤
Priority date: 2015-06-29
Filing date: 2016-06-14
Publication date: 2018-02-12
Also published as: EP3316280A4; US10858547B2; WO2017002610A1; SG11201708564WA; TWI680517B; CN107851602A; CN107851602B; US20180142130A1; KR102034972B1; US11535776B2; EP3316280A1; JP6129446B1; TW201701375A; EP3316280B1; JPWO2017002610A1; US20210047543A1

Abstract

본 발명은, 온도 변화를 수반한 평가 공정, 개편화 공정, 픽업 공정을 공통되게 행할 수 있는 반도체 부품 제조용 필름, 반도체 부품의 제조 방법, 반도체 부품 및 평가 방법을 제공하는 것이다. 즉, 반도체 부품 제조용 필름(1)은, 기층(11)과 그의 일면측에 설치된 점착재층(12)을 구비하고, 기층(11)의 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만이다. 본 방법은, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에 점착재층(12)을 첩착하는 공정과, 반도체 웨이퍼를 개편화하여 반도체 부품을 얻는 공정과, 반도체 부품을 점착재층(12)으로부터 이간하는 픽업 공정을 구비하고, 픽업 공정 전에, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 부품의 평가를 행하는 공정을 구비한다.

Description

반도체 부품 제조용 필름

본 발명은, 반도체 부품 제조용 필름 및 반도체 부품의 제조 방법, 및 전자 부품 제조용 필름 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 반도체 웨이퍼로부터 반도체 부품을 제조할 때에, 반도체 웨이퍼의 이면에 첩착(貼着)하여 이용되는 반도체 부품 제조용 필름 및 반도체 부품의 제조 방법, 및 어레이상 전자 부품으로부터 전자 부품을 제조할 때에, 어레이상 전자 부품의 이면에 첩착하여 이용되는 전자 부품 제조용 필름 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.

근년, 회로 형성된 웨이퍼를 개편화한 후, 얻어진 반도체 부품을 평가(검사)하고, 평가 합격한 반도체 부품만을 캐리어 상에 재배치하고, 그 후, 봉지제로 어레이상으로 봉지하는 것에 의해 일괄하여 반도체 부품을 제조하여, 높은 보류율을 실현하는 방법이 이용되고 있다. 이 타입의 제조 방법은, 하기 특허문헌 1(도 3A-도 3E, [0028] 및 [0029] 참조)에 개시되어 있다.

또한, 회로 형성된 웨이퍼를 개편화할 때에 이용할 수 있는 점착 필름으로서 하기 특허문헌 2가 개시되어 있다. 더욱이, 봉지 시에 이용할 수 있는 점착 필름으로서 하기 특허문헌 3이 개시되어 있다.

일본 특허공개 2006-287235호 공보 일본 특허공개 2007-005436호 공보 일본 특허공개 2010-278065호 공보

상기 특허문헌 1에는, 박리 가능한 접착 테이프의 접착부 상에, 서로 충분한 간극을 갖도록, 초기 단계 평가 완료된 우수한 다이(웨이퍼를 개편화한 반도체 부품)를 배치한다고 하는 개요가 기재되어 있다. 그렇지만, 구체적으로, 어떠한 기재를 이용하여, 이것을 구현화할 수 있는지에 대해서는 언급이 없다. 전술한 방법 중, 「박리 가능한 접착 테이프」로서는, 상기 특허문헌 3에 개시된 점착 필름을 이용할 수 있다.

한편, 그 이전의 공정으로서는, 예를 들어, (1) 반도체 웨이퍼(개편화 전)를 전용 트레이에 놓고, 웨이퍼 형태로 평가를 행한 후, 평가 완료된 웨이퍼 이면(비회로면)에 상기 특허문헌 2에 개시된 점착 필름을 첩착하고, 그 후, 웨이퍼를 개편화(다이싱)하여 반도체 부품으로 하고, 점착 필름으로부터 반도체 부품을 픽업한 후, 평가 합격한 반도체 부품만을 특허문헌 3에 개시된 점착 필름 상에 재배치한다고 하는 수순으로 행할 수 있다.

또한, 예를 들어, (2) 평가 전의 반도체 웨이퍼(개편화 전)의 이면(비회로면)에 상기 특허문헌 2에 개시된 점착 필름을 첩착하고, 그 후, 반도체 웨이퍼를 개편화(다이싱)하여 반도체 부품으로 하고, 점착 필름으로부터 반도체 부품을 픽업한 후, 반도체 부품을 전용 트레이에 재배치하여 평가를 행한 후, 평가 합격한 반도체 부품만을 특허문헌 3에 개시된 점착 필름 상에 재배치한다고 하는 수순으로 행할 수 있다.

어느 쪽이든, 전술한 (1) 및 (2)의 수순에서는, 복수의 점착 필름 사이에서 반도체 부품을 바꿔 붙이는 작업을 행할 필요가 있다고 하는 과제가 있다.

더욱이, 전술한 검사에서는, 가온이나 냉각된 환경에서 반도체 웨이퍼나 반도체 부품이 정상적으로 가동하는지를 평가하는 작동 평가나, 열 스트레스의 부하를 행하여 가속 평가가 실시되는 경우가 있다. 즉, 반도체 부품은, 1개의 반도체 웨이퍼 상에 매우 많은 것이 형성된 후에 개편화하여 반도체 부품으로 된다. 이 반도체 부품은, 그 고장률을 측정하면 이른바 배스터브 커브라고 칭하는 곡선이 되어, 실 가동시켜 조기에 발생하는 「초기 고장」의 비율이 비교적 높다는 것이 알려져 있다. 그 때문에, 초기 고장이 위구되는 반도체 부품을 후공정으로 반입하지 않고, 보다 전단의 공정에 있어서 배제함으로써, 최종 제품의 보류율을 향상시킨다고 하는 수법이 이용된다.

그리고, 전술한 바와 같이, 평가에 즈음해서는 가열이나 냉각을 실시하는 경우가 있다. 즉, 저온으로 유지한 상태에서 전기적 평가를 행하거나, 고온으로 유지한 상태에서 전기적 평가를 행하거나, 더욱이는, 저온과 고온의 양방의 환경하에서 평가를 행하는 경우가 있다. 따라서, 후공정으로 불량품을 반입하지 않고, 후공정에 있어서의 불량률을 저하시킨다고 하는 관점에서는, 보다 후의 공정에서 평가를 행하는 것이 바람직한 한편, 평가 공정을 개재시키는 것에 의해, 오히려 공정수가 증가하여 생산성이 저하되는 것도 위구된다.

이와 같은 밸런스로부터, 점착 필름의 성능에 의존하지 않고, 각 제품에 적절한 공정 순서를 자재로 선택할 수 있다고 하는 자유도를 줄 수 있는 점착 필름이 요구되고 있다. 즉, 평가 공정에 있어서 큰 온도 변화에 노출되었다고 해도, 개편화(다이싱) 및 픽업 시에는, 이들 작업을 해낼 수 있는 점착 필름이 요구되고 있다. 즉, 평가, 개편화, 및 픽업의 각 공정을 동일 필름 상에서 행할 수 있는 점착 필름이 요구되고 있다.

본 발명은, 상기 과제에 비추어 이루어진 것으로, 온도 변화를 수반한 평가 공정과, 개편화 공정과, 픽업 공정을 공통되게 행할 수 있는 반도체 부품 제조용 필름 및 반도체 부품의 제조 방법, 및 온도 변화를 수반한 평가 공정과, 개편화 공정과, 픽업 공정을 공통되게 행할 수 있는 전자 부품 제조용 필름 및 전자 부품의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에는 이하의 사항이 포함된다.

[1] 반도체 부품의 제조 방법에 이용되는 반도체 부품 제조용 필름으로서,

기층과, 상기 기층의 일면측에 설치된 점착재층을 구비하고,

상기 기층의 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 것을 요지로 하는 반도체 부품 제조용 필름.

[2] 상기 기층은, 열가소성 폴리에스터계 엘라스토머 및/또는 열가소성 폴리아마이드계 엘라스토머를 포함하는 것을 요지로 하는 [1]에 기재된 반도체 부품 제조용 필름.

[3] 상기 기층은, 두께가 50μm 이상 200μm 이하인 것을 요지로 하는 [1] 또는 [2]에 기재된 반도체 부품 제조용 필름.

[4] 상기 점착재층은, 두께가 1μm 이상 40μm 이하인 것을 요지로 하는 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 반도체 부품 제조용 필름.

[5] 상기 점착재층은, JIS Z0237에 준거하여 측정되는 점착력이 0.1∼10N/25mm인 것을 요지로 하는 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 반도체 부품 제조용 필름.

[6] 상기 반도체 부품의 제조 방법은, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 점착재층을 첩착한 상태로, 상기 반도체 웨이퍼를 개편화하여 반도체 부품을 얻는 개편화 공정과,

상기 반도체 부품을 상기 점착재층으로부터 이간(離間)하는 픽업 공정을 구비함과 함께,

상기 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 상기 반도체 웨이퍼 또는 상기 반도체 부품의 평가를 행하는 평가 공정을 구비하는 것을 요지로 하는 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 반도체 부품 제조용 필름.

[7] 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에, 반도체 부품 제조용 필름의 점착재층을 첩착한 상태로, 상기 반도체 웨이퍼를 개편화하여 반도체 부품을 얻는 개편화 공정과,

상기 반도체 부품을 상기 점착재층으로부터 이간하는 픽업 공정을 구비함과 함께,

상기 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 상기 반도체 웨이퍼 또는 상기 반도체 부품의 평가를 행하는 평가 공정을 구비하고

상기 반도체 부품 제조용 필름은, 기층과, 상기 기층의 일면측에 설치된 상기 점착재층을 갖고,

상기 기층의 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 것을 요지로 하는 반도체 부품의 제조 방법.

[8] 상기 기층은, 열가소성 폴리에스터계 엘라스토머 및/또는 열가소성 폴리아마이드계 엘라스토머를 포함하는 것을 요지로 하는 [7]에 기재된 반도체 부품의 제조 방법.

[9] 상기 기층은, 두께가 50μm 이상 200μm 이하인 것을 요지로 하는 [7] 또는 [8]에 기재된 반도체 부품의 제조 방법.

[10] 상기 점착재층은, 두께가 1μm 이상 40μm 이하인 것을 요지로 하는 [7] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 반도체 부품의 제조 방법.

[11] 상기 점착재층은, JIS Z0237에 준거하여 측정되는 점착력이 0.1∼10N/25mm인 것을 요지로 하는 [7] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 반도체 부품의 제조 방법.

[12] 전자 부품의 제조 방법에 이용되는 전자 부품 제조용 필름으로서,

상기 기층의 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 것을 요지로 하는 전자 부품 제조용 필름.

[13] 상기 기층은, 열가소성 폴리에스터계 엘라스토머 및/또는 열가소성 폴리아마이드계 엘라스토머를 포함하는 것을 요지로 하는 [12]에 기재된 전자 부품 제조용 필름.

[14] 상기 기층은, 두께가 50μm 이상 200μm 이하인 것을 요지로 하는 [12] 또는 [13]에 기재된 전자 부품 제조용 필름.

[15] 상기 점착재층은, 두께가 1μm 이상 40μm 이하인 것을 요지로 하는 [12] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 전자 부품 제조용 필름.

[16] 상기 점착재층은, JIS Z0237에 준거하여 측정되는 점착력이 0.1∼10N/25mm인 것을 요지로 하는 [12] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 전자 부품 제조용 필름.

[17] 상기 전자 부품의 제조 방법은,

반도체 부품이 어레이상으로 봉지된 어레이상 전자 부품의 이면에 상기 점착재층을 첩착한 상태로, 상기 어레이상 전자 부품을 개편화하여 전자 부품을 얻는 개편화 공정과,

상기 전자 부품을 상기 점착재층으로부터 이간하는 픽업 공정을 구비함과 함께,

상기 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 상기 어레이상 전자 부품 또는 상기 전자 부품의 평가를 행하는 평가 공정을 구비하는 것을 요지로 하는 [12] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 전자 부품 제조용 필름.

[18] 반도체 부품이 어레이상으로 봉지된 어레이상 전자 부품의 이면에, 부품 제조용 필름의 점착재층을 첩착한 상태로, 상기 어레이상 전자 부품을 개편화하여 전자 부품을 얻는 개편화 공정과,

상기 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 상기 어레이상 전자 부품 또는 상기 전자 부품의 평가를 행하는 평가 공정을 구비하고,

상기 전자 부품 제조용 필름은, 기층과, 상기 기층의 일면측에 설치된 상기 점착재층을 갖고,

상기 기층의 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 것을 요지로 하는 전자 부품의 제조 방법.

[19] 상기 기층은, 열가소성 폴리에스터계 엘라스토머 및/또는 열가소성 폴리아마이드계 엘라스토머를 포함하는 것을 요지로 하는 [18]에 기재된 전자 부품의 제조 방법.

[20] 상기 기층은, 두께가 50μm 이상 200μm 이하인 것을 요지로 하는 [18] 또는 [19]에 기재된 전자 부품의 제조 방법.

[21] 상기 점착재층은, 두께가 1μm 이상 40μm 이하인 것을 요지로 하는 [18] 내지 [20] 중 어느 하나에 기재된 전자 부품의 제조 방법.

[22] 상기 점착재층은, JIS Z0237에 준거하여 측정되는 점착력이 0.1∼10N/25mm인 것을 요지로 하는 [18] 내지 [21] 중 어느 하나에 기재된 전자 부품의 제조 방법.

본 발명의 반도체 부품 제조용 필름에 의하면, 온도 변화를 수반한 평가 공정과, 개편화 공정과, 픽업 공정을 공통되게 행할 수 있다. 그 때문에, 생산성이 우수한 반도체 부품의 제조를 행할 수 있다.

본 발명의 반도체 부품의 제조 방법에 의하면, 온도 변화를 수반한 평가 공정과, 개편화 공정과, 픽업 공정에 공통된 반도체 부품 제조용 필름을 이용할 수 있기 때문에, 생산성이 우수하다.

본 발명의 전자 부품 제조용 필름에 의하면, 온도 변화를 수반한 평가 공정과, 개편화 공정과, 픽업 공정을 공통되게 행할 수 있다. 그 때문에, 생산성이 우수한 전자 부품의 제조를 행할 수 있다.

본 발명의 전자 부품의 제조 방법에 의하면, 온도 변화를 수반한 평가 공정과, 개편화 공정과, 픽업 공정에 공통된 전자 부품 제조용 필름을 이용할 수 있기 때문에, 생산성이 우수하다.

도 1은 본 반도체 부품 제조용 필름의 일례의 단면을 설명하는 설명도이다.
도 2는 본 반도체 부품의 제조 방법에 따른 보호 부재 형성 공정을 설명하는 설명도이다.
도 3은 본 반도체 부품의 제조 방법에 따른 첩착 공정을 설명하는 설명도이다.
도 4는 본 반도체 부품의 제조 방법에 따른 평가 공정을 설명하는 설명도이다.
도 5는 본 반도체 부품의 제조 방법에 따른 개편화 공정을 설명하는 설명도이다.
도 6은 본 반도체 부품의 제조 방법에 따른 평가 공정을 설명하는 설명도이다.
도 7은 본 반도체 부품의 제조 방법에 따른 부품 이간 공정을 설명하는 설명도이다.
도 8은 본 반도체 부품의 제조 방법에 따른 픽업 공정을 설명하는 설명도이다.
도 9는 본 전자 부품의 제조 방법에 따른 평가 공정을 설명하는 설명도이다.
도 10은 본 전자 부품의 제조 방법에 따른 개편화 공정을 설명하는 설명도이다.
도 11은 본 전자 부품의 제조 방법에 따른 평가 공정을 설명하는 설명도이다.
도 12는 본 전자 부품의 제조 방법에 따른 부품 이간 공정을 설명하는 설명도이다.
도 13은 본 전자 부품의 제조 방법에 따른 픽업 공정을 설명하는 설명도이다.

이하, 본 발명을, 도면을 참조하면서 설명한다. 여기에서 나타내는 사항은 예시적인 것 및 본 발명의 실시형태를 예시적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 원리와 개념적인 특징을 가장 유효하고 또한 쉽게 이해할 수 있는 설명이라고 생각되는 것을 제공할 목적으로 기술한 것이다. 이 점에서, 본 발명의 근본적인 이해를 위해서 필요하고, 어느 정도 이상으로 본 발명의 구조적인 상세를 나타내는 것을 의도하고는 있지 않은, 도면과 맞춘 설명에 의해 본 발명의 몇 가지 형태가 실제로 어떻게 구현화되는지를 당업자에게 분명히 하는 것이다.

[1] 반도체 부품 제조용 필름

본 발명의 반도체 부품 제조용 필름(1)은, 반도체 부품의 제조 방법에 이용되는 필름이다. 이 반도체 부품 제조용 필름(1)은, 기층(11)과 점착재층(12)을 구비한다(도 1 참조). 점착재층(12)은, 기층(11)의 적어도 일면측에 설치되어 있으면 되고, 필요에 따라서 기층(11)의 일면측 및 타면측의 양방에 설치되어 있어도 된다. 또한, 기층(11)과 점착재층(12)은, 직접 접하고 있어도 되고, 다른 층을 개재시키고 있어도 된다.

(1) 기층

기층(11)은, 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만이다.

여기에서, 「E'(160)」은, 기층(11)의 160℃에 있어서의 인장 탄성률을 나타내고, 「E'(-40)」은, 기층(11)의 -40℃에 있어서의 인장 탄성률을 나타낸다. 더욱이, 비 R_E는, E'(-40)에 대한 E'(160)의 비율{E'(160)/E'(-40)}을 나타낸다.

따라서, 비 R_E가 R_E≥0.01인 것은, 기층(11)의 160℃에 있어서의 인장 탄성률이, 기층(11)의 -40℃에 있어서의 인장 탄성률의 1% 이상인 것을 나타낸다. 이 R_E는, R_E≥0.01이면 되지만, 0.01≤R_E≤0.5가 바람직하고, 0.01≤R_E≤0.3이 보다 바람직하고, 0.02≤R_E≤0.2가 특히 바람직하다.

본 발명의 반도체 부품 제조용 필름(1)에서는, 기층(11)이, R_E≥0.01인 것에 의해, 반도체 부품의 제조 시에, -40℃ 이상 0℃ 이하의 저온, 및/또는 100℃ 이상 160℃ 이하의 고온의 각 온도역에서 반도체 웨이퍼 또는 반도체 부품의 평가를 행하는 평가 공정을 행했다고 해도, 그 후의, 픽업 공정에 있어서 필요한 유연성을 반도체 부품 제조용 필름(1)이 유지할 수 있다. 따라서, 온도 변화를 수반한 평가 공정과 개편화 공정과 픽업 공정에서 공통되게 본 반도체 부품 제조용 필름(1)을 이용할 수 있어, 각 공정마다 전용의 점착 필름으로 바꿔 붙일 필요가 없어, 반도체 부품의 생산성이 우수하다.

그에 더하여, 본 반도체 부품 제조용 필름(1)을 첩착한 채로, 전술한 평가 공정과 개편화 공정의 어느 쪽의 공정도 행할 수 있으므로, 이들 공정의 어느 것을 먼저 행할 수도 있어, 전용의 점착 필름이나 트레이 등을 이용하는 경우에 비해 공정의 자유도를 높일 수 있다.

또한, E'(-40)은, 100MPa≤E'(-40)≤1000MPa이다. 본 발명의 반도체 부품 제조용 필름(1)에서는, 기층(11)이, 100MPa≤E'(-40)≤1000MPa인 것에 의해, 저온 환경에 있어서 반도체 부품 제조용 필름의 유연성을 유지할 수 있다.

예를 들어, 부품 제조용 필름(1)은, 후술과 같이, 프레임체(링 프레임 등)(7)를 동반한 보호 부재(15)로서 다루어지는 경우가 있다. 그리고, 평가 공정(도 4의 R3, 도 6의 R5, 도 9의 R3, 도 11의 R5 참조)에서는, 보호 부재(15)에 고정된 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)에 이면이 첩착된 상태로, 피평가물(반도체 웨이퍼(20), 반도체 부품(21), 어레이상 전자 부품(50), 전자 부품(51))은 평가에 제공된다. 이 평가에 즈음하여, 프로브 카드(80) 등의 측정 기기측의 각부와 프레임체(7)의 접촉을 피하기 위해, 진공 척 테이블(도시하지 않음)이나 스토퍼(91) 등의 지그를 프레임체(7)의 내측에 배치하고, 프레임체(7)를 하방으로 내리눌러(예를 들어, 0.5∼15mm), 프레임체(7)를 프로브 카드(80) 등의 측정 기기로부터 멀리할 수 있다. 이와 같은 경우, 프레임체(7)를 하방으로 이동시키면, 프레임체(7)에 붙여진 부품 제조용 필름(1)은 개구부(71) 내에서 신장되기 때문에, 부품 제조용 필름(1)은 이 움직임에 추종할 수 있는 유연성이 필요해진다. 게다가, 후술하는 바와 같이, 평가는, 저온에서도 행해지지만, 기층(11)의 저온하에 있어서의 인장 탄성률 E'는, 고온하에 있어서의 인장 탄성률 E'보다도 반드시 커지기 때문에, 저온의 유연성이 유지되는 것이 중요해진다. 이와 같이, 평가 공정을 거치는 것이 요구되는 부품 제조용 필름(1)에서는, 저온 환경에 있어서의 유연성을 유지할 수 있을 것이 필요해진다. 그렇지만, 고온하에 있어서의 내열성을 얻기 쉬운 재료는, 통상, 고온 인장 탄성률이 높은 재료이며, 이와 같은 재료의 인장 탄성률은, 저온에서는 더욱 높아지기 때문에, 전술한 상황에 견디는 것이 곤란해진다. 이 점, 기층(11)의 비 R_E가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 100MPa≤E'(-40)≤1000MPa인 부품 제조용 필름(1)은 전술한 요구를 충족할 수 있다.

이 E'(-40)은, 100MPa≤E'(-40)≤1000MPa이 바람직하지만, 150MPa≤E'(-40)≤900MPa이 더 바람직하고, 200MPa≤E'(-40)≤800MPa이 보다 바람직하고, 250MPa≤E'(-40)≤700MPa이 특히 바람직하다. 또한, E'(-40)의 값은, 기층(11)의 MD 방향 및 TD 방향의 양방에 있어서 전술한 범위인 것이 바람직하다.

E'(160)은, 1MPa≤E'(160)≤100MPa이다. 본 발명의 반도체 부품 제조용 필름(1)에서는, 기층(11)이, 1MPa≤E'(160)≤100MPa인 것에 의해, 고온 환경에 있어서의 반도체 부품 제조용 필름의 용융을 방지함과 함께, 필름의 형상을 유지할 수 있다.

이 E'(160)은, 0.1MPa≤E'(160)≤10MPa이면 되지만, 2MPa≤E'(160)≤80MPa이 바람직하고, 3MPa≤E'(160)≤60MPa이 보다 바람직하고, 4MPa≤E'(160)≤40MPa이 특히 바람직하다. 또한, E'(160)의 값은, 기층(11)의 MD 방향 및 TD 방향의 양방에 있어서 전술한 범위인 것이 바람직하다.

기층(11)에 관한 각 탄성률 E'는, 동적 점탄성 측정 장치(DMA: Dynamic Mechanical Analysis)에 의해 측정된다. 구체적으로는, 샘플 사이즈를 폭 10mm, 척간의 길이 20mm로 하고, 주파수 1Hz, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건에서 -50℃로부터 200℃까지 측정하여 얻어진 데이터로부터 각 온도의 데이터를 판독하는 것에 의해 얻어진다. 즉, -40℃에 있어서의 값을 인장 탄성률 E'(-40)으로 하고, 160℃에 있어서의 값을 인장 탄성률 E'(160)으로 한다.

또한, 기층(11)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 50μm 이상 200μm 이하가 바람직하고, 65μm 이상 175μm 이하가 보다 바람직하고, 80μm 이상 150μm 이하가 특히 바람직하다.

한편, 기층(11)의 연신의 유무는 상관없다.

기층(11)은, 점착재층(12)을 지지할 수 있고, 전술한 비 R_E 및 E'(-40)을 가지면 되고, 그 재질은 특별히 한정되지 않는다. 기층(11)을 구성하는 재료로서는, 수지가 바람직하다.

또한, 수지 중에서도, 전술한 비 R_E 및 E'(-40)을 달성한다고 하는 관점에서, 엘라스토머성을 가진 수지인 것이 바람직하다. 엘라스토머성을 갖는 수지로서는, 열가소성 엘라스토머 및 실리콘 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다. 이들 중에서는, 열가소성을 갖는 것이 바람직하고, 열가소성 엘라스토머가 바람직하다.

열가소성 엘라스토머를 포함하는 경우, 그 비율은, 기층(11)을 구성하는 수지 전체에 대해서, 예를 들어, 30질량% 이상 100질량% 이하로 할 수 있다. 즉, 기층(11)을 구성하는 수지는 열가소성 엘라스토머만으로 이루어져도 된다. 열가소성 엘라스토머의 비율은, 더욱이 50질량% 이상 100질량% 이하가 바람직하고, 70질량% 이상 100질량% 이하가 보다 바람직하다.

열가소성 엘라스토머는, 하드 세그먼트 및 소프트 세그먼트를 가진 블록 공중합체로 이루어져도 되고, 하드 폴리머와 소프트 폴리머의 폴리머 얼로이로 이루어져도 되고, 이들 양방의 특성을 가진 것이어도 된다. 기층(11)의 각 탄성률 E'의 값은, 기층(11)을 구성하는 이들 성분의 조정에 의해 컨트롤할 수 있다. 즉, 수지종, 복수종의 수지를 포함하는 경우에는 그들의 비율, 수지를 구성하는 중합체의 분자 구조(하드 세그먼트 및 소프트 세그먼트의 비율)를 조정하는 것에 의해 컨트롤할 수 있다.

열가소성 엘라스토머로서는, 폴리에스터계 열가소성 엘라스토머(열가소 폴리에스터 엘라스토머), 폴리아마이드계 열가소성 엘라스토머(열가소 폴리아마이드 엘라스토머), 스타이렌계 열가소성 엘라스토머(열가소 스타이렌 엘라스토머), 올레핀계 열가소성 엘라스토머(열가소 폴리올레핀 엘라스토머), 염화바이닐계 열가소성 엘라스토머(열가소 염화바이닐 엘라스토머), 폴리이미드계 열가소성 엘라스토머{열가소 폴리이미드 엘라스토머, 폴리이미드 에스터계 열가소성 엘라스토머(열가소 폴리이미드 에스터 엘라스토머), 폴리이미드 유레테인계 열가소성 엘라스토머(열가소 폴리이미드 유레테인 엘라스토머) 등}, 폴리유레테인계 열가소 엘라스토머(열가소 폴리유레테인 엘라스토머) 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.

이들 중에서는, 폴리에스터계 열가소성 엘라스토머, 폴리아마이드계 열가소성 엘라스토머, 폴리이미드계 열가소성 엘라스토머가 바람직하고, 더욱이, 폴리에스터계 열가소성 엘라스토머 및/또는 폴리아마이드계 열가소성 엘라스토머가 특히 바람직하다.

폴리에스터계 열가소성 엘라스토머는, 폴리에스터 성분을 하드 세그먼트로 하는 이외, 어떠한 구성이어도 된다. 소프트 세그먼트로서는, 폴리에스터, 폴리에터 및 폴리에터 에스터 등을 이용할 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다. 즉, 예를 들어, 하드 세그먼트를 구성하는 폴리에스터 성분으로서는, 테레프탈산 다이메틸 등의 모노머에서 유래하는 구성 단위를 포함할 수 있다. 한편, 소프트 세그먼트를 구성하는 성분으로서는, 1,4-뷰테인다이올 및 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜 등의 모노머에서 유래하는 구성 단위를 포함할 수 있다.

보다 구체적으로는, PBT-PE-PBT형 폴리에스터계 열가소성 엘라스토머 등을 들 수 있다. 한편, 상기 「PBT-PE-PBT」의 기재에 있어서의 PBT는 폴리뷰틸렌 테레프탈레이트를, PE는 폴리에터를 각각 의미한다.

폴리에스터계 열가소성 엘라스토머로서, 구체적으로는, 미쓰비시화학주식회사제 「프리말로이(상품명)」, 도레이·듀퐁사제 「하이트렐(상품명)」, 도요방적주식회사제 「펠프렌(상품명)」, 리켄테크노스주식회사제 「하이퍼 얼로이 액티머(상품명)」 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.

폴리아마이드계 열가소성 엘라스토머는, 폴리아마이드 성분을 하드 세그먼트로 하는 이외, 어떠한 구성이어도 된다. 소프트 세그먼트로서는, 폴리에스터, 폴리에터 및 폴리에터 에스터 등을 이용할 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다. 즉, 예를 들어, 하드 세그먼트를 구성하는 폴리아마이드 성분으로서는, 폴리아마이드 6, 폴리아마이드 11 및 폴리아마이드 12 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다. 이들 폴리아마이드 성분에는, 각종 락탐 등을 모노머로서 이용할 수 있다. 한편, 소프트 세그먼트를 구성하는 성분으로서는, 다이카복실산 등의 모노머나 폴리에터 폴리올에서 유래하는 구성 단위를 포함할 수 있다. 이 중, 폴리에터 폴리올로서는, 폴리에터 다이올이 바람직하고, 예를 들어, 폴리(테트라메틸렌) 글리콜, 폴리(옥시프로필렌) 글리콜 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.

보다 구체적으로는, 폴리에터 아마이드형 폴리아마이드계 열가소성 엘라스토머, 폴리에스터 아마이드형 폴리아마이드계 열가소성 엘라스토머, 폴리에터 에스터 아마이드형 폴리아마이드계 열가소성 엘라스토머 등을 들 수 있다.

폴리아마이드계 열가소성 엘라스토머로서, 구체적으로는, 알케마주식회사제 「페박스(상품명)」, 다이셀·에보닉주식회사제 「다이아미드(상품명)」, 다이 셀·에보닉주식회사제 「베스타미드(상품명)」, 우베고산주식회사제 「UBESTA XPA(상품명)」 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 기층(11)이, 열가소성 엘라스토머 이외의 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 수지로서는, 폴리에스터, 폴리아마이드, 폴리카보네이트, 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다. 이들 중에서는, 폴리에스터 및/또는 폴리아마이드가 바람직하고, 구체적으로는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리뷰틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리뷰틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스터, 나일론 6, 나일론 12 등의 폴리아마이드를 들 수 있다. 또한, 열가소성 엘라스토머 이외의 수지를 포함하는(예를 들어, 1질량% 이상) 경우, 열가소성 엘라스토머와 그 이외의 다른 수지의 합계를 100질량%로 하면, 다른 수지의 비율은, 50질량% 미만이 바람직하고, 30질량% 미만이 보다 바람직하다.

더욱이, 기층(11)은, 이것을 구성하는 수지 중에, 가소제 및 연화제(광유 등), 충전제(탄산염, 황산염, 타이타늄산염, 규산염, 산화물(산화 타이타늄, 산화 마그네슘), 실리카, 탤크, 마이카, 클레이, 섬유 필러 등), 산화 방지제, 광안정화제, 대전 방지제, 활제, 착색제 등의 각종 첨가제를 포함할 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.

(2) 점착재층

점착재층(12)은, 점착재에 의해 형성된 층이며, 기층(11)의 일면에만, 또는 기층(11)의 양면에 구비할 수 있다. 이 점착재층(12)은, 기층(11)과 직접 접하여 설치되어 있어도 되고, 타층을 개재하여 설치되어 있어도 된다.

점착재층(12)의 점착력은, 특별히 한정되지 않지만, 실리콘 웨이퍼의 표면에 첩착하여 60분간 방치한 후, 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 박리할 때의, JIS Z0237에 준거하여 측정되는 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이(온도 23℃, 상대 습도 50%의 환경하에서 측정) 0.1∼10N/25mm인 것이 바람직하다. 점착력이 상기 범위인 경우에는, 반도체 부품과의 양호한 접착성을 확보하면서, 봉지 후의 전자 부품을 박리할 때의 접착제 잔류를 억제할 수 있다. 이 점착력은, 더욱이 0.2N/25mm 이상 9N/25mm 이하가 보다 바람직하고, 0.3N/25mm 이상 8N/25mm 이하가 더욱 바람직하다.

또한, 점착재층(12)의 두께(기층(11)의 일면측의 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 1μm 이상 40μm 이하가 바람직하고, 2μm 이상 35μm 이하가 보다 바람직하고, 3μm 이상 25μm 이하가 특히 바람직하다.

점착재는, 전술한 특성을 가지면 되고, 어떠한 재료를 이용해도 된다. 통상, 적어도 점착 주제를 포함한다. 점착 주제로서는, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다. 이들 중에서도, 아크릴계 점착제가 바람직하다.

아크릴계 점착제로서는, 아크릴산 에스터 화합물의 단독중합체, 아크릴산 에스터 화합물과 코모노머의 공중합체 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 아크릴산 에스터 화합물로서는, 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 뷰틸 아크릴레이트 및 2-에틸헥실 아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.

더욱이, 코모노머로서는, 아세트산 바이닐, 아크릴로나이트릴, 아크릴아마이드, 스타이렌, 메틸 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산, 하이드록시에틸 메타크릴레이트, 다이메틸아미노에틸 메타크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트, 무수 말레산 등을 들 수 있다.

더욱이, 점착재는, 점착 주제 이외에, 가교제를 포함할 수 있다. 가교제로서는, 에폭시계 가교제(펜타에리트리톨 폴리글리시딜 에터 등), 아이소사이아네이트계 가교제(다이페닐메테인 다이아이소사이아네이트, 톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 테트라메틸렌 다이아이소사이아네이트, 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트, 폴리아이소사이아네이트 등)를 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다. 점착재에 가교제가 포함되는 경우, 가교제의 함유량은, 점착재 전체를 100질량부로 하여 10질량부 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 점착재층의 점착력은, 가교제의 함유량에 의해 조정할 수 있다. 구체적으로는, 일본 특허공개 2004-115591호 공보에 기재된 방법을 이용할 수 있다.

또한, 점착제는, 에너지선에 의해 경화되는 에너지 경화형 점착재여도 되고, 에너지선에 의해 경화되지 않는 에너지 비경화형 점착재여도 되고, 더욱이, 에너지선에 의해 발포되는 에너지 발포형 점착재여도 된다.

이 중, 에너지 경화형 점착재인 경우, 점착재에 대해 에너지선 조사를 행함으로써, 점착재를 경화시켜, 그 점착력을 저하시킬 수 있다. 이 때문에, 얻어진 전자 부품과 반도체 부품 제조용 필름을 이간시킬 때에, 전자 부품에 대한 접착제 잔류를 보다 확실히 방지할 수 있다.

에너지 경화형 점착재는, 어떠한 에너지선에 의해 경화되는 것이어도 되고, 에너지선으로서는, 자외선, 전자선, 적외선 등을 들 수 있다. 이들 에너지선은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다. 구체적으로는, 자외선에 의해 경화되는 자외선 경화형 점착제를 들 수 있다.

에너지 경화형 점착재인 경우, 점착재는, 전술한 점착 주제 이외에, 분자 내에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(이하, 간단히 「경화성 화합물」이라고 한다)과, 에너지선에 반응하여 경화성 화합물의 중합을 개시시킬 수 있는 광중합 개시제를 포함할 수 있다. 이 경화성 화합물은, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 가져, 라디칼 중합에 의해 경화 가능한 모노머, 올리고머 및/또는 폴리머가 바람직하다. 구체적으로는, 경화성 화합물로서는, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 1,6-헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 다이(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다. 점착재에 경화성 화합물이 포함되는 경우, 경화성 화합물의 함유량은, 점착재 100질량부에 대해서 0.1∼20질량부가 바람직하다.

한편, 분자 내의 탄소-탄소 이중 결합은, 전술한 점착 주제가 분자 내에 갖는 것에 의해 포함되어도 된다. 즉, 예를 들어, 점착 주제는, 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 에너지 경화형 폴리머 등으로 할 수 있다. 이와 같이, 점착 주제가 분자 내에 경화성 구조를 갖는 경우에는, 전술한 경화성 화합물은 배합해도 되고, 배합하지 않아도 되다.

한편, 광중합 개시제로서는, 에너지선의 조사에 의해 라디칼을 생성할 수 있는 화합물이 바람직하다. 구체적으로는, 아세토페논계 광중합 개시제{메톡시아세토페논 등}, α-케톨 화합물{4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등}, 케탈계 화합물{벤질다이메틸케탈 등}, 벤조인계 광중합 개시제{벤조인, 벤조인 알킬 에터류(벤조인 메틸 에터, 벤조인 아이소프로필 에터, 벤조인 아이소뷰틸 에터) 등}, 벤조페논계 광중합 개시제{벤조페논, 벤조일벤조산 등}, 방향족 케탈류{벤질 다이메틸 케탈 등} 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다. 점착재에 광중합 개시제가 포함되는 경우, 광중합 개시제의 함유량은, 점착재 100질량부에 대해서 5∼15질량부로 하는 것이 바람직하다.

(3) 그 외의 층

본 발명의 반도체 부품 제조용 필름(1)은, 기층(11) 및 점착재층(12)만으로 이루어져도 되지만, 타층을 구비할 수 있다. 타층으로서는, 첩부면의 요철 형상을 흡수하여 필름면을 평활하게 할 수 있는 요철 흡수층, 점착재와의 계면 강도를 향상시키는 계면 강도 향상층, 기재로부터 점착면으로의 저분자량 성분의 이행을 억제하는 이행 방지층 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.

(4) 반도체 부품 제조용 필름의 제조

본 발명의 반도체 부품 제조용 필름은, 어떠한 방법으로 제조해도 되고, 그 방법은 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 공압출법, 압출 라미네이트법, 접착 라미네이트법, 도포법 등의 방법에 의해 제조할 수 있다. 이 중, 공압출법은, 기층(11)이 되는 용융 수지와 점착재층(12)이 되는 용융 수지를 공압출에 의해 적층하여 반도체 부품 제조용 필름을 제조하는 방법이다.

또한, 압출 라미네이트법은, 기층(11) 상에, 점착재층(12)이 되는 용융 수지를 압출에 의해 적층하여 반도체 부품 제조용 필름을 제조하는 방법이다.

더욱이, 도포법은, 기층(11) 상에, 점착재층(12)이 되는 용융 수지를 도포 또는 도공에 의해 적층하여 반도체 부품 제조용 필름을 제조하는 방법이다. 점착재층(12)을 구성하는 점착재로서, 에너지 경화형 점착재를 이용하는 경우는, 이 도포법을 이용하는 것이 바람직하다.

또한, 접착 라미네이트법은, 기층(11)과 점착재층(12)을, 열압착, 접착제, 핫멜트 등을 개재하여 적층하여 반도체 부품 제조용 필름을 제조하는 방법이다.

이들 방법은, 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.

[2] 반도체 부품의 제조 방법

본 발명의 반도체 부품 제조용 필름(1)은, 반도체 부품의 제조 방법에 이용된다. 이 반도체 부품의 제조 방법은, 개편화 공정 R4(도 5 참조) 및 픽업 공정 R7(도 8 참조)을 포함함과 함께, 평가 공정 R3(도 4 참조) 및/또는 평가 공정 R5(도 6 참조)를, 픽업 공정 R7 전에 구비하는 것이다.

이 중, 개편화 공정 R4(도 5 참조)의 전공정에는, 통상, 첩착 공정 R2(도 3 참조)가 마련된다. 첩착 공정 R2(도 3 참조)는, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에 반도체 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)을 첩착하는 공정이다. 통상, 반도체 부품 제조용 필름(1)은, 개구부(71)를 갖는 프레임체(7)의, 개구부(71)를 덮도록 프레임체(7)의 일면(7a)에 반도체 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)을 첩착하여(보호 부재 형성 공정 R1, 도 2 참조), 보호 부재(15)로서 이용된다. 그리고, 첩착 공정 R2(도 3 참조)는, 보호 부재(15)의 프레임체(7)의 개구부(71)에 노출된 점착재층(12)의 표면(12a)에, 반도체 웨이퍼(20)를 첩착하는 공정이지만, 이들 보호 부재 형성 공정 R1(도 2 참조)과 첩착 공정 R2(도 3 참조)는, 동시에 행해진다. 한편, 당연히, 보호 부재 형성 공정 R1(도 2 참조)과 첩착 공정 R2(도 3 참조)는, 필요에 따라서, 따로따로 행할 수도 있다.

반도체 웨이퍼(20)는, 본 반도체 부품 제조용 필름(1)에 대해서, 적합하게 첩착할 수 있는 반도체 웨이퍼이면 되고, 그 종류는 한정되지 않지만, 예를 들어, 실리콘 기판, 사파이어 기판, 저마늄 기판, 저마늄-비소 기판, 갈륨-인 기판, 갈륨-비소-알루미늄 기판 등을 들 수 있다. 이 중, 사파이어 기판을 이용한 반도체 웨이퍼란, 사파이어 기판 상에 반도체층(GaN 등)이 적층된 반도체 웨이퍼를 들 수 있다. 이들 반도체 웨이퍼의 표면에는, 통상, 회로가 형성되어 있다. 이 회로로서는, 배선, 캐패시터, 다이오드 및 트랜지스터 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.

개편화 공정 R4(도 5 참조)는, 이면에 반도체 부품 제조용 필름(1)이 첩착된 반도체 웨이퍼를 개편화(다이싱)하여 반도체 부품(21)을 얻는 공정이다. 이 개편화 공정 R4는, 공지의 방법을 이용하여 적절히 행할 수 있다. 한편, 개편화는, 1개의 반도체 부품(21) 내에 적어도 1개의 반도체 회로 영역이 포함되도록 개편화되어도 되고, 1개의 반도체 부품(21) 내에 2개 이상의 반도체 회로 영역이 포함되도록 개편화되어도 된다.

픽업 공정 R7(도 8 참조)은, 개편화된 반도체 부품을, 반도체 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)으로부터 이간하는 공정이다. 픽업 공정 R7은, 공지의 방법을 이용하여 적절히 행할 수 있지만, 예를 들어, 도 8에 예시되는 바와 같이, 반도체 부품 제조용 필름(1)의 기층(11)측으로부터 밀어올림 부재(92)에 의해, 픽업 대상인 반도체 부품(21')을 밀어올려, 이 밀어올려진 반도체 부품(21')을 픽업 기구(93)에 의해 흡착 등의 방법에 의해 픽업할 수 있다.

평가 공정은, 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 반도체 웨이퍼 또는 반도체 부품의 평가를 행하는 공정이다. 즉, 이 평가 공정에는, 개편화 공정 전이면서 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 반도체 웨이퍼의 평가를 행하는 평가 공정 R3(도 4 참조)과, 개편화 공정 후이면서 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 반도체 부품의 평가를 행하는 평가 공정 R5(도 6 참조)가 포함된다. 평가 공정 R3 및 평가 공정 R5는, 필요에 따라서 어느 일방만을 행해도 되고, 이들 양방을 행해도 된다.

또한, 반도체 웨이퍼(20) 또는 반도체 부품(21)의 평가란, 구체적으로는, 하기 (1)의 반도체 웨이퍼 평가, 및 하기 (2)의 반도체 부품 평가가 포함된다. 이 중, (1) 반도체 웨이퍼 평가는, 반도체 웨이퍼의 상태로, 반도체 웨이퍼에 형성된 복수의 회로(각각의 반도체 부품의 회로에 대응한다)의 전기 특성이, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에 있어서, 원하는 특성인지 여부를, 프로버를 이용하여 행하는 평가이다. 한편, (2) 반도체 부품 평가는, 반도체 웨이퍼를 개편화하여 복수의 반도체 부품이 어레이상으로 배열된 상태로, 이들 반도체 부품의 전기 특성이, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에 있어서, 원하는 특성인지 여부를, 프로버를 이용하여 행하는 평가이다.

이들 각 평가에는, 전술한 각 온도역에 있어서의 동작 확인을 목적으로 하는 것이나, 전술한 각 온도역에 있어서의 가속 내구 시험을 목적으로 하는 것(예를 들어, 번인 테스트)이 포함된다.

전술한 평가 공정 중, 평가 공정 R3(도 4 참조)을 행하는 경우, 즉, 평가를, 개편화 공정 전이면서 픽업 공정 전에 행하는 경우(반도체 웨이퍼(20)에 대해서 평가를 행하는 경우)에는, 예를 들어, 복수의 프로브(81)가 형성된 프로브 카드(8)를, 반도체 웨이퍼(20)의 소정의 대응하는 개소에 접촉시켜 전기적 접속을 행하여, 프로브(81)와 반도체 웨이퍼(20) 상에 형성된 회로 사이에 교환되는 신호의 정부(正否)의 판정을 행하는(프로브 테스트) 것으로 이루어진다(도 4 참조). 또한, 이 때에는, 전술과 같이, 보호 부재(15)의 프레임체(7)에 반도체 부품 제조용 필름(1)을 고정하고, 그 점착재층(12)에, 반도체 웨이퍼(20)의 이면을 첩착한 상태로, 반도체 웨이퍼(20)를 평가에 제공하는 경우, 프로브 카드(80) 등의 측정 기기측의 각부와 프레임체(7)의 접촉을 피하기 위해, 진공 척 테이블(도시하지 않음)이나 스토퍼(91) 등의 지그를 프레임체(7)의 내측에 배치하고, 프레임체(7)를 하방으로 내리눌러(예를 들어, 0.5∼15mm), 프레임체(7)를 프로브 카드(80) 등의 측정 기기로부터 멀리할 수 있다.

한편, 전술한 평가 공정 중, 평가 공정 R5(도 6 참조)를 행하는 경우, 즉, 평가를, 개편화 공정 후이면서 픽업 공정 전에 행하는 경우(반도체 부품(21)에 대해서 평가를 행하는 경우)에는, 예를 들어, 복수의 프로브(81)가 형성된 프로브 카드(8)를, 반도체 부품(21)의 각각 소정의 대응하는 개소에 접촉시켜 전기적 접속을 행하여, 프로브(81)와 반도체 부품(21) 상에 형성된 회로 사이에 교환되는 신호의 정부의 판정을 행하는(프로브 테스트) 것으로 이루어진다(도 6 참조). 이 경우에도 마찬가지로, 보호 부재(15)의 프레임체(7)에 반도체 부품 제조용 필름(1)을 고정하고, 그 점착재층(12)에, 반도체 부품(21)의 이면을 첩착한 상태로, 반도체 부품(21)을 평가에 제공하는 경우, 프로브 카드(80) 등의 측정 기기측의 각부와 프레임체(7)의 접촉을 피하기 위해, 진공 척 테이블(도시하지 않음)이나 스토퍼(91) 등의 지그를 프레임체(7)의 내측에 배치하고, 프레임체(7)를 하방으로 내리눌러(예를 들어, 0.5∼15mm), 프레임체(7)를 프로브 카드(80) 등의 측정 기기로부터 멀리할 수 있다.

이들 평가는, 0℃ 이하 및/또는 100℃ 이상의 온도역에서 행하는 것이면, 특별히 한정되지 않고, 전술한 바와 같이, 프로브를 접촉시켜 행하는 전기적인 평가(프로브 테스트) 이외에도, 비접촉의 광학식의 평가를 포함해도 된다.

또한, 평가 온도역은, 저온측에서는, 0℃ 이하이면 되고, 또한 고온측에서는, 100℃ 이상이면 된다. 특히, 본 반도체 부품 제조용 필름(1)은, 저온측에서는-80℃ 이상 0℃ 이하(더욱이 -60℃ 이상 -10℃ 이하, 특히 -40℃ 이상 -10℃ 이하)에서 평가 공정을 행했다고 해도, 반도체 부품 제조용 필름(1)이 평가 공정에 있어서 필요한 유연성을 유지할 수 있다. 더욱이, 픽업 공정 R7(도 8 참조)에도 지장을 초래하지 않는다. 즉, 픽업 공정 R7(도 8 참조)에 있어서 밀어올림 부재(92)로 밀어올렸을 때에도 반도체 부품 제조용 필름(1)이 유연성을 유지하고 있어, 반도체 부품 제조용 필름(1)을 파단시키지 않고, 밀어올릴 수 있다. 특히, 픽업 공정 R7(도 8 참조) 전에, 부품 이간 공정 R6(도 7 참조)을 구비하는 경우에는, 반도체 부품 제조용 필름(1)이 더욱 파단되기 쉬운 상황이 되지만, 전술한 반도체 부품 제조용 필름(1)을 이용하는 것에 의해, 파단을 방지하여, 순조롭게 픽업을 행할 수 있다.

더욱이, 고온측에서는 100℃ 이상 170℃ 이하(더욱이 110℃ 이상 170℃ 이하, 특히 120℃ 이상 160℃ 이하)에서 평가 공정을 행했다고 해도, 반도체 부품 제조용 필름(1)이 평가 공정에 있어서 필요한 유연성을 유지할 수 있다. 더욱이, 픽업 공정 R7(도 8 참조)에 지장을 초래하지 않는다. 즉, 픽업 공정 R7(도 8 참조)에 있어서 밀어올림 부재(92)로 밀어올렸을 때에도 반도체 부품 제조용 필름(1)이 유연성을 유지하고 있어, 반도체 부품 제조용 필름(1)을 파단시키지 않고, 밀어올릴 수 있다. 특히, 픽업 공정 R7(도 8 참조) 전에, 부품 이간 공정 R6(도 7 참조)을 구비하는 경우에는, 반도체 부품 제조용 필름(1)이 더욱 파단되기 쉬운 상황이 되지만, 전술한 반도체 부품 제조용 필름(1)을 이용하는 것에 의해, 파단을 방지하여, 순조롭게 픽업을 행할 수 있다.

더욱이, 이들 평가는, 저온측 및 고온측의 어느 한쪽에서만 평가를 행해도 되지만, 본 반도체 부품 제조용 필름(1)에서는, 이들의 양방을 행했다고 해도, 픽업 공정 R7(도 8 참조)에 지장을 초래하지 않는 것으로 할 수 있다.

전술한 제조 방법에서는, 첩착 공정 R2(도 3 참조), 평가 공정 R3(도 4 참조), 개편화 공정 R4(도 5 참조), 평가 공정 R5(도 6 참조), 픽업 공정 R7(도 8 참조) 이외에도 다른 공정을 구비할 수 있다.

다른 공정으로서는, 보호 부재 형성 공정 R1(도 2 참조) 및 부품 이간 공정 R6(도 7)을 들 수 있다.

이 중, 보호 부재 형성 공정 R1(도 2 참조)은, 개구부(71)를 갖는 프레임체(7)의, 개구부(71)를 덮도록 프레임체(7)의 일면(7a)에 반도체 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)을 첩착하는 공정이다.

프레임체(7)로서는, 예를 들어, 링 프레임을 이용할 수 있다. 프레임체(7)의 개형(槪形)은 한정되지 않고, 적절히 필요에 따른 형상으로 할 수 있다. 예를 들어, 원형 또는 사각형 등을 채용할 수 있다. 마찬가지로, 개구부(71)의 개형도 한정되지 않고, 적절히 필요에 따른 형상으로 할 수 있고, 예를 들어, 원형 또는 사각형 등을 채용할 수 있다. 프레임체(7)를 구성하는 재질도 한정되지 않고, 예를 들어, 수지 및/또는 금속 등을 이용할 수 있다.

또한, 프레임체(7)의 개구부(71)를 덮도록, 프레임체(7)의 일면(7a)에, 반도체 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)을 첩착할 때에는, 필요에 따라서 가열을 행할 수 있다.

또한, 부품 이간 공정 R6(도 7 참조)은, 반도체 부품 제조용 필름(1)을 신장하는 것에 의해, 개편화된 반도체 부품(21)끼리를 반도체 부품 제조용 필름(1) 상 에 있어서 이간시키는 공정이다. 반도체 부품 제조용 필름(1)을 신장시킬 때에는, 스토퍼(91)를 프레임체(7)의 내측에 당접(當接)시켜 행할 수 있다.

[3] 전자 부품 제조용 필름

본 발명의 전자 부품 제조용 필름(1)은, 전자 부품의 제조 방법에 이용되는 필름이다. 이 전자 부품 제조용 필름(1)이, 기층(11)과 점착재층(12)을 구비하는 것은, 반도체 부품 제조용 필름(1)과 마찬가지이다(도 1 참조). 또한, 점착재층(12)은, 기층(11)의 적어도 일면측에 설치되어 있으면 되고, 필요에 따라서 기층(11)의 일면측 및 타면측의 양방에 설치되어 있어도 되고, 기층(11)과 점착재층(12)은, 직접 접하고 있어도 되고, 다른 층을 개재하고 있어도 되는 것도, 반도체 부품 제조용 필름(1)과 마찬가지이다.

(1) 기층

전자 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 기층(11)에 관해서는, 전술한 반도체 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 기층(11)의 설명을 그대로 적용할 수 있다. 여기에서, 반도체 부품 제조용 필름(1)의 기층(11)에 관한 설명에서는, 「반도체 부품 제조용 필름」의 단어를 「전자 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 기층」으로 바꿔 읽고, 「반도체 웨이퍼」의 단어를 「어레이상 전자 부품」으로 바꿔 읽고, 「반도체 부품」의 단어를 「전자 부품」으로 바꿔 읽는다.

(2) 점착재층

전자 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 점착재층(12)에 관해서는, 전술한 반도체 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 점착재층(12)의 설명을 그대로 적용할 수 있다. 여기에서, 반도체 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)에 관한 설명에서는, 「반도체 부품 제조용 필름」의 단어를 「전자 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 기층」으로 바꿔 읽고, 「반도체 웨이퍼」의 단어를 「어레이상 전자 부품」으로 바꿔 읽고, 「반도체 부품」의 단어를 「전자 부품」으로 바꿔 읽는다.

(3) 그 외의 층

전자 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 그 외의 층에 관해서는, 전술한 반도체 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 그 외의 층의 설명을 그대로 적용할 수 있다. 여기에서, 반도체 부품 제조용 필름(1)의 그 외의 층에 관한 설명에서는, 「반도체 부품 제조용 필름」의 단어를 「전자 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 기층」으로 바꿔 읽고, 「반도체 웨이퍼」의 단어를 「어레이상 전자 부품」으로 바꿔 읽고, 「반도체 부품」의 단어를 「전자 부품」으로 바꿔 읽는다.

(4) 전자 부품 제조용 필름의 제조

전자 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 전자 부품 제조용 필름의 제조에 관해서는, 전술한 반도체 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 반도체 부품 제조용 필름의 제조의 설명을 그대로 적용할 수 있다. 여기에서, 반도체 부품 제조용 필름(1)의 제조에 관한 설명에서는, 「반도체 부품 제조용 필름」의 단어를 「전자 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 기층」으로 바꿔 읽고, 「반도체 웨이퍼」의 단어를 「어레이상 전자 부품」으로 바꿔 읽고, 「반도체 부품」의 단어를 「전자 부품」으로 바꿔 읽는다.

[4] 전자 부품의 제조 방법

본 발명의 전자 부품 제조용 필름(1)은, 전자 부품의 제조 방법에 이용된다. 이 전자 부품의 제조 방법은, 개편화 공정 R4(도 10 참조) 및 픽업 공정 R7(도 13 참조)을 포함함과 함께, 평가 공정 R3(도 9 참조) 및/또는 평가 공정 R5(도 11 참조)를, 픽업 공정 R7 전에 구비하는 것이다.

개편화 공정 R4(도 10 참조)는, 이면에 전자 부품 제조용 필름(1)이 첩착된 어레이상 전자 부품(50)을 개편화(다이싱)하여 전자 부품(51)을 얻는 공정이다.

이 개편화 공정 R4는, 공지의 방법을 이용하여 적절히 행할 수 있다. 한편, 개편화는, 1개의 전자 부품(51) 내에 적어도 1개의 반도체 부품이 포함되도록 개편화되어도 되고, 1개의 전자 부품(51) 내에 2개 이상의 반도체 부품이 포함되도록 개편화되어도 된다.

또한, 개편화 공정 R4(도 10 참조)에서는, 전술한 반도체 부품 제조용 필름(1)에 있어서의 경우와 마찬가지로, 본 전자 부품 제조용 필름(1)에 있어서도, 프레임체(7)를 이용하여, 보호 부재(15)로서 이용할 수 있다.

어레이상 전자 부품(50)은, 반도체 부품이 어레이상으로 봉지된 것이다. 구체적으로는, 하기의 전자 부품 (1)-(3)을 포함한다.

어레이상 전자 부품 (1)은, 회로 형성된 반도체 웨이퍼를 개편화하여 얻어진 반도체 부품(칩, 다이)을, 리드 프레임 상에 배열하여, 와이어 본딩한 후, 봉지제로 봉지하여 얻어진 어레이상 전자 부품이다.

어레이상 전자 부품 (2)는, 회로 형성된 반도체 웨이퍼를 개편화하여 얻어진 반도체 부품(칩, 다이)을, 이간 배열하여, 봉지제로 봉지한 후, 재배선층 및 범프 전극 등의 외부와의 도통을 얻는 외부 회로를 일괄하여 형성한 어레이상 전자 부품이다. 즉, 팬아웃 방식(eWLB 방식)에 있어서 얻어지는 어레이상 전자 부품이다.

어레이상 전자 부품 (3)은, 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 상태인 채로 반도체 부품으로서 이용하고, 재배선층 및 범프 전극 등의 외부와의 도통을 얻는 외부 회로나, 봉지제로 봉지한 봉지층을 일괄하여 형성한 어레이상 전자 부품이다. 이 어레이상 전자 부품 (3)에 있어서의 반도체 웨이퍼는, 개편화 전 상태이며, 반도체 부품(칩, 다이)이 어레이상으로 형성된 형태나, 반도체 웨이퍼를 기체(基體)로서 이용하는(비회로 실리콘 기판 상에 회로를 갖는 칩을 접합하여 이용하는 형태) 등을 포함하는 것이다. 즉, 어레이상 전자 부품 (3)은, 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지(WLCSP) 방식에 있어서 얻어지는 어레이상 전자 부품이다.

한편, 어레이상 전자 부품 (2)에서는, 이것을 형성할 때에도 본 발명의 전자 부품 제조용 필름을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 전자 부품 제조용 필름(1) 상에 반도체 부품을 이간 배열하여, 봉지제로 봉지한 후, 재배선층 및 범프 전극 등의 외부와의 도통을 얻는 외부 회로를 일괄하여 형성하여 어레이상 전자 부품을 얻을 수 있다.

픽업 공정 R7(도 13 참조)은, 개편화된 전자 부품(51)을, 전자 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)으로부터 이간하는 공정이다. 픽업 공정 R7은, 공지의 방법을 이용하여 적절히 행할 수 있지만, 예를 들어, 도 13에 예시되는 바와 같이, 전자 부품 제조용 필름(1)의 기층(11)측으로부터 밀어올림 부재(92)에 의해, 픽업 대상인 전자 부품(51')을 밀어올리고, 이 밀어올려진 전자 부품(51')을 픽업 기구(93)에 의해 흡착 등의 방법에 의해 픽업할 수 있다.

평가 공정은, 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서, 어레이상 전자 부품 또는 전자 부품의 평가를 행하는 공정이다. 즉, 이 평가 공정에는, 개편화 공정 전이면서 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 어레이상 전자 부품의 평가를 행하는 평가 공정 R3(도 9 참조)과, 개편화 공정 후이면서 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 전자 부품의 평가를 행하는 평가 공정 R5(도 11 참조)가 포함된다. 평가 공정 R3 및 평가 공정 R5는, 필요에 따라서 어느 일방만을 행해도 되고, 이들 양방을 행해도 된다.

또한, 어레이상 전자 부품(50) 또는 전자 부품(51)의 평가란, 구체적으로는, 하기 (1)의 어레이상 전자 부품 평가, 및 하기 (2)의 전자 부품 평가가 포함된다. 이 중, (1) 어레이상 전자 부품 평가는, 어레이상 전자 부품을 어레이상인 채로, 어레이상 전자 부품에 포함되는 각 내부 회로, 및 이들 내부 회로에 대응하여 형성된 외부 회로(각각의 내부 회로를 외부로 도출하기 위한 회로)의 전기 특성이, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에 있어서, 원하는 특성인지 여부를, 프로버를 이용하여 평가하는 것이다. 한편, (2) 전자 부품 평가는, 어레이상 전자 부품을 개편화하여 복수의 전자 부품이 어레이상으로 배열된 상태로, 이들 개개의 전자 부품의 전기 특성이, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에 있어서, 원하는 특성인지 여부를, 프로버를 이용하여 평가하는 것이다.

전술한 평가 공정 중, 평가 공정 R3(도 9 참조)을 행하는 경우, 즉, 평가를, 개편화 공정 전이면서 픽업 공정 전에 행하는 경우(어레이상 전자 부품(50)에 대해서 평가를 행하는 경우)에는, 예를 들어, 복수의 프로브(81)가 형성된 프로브 카드(8)를, 어레이상 전자 부품(50) 상에 형성된 외부 회로(범프 전극 등)에 접촉시켜 전기적 접속을 행하여, 프로브(81)와 어레이상 전자 부품(50)에 형성된 외부 회로 사이에 교환되는 신호의 정부의 판정을 행하는(프로브 테스트) 것으로 이루어진다(도 9 참조). 또한, 이 때에는, 전술과 같이, 보호 부재(15)의 프레임체(7)에 전자 부품 제조용 필름(1)을 고정하고, 그 점착재층(12)에, 어레이상 전자 부품(50)의 이면을 첩착한 상태로, 어레이상 전자 부품(50)을 평가에 제공하는 경우, 프로브 카드(80) 등의 측정 기기측의 각부와 프레임체(7)의 접촉을 피하기 위해, 진공 척 테이블(도시하지 않음)이나 스토퍼(91) 등의 지그를 프레임체(7)의 내측에 배치하여, 프레임체(7)를 하방으로 내리눌러(예를 들어, 0.5∼15mm), 프레임체(7)를 프로브 카드(80) 등의 측정 기기로부터 멀리할 수 있다.

한편, 전술한 평가 공정 중, 평가 공정 R5(도 11 참조)를 행하는 경우, 즉, 평가를, 개편화 공정 후이면서 픽업 공정 전에 행하는 경우(전자 부품(51)에 대해서 평가를 행하는 경우)에는, 예를 들어, 복수의 프로브(81)가 형성된 프로브 카드(8)를, 전자 부품(51)의 각각 소정의 대응하는 개소(예를 들어, 범프 전극 등의 외부 회로)에 접촉시켜 전기적 접속을 행하여, 프로브(81)와 전자 부품(51)에 형성된 외부 회로 사이에 교환되는 신호의 정부의 판정을 행하는(프로브 테스트) 것으로 이루어진다(도 11 참조). 이 경우에도 마찬가지로, 보호 부재(15)의 프레임체(7)에 전자 부품 제조용 필름(1)을 고정하고, 그 점착재층(12)에, 전자 부품(51)의 이면을 첩착한 상태로, 전자 부품(51)을 평가에 제공하는 경우, 프로브 카드(80) 등의 측정 기기측의 각부와 프레임체(7)의 접촉을 피하기 위해, 진공 척 테이블(도시하지 않음)이나 스토퍼(91) 등의 지그를 프레임체(7)의 내측에 배치하여, 프레임체(7)를 하방으로 내리눌러(예를 들어, 0.5∼15mm), 프레임체(7)를 프로브 카드(80)등의 측정 기기로부터 멀리할 수 있다.

또한, 평가 온도역은, 저온측에서는, 0℃ 이하이면 되고, 또한, 고온측에서는, 100℃ 이상이면 된다. 특히, 본 전자 부품 제조용 필름(1)은, 저온측에서는 -80℃ 이상 0℃ 이하(더욱이 -60℃ 이상 -10℃ 이하, 특히 -40℃ 이상 -10℃ 이하)에서 평가 공정을 행했다고 해도, 전자 부품 제조용 필름(1)이 평가 공정에 있어서 필요한 유연성을 유지할 수 있다. 더욱이, 픽업 공정 R7(도 13 참조)에 지장을 초래하지 않는다. 즉, 픽업 공정 R7(도 13 참조)에 있어서 밀어올림 부재(92)로 밀어올렸을 때에도 전자 부품 제조용 필름(1)이 유연성을 유지하고 있어, 전자 부품 제조용 필름(1)을 파단시키지 않고, 밀어올릴 수 있다. 특히, 픽업 공정 R7(도 13 참조) 전에, 부품 이간 공정 R6(도 12 참조)을 구비하는 경우에는, 전자 부품 제조용 필름(1)이 더욱 파단되기 쉬운 상황이 되지만, 전술한 전자 부품 제조용 필름(1)을 이용하는 것에 의해, 파단을 방지하여, 순조롭게 픽업을 행할 수 있다.

더욱이, 고온측에서는 100℃ 이상 170℃ 이하(더욱이 110℃ 이상 170℃ 이하, 특히 120℃ 이상 160℃ 이하)에서 평가 공정을 행했다고 해도, 전자 부품 제조용 필름(1)이 평가 공정에 있어서 필요한 유연성을 유지할 수 있다. 더욱이, 픽업 공정 R7(도 13 참조)에 지장을 초래하지 않는다. 즉, 픽업 공정 R7(도 13 참조)에 있어서 밀어올림 부재(92)로 밀어올렸을 때에도 전자 부품 제조용 필름(1)이 유연성을 유지하고 있어, 전자 부품 제조용 필름(1)을 파단시키지 않고, 밀어올릴 수 있다. 특히, 픽업 공정 R7(도 13 참조) 전에, 부품 이간 공정 R6(도 12 참조)을 구비하는 경우에는, 전자 부품 제조용 필름(1)이 더욱 파단되기 쉬운 상황이 되지만, 전술한 전자 부품 제조용 필름(1)을 이용하는 것에 의해, 파단을 방지하여, 순조롭게 픽업을 행할 수 있다.

더욱이, 이들 평가는, 저온측 및 고온측의 어느 한쪽에서만 평가를 행해도 되지만, 본 전자 부품 제조용 필름(1)에서는, 이들의 양방을 행했다고 해도, 픽업 공정 R7(도 13 참조)에 지장을 초래하지 않는 것으로 할 수 있다.

전술한 제조 방법에서는, 평가 공정 R3(도 9 참조), 개편화 공정 R4(도 10 참조), 평가 공정 R5(도 11 참조), 픽업 공정 R7(도 13 참조) 이외에도 다른 공정을 구비할 수 있다.

다른 공정으로서는, 부품 이간 공정 R6(도 12)을 들 수 있다. 부품 이간 공정 R6(도 12 참조)은, 전자 부품 제조용 필름(1)을 신장하는 것에 의해, 개편화된 전자 부품(51)끼리를 전자 부품 제조용 필름(1) 상에 있어서 이간시키는 공정이다. 전자 부품 제조용 필름(1)을 신장시킬 때에는, 스토퍼(91)를 프레임체(7)의 내측에 당접시켜 행할 수 있다.

[5] 평가 방법

본 발명의 반도체 부품 제조용 필름(1)을 이용함으로써 반도체 부품을 제조하는 동안에, 반도체 부품 제조용 필름(1)을 바꿔 붙이지 않고서 반도체 웨이퍼의 평가를 행할 수 있다. 즉, 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 기층(11)과, 기층(11)의 일면측에 설치된 점착재층(12)을 구비한 반도체 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)을, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(20)의 이면에 첩착한 상태로, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 반도체 웨이퍼(20)의 평가를 행할 수 있다(도 4 참조).

더욱이, 본 발명의 반도체 부품 제조용 필름(1)을 이용함으로써 반도체 부품을 제조하는 동안에, 반도체 부품 제조용 필름(1)을 바꿔 붙이지 않고서 반도체 부품의 평가를 행할 수 있다. 즉, 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 기층(11)과, 기층(11)의 일면측에 설치된 점착재층(12)을 구비한 반도체 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)을, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(20)가 개편화된 반도체 부품(21)의 이면에 첩착한 상태로, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 반도체 부품(21)의 평가를 행할 수 있다(도 6 참조).

이들 평가 방법은, 어느 일방만을 행해도 되고, 이들 양방을 병용해도 된다. 즉, 반도체 웨이퍼(20)에 대해서 소정의 평가를 행한 다음에, 추가로, 반도체 부품(21)에 대해서 소정의 평가를 행할 수 있다. 평가의 내용에 대해서는 전술한 대로이다.

또한, 본 발명의 전자 부품 제조용 필름(1)을 이용함으로써 전자 부품을 제조하는 동안에, 전자 부품 제조용 필름(1)을 바꿔 붙이지 않고서 어레이상 전자 부품의 평가를 행할 수 있다. 즉, 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 기층(11)과, 기층(11)의 일면측에 설치된 점착재층(12)을 구비한 전자 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)을, 어레이상 전자 부품(50)의 이면에 첩착한 상태로, -40℃ 이상 0℃ 이하, 또는 100℃ 이상 160℃ 이하의 온도역에서 어레이상 전자 부품(50)의 평가를 행할 수 있다(도 9 참조).

더욱이, 본 발명의 전자 부품 제조용 필름(1)을 이용함으로써 전자 부품을 제조하는 동안에, 전자 부품 제조용 필름(1)을 바꿔 붙이지 않고서 전자 부품의 평가를 행할 수 있다. 즉, 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 기층(11)과, 기층(11)의 일면측에 설치된 점착재층(12)을 구비한 전자 부품 제조용 필름(1)의 점착재층(12)을, 전자 부품(51)의 이면에 첩착한 상태로, -40℃ 이상 0℃ 이하, 또는 100℃ 이상 160℃ 이하의 온도역에서 전자 부품(51)의 평가를 행할 수 있다(도 11 참조).

이들 평가 방법은, 어느 일방만을 행해도 되고, 이들 양방을 병용해도 된다. 즉, 어레이상 전자 부품(50)에 대해서 소정의 평가를 행한 다음에, 추가로 전자 부품(51)에 대해서 소정의 평가를 행할 수 있다. 평가의 내용에 대해서는 전술한 대로이다.

실시예

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 한편, 이하에서는, 반도체 부품 제조용 필름과 전자 부품 제조용 필름을 총칭하여 부품 제조용 필름이라고 기재한다.

[1] 부품 제조용 필름의 제조

〈실시예 1〉

(1) 기층

기층(11)으로서, 두께 80μm의 폴리에스터계 열가소성 엘라스토머(TPEE) 필름(도레이·듀퐁주식회사제, 품명 「하이트렐 4777」, 융점 200℃)을 이용했다.

이 기층(11)을 이용하여, 인장 탄성률 E'를, 동적 점탄성 측정 장치(DMA: Dynamic Mechanical Analysis)(제품명: RSA-3, TA 인스트루먼트사제)에 의해 측정했다. 구체적으로는, 샘플 사이즈를 폭 10mm, 척간의 길이 20mm로 하여, 주파수 1Hz, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건에서 -50℃로부터 200℃까지 측정하여 얻어진 데이터로부터 각 온도의 데이터를 판독했다. 즉, -40℃에 있어서의 값을 인장 탄성률 E'(-40)으로 하고, 160℃에 있어서의 값을 인장 탄성률 E'(160)으로 했다. 그 결과, E'(-40)은 440MPa이고, E'(160)은 12MPa이었다. 그 결과, 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))는 0.03이었다.

(2) 점착재층

점착재층(12)으로서, 두께 10μm의 비경화형의 아크릴계 점착제를 이용했다.

(3) 기층과 점착재층의 적층

상기 (1)에서 얻어진 기층(11)의 일면에, 상기 (2)의 점착재층(12)을 라미네이트하여, 실시예 1의 부품 제조용 필름(1)을 얻었다.

얻어진 실시예 1의 부품 제조용 필름(1)을 이용하여, JIS Z0237에 준거하여, 이하의 방법으로 점착력을 측정했다. 즉, 얻어진 부품 제조용 필름을, 폭 25mm의 시험편으로 하여, 그 점착재층(12)을, 4인치의 실리콘 웨이퍼에 약 2kg 고무 롤로 압력을 가하면서 첩부했다. 그 다음에, 온도 23℃, 상대 습도 50%의 환경하에 60분간 방치했다. 그 후, 시험편을 180° 방향으로, 박리 속도 300mm/분으로 실리콘 웨이퍼로부터 당겨 벗길 때의 점착력을 측정했다. 점착력의 측정은 2회 행하여, 평균치를 「점착력」(N/25mm)으로 했다. 그 결과, 실시예 1의 부품 제조용 필름에 의한 점착력은 1.2N/25mm였다.

〈실시예 2〉

기층(11)으로서, 두께가 150μm인 것 이외의 점에서는, 실시예 1과 동일한 폴리에스터계 열가소성 엘라스토머 필름(도레이·듀퐁주식회사제, 품명 「하이트렐 4777」, 융점 200℃)을 이용했다.

점착재층(12)으로서, 실시예 1과 동일한, 두께 10μm의 비경화형의 아크릴계 점착제를 이용했다.

실시예 1의 경우와 마찬가지로, 기층(11)과 점착재층(12)을 적층하여, 실시예 2의 부품 제조용 필름(1)을 얻었다. 얻어진 실시예 2의 부품 제조용 필름을 이용하여 실시예 1과 마찬가지로 측정한 점착력은 1.2N/25mm였다.

〈실시예 3〉

점착재층(12)으로서, 자사제의 자외선 경화형의 아크릴계 점착제를 두께 10μm로 성형하여, 점착재층(12)으로 했다.

실시예 1의 경우와 마찬가지로, 기층(11)과 점착재층(12)을 적층하여, 실시예 3의 부품 제조용 필름(1)을 얻었다. 얻어진 실시예 3의 부품 제조용 필름을 이용하여 실시예 1과 마찬가지로 측정한 점착력은 4.5N/25mm였다.

〈비교예 1〉

기층(11)으로서, 두께 80μm의 직쇄상 단쇄 분기 폴리에틸렌(PE) 필름(주식회사프라임폴리머제, 품명 「에볼류 SP2040」, 융점 116℃)을 이용했다.

이 기층(11)을 이용하여, 실시예 1과 마찬가지로 측정하여 얻어진 -40℃에 있어서의 인장 탄성률 E'(-40)은 520MPa이었다. 한편, 온도 160℃에서는 파단에 의해, E'(160)의 계측을 할 수 없었다. 그 결과, 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))는 0.01 미만이 되었다.

실시예 1의 경우와 마찬가지로, 기층(11)과 점착재층(12)을 적층하여, 비교예 1의 부품 제조용 필름(1)을 얻었다. 얻어진 비교예 1의 부품 제조용 필름을 이용하여 실시예 1과 마찬가지로 측정한 점착력은 1.2N/25mm였다.

〈비교예 2〉

기층(11)으로서, 두께 80μm의 랜덤 폴리프로필렌(PP) 필름(주식회사프라임폴리머제, 품명 「F327」, 융점 138℃)을 이용했다.

이 기층(11)을 이용하여, 실시예 1과 마찬가지로 측정하여 얻어진 -40℃에 있어서의 인장 탄성률 E'(-40)은 1500MPa였다. 한편, 온도 160℃에서는 파단에 의해, E'(160)의 계측을 할 수 없었다. 그 결과, 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))는 0.01 미만이 되었다.

실시예 1의 경우와 마찬가지로, 기층(11)과 점착재층(12)을 적층하여, 비교예 2의 부품 제조용 필름(1)을 얻었다. 얻어진 비교예 2의 부품 제조용 필름을 이용하여 실시예 1과 마찬가지로 측정한 점착력은 1.2N/25mm였다.

〈비교예 3〉

기층(11)으로서, 두께 80μm의 폴리염화바이닐(PVC) 필름(아킬레스주식회사제, 품명 「세이덴 필름」, 융점 95℃)을 이용했다.

이 기층(11)을 이용하여, 실시예 1과 마찬가지로 측정하여 얻어진 -40℃에 있어서의 인장 탄성률 E'(-40)은 2000MPa이고, E'(160)은 0.5MPa이었다. 그 결과, 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))는 2.5×10^-4로, 0.01 미만이 되었다.

실시예 1의 경우와 마찬가지로, 기층(11)과 점착재층(12)을 적층하여, 비교예 3의 부품 제조용 필름(1)을 얻었다. 얻어진 비교예 3의 부품 제조용 필름을 이용하여 실시예 1과 마찬가지로 측정한 점착력은 1.2N/25mm였다.

[2] 부품 제조용 필름을 이용한 시험

실시예 1-4 및 비교예 1-3을 이용하여, 이하의 2종의 시험을 행했다.

(1) 시험 1(내열성의 평가)

온도 160℃로 설정한 진공 흡착식의 웨이퍼 테이블(척 테이블)에, 상기 [1]에서 얻어진 실시예 1-4 및 비교예 1-3의 각 부품 제조용 필름의 기층(11)측을 흡착 고정하고, 10분 경과 후에, 진공 파괴하고, 각 부품 제조용 필름을, 웨이퍼 테이블에서 떼어냈다. 이 때에, 웨이퍼 테이블로부터의 떼어내기 쉬움을 이하의 기준으로 평가하여, 그 결과를 표 1에 나타냈다.

「○」···문제없이 떼어낼 수 있었다.

「×」···웨이퍼 테이블로의 용착이 확인되고, 떼어내기가 용이하지 않았다.

(2) 시험 2(접착제 잔류의 평가)

4인치 사이즈의 실리콘 웨이퍼의 경면에, 상기 [1]에서 얻어진 실시예 1-4 및 비교예 1-3의 각 부품 제조용 필름의 점착재층(12)측을 첩착하고, 160도의 핫 플레이트 상에 웨이퍼면을 설치하여 10분간 유지한 후, 핫 플레이트를 냉각했다. 그 다음에, 고압 수은등을 이용하여 적산 광량이 1080mJ/cm²가 되도록 파장 365nm의 광을 조사한 후, 각 부품 제조용 필름을 실리콘 웨이퍼로부터 박리했다. 이 때에, 육안에 의한 실리콘 웨이퍼로의 접착제 잔류를 이하의 기준으로 평가하여, 그 결과를 표 1에 나타냈다.

「○」···육안에 의한 실리콘 웨이퍼로의 접착제 잔류가 확인되지 않았다.

「×」···육안에 의한 실리콘 웨이퍼로의 접착제 잔류가 확인되었다.

[3] 실시예의 효과

부품 제조용 필름(1)의 기층(11)에 있어서의 비 R_E가 R_E＞0.01인 것에 의해, 160℃로 가열한 웨이퍼 테이블을 이용하여 반도체 부품 및 전자 부품을 제조할 수 있음을 알 수 있다. 즉, 본 부품 제조용 필름(1)을 이용함으로써, 온도 변화를 수반한 평가 공정과 개편화 공정과 픽업 공정에서 부품 제조용 필름을 공통되게 이용할 수 있어, 바꿔 붙이기를 위한 공수(工數)를 경감하여, 반도체 부품 및 전자 부품의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 실시예 1과 실시예 2의 비교로부터, 두께에 상관없이 취급 용이성(상온 시의 필름의 경도, 첩부 용이성 등)에 차이는 확인되지 않고, 어느 실시예에 있어서도 취급하기 쉬운 부품 제조용 필름이 되었다.

한편, 본 발명에 있어서는, 상기의 구체적 실시예에 나타내는 것에 한정되지 않고, 목적, 용도에 따라 본 발명의 범위 내에서 여러 가지로 변경한 실시예로 할 수 있다.

본 발명의 반도체 부품 제조용 필름 및 반도체 부품의 제조 방법, 및 전자 부품 제조용 필름 및 전자 부품의 제조 방법은, 반도체 부품 제조, 전자 부품 제조의 용도에 있어서 널리 이용된다. 특히, 온도 변화를 수반한 평가 공정, 개편화 공정 및 픽업 공정을 구비한 반도체 부품의 제조 방법을 이용하는 경우, 온도 변화를 수반한 평가 공정, 개편화 공정 및 픽업 공정을 구비한 전자 부품의 제조 방법을 이용하는 경우에, 이들 공정에서 공통되게 이용할 수 있기 때문에, 생산성이 우수한 부품의 제조를 행할 때에 적합하게 이용된다.

1; 반도체 부품 제조용 필름, 전자 부품 제조용 필름, 15; 보호 부재,
11; 기층,
12; 점착재층,
12a; 점착재층의 표면(개구부(71)에 노출된 점착재층(12)의 표면),
20; 반도체 웨이퍼, 21; 반도체 부품,
30; 봉지재,
50; 어레이상 전자 부품, 51; 전자 부품,
7; 프레임체,
7a; 프레임체의 일면,
71; 프레임체의 개구부,
8; 프로브 카드, 81; 프로브,
91; 스토퍼, 92; 밀어올림 부재, 93; 픽업 기구,
R1; 보호 부재 형성 공정,
R2; 첩착 공정,
R3; 평가 공정(반도체 웨이퍼 평가 공정, 어레이상 전자 부품 평가 공정),
R4; 개편화 공정,
R5; 평가 공정(반도체 부품 평가 공정, 전자 부품 평가 공정),
R6; 부품 이간 공정,
R7; 픽업 공정.

Claims

반도체 부품의 제조 방법에 이용되는 반도체 부품 제조용 필름으로서,
기층과, 상기 기층의 일면측에 설치된 점착재층을 구비하고,
상기 기층의 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조용 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 기층은, 열가소성 폴리에스터계 엘라스토머 및/또는 열가소성 폴리아마이드계 엘라스토머를 포함하는 반도체 부품 제조용 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 기층은, 두께가 50μm 이상 200μm 이하인 반도체 부품 제조용 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 점착재층은, 두께가 1μm 이상 40μm 이하인 반도체 부품 제조용 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 점착재층은, JIS Z0237에 준거하여 측정되는 점착력이 0.1∼10N/25mm인 반도체 부품 제조용 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 반도체 부품의 제조 방법은, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 점착재층을 첩착한 상태로, 상기 반도체 웨이퍼를 개편화하여 반도체 부품을 얻는 개편화 공정과,
상기 반도체 부품을 상기 점착재층으로부터 이간하는 픽업 공정을 구비함과 함께,
상기 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 상기 반도체 웨이퍼 또는 상기 반도체 부품의 평가를 행하는 평가 공정을 구비하는 반도체 부품 제조용 필름.
회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에, 반도체 부품 제조용 필름의 점착재층을 첩착한 상태로, 상기 반도체 웨이퍼를 개편화하여 반도체 부품을 얻는 개편화 공정과,
상기 반도체 부품을 상기 점착재층으로부터 이간하는 픽업 공정을 구비함과 함께,
상기 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 상기 반도체 웨이퍼 또는 상기 반도체 부품의 평가를 행하는 평가 공정을 구비하고,
상기 반도체 부품 제조용 필름은, 기층과, 상기 기층의 일면측에 설치된 상기 점착재층을 갖고,
상기 기층의 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 부품의 제조 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 기층은, 열가소성 폴리에스터계 엘라스토머 및/또는 열가소성 폴리아마이드계 엘라스토머를 포함하는 반도체 부품의 제조 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 기층은, 두께가 50μm 이상 200μm 이하인 반도체 부품의 제조 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 점착재층은, 두께가 1μm 이상 40μm 이하인 반도체 부품의 제조 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 점착재층은, JIS Z0237에 준거하여 측정되는 점착력이 0.1∼10N/25mm인 반도체 부품의 제조 방법.
전자 부품의 제조 방법에 이용되는 전자 부품 제조용 필름으로서,
기층과, 상기 기층의 일면측에 설치된 점착재층을 구비하고,
상기 기층의 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 것을 특징으로 하는 전자 부품 제조용 필름.
제 12 항에 있어서,
상기 기층은, 열가소성 폴리에스터계 엘라스토머 및/또는 열가소성 폴리아마이드계 엘라스토머를 포함하는 전자 부품 제조용 필름.
제 12 항에 있어서,
상기 기층은, 두께가 50μm 이상 200μm 이하인 전자 부품 제조용 필름.
제 12 항에 있어서,
상기 점착재층은, 두께가 1μm 이상 40μm 이하인 전자 부품 제조용 필름.
제 12 항에 있어서,
상기 점착재층은, JIS Z0237에 준거하여 측정되는 점착력이 0.1∼10N/25mm인 전자 부품 제조용 필름.
제 12 항에 있어서,
상기 전자 부품의 제조 방법은,
반도체 부품이 어레이상으로 봉지된 어레이상 전자 부품의 이면에 상기 점착재층을 첩착한 상태로, 상기 어레이상 전자 부품을 개편화하여 전자 부품을 얻는 개편화 공정과,
상기 전자 부품을 상기 점착재층으로부터 이간하는 픽업 공정을 구비함과 함께,
상기 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 상기 어레이상 전자 부품 또는 상기 전자 부품의 평가를 행하는 평가 공정을 구비하는 전자 부품 제조용 필름.
반도체 부품이 어레이상으로 봉지된 어레이상 전자 부품의 이면에, 부품 제조용 필름의 점착재층을 첩착한 상태로, 상기 어레이상 전자 부품을 개편화하여 전자 부품을 얻는 개편화 공정과,
상기 전자 부품을 상기 점착재층으로부터 이간하는 픽업 공정을 구비함과 함께,
상기 픽업 공정 전에, 0℃ 이하 또는 100℃ 이상의 온도역에서 상기 어레이상 전자 부품 또는 상기 전자 부품의 평가를 행하는 평가 공정을 구비하고,
상기 전자 부품 제조용 필름은, 기층과, 상기 기층의 일면측에 설치된 상기 점착재층을 갖고,
상기 기층의 160℃에 있어서의 탄성률 E'(160)과 -40℃에 있어서의 탄성률 E'(-40)의 비 R_E(=E'(160)/E'(-40))가 R_E≥0.01이고, 또한 E'(-40)이 10MPa 이상 1000MPa 미만인 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
제 18 항에 있어서,
상기 기층은, 열가소성 폴리에스터계 엘라스토머 및/또는 열가소성 폴리아마이드계 엘라스토머를 포함하는 전자 부품의 제조 방법.
제 18 항에 있어서,
상기 기층은, 두께가 50μm 이상 200μm 이하인 전자 부품의 제조 방법.
제 18 항에 있어서,
상기 점착재층은, 두께가 1μm 이상 40μm 이하인 전자 부품의 제조 방법.
제 18 항에 있어서,
상기 점착재층은, JIS Z0237에 준거하여 측정되는 점착력이 0.1∼10N/25mm인 전자 부품의 제조 방법.