JP2022064089A - ウェーハの加工方法、及び、加工装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 裏面研削によって直径が小さくなったウェーハの表面からはみ出した保護テープのはみ出しに起因する不具合発生を抑制するための新規な技術を提案する。【解決手段】 外周に面取り部Wmが形成されたウェーハWの加工方法であって、ウェーハWの表面Waに保護テープTを貼着するとともに保護テープTの直径をウェーハWの直径と同径にするテープ貼着ステップと、保護テープTを介して保持テーブル10でウェーハWを保持して裏面Wbを露出させる保持ステップと、保持テーブル10で保持されたウェーハWの裏面Wbを研削砥石23aで研削してウェーハWの厚みを元の厚みの半分よりも薄くなるように薄化することでウェーハWの直径が縮径され保護テープTがウェーハWからはみ出すはみ出し部Tmが形成される研削ステップと、研削ステップを実施した後、保護テープ10のはみ出し部Tmを加熱して収縮させる収縮ステップと、を備えたウェーハWの加工方法とする。【選択図】図6
Description
本発明は、外周に面取り部が形成されたウェーハの加工方法に関するものである。
従来、半導体デバイスの製造工程におけるウェーハ(半導体ウェーハ)の裏面研削に際し、ウェーハの表面のデバイスを保護するために、ウェーハの表面に保護テープが貼着される。
そして、ウェーハの裏面研削後は、例えばピールテープを用いて保護テープが剥離される。保護テープを剥離する際には、接着力が強いピールテープ(剥離用テープ)を保護テープに貼着し、ピールテープを引っ張り上げることでピールテープとともに保護テープを剥離させることが行われる。
具体的には、図9(A)に示すように、ウェーハ70の表面70a側に保護テープ72が貼着され、ウェーハ70の裏面70b側が研削される。そして、裏面研削後は、図9(B)に示すように、ウェーハ70の裏表を反転し、裏面70b側がダイシングテープ74に貼着されるとともに、保護テープ72のエッジ部分をまたぐようにピールテープ76を保護テープ72に押し付けて貼着した後、ピールテープ76を引き上げることでウェーハ70から保護テープ72を剥離させる。
特許文献1では、このピールテープ(剥離用テープ)を供給、貼着、切断するためのテープカッター(剥離用テップカッター)の構造について開示をしている。
図9(B)に示すように、保護テープ72の外周縁にピールテープ76を貼着することは重要となる。仮に、ピールテープ76が保護テープ72の外周縁よりも内側部分に貼着され、外周縁には貼着されないこととなると、ピールテープ76を引き上げた際に保護テープ72がウェーハ70から剥離し難くなり、ピールテープ76が保護テープ72から剥がれてしまい、保護テープ72の剥離不良が生じる可能性があるためである。
一方、図9(A)に示すように、ウェーハ70の外周はハンドリング性の向上や破損防止のために面取りされており、表面から裏面に至る断面が円弧状に形成され、面取り部70mが形成されている。このため、表面70aに保護テープ72を貼着したウェーハ70の裏面70bを研削し、例えば厚さ50μmにまで薄化すると保護テープ72の直径がウェーハの直径よりも大きくなり、保護テープ72がウェーハ70の表面からはみ出し量Mだけはみ出して、はみ出し部72mが形成された状態となる。
そして、このように保護テープ72の直径がウェーハ70の直径よりも大きい状態で、図9(B)に示すように、ピールテープ76を保護テープ72の外周縁に貼着しようとすると、ウェーハ70からはみ出した保護テープ72のはみ出し部72mがダイシングテープ74に貼着してしまい、保護テープ72を剥離するのが難しくなってしまう。
特に、DAF(ダイアタッチフィルム)付きのダイシングテープである場合には、DAFに付着させた保護テープを無理に剥離させると、DAFがダイシングテープから剥がれてしまう恐れがある。
本願発明は、以上の問題に鑑み、裏面研削によって直径が小さくなったウェーハの表面からはみ出した保護テープのはみ出しに起因する不具合発生を抑制するための新規な技術を提案するものである。
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段を説明する。
本発明の一態様によれば、
外周に面取り部が形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面に保護テープを貼着するとともに保護テープの直径をウェーハの直径と同径にするテープ貼着ステップと、
保護テープを介して保持テーブルでウェーハを保持して裏面を露出させる保持ステップと、
保持テーブルで保持されたウェーハの裏面を研削砥石で研削してウェーハの厚みを元の厚みの半分よりも薄くなるように薄化することでウェーハの直径が縮径され保護テープがウェーハからはみ出すはみ出し部が形成される研削ステップと、
研削ステップを実施した後、保護テープのはみ出し部を加熱して収縮させる収縮ステップと、を備えたウェーハの加工方法とするものである。
外周に面取り部が形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面に保護テープを貼着するとともに保護テープの直径をウェーハの直径と同径にするテープ貼着ステップと、
保護テープを介して保持テーブルでウェーハを保持して裏面を露出させる保持ステップと、
保持テーブルで保持されたウェーハの裏面を研削砥石で研削してウェーハの厚みを元の厚みの半分よりも薄くなるように薄化することでウェーハの直径が縮径され保護テープがウェーハからはみ出すはみ出し部が形成される研削ステップと、
研削ステップを実施した後、保護テープのはみ出し部を加熱して収縮させる収縮ステップと、を備えたウェーハの加工方法とするものである。
また、本発明の一態様によれば、
外周に面取り部が形成されるとともに同径の保護テープが表面に貼着されたウェーハを研削する研削装置であって、
保護テープを介してウェーハを保持する保持テーブルと、
保持テーブルで保持されたウェーハを研削する研削砥石を有した研削ユニットと、
研削ユニットでウェーハを研削しウェーハの厚みを半分より薄化することでウェーハが縮径されて形成された保護テープがウェーハからはみ出すはみ出し部を加熱して収縮させる加熱ユニットと、を備えた研削装置とするものである。
外周に面取り部が形成されるとともに同径の保護テープが表面に貼着されたウェーハを研削する研削装置であって、
保護テープを介してウェーハを保持する保持テーブルと、
保持テーブルで保持されたウェーハを研削する研削砥石を有した研削ユニットと、
研削ユニットでウェーハを研削しウェーハの厚みを半分より薄化することでウェーハが縮径されて形成された保護テープがウェーハからはみ出すはみ出し部を加熱して収縮させる加熱ユニットと、を備えた研削装置とするものである。
また、本発明の一態様によれば、
研削ユニットで研削されたウェーハを洗浄する洗浄ユニットを備え、
加熱ユニットは、洗浄ユニットで洗浄されたウェーハの保護テープのはみ出し部を加熱する、こととするものである。
研削ユニットで研削されたウェーハを洗浄する洗浄ユニットを備え、
加熱ユニットは、洗浄ユニットで洗浄されたウェーハの保護テープのはみ出し部を加熱する、こととするものである。
本発明の一態様によれば、ウェーハの薄化によって形成された保護テープのはみ出し部を解消することができ、後に保護テープをピールテープにより剥離する際に、はみ出し部がダイシングテープやDAFに付着してしまう不具合の発生を防止できる。
また、本発明の一態様によれば、洗浄ユニットから搬出される際には保護テープのはみ出し部が解消された状態とすることができ、研削装置において保護テープのはみ出しの問題を解消することができる。
図1は、本発明の実施に用いられる研削装置の構成例について示すものである。
この研削装置1は、被加工物であるウェーハWの裏面Wbを研削加工することで、ウェーハWを薄化する装置である。加工対象としてのウェーハWは、例えば、シリコン、サファイア、窒化ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。
この研削装置1は、被加工物であるウェーハWの裏面Wbを研削加工することで、ウェーハWを薄化する装置である。加工対象としてのウェーハWは、例えば、シリコン、サファイア、窒化ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。
図2は被加工物であるウェーハWの一例を示すものである。図2の例では、ウェーハWは、表面Waが下側、裏面Wbが上側となるように配置され、表面Wa側が保護テープTに貼着される。帯状の保護テープTは、ウェーハWの外周に沿うようにカットされ、ウェーハWと一体化される。ウェーハWの表面Waには、格子状に形成される分割予定ラインにより区画される各領域に、デバイスDが形成される。
図1に示すように、研削装置1は、ウェーハWを保持する保持テーブル10と、保持テーブル10に保持されたウェーハWを研削する第1及び第2の研削ユニット20a,20bと、を備える。また、研削装置1は、搬送装置40と、ターンテーブル50と、洗浄ユニット60と、制御装置65などを備える。
搬送装置40は、研削加工前のウェーハWを保持テーブル10上に供給するとともに、研削加工後のウェーハWを回収するためのものである。搬送装置40は、研削加工前のウェーハWを複数収容する搬入カセット46と、搬送機構42と、仮置き部43と、搬入アーム44と、搬出アーム45と、研削加工後のウェーハWを複数収容する搬出カセット41などを含んで構成されている。
搬入カセット46と搬出カセット41は、同一の構成であり、研削装置1の装置本体2の所定位置に載置される。搬送機構42は、搬入カセット46内のウェーハWを1枚ずつ取り出して、仮置き部43上に載置するとともに、第1及び第2の研削ユニット20a,20bにより研削加工が施されて洗浄ユニット60により洗浄されたウェーハWを搬出カセット41内に収容するものである。搬入アーム44及び搬出アーム45は、例えば、回転動作及び昇降動作が可能な搬送用のアームである。
搬入アーム44は、仮置き部43上のウェーハWを搬出入位置の保持テーブル10上に載置するとともに、搬出アーム45は、搬出入位置の保持テーブル10上の研削加工後のウェーハWを洗浄ユニット60に搬送する。保持テーブル10上に載置されたウェーハWは、第1及び第2の研削ユニット20a,20bにより順に研削加工が施された後、搬出アーム45により洗浄ユニット60まで搬送され、洗浄ユニット60により洗浄された後、搬送機構42により搬出カセット41に収容される。
洗浄ユニット60には、詳しくは後述するように保護テープT(図6)を加熱して収縮させるための加熱ユニット80が設けられる。なお、加熱ユニット80は、薄化加工後のウェーハWの保護テープを加熱することを目的とするものであり、薄化加工後において加熱が可能であれば、洗浄ユニット60とは異なる箇所に配置してもよい。
ターンテーブル50は、装置本体2の上面に設けられた円盤状のテーブルであり、Z軸回りに回転可能に設けられ、所定のタイミングで適宜回転駆動される。保持テーブル10は、ターンテーブル50上に複数設けられている。本実施形態では、保持テーブル10は、ターンテーブル50上に三つ設けられ、例えば、120度の角度毎に等間隔に配置されている。
保持テーブル10は、ウェーハWの裏面Wbを露出した状態でウェーハWを吸引保持するものである。保持テーブル10は、保持面10aを構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示せぬ真空吸引経路を介して図示せぬ真空吸引源と接続され、保持面10aに載置されたウェーハWを保護テープTを介して吸引保持する。
保持テーブル10は、ターンテーブル50の回転にともないZ軸回りに公転し、かつZ軸回りに自転することで吸引保持したウェーハWをZ軸回りに回転させる。保持テーブル10は、最も搬送装置40寄りの搬出入位置に位置づけられ、当該位置においてウェーハWが搬出入されるものであり、また、ターンテーブル50が回転することで、搬出入位置、粗研削位置、仕上げ研削位置、搬出入位置とに順に移動される。
第1の研削ユニット20aは、粗研削位置に位置付けられた保持テーブル10に保持された研削加工前のウェーハWの裏面Wbに粗研削加工を施して、ウェーハWを薄化するためのものである。第2の研削ユニット20bは、仕上げ研削位置に位置付けられた保持テーブル10に保持された粗研削加工を施されたウェーハWの裏面Wbに仕上げ研削加工を施して、ウェーハWを薄化するためのものである。
第1及び第2の研削ユニット20a,20bは、それぞれ加工送り機構21により加工送りされる。加工送り機構21は、第1及び第2の研削ユニット20a,20bをZ軸方向に沿って保持テーブル10に保持されたウェーハWに近づけて、第1及び第2の研削ユニット20a,20bを加工送りする。また、加工送り機構21は、第1及び第2の研削ユニット20a,20bをZ軸方向に沿って保持テーブル10に保持されたウェーハWから遠ざけて、第1及び第2の研削ユニット20a,20bをウェーハWから離間させる。なお、第1の研削ユニット20aが研削するウェーハWの厚みは、第2の研削ユニット20bが研削するウェーハWの厚みよりも厚いものとなる。
第1及び第2の研削ユニット20a,20bは、それぞれ、下方に延出されるスピンドルがモーター駆動され、スピンドルの先端に固定された研削ホイール23,23がZ軸回りに高速回転される。研削ホイール23,23には、それぞれ研削砥石が設けられ、この研削砥石によってウェーハWの裏面Wbが研削加工される。
第1及び第2の研削ユニット20a,20bにおいて、研削加工がされる際には、研削ホイール23をZ軸回りに回転させながら加工送り機構21により下方に加工送りすることで、研削砥石がウェーハWの裏面Wbに押し当てられる。この際、保持テーブル10の自転によりウェーハWがZ軸回りに回転されるとともに、図示せぬ研削水供給手段より研削水がウェーハWの裏面Wbに供給される。
次に上記の装置構成を用いた加工方法の例について説明する。図3は、以下の加工方法の手順について示すフローチャートである。
<テープ貼着ステップ>
図2に示すように、ウェーハWの表面Waに保護テープTを貼着するとともに保護テープTの直径をウェーハの直径と同径にするステップである。
図2に示すように、ウェーハWの表面Waに保護テープTを貼着するとともに保護テープTの直径をウェーハの直径と同径にするステップである。
具体的には、ウェーハよりも大きい保護テープTにウェーハWを貼り付けた後、カッターをウェーハWの外周に沿わせて保護テープTをカットすることで、図4(A)に示すように、ウェーハWの最大直径と保護テープTの直径が略同じになるようにする。
図4(A)の拡大部分に示されるように、ウェーハWの外周部には、面取り部Wmが形成される。
<保持ステップ>
図4(B)に示すように、保護テープTを介して保持テーブル10でウェーハWを保持して裏面Wbを露出させるステップである。
図4(B)に示すように、保護テープTを介して保持テーブル10でウェーハWを保持して裏面Wbを露出させるステップである。
具体的には、図1に示すように、搬入カセット46に収容されたウェーハWが保持テーブル10に搬入され、保持テーブル10にてウェーハWを吸着保持する。
<研削ステップ>
図5(A)(B)に示すように、保持テーブル10で保持されたウェーハWの裏面Wbを研削砥石23aで研削してウェーハWの厚みを元の厚みの半分よりも薄くなるように薄化するステップである。なお、ウェーハWの元の厚みとは、研削する前の厚みである。
図5(A)(B)に示すように、保持テーブル10で保持されたウェーハWの裏面Wbを研削砥石23aで研削してウェーハWの厚みを元の厚みの半分よりも薄くなるように薄化するステップである。なお、ウェーハWの元の厚みとは、研削する前の厚みである。
具体的には、図1に示すように第1及び第2の研削ユニット20a,20bによって粗研削加工と仕上げ研削加工を順次実施して、図5(B)に示すように、ウェーハWの厚みを元の厚みの半分よりも薄い厚みHに薄化する。
そして、図5(B)に示すように、薄化によってウェーハWの元の直径D1が直径D2に縮径され、保護テープTがウェーハWからはみ出し量M1だけはみ出し、はみ出し部Tmが形成される。
なお、図5(B)に示すように、ウェーハWの外周部に形成される面取り部Wmは円弧状となるように構成される他、ウェーハの種類によって図5(C)に示す面取り部Wnのように、傾斜面状となるように構成される場合がある。このような、図5(C)に示す面取り部Wnが形成されるウェーハにおいても、薄化することによって保護テープTが大きくはみ出ることとなる。
<収縮ステップ>
図6(A)(B)に示すように、保護テープTのはみ出し部Tmを加熱して収縮させるステップである。
図6(A)(B)に示すように、保護テープTのはみ出し部Tmを加熱して収縮させるステップである。
本実施例では、熱風Nを吹き付けるヒートガンにて構成される加熱ユニット80により、熱風Nを保護テープTに吹き付けることとしている。はみ出し部Tmを収縮させるのに十分な時間と熱風Nの温度は、保護テープTの材質や厚みに応じてあらかじめ実験して選定しておくのが好ましい。熱風Nの温度は、例えば、90℃~120℃とすることができる。
この加熱ユニット80は、図1に示すように、洗浄ユニット60に設けられ、図6(A)に示すように、洗浄ユニット60のスピンナテーブル61に載置された状態のウェーハWについて、ウェーハWの洗浄後に熱風Nを吹き付ける構成とする。
なお、図6(A)に示すように、加熱ユニット80は上側(ウェーハW側)から熱風Nを保護テープTに吹き付けることとする他、下側(保護テープT側)から吹き付けることとしてもよい。また、加熱ユニットとして、ヒートガンに代えてランプなどを用いることとしてもよい。
以上のようにして、図6(B)に示すように、保護テープTが収縮してウェーハWからはみ出したはみ出し部Tmが解消される。
<剥離ステップ>
はみ出し部Tmが解消されたウェーハWは、図7に示すように、裏表を反転させて保護テープTが上側に露出するようにして、ダイシングテープ85に貼着される。
はみ出し部Tmが解消されたウェーハWは、図7に示すように、裏表を反転させて保護テープTが上側に露出するようにして、ダイシングテープ85に貼着される。
なお、図7に示すように、ダイシングテープ85には、環状のフレームFも貼着され、ウェーハWとフレームFを一体としたウェーハユニットUが構成され、ウェーハユニットUとしてハンドリングされる。
そして、図8(A)に示すように、ピールテープ90を用いて保護テープTの剥離が行われる。ピールテープ90は、ウェーハWの外周縁を跨ぐように配置され、押圧機構92によって保護テープTに押し付けられる。
この際、保護テープTは、ピールテープ90とともに押し付けられるが、上述した収縮ステップにより保護テープTのウェーハWからのはみ出しが解消されているため、保護テープTがダイシングテープ85に貼着してしまうことがない。
そして、図8(B)に示すように、剥離機構94によってピールテープ90を引き上げることで、ウェーハWから保護テープTを剥離させることができる。
このように、保護テープTのウェーハWからのはみ出しが事前に解消されていることにより、保護テープTを剥離させる過程において、保護テープTがダイシングテープ85に貼り付いてしまうことがなく、保護テープTをスムーズに剥離させることが可能となる。
以上のようにして本発明を実現することができる。
即ち、図1乃至図6に示すように、
外周に面取り部Wmが形成されたウェーハWの加工方法であって、
ウェーハWの表面Waに保護テープTを貼着するとともに保護テープTの直径をウェーハWの直径と同径にするテープ貼着ステップと、
保護テープTを介して保持テーブル10でウェーハWを保持して裏面Wbを露出させる保持ステップと、
保持テーブル10で保持されたウェーハWの裏面Wbを研削砥石23aで研削してウェーハWの厚みを元の厚みの半分よりも薄くなるように薄化することでウェーハWの直径が縮径され保護テープTがウェーハWからはみ出すはみ出し部Tmが形成される研削ステップと、
研削ステップを実施した後、保護テープ10のはみ出し部Tmを加熱して収縮させる収縮ステップと、を備えたウェーハWの加工方法とするものである。
即ち、図1乃至図6に示すように、
外周に面取り部Wmが形成されたウェーハWの加工方法であって、
ウェーハWの表面Waに保護テープTを貼着するとともに保護テープTの直径をウェーハWの直径と同径にするテープ貼着ステップと、
保護テープTを介して保持テーブル10でウェーハWを保持して裏面Wbを露出させる保持ステップと、
保持テーブル10で保持されたウェーハWの裏面Wbを研削砥石23aで研削してウェーハWの厚みを元の厚みの半分よりも薄くなるように薄化することでウェーハWの直径が縮径され保護テープTがウェーハWからはみ出すはみ出し部Tmが形成される研削ステップと、
研削ステップを実施した後、保護テープ10のはみ出し部Tmを加熱して収縮させる収縮ステップと、を備えたウェーハWの加工方法とするものである。
これにより、ウェーハWの薄化によって形成された保護テープ10のはみ出し部Tmを解消することができ、後に保護テープ10をピールテープ90により剥離する際に、はみ出し部TmがダイシングテープやDAF(ダイアタッチフィルム)に付着してしまう不具合の発生を防止できる。
また、図1乃至図6に示すように、
外周に面取り部Wmが形成されるとともに同径の保護テープTが表面に貼着されたウェーハWを研削する研削装置1であって、
保護テープTを介してウェーハWを保持する保持テーブル10と、
保持テーブル10で保持されたウェーハWを研削する研削砥石23aを有した研削ユニット20a,20bと、
研削ユニット20a,20bでウェーハWを研削しウェーハWの厚みを半分より薄化することでウェーハWが縮径されて形成された保護テープTがウェーハWからはみ出すはみ出し部Tmを加熱して収縮させる加熱ユニット80と、を備えた研削装置1とするものである。
外周に面取り部Wmが形成されるとともに同径の保護テープTが表面に貼着されたウェーハWを研削する研削装置1であって、
保護テープTを介してウェーハWを保持する保持テーブル10と、
保持テーブル10で保持されたウェーハWを研削する研削砥石23aを有した研削ユニット20a,20bと、
研削ユニット20a,20bでウェーハWを研削しウェーハWの厚みを半分より薄化することでウェーハWが縮径されて形成された保護テープTがウェーハWからはみ出すはみ出し部Tmを加熱して収縮させる加熱ユニット80と、を備えた研削装置1とするものである。
また、図1及び図6に示すように、
研削ユニット20a,20bで研削されたウェーハWを洗浄する洗浄ユニット60を備え、
加熱ユニット80は、洗浄ユニット60で洗浄されたウェーハWの保護テープTのはみ出し部Tmを加熱する、こととするものである。
研削ユニット20a,20bで研削されたウェーハWを洗浄する洗浄ユニット60を備え、
加熱ユニット80は、洗浄ユニット60で洗浄されたウェーハWの保護テープTのはみ出し部Tmを加熱する、こととするものである。
これにより、洗浄ユニット60から搬出される際には保護テープTのはみ出し部Tmが解消された状態とすることができ、研削装置1において保護テープTのはみ出しの問題を解消することができる。
1 研削装置
10 保持テーブル
20a 研削ユニット
20b 研削ユニット
23 研削ホイール
23a 研削砥石
60 洗浄ユニット
80 加熱ユニット
85 ダイシングテープ
90 ピールテープ
D デバイス
F フレーム
M1 はみ出し量
N 熱風
T 保護テープ
Tm はみ出し部
U ウェーハユニット
W ウェーハ
Wa 表面
Wb 裏面
Wm 面取り部
10 保持テーブル
20a 研削ユニット
20b 研削ユニット
23 研削ホイール
23a 研削砥石
60 洗浄ユニット
80 加熱ユニット
85 ダイシングテープ
90 ピールテープ
D デバイス
F フレーム
M1 はみ出し量
N 熱風
T 保護テープ
Tm はみ出し部
U ウェーハユニット
W ウェーハ
Wa 表面
Wb 裏面
Wm 面取り部
Claims (3)
- 外周に面取り部が形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面に保護テープを貼着するとともに該保護テープの直径をウェーハの直径と同径にするテープ貼着ステップと、
該保護テープを介して保持テーブルでウェーハを保持して裏面を露出させる保持ステップと、
該保持テーブルで保持されたウェーハの該裏面を研削砥石で研削して該ウェーハの厚みを元の厚みの半分よりも薄くなるように薄化することで該ウェーハの直径が縮径され該保護テープが該ウェーハからはみ出すはみ出し部が形成される研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、該保護テープの該はみ出し部を加熱して収縮させる収縮ステップと、
を備えたウェーハの加工方法。 - 外周に面取り部が形成されるとともに同径の保護テープが表面に貼着されたウェーハを研削する研削装置であって、
該保護テープを介してウェーハを保持する保持テーブルと、
該保持テーブルで保持されたウェーハを研削する研削砥石を有した研削ユニットと、
該研削ユニットで該ウェーハを研削し該ウェーハの厚みを半分より薄化することで該ウェーハが縮径されて形成された該保護テープが該ウェーハからはみ出すはみ出し部を加熱して収縮させる加熱ユニットと、を備えた研削装置。 - 該研削ユニットで研削されたウェーハを洗浄する洗浄ユニットを備え、
該加熱ユニットは、該洗浄ユニットで洗浄されたウェーハの該保護テープのはみ出し部を加熱する、
ことを特徴とする請求項2に記載の研削装置。
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