JPH06177099A - 半導体ペレットの薄化方法 - Google Patents
半導体ペレットの薄化方法Info
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- JPH06177099A JPH06177099A JP4349894A JP34989492A JPH06177099A JP H06177099 A JPH06177099 A JP H06177099A JP 4349894 A JP4349894 A JP 4349894A JP 34989492 A JP34989492 A JP 34989492A JP H06177099 A JPH06177099 A JP H06177099A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ウェーハの裏面研削中の割れ問題を解消し、半
導体ペレットの厚さを、容易に薄くできる半導体ペレッ
ト薄化方法を提供する。 【構成】ウェーハプロセスを終えたウェーハは、裏面研
削を行なわないで、ダイシングする。この研削しない厚
いままのペレットをテーピングした後、テーピングした
状態で、スライシングマシンにより、ペレット主面に平
行に研削して 2分割して薄くする。
導体ペレットの厚さを、容易に薄くできる半導体ペレッ
ト薄化方法を提供する。 【構成】ウェーハプロセスを終えたウェーハは、裏面研
削を行なわないで、ダイシングする。この研削しない厚
いままのペレットをテーピングした後、テーピングした
状態で、スライシングマシンにより、ペレット主面に平
行に研削して 2分割して薄くする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ペレットの薄化
方法に関するもので、特にダイシングにより分離された
ペレットを、厚さの薄いペレットに研削加工する技術に
係るものである。
方法に関するもので、特にダイシングにより分離された
ペレットを、厚さの薄いペレットに研削加工する技術に
係るものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体デバイスは高集積化され、
発熱量が増大していること、ＩＣカード等パッケージの
薄型化の用途が拡大していること等により、薄化（例え
ば厚さ150〜 200μm ）された半導体ペレットの需要は
増加している。。
発熱量が増大していること、ＩＣカード等パッケージの
薄型化の用途が拡大していること等により、薄化（例え
ば厚さ150〜 200μm ）された半導体ペレットの需要は
増加している。。
【０００３】従来半導体ペレットを薄くするには、一般
に、ウェーハプロセスを終えたウェ―ハを、ダイシング
工程を行なう前に、ウェーハの状態で裏面研削技術を用
いて、薄くする方法が行なわれてきた。
に、ウェーハプロセスを終えたウェ―ハを、ダイシング
工程を行なう前に、ウェーハの状態で裏面研削技術を用
いて、薄くする方法が行なわれてきた。
【０００４】このような従来の加工方法について、図面
を参照して以下説明する。
を参照して以下説明する。
【０００５】図５（ａ）に示すように、ウェーハ１は、
基台２上に、素子面側（素子が形成されている面側で、
以下表面と呼ぶ）１ａを上にして載置される。ウェーハ
表面の損傷を防止するため、該表面１ａに保護テープ３
を、ゴムローラ４を使用して貼り付ける。
基台２上に、素子面側（素子が形成されている面側で、
以下表面と呼ぶ）１ａを上にして載置される。ウェーハ
表面の損傷を防止するため、該表面１ａに保護テープ３
を、ゴムローラ４を使用して貼り付ける。
【０００６】図５（ｂ）に示すように、表面１ａを下に
してウェーハ１を基台（回転自在）５に載置し、ダイヤ
モンド砥石６を回転して、ウェーハ１の裏面を研削し、
同図（ｂ′）に示すように、ウェーハ厚を薄くする。
してウェーハ１を基台（回転自在）５に載置し、ダイヤ
モンド砥石６を回転して、ウェーハ１の裏面を研削し、
同図（ｂ′）に示すように、ウェーハ厚を薄くする。
【０００７】図６（ｃ）に示すように、保護テープ側を
上にして、ウェーハ１を基台６に載置し、剥離用テープ
７を重ね、押圧して、保護テープ３が剥離用テープの接
着層と一体化するように接着する。次に同図に示す矢線
Ｆ方向に剥離用テープ７を送引して、保護テープ３をウ
ェーハ１より剥離する。
上にして、ウェーハ１を基台６に載置し、剥離用テープ
７を重ね、押圧して、保護テープ３が剥離用テープの接
着層と一体化するように接着する。次に同図に示す矢線
Ｆ方向に剥離用テープ７を送引して、保護テープ３をウ
ェーハ１より剥離する。
【０００８】次に図６（ｄ）に示すように、ウェーハ１
に付着する異物や汚れを除去するため、公知の方法によ
り超音波洗浄及び乾燥を行なう。
に付着する異物や汚れを除去するため、公知の方法によ
り超音波洗浄及び乾燥を行なう。
【０００９】次に図７（ｅ）に示すように、基台８にウ
ェーハリング９をセットし、裏面を上にしてウェーハ１
を載置する。ゴムローラ４を用い、ウェーハリング９及
びウェーハ１の裏面にダイシングシート１０を貼着す
る。
ェーハリング９をセットし、裏面を上にしてウェーハ１
を載置する。ゴムローラ４を用い、ウェーハリング９及
びウェーハ１の裏面にダイシングシート１０を貼着す
る。
【００１０】次に図７（ｆ）に示すように、ダイシング
シート１０に貼着されたウェーハ１を、表面を上にして
ダイシング装置のチャックテーブル１１上にセットす
る。次にダイヤモンドブレード砥石１２を高速回転して
ダイシングを行なう。
シート１０に貼着されたウェーハ１を、表面を上にして
ダイシング装置のチャックテーブル１１上にセットす
る。次にダイヤモンドブレード砥石１２を高速回転して
ダイシングを行なう。
【００１１】上記従来技術においては、ウェーハを薄く
するには限界があり、例えばその厚さが約 200μm 以下
になると、裏面研削中（図５（ｂ′）に示す工程）及び
裏面研削後の工程でウェーハが割れやすい問題を有して
いる。
するには限界があり、例えばその厚さが約 200μm 以下
になると、裏面研削中（図５（ｂ′）に示す工程）及び
裏面研削後の工程でウェーハが割れやすい問題を有して
いる。
【００１２】さらにウェーハ口径が最近大きくなる傾向
があるが、それにともないウェーハ薄化は、より困難な
状態になってきた。
があるが、それにともないウェーハ薄化は、より困難な
状態になってきた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】これまで述べたよう
に、半導体ペレットの厚さを薄型化する市場のニーズは
大きいが、その厚さを例えば200 μm 以下にしようとす
ると、従来技術では、裏面研削工程等でウェーハが割れ
やすいという問題があって、薄化がより困難になる。こ
の割れやすい問題は、ウェーハの口径が大きくなればな
るほど顕著に現われる。他方、ウェーハの大口径化は、
半導体装置の製造において、避けることのできない大き
な流れである。
に、半導体ペレットの厚さを薄型化する市場のニーズは
大きいが、その厚さを例えば200 μm 以下にしようとす
ると、従来技術では、裏面研削工程等でウェーハが割れ
やすいという問題があって、薄化がより困難になる。こ
の割れやすい問題は、ウェーハの口径が大きくなればな
るほど顕著に現われる。他方、ウェーハの大口径化は、
半導体装置の製造において、避けることのできない大き
な流れである。
【００１４】本発明は、これらの問題に鑑みなされたも
ので、従来のウェーハの裏面研削中の割れ問題を解消
し、半導体ペレットの厚さを、容易に薄くできる半導体
ペレット薄化方法を提供することを目的とする。
ので、従来のウェーハの裏面研削中の割れ問題を解消
し、半導体ペレットの厚さを、容易に薄くできる半導体
ペレット薄化方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ダイシングに
より分離したペレットを搬送用テープに該ペレット主面
が接するように貼り付ける工程と、前記テープに貼り付
けたまま該ペレットを該ペレット主面に平行に研削して
2分割する工程とを含むことを特徴とする半導体ペレッ
トの薄化方法である。
より分離したペレットを搬送用テープに該ペレット主面
が接するように貼り付ける工程と、前記テープに貼り付
けたまま該ペレットを該ペレット主面に平行に研削して
2分割する工程とを含むことを特徴とする半導体ペレッ
トの薄化方法である。
【００１６】
【作用】ウェーハプロセス（単結晶基板内あるいは基板
上にデバイス群を形成して行くプロセス）を終えたウェ
ーハ（例えば厚さ約 600μm 程度）を、裏面研削せず
に、ダイシングを行ない、その後でダイシングにより分
離したペレットのうち良品ペレットのみをテーピング
（テープにペレットを貼ること）する。次にテーピング
されたペレットを主面に平行にスライシング装置または
これに準ずる装置で研削して 2分割する（換言すればペ
レットの厚さ方向を 2分割する）。
上にデバイス群を形成して行くプロセス）を終えたウェ
ーハ（例えば厚さ約 600μm 程度）を、裏面研削せず
に、ダイシングを行ない、その後でダイシングにより分
離したペレットのうち良品ペレットのみをテーピング
（テープにペレットを貼ること）する。次にテーピング
されたペレットを主面に平行にスライシング装置または
これに準ずる装置で研削して 2分割する（換言すればペ
レットの厚さ方向を 2分割する）。
【００１７】すなわちウェーハの裏面研削工程を行なわ
ないので、従来の該工程中のウェーハの割れ問題は解消
され、またあらかじめダイシングしてから裏面研削して
いない厚いペレットをスライシングにより薄化するの
で、薄化を容易に行なうことができる。
ないので、従来の該工程中のウェーハの割れ問題は解消
され、またあらかじめダイシングしてから裏面研削して
いない厚いペレットをスライシングにより薄化するの
で、薄化を容易に行なうことができる。
【００１８】
【実施例】本発明の一実施例を図１ないし図４を参照し
て以下説明する。
て以下説明する。
【００１９】図１は、ウェーハマウント工程を示す模式
的な断面図である。基台８上に、ウェーハリング９及び
ウェーハプロセスを終えた厚さ約 600μm のウェーハ２
１をセットする。ウェーハ２１は、表面２１ａが下にな
るように置く。有機物から成るダイシングシート１０
を、ゴムローラ４により、ウェーハリング９及びウェー
ハ２１の裏面２１ｂに貼付する。
的な断面図である。基台８上に、ウェーハリング９及び
ウェーハプロセスを終えた厚さ約 600μm のウェーハ２
１をセットする。ウェーハ２１は、表面２１ａが下にな
るように置く。有機物から成るダイシングシート１０
を、ゴムローラ４により、ウェーハリング９及びウェー
ハ２１の裏面２１ｂに貼付する。
【００２０】次に図２は、ダイシング工程を示す模式的
な断面図である。マウントされたウェーハ２１は、表面
２１ａを上にしてチャックテーブル１１上に真空吸引に
より固着される。ダイヤモンドブレード砥石１２を高速
回転し、ウェーハを個々のペレットに分割するため、采
の目状（本実施例では約（10×10）mm2 ）に、少なくと
もダイシングシート１０が完全に切断されない深さの切
り溝を形成する。
な断面図である。マウントされたウェーハ２１は、表面
２１ａを上にしてチャックテーブル１１上に真空吸引に
より固着される。ダイヤモンドブレード砥石１２を高速
回転し、ウェーハを個々のペレットに分割するため、采
の目状（本実施例では約（10×10）mm2 ）に、少なくと
もダイシングシート１０が完全に切断されない深さの切
り溝を形成する。
【００２１】次に図３は、テーピング工程を示す模式的
な側面図である。符号１４ａは送り用テープリール、１
４ｂは巻き取り用テープリールで、ダイシングシート１
０上に整列配置された分離ペレットのうち、良品ペレッ
ト２２のみを搬送用テープ１３に移し替える。
な側面図である。符号１４ａは送り用テープリール、１
４ｂは巻き取り用テープリールで、ダイシングシート１
０上に整列配置された分離ペレットのうち、良品ペレッ
ト２２のみを搬送用テープ１３に移し替える。
【００２２】次に図４は、ペレットスライシング工程を
説明するための模式図である。搬送用テープ１３にテー
ピングされたペレット２２（厚さ約 600μm ）は、スラ
イシング装置により、テーピングされたままペレット主
面にほぼ平行に研削して 2分割され、厚さの薄いペレッ
ト２３（厚さ約 100〜 200μm ）が得られる。
説明するための模式図である。搬送用テープ１３にテー
ピングされたペレット２２（厚さ約 600μm ）は、スラ
イシング装置により、テーピングされたままペレット主
面にほぼ平行に研削して 2分割され、厚さの薄いペレッ
ト２３（厚さ約 100〜 200μm ）が得られる。
【００２３】前記スライシング装置は、半導体インゴッ
トを切断し薄板を製造する公知の切断機（スライシンク
マシン）に準じた装置である。またスライシングは、ド
ーナツ状薄板の内周に、ダイヤモンド等の砥粒を固着し
た内周刃砥石（ダイヤモンドダイシングブレード）２４
を高速回転（約30,000r.p.m ）して行なわれる。内周刃
砥石２４は、図示してないがリング状の取り付け部を備
え、該取り付け部は装置全体の中では、固定して設置さ
れる。すなわち切断刃は高速回転するが、砥石２４の切
断面の位置は固定している。
トを切断し薄板を製造する公知の切断機（スライシンク
マシン）に準じた装置である。またスライシングは、ド
ーナツ状薄板の内周に、ダイヤモンド等の砥粒を固着し
た内周刃砥石（ダイヤモンドダイシングブレード）２４
を高速回転（約30,000r.p.m ）して行なわれる。内周刃
砥石２４は、図示してないがリング状の取り付け部を備
え、該取り付け部は装置全体の中では、固定して設置さ
れる。すなわち切断刃は高速回転するが、砥石２４の切
断面の位置は固定している。
【００２４】被加工ペレットを保持する治具２５は、真
空ポンプに接続した多孔質材から成る相対する吸着面２
５ａ、２５ｂと、図示してないが一方の吸着面２５ａを
他方の吸着面２５ｂに対し近接、離間するように移動さ
せる手段とを備えている。ペレット保持治具２５及び搬
送用テープ１３を含むペレット供給、収納手段（図示な
し）は、上下及び左右に移動できる移動台に搭載され、
移動台を移動することにより、被加工ペレット２２を砥
石２４の内周刃に近接してスライスする。
空ポンプに接続した多孔質材から成る相対する吸着面２
５ａ、２５ｂと、図示してないが一方の吸着面２５ａを
他方の吸着面２５ｂに対し近接、離間するように移動さ
せる手段とを備えている。ペレット保持治具２５及び搬
送用テープ１３を含むペレット供給、収納手段（図示な
し）は、上下及び左右に移動できる移動台に搭載され、
移動台を移動することにより、被加工ペレット２２を砥
石２４の内周刃に近接してスライスする。
【００２５】ペレットスライシング工程は、上記方法に
限定されない。切断刃に外周刃を使用することもできる
し、切断刃に純水を噴き付けて冷却する手段等、公知の
スライシングマシンに準じた所要手段を設けることもで
きる。また上記薄化方法は、シリコン以外にＧa Ａs そ
の他の化合物半導体にも適用できる。
限定されない。切断刃に外周刃を使用することもできる
し、切断刃に純水を噴き付けて冷却する手段等、公知の
スライシングマシンに準じた所要手段を設けることもで
きる。また上記薄化方法は、シリコン以外にＧa Ａs そ
の他の化合物半導体にも適用できる。
【００２６】従来のＩＣペレットでは、 200μm 厚さ以
下にすることが困難であったが、本技術により 100μm
厚と極薄のペレットが製作できるようになった。
下にすることが困難であったが、本技術により 100μm
厚と極薄のペレットが製作できるようになった。
【００２７】またウェーハ口径が 6インチ、 8インチ、
さらには今後12インチと大口径化が予想されるが、本技
術はあらかじめダイシングしてから、ペレットをスライ
シングして薄化を行なうので、ウェーハ口径が大きくな
っても、裏面研削中の割れ問題はなく、薄化を容易に行
なうことができる。
さらには今後12インチと大口径化が予想されるが、本技
術はあらかじめダイシングしてから、ペレットをスライ
シングして薄化を行なうので、ウェーハ口径が大きくな
っても、裏面研削中の割れ問題はなく、薄化を容易に行
なうことができる。
【００２８】さらに、例えば厚さ約 600μm のペレット
を使用し、スライスのための研削代を 100〜 150μm と
すれば、 2分割されたそれぞれのペレット厚は約 200μ
m となる。したがって、ウェーハの両主面に、それそび
れデバイスを形成しておけば、スライシングにより 2分
割したペレットのそれぞれを利用することが可能とな
り、飛躍的にコスト低減を図ることができる。
を使用し、スライスのための研削代を 100〜 150μm と
すれば、 2分割されたそれぞれのペレット厚は約 200μ
m となる。したがって、ウェーハの両主面に、それそび
れデバイスを形成しておけば、スライシングにより 2分
割したペレットのそれぞれを利用することが可能とな
り、飛躍的にコスト低減を図ることができる。
【００２９】
【発明の効果】これまで述べたように、本発明において
は、ウェーハの裏面研削を行なわず、ダイシングにより
分離したペレットを、スライスして 2分割することによ
り薄化する。これにより、従来のウェーハの裏面研削中
の割れ問題は解消され、半導体ペレットの厚さを容易に
薄くできる半導体の薄化方法を提供することができた。
は、ウェーハの裏面研削を行なわず、ダイシングにより
分離したペレットを、スライスして 2分割することによ
り薄化する。これにより、従来のウェーハの裏面研削中
の割れ問題は解消され、半導体ペレットの厚さを容易に
薄くできる半導体の薄化方法を提供することができた。
【図１】本発明のペレット薄化方法の一実施例の工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】図１に続く工程を示す断面図である。
【図３】図２に続く工程を示す側面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための模式図であ
る。
る。
【図５】同図（ａ）は従来のペレット薄化方法の工程
を、また同図（ｂ）及び（ｂ′）はこれに続く工程を示
すそれぞれ断面図である。
を、また同図（ｂ）及び（ｂ′）はこれに続く工程を示
すそれぞれ断面図である。
【図６】同図（ｃ）及び（ｄ）は、図５に続く工程を模
式的に示す断面図である。
式的に示す断面図である。
【図７】同図（ｅ）及び（ｆ）は、図６に続く工程を模
式的に示す断面図である。
式的に示す断面図である。
１，２１ ウェーハ ２，５，６，８ 基台 ９ ウェーハリング １０ ダイシングシート １３ チャックテーブル １２ ダイヤモンドブレード砥石 １３ 搬送用テープ １４ａ，１４ｂ テープリール ２２，２３ ペレット ２４ 内周刃砥石 ２５ ペレット保持治具
Claims (1)
- 【請求項１】ダイシングにより分離したペレットを搬送
用テープに該ペレット主面が接するように貼り付ける工
程と、前記テープに貼り付けたまま該ペレットを該ペレ
ット主面に平行に研削して 2分割する工程とを含むこと
を特徴とする半導体ペレットの薄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349894A JPH06177099A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 半導体ペレットの薄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349894A JPH06177099A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 半導体ペレットの薄化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177099A true JPH06177099A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18406831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4349894A Pending JPH06177099A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 半導体ペレットの薄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177099A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997021243A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier |
| CN113078092A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-06 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 一种超薄芯片的拿取方法 |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP4349894A patent/JPH06177099A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997021243A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier |
| US6342434B1 (en) | 1995-12-04 | 2002-01-29 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier |
| US6573158B2 (en) | 1995-12-04 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier |
| US6589855B2 (en) | 1995-12-04 | 2003-07-08 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier |
| CN113078092A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-06 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 一种超薄芯片的拿取方法 |
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Legal Events
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