JP2023081546A - ウエーハ環状切削方法 - Google Patents

Abstract

【課題】大径のウエーハを環状にカットして小径のウエーハを生成する際にウエーハの外周端縁に面取り部を形成するウエーハ環状切削方法を提供する。【解決手段】方法は、チャックテーブルにウエーハＷの一方の面を保持し他方の面Ｗａを露出させ、ウエーハの回転中心からウエーハの半径より小さい所望の半径に切削ブレード８３を位置付け、切削ブレードを他方の面から所定の第１の深さ切り込んで環状溝１００－１を形成し、他方の面からの環状溝の深さがウエーハの厚みの半分に達するまで、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に移動すると共に該他方の面から前回切り込んだ切込み深さよりも深く切り込んで新たな環状溝１０１－２、１０１－３を形成し、環状溝の深さがウエーハの厚みの半分に達すると、ウエーハを反転させて、他方の面側をチャックテーブルに保持して一方の面を露出させ、ウエーハの一方の面に対して、同様の環状溝を繰り返し形成する。【選択図】図３

Description

本発明は、ウエーハを環状に切削するウエーハ環状切削方法に関する。

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削され、所望の厚みに形成された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。

ウエーハの直径は、例えば、φ１００ｍｍ、φ１５０ｍｍ、φ２００ｍｍ、φ３００ｍｍと多種に及び、ウエーハの表面に複数のデバイスを形成する上で生産効率を考慮して適宜選択される。

ウエーハの研削条件、切削条件、レーザー加工条件、搬送条件等の多様な加工条件を検討する際には、ウエーハの表面にデバイスが形成されていない所謂ダミーウエーハが一般的に使用される。ダミーウエーハは、必要に応じてサイズの大径のウエーハを環状に切削して所望の小径のウエーハに加工して得ることができ、本出願によってウエーハを環状にカットする方法が提案されている（例えば特許文献１を参照）。

特開平１１－５４４６１号公報

ところで、近年、実際にデバイスが表面に形成されて個々のデバイスチップに分割されるウエーハには、外周端縁の角部が除去された面取り部が形成される場合がある。これに対し、上記した特許文献１に記載された技術によって小径のダミーウエーハを形成した場合は、ウエーハの外周端縁に、このような面取り部が形成されず、上記の多様な加工条件を検討する際に、精度の高い加工条件を設定できないという問題がある。

特に、ＳｉＣウエーハや、サファイアウエーハのように硬度の高い素材で形成されたウエーハにおいては、ウエーハを環状に加工した後に、ウエーハの外周端縁に面取り加工を施すことは困難であるという問題がある。

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、大径のウエーハを環状にカットして小径のウエーハを生成する際にウエーハの外周端縁に面取り部を形成することができるウエーハ環状切削方法を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを環状に切削するウエーハ環状切削方法であって、切削装置を構成する回転可能なチャックテーブルにウエーハの一方の面を保持し他方の面を露出させる一方の面保持工程と、チャックテーブルに保持されたウエーハの回転中心からウエーハの半径より小さい所望の半径に切削ブレードを位置付ける切削ブレード位置付け工程と、切削ブレードを該他方の面から所定の第１の深さ切り込んで環状溝を形成する第１の環状溝形成工程と、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に所定の第１の距離だけ移動して、該他方の面から該第１の深さよりも深い第２の深さ切り込んで環状溝を形成する第２の環状溝形成工程と、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に所定の第２の距離だけ移動して、該他方の面から該第２の深さよりも深い第３の深さ切り込んで環状溝を形成する第３の環状溝形成工程と、を含み、上記の第３の環状溝形成工程以降、該他方の面からの環状溝の深さがウエーハの厚みの半分に達するまで、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に移動すると共に該他方の面から前回切り込んだ切込み深さよりも深く切り込んで新たな環状溝を繰り返し形成する他方の面環状溝形成工程を実施し、次いで、ウエーハの他方の面側をチャックテーブルに保持して一方の面を露出させる他方の面保持工程を実施し、ウエーハの回転中心から該所望の半径に切削ブレードを位置付け、ウエーハの一方の面に対して、上記した第１の環状溝形成工程と、第２の環状溝形成工程と、第３の環状溝形成工程と、を実施すると共に、該第３の環状溝形成工程以降、露出した一方の面からの環状溝の深さがウエーハの厚みの半分に達するまで、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に移動すると共に該一方の面から前回切り込んだ切込み深さよりも深く切り込んで新たな環状溝を繰り返し形成する一方の面環状溝形成工程を実施するウエーハ環状切削方法が提供される。

該他方の面保持工程の前に、ウエーハを収容可能な開口部を有するフレームの該開口部にウエーハを位置付けて、ウエーハの他方の面とフレームとにテープを圧着してテープを介してウエーハとフレームとを一体にする一体工程を備えていることが好ましい。また、該第１の環状溝形成工程、該第２の環状溝形成工程、該第３の環状溝形成工程、及びその後実行される環状溝形成工程を連続的に実施すべく、チャックテーブルが回転するのに伴い、切削ブレードを、所定の速度で半径方向外側に移動させると共に、切り込み送り方向に所定の速度で移動して、螺旋状にウエーハを切削して該環状溝を形成するようにしてもよい。さらに、該ウエーハは、ＳｉＣ、サファイアのいずれかの素材で形成されていてもよい。

本発明のウエーハ環状切削方法は、切削装置を構成する回転可能なチャックテーブルにウエーハの一方の面を保持し他方の面を露出させる一方の面保持工程と、チャックテーブルに保持されたウエーハの回転中心からウエーハの半径より小さい所望の半径に切削ブレードを位置付ける切削ブレード位置付け工程と、切削ブレードを該他方の面から所定の第１の深さ切り込んで環状溝を形成する第１の環状溝形成工程と、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に所定の第１の距離だけ移動して、該他方の面から該第１の深さよりも深い第２の深さ切り込んで環状溝を形成する第２の環状溝形成工程と、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に所定の第２の距離だけ移動して、該他方の面から該第２の深さよりも深い第３の深さ切り込んで環状溝を形成する第３の環状溝形成工程と、を含み、上記の第３の環状溝形成工程以降、該他方の面からの環状溝の深さがウエーハの厚みの半分に達するまで、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に移動すると共に該他方の面から前回切り込んだ切込み深さよりも深く切り込んで新たな環状溝を繰り返し形成する他方の面環状溝形成工程を実施し、次いで、ウエーハの他方の面側をチャックテーブルに保持して一方の面を露出させる他方の面保持工程を実施し、ウエーハの回転中心から該所望の半径に切削ブレードを位置付け、ウエーハの一方の面に対して、上記した第１の環状溝形成工程と、第２の環状溝形成工程と、第３の環状溝形成工程と、を実施すると共に、該第３の環状溝形成工程以降、露出した一方の面からの環状溝の深さがウエーハの厚みの半分に達するまで、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に移動すると共に該一方の面から前回切り込んだ切込み深さよりも深く切り込んで新たな環状溝を繰り返し形成する一方の面環状溝形成工程を実施することから、シリコン（Ｓｉ）のみならず、ＳｉＣや、サファイア等の硬質の素材で形成されたウエーハであっても、大径のウエーハを環状に切削して、小径のウエーハを形成することができると共に、外周端部に面取り部を容易に形成できる。

本実施形態に好適な切削装置の全体斜視図である。 （ａ）一方の面保持工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）他方の面環状溝形成工程の実施態様を示す斜視図である。 図２に示す第１～３の環状溝形成工程においてダミーウエーハが切削される態様を示す一部拡大断面図である。 ダミーウエーハとフレームを一体化する一体工程の実施態様を示す斜視図である。 ダミーウエーハの一方の面を上方に向けて反転する態様を示す斜視図である。 一方の面環状溝形成工程の実施態様を示す斜視図である。 小径のダミーウエーハが分離された状態を示す一部拡大断面図である。

以下、本発明に基づいて構成されるウエーハ環状切削方法に係る実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。

図１には、本実施形態のウエーハ環状切削方法を実施するのに好適な切削装置１の全体斜視図が示されている。切削装置１によって加工される被加工物は、例えばＳｉＣで形成され、厚みが７５０μｍ、直径がφ２００ｍｍ、表面、裏面にデバイスは形成されていない大径のダミーウエーハＷである。以下に説明する本実施形態のウエーハ環状切削方法により、該大径のダミーウエーハＷを環状に切削して、直径がφ１５０ｍｍの小径のダミーウエーハＷｄとする。

切削装置１は、略直方体形状のハウジング２を備え、ハウジング２のカセットテーブル４ａに載置されるカセット４と、カセット４からダミーウエーハＷを仮置きテーブル５に搬出する搬出入手段３と、仮置きテーブル５に搬出されたダミーウエーハＷを保持手段２０の回転可能なチャックテーブル２２に搬送する旋回アームを有する搬送手段６と、チャックテーブル２２に保持されたダミーウエーハＷに切削加工を施す切削手段８と、上記したチャックテーブル２２上に保持されたダミーウエーハＷを撮像し、ダミーウエーハＷの回転中心と、切削手段８よって切削位置を検出するためのアライメント手段１０と、図１においてチャックテーブル２２が位置付けられた搬出入位置からダミーウエーハＷを洗浄装置１２（詳細については省略されている）に搬送する洗浄搬出手段１４と、が配設されている。さらに、切削装置１には、図示を省略する制御手段、及び表示手段等が配設される。チャックテーブル２２は、図２（ａ）に示すように、枠体２２ａと該枠体２２ａによって囲繞された通気性を有する素材で形成された吸着チャック２２ｂとを含む。該吸着チャック２２ｂには、図示を省略する吸引源が接続されており、該吸引源が作動することにより、吸着チャック２２ｂで形成された保持面に負圧が生成される。なお、図２（ａ）、（ｂ）においては、チャックテーブル２２の外周に配設されるクランプ等は適宜省略されている。

本実施形態のウエーハ環状切削方法を実施するに際し、図２（ａ）に示すように、ダミーウエーハＷの一方の面Ｗｂを下方に向け、切削装置１を構成するチャックテーブル２２に載置して吸引保持し、他方の面Ｗａを上方に露出させる一方の面保持工程を実施する。

次いで、チャックテーブル２２に保持されたダミーウエーハＷの回転中心からダミーウエーハＷの半径より小さい所望の半径に切削ブレードを位置付ける切削ブレード位置付け工程を実施する。より具体的には、チャックテーブル２２を、図示を省略するＸ軸移動手段を作動して、図１に矢印Ｘで示すＸ軸方向に移動し、上記したアライメント手段１０の下方に位置付けて、ダミーウエーハＷを撮像して、図２（ｂ）に示すダミーウエーハＷの回転中心Ｏと、切削位置Ｗｒ（２点鎖線で示す）とを検出する。

切削手段８は、図１に矢印Ｙで示すＹ軸方向に配設されスピンドルハウジング８１に回転自在に保持されたスピンドル８２と、スピンドル８２の先端に保持された切削ブレード８３と、切削ブレード８３を覆うブレードハウジング８４と、該ブレードハウジング８４を介して切削水が供給される切削水供給ノズル８５と、を備えている。切削手段８は、切削ブレード８３をＹ軸方向で移動する図示を省略するＹ軸移動手段を備えている。スピンドル８２は、図示を省略するスピンドルモータにより回転駆動され、切削ブレード８３を矢印Ｒ１で示す方向に回転させる。本実施形態の切削ブレード８３は、例えば直径がφ５０ｍｍであり、厚みは３０μｍである。

本実施形態において切削位置Ｗｒは、ダミーウエーハＷの半径（１００ｍｍ）よりも小さい所望の半径であって、例えば、ダミーウエーハＷの回転中心Ｏから半径方向で７５ｍｍの位置である。該回転中心Ｏと、該切削位置Ｗｒとをアライメント手段１０によって検出したならば、上記したＸ軸移動手段とＹ軸移動手段を作動して、切削手段８の切削ブレード８３を、ダミーウエーハＷの切削位置Ｗｒ上に位置付け、切削ブレード位置付け工程が完了する。

上記した切削ブレード位置付け工程を実施したならば、少なくとも、以下に説明する第１の環状溝形成工程、第２の環状溝形成工程、第３の環状溝形成工程を含む他方の面環状溝形成工程を実施する。

第１の環状溝形成工程は、上記した切削ブレード８３をダミーウエーハＷの露出した他方の面Ｗａから、第１の深さ切り込んで環状溝を形成する工程であり、より具体的には、以下の如く実施する。

図２（ｂ）に示すように、ダミーウエーハＷの切削位置Ｗｒ上に切削手段８の切削ブレード８３を矢印Ｒ１で示す方向に回転させながら位置付け、チャックテーブル２２を矢印Ｒ２で示す方向に回転させながら、図３（ａ）に示すように、ダミーウエーハＷの他方の面Ｗａから所定の第１の深さΔＺ（例えば１５μｍ）切込み送りする。該チャックテーブル２２の回転速度は、例えば１５度／秒であり、１回転に要する時間ｔは２４秒である。これにより、図２（ｂ）に２点鎖線で示す切削位置Ｗｒに沿って、環状溝１００（図３（ａ）では１００－１で示す）が形成され、第１の環状溝形成工程が完了する。第１の環状溝形成工程が完了した後に実行される第２の環状溝形成工程は、例えば、以下の如く実施される。

第２の環状溝形成工程を実施するに際しては、切削ブレード８３を上昇させて、ダミーウエーハＷにおいて上記の環状溝１００－１が形成された位置から半径方向外側に、所定の第１の距離Δｒ１（例えば１２μｍ）だけ移動して、チャックテーブル２２を矢印Ｒ２で示す方向に上記の回転速度で回転させながら、図３（ｂ）に示すように、ダミーウエーハＷの他方の面Ｗａの上方から該第１の深さΔＺよりもΔＺだけ深い第２の深さ（例えば３０μｍ）切り込んで、先に形成した環状溝１００－１に隣接した外側に環状溝１００－２を形成する。上記した第１の距離Δｒ１は、切削ブレード８３の厚み（３０μｍ）よりも小さい値に設定されることから、環状溝１００－１と環状溝１００－２とが連続して階段状に形成される。さらに、第２の環状溝形成工程が完了した後に実行される第３の環状溝形成工程は、例えば、以下の如く実施される。

第３の環状溝形成工程を実施するに際しては、切削ブレード８３を上昇させて、ダミーウエーハＷにおいて上記の環状溝１００－２が形成された位置から半径方向外側に、所定の第２の距離Δｒ２（例えば１２μｍ）だけ移動して、チャックテーブル２２を矢印Ｒ２で示す方向に回転させながら、図３（ｃ）に示すように、ダミーウエーハＷの他方の面Ｗａの上方から該第２の深さ（３０μｍ）よりもΔＺだけ深い第３の深さ（例えば４５μｍ）切り込んで、先に形成した環状溝１００－２に隣接した外側に環状溝１００－３を形成する。上記した第２の距離Δｒ２も、切削ブレード８３の厚みの寸法（３０μｍ）よりも小さい値に設定されることから、環状溝１００－２と環状溝１００－３とは連続し、略階段状に形成される。このようにして第３の環状溝形成工程が完了したならば、ダミーウエーハＷの厚みの半分（３７５μｍ）に達するまで、上記した第１～第３の環状溝形成工程と同様の手順の加工を繰り返しながら、第４の環状溝形成工程、第５の環状溝形成工程・・・第ｎの環状溝形成工程を実施して、環状溝１００－４～１００－ｎを形成する。ダミーウエーハＷの厚みの半分に達する環状溝１００－ｎを形成したならば、他方の面環状溝形成工程を終了する。なお、上記したΔＺ及びΔｒの実際値は任意で設定されるものであり、所望の面取り形状に基づいて決定される。

次いで、ダミーウエーハＷの他方の面Ｗａ側をチャックテーブル２２に保持して一方の面Ｗｂを露出させる他方の面保持工程を実施する。より具体的には、まず、図４に示すように、上記の他方の面環状溝形成工程により環状溝１００（１００－１～１００－ｎ）が形成されたダミーウエーハＷと、ダミーウエーハＷを収容可能な開口部Ｆａを備えた環状のフレームＦと、表面に粘着性を有するテープＴと、を用意する。次いで、該フレームＦの裏面を上方に向け、ダミーウエーハＷの他方の面Ｗａを上方に向けて該開口部Ｆａの中央に位置付けると共に、テープＴをダミーウエーハＷの他方の面Ｗａと、フレームＦとに圧着して一体とする一体化工程が実施される（図５の上段を参照）。

次いで、図５の下段に示すように、テープＴを介してダミーウエーハＷと一体とされたフレームＦを反転する。これにより、上記の環状溝１００が形成されていないダミーウエーハＷの一方の面Ｗｂが上方に向けられる。このようにフレームＦに保持されて一体とされたダミーウエーハＷの他方の面Ｗａ側を、図１に基づき説明した切削装置１のチャックテーブル２２に保持し、一方の面Ｗｂを上方に露出させて、他方の面保持工程が完了する。

上記したように、他方の面保持工程を実施したならば、上記したアライメント手段１０を使用して、ダミーウエーハＷの回転中心Ｏと、該回転中心から７５ｍｍ外側に設定された一方の面Ｗｂにおいて切削位置Ｗｒとを検出する。次いで、図６に示すように、切削手段８の切削ブレード８３を、切削位置Ｗｒ上に位置付ける。そして、切削ブレード８３を矢印Ｒ３で示す方向に回転させると共に、上記したチャックテーブル２２と共にダミーウエーハＷを矢印Ｒ４で示す方向に回転させながら、ダミーウエーハＷの一方の面Ｗｂに対して、上記した第１の環状溝形成工程と、第２の環状溝形成工程と、第３の環状溝形成工程と、を実施する。次いで、この第３の環状溝形成工程以降、露出した一方の面Ｗｂからの環状溝の深さがダミーウエーハＷの厚みの半分に達するまで、切削ブレード８３をダミーウエーハＷの半径方向外側に移動すると共に露出した面から前回切り込んだ切込み深さよりも深く切り込んで環状溝１１０を形成する一方の面環状溝形成工程を繰り返し実施する。なお、この一方の面環状溝形成工程については、上記の他方の面環状溝形成工程と同様の手順であることから、詳細な説明については省略する。

上記した他方の面環状溝形成工程と、一方の面環状溝形成工程とを実施することにより、環状溝１００と環状溝１１０とが繋がり、図７（ａ）に示すように、直径が２００ｍｍの大径のダミーウエーハＷから外周領域Ｗｃが分離され、直径が約１５０ｍｍの小径のダミーウエーハＷｄを得ることができる。そして、図７（ｂ）に示すように、小径のダミーウエーハＷｄの外周端部には、上記した他方の面環状溝形成工程と、一方の面環状溝形成工程とにより形成された微小な階段状の面取り部Ｗｅが形成される。なお、図７（ｂ）は、説明の都合上、面取り部Ｗｅを簡略化して示した図であり、実際の段差の数に沿ったものではない。

なお、上記した実施形態では、表面にデバイス等が形成されていないダミーウエーハＷを環状に切削する例を示したが、本発明はこれに限定されず、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されるウエーハに対して実施するものであってもよい。

上記した実施形態によれば、シリコン（Ｓｉ）のみならず、ＳｉＣや、サファイア等の硬質の素材で形成されたウエーハであっても、大径のウエーハを環状に切削して、小径のウエーハを形成することができると共に、外周端部に面取り部を容易に形成できる。

上記した実施形態では、ダミーウエーハＷの一方の面Ｗｂ、他方の面Ｗａに対して、上記した第１の環状溝形成工程、第２の環状溝形成工程、第３の環状溝形成工程、それに続き他方の面環状溝形成工程又は一方の面環状溝形成工程（以下「環状溝形成工程」という。）を段階的に実施して、面取り部Ｗｅが階段状になるように形成したが、本発明はこれに限定されず、上記した第１の環状溝形成工程、第２の環状溝形成工程、第３の環状溝形成工程、及びその後実行される環状溝形成工程を連続的に実施すべく、チャックテーブル２２が回転するのに伴い、切削ブレード８３を、所定の速度（例えばチャックテーブル２２が１回転する時間をｔ秒とした場合に、Δｒμｍ／ｔ秒）で半径方向外側に移動させると共に、切り込み送り方向に所定の速度（例えばチャックテーブル２２が１回転する時間をｔ秒とした場合に、ΔＺμｍ／ｔ秒）で切込み深さを増加させて、螺旋状に切削して上記の環状溝１００、１１０を形成するようにしてもよい。

また、上記した実施形態では、第１の環状溝形成工程、第２の環状溝形成工程、第３の環状溝形成工程、及びその後実行される環状溝形成工程を実施する際に、切削ブレード８３を切り込ませる深さを、一定の深さ（ΔＺ＝１５μｍ）ずつ、段階的に深くするように説明したが、本発明はこれに限定されず、切り込ませる深さの変化量を段階的に変化させるようにしてもよい。また、これと同様に、切削ブレード８３をウエーハの半径方向外側に移動させる際に、一定の距離（Δｒ＝１２μｍ）だけ段階的に移動させるようにしたが、本発明はこれに限定されず、ウエーハの半径方向外側に移動させる距離を徐々に変化させるようにしてもよい。

なお、上記した実施形態では、図３に示すように、切削ブレード８３の先端部の断面形状を、略矩形状となるように設定したが、本発明はこれに限定されず、小径のウエーハの外周端部の面取り形状に合わせて、先端部の断面形状がＶ字形状である切削ブレードを用いることも可能である。ただし、切削ブレードの先端部の該Ｖ字形状は、摩耗によって変形することから、頻繁に切削ブレードの先端部を整える必要があり、生産性に劣る。よって、上記した実施形態で使用された切削ブレード８３の方が好ましい。

１：切削装置
２：ハウジング
３：搬出入手段
４：カセット
５：仮置テーブル
６：搬送手段
８：切削手段
８１：スピンドルハウジング
８２：スピンドル
８３：切削ブレード
８４：ブレードハウジング
８５：切削水供給ノズル
１０：アライメント手段
１２：洗浄装置
１４：洗浄搬出手段
２０：保持手段
２２：チャックテーブル
１００、１１０：環状溝
Ｗ：ダミーウエーハ
Ｗａ：他方の面
Ｗｂ：一方の面
Ｗｃ：外周領域
Ｗｄ：小径のダミーウエーハ
Ｗｅ：面取り部
Ｗｒ：切削すべき位置

Claims (4)

1. ウエーハを環状に切削するウエーハ環状切削方法であって、
   切削装置を構成する回転可能なチャックテーブルにウエーハの一方の面を保持し他方の面を露出させる一方の面保持工程と、
   チャックテーブルに保持されたウエーハの回転中心からウエーハの半径より小さい所望の半径に切削ブレードを位置付ける切削ブレード位置付け工程と、
   切削ブレードを該他方の面から所定の第１の深さ切り込んで環状溝を形成する第１の環状溝形成工程と、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に所定の第１の距離だけ移動して、該他方の面から該第１の深さよりも深い第２の深さ切り込んで環状溝を形成する第２の環状溝形成工程と、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に所定の第２の距離だけ移動して、該他方の面から該第２の深さよりも深い第３の深さ切り込んで環状溝を形成する第３の環状溝形成工程と、を含み、上記の第３の環状溝形成工程以降、該他方の面からの環状溝の深さがウエーハの厚みの半分に達するまで、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に移動すると共に該他方の面から前回切り込んだ切込み深さよりも深く切り込んで新たな環状溝を繰り返し形成する他方の面環状溝形成工程を実施し、
   次いで、ウエーハの他方の面側をチャックテーブルに保持して一方の面を露出させる他方の面保持工程を実施し、ウエーハの回転中心から該所望の半径に切削ブレードを位置付け、ウエーハの一方の面に対して、上記した第１の環状溝形成工程と、第２の環状溝形成工程と、第３の環状溝形成工程と、を実施すると共に、該第３の環状溝形成工程以降、露出した一方の面からの環状溝の深さがウエーハの厚みの半分に達するまで、切削ブレードをウエーハの半径方向外側に移動すると共に該一方の面から前回切り込んだ切込み深さよりも深く切り込んで新たな環状溝を繰り返し形成する一方の面環状溝形成工程を実施するウエーハ環状切削方法。
2. 該他方の面保持工程の前に、ウエーハを収容可能な開口部を有するフレームの該開口部にウエーハを位置付けて、ウエーハの他方の面とフレームとにテープを圧着してテープを介してウエーハとフレームとを一体にする一体工程を備えている請求項１に記載のウエーハ環状切削方法。
3. 該第１の環状溝形成工程、該第２の環状溝形成工程、該第３の環状溝形成工程、及びその後実行される環状溝形成工程を連続的に実施すべく、チャックテーブルが回転するのに伴い、切削ブレードを、所定の速度で半径方向外側に移動させると共に、切り込み送り方向に所定の速度で移動して、螺旋状にウエーハを切削して該環状溝を形成する請求項１に記載のウエーハ環状切削方法。
4. 該ウエーハは、ＳｉＣ、サファイアのいずれかの素材で形成されている請求項１から３のいずれかに記載のウエーハ環状切削方法。

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