JPH1154601A - 半導体ウェーハテープラミネーティングシステム及びこれを利用したラミネーティング方法 - Google Patents
半導体ウェーハテープラミネーティングシステム及びこれを利用したラミネーティング方法Info
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- JPH1154601A JPH1154601A JP10114829A JP11482998A JPH1154601A JP H1154601 A JPH1154601 A JP H1154601A JP 10114829 A JP10114829 A JP 10114829A JP 11482998 A JP11482998 A JP 11482998A JP H1154601 A JPH1154601 A JP H1154601A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハテープラミネーティング工程
時に生じる残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失させ残
余ＵＶテープの周りによる不良を防止する。 【解決手段】 ウェーハまたはカセットを工程が行われ
る特定位置に移送するローディング装置１０と、ウェー
ハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング装
置１２と、前記ラミネーティング装置によってウェーハ
に接着されたＵＶテープを除外して残った残余ＵＶテー
プをナイフで1次切断するプリカッティング装置１４
と、残余ＵＶテープの周りをワイヤで2次精密除去する
ワイヤカット装置１８と、前記残余ＵＶテープの周りに
紫外線を照射する紫外線照射装置１６と、前記残余ＵＶ
テープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程
に移送するアンローディング装置２０とを備えてなる。
従って、設備のエラーを防止してウェーハ不良を減少さ
せる効果を有する。
時に生じる残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失させ残
余ＵＶテープの周りによる不良を防止する。 【解決手段】 ウェーハまたはカセットを工程が行われ
る特定位置に移送するローディング装置１０と、ウェー
ハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング装
置１２と、前記ラミネーティング装置によってウェーハ
に接着されたＵＶテープを除外して残った残余ＵＶテー
プをナイフで1次切断するプリカッティング装置１４
と、残余ＵＶテープの周りをワイヤで2次精密除去する
ワイヤカット装置１８と、前記残余ＵＶテープの周りに
紫外線を照射する紫外線照射装置１６と、前記残余ＵＶ
テープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程
に移送するアンローディング装置２０とを備えてなる。
従って、設備のエラーを防止してウェーハ不良を減少さ
せる効果を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハテー
プラミネーティングシステム及びこれを利用したラミネ
ーティング方法に関するもので、より詳細には、紫外線
を照射して半導体ウェーハテープラミネーティング工程
時に発生する残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失させ
ることで、残余ＵＶテープの周りによる不良を防止する
半導体ウェーハテープラミネーティングシステム及びこ
れを利用したラミネーティング方法に関するものであ
る。
プラミネーティングシステム及びこれを利用したラミネ
ーティング方法に関するもので、より詳細には、紫外線
を照射して半導体ウェーハテープラミネーティング工程
時に発生する残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失させ
ることで、残余ＵＶテープの周りによる不良を防止する
半導体ウェーハテープラミネーティングシステム及びこ
れを利用したラミネーティング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的に半導体ウェーハテープラミネー
ティング工程はウェーハの使用しない後面を研削する後
面研磨工程の前処理工程で、ウェーハの後面研磨工程時
に使用される研削水または研削の後発生するウェーハの
粉等からウェーハの前面を保護するためにウェーハの前
面にテープを接着する工程である。
ティング工程はウェーハの使用しない後面を研削する後
面研磨工程の前処理工程で、ウェーハの後面研磨工程時
に使用される研削水または研削の後発生するウェーハの
粉等からウェーハの前面を保護するためにウェーハの前
面にテープを接着する工程である。
【０００３】この際、使用される特殊接着テープである
ＵＶテープは特定な照度と光量の条件が適合である光
（例えば、紫外線）を照射すると、テープの接着成分中
感光成分（例えば、光硬化性開始剤）が硬化してテープ
の接着力を喪失するようになる特性を有する。
ＵＶテープは特定な照度と光量の条件が適合である光
（例えば、紫外線）を照射すると、テープの接着成分中
感光成分（例えば、光硬化性開始剤）が硬化してテープ
の接着力を喪失するようになる特性を有する。
【０００４】従って、後面研磨工程が終った後ウェーハ
の前面に接着されていたＵＶテープの除去が容易であ
る。
の前面に接着されていたＵＶテープの除去が容易であ
る。
【０００５】前記半導体ウェーハテープラミネーティン
グシステムは、ウェーハラミネーティング工程を行うた
めのシステムであり、前記ＵＶテープの周りに残った残
余ＵＶテープを切断してウェーハを後続工程である後面
研磨工程に送る役割をするシステムである。
グシステムは、ウェーハラミネーティング工程を行うた
めのシステムであり、前記ＵＶテープの周りに残った残
余ＵＶテープを切断してウェーハを後続工程である後面
研磨工程に送る役割をするシステムである。
【０００６】このような従来の半導体ウェーハテープラ
ミネーティングシステムは、ウェーハまたはカセット
を、工程が行われる特定位置に移送するローディング装
置と、前記ローディング装置によって移送されたウェー
ハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング
（Laminating）装置と、前記ラミネーティング装置によ
って接着された後、残った残余ＵＶテープをナイフで1
次切断するプリカッティング（Pre-Cutting）装置と、
前記プリカッティング装置によって切断された残りの残
余ＵＶテープの周りをワイヤで2次精密除去するワイヤ
カット（Wire cut）装置と、前記残余ＵＶテープの周り
に紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するア
ンローディング装置とを備える。
ミネーティングシステムは、ウェーハまたはカセット
を、工程が行われる特定位置に移送するローディング装
置と、前記ローディング装置によって移送されたウェー
ハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング
（Laminating）装置と、前記ラミネーティング装置によ
って接着された後、残った残余ＵＶテープをナイフで1
次切断するプリカッティング（Pre-Cutting）装置と、
前記プリカッティング装置によって切断された残りの残
余ＵＶテープの周りをワイヤで2次精密除去するワイヤ
カット（Wire cut）装置と、前記残余ＵＶテープの周り
に紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送するア
ンローディング装置とを備える。
【０００７】従って、ローディング装置によってラミネ
ーティング装置に移送されたウェーハは前面にＵＶテー
プが被せられ、ローラーが密着してＵＶテープが接着さ
れる。
ーティング装置に移送されたウェーハは前面にＵＶテー
プが被せられ、ローラーが密着してＵＶテープが接着さ
れる。
【０００８】前記ナイフは、接着され残った残余ＵＶテ
ープを、ウェーハと分離させるようにウェーハの輪郭に
沿って適当に1次プリカッティングする。
ープを、ウェーハと分離させるようにウェーハの輪郭に
沿って適当に1次プリカッティングする。
【０００９】前記1次プリカッティングの後、ウェーハ
にまだ残っている残余ＵＶテープの周りは、ワイヤカッ
ト装置によって加熱されたワイヤの2次溶融切削で完全
に除去される。
にまだ残っている残余ＵＶテープの周りは、ワイヤカッ
ト装置によって加熱されたワイヤの2次溶融切削で完全
に除去される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記2次ワイ
ヤカッティングによって除去される残余ＵＶテープの周
りのかけらが再びウェーハに接着するので、ウェーハの
後面研磨時に段差を誘発してウェーハの亀裂及び壊れる
ことを誘発し、ローディング及びアンローディング時、
残余ＵＶテープの周りのかけらが他のウェーハまたは設
備に接着して作動不良を起こすなどの設備のエラーを発
生させる場合が頻発した。
ヤカッティングによって除去される残余ＵＶテープの周
りのかけらが再びウェーハに接着するので、ウェーハの
後面研磨時に段差を誘発してウェーハの亀裂及び壊れる
ことを誘発し、ローディング及びアンローディング時、
残余ＵＶテープの周りのかけらが他のウェーハまたは設
備に接着して作動不良を起こすなどの設備のエラーを発
生させる場合が頻発した。
【００１１】また、前記周りのかけらがワイヤの熱線に
融着する場合、ワイヤカッティング不良を引き起こし、
チャックやキャリアーに固着されると異物質の吸着を誘
導する汚染源になるなど多くの問題点があった。
融着する場合、ワイヤカッティング不良を引き起こし、
チャックやキャリアーに固着されると異物質の吸着を誘
導する汚染源になるなど多くの問題点があった。
【００１２】本発明の目的は、2次ワイヤカッティング
によって除去される残余ＵＶテープの周りのかけらが、
ウェーハや設備等に接着しないようにテープの接着力を
喪失させることで設備のエラーを防止し、ウェーハの不
良を減少させる半導体ウェーハテープラミネーティング
システム及びこれを利用したラミネーティング方法を提
供することにある。
によって除去される残余ＵＶテープの周りのかけらが、
ウェーハや設備等に接着しないようにテープの接着力を
喪失させることで設備のエラーを防止し、ウェーハの不
良を減少させる半導体ウェーハテープラミネーティング
システム及びこれを利用したラミネーティング方法を提
供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明は、ウェーハまたはカセットを工程が行われる
特定位置に移送するローディング装置と、前記ローディ
ング装置によって移送されたウェーハの前面にＵＶテー
プを接着させるラミネーティング装置と、前記ラミネー
ティング装置によってウェーハに接着されたＵＶテープ
を除外し、残りの残余ＵＶテープをナイフで1次切断す
るプリカッティング装置と、前記プリカッティング装置
によって切断され残りの残余ＵＶテープの周りをワイヤ
で2次精密除去するワイヤカット装置と、前記残余ＵＶ
テープの周りに紫外線を照射する紫外線照射装置と、前
記残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハ
を後続工程に移送するアンローディング装置とを備えて
なることを特徴とする半導体ウェーハテープラミネーテ
ィングシステムと、これを利用してウェーハまたはカセ
ットを工程が行われる特定位置に移送するローディング
段階と、前記ローディング装置によって移送されたウェ
ーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング
段階と、前記ラミネーティング装置によってウェーハに
接着されたＵＶテープを除外して残った残余ＵＶテープ
をナイフで1次切断するプリカッティング段階と、残余
ＵＶテープの周りの接着力を喪失させる紫外線照射段階
と、残余ＵＶテープの周りをワイヤで2次精密除去する
ワイヤカット段階と、残余ＵＶテープの周りに紫外線を
照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディ
ング段階とを備えてなる。
の本発明は、ウェーハまたはカセットを工程が行われる
特定位置に移送するローディング装置と、前記ローディ
ング装置によって移送されたウェーハの前面にＵＶテー
プを接着させるラミネーティング装置と、前記ラミネー
ティング装置によってウェーハに接着されたＵＶテープ
を除外し、残りの残余ＵＶテープをナイフで1次切断す
るプリカッティング装置と、前記プリカッティング装置
によって切断され残りの残余ＵＶテープの周りをワイヤ
で2次精密除去するワイヤカット装置と、前記残余ＵＶ
テープの周りに紫外線を照射する紫外線照射装置と、前
記残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハ
を後続工程に移送するアンローディング装置とを備えて
なることを特徴とする半導体ウェーハテープラミネーテ
ィングシステムと、これを利用してウェーハまたはカセ
ットを工程が行われる特定位置に移送するローディング
段階と、前記ローディング装置によって移送されたウェ
ーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーティング
段階と、前記ラミネーティング装置によってウェーハに
接着されたＵＶテープを除外して残った残余ＵＶテープ
をナイフで1次切断するプリカッティング段階と、残余
ＵＶテープの周りの接着力を喪失させる紫外線照射段階
と、残余ＵＶテープの周りをワイヤで2次精密除去する
ワイヤカット段階と、残余ＵＶテープの周りに紫外線を
照射させたウェーハを後続工程に移送するアンローディ
ング段階とを備えてなる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施形態
例を添付した図面を参照しながら詳しく説明する。
例を添付した図面を参照しながら詳しく説明する。
【００１５】図1は、本発明の第１の実施形態例による
半導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示し
たブロック図である。
半導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示し
たブロック図である。
【００１６】まず、図1を参照して説明すると半導体ウ
ェーハテープラミネーティングシステムはウェーハまた
はカセットを、工程が行われる特定位置に移送するロー
ディング装置10と、前記ローディング装置10によって移
送されるウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミ
ネーティング装置12と、前記ラミネーティング装置12に
よってウェーハに接着されたＵＶテープを除外し、残っ
た残余ＵＶテープをナイフで1次切断するプリカッティ
ング装置14と、残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失さ
せる紫外線照射装置16と、前記紫外線照射装置16によっ
て接着力を喪失した残余ＵＶテープの周りをワイヤで2
次精密除去するワイヤカット装置18及び残余ＵＶテープ
の周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送
するアンローディング装置20とを備える。
ェーハテープラミネーティングシステムはウェーハまた
はカセットを、工程が行われる特定位置に移送するロー
ディング装置10と、前記ローディング装置10によって移
送されるウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミ
ネーティング装置12と、前記ラミネーティング装置12に
よってウェーハに接着されたＵＶテープを除外し、残っ
た残余ＵＶテープをナイフで1次切断するプリカッティ
ング装置14と、残余ＵＶテープの周りの接着力を喪失さ
せる紫外線照射装置16と、前記紫外線照射装置16によっ
て接着力を喪失した残余ＵＶテープの周りをワイヤで2
次精密除去するワイヤカット装置18及び残余ＵＶテープ
の周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工程に移送
するアンローディング装置20とを備える。
【００１７】また、前記ワイヤカット装置18は図２に示
すように、スイングアーム19によって張力が維持され、
熱発生部によって加熱され、前記スイングアーム19に設
置されたプーリ23によって連動するワイヤ21を備えて、
回転する残余ＵＶテープの周りをウェーハ２２と接着し
摩擦して切断する。
すように、スイングアーム19によって張力が維持され、
熱発生部によって加熱され、前記スイングアーム19に設
置されたプーリ23によって連動するワイヤ21を備えて、
回転する残余ＵＶテープの周りをウェーハ２２と接着し
摩擦して切断する。
【００１８】また、前記プリカッティング装置14は図６
および図７に示すように、ローラー34によって密着され
たウェーハ２２上のＵＶテープ24を、ウェーハ22の直径
より大きい所定の直径で、ウェーハ22がローディングさ
れたテーブル29の下端で回転しながら切断するナイフ31
と、前記ナイフ31によるＵＶテープ24の切断時に、ＵＶ
テープ24を固定させるために接触してパージするバスケ
ット27を備える。
および図７に示すように、ローラー34によって密着され
たウェーハ２２上のＵＶテープ24を、ウェーハ22の直径
より大きい所定の直径で、ウェーハ22がローディングさ
れたテーブル29の下端で回転しながら切断するナイフ31
と、前記ナイフ31によるＵＶテープ24の切断時に、ＵＶ
テープ24を固定させるために接触してパージするバスケ
ット27を備える。
【００１９】また、前記紫外線照射装置16は図示しなか
ったが、紫外線を発生する紫外線発生部と、前記紫外線
発生部で発生した紫外線を必要とする照度及び光量に合
わせる紫外線調整部及び前記紫外線調整部で調整された
紫外線を放出する紫外線照射部30とを備えてなる。
ったが、紫外線を発生する紫外線発生部と、前記紫外線
発生部で発生した紫外線を必要とする照度及び光量に合
わせる紫外線調整部及び前記紫外線調整部で調整された
紫外線を放出する紫外線照射部30とを備えてなる。
【００２０】このような紫外線照射装置16の紫外線発生
部としては、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水
銀ランプ、メタルハロゲンランプ、無電極ランプまたは
非活性気体ランプ等を適用することが可能である。
部としては、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水
銀ランプ、メタルハロゲンランプ、無電極ランプまたは
非活性気体ランプ等を適用することが可能である。
【００２１】また、前記紫外線調整部は必要な照度と光
量を電気的に除去する制御部（図面の単純化のため図示
しない）を備える。
量を電気的に除去する制御部（図面の単純化のため図示
しない）を備える。
【００２２】紫外線照射装置16の紫外線照射部30は、図
2に示すように、前記ワイヤ21の前に設置して残余ＵＶ
テープの周り28をワイヤカッティングされる前に紫外線
で事前照射し、照射された前記残余ＵＶテープの周り28
をワイヤカット装置18が除去できるようにする。
2に示すように、前記ワイヤ21の前に設置して残余ＵＶ
テープの周り28をワイヤカッティングされる前に紫外線
で事前照射し、照射された前記残余ＵＶテープの周り28
をワイヤカット装置18が除去できるようにする。
【００２３】また、前記残余ＵＶテープの周り28を、ウ
ェーハ22の後面をパージする回転チャック32を回転させ
ることで回転させ、前記紫外線照射部30を残余ＵＶテー
プの周り28に近接して設置し、回転する残余ＵＶテープ
の周り28の直径方向の幅にＵＶテープの接着性喪失に必
要な充分な照度及び光量で紫外線を集中して照射するよ
うにする。
ェーハ22の後面をパージする回転チャック32を回転させ
ることで回転させ、前記紫外線照射部30を残余ＵＶテー
プの周り28に近接して設置し、回転する残余ＵＶテープ
の周り28の直径方向の幅にＵＶテープの接着性喪失に必
要な充分な照度及び光量で紫外線を集中して照射するよ
うにする。
【００２４】これとは反対に、紫外線照射部３０を残余
ＵＶテープの周り28に回転させながら照射することも可
能である。
ＵＶテープの周り28に回転させながら照射することも可
能である。
【００２５】前記ＵＶテープは、紫外線が照射されると
ＵＶテープの接着力が喪失されるようにポリオレピン系
のベースフィルムの一面に光硬化性開始剤が含まれるア
クリルレート系の接着剤を塗布して成り、前記光硬化性
開始剤はカルボニルグループに隣接しているC-Cシグマ
結合を分裂させるノリシタイプ（Norrish type）のラデ
ィカル反応物であるものが使用される。
ＵＶテープの接着力が喪失されるようにポリオレピン系
のベースフィルムの一面に光硬化性開始剤が含まれるア
クリルレート系の接着剤を塗布して成り、前記光硬化性
開始剤はカルボニルグループに隣接しているC-Cシグマ
結合を分裂させるノリシタイプ（Norrish type）のラデ
ィカル反応物であるものが使用される。
【００２６】前記C-Cシグマ結合のエネルギーは90kcal/
moleであり、250nmのラディエーションエネルギーは114
kcal/moleである。
moleであり、250nmのラディエーションエネルギーは114
kcal/moleである。
【００２７】このような、前記ＵＶテープは図９に示す
ように温度23℃、相対湿度50%である場合、紫外線照射
量を増加させると30mJ/cm2から130mJ/cm2までの領域で
接着強度が急降下して最終的には25g/inchに到達する特
徴を有する。
ように温度23℃、相対湿度50%である場合、紫外線照射
量を増加させると30mJ/cm2から130mJ/cm2までの領域で
接着強度が急降下して最終的には25g/inchに到達する特
徴を有する。
【００２８】従って、前記紫外線照射部は温度23℃、相
対湿度50%で、前記ＵＶテープの接着強度が60g/inch以
下に要求される場合、70mJ/cm2以上の照射量で紫外線を
照射し、前記ＵＶテープの接着強度が50g/inch以下に要
求される場合に、100mJ/cm2以上の照射量で紫外線を照
射して、前記ＵＶテープの接着強度が40g/inch以下に要
求される場合には、130mJ/cm2以上の照射量で紫外線を
照射することが望ましい。
対湿度50%で、前記ＵＶテープの接着強度が60g/inch以
下に要求される場合、70mJ/cm2以上の照射量で紫外線を
照射し、前記ＵＶテープの接着強度が50g/inch以下に要
求される場合に、100mJ/cm2以上の照射量で紫外線を照
射して、前記ＵＶテープの接着強度が40g/inch以下に要
求される場合には、130mJ/cm2以上の照射量で紫外線を
照射することが望ましい。
【００２９】従って、紫外線の単純照射によって前記光
硬化性開始剤の作用によるラディカル反応によって接着
剤が接着力を喪失するようになり、このような接着力喪
失のメカニズムは当該技術分野で通常の知識を有するも
のには容易に理解される位公知である。
硬化性開始剤の作用によるラディカル反応によって接着
剤が接着力を喪失するようになり、このような接着力喪
失のメカニズムは当該技術分野で通常の知識を有するも
のには容易に理解される位公知である。
【００３０】しかし、一般的な場合紫外線の照射効率を
考慮して前記紫外線照射部３０は350mJ/cm2の照射量で
紫外線を照射することが一般的である。
考慮して前記紫外線照射部３０は350mJ/cm2の照射量で
紫外線を照射することが一般的である。
【００３１】従って、適正照度が合わない場合、光量が
多くてもＵＶテープ内の接着成分が反応しないか又は遅
い点を利用して選択された照度に照射されない領域は接
着性質を保護することができる。
多くてもＵＶテープ内の接着成分が反応しないか又は遅
い点を利用して選択された照度に照射されない領域は接
着性質を保護することができる。
【００３２】また、図８に示すように前記残余ＵＶテー
プの周りの紫外線照射はウェーハの直径より1mmを超過
して余裕空間を残し、残りの領域に照射することが望ま
しい。
プの周りの紫外線照射はウェーハの直径より1mmを超過
して余裕空間を残し、残りの領域に照射することが望ま
しい。
【００３３】このような紫外線照射領域がウェーハ22内
に侵犯して照射されると、以後の後面研磨工程で照射さ
れる周りの部分がウェーハ22と離隔されて開かれなが
ら、異物質がウェーハのパターンに流入される可能性が
高いので、このような紫外線照射許容範囲はウェーハ内
に紫外線の侵犯が行われないように1mmの厚さの円形帯
形態の余裕空間を有するようにする。
に侵犯して照射されると、以後の後面研磨工程で照射さ
れる周りの部分がウェーハ22と離隔されて開かれなが
ら、異物質がウェーハのパターンに流入される可能性が
高いので、このような紫外線照射許容範囲はウェーハ内
に紫外線の侵犯が行われないように1mmの厚さの円形帯
形態の余裕空間を有するようにする。
【００３４】一方、前記紫外線照射部３０は、照射位置
の変更が自由で光伝達が容易である光繊維を含めて製作
することが望ましい。
の変更が自由で光伝達が容易である光繊維を含めて製作
することが望ましい。
【００３５】従って、前記ローディング装置10によって
移送されたウェーハ22の前面に図6に示すようにローラ
ー34でＵＶテープ24が接着され、ウェーハ22に接着され
たＵＶテープ24を除外した後残った残余ＵＶテープを1c
m位残し、ナイフが1次切断するようになる。
移送されたウェーハ22の前面に図6に示すようにローラ
ー34でＵＶテープ24が接着され、ウェーハ22に接着され
たＵＶテープ24を除外した後残った残余ＵＶテープを1c
m位残し、ナイフが1次切断するようになる。
【００３６】切断して残った1cm位の残余ＵＶテープの
周り28の接着力を喪失させるためには、残余ＵＶテープ
の周り28を前記回転チャック32の回転により回転させ、
設備に固定された前記紫外線照射装置16が前記回転する
残余ＵＶテープの周り28に紫外線を近接に照射する。
周り28の接着力を喪失させるためには、残余ＵＶテープ
の周り28を前記回転チャック32の回転により回転させ、
設備に固定された前記紫外線照射装置16が前記回転する
残余ＵＶテープの周り28に紫外線を近接に照射する。
【００３７】紫外線照射の効果を高くするために、前記
照射は、ＵＶテープに接着剤が塗布されている接着面を
選択して照射することが望ましい。
照射は、ＵＶテープに接着剤が塗布されている接着面を
選択して照射することが望ましい。
【００３８】紫外線照射が終わると、残余ＵＶテープの
周り28を、加熱されたワイヤ21で２次精密除去し、後続
工程である後面研磨設備に移送する。
周り28を、加熱されたワイヤ21で２次精密除去し、後続
工程である後面研磨設備に移送する。
【００３９】図3は本発明の第２の実施形態例による半
導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示した
ブロック図である。
導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示した
ブロック図である。
【００４０】まず、図3を参照して説明すると半導体ウ
ェーハテープラミネーティングシステムは、ウェーハま
たはカセットを工程が行われる特定位置に移送するロー
ディング装置10と、前記ローディング装置10によって移
送されたウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミ
ネーティング装置12と、前記ラミネーティング装置12に
よってウェーハに接着されたＵＶテープを除外して残り
の残余ＵＶテープをナイフで1次切断するプリカッティ
ング装置14と、前記プリカッティング装置14によって切
断された残りの残余ＵＶテープの周りをワイヤ21により
2次精密除去するワイヤカット装置18と、前記ワイヤカ
ット装置18によって除去された前記残余ＵＶテープの周
り28の接着力を喪失させる紫外線照射装置16及び残余Ｕ
Ｖテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工
程に移送するアンローディング装置20を備える。
ェーハテープラミネーティングシステムは、ウェーハま
たはカセットを工程が行われる特定位置に移送するロー
ディング装置10と、前記ローディング装置10によって移
送されたウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミ
ネーティング装置12と、前記ラミネーティング装置12に
よってウェーハに接着されたＵＶテープを除外して残り
の残余ＵＶテープをナイフで1次切断するプリカッティ
ング装置14と、前記プリカッティング装置14によって切
断された残りの残余ＵＶテープの周りをワイヤ21により
2次精密除去するワイヤカット装置18と、前記ワイヤカ
ット装置18によって除去された前記残余ＵＶテープの周
り28の接着力を喪失させる紫外線照射装置16及び残余Ｕ
Ｖテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを後続工
程に移送するアンローディング装置20を備える。
【００４１】また、図4に示すように前記ワイヤカット
装置18はスイングアーム19によって張力が維持され、熱
発生部によって加熱され、前記スイングアーム19に設置
されたプーリ23によって連動するワイヤ21を備えて、回
転する残余ＵＶテープの周り28をウェーハ22と接触し摩
擦して切断する。
装置18はスイングアーム19によって張力が維持され、熱
発生部によって加熱され、前記スイングアーム19に設置
されたプーリ23によって連動するワイヤ21を備えて、回
転する残余ＵＶテープの周り28をウェーハ22と接触し摩
擦して切断する。
【００４２】また、前記プリカッティング装置14は、図
６及び図７に示すように、ローラー34によって密着され
たウェーハ22上のＵＶテープ24を、ウェーハ22の直径よ
り大きい所定の直径で、ウェーハ22がローディングされ
たテーブル29の下端で回転するナイフ31と、前記ナイフ
31によるＵＶテープ24の切断時にＵＶテープ２４を固定
させるためにＵＶテープに接触してパージするバスケッ
ト27を備える。
６及び図７に示すように、ローラー34によって密着され
たウェーハ22上のＵＶテープ24を、ウェーハ22の直径よ
り大きい所定の直径で、ウェーハ22がローディングされ
たテーブル29の下端で回転するナイフ31と、前記ナイフ
31によるＵＶテープ24の切断時にＵＶテープ２４を固定
させるためにＵＶテープに接触してパージするバスケッ
ト27を備える。
【００４３】また、前記紫外線照射装置16は図示しなか
ったが、紫外線を発生する紫外線発生部と、前記紫外線
発生部で発生した紫外線を必要な照度及び光量に合わせ
る紫外線調整部及び前記紫外線調整部で調整された紫外
線を放出する紫外線照射部30とを備えてなる。
ったが、紫外線を発生する紫外線発生部と、前記紫外線
発生部で発生した紫外線を必要な照度及び光量に合わせ
る紫外線調整部及び前記紫外線調整部で調整された紫外
線を放出する紫外線照射部30とを備えてなる。
【００４４】このような紫外線照射装置16の紫外線照射
部30は、図4に示すように、前記ワイヤ21の後に設置さ
れ、ワイヤカット装置18が除去した残余ＵＶテープの周
り28がウェーハ22や設備に接着されるという2次的な不
良原因を防止するように、紫外線を照射して接着力を喪
失する。
部30は、図4に示すように、前記ワイヤ21の後に設置さ
れ、ワイヤカット装置18が除去した残余ＵＶテープの周
り28がウェーハ22や設備に接着されるという2次的な不
良原因を防止するように、紫外線を照射して接着力を喪
失する。
【００４５】このような紫外線照射装置16の紫外線発生
部（図示しない）としては、低圧水銀ランプ、中圧水銀
ランプ、高圧水銀ランプ、メタルハロゲンランプ、無電
極ランプまたは非活性気体ランプ等を適用することが可
能である。
部（図示しない）としては、低圧水銀ランプ、中圧水銀
ランプ、高圧水銀ランプ、メタルハロゲンランプ、無電
極ランプまたは非活性気体ランプ等を適用することが可
能である。
【００４６】前記紫外線調整部は必要な照度と光量を電
気的に除去する制御部（図示省略）を備える。
気的に除去する制御部（図示省略）を備える。
【００４７】また、前記残余ＵＶテープの周り28を、ウ
ェーハ２２の後面をパージする回転チャック32を回転さ
せることで回転させ、前記紫外線照射部30を残余ＵＶテ
ープの周り28に近接して固定設置し、回転する残余ＵＶ
テープの周り28の直径方向の幅にＵＶテープの接着性喪
失に必要な十分な照度及び光量で紫外線を集中して照射
するようにする。
ェーハ２２の後面をパージする回転チャック32を回転さ
せることで回転させ、前記紫外線照射部30を残余ＵＶテ
ープの周り28に近接して固定設置し、回転する残余ＵＶ
テープの周り28の直径方向の幅にＵＶテープの接着性喪
失に必要な十分な照度及び光量で紫外線を集中して照射
するようにする。
【００４８】これとは反対に紫外線照射部３０を残余Ｕ
Ｖテープの周り２８に回転させながら照射することも可
能である。
Ｖテープの周り２８に回転させながら照射することも可
能である。
【００４９】従って、前記ローディング装置10によって
移送されたウェーハ22の前面にＵＶテープが接着され、
ウェーハ22に接着されたＵＶテープを除外して残りの残
余ＵＶテープを1cm余り残し、ナイフで1次切断するよう
になり、切断されて残った1cm余りの残余ＵＶテープの
周り28をウェーハに接触パージするチャック３２で回転
させ、加熱されたワイヤ21で2次精密除去する。
移送されたウェーハ22の前面にＵＶテープが接着され、
ウェーハ22に接着されたＵＶテープを除外して残りの残
余ＵＶテープを1cm余り残し、ナイフで1次切断するよう
になり、切断されて残った1cm余りの残余ＵＶテープの
周り28をウェーハに接触パージするチャック３２で回転
させ、加熱されたワイヤ21で2次精密除去する。
【００５０】除去された前記残余ＵＶテープの周りの28
の接着力を喪失させるためには、設備に固定設置された
前記紫外線照射装置16が除去される残余ＵＶテープの周
り28に近接して紫外線を照射する。
の接着力を喪失させるためには、設備に固定設置された
前記紫外線照射装置16が除去される残余ＵＶテープの周
り28に近接して紫外線を照射する。
【００５１】従って、ワイヤカットの後に照射が行われ
るので紫外線照射領域の精密性が要求されなく、残余Ｕ
Ｖテープの周り28の完全な接着力除去が可能であるが、
ワイヤカット時にＵＶテープがワイヤ21に融着して発生
する不良は防止し難い。
るので紫外線照射領域の精密性が要求されなく、残余Ｕ
Ｖテープの周り28の完全な接着力除去が可能であるが、
ワイヤカット時にＵＶテープがワイヤ21に融着して発生
する不良は防止し難い。
【００５２】紫外線照射の効果を高くするためには、Ｕ
Ｖテープの接着成分が塗布されている接着面に照射する
ことが望ましい。
Ｖテープの接着成分が塗布されている接着面に照射する
ことが望ましい。
【００５３】図5は本発明の第３の実施形態例による半
導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示すブ
ロック図である。
導体ウェーハテープラミネーティングシステムを示すブ
ロック図である。
【００５４】図5を参照して説明すると半導体ウェーハ
テープラミネーティングシステムは、ウェーハまたはカ
セットを工程が行われる特定位置に移送するローディン
グ装置10と、前記ローディング装置10によって移送され
たウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーテ
ィング装置12と、前記ラミネーティング装置12によって
ウェーハに接着されたＵＶテープを除外して残りの残余
ＵＶテープをナイフで1次切断すると同時に残余ＵＶテ
ープの周り28の接着力を喪失させるプリカッティング及
び紫外線照射装置17と、前記プリカッティング及び紫外
線照射装置17によって接着力を喪失した残余ＵＶテープ
の周りをワイヤ21で2次精密除去するワイヤカット装置1
8及び残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェ
ーハを後続工程に移送するアンローディング装置20とを
備える。
テープラミネーティングシステムは、ウェーハまたはカ
セットを工程が行われる特定位置に移送するローディン
グ装置10と、前記ローディング装置10によって移送され
たウェーハの前面にＵＶテープを接着させるラミネーテ
ィング装置12と、前記ラミネーティング装置12によって
ウェーハに接着されたＵＶテープを除外して残りの残余
ＵＶテープをナイフで1次切断すると同時に残余ＵＶテ
ープの周り28の接着力を喪失させるプリカッティング及
び紫外線照射装置17と、前記プリカッティング及び紫外
線照射装置17によって接着力を喪失した残余ＵＶテープ
の周りをワイヤ21で2次精密除去するワイヤカット装置1
8及び残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェ
ーハを後続工程に移送するアンローディング装置20とを
備える。
【００５５】また、前記プリカッティング及び紫外線照
射装置17は、紫外線照射装置を既存のプリカッティング
装置14と一体化して設置し、紫外線を発生する紫外線発
生部と、前記紫外線発生部で発生した紫外線を必要な照
度及び光量に合わせる紫外線調整部及び前記紫外線調整
部で調整された紫外線を放出する紫外線照射部30とを備
えてなる。
射装置17は、紫外線照射装置を既存のプリカッティング
装置14と一体化して設置し、紫外線を発生する紫外線発
生部と、前記紫外線発生部で発生した紫外線を必要な照
度及び光量に合わせる紫外線調整部及び前記紫外線調整
部で調整された紫外線を放出する紫外線照射部30とを備
えてなる。
【００５６】このようなプリカッティング及び紫外線照
射装置17の紫外線照射部30は、図6及び図7に示すよう
に、残余ＵＶテープの周り28のような形状の円形リング
形態に、設備内部に設置されプリカッティングが進行さ
れると同時に、図7のように底面で紫外線を前面照射す
るようになっているので、速く精密な照射が可能にな
る。
射装置17の紫外線照射部30は、図6及び図7に示すよう
に、残余ＵＶテープの周り28のような形状の円形リング
形態に、設備内部に設置されプリカッティングが進行さ
れると同時に、図7のように底面で紫外線を前面照射す
るようになっているので、速く精密な照射が可能にな
る。
【００５７】前記紫外線照射部30は、前記プリカッティ
ング装置内部に設置されて残余ＵＶテープの周り28を紫
外線で照射するものであり、前記プリカッティング装置
内部のテーブル29の下面で回転するナイフの回転内径に
連接して設置され、ナイフ31によるプリカッティングと
同時に上面に近接する残余ＵＶテープの周り28を紫外線
に照射する。
ング装置内部に設置されて残余ＵＶテープの周り28を紫
外線で照射するものであり、前記プリカッティング装置
内部のテーブル29の下面で回転するナイフの回転内径に
連接して設置され、ナイフ31によるプリカッティングと
同時に上面に近接する残余ＵＶテープの周り28を紫外線
に照射する。
【００５８】また、前記紫外線照射部30は、前記残余Ｕ
Ｖテープの周り28に近接配設して固定し、やはり固定し
た前記残余ＵＶテープの周り28を前面照射する残余ＵＶ
テープの周りの形態の円形リング形状に、多数個の分離
型紫外線照射部材を組立て、円形リングの形態に密集し
て製作することも可能である。
Ｖテープの周り28に近接配設して固定し、やはり固定し
た前記残余ＵＶテープの周り28を前面照射する残余ＵＶ
テープの周りの形態の円形リング形状に、多数個の分離
型紫外線照射部材を組立て、円形リングの形態に密集し
て製作することも可能である。
【００５９】このような円形リング形態の紫外線照射部
は紫外線照射の効率を高くするために回転させることも
可能である。
は紫外線照射の効率を高くするために回転させることも
可能である。
【００６０】従って、前記ローディング装置１０によっ
て移送されたウェーハ22の前面にローラー34にＵＶテー
プ24が接着され、ウェーハ22に接着されたＵＶテープ24
を除外して残りの残余ＵＶテープ26を1cm余り残し、ナ
イフで1次切断し、切断と同時に残りの1cm余りの残余Ｕ
Ｖテープの周り28を、設備の底面に設置した紫外線照射
装置により接着力を喪失させ、以後加熱されたワイヤ21
を備えたワイヤカット装置１８によって残余ＵＶテープ
の周り28が2次精密除去される。
て移送されたウェーハ22の前面にローラー34にＵＶテー
プ24が接着され、ウェーハ22に接着されたＵＶテープ24
を除外して残りの残余ＵＶテープ26を1cm余り残し、ナ
イフで1次切断し、切断と同時に残りの1cm余りの残余Ｕ
Ｖテープの周り28を、設備の底面に設置した紫外線照射
装置により接着力を喪失させ、以後加熱されたワイヤ21
を備えたワイヤカット装置１８によって残余ＵＶテープ
の周り28が2次精密除去される。
【００６１】以上で本発明は記載された具体例に対して
のみ詳細に説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明
白なことであり、このような変形及び修正が、添付され
た特許請求範囲に属することは当然なことである。
のみ詳細に説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明
白なことであり、このような変形及び修正が、添付され
た特許請求範囲に属することは当然なことである。
【００６２】
【発明の効果】以上のように本発明による半導体ウェー
ハテープラミネーティングシステム及びこれを利用した
ラミネーティング方法によると、2次ワイヤカッティン
グによって除去される残余ＵＶテープの周りのかけら
が、ウェーハや設備等に接着しないようにテープの接着
力を喪失させているので、設備のエラーを防止してウェ
ーハ不良を減少させることができるという効果を有す
る。
ハテープラミネーティングシステム及びこれを利用した
ラミネーティング方法によると、2次ワイヤカッティン
グによって除去される残余ＵＶテープの周りのかけら
が、ウェーハや設備等に接着しないようにテープの接着
力を喪失させているので、設備のエラーを防止してウェ
ーハ不良を減少させることができるという効果を有す
る。
【図１】本発明の第１の実施形態例による半導体ウェー
ハテープラミネーティングシステムを示すブロック図で
ある。
ハテープラミネーティングシステムを示すブロック図で
ある。
【図２】図1の紫外線照射装置を示す立体図である。
【図３】本発明の第２の実施形態例による半導体ウェー
ハテープラミネーティングシステムを示すブロック図で
ある。
ハテープラミネーティングシステムを示すブロック図で
ある。
【図４】図3の紫外線照射装置を示す立体図である。
【図５】本発明の第３の実施形態例による半導体ウェー
ハテープラミネーティングシステムを示すブロック図で
ある。
ハテープラミネーティングシステムを示すブロック図で
ある。
【図６】図5の紫外線照射装置を示す立体図である。
【図７】図5の紫外線照射装置の照射状態を示した概略
図である。
図である。
【図８】ＵＶテープの紫外線照射領域を示す正面図であ
る。
る。
【図９】ＵＶテープの紫外線照射による接着強度の変化
特性を示すグラフである。
特性を示すグラフである。
10 …ローディング装置、12…ラミネーティング装置、1
4…プリカッティング装置、16…紫外線照射装置、17…
プリカッティング及び紫外線照射装置、18…ワイヤカッ
ト装置、19…スイングアーム、20…アンローディング装
置、21…ワイヤ、22…ウェーハ、23…プーリ、24…ＵＶ
テープ、26…残余ＵＶテープ、27…バスケット、28…残
余ＵＶテープの周り、29…テーブル、30…紫外線照射
部、31…ナイフ、32…回転チャック。
4…プリカッティング装置、16…紫外線照射装置、17…
プリカッティング及び紫外線照射装置、18…ワイヤカッ
ト装置、19…スイングアーム、20…アンローディング装
置、21…ワイヤ、22…ウェーハ、23…プーリ、24…ＵＶ
テープ、26…残余ＵＶテープ、27…バスケット、28…残
余ＵＶテープの周り、29…テーブル、30…紫外線照射
部、31…ナイフ、32…回転チャック。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジン−ヘウン キム 大韓民国，キュンキ−ド，スヲン市，チャ ンガン−グ，チョウォン−ドング，ビュク サン アパート 106−108 (72)発明者 ジュン−ヒュン チョー 大韓民国，ソウル，ヨンサン−グ，ウォン ヒョーロー サード ストリート，232− ２，５／２
Claims (26)
- 【請求項１】 ウェーハまたはカセットを工程が行われ
る特定位置に移送するローディング装置と、 前記ローディング装置によって移送されたウェーハの前
面にＵＶテープを接着させるラミネーティング装置と、 前記ラミネーティング装置によってウェーハに接着され
たＵＶテープを除外して残った残余ＵＶテープをナイフ
で１次切断するプリカッティング装置と、 前記プリカッティング装置によって切断され残った残余
ＵＶテープの周りをワイヤで2次精密除去するワイヤカ
ット装置と、 前記残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射する紫外線照
射装置と、 前記残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェー
ハを後続工程に移送するアンローディング装置と、 を備えてなることを特徴とする半導体ウェーハテープラ
ミネーティングシステム。 - 【請求項２】 前記ワイヤカット装置は、スイングアー
ムによって張力が維持され、熱発生部によって加熱さ
れ、前記スイングアームに設置されたプーリによって連
動するワイヤによって、回転する残余ＵＶテープの周り
をウェーハと接触して切断することを特徴とする請求項
１に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシス
テム。 - 【請求項３】 前記プリカッティング装置は、ローラー
によって密着されたウェーハ上のＵＶテープを、ウェー
ハの直径より大きい所定の直径にウェーハがローディン
グされたテーブルの下端で切断するナイフと、前記ナイ
フによるＵＶテープの切断時にＵＶテープを固定させる
ために接触してパージするバスケットとを備えてなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハテープ
ラミネーティングシステム。 - 【請求項４】 前記紫外線照射装置は、紫外線を発生す
る紫外線発生部と、 前記紫外線発生部から発生した紫外線を必要な照度及び
光量に合わせる紫外線調整部と、 前記紫外線調整部で調整された紫外線を放出する紫外線
照射部と、を備えてなることを特徴とする請求項１に記
載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。 - 【請求項５】 前記紫外線発生部は、低圧水銀ランプ、
中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、メタルハロゲンラン
プ、無電極ランプまたは非活性気体ランプでなるグルー
プで選択してなることを特徴とする請求項４に記載の半
導体ウェーハテープラミネーティングシステム。 - 【請求項６】 前記ＵＶテープは、ポリオレピン系のベ
ースフィルムに光硬化性開始剤が含まれるアクリルレー
ト系の接着剤を塗布してなることを特徴とする請求項１
に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステ
ム。 - 【請求項７】 前記光硬化性開始剤はカルボニールグル
ープに隣接しているC-Cシグマ結合を分裂させるノリシ
タイプのラディカル反応の反応物であることを特徴とす
る請求項６に記載の前記半導体ウェーハテープラミネー
ティングシステム。 - 【請求項８】 前記ＵＶテープ、は温度23℃、相対湿度
50%である場合、紫外線照射量を増加させると30mJ/cm2
から130mJ/cm2までの領域で接着強度が25g/inchに低下
されることを特徴とする請求項１又は６に記載の半導体
ウェーハテープラミネーティングシステム。 - 【請求項９】 前記紫外線照射部は、温度23℃、相対湿
度50%で、前記ＵＶテープの接着強度が60g/inch以下に
要求される場合、70mJ/cm2以上の照射量で紫外線を照射
することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハ
テープラミネーティングシステム。 - 【請求項１０】 前記紫外線照射部は、温度23℃、相対
湿度50%で、前記ＵＶテープの接着強度が50g/inch以下
に要求される場合、100mJ/cm2以上の照射量で紫外線を
照射することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェ
ーハテープラミネーティングシステム。 - 【請求項１１】 前記紫外線照射部は、温度23℃、相対
湿度50%で、前記ＵＶテープの接着強度が40g/inch以下
に要求される場合、130mJ/cm2以上の照射量で紫外線を
照射することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェ
ーハテープラミネーティングシステム。 - 【請求項１２】 前記紫外線照射部は350mJ/cm2以上の
照射量で紫外線を照射することを特徴とする請求項４に
記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステ
ム。 - 【請求項１３】 前記残余ＵＶテープの周りの紫外線照
射はウェーハの直径より１mmを超過して余裕空間を残
し、残った領域に照射することを特徴とする請求項１に
記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシステ
ム。 - 【請求項１４】 前記紫外線調整部は、必要な照度と光
量を電気的に除去する除去部を備えてなることを特徴と
する請求項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーテ
ィングシステム。 - 【請求項１５】 前記紫外線照射部は、照射位置の変更
が自由で光伝達が容易である光繊維を含めてなることを
特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハテープラミ
ネーティングシステム。 - 【請求項１６】 前記紫外線照射部は、前記ワイヤの前
に設置され、残余ＵＶテープの周りがワイヤカッティン
グされる前に紫外線で事前照射することを特徴とする請
求項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーティング
システム。 - 【請求項１７】 前記紫外線照射部は、前記ワイヤの後
に設置され、残余ＵＶテープの周りがワイヤカッティン
グされた後に紫外線で後照射することを特徴とする請求
項４に記載の半導体ウェーハテープラミネーティングシ
ステム。 - 【請求項１８】 前記紫外線照射部は、前記プリカッテ
ィング装置内部に設置され、残余ＵＶテープの周りを紫
外線で照射することを特徴とする請求項４に記載の半導
体ウェーハテープラミネーティングシステム。 - 【請求項１９】 前記紫外線照射部は、前記プリカッテ
ィング装置内部のテーブルの下面でナイフが回転する内
径に連接して設置され、ナイフによるフリーカッティン
グと同時に上面に近接する残余ＵＶテープの周りを紫外
線で照射することを特徴とする請求項４に記載の半導体
ウェーハテープラミネーティングシステム。 - 【請求項２０】 前記紫外線照射部は、前記残余ＵＶテ
ープの周りに近接位置して固定され、回転チャックによ
って回転する前記残余ＵＶテープの周りを集中照射する
ことを特徴とする請求項１８又は１９又は２０に記載の
半導体ウェーハテープラミネーティングシステム。 - 【請求項２１】 前記紫外線照射部は、前記残余ＵＶテ
ープの周りに近接位置して回転され、固定された前記残
余ＵＶテープの周りを集中照射することを特徴とする請
求項１８又は１９又は２０に記載の半導体ウェーハテー
プラミネーティングシステム。 - 【請求項２２】 前記紫外線照射部は、前記残余ＵＶテ
ープの周りに近接位置して固定され、やはり固定された
前記残余ＵＶテープの周りを前面照射する残余ＵＶテー
プの周りの形態の円形リング型紫外線照射部であること
を特徴とする請求項１８又は１９又は２０に記載の半導
体ウェーハテープラミネーティングシステム。 - 【請求項２３】 前記紫外線照射部は、多数個の分離型
紫外線照射部材が組立てられ円形リングの形態に構成さ
れることを特徴とする請求項２２に記載の半導体ウェー
ハテープラミネーティングシステム。 - 【請求項２４】 ウェーハまたはカセットを工程が行わ
れる特定位置に移送するローディング段階と、 前記ローディング段階によって移送されたウェーハの全
面にＵＶテープを接着させるラミネーティング段階と、 前記ラミネーティング段階によってウェーハに接着され
るＵＶテープを除外し、残りの残余ＵＶテープをナイフ
で１次切断するプリカッティング段階と、 前記プリカッティング段階によって切断され残った残余
ＵＶテープの周りの接着力を喪失させる紫外線照射段階
と、 前記紫外線照射段階を終えた残余ＵＶテープの周りをワ
イヤに２次精密除去するワイヤカット段階と、 残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを
後続工程に移送するアンローディング段階と、 を備えてなることを特徴とする半導体ウェーハテープラ
ミネーティング方法。 - 【請求項２５】 ウェーハまたはカセットを工程が行わ
れる特定の位置に移送するローディング段階と、 前記ローディング段階によって移送されたウェーハの前
面にＵＶテープを接着させるラミネーティング段階と、 前記ラミネーティング段階によってウェーハに接着され
たＵＶテープを除外して残った残余ＵＶテープをナイフ
で１次切断するプリカッティング段階と、 前記プリカッティング段階によって切断され、残りの残
余ＵＶテープの周りをワイヤで２次精密除去するワイヤ
カット段階と、 前記ワイヤカット段階を終えた残余ＵＶテープの周りの
接着力を喪失させる紫外線照射段階と、 残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを
後続工程に移送するアンローディング段階と、 を備えてなることを特徴とする半導体ウェーハテープラ
ミネーティング方法。 - 【請求項２６】 ウェーハまたはカセットを工程が行わ
れる特定位置に移送するローディング段階と、 前記ローディング段階によって移送されたウェーハの全
面にＵＶテープを接着させるラミネーティング段階と、 前記ラミネーティング段階によってウェーハに接着され
たＵＶテープを除外し、残りの残余ＵＶテープをナイフ
で１次切断すると同時に残余ＵＶテープの周りの接着力
を喪失させるプリカッティング及び紫外線走査段階と、 前記プリカッティング及び紫外線照射段階によって切断
され接着力を喪失した残った残余ＵＶテープの周りをワ
イヤで２次精密除去するワイヤカット段階と、 残余ＵＶテープの周りに紫外線を照射させたウェーハを
後続工程に移送するアンローディング段階と、 を備えてなることを特徴とする半導体ウェーハテープラ
ミネーティング方法。
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